TWI832927B - 用於設定藉由基板及基板蓋所形成之腔室中的壓力的方法與系統 - Google Patents

用於設定藉由基板及基板蓋所形成之腔室中的壓力的方法與系統 Download PDF

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阿西姆 科能因貝格爾
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Abstract

一種用於設定藉由一基板(1)及一基板蓋(2)所形成之一腔室(10)中之一壓力的方法，其中一微機電系統(3)配置於該腔室(10)中，其中該基板(1)具有一主要延伸平面(100)，其中該方法包含以下步驟：在一第一步驟中，在該基板蓋(2)中產生一切口(20)，其中該切口(20)將該腔室(10)連接至一周圍環境(12)，其中該切口(20)之一第一切口末端(21)形成於該基板蓋(2)之一第一表面(4)處，該第一表面背對該腔室，其中該切口(20)之一第二切口末端(22)形成於該基板蓋(2)之一腔室側第二表面(5)處，其中該第一切口末端(21)與該第二切口末端(22)至少在平行於該主要延伸平面(100)之一第一方向(200)上彼此間隔開，在一第二步驟中，在該第一步驟之後，封閉該切口(20)。

Description

用於設定藉由基板及基板蓋所形成之腔室中的壓力的方法與系統
本發明涉及用於設定藉由基板及基板蓋所形成之腔室中的壓力的方法，其中微機電系統配置於腔室中，其中基板具有主要延伸平面。此外，本發明涉及包含藉由基板及基板蓋所形成之腔室的系統，具體而言晶圓系統，其中微機電系統配置於腔室中，其中基板具有主要延伸平面。
取決於感測器之類型或種類，不同的微機電系統(MEMS)，具體而言感測器，具有不同的最佳工作壓力。存在可使配置於腔室中之微機電系統的腔室內部壓力適應於該系統之要求的方法。然而，已知方法之不利之處在於，會頻繁地發生對MEMS之損害。
本發明之目標為提供一種用於設定藉由基板及基板蓋所形成之腔室中之壓力的方法，該方法使得能夠減少或防止缺陷。
根據獨立項請求項的根據本發明之用於設定藉由基板及基板蓋所形成之腔室中之壓力的方法具有優於先前技術之優勢：可有利地在切口(或 通風孔/槽)之產生期間以及封閉切口之製程期間保護微機電元件以及配置於基板中之佈線平面。
由於第一切口末端與第二切口末端至少在平行於基板之主要延伸平面之方向上間隔開，根據本發明，有利地可能在封閉切口之製程期間防止再密封製程對微機電系統之核心產生直接侵害性影響。具體而言，由於第一切口末端與第二切口末端之相對配置，用於封閉製程之雷射可能並不照射(直接)於MEMS之功能層上及基板中之下部佈線平面上，且因此可有利地保護此等元件免受過高熱量影響。此外，根據本發明，有利地可能防止切口(或通風孔/槽)之產生帶來一直延伸至下部氧化物，並局部地移除及損害其中配置MEMS之功能層的槽。因此，根據本發明，可以高效且成本節約方式最小化成品組件中之缺陷。
根據本發明，具體而言，第一切口末端與第二切口末端至少在平行於主要延伸平面之第一方向上彼此間隔開的實情可被理解為意指第一切口末端之至少一個部分區，較佳地整個(全周向)第一切口末端，以與第二切口末端之至少一個部分區，較佳地整個(全周向)第二切口末端在平行於主要延伸平面之第一方向上間隔開或偏移的方式配置。
根據本發明，在第一步驟中，第一切口末端及第二切口末端以至少在平行於主要延伸平面之第一方向上彼此間隔開的方式形成。此外，在第一步驟中，第一切口末端及第二切口末端典型地亦以在垂直於主要延伸平面之第二方向上彼此間隔開的方式形成。結果，第一切口末端以與第二切口末端在平行於主要延伸平面及垂直於主要延伸平面之兩方向上偏移的方式配置。因此，例如可設想到用於使腔室通風的具有彎曲部之切口，例如L形切口。
有利的發展及具體實例自附屬項請求項為顯而易見的。
藉助於在第二步驟中在預定義環境壓力占主導地位(prevail)時 密閉地(hermetically)封閉腔室之實情，根據本發明之一個具體實例，可能以有利方式使腔室內部壓力適應於微機電系統之要求。在此情況下，腔室在封閉製程之後的內部壓力可具體而言對應於第二步驟中的(周圍環境之)環境壓力。
藉助於在第二步驟中藉由雷射光束封閉切口，其中雷射光束具體而言至少實質上垂直於主要延伸平面而照射於切口上之實情，根據本發明之一個具體實例，可能使用高效雷射再密封製程來封閉切口。同時，可藉助於切口之幾何組態防止雷射對感測器核心及佈線平面產生不利影響。
藉助於在第一步驟中以使得在第二步驟中雷射光束無法直接進入腔室的方式而形成切口之實情，根據本發明之一個具體實例，可能防止微機電系統之敏感區過熱。
藉助於如下實情：在第一步驟之第一子步驟中，切口之第一部分區至少實質上一定程度地垂直於基板之主要延伸平面而形成，具體而言藉由至少部分各向異性蝕刻方法，較佳地藉由深反應性離子蝕刻DRIE形成，其中在第一步驟之第一子步驟之後的第二子步驟中，切口之第二部分區藉由至少部分各向同性蝕刻方法形成，根據本發明之一個具體實例，可能尤其有效地形成在幾何形狀上有利的切口。切口之第一部分區可有利地藉助於定向溝槽製程產生。對比而言，第二部分區可藉助於非定向蝕刻方法產生，結果可能形成切口至腔室內部之尤其有利側向鏈接。
藉助於在第一步驟之第一子步驟中，藉由終止層，具體而言氧化物終止層，終止第一部分區具體而言垂直於主要延伸平面之形成的實情，根據本發明之一個具體實例，可能確保對位於終止層下方之層及佈線平面的尤其高效保護。在此情況下，終止層已尤其較佳地在接合基板與基板蓋之前配置於基板蓋之基板側表面上。
藉助於如下實情：在第一步驟之前的預備步驟中，凹口形成於基 板蓋之第二表面處，其中在第一步驟中，第二切口末端至少部分形成於凹口處或藉由該凹口形成，根據本發明之一個具體實例，可能提供切口至腔室內部之尤其有利的(側向)鏈接可能性。結果，例如可能在第一切口末端(亦即具體而言，在基板蓋之背對腔室的彼表面處之通風孔)與腔室之間選擇尤其較大距離，且仍然使得腔室能夠藉由切口通風。
藉助於基板包含另外的腔室，其中另外的微機電系統配置於另外的腔室中之實情，根據本發明之一個具體實例，可能可在腔室及另外的腔室中設定不同的內部壓力。因此，可能在受限之結構空間中實現不同的微機電系統，同時遵從其各別最佳工作壓力。具體而言，可能在接合基板與基板蓋期間以使得在另外的腔室中建立另外的微機電系統之最佳工作壓力的方式而設定壓力。
藉助於如下實情：微機電系統包含旋轉速率感測器，其中較佳地，另外的微機電系統包含加速度感測器，根據本發明之一個具體實例，可能在具有可設定壓力的兩個物理上分開之大氣壓中將旋轉速率感測器及加速度感測器提供在受限結構空間中。作為實例，可能在接合基板與基板蓋期間以使得在加速度感測器之另外的腔室中建立加速度感測器之最佳內部壓力的方式而設定壓力。藉由第一及第二步驟，接著可能在旋轉速率感測器之腔室中設定旋轉速率感測器之最佳內部壓力。
根據本發明，可設想到存在一個或多個額外腔室，具體而言，在腔室中之每一者中，存在至少一個額外微機電系統。額外微機電系統可為廣泛多種類型之MEMS。在一個或多個額外腔室中，在另外的第一步驟及另外的第二步驟中，具體而言可類似於根據本發明之第一及第二步驟產生用於使腔室通風之切口及切口之封閉件。因此，可能在系統，具體而言晶圓系統或晶片，上之多種腔室中設定特定(且具體而言不同的)內部壓力。
例如可能在另外的第一步驟中，在基板蓋中產生另外的切口，其 中另外的切口將額外腔室中之一者連接至周圍環境，其中另外的切口之另外的第一切口末端形成於基板蓋之第一表面處，該第一表面背對額外腔室，其中另外的切口之另外的第二切口末端形成於基板蓋之另外的第二表面處，該另外的第二表面面向額外腔室，其中另外的第一切口末端與另外的第二切口末端至少在平行於主要延伸平面之第一方向上彼此間隔開。此外，可能在另外的第一步驟之後的另外的第二步驟中封閉另外的切口，具體而言藉由雷射光束進行封閉。本發明之另外的標的物為一種系統，具體而言晶圓系統，其包含藉由基板及基板蓋所形成之腔室，其中微機電系統配置於腔室中，其中基板具有主要延伸平面，其中基板蓋具有具體而言藉由如前述技術方案中任一項之方法產生及封閉的切口，且/或其中切口之第一切口末端形成於基板蓋之第一表面處，該第一表面背對腔室，其中切口之第二切口末端形成於基板蓋之腔室側第二表面處，其中第一切口末端與第二切口末端至少在平行於主要延伸平面之第一方向上彼此間隔開，其中切口經封閉。
已結合根據本發明之方法或結合根據本發明之方法的具體實例描述之特徵、組態及優勢可在根據本發明之系統中找到應用。
本發明之例示性具體實例在圖式中說明且在以下描述中更詳細地解釋。
1:基板
2:基板蓋
3:微機電元件
4:第一表面
5:第二表面
6:腔室
7:微機電系統
9:終止層
10:腔室
11:凹口
12:周圍環境
20:切口
21:第一切口末端
22:第二切口末端
23:第一部分區
24:第二部分區
30:雷射光束
100:主要延伸平面
200:第一方向/箭頭
300:第二方向/箭頭
[圖1]示出根據本發明之一個具體實例的系統，具體而言晶圓系統，之示意性說明。
[圖2]示出根據本發明之第一例示性具體實例的系統，具體而言晶圓系統，之示意性說明。
[圖3]示出根據本發明之第二例示性具體實例的系統，具體而言晶圓系統，之示意性說明。
[圖4]示出根據本發明之第三例示性具體實例的系統，具體而言晶圓系統，之示意性說明。
在各種圖中，相同部分始終具備相同參考符號，且因此在每一情況下通常亦僅參考或提及一次。
圖1示出根據本發明之一個具體實例的系統，具體而言晶圓系統，之示意性說明。具體而言，說明根據本發明之一個具體實例的方法之第二步驟。
系統包含藉由接合基板1與基板蓋2所形成之腔室10，以及另外的腔室6。示意性地說明基板1之主要延伸平面100。微機電元件3，具體而言旋轉速率感測器，配置於腔室10中。另外的微機電系統7，具體而言加速度感測器，位於另外的腔室10中。
預先形成所說明之腔室6及10的接合製程係在對應於加速度感測器之工作壓力的預定義環境壓力下進行。由於另外的腔室6已因接合而密閉地封閉且尚未經再次通風，因此加速度感測器之理想工作壓力因此在另外的腔室10中占主導地位。對比而言，對於腔室10，在第一步驟中，在基板蓋2中產生切口20。切口20將腔室10之內部連接至周圍環境12，結果腔室10經通風。切口20之第一切口末端21形成於基板蓋2之第一表面4處，該第一表面背對腔室。切口20之第二切口末端22位於基板蓋2之腔室側第二表面5處。切口末端21與第二切口 末端22在平行於主要延伸平面100之第一方向200，及垂直於主要延伸平面100之第二方向300(由箭頭300說明)兩者上皆彼此間隔開。自切口末端21前進的切口20之第一部分區23至少實質上垂直於主要延伸平面100延伸。此外，切口20包含第二部分區24，其在第二切口末端22處通向腔室內部中。
在第一步驟之後的第二步驟中，接著藉由雷射光束30，具體而言在對應於旋轉速率感測器之理想工作壓力的環境壓力下封閉切口20(或通風孔或通風槽)。藉助於切口20之幾何組態，雷射光束30在此情況下有利地並不以不受阻礙方式或直接地進入腔室10，而實際上在自第一部分區23至第二部分區24之過渡區處照射於基板蓋2之材料上。因此，微機電元件3之功能層未被曝露成直接接觸雷射光束30，結果較少熱能被轉移或未轉移熱能。以此方式，可有利地保護微機電元件3之核心免受侵害性或破壞性影響。
圖2示出根據本發明之第一例示性具體實例的系統，具體而言晶圓系統，之示意性說明。具體而言，僅說明腔室10及其周圍環境。並未說明如圖1中所描述之另外的腔室6，但可同樣存在該另外的腔室，包括其在圖1之過程中描述的特徵。
在第一例示性具體實例之情況下，切口20之第一部分區23至少實質上垂直於主要延伸平面100延伸。第一部分區23已藉由至少部分各向異性蝕刻方法，較佳地藉由深反應性離子蝕刻DRIE在第一步驟之第一子步驟中產生。此外，切口20包含第二部分區24，其在腔室側上的第二切口末端22處通向腔室10中。具體而言，第二部分區24已藉由至少部分各向同性蝕刻方法在第一步驟之第二子步驟中形成。因此藉由第二部分區24形成切口20與腔室10之內部之間的側向接觸。其間說明有箭頭200的兩個豎直虛線在此處說明第一切口末端21在平行於主要延伸平面100之第一方向200上與第二切口末端22的偏移或間隔。
當切口20在第二步驟中經封閉時，藉助於切口20之幾何組態，雷 射光束30無法以不受阻礙的方式或直接地進入腔室10，而實際上在切口20之第二部分區24中照射於基板蓋2之材料上。因此，微機電元件3之功能層未被曝露成直接接觸雷射光束30。此外，有利的為，切口20之幾何組態亦在第一步驟之第一子步驟中防止在各向異性蝕刻期間蝕刻至功能層中，此情況可有利地減少成品組件之缺陷。
圖3示出根據本發明之第二例示性具體實例的系統，具體而言晶圓系統，之示意性說明。第二例示性具體實例類似於圖2中所說明之第一例示性具體實例。與第一例示性具體實例對比，在第二例示性具體實例之情況下，終止層9另外至少配置於切口20之第一部分區23下方。具體而言，終止層9配置在基板蓋2之基板側表面上，且因此在接合之後位於基板1與基板蓋2之間。在第一步驟之第一子步驟中，可藉由終止層9終止第一部分區23具體而言垂直於主要延伸平面100之形成。因此，尤其可能有利地防止在第一步驟中蝕刻至微機電元件3之功能層中或蝕刻穿過該功能層。
圖4示出根據本發明之第三例示性具體實例的系統，具體而言晶圓系統，之示意性說明。第三例示性具體實例類似於圖2中所說明之第一例示性具體實例。與第一例示性具體實例對比，在第三例示性具體實例之情況下，凹口11已另外在第一步驟之前(且具體而言已在接合基板1與基板蓋2之前)的預備步驟中形成於基板蓋2之第二表面5處。藉由此額外凹口11，可能實現在第一步驟中有利地形成切口20。切口20之第二部分區24可以直接鄰接凹口11之方式產生。因此，一方面，有利地可能增大腔室10與切口20之第一部分區23之間的距離；另一方面，可能減少第一步驟之第二子步驟中的各向同性蝕刻(亦即第二部分區24之形成)。

Claims (12)

  1. 一種用於設定藉由一基板及一基板蓋所形成之一腔室中之一壓力的方法，一微機電系統配置於該腔室中，該基板具有一主要延伸平面，該方法包含以下步驟：在一第一步驟中，在該基板蓋中產生一切口，該切口將該腔室連接至該基板蓋之一周圍環境，該切口之一第一切口末端形成於該基板蓋之一第一表面處，該第一表面背對該腔室，該切口之一第二切口末端形成於該基板蓋之一腔室側的第二表面處，該第一切口末端與該第二切口末端至少在一第一方向上彼此間隔開一距離，該第一方向平行於該主要延伸平面；及在一第二步驟中，在該第一步驟之後，封閉該切口；其中，在該第一步驟之一第一子步驟中，形成該切口之一第一部分區，其延伸垂直於該基板之該主要延伸平面，且在該第一步驟之該第一子步驟之後的一第二子步驟中，形成該切口之一第二部分區，使其在該第二切口末端處通向該腔室。
  2. 如請求項1之方法，其中在該第二步驟中，在一預定義環境壓力占主導地位時該腔室經密閉地封閉。
  3. 如請求項1之方法，其中在該第二步驟中，藉由一雷射光束封閉該切口，該雷射光束垂直於該主要延伸平面而照射於該切口上。
  4. 如請求項3之方法，其中在該第一步驟中，該切口以使得在該第二步驟中該雷射光束無法直接進入該腔室的方式而形成。
  5. 如請求項1之方法，其進一步包括：形成一另外的腔室，一另外的微機電系統配置於該另外的腔室中。
  6. 如請求項5之方法，其中該微機電系統包含一旋轉速率感測器，該另外的微機電系統包含一加速度感測器。
  7. 一種用於設定藉由一基板及一基板蓋所形成之一腔室中之一壓力的方法，一微機電系統配置於該腔室中，該基板具有一主要延伸平面，該方法包含以下步驟：在一第一步驟中，在該基板蓋中產生一切口，該切口將該腔室連接至該基板蓋之一周圍環境，該切口之一第一切口末端形成於該基板蓋之一第一表面處，該第一表面背對該腔室，該切口之一第二切口末端形成於該基板蓋之一腔室側的第二表面處，該第一切口末端與該第二切口末端至少在一第一方向上彼此間隔開一距離，該第一方向平行於該主要延伸平面；及在一第二步驟中，在該第一步驟之後，封閉該切口；其中，在該第一步驟之一第一子步驟中，藉由一至少部分各向異性蝕刻方法形成該切口之一第一部分區，其延伸垂直於該基板之該主要延伸平面，在該第一步驟之該第一子步驟之後的一第二子步驟中，藉由一至少部分各向同性蝕刻方法形成該切口之一第二部分區。
  8. 如請求項7之方法，其中在該第一步驟之該第一子步驟中，藉由深反應性離子蝕刻(DRIE)形成該切口之該第一部分區。
  9. 如請求項7之方法，其中在該第一步驟之該第一子步驟中，藉由一終止層終止該第一部分區垂直於該主要延伸平面之形成。
  10. 如請求項9之方法，其中該終止層為一氧化物終止層。
  11. 一種用於設定藉由一基板及一基板蓋所形成之一腔室中之一壓力的方法，一微機電系統配置於該腔室中，該基板具有一主要延伸平面，該方法包含以下步驟：在一第一步驟中，在該基板蓋中產生一切口，該切口將該腔室連接至該基板蓋之一周圍環境，該切口之一第一切口末端形成於該基板蓋之一第一表面處，該第一表面背對該腔室，該切口之一第二切口末端形成於該基板蓋之一腔 室側的第二表面處，該第一切口末端與該第二切口末端至少在一第一方向上彼此間隔開一距離，該第一方向平行於該主要延伸平面；及在一第二步驟中，在該第一步驟之後，封閉該切口；其中在該第一步驟之前的一預備步驟中，在該基板蓋之該第二表面處形成一凹口，在該第一步驟中，至少部分於該凹口處或藉由該凹口形成該第二切口末端。
  12. 一種晶圓系統，其包含：一基板及一基板蓋，藉由該基板及該基板蓋形成一腔室，該基板具有一主要延伸平面；一微機電系統，其配置於該腔室中；及一凹口；其中該基板蓋具有一切口，該切口之一第一切口末端形成於該基板蓋之一第一表面處，該第一表面背對該腔室，該切口之一第二切口末端形成於該基板蓋之一腔室側的第二表面處，該第一切口末端與該第二切口末端至少在一第一方向上彼此間隔開一距離，該第一方向平行於該主要延伸平面，且該切口經封閉；其中形成該切口之一第一部分區，其延伸垂直於該基板之該主要延伸平面，且形成該切口之一第二部分區，使其在該第二切口末端處通向該腔室；其中於該基板蓋之該第二表面處形成該凹口，且該切口之該第二部分區直接鄰接該凹口。
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060246631A1 (en) * 2005-04-27 2006-11-02 Markus Lutz Anti-stiction technique for electromechanical systems and electromechanical device employing same
DE102014002028A1 (de) * 2014-02-13 2015-08-13 Kirschner Maschinenbau Gmbh Vorrichtung zur Herstellung eines mit Zähnen besetzten Sägeblattes
US20160244325A1 (en) * 2015-02-24 2016-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Multi-pressure mems package
US20170073219A1 (en) * 2015-09-10 2017-03-16 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of electronic device, electronic device, electronic apparatus, and moving body
TW201726542A (zh) * 2016-01-21 2017-08-01 台灣積體電路製造股份有限公司 具有多壓力的微機電系統封蓋
DE102016218661A1 (de) * 2016-09-28 2018-03-29 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Inertialsensors

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014202801B4 (de) * 2014-02-17 2023-08-24 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Bauelements

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060246631A1 (en) * 2005-04-27 2006-11-02 Markus Lutz Anti-stiction technique for electromechanical systems and electromechanical device employing same
DE102014002028A1 (de) * 2014-02-13 2015-08-13 Kirschner Maschinenbau Gmbh Vorrichtung zur Herstellung eines mit Zähnen besetzten Sägeblattes
US20160244325A1 (en) * 2015-02-24 2016-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Multi-pressure mems package
US20170073219A1 (en) * 2015-09-10 2017-03-16 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of electronic device, electronic device, electronic apparatus, and moving body
TW201726542A (zh) * 2016-01-21 2017-08-01 台灣積體電路製造股份有限公司 具有多壓力的微機電系統封蓋
DE102016218661A1 (de) * 2016-09-28 2018-03-29 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Inertialsensors

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