TWI835156B - 荷電粒子束裝置 - Google Patents

Abstract

本揭示提供一種可不對荷電粒子束之控制造成影響之利用電漿進行帶電去除或控制之荷電粒子束裝置。本揭示之荷電粒子束裝置具備：荷電粒子束光學系統，其對試料照射荷電粒子束；試料室，其具備載置試料之載物台；電漿產生裝置，其產生照射至載物台之電漿，且執行試料之帶電電荷之除電動作；及連結構件，其包含使試料室與電漿產生裝置絕緣之絕緣間隔物，且將電漿產生裝置與試料室連結。

Description

荷電粒子束裝置

本發明係關於一種荷電粒子束裝置。

伴隨半導體圖案之微細化及高積體化，圖案之細小之形狀差會對器件之動作特性造成影響，因此，器件之圖案等之形狀管理之需求提高。因此，作為用於半導體之檢查、測量之荷電粒子束裝置之掃描電子顯微鏡(SEM：Scanning Electron Microscope)，謀求較先前更高之感度、精度。掃描電子顯微鏡構成為可於檢測器檢測自試料放出之電子，產生其信號波形，且例如測定峰值(圖案邊緣)間之尺寸。

於製造過程中之晶圓檢查中，因異物或缺陷等之早期發現涉及良品率提高，故以缺陷檢測為目的之晶圓之整面檢查之需求提高，但整面檢查有涉及產能降低之問題。為了提高產能，考慮以大電流之低倍率拍攝且一次拍攝大範圍之視野的檢查，但於易帶電之試料之情形時，低倍率化對試料之帶電之影響顯著化，有產生圖像之歪曲或亮度不均等之虞。因試料之帶電亦成為SEM之測量精度之降低之原因，故要求有效去除帶電。

作為減少帶電影響之方法，已知有以導體塗佈試料且抑制帶電之方法，或依據照射之一次電子之電壓調整的二次電子之產量控制等。但，該等方法無法應用於直列檢查，又，對於包含複數材料之試料、或混雜各種形狀之圖案之試料，調整困難且不現實。因此，需不依存試料之帶電去除、帶電控制。

專利文獻1揭示一種進行入射電子之能量控制之方法，作為控制試料之帶電之方法。又，專利文獻2揭示一種使用將紫外線或X線照射至氣體時產生之離子，去除帶電之方法。

如專利文獻1所揭示，可藉由變更照射至試料之一次電子之能量，控制二次電子之放出率，抑制試料之帶電。但，需要根據試料之材料特性或圖案變更拍攝條件，因每次需要再調整光學條件或裝置之設定等，故有產能降低之問題。

於專利文獻2中，對於使用紫外線或X線而產生之離子，藉由利用線圈供給高頻電力而產生電漿，使用該電漿，去除帶電或試料之污染。但，該帶電等之去除，停留於試料之拍攝前後之處理，未考慮用於電子束控制之聚光透鏡之電場空間對電漿造成之影響，或為控制照射之電子束而於施加電壓之試料上照射電漿之方法。 [先前技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1：日本專利特開2002-310963號公報 專利文獻2：日本專利特開2007-149449號公報

[發明所欲解決之問題]

本發明係鑑於如上所述般問題而完成者，提供一種可不對荷電粒子束之控制造成影響之利用電漿進行帶電去除或控制之荷電粒子束裝置。 [解決問題之技術手段]

本發明之荷電粒子束裝置之特徵在於，其係對試料照射荷電粒子束之荷電粒子束裝置，且具備：荷電粒子束光學系統，其對上述試料照射上述荷電粒子束；試料室，其具備載置上述試料之載物台；電漿產生裝置，其產生照射至上述載物台之電漿；及連結構件，其包含使上述試料室與上述電漿產生裝置絕緣之絕緣間隔物，將上述電漿產生裝置與上述試料室連結。 [發明之效果]

根據本發明，可提供一種可不對荷電粒子束之控制造成影響之利用電漿進行帶電去除或控制之荷電粒子束裝置。

以下，參照隨附圖式對本實施形態進行說明。於隨附圖式中，功能性相同之要件有時以相同序號顯示。另，隨附圖式顯示遵從本揭示之原理之實施形態與實裝例，但該等係用以理解本揭示者，絕非用以限定解釋本揭示者。本說明書之記述僅為典型之例示，於任何意義上皆非限定本揭示之申請專利範圍或應用例者。

於本實施形態中，熟知本技藝者應當理解雖未對實施本揭示進行充分詳細之說明，但亦可以其他安裝、形態，於不脫離本揭示之技術性思想之範圍與精神上，進行構成、構造之變更或多種要件之置換。因此，未將以下之記述限定於此而解釋。

[第1實施形態] 參照圖1，說明第1實施形態之荷電粒子束裝置。該荷電粒子束裝置作為一例，具備包含電子槍1、聚光透鏡3、偏向器4、物鏡5之電子束光學系統PS(荷電粒子束光學系統)。於電子束光學系統PS之下方設置於內部載置用以載置試料6之載物台7之試料室12。

藉由電子槍1，產生、加速之電子束2(一次電子束)藉由聚光透鏡3匯聚，進而藉由物鏡5匯聚於載物台7上之試料6上。偏向器4(掃描偏向器)於試料6之電子束掃描區域之上使電子束2掃描。藉由一面掃描試料6上一面照射電子束2，而使試料6內激發之電子作為二次電子10自試料6放出。放出之二次電子10藉由二次電子檢測器8檢測，與二次電子檢測器8連接之運算部(未圖示)將該檢測信號圖像化。

於二次電子檢測器8之前段(入射面側)具備可根據能量分別信號電子之能量濾波片9。可自使施加於能量濾波片9之電壓變化時之檢測信號之變化，推定對試料6之帶電之狀態。又，掃描試料6之電子束2(一次電子束)之能量由電子槍1之加速電壓與施加於載物台7之電壓決定。放出之二次電子10與入射之一次電子之能量相關，藉由一次電子之電子流與二次電子10之電子流之大小關係，使試料6之表面之帶電狀態變化。試料6之帶電量亦根據試料6之材料特性或形狀等變化。又，試料6之帶電量於試料6之表面整體亦不同，根據材料特性或形狀等，具有根據試料6之表面之位置而變化之分佈。

本實施形態之荷電粒子束裝置為了去除試料6之帶電，具備產生電漿，將該電漿朝載置試料6之載物台7放射之電漿產生裝置11。電漿產生裝置11藉由具有絕緣間隔物之連結構件13與試料室12之壁面連結。

參照圖2，對使用該電漿產生裝置11之試料6之除電動作進行說明。於電漿產生裝置11產生之電漿PZ中包含電子與正離子，通常為電性中性狀態。但，若對帶正電之試料6照射電漿，則藉由電漿中之電子，中和試料6之正電荷。其結果，電漿PZ中之電子減少，電漿PZ中之電荷平衡崩壞，對接地之試料室12之內壁等經由電漿PZ流動電流，藉此將試料6除電。

電漿產生裝置11對於試料室12之內壁，藉由具有絕緣間隔物之連結構件13連接。絕緣間隔物例如由陶瓷等之絕緣材料構成，具有將電漿產生裝置11自試料室12電性絕緣之作用。藉由電漿產生裝置11自試料室12絕緣，可不論電漿產生裝置11之動作狀態，而穩定地維持試料室12之電位。

[第2實施形態] 接著，參照圖3，說明第2實施形態之荷電粒子束裝置。圖3說明第2實施形態之荷電粒子束裝置之構成。於圖3中，因對與第1實施形態之荷電粒子束裝置同一之構成要件，標註與圖1同一之參照符號，故以下省略重複說明。

該第2實施形態之電漿產生裝置11與第1實施形態不同點在於具備產生電漿之本體部11A、與自該本體部11A延伸至試料之附近之引導件11B。引導件11B由金屬構成，於其內部設置有用以引導由本體部11A產生之電漿PZ之中空部。電漿PZ通過中空部自引導件11B之前端放出。

對引導件11B之功能進行說明。因由電漿產生裝置11產生之電漿PZ無指向性，故於無引導件11B之情形時，電漿PZ藉由電漿PZ自身之電場與自然擴散，而自本體部11A擴散至試料室12內。若電場等未作用，則電漿PZ擴散至試料室12內。可藉由使電漿PZ於試料6之帶電產生之電場吸引，而去除試料6之電荷(除電)。但，於與試料室12連接之電子束光學系統PS內，配置用以控制電子束2之聚光透鏡3等，於試料室12之內部存在電場之分佈。此種電場之分佈對電漿PZ之舉動造成影響。於聚光透鏡3等賦予之電場之影響較大之情形時，有對電漿產生裝置11之除電動作產生影響之情形。又，若為具有較試料6之帶電電荷賦予之電場分佈更大之電位之構造物，則因電漿PZ中之荷電粒子被該構造物吸引，故電漿PZ無法充分對試料6之帶電進行除電。

與此相對，於該第2實施形態中，使試料6之帶電電荷通過引導件11B，且將電漿PZ引導至試料6之附近。藉此，藉由電漿PZ中之電子或正離子中和試料6之帶電電荷，去除試料6之帶電電荷。因藉由引導件11B，電漿PZ被引導至試料6之附近，故可不受周圍電場之影響，進行試料6之除電。

又，藉由將引導件11B設為金屬製，引導件11B內於其長度方向為同電位，可不受外部電場之影響將電漿PZ照射至試料6。自引導件11B之前端照射之電漿PZ中之電子被吸引至試料6之表面之正電位，中和試料6之帶電電荷。試料6之帶電電荷藉由經由電漿PZ作為除電電流Ir流動於引導件11B而被除電。

除電電流Ir之大小依存於照射之電漿PZ之密度。若電漿PZ之密度較高，則用以中和電荷之荷電粒子之量、或協調除電電流Ir之荷電粒子亦增加。除電電流Ir之大小又對除電對象即試料6、周圍之構造物之距離造成影響，若為相同電漿密度，則距離較短者電漿電阻亦變低，可流動更多之除電電流Ir。於本實施形態中，藉由使經由電漿PZ流動之除電電流Ir主要流動於引導件11B而除電。藉由使電流流動於配置在接近除電對象物即試料6之位置之引導件11B，而非配置於試料室12之內壁等遠處之構造物，可執行更高效之除電。

構成為可對載物台7施加減速電壓。減速電壓係用以使電子束2之電子減速之電壓。自電子槍1照射之電子束2由聚光透鏡3或物鏡5等匯聚，照射至試料6。自電子槍1照射之電子束2之加速電壓，以提高解析度為目的而推進高電壓化，但於向試料6照射之電子束2之能量較大之情形時，自試料6之表面產生之二次電子10之產生效率變差，使試料6帶電。又，根據試料6，若照射高能量之電子，則有受到損傷之情形。因此，於向試料6照射之前，使電子減速之電壓(減速電壓)被施加至載物台7。藉此，可一面謀求圖像之高解析度，一面防止試料6之損傷或帶電。減速電壓藉由與載物台7連接之電壓源18施加。

使用圖4A～圖4E，對電壓施加於載物台7時之電漿PZ之舉動進行說明。如圖4A所示，由電漿產生裝置11之本體部11A產生之電漿PZ通過引導件11B內移動至載物台7上之試料6之附近。因自電漿產生裝置11之本體部11A至引導件11B前端電性連接，為同電位，故電漿PZ不受載物台7之電場影響。但，於不藉由電壓源18施加電壓之情形時，如圖4B所示之等電位線EPL形成於引導件11B之前端與載物台7之間之間隙，產生藉由等電位線EPL表示之電位差(電勢)(參照圖4C)。無法超過該電位差之電子無法到達至載物台7，無益於試料6之帶電之去除。

另一方面，若藉由電壓源18對載物台7施加電壓，則可將電漿產生裝置11與載物台7設為大致同電位，於引導件11B之前端附近獲得如圖4D所示般之電位分佈(等電位線EPL’)，如圖4E所示，電漿產生裝置11與載物台7之間之電位差消失，可將電漿PZ自引導件11B之前端照射至試料6，有效地執行除電。

[第3實施形態] 接著，參照圖5，說明第3實施形態之荷電粒子束裝置。因第3實施形態之荷電粒子束裝置之整體構成與上述實施形態大致同一，故省略重複之說明。第3實施形態之關於電漿產生裝置11之控制之部分與上述實施形態不同。具體而言，該第3實施形態之電漿產生裝置11以於複數訊框之間之時序中產生電漿且執行試料6之除電動作之方式構成。

一般，荷電粒子束裝置構成為，將二次電子檢測器8獲取之信號圖像化時，可執行除藉由以一次掃描獲得之一圖像(訊框)產生試料6之圖像以外，複數次掃描試料6之同一視野內，將獲得之複數個圖像合成(堆疊)，產生合成圖像，藉此獲得解析度(SN比)(Signal to Noise ratio：信號雜訊比)較高之圖像的拍攝模式。另一方面，若因於同一視野內反復複數次進行拍攝動作，使電子束2之照射次數增加，則電子束2之試料6之帶電量增加。試料6之帶電量增加，除電子束2外，亦有對二次電子10造成影響之可能性。

因此，第3實施形態之荷電粒子束裝置如圖5所示，以於複數訊框之拍攝之間隙中執行電漿產生裝置11之除電動作之方式構成。如圖5所示，可藉由使SEM之拍攝(各訊框)、與電漿產生裝置11之除電動作之時序不同，而不對拍攝造成影響地執行試料6之除電。

又藉由對每訊框執行電漿產生裝置11之除電動作，可除去因拍攝而於每訊框產生之帶電，且可減少每訊框之帶電之累計對圖像之影響，穩定地取得圖像。另，於圖5中，雖採用對每1訊框藉由電漿產生裝置11執行除電動作之順序，但如圖6所示，亦可設為對每複數訊框執行1次除電動作之順序。若插入至拍攝之間隙之除電動作之次數較多，則相應地攝影之產能降低。藉由於未實質性產生由一次電子產生之帶電之影響之範圍插入除電動作，可一面防止產能之降低一面執行除電動作。另，此處言及之拍攝係顯示直至以二次電子檢測器8檢測藉由一次電子入射至試料6而放出之二次電子10為止。又，圖5、圖6等之電漿產生裝置11之導通(ON)意指向電漿產生裝置11輸入導通信號，產生電漿PZ且執行除電，並向電漿產生裝置11輸入斷開(OFF)信號之期間。

另，於圖5、圖6中，雖說明於2個訊框之間隙執行除電動作之例，但本揭示之荷電粒子束裝置並非限定於此者，例如，亦可採用如每複數訊框之拍攝結束時執行1次除電動作般之順序。或，如圖7、及圖8所示，亦可以於列掃描之間隙中將電漿產生裝置11設為導通，執行除電動作之方式構成。

圖9係顯示第3實施形態之每掃描特定之列數執行除電動作之情形時之順序之流程圖。執行1或複數列之掃描後(步驟S102)，將電漿產生裝置11設為導通，執行除電動作(步驟S103)，其後將電漿產生裝置11設為斷開(步驟S104)。其後，直至指定之視野內之掃描結束為止，反復進行相同動作(步驟S105)。

一般於荷電粒子束裝置中，使用電子束2藉由複數列掃描而掃描試料6之指定之視野內進行拍攝。於圖7中，自紙面左朝右照射電子束2，其後，朝紙面下依序照射電子束2。電子束2之掃描藉由偏向器4控制。掃描之列數越增加，試料6之帶電越增加，對電子束2或二次電子10之影響亦越大。電子束2之照射引起之帶電量亦根據SEM之拍攝條件、或試料6之圖案形狀及材料而變化。如圖9所示，藉由於掃描特定數量之列後，實施除電，可進行與帶電量或對圖像之影響相應之除電，且可一面將產能之降低設為最小限度，一面去除帶電。

[第4實施形態] 接著，參照圖10，說明第4實施形態之荷電粒子束裝置。於圖10中，因對與第1實施形態之荷電粒子束裝置同一之構成要件，標註與圖1同一之參照符號，故於以下省略重複之說明。

該第4實施形態之荷電粒子束裝置與上述實施形態之不同點在於，構成為具備測定除電電流Ir之大小之電流測量裝置19，且根據該測定結果執行除電動作。電流測量裝置19作為一例，可連接於將載物台7與電漿產生裝置11連接之電流路徑。又，於該電流路徑可連接用以賦予特定電位之電壓源20。

於使用電漿PZ之除電中，將電漿PZ朝試料6照射，藉此將試料6之帶電電荷藉由電漿PZ中之電子或正離子中和。藉由中和，使電漿PZ中之電子、正離子之電荷平衡崩壞，經由電漿PZ流動除電電流Ir，藉此進行除電。因除電電流Ir經由電漿PZ流動於電漿產生裝置11，故藉由將電流測量裝置19連接於將電漿產生裝置11與載物台7連接之電流路徑，而測量該除電電流Ir。根據除電電流Ir之大小，可評估試料6之帶電量。

作為評估帶電量之其他方法，可根據使施加於能量濾波片9之電壓變化時之檢測信號之變化，推定試料6之帶電量。但於該情形時，需要掃描施加之電壓。又，能量濾波片9係藉由排除具有施加之電壓以下之能量之二次電子10，而選擇可檢測之二次電子10，提高圖像之解析度者。因此，於通常之晶圓檢查中，能量濾波片9之電壓未變化，使用能量濾波片9。因此，難以通過能量濾波片9之作用，於檢查中測定試料6之帶電量。

根據第4實施形態，藉由於由電漿PZ執行除電動作時測定流動之除電電流Ir之大小與極性，於試料6之檢查中亦可知試料6之帶電狀態。若為相同拍攝條件，則因試料6之帶電量依存於材料特性或試料圖案，故可監視帶電量，自其變化量檢測試料6之異常等。例如，於易帶電之圖案中，若形狀有缺陷，則試料6之帶電量變化。因此，根據本實施形態，可檢測試料6之形狀之缺陷等之異常之產生。

參照圖11之流程圖，說明第4實施形態之荷電粒子束裝置之試料6之測量動作(除電動作)。於執行1或複數列之掃描後(步驟S112)，將電漿產生裝置11設為導通，執行除電動作(步驟S113)，其後將電漿產生裝置11設為斷開(步驟S114)。其後，判定於除電動作時由電流測量裝置19檢測之除電電流是否為X安培(閾值)以下(步驟S115)。於判定為肯定之情形時，因試料6之測量無問題，故移至步驟S116，直至指定之視野內之掃描結束為止，反復上述之動作(步驟S105)。另一方面，於步驟S115之判定為否定之情形時，判斷為於試料6產生異常者，試料6之拍攝動作中止，圖11之程序結束(步驟S117)。

如以上說明，根據該第4實施形態，可獲得與上述實施形態同樣之效果。此外，藉由通過電流測量裝置19測量除電電流，可檢測試料6相關之異常。

[第5實施形態] 接著，參照圖12，說明第5實施形態之荷電粒子束裝置。於圖12中，因對與第1實施形態之荷電粒子束裝置同一之構成要件，標註與圖1同一參照符號，故於以下省略重複之說明。該第5實施形態之荷電粒子束裝置與上述實施形態不同之點在於，載物台7、及電漿產生裝置11分別與不同之電壓源21、22連接，且被賦予不同之電位。

於上述實施形態中，對將電漿產生裝置11之本體部11A及引導件11B之電位與載物台7之電位相等之情形進行說明。藉此，將引導件11B之前端與載物台7之間之電位差消除，藉此，可不受周圍電場之影響，將電漿PZ照射至試料6。與此相對，於該第4實施形態中，可將賦予電漿產生裝置11之本體部11A及引導件11B之電位設為與賦予載物台7之電位不同之電位。

為了調整向試料6入射之電子束2(一次電子)之能量，藉由電壓源21對載物台7施加電壓V _s。另一方面，對電漿產生裝置11施加與該電壓V _s不同之電壓V ₁。施加於載物台7之電壓V _s除拍攝條件外，根據試料6之圖案形狀、材料等變化，但若各種條件特定，則帶電之極性或電位特定。藉由任意變更電壓源19之電壓V ₁，可於載物台7與引導件11B之間產生電位差，使電子或正離子之平衡變化，選擇性地多照射任一者。例如於試料6之帶電電荷為負之情形時，可藉由使電壓源22之電壓V ₁相對於電壓源21之電壓V _s低，於引導件11B與載物台7之間產生負之電位差。藉此，可自電漿PZ更多地抽出正離子，且可更有效地除電。相反，於試料6之帶電電荷為正之情形時，可藉由使電壓源22之電壓V ₁相對於電壓源21之電壓V _s高，於引導件11B與載物台7之間產生正之電位差。藉此，可自電漿PZ更多地抽出負離子，且可更有效地除電。

於使用電漿之除電中，對於試料6之正帶電藉由電漿中之電子中和正電荷，對於試料6之負帶電藉由正離子中和負電荷，進行除電。因此，於不知帶電極性之情形時、或分佈之情形時，電子或正離子之離子平衡相同者可高效地除電。但，若如上述所示，條件特定，則可藉由能量濾波片9於事前把握帶電狀態，可知帶電狀態或極性。藉由根據把握之帶電狀態或極性調整電壓源21、22，可執行更有效之除電動作。

另，本發明並非限定於上述之實施形態者，包含各種變化例。例如，上述之實施形態係為了易於理解地說明本發明而詳細說明者，未必限定於具備說明之所有構成者。又，可將某實施形態之構成之一部分置換為其他實施形態之構成，又，亦可對某實施形態之構成添加其他實施形態之構成。又，可對各實施形態之構成之一部分，進行其他構成之追加、刪除、置換。又，上述之各構成、功能、處理部、處理機構等，可藉由以例如積體電路設計等而以硬體實現其等之一部分或全部。又，上述之各構成、功能等，亦可藉由使處理器解釋、執行實現各個功能之程式而以軟體實現。實現各功能之程式、表、檔等之資訊，可置於記憶體、或硬碟、SSD(Solid State Drive：固態驅動機)等之記錄裝置、或IC卡、SD卡、DVD(Digital versatile disk：數位多功能光碟)等之記錄媒體。

1:電子槍 2:電子束 3:聚光透鏡 4:偏向器 5:物鏡 6:試料 7:載物台 8:二次電子檢測器 9:能量濾波片 10:二次電子 11:電漿產生裝置 11A:本體部 11B:引導件 12:試料室 13:連結構件 16:等電位線 18:電壓源 19:電流測量裝置 20:電壓源 21:電壓源 22:電壓源 EPL:等電位線 EPL’:等電位線 Ir:除電電流 PS:電子束光學系統 PZ:電漿 S101～S106:步驟 S111～S117:步驟 V _s:電壓

圖1係說明第1實施形態之荷電粒子束裝置之構成之概略圖。 圖2係說明第1實施形態之荷電粒子束裝置之動作之概略圖。 圖3係說明第2實施形態之荷電粒子束裝置之構成之概略圖。 圖4A係說明第2實施形態之荷電粒子束裝置之動作之概略圖。 圖4B係說明第2實施形態之荷電粒子束裝置之動作之概略圖。 圖4C係說明第2實施形態之荷電粒子束裝置之構成之圖表。 圖4D係說明第2實施形態之荷電粒子束裝置之動作之概略圖。 圖4E係說明第2實施形態之荷電粒子束裝置之構成之圖表。 圖5係說明第3實施形態之荷電粒子束裝置之構成之波形圖。 圖6係說明第3實施形態之荷電粒子束裝置之構成之波形圖。 圖7係說明第3實施形態之荷電粒子束裝置之動作之概略圖。 圖8係說明第3實施形態之荷電粒子束裝置之動作之波形圖。 圖9係說明第3實施形態之荷電粒子束裝置之動作之流程圖。 圖10係說明第4實施形態之荷電粒子束裝置之構成之概略圖。 圖11係說明第4實施形態之荷電粒子束裝置之動作之流程圖。 圖12係說明第5實施形態之荷電粒子束裝置之構成之概略圖。

1:電子槍

2:電子束

3:聚光透鏡

4:偏向器

5:物鏡

6:試料

7:載物台

8:二次電子檢測器

9:能量濾波片

10:二次電子

11:電漿產生裝置

12:試料室

13:連結構件

PS:電子束光學系統

Claims (14)

1. 一種荷電粒子束裝置，其特徵在於，其係對試料照射荷電粒子束之荷電粒子束裝置，且具備：荷電粒子束光學系統，其對上述試料照射上述荷電粒子束；試料室，其具備載置上述試料之載物台；電漿產生裝置，其產生照射至上述載物台之電漿；及連結構件，其包含使上述試料室與上述電漿產生裝置絕緣之絕緣間隔物，將上述電漿產生裝置與上述試料室連結，其中上述電漿產生裝置具備：本體，其產生電漿；及引導件，其自上述本體於上述載物台之方向延伸，且與上述本體電性連接。
2. 如請求項1之荷電粒子束裝置，其具備：電壓源，其對上述載物台賦予與上述電漿產生裝置之電位大致同一電位。
3. 如請求項1之荷電粒子束裝置，其中上述電漿產生裝置以於拍攝上述試料之訊框之間產生電漿並執行上述試料之除電動作之方式構成。
4. 如請求項1之荷電粒子束裝置，其中上述電漿產生裝置以於用以拍攝上述試料之複數列掃描之間產生電漿並執行上述試料之除電動作之方式構成。
5. 如請求項1之荷電粒子束裝置，其進而具備：電流測量裝置，其測量 流動於上述電漿產生裝置之除電電流。
6. 如請求項5之荷電粒子束裝置，其中於藉由上述電流測量裝置測量之上述除電電流超過特定閾值之情形時，上述試料之拍攝動作中止。
7. 如請求項1之荷電粒子束裝置，其進而具備：第1電壓源，其對上述載物台賦予電位；及第2電壓源，其對上述電漿產生裝置賦予電位。
8. 一種荷電粒子束裝置，其特徵在於，其係對試料照射荷電粒子束之荷電粒子束裝置，且具備：荷電粒子束光學系統，其對上述試料照射上述荷電粒子束；試料室，其具備載置上述試料之載物台；及電漿產生裝置，其產生照射至上述載物台之電漿；且上述電漿產生裝置具備：本體，其產生電漿；及引導件，其自上述本體於上述載物台之方向延伸，且與上述本體電性連接。
9. 如請求項8之荷電粒子束裝置，其具備：電壓源，其對上述載物台賦予與上述電漿產生裝置之電位大致同一電位。
10. 如請求項8之荷電粒子束裝置，其中上述電漿產生裝置以於拍攝上述試料之訊框之間產生電漿並執行上述試料之除電動作之方式構成。
11. 如請求項8之荷電粒子束裝置，其中上述電漿產生裝置以於用以拍攝上述試料之複數列掃描之間產生電漿並執行上述試料之除電動作之方式構成。
12. 如請求項8之荷電粒子束裝置，其進而具備：電流測量裝置，其測量流動於上述電漿產生裝置之除電電流。
13. 如請求項12之荷電粒子束裝置，其中於藉由上述電流測量裝置測量之上述除電電流超過特定閾值之情形時，使上述試料之拍攝動作中止。
14. 如請求項8之荷電粒子束裝置，其進而具備：第1電壓源，其對上述載物台賦予電位；及第2電壓源，其對上述電漿產生裝置賦予電位。