TWI815849B - 用於離子植入器的氫產生器 - Google Patents
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Abstract
提供一種用於離子植入系統之終端，其中該終端具有終端外殼，該終端外殼用於支撐經組態以形成離子束之離子源。該終端外殼內之氣體箱具有氫產生器，其經組態以產生用於該離子源之氫氣。該氣體箱與該終端外殼電絕緣，且進一步電耦合至該離子源。該離子源及氣體箱藉由複數個電絕緣體與該終端外殼電隔離。複數個絕緣支座將該終端外殼與地面電隔離。終端電源相對於該地面將該終端外殼電偏壓至終端電位。離子源電源相對於該終端電位將該離子源電偏壓至離子源電位。導電導管電耦合該氣體箱與離子源。
Description
本發明大體上係關於離子植入系統，且更特定言之係關於一種具有用於離子植入系統之離子源的氫產生器之離子植入系統。相關申請案之參考
本申請案主張2018年1月22日申請之名為「用於離子植入器的氫產生器（HYDROGEN GENERATOR FOR AN ION IMPLANTER）」之美國臨時申請案第62/620,144號之權益，該申請案之內容以全文引用之方式併入本文中。
在製造半導體裝置中，離子植入用以使用雜質摻雜半導體。離子植入系統常常用以運用來自離子束之離子摻雜工件（諸如，半導體晶圓），以便產生n型或p型材料摻雜，或在製造積體電路期間形成鈍化層。此射束處理常常用以運用指定摻雜劑材料之雜質在預定能量位準下及以經控制之濃度選擇性地植入晶圓，以在製造積體電路期間產生半導體材料。當用於摻雜半導體晶圓時，離子植入系統將選定離子物種噴射至工件中以產生所要外質材料。舉例而言，植入由源材料（諸如，銻、砷或磷）產生的離子導致「n型」外質材料晶圓，而「p型」外質材料晶圓常常由運用諸如硼、鎵或銦之源材料產生的離子產生。
典型離子植入器包括離子源、離子提取裝置、質量分析裝置、射束輸送裝置及晶圓處理裝置。離子源產生所要之原子或分子摻雜劑物種之離子。這些離子藉由提取系統（典型地為一組電極）自源提取從而形成離子束，該組電極供能及導引來自源之離子流。所要離子在質量分析裝置中與離子束分離，該質量分析裝置典型地為執行所提取離子束之質量分散或分離的磁偶極子。射束輸送裝置（通常為含有一系列聚焦裝置之真空系統）輸送離子束至晶圓處理裝置，同時維持離子束之所要屬性。最終，半導體晶圓經由晶圓處置系統轉移入或轉移出晶圓處理裝置，該晶圓處置系統可包括一或多個機器人臂用於將待處理之晶圓置放在離子束前方且自離子植入器移除經處理之晶圓。
離子植入器中之離子源通常藉由離子化弧箱中之源材料而產生離子束，其中源材料之組分為所要摻雜劑元素。所要摻雜劑元素接著自呈離子束形式之離子化源材料提取。在一些情況下，所要摻雜劑元素可包含諸如鋁之金屬的離子。
習知地，當鋁離子為所要摻雜劑元素時，諸如氮化鋁（AlN）及氧化鋁（Al2
O3
）之材料出於離子植入的目的已經用作鋁離子之源材料。氮化鋁或氧化鋁為固體絕緣材料，其通常置放於（在離子源中）形成電漿之弧箱中。蝕刻劑氣體（例如，含有氟之氣體）習知地經引入以化學地蝕刻含鋁材料，其中源材料經離子化，且鋁經提取且沿著射束線輸送至定位於末端站中之碳化矽工件以用於向其植入。然而，蝕刻程序產生連同預期鋁離子自弧箱排出之絕緣材料（例如，AlFX
、AlN、Al2
O3
等），其中絕緣材料可在離子植入系統之各種構件之間引起不利的電弧作用。
以下呈現本發明之簡化概述，以便提供本發明之一些態樣之基本理解。此概述並非本發明之廣泛綜述。其既不預期鑑別本發明之關鍵或至關重要之要素，亦不描繪本發明之範圍。其目的在於以簡化形式呈現本發明之一些概念以作為隨後呈現之更詳細描述的序言。
本發明之態樣促成用於將鋁離子植入至工件中之離子植入程序。根據一個例示性態樣，提供一種離子植入系統，其具有：離子源，其經組態以形成離子束；射束線組裝件，其經組態以選擇性地輸送該離子束；及末端站，其經組態以接受該離子束以用於將該等鋁離子植入至工件中。
根據一個例示性態樣，提供一種用於離子植入系統之終端系統。該終端系統例如包含終端外殼及安置於該終端外殼內之離子源。氣體箱例如電耦合至該離子源，且氫產生器安置於該氣體箱內。該氫產生器例如經組態以產生用於該離子源之氫氣，且與該離子源處於相同電位。
在一個實例中，該離子源及氣體箱經由複數個電絕緣體與該終端外殼電隔離。此外，在另一實例中提供複數個絕緣支座以將該終端外殼與地面電隔離。
舉例而言，提供一種終端電源且其經組態以相對於該地面將該終端外殼偏壓至終端電位，諸如300 keV。在另一實例中，提供一種提取電源且其經組態以將該氣體箱及離子源電偏壓至相對於該終端電位較大之電位。該氣體箱及離子源電位例如相對於該終端電位提高大約60 keV。
根據另一實例，提供一種導電導管以將該氣體箱電耦合至該離子源，其中該導電導管在該氫產生器與該離子源之間提供流體連通。該導電導管例如包含不鏽鋼導管。
根據另一例示性態樣，進一步揭示一種離子植入系統。該離子植入系統包含：終端，其具有終端外殼；離子源，其經組態以形成離子束；及氣體箱。該氣體箱例如包含氫產生器，其經組態以產生用於該離子源之氫氣，其中該氣體箱與該終端外殼電絕緣，且其中該氣體箱電耦合至該離子源。在一個實例中，該離子植入系統進一步包含：射束線組裝件，其經組態以選擇性地輸送該離子束；以及末端站，其經組態以接受該離子束以用於將離子植入至工件中。
以上概述僅意欲給出本發明之一些具體實例之一些特徵的簡要綜述，且其他具體實例可包含額外特徵及/或與上文所提及之特徵不同的特徵。詳言之，此概述不應被解釋為限制本申請案之範圍。因此，為實現前述及相關目的，本發明包含在下文中描述且在申請專利範圍中特別指出之特徵。以下描述及所附圖式詳細闡述本發明之某些說明性具體實例。然而，這些具體實例指示可使用本發明之原理的各種方式中之若干方式。當結合圖式考慮時，本發明之其他目標、優點及新穎特徵將自本發明之以下詳細描述而變得顯而易見。
本發明通常係針對一種離子植入系統及一種用於產生與其相關聯之氫氣的來源。更特定言之，本發明係針對用於產生用於該離子植入系統之氫之氫產生構件。本發明將氫氣產生器定位在與離子源相關聯之氣體箱中，其中氣體箱維持在較高電壓。因此，氣體箱殼體之容納及安全性態樣有利地改善重複的硬體及氣體遞送管道。
因此，本發明現將參考圖式加以描述，其中通篇中之相同元件符號可用於指代相同元件。應理解的是，這些態樣之描述僅為說明性的且其不應以限制意義來解釋。在以下描述中，出於解釋之目的，闡述大量具體細節以便提供對本發明之透徹理解。然而，熟習此項技術者將顯而易見，本發明可在無這些具體細節之情況下實踐。此外，本發明之範圍並不意欲受下文參考隨附圖式所描述之具體實例或實施例限制，但意欲僅受其所附申請專利範圍及其等效者限制。
亦注意的是，提供圖式以說明本發明之具體實例之一些態樣且因此應將圖式視為僅示意性的。詳言之，根據本發明之具體實例，圖式中所示元件彼此不一定按比例繪製，且各種元件在圖式中之置放係經選擇以提供各別具體實例之清楚理解且不應解釋為必定表示實施例中各個構件之實際相對位置。此外，除非另外特定指出，否則可將本文中所描述的各個具體實例及實施例之特徵彼此組合。
亦應瞭解的是，在以下描述中，在圖式中所展示或本文中所描述之功能區塊、裝置、構件、電路元件或其他實體或功能單元之間之任何直接連接或耦接亦可藉由間接連接或耦接來實施。此外，應瞭解的是，圖式中所展示之功能區塊或單元在一個具體實例中可被實施為分離特徵或電路，且在另一具體實例中，亦可替代地完全或部分地實施為通用特徵或電路。舉例而言，若干功能區塊可實施為在諸如信號處理器之通用處理器上運行的軟體。進一步應理解的是，除非相反地指出，否則在以下說明書中基於電線所描述之任何連接亦可以無線通信形式實施。
根據本發明之一個態樣，圖1說明一種例示性真空系統100。本發明實例中之真空系統100包含離子植入系統101，然而亦涵蓋各種其他類型之真空系統，諸如電漿處理系統或其他半導體處理系統。離子植入系統101例如包含終端102、射束線組裝件104及末端站106。
一般而言，終端102中的離子源組裝件108具有弧箱110，其耦接至電源112以將摻雜氣體離子化成複數個離子以形成離子束114。提取電極116可偏置以抑制接近離子源組裝件108或在提取電極下游產生之電子的回流。本發明之離子源材料118經提供至離子源組裝件108中之弧箱110，其中離子源材料可包含BF3
、PF3
、NF3
或基於所要離子植入之其他材料。在一個實例中，諸如碘化鋁(III)（AlI3
）之蒸發器材料120可供應至弧箱110，或蒸發器材料可安裝在蒸發器122中，該蒸發器為與弧箱相關聯之源組裝件108之一部分，如下文將進一步詳細論述。
本實例中之離子束114經由射束轉向設備124導引，且穿過孔徑126朝向末端站106。在末端站106中，離子束114轟擊工件128（例如諸如矽晶圓之基板、顯示面板等），該工件128經選擇性夾持或安裝至夾盤130（例如靜電夾盤或ESC）。一旦嵌入工件128之晶格中時，則所植入之離子改變工件之物理及/或化學屬性。鑒於此，離子植入係用於半導體裝置製造及金屬表面處理，以及材料科學研究中之各種應用。
本發明之離子束114可採用任何形式，諸如筆形或點束、帶束、掃描束或將離子導引朝向末端站106之任何其他形式，且所有這些形式係預期屬於本發明之範圍內。
根據一個例示性態樣，末端站106包含處理腔室132，諸如真空腔室134，其中處理環境136係與該處理腔室相關聯。處理環境136一般存在於處理腔室132內，且在一個實例中，包含藉由耦接至處理腔室且經組態以實質上抽空該處理腔室之真空源138（例如真空泵）產生之真空。另外，控制器140經提供用於真空系統100之整體控制。
本發明瞭解到，已經發現其上形成有基於碳化矽之裝置之工件128相比於基於矽之裝置具有較佳熱及電特性，尤其在用於諸如電車等之高電壓及高溫裝置中的應用中。然而，至碳化矽中之離子植入利用相比於用於矽工件之植入摻雜劑不同類別的植入摻雜劑。在碳化矽植入中，通常執行鋁及氮植入。氮植入例如相對簡單，因為氮可經引入作為氣體且提供相對容易調節、清理等。然而，鋁較困難，因為關於已知鋁目前存在極少良好的氣體溶液。
出於離子植入的目的，諸如氮化鋁（AlN）、氧化鋁（Al2
O3
）等之材料可用作鋁離子之源。氮化鋁或氧化鋁為固體絕緣材料，其置放於（在離子源中）形成電漿之弧箱中。氣體可經引入（例如，氟）以化學地蝕刻含鋁材料，其中該材料經離子化，且鋁經提取且沿著射束線輸送至定位於末端站中之碳化矽工件。舉例而言，含鋁材料通常與弧箱中之某一形式之蝕刻劑氣體（諸如BF3
、PF3
、NF3
等）一起用作鋁離子之源。這些材料具有產生絕緣材料（例如，AlN、Al2
O3
等）之不合宜的副作用，該絕緣材料連同預期離子自弧箱排出。
絕緣材料可隨後塗佈構件，諸如與離子源組裝件108之源外殼142相關聯之提取電極116，該等構件接著開始充電且不利地變更這些電極之靜電特性且在其上累積電荷。此導致這些電極之通常被稱作干擾或電弧作用之特性，因為經累積電荷與其他構件及或地面形成電弧。在極端狀況下，可使電源特性變更且扭曲。此導致不可預測的射束特性且致使頻繁預防性維護以清理這些構件及減少的射束電流。另外，來自這些材料之薄片及其他殘餘物在弧箱110以及源組裝件108及源外殼142中形成，因此變更其操作特性，從而產生頻繁清理。
根據一個態樣，本發明預期使用碘化鋁(III)（AlI3
）以產生原子鋁離子，其中不產生且不累積前述絕緣材料、薄片等，因此延伸來源及電極之壽命、產生較穩定離子束操作且允許實質上較高射束電流。因此，本發明自碘化鋁(III)（AlI3
）固體源材料產生單一原子鋁離子以在自室溫至1000℃之溫度下電摻雜碳化矽、矽或其他基質，且相比於當前技術，來源壽命、射束電流及操作特性有所改良。
在另一實例中，各個離子植入程序可利用基於鹵素之氣體或化合物，諸如BF3
、GeF4
、SiF4
及其他氣體或化合物。當這些化合物在弧箱110中裂化時，所得氟副產物可對離子源及總射束線之穩定性及壽命具有不利影響，因為氟副產物為高度負電性且容易與構成離子源及提取電極構件之各種耐火金屬、石墨及陶瓷構件反應。
當使用碘化鋁(III)（AlI3
）作為用於離子源組裝件108之起始材料（例如，蒸發器材料120供應蒸發器122）時，所得副產物（例如，碘）可運用絕緣塗層塗佈源外殼142內之各個構件。舉例而言，絕緣塗層可隨後當接近高電壓場時充電及放電。在兩種這些狀況下，離子束114通常可變得不穩定使得隨時間推移，可變得必須自用於維護、清潔或替換之產生環境移除諸如離子源組裝件108之構件。為了減輕這些摻雜劑副產物之負面影響，氫共伴氣體可經引入至弧箱110，其中氫共伴氣體與形成HF或H2
F之氟反應，因此消除鹵素循環。對於碘，氫反應將通常形成可安全地自離子源泵吸出之揮發性氣體。
舉例而言，在使用四氟化鍺（GeF4
）及氫作為離子源中之共伴氣體之情況下，可出現以下反應：
4GeF4 + 2H2 + 2W4Ge+ + 2WF6 + 4HF (g) （1）
及
2WF6 (g) + 6H2 (g)2W(s) + 12 HF (g) （2）
當使用不具有氫之GeF4
作為共伴氣體時，可出現以下反應：
6GeF4 + 4W6 Ge+ + 4WF6 （3）
及
4WF6 (g)4 W (s) + 24 F• (g) （4）。
等式（4）之結果通常為熱不穩定的，且可能出現分解回元素鎢（W）且將F釋放回電漿。
當碘化鋁(III) AlI3
與氫一起使用作為共伴氣體時，可出現以下反應：
AlI3
+ H2
+ H2
OAl (s) + 3HI (g) + OH （5）。
等式（5）中之水（H2
O）例如產生於腔室槽中之濕氣。舉例而言，碘與氫之反應之動力學係有利的，因為其在形成揮發性氣體副產物（HI）之後減少總能量，該揮發性氣體副產物在形成時被連續泵吸掉。
供應或產生用於離子源組裝件108或弧箱110之氫氣（例如，供應至源外殼142）之若干方法可為可能的。舉例而言，含有氫之高壓瓶可用作氣體源，其中高壓瓶可流體耦接至離子源組裝件108。在此情況中，在氣體源之輸出處利用小孔口以阻止釋放較大體積氣體，以防止與其相關聯之重大失敗。用以供應用於離子源組裝件108或弧箱110之氫氣之另一替代實例可包含真空啟動瓶，其充當利用低壓瓶之安全遞送系統（SDS），其中至離子源之氣體遞送線路係在真空下。
用以供應用於離子源組裝件108或弧箱110之氫氣之又一替代實例可包含氫產生器144。舉例而言，水可使用串聯連接之一個或若干個電解池解離。每一電解池包含陽極電極（例如，用於氧產生）、陰極電極（例如，用於氫產生）及隔膜（例如，用於氧與氫之分離）。舉例而言，儲存器可經組態以僅儲存該程序所需之足夠氫，藉此使氫產生器144成為需要考慮高壓氫氣瓶之存在之應用的安全替代方案。
本發明預期在與終端102相關聯之氣體箱146中提供氫產生器144，其中氣體箱處於離子源組裝件108之提取電位（例如，氣體箱與離子源處於相同高電位或提取電壓），且其中氫產生器之輸出可使用導電導管148（例如，不鏽鋼管）直接引入至離子源中用作共伴氣體。因此，可利用氣體箱146之安全性及容納特徵，其中可避免將高電壓間隙與不導電導管橋接之問題。舉例而言，不導電導管可容易地損壞，因此可能在離子源組裝件108外部附近釋放可燃氫及/或有毒摻雜劑。氣體箱146例如為圖2中所展示之終端102中之殼體，且係與離子源組裝件108相關聯，其中定位含有與植入相關聯之各種氣體之加壓氣體瓶。藉由將氫產生器144定位在氣體箱146中（其在一個實例中已經處於自地面之較高電壓），可利用氣體箱殼體之容納及安全性態樣，因此避免包括氣體遞送管道之重複設計/硬體。
習知地，氣體箱維持在提取電位（例如，自地面電位之較高電位），該提取電位可介於大約1 keV至60 keV之範圍內。習知地，當實施氫產生器（圖中未示）以用於產生用於離子源之氫共伴氣體時，氫產生器為獨立構件，其置放於終端外部之地面電位下的地板上。在此地面電位下，獨立氫產生器可在顯著地低於離子源之電位下。因而，諸如聚乙烯（例如，Poly-Flo®）或Teflon®導管之不導電導管已經用於跨越電接地與終端之間的高電壓間隙以便將氣體轉移至連接至流動控制器之氣體箱中從而使氫氣自身流動至離子源中。然而，目前應瞭解，如此使用不導電導管以跨越高電壓間隙具有各種不利的不足，諸如絆倒危險，以及可能使可能爆炸的氫氣洩漏至附近環境中。
因此，根據本發明之一個例示性態樣，氫產生器144經提供且經大小設定以裝配在狹槽中，其中習知氣體瓶通常置放於氣體箱146中。因而，提供各種安全性特徵，其中氫氣可在與離子源組裝件108處於相同電位時注入至離子源組裝件中。氣體箱146例如擱置在複數個電絕緣體150上，其中用於離子源組裝件108之氣體箱及各種控制器（圖中未示）與離子源處於相同電位，同時與終端102之終端外殼152電絕緣。因此，藉由將氫產生器144定位在氣體箱146中，氫產生器與離子源108之間不會存在電壓降。因此，氣體箱146中之氫產生器144與離子源108之流體連接可有利地包含導電導管148，諸如不鏽鋼導管，其中導電導管在其間提供穩固且安全的流體耦接。
本發明有利地提供氫氣，其處於高於接地參考之較高電壓。因而，無需複製各種容納設備及控制件等來減少與低流量之可燃氣體相關聯之火花。雖然高壓氫氣瓶可替代地置放於氣體箱146中，但可燃氣體之高壓瓶之此定位可能歸因於瓶之掉落或瓶上之截流閥的損壞而導致災難性的破壞，因此導致氫氣的不可控洩漏。此外，輸送至建築外殼中，離子植入系統可因各種原因（諸如控管此類高壓瓶之實施的規定）而成問題的。
本發明之氫產生器144例如可經組態以使氫氣以大約10 sccm之速率流動。在一個實例中，氫產生器144具有大約5 psi或更小之相對較小儲存容量。因而，氫氣並非儲存於高壓（例如，2000 psi）下，該等高壓通常與上文所論述之高壓氣體瓶相關聯。此外，氫產生器144與離子源108維持在相同電位（例如，高於接地參考之較高電壓），該電位可為大約高於接地電位之1 keV至60 keV。
因此，本發明為離子植入系統101提供圖2至圖3中所展示之終端系統154（例如，圖1之終端102），該離子植入系統包含與離子源組裝件108處於相同電位之氫產生器144。終端系統154例如可與地面藉由複數個絕緣支座156電隔離，如圖2至圖3中所說明。由於終端系統154經由絕緣支座156與地面電絕緣，因此終端系統可被視為接地參考（例如，返回參考），其中終端系統154可偏壓至各種電壓，諸如大約負300 keV。氣體箱146及離子源組裝件108例如與上文所論述之導電導管148耦接，且因此彼此處於相同電位，其中氣體箱及離子源兩者可在終端外殼152上方處於較高電位（例如，60 keV），同時進一步藉由複數個絕緣支座156與地面絕緣，因此提供處於高於地面電位之360 keV的氣體箱及離子源。
儘管本發明已關於某一具體實例或各個具體實例顯示且描述，但應注意的是，上文所描述之具體實例僅充當本發明一些具體實例之實施方案的實例，且本發明之應用不受這些具體實例限制。特別就藉由上文所描述之構件（組裝件、裝置、電路等）執行之各種功能而言，除非另外指示，否則用於描述這些構件之術語（包括對「手段用具」之參考）意欲對應於執行所描述構件之指定功能（亦即，功能上等效）的任何構件，即使在結構上不等效於執行本文中本發明之例示性具體實例所說明之功能的所揭示之結構亦如此。另外，雖然本發明之特定特徵可能已關於若干具體實例中之僅一者揭示，但若需要且對任何給定或特定應用有利，則此特徵可與其他具體實例之一或多個其他特徵組合。因此，本發明不限於上文所描述之具體實例，但意欲僅受所附申請專利範圍及其等效物限制。
100‧‧‧例示性真空系統
101‧‧‧離子植入系統
102‧‧‧終端
104‧‧‧射束線組裝件
106‧‧‧末端站
108‧‧‧離子源組裝件
110‧‧‧弧箱
112‧‧‧電源
114‧‧‧離子束
116‧‧‧提取組裝件
118‧‧‧離子源材料
120‧‧‧蒸發器材料
122‧‧‧蒸發器
124‧‧‧射束轉向設備
126‧‧‧孔徑
128‧‧‧工件
130‧‧‧夾盤
132‧‧‧處理腔室
134‧‧‧真空腔室
136‧‧‧處理環境
138‧‧‧真空源
140‧‧‧控制器
142‧‧‧源外殼
144‧‧‧氫產生器
146‧‧‧氣體箱
148‧‧‧導電導管
150‧‧‧電絕緣體
152‧‧‧終端外殼
154‧‧‧終端系統
156‧‧‧絕緣支座
圖1為根據本發明之若干態樣的利用氫產生器的例示性真空系統之方塊圖。
圖2說明根據本發明之另一態樣之包含離子源及氣體箱之例示性終端的透視圖。
圖3說明根據本發明之另一態樣的包含離子源及氣體箱之例示性終端的平面視圖。
100‧‧‧例示性真空系統
101‧‧‧離子植入系統
102‧‧‧終端
104‧‧‧射束線組裝件
106‧‧‧末端站
108‧‧‧離子源組裝件
110‧‧‧弧箱
112‧‧‧電源
114‧‧‧離子束
116‧‧‧提取組裝件
118‧‧‧離子源材料
120‧‧‧蒸發器材料
122‧‧‧蒸發器
124‧‧‧射束轉向設備
126‧‧‧孔徑
128‧‧‧工件
130‧‧‧夾盤
132‧‧‧處理腔室
134‧‧‧真空腔室
136‧‧‧處理環境
138‧‧‧真空源
140‧‧‧控制器
142‧‧‧源外殼
144‧‧‧氫產生器
146‧‧‧氣體箱
148‧‧‧導電導管
152‧‧‧終端外殼
Claims (20)
- 一種用於離子植入系統之終端系統，其中該終端系統包含： 終端外殼； 離子源組裝件，其安置於該終端外殼內； 氣體箱，其電耦合至該離子源組裝件；及 氫產生器，其安置於該氣體箱內，其中該氫產生器經組態以產生氫氣且與該離子源組裝件處於相同電位。
- 如請求項1所述之終端系統，其中該離子源及該氣體箱經由複數個電絕緣體與該終端外殼電隔離。
- 如請求項1所述之終端系統，其進一步包含複數個絕緣支座，其中該複數個絕緣支座將該終端外殼與地面電隔離。
- 如請求項1所述之終端系統，其進一步包含終端電源，該終端電源經組態以相對於該地面將該終端外殼電偏壓至終端電位。
- 如請求項4所述之終端系統，其中該終端電位相對於該地面大約為負300 keV。
- 如請求項1所述之終端系統，其進一步包含離子源電源，其中該離子源電源經組態以相對於該終端電位將該離子源電偏壓至離子源電位。
- 如請求項6所述之終端系統，其中該離子源電位相對於該終端電位提高大約60 keV。
- 如請求項1所述之終端系統，其進一步包含導電導管，該導電導管將該氣體箱電耦合至該離子源。
- 如請求項8所述之終端系統，其中該導電導管在該氫產生器與該離子源之間提供流體連通。
- 如請求項9所述之終端系統，其中該導電導管包含不鏽鋼導管。
- 一種離子植入系統，其包含： 終端，其包含： 終端外殼； 離子源，其經組態以形成離子束； 氣體箱，其包含氫產生器，該氫產生器經組態以產生用於該離子源組裝件之氫氣，且其中該氣體箱與該終端外殼電絕緣，且其中該氣體箱電耦合至該離子源組裝件； 射束線組裝件，其經組態以選擇性地輸送該離子束；及 末端站，其經組態以接受該離子束以用於將離子植入至工件中。
- 如請求項11所述之離子植入系統，其中該離子源及該氣體箱經由複數個電絕緣體與該終端外殼電隔離。
- 如請求項11所述之離子植入系統，其進一步包含複數個絕緣支座，其中該複數個絕緣支座將該終端外殼與地面電隔離。
- 如請求項11所述之離子植入系統，其進一步包含終端電源，該終端電源經組態以相對於該地面將該終端外殼電偏壓至終端電位。
- 如請求項14所述之離子植入系統，其中該終端電位相對於該地面大約為負300 keV。
- 如請求項11所述之離子植入系統，其進一步包含離子源電源，其中該離子源電源經組態以相對於該終端電位將該離子源電偏壓至離子源電位。
- 如請求項16所述之離子植入系統，其中該離子源電位相對於該終端電位提高大約60 keV。
- 如請求項11所述之離子植入系統，其進一步包含導電導管，該導電導管將該氣體箱電耦合至該離子源。
- 如請求項18所述之離子植入系統，其中該導電導管在該氫產生器與該離子源之間提供流體連通。
- 如請求項19所述之離子植入系統，其中該導電導管包含不鏽鋼導管。
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