TWI836551B - 用於處理廢氣的等離子裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明涉及廢氣處理裝置,所述等離子裝置包括:等離子體火炬;廢氣注入部,其設於所述等離子體火炬的下部;反應腔室,其設於廢氣注入部的下部;等離子反應部,其包括等離子體火炬及設置成向反應腔室供應冷卻水的冷卻水腔室;冷卻部,其形成於等離子反應部的下部且與等離子反應部相互連通,設有通道和包圍通道的冷卻水腔室;以及連接部,其連接冷卻部和真空泵,其中,連接部設有用於阻斷被真空泵壓降的孔口。根據本發明的等離子裝置通過在與真空泵連接的連接部安裝孔口阻斷真空泵的壓降,因此能夠將等離子裝置的包括等離子體火炬的等離子反應部的壓力維持在接近常壓的壓力,因此能夠減少等離子體火炬內鎢電極磨損,從而能夠延長電極壽命。
Description
本發明涉及廢氣處理裝置,更具體來講涉及一種連接於真空泵時也能夠延長等離子體火炬的電極壽命的等離子裝置。
隨著半導體、LCD等產業的大型化和生產增加,用於其工程的氣體也在增加。半導體製造工程具有諸多步驟,其中使用的氣體種類如諸多步驟的工程一樣多種多樣。
例如,在半導體元件製造工程中,對供應到處理腔室的晶圓反復進行光刻、蝕刻、擴散及金屬沉積等工程。這種半導體製造工程的執行過程中使用多種工藝氣體,工程完成後通過真空泵從工程腔室排出廢氣,廢氣可能含有有毒成分,因此在通過真空泵排出之前通過洗滌器之類的廢氣處理裝置進行淨化。
隨著當前國家半導體生產量及需求增大,韓國IT製造工程中越來越多地導入對排出的有害氣體進行淨化的POU洗滌器(Scrubber)設備,而且需要導入用於改善現有設備性能下降的問題的新技術。
因此,旨在對等離子方式全氟化合物(PFC)廢氣處理裝
置進行說明,所述廢氣處理裝置能夠結合到當前用於在半導體工程廢氣處理工程中對PFCs進行分解處理的初級POU洗滌器用途或用於解決因發生火焰而頻繁維修保養真空泵的問題的用途等各種位置。
具體來講,所述等離子方式的廢氣處理裝置包括等離子反應器及連接部,所述等離子反應器由設於上部且在包含全氟化合物(PFC)的廢氣流入時在通過等離子產生用氮氣(N2)與接入電生成的高溫的等離子區域對其進行分解的等離子體火炬、設於所述等離子體火炬的下部的等離子腔室、設成向所述等離子體火炬及所述等離子腔室之間供應反應水的反應水注入部構成,所述連接部連通地設於所述等離子反應器的下部,用於被所述等離子反應器分解的氣體向真空泵移動。
然而,這種等離子方式的廢氣處理裝置在連接於真空泵時,真空通過廢氣處理裝置的連接部影響至等離子反應器,因此用作等離子反應器的氧化電極的鎢因低壓而沸點下降發生氣化,因此具有壽命/性能下降的問題。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
韓國授權專利第10-1142184號
本發明的目的是提供一種連接於真空泵時也能夠延長電極壽命的用於處理廢氣的等離子裝置。
為了達到上述目的,本發明提供一種用於處理廢氣的等離子裝置。根據本發明的等離子裝置是與真空泵連接的用於處理廢氣的等離子裝置,包括:等離子體火炬;廢氣注入部,其設於所述等離子體火炬的下部;反應腔室,其設於所述廢氣注入部的下部;等離子反應部,其包括所述等離子體火炬及設置成向所述反應腔室供應冷卻水的冷卻水腔室;冷卻部,其形成於所述等離子反應部的下部且與所述等離子反應部相互連通,設有通道和包圍所述通道的冷卻水腔室;以及連接部,其連接所述冷卻部和真空泵。
所述連接部可設有用於阻斷被真空泵壓降的孔口。
所述孔口可包括堵住連接部的通道的主體及形成於所述主體的局部的至少一個孔口孔。
所述孔口孔的大小可隨廢氣的流入流量成正比地增大。
所述等離子反應部的等離子體火炬、廢氣注入部、反應腔室可形成為一體型。
所述等離子體火炬可包括:陰極電極,具有內部實心的柱體形狀;陰極電極體,其形成為包圍所述陰極電極,具有下部鼓出的鼓出部;殼體,其罩住所述陰極電極及所述陰極電極體的上部;陽極電極體,其配置於所述陰極電極體的下部且相隔預定
距離;等離子產生氣體供應部,其配置於所述陰極電極體與所述陽極電極體之間,供應用於產生等離子的等離子產生氣體;以及冷卻水供應部,其向所述陰極電極體及所述陽極電極體供應冷卻水。
所述陰極電極的下部的一端可在所述陰極電極體露出預定部分。
所述鼓出部的內部可形成有由圓筒形狀的槽構成使得發生等離子產生氣體的渦流的電弧產生部。
所述陽極電極體的內部可形成有直徑趨向下部方向增大的圓筒形的排出部。
所述等離子產生氣體供應部可包括:主體,其具有環形狀且內部形成有空間;以及,等離子產生氣體注入管,其形成於所述主體注入氣體。
所述等離子產生氣體注入管形成為與所述主體的內部空間的圓周方向相切,兩個等離子產生氣體注入管可配置成構成180°。
所述等離子產生氣體注入管的氣體排出口的直徑可小於氣體注入口的直徑。
設於所述等離子反應部及冷卻部的冷卻水腔室的冷卻水注入口可設於冷卻水腔室的最下端且冷卻水排出口可設於冷卻水腔室的最上端以防止形成氣體氣泡。
根據本發明的等離子裝置,通過在與真空泵連接的連接部安裝孔口(orifice)阻擋真空泵的壓降,因此能夠將等離子裝置的包括等離子體火炬的等離子反應部的壓力維持在接近常壓的壓力,因此能夠減少等離子體火炬內鎢電極磨損,從而能夠延長電極壽命。
並且,根據本發明的等離子裝置內的等離子體火炬能夠通過形成於陰極電極體下部的圓筒形的電弧產生部高速旋轉等離子產生氣體以形成強渦流,因此可保持精確、穩定的等離子,即使在低功率運轉時也能夠提高氣體處理效率,能夠通過形成於陰極電極體的電弧產生部旋轉等離子產生氣體以保持恒定的等離子,因此能夠減少電極磨損,從而能夠延長電極壽命。
100:等離子裝置
10:等離子反應部
11:等離子體火炬
12:廢氣注入部
13:反應腔室
14:冷卻水腔室
20:冷卻部
21:移動通道
22:冷卻水腔室
23、25:冷卻水注入口
24、26:冷卻水排出口
30:連接部
31:孔口
110:陰極電極
120:陰極電極體
121:電極收容孔
122:鼓出部
123:電弧產生部
130:殼體
140:陽極電極體
141:排出部
142:第一排出部
143:第二排出部
144:第三排出部
145:第一傾斜部
146:第二傾斜部
147:凸出部
150:等離子產生氣體供應部
151:主體
152:等離子產生氣體注入管
153:等離子產生氣體注入口
154:等離子產生氣體排出口
160:冷卻水供應部
161:冷卻孔
162:冷卻水注入口
163:冷卻水排出口
170:第一絕緣部
180:第二絕緣部
圖1為示出根據本發明的一個實施例的用於處理廢氣的等離子裝置連接於真空泵的狀態的示意圖;圖2為示出根據本發明的一個實施例的用於處理廢氣的等離子裝置的簡要示意圖;圖3為示出作為根據本發明的一個實施例的等離子裝置的一個構成要素的等離子體火炬的立體圖;圖4為示出作為根據本發明的一個實施例的等離子裝置的一個構成要素的等離子體火炬的剖面圖;
圖5為示出作為根據本發明的一個實施例的等離子裝置的一個構成要素的等離子體火炬的氣體供應部的示意圖;圖6為示出作為根據本發明的一個實施例的等離子裝置的一個構成要素的等離子體火炬內部的等離子產生氣體的流動的示意圖;圖7為示出測量作為根據本發明的一個實施例的等離子裝置的一個構成要素的等離子體火炬內部的鎢電極的磨損長度的示意圖;圖8為示出根據本發明的一個實施例的等離子裝置不包括作為一個構成要素的孔口時隨著運轉時間發生的等離子體火炬內部的鎢電極的磨損長度的曲線圖;圖9為示出根據本發明的一個實施例的等離子裝置不包括作為一個構成要素的孔口時在常壓下隨著運轉時間的等離子體火炬內部的鎢電極的磨損狀態的照片(運行約250天后);圖10為示出根據本發明的一個實施例的等離子裝置不包括作為一個構成要素的孔口時在常壓下隨著運轉時間的等離子體火炬內部的鎢電極的磨損狀態的照片(運行約600天后);圖11為示出根據本發明的一個實施例的等離子裝置包括作為一個構成要素的孔口的情況下隨著運轉時間的等離子體火炬內部的鎢電極運轉時間的磨損狀態的照片(第2天,運行20小時後);圖12為示出根據本發明的一個實施例的等離子裝置包括作
為一個構成要素的孔口的情況下隨著運轉時間的等離子體火炬內部的鎢電極運轉時間的磨損狀態的照片(第3天,運行28小時後)。
本發明可施加各種變形,可具有各種實施例,在圖中示例特定實施例且在具體實施方式中進行詳細說明。但應理解這並非旨在將本發明限定於特定的實施方式,可包括包含於本發明的思想及技術範圍的所有變換、等同物乃至替代物。在對本發明進行說明時,當判斷認為對相關公知技術的具體說明可能混淆本發明的主旨的情況下省略其詳細說明。
以下參見附圖對本發明的實施例進行詳細說明,在對附圖進行說明時對相同或對應的構成要素添加相同的附圖標記並省略對此進行重複說明。
圖1為示出根據本發明的一個實施例的用於處理廢氣的等離子裝置連接於真空泵的狀態的示意圖。
參見圖1,根據本發明的等離子裝置100可以是處理在半導體工程中產生並向真空泵移動的廢氣進行處理的廢氣處理裝置。根據本發明的等離子裝置100可用作防止在半導體主(Main)工程中向真空泵(Vacuum Pump)排出的特殊氣體引起的副產物(By-Products)流入真空泵引發泵維護管理及設備運轉等問題的裝置。因此能夠提高泵維護管理及設備運轉效率,改善真空泵的壽
命(V/PLife Time)。
圖2為示出根據本發明的一個實施例的用於處理廢氣的等離子裝置的簡要示意圖。
參見圖2,根據本發明的用於處理廢氣的等離子裝置100包括等離子反應部10、冷卻部20及連接部30。
所述等離子反應部10包括等離子體火炬11、設於所述等離子體火炬的下部的廢氣注入部12、位於所述廢氣注入部的下部的反應腔室13、設置成向所述等離子體火炬及所述反應腔室供應冷卻水的冷卻水腔室14。
所述等離子體火炬11可採用本領域公知的等離子體火炬,例如可採用RF等離子體火炬、微波(Microwave)等離子體火炬、電弧(Arc)等離子體火炬等,但不限於此。
優選地,所述等離子體火炬可採用電弧等離子體火炬,所述電弧等離子體火炬可如下構成。
圖3為示出作為根據本發明的一個實施例的等離子裝置的一個構成要素的等離子體火炬的立體圖,圖4為示出作為根據本發明的一個實施例的等離子裝置的一個構成要素的等離子體火炬的剖面圖。
參見圖3及圖4,根據本發明的等離子體火炬11包括陰極電極110、陰極電極體120、殼體130、陽極電極體140、等離子產生氣體供應部150及冷卻水供應部160。
陰極電極110可具有內部實心的向上下部形成的細長的
柱形狀。陰極電極110的上部端面具有平坦的形狀,但下部端面可具有向下部方向鼓出的半球形狀。這是為了使得從下述等離子產生氣體供應部150供應的等離子產生氣體在陰極電極110下部旋轉形成渦流時,不妨礙渦流的形成,確保能夠有效地形成渦流。
並且,陰極電極110的材質可優選鎢。以往為了製造含鎢的陰極電極110,用鎢粉在高溫凝縮形成模具進行製造,因此不結實,從而具有等離子體火炬運行時陰極電極壽命縮短的問題。然而,本發明的陰極電極110並非為像以往用鎢粉在高溫進行凝縮的方式,而是採用用純鎢進行加工製造的方式。因此能夠製造成比以往的陰極電極更結實,從而能夠延長陰極電極110的壽命。
陰極電極體120可形成為包圍所述陰極電極110。陰極電極體120的內部中央可形成有電極收容孔121以收容陰極電極110。並且,陰極電極體120的下部包括向下部方向鼓出的形狀的鼓出部122,鼓出部122內部可以形成有由圓筒形狀的槽構成的電弧產生部123以便使得發生等離子產生氣體的渦流。即,形成於陰極電極體120內部的電極收容孔121和形成於下部的電弧產生部123可相互連通。優選的是形成的電弧產生部123的直徑形成為大於所述電極收容孔121的直徑。
陰極電極110插入安裝於陰極電極體120的電極收容孔121,可配置成陰極電極110下部端面,即,陰極電極110下部
的鼓出的具有半球形狀的部位露出於陰極電極體120的電弧產生部123。因此陰極電極體120的電弧產生部123可以是包圍陰極電極110的下部端面周圍的形態。
並且,陰極電極體120內部可包括為了冷卻通過等離子產生的熱而使得冷卻水在陰極電極體120內部流動的冷卻水供應部160。冷卻水供應部160可包括形成於陰極電極體120內部使得冷卻水向陰極電極體120內部流動的冷卻孔161和形成為冷卻水注入陰極電極體120的冷卻水注入口162及使得冷卻水在陰極電極體120內部流動進行冷卻後能夠排出的冷卻水排出口163。
殼體130可罩住所述陰極電極110的另一端及陰極電極體120的上部。並且,殼體130可以由絕緣物質形成。在此,所述絕緣物質可以由聚氯乙烯或鐵氟龍、陶瓷等形成。因此殼體130能夠使得陰極電極110及陰極電極體120有效絕緣。
陽極電極體140可以和所述陰極電極體120下部相隔預定距離且配置於其下部。陽極電極體140的上部設置成與所述陰極電極體120相隔,能夠起到收容由陰極電極體120產生的電弧的(+)極性電極體的作用。優選地,陽極電極體140可以由導電率高的銅形成。並且,陽極電極體140的內部可包括排出熱分解反應後的氣體、氮氣及等離子的排出部141。
陽極電極體140的排出部141可形成為圓筒形,排出部141的直徑趨向下部方向逐漸變寬,可區分為第一排出部142、第二排出部143及第三排出部144。即,可形成為第二排出部
143的直徑大於第一排出部142的直徑,第三排出部144的直徑大於第二排出部143的直徑。
為了形成為第二排出部143的直徑大於第一排出部142的直徑,可在第二排出部143與第一排出部142之間形成第一傾斜部145。即,第一傾斜部145可形成為具有傾斜使得直徑趨向下部方向增大。優選地,所述第一傾斜部145可具有130°以上150°以下的傾斜,在等離子產生氣體通過排出部141排出時通過增加排出的氣體與排出部141接觸的面使得在內部高速旋轉以有效發生渦流,更優選地,傾斜部可具有140°的傾斜。並且,可形成為第三排出部144的直徑大於第一排出部142及第二排出部143的直徑。即,為了形成為第三排出部144的直徑大於第二排出部143的直徑,可在第三排出部144與第二排出部143之間形成第二傾斜部146。
如上所述,將根據本發明的等離子體火炬11的陽極電極體140的排出部141的大小分成三級,在第一、第二、第三排出部142、143、144之間形成傾斜面145、146以擴張排出部141,從而能夠最大程度地加大排出氣體與排出部141接觸的面,因此排出氣體可在排出部141內部邊高速旋轉邊排出。這種高速旋轉的排出氣體能夠在排出部141內部形成強渦流,因此在低功率也能夠高效地處理廢氣,從而具有能夠節省能量使用量的效果。
並且,陽極電極體140的上部可形成有凸出部147使得
排出部141的周邊凸出。陽極電極體140的凸出部147可起到引導作用使得從等離子產生氣體供應部150噴射的氣體能夠高速向所述陰極電極體120的電弧產生部123方向進入。
像陰極電極體120一樣,陽極電極體140的內部可包括為了冷卻由等離子產生的熱而使冷卻水在陽極電極體140內部流動的冷卻水供應部160。冷卻水供應部160可包括形成於陽極電極體140內部使得冷卻水在陽極電極體140內部流動的冷卻孔161、形成為冷卻水注入到陽極電極體140的冷卻水注入口162及使得冷卻水能夠在陽極電極體140內部流動進行冷卻後排出的冷卻水排出口163。即,冷卻水供應部160可分別形成於陰極電極體120與陽極電極體140。
等離子產生氣體供應部150可在陰極電極體120與陽極電極體140之間配置成環形。更具體來講,等離子產生氣體供應部150可配置成套入到所述陰極電極體120的鼓出部122的形態。
等離子產生氣體供應部150能夠向火炬內部供應用於在等離子體火炬11內部產生等離子的等離子產生氣體。作為一例,等離子產生氣體可以是N2氣體。
並且,等離子產生氣體供應部150可包括內部形成有空間的圓筒形的主體151及形成於所述主體151且注入等離子產生氣體的等離子產生氣體注入管152。
圖5為示出根據本發明的一個實施例的等離子體火炬的
等離子產生氣體供應部150的示意圖。
參見圖5,等離子產生氣體供應部150的主體151具有內部形成有空間的環形狀,可安裝成套入到陰極電極體120的鼓出部122的形態。
等離子產生氣體供應部150的等離子產生氣體注入管152如圖5所示,優選的是形成為與所述主體151內部空間的圓周方向相切,兩個等離子氣體注入管152配置成相互構成180°。並且,為了提高通過等離子產生氣體注入管152排出的氣體的排出壓力,可形成為等離子產生氣體注入管152的等離子產生氣體排出口154的直徑小於等離子產生氣體注入口153。即,等離子產生氣體排出口154的直徑比等離子產生氣體注入管152的等離子產生氣體注入口153小,因此能夠通過等離子產生氣體排出口154強力噴射排出的氣體,能夠通過相隔180°配置的氣體注入管152結構形成強渦流。
關於等離子產生氣體注入管152的等離子產生氣體排出口154的位置,優選的是配置成等離子產生氣體供應部150插入到陰極電極體120的鼓出部122時等離子產生氣體排出口154朝向鼓出部122。這是為了使得從氣體排出口154噴射的排出氣體沿著陰極電極體120的鼓出部122流動,以誘導氣體向陰極電極體120的電弧產生部123流動。
圖6為示出根據本發明的等離子裝置中等離子產生氣體在等離子體火炬內部的流動的示意圖。
參見圖6,通過等離子產生氣體供應部150注入的等離子產生氣體通過等離子產生氣體供應部150的兩個等離子產生氣體注入管152向主體151內部噴射。噴射的氣體通過陰極電極體120的鼓出部122與陽極電極體140的凸出部147向陰極電極體120的電弧產生部123方向強力進入。向電弧產生部123強力進入的氣體在圓筒形的電弧產生部123高速旋轉發生強渦流。通過這種渦流能夠在產生等離子時保持穩定的等離子,因此低功率運轉時也能夠提高氣體處理效率。
並且,噴射的等離子產生氣體的渦流弱的情況下,等離子放電時發生電弧的部位會發生電極磨損的問題。而根據本發明的一個實施例的圖5及圖6的等離子體火炬能夠通過從等離子產生氣體注入管152強力噴射氣體及形成於陰極電極體120下部的槽形狀的電弧產生部123結構產生強渦流以保持恒定的等離子,因此能夠減少電極磨損。因此,與現有的等離子體火炬相比能夠將電極壽命延長兩倍以上。
再次參見圖3及圖4,陽極電極體140的上部及下部還可以包括有第一絕緣部170和第二絕緣部180。
第一絕緣部170可形成為包覆所述陽極電極體140的凸出部147。第一絕緣部170為了配置在等離子產生氣體供應部150的下部實現陰極電極體120與陽極電極體140之前的相互絕緣,起到保持電極之間距離的作用。第一絕緣部170的材質可採用具有優良耐熱性和剛性的絕緣材質,但不限於此。
第二絕緣部180可形成為包圍所述陽極電極體140下部。第二絕緣部180配置在陽極電極體140和支撐陽極電極體140的板之間,可實現陽極電極體140和板之間的絕緣。第二絕緣部180的材質可採用具有優異的耐熱性和剛性的絕緣材質,但不限於此。
在所述等離子體火炬形成的等離子通過渦流向設於所述等離子體火炬的下部的反應腔室13移動。
另外,所述等離子體火炬與反應腔室之間形成有廢氣注入部12。從所述廢氣注入部12注入的廢氣向設於所述廢氣注入部的下部的反應腔室13移動。
在所述反應腔室13中,從廢氣注入部12注入的廢氣和等離子發生反應,可通過所述等離子分解全氟化合物生成分解氣體。
即,根據本發明的等離子反應部設有反應腔室13,廢氣並非直接噴射到等離子體火炬,而是進入位於等離子體火炬的下部的反應腔室13,從而不影響等離子體火炬的電極,因此能夠提高等離子體火炬的電極的壽命。
所述分解氣體由於高溫的等離子而以高溫狀態存在,為了向外部排出而先被裝在形成於所述反應腔室13內的冷卻水腔室14的冷卻水初級冷卻,然後向位於所述反應腔室13的下端的冷卻部20移動。
所述冷卻水腔室14被設置成向所述等離子體火炬、所
述反應腔室及下述冷卻部的壁面供應冷卻水。在此,設於所述等離子體火炬內的冷卻水腔室包括上述冷卻水供應部160、冷卻孔161、冷卻水注入口162及冷卻水排出口163,有關這些的具體說明如以上所述。
在形成於所述反應腔室13內的冷卻水腔室14,為了防止形成氣體的氣泡,優選的是從最下端起執行氣體的冷卻。因此,設於所述反應腔室13的冷卻水腔室14可以將冷卻水注入口25設於冷卻水腔室的最下端,將冷卻水排出口26設於冷卻水腔室的最上端,但不限於此。
所述等離子反應部可以將等離子體火炬11、廢氣注入部12及反應腔室13製造成一體型,以穩定地執行等離子的形成及反應。
所述冷卻部20設於所述等離子反應部10的下部且與其連通,其作用是在通過所述等離子反應部分解的氣體移動到真空泵之前對其降溫。所述冷卻部20為了內部管冷卻效果,可以由移動通道21和冷卻水腔室22的雙重結構彎頭(elbow)部分構成。
在此,為了防止氣體形成氣泡,優選的是從最下端起執行氣體冷卻。因此,為了防止氣體形成氣泡,設於所述冷卻部20的冷卻水腔室22也可以將冷卻水注入口23設於冷卻水腔室的末尾(最下端),將冷卻水排出口24設於冷卻水腔室的最上端,但不限於此。
所述連接部30是將所述等離子裝置連接到真空泵的部
分。
然而,所述真空泵保持10-3Torr的真空度,因此將根據本發明的等離子裝置直接連接到所述真空泵的情況下,通過等離子裝置的連接部在等離子反應部內部也形成接近10-3Torr的真空度,等離子體火炬內的鎢電極由於低壓而沸點下降發生氣化,從而具有壽命/性能下降的問題。
對此,本發明的發明人在研究防止所述等離子裝置內的壓力被真空泵下降的方法的過程中發現通過在所述連接部30設置孔口31控制氣體流量以阻止包括等離子體火炬的等離子反應部內部的壓降,能夠抑制等離子體火炬內的鎢電極氣化,從而能夠提高壽命。
因此,根據本發明的等離子裝置的特徵在於所述連接部30具有孔口31。
所述孔口31包括堵住連接部的通道的主體及形成於所述主體的局部的孔口孔。
可形成有至少一個所述孔口孔,所述孔口孔的大小可形成為能夠抵消真空的大小。例如所述孔口孔可以是直徑為3~5mm程度的圓形大小,但可與廢氣的流入流量成正比地增大。然而,如果所述孔口孔的大小相比於廢氣的流入流量過大形成,則阻止壓降的效果下降,因此具有等離子體火炬內的鎢電極氣化從而電極持續磨損的問題。
以下通過實驗對本發明進行更詳細的說明。以下實驗例
是為了對本發明示例而記載的,本發明的範圍不限於此。
實驗例
為了確認將本發明的安裝有等離子體火炬的等離子裝置連接於真空泵時,設於連接部30的孔口對等離子體火炬內的鎢電極的磨損起到什麼影響,進行了如下實驗。
如圖2所示,製造了包括等離子反應部10、形成於所述等離子反應部的下部且與其連通的冷卻部20、及連接部30的等離子裝置,其中等離子反應部10包括等離子體火炬11、設於所述等離子體火炬的下部的廢氣注入部12、設於所述廢氣注入部的下部的反應腔室13及設置成向所述等離子體火炬及所述反應腔室供應冷卻水的冷卻水腔室14。
在所述等離子裝置中,對於在所述連接部上安裝了孔口的情況和未安裝孔口的情況,連接到真空泵並驅動等離子裝置的過程中測量了隨著運轉時間發生的等離子體火炬內部的鎢電極的磨損長度。
圖7為示出測量作為根據本發明的一個實施例的等離子裝置的一個構成要素的等離子體火炬內部的鎢電極的磨損長度的示意圖。
所述鎢電極的磨損長度如圖7所示,示出從裝置驅動前的鎢電極的長度減去裝置驅動後鎢電極的長度的差值。當所述鎢電極磨損15mm的情況下判斷為壽命已到。
首先,對於未在連接部安裝孔口的情況,測量了隨著等
離子裝置的運轉時間發生的等離子體火炬內部的鎢電極的磨損長度,如表1及圖8所示。等離子裝置的運轉平均每日運轉10小時左右。
圖8為在示出根據本發明的一個實施例的等離子裝置中未在連接部安裝作為一個構成要素的孔口時隨著連接於真空泵的等離子裝置的運轉時間發生的等離子體火炬內部的鎢電極的磨損長度的曲線圖。
如表1及圖8所示,根據本發明的等離子裝置的連接部並未安裝有孔口的情況下,連接於真空泵的等離子裝置經過81小時(約8天)後等離子體火炬的鎢電極達到壽命,無法再將所述等離子裝置應用於工程中。
另外,作為比較例,未在根據本發明的等離子裝置的連接部安裝孔口的情況下,在常壓將等離子裝置設於半導體工程內
並運轉,然後測量隨著運轉時間發生的等離子體火炬內部的鎢電極的磨損長度,如表2所示。等離子裝置運轉了約600天。
圖9為示出根據本發明的一個實施例的等離子裝置不包括作為一個構成要素的孔口時,在常壓運行約250天后等離子體火炬內部的鎢電極的磨損狀態的照片,圖10為示出運行約600天后等離子體火炬內部的鎢電極的磨損狀態的照片。
如表2、圖9及圖10所示,未在根據本發明的等離子裝置的連接部安裝孔口的情況下,常壓下的等離子裝置在被應用到半導體工程運轉時,250天、600天后等離子體火炬內部的鎢電極磨損長度仍小於0.5mm,鎢電極幾乎未發生磨損。
之後,根據本發明的一個實施例的等離子裝置,在連接部安裝孔口後測量了隨著連接於真空泵的等離子裝置的運轉時間發生的等離子體火炬內部的鎢電極的磨損長度,如表3、圖11及圖12所示。
圖11為示出根據本發明的一個實施例的等離子裝置的連接部安裝有孔口的情況下運行2天,20小時後等離子體火炬內部的鎢電極的磨損狀態的照片,圖12為第3天,運行28小時後等離子體火炬內部的鎢電極的磨損狀態的照片。
如表3、圖11及圖12所示,在根據本發明的等離子裝置的連接部安裝了孔口的情況下,連接於真空泵的等離子裝置經過3天后鎢電極磨損長度仍小於1mm,與常壓下鎢電極的磨損程度相同。由此可知,通過在等離子裝置的連接部安裝孔口,能夠通過阻止壓降的效果將等離子裝置的壓力保持成近似常壓。
因此,根據本發明的等離子裝置通過在用於與真空泵連接的連接部安裝孔口阻斷真空泵的低壓,從而能夠將等離子裝置的包括等離子體火炬的等離子反應部的壓力保持成接近常壓,因此能夠減少等離子體火炬內的鎢電極磨損以延長電極壽命。
並且,根據本發明的等離子裝置內的等離子體火炬通過形成於陰極電極體下部的圓筒形的電弧產生部高速旋轉等離子產生氣體形成強渦流,因此能夠保持精密、穩定的等離子,在低功
率運轉時也能夠提高氣體處理效率,通過形成於陰極電極體的電弧產生部旋轉等離子產生氣體以保持恒定的等離子,因此能夠減少電極磨損以延長電極壽命。
另外,本說明書及圖中公開的本發明的實施例只是為了幫助理解而提供的特定例而已,目的並不是要限定本發明的範圍。在此公開的實施例以外還可以基於本發明的技術思想以其他變形例實施,這對於本發明所屬技術領域的普通技術人員是顯而易見的。
100:等離子裝置
10:等離子反應部
11:等離子體火炬
12:廢氣注入部
13:反應腔室
14:冷卻水腔室
20:冷卻部
21:移動通道
22:冷卻水腔室
23、25:冷卻水注入口
24、26:冷卻水排出口
30:連接部
31:孔口
110:陰極電極
Claims (10)
- 一種等離子裝置,是與真空泵連接的用於處理廢氣的等離子裝置,其特徵在於,包括:等離子體火炬;廢氣注入部,其設於所述等離子體火炬的下部;反應腔室,其設於所述廢氣注入部的下部;等離子反應部,其包括所述等離子體火炬及設置成向所述反應腔室供應冷卻水的冷卻水腔室;冷卻部,其形成於所述等離子反應部的下部且與所述等離子反應部相互連通,設有通道和包圍所述通道的冷卻水腔室;以及連接部,其連接所述冷卻部和真空泵,其中,所述連接部設有用於阻斷被真空泵壓降的孔口,所述等離子體火炬包括:陰極電極,具有內部實心的柱體形狀;陰極電極體,其形成為包圍所述陰極電極,具有下部鼓出的鼓出部;殼體,其罩住所述陰極電極及所述陰極電極體的上部;陽極電極體,其配置於所述陰極電極體的下部且相隔預定距離;等離子產生氣體供應部,其配置於所述陰極電極體與所述陽極電極體之間,供應用於產生等離子的等離子產生氣體;以及冷卻水供應部,其向所述陰極電極體及所述陽極電極體供應冷卻水, 所述鼓出部的內部形成有由圓筒形狀的槽構成使得發生等離子產生氣體的渦流的電弧產生部。
- 根據請求項1所述的等離子裝置,其特徵在於:所述孔口包括堵住連接部的通道的主體及形成於所述主體的局部的至少一個孔口孔。
- 根據請求項2所述的等離子裝置,其特徵在於:所述孔口孔的大小隨廢氣的流入流量成正比地增大。
- 根據請求項1所述的等離子裝置,其特徵在於:所述等離子反應部的等離子體火炬、廢氣注入部、反應腔室形成為一體型。
- 根據請求項1所述的等離子裝置,其特徵在於:所述陰極電極的下部的一端在所述陰極電極體露出預定部分。
- 根據請求項1所述的等離子裝置,其特徵在於:所述陽極電極體的內部形成有直徑趨向下部方向增大的圓筒形的排出部。
- 根據請求項1所述的等離子裝置,其特徵在於,所述等離子產生氣體供應部包括:主體,其具有環形狀且內部形成有空間;以及等離子產生氣體注入管,其形成於所述主體注入氣體。
- 根據請求項7所述的等離子裝置,其特徵在於:所述等離子產生氣體注入管形成為與所述主體的內部空間的圓周方向相切,兩個等離子產生氣體注入管配置成構成180°。
- 根據請求項7所述的等離子裝置,其特徵在於:所述等離子產生氣體注入管的氣體排出口的直徑小於氣體注入口的直徑。
- 根據請求項1所述的等離子裝置,其特徵在於:設於所述等離子反應部及所述冷卻部的冷卻水腔室的冷卻水注入口設於冷卻水腔室的最下端且冷卻水排出口設於冷卻水腔室的最上端以防止形成氣體氣泡。
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WO2014149200A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with highly symmetrical four-fold gas injection |
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