TWI811411B - 用於寬頻ir led之介電鏡體 - Google Patents
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Abstract
本發明描述發光二極體(LED)裝置及操作LED裝置之方法。一種LED裝置包含一發光元件、一波長轉換層及一二向色鏡(dichroic mirror)。該發光元件經組態以發射紫外線、可見光或紫外線及可見光。該波長轉換層經組態以吸收由該發光元件發射之該光之至少一部分且回應性發射紅外光。該二向色鏡透射由該波長轉換層發射之該紅外光，反射由該發光元件發射之該光，且經配置以將由該發光元件發射、未經吸收透射穿過該波長轉換層而入射於該二向色鏡上之光反射回至該波長轉換層中。
Description
用於分析有機物之組成之一常見方法係紅外線(IR)輻射。IR輻射或近IR輻射激發待測試之材料之振動模式以導致特性吸收頻帶。當前寬頻IR發光二極體(LED)裝置包括發射UV及/或可見光之一發光元件及覆蓋發光元件以將UV及/或可見光轉換成IR輻射之一波長轉換層。
本發明描述發光二極體(LED)裝置及操作LED裝置之方法。一種LED裝置包含一發光元件、一波長轉換層及一二向色鏡。該發光元件經組態以發射紫外線、可見光或紫外線及可見光。該波長轉換層經組態以吸收由該發光元件發射之該光之至少一部分且回應性發射紅外光。該二向色鏡透射由該波長轉換層發射之該紅外光，反射由該發光元件發射之該光，且經配置以將由該發光元件發射、未經吸收透射穿過該波長轉換層而入射於該二向色鏡上之光反射回至該波長轉換層中。
相關申請案之交叉參考
本申請案主張2019年3月29日申請之美國專利申請案第16/370,176號之優先權利，美國專利申請案第16/370,176號係2018年7月30日申請之美國專利申請案第16/049,519號之一部分接續申請案。本申請案亦主張2018年8月30日申請之歐洲專利申請案18191774.1之優先權利。此等申請案之各者之全文以引用方式併入本文中。
下文將參考附圖來更完全描述不同光照明系統及/或發光二極體實施方案之實例。此等實例不互斥，且一實例中所見之特徵可與一或多個其他實例中所見之特徵組合以達成額外實施方案。因此，應瞭解，附圖中所展示之實例僅供說明，且其絕不意欲限制本發明。所有圖中之相同元件符號係指相同元件。
應瞭解，儘管本文可使用術語「第一」、「第二」、「第三」等等來描述各種元件，然此等元件不應受此等術語限制。此等術語可用於使元件彼此區分。例如，在不脫離本發明之範疇之情況下，一第一元件可稱為一第二元件且一第二元件可稱為一第一元件。如本文所使用，術語「及/或」可包含相關聯列項之一或多者之任何及所有組合。
應瞭解，當諸如一層、區域或基板之一元件被稱為「在另一元件上」或「延伸至另一元件上」時，其可直接在該另一元件上或直接延伸至該另一元件上，或亦可存在介入元件。相比而言，當一元件被稱為「直接在另一元件上」或「直接延伸至另一元件上」時，可不存在介入元件。亦應瞭解，當一元件被稱為「連接」或「耦合」至另一元件時，其可直接連接或耦合至該另一元件及/或經由一或多個介入元件來連接或耦合至該另一元件。相比而言，當一元件被稱為「直接連接」或「直接耦合」至另一元件時，該元件與該另一元件之間不存在介入元件。應瞭解，此等術語除涵蓋圖中所描繪之任何定向之外，亦意欲涵蓋元件之不同定向。
本文可使用諸如「下方」、「上方」、「上」、「下」、「水平」或「垂直」之相對術語來描述一元件、層或區域與另一元件、層或區域之一關係，如圖中所繪示。應瞭解，此等術語除涵蓋圖中所描繪之定向之外，亦意欲涵蓋裝置之不同定向。
寬頻IR LED可用於包含(但不限於) IR光譜學及保全攝影機之各種應用中。一般而言，寬頻IR LED裝置包括發射UV及/或可見光之一發光主動層及覆蓋發光主動層以將UV及/或可見光轉換成IR輻射之一波長轉換層。然而，歸因於自LED裝置逃離之大量UV及/或可見光未經轉換，此等IR LED裝置中UV及/或可見光至IR輻射之轉換相對較低。
圖1繪示一實例性LED裝置100。LED裝置100包括一發光元件101、一波長轉換層130及一基板140。發光元件101安置於基板140上且發射一第一波長範圍111內之光(通常指稱泵浦光)。第一波長範圍可在光譜之紫外線(UV)及/或可見光部分內。例如，第一波長範圍可為350 nm至500 nm。波長轉換層130覆蓋發光元件101且將自發光元件101發射之第一波長範圍111內之光轉換成一第二波長範圍110內之光。第二波長範圍110可高於第一波長範圍111。第二波長範圍可在光譜之IR部分內。例如，第二波長範圍可為600 nm至2500 nm。然而，第一波長範圍111內之光可未經轉換地與經轉換光110一起逃離LED裝置100，如圖1中所繪示。此可導致最終應用中存在無用UV及/或可見光。
圖2係展示離開圖1之LED裝置之光之光譜輻射通量(mW/nm)的一曲線圖。如圖2中所繪示，約350 nm至500 nm之一第一波長範圍211內之大量光未經轉換地逃離封裝，且約650 nm至1000 nm之一第二波長範圍211內之光量(即，經轉換光)相對較低。
二向色鏡係一類型之介電鏡體，其可經設計以透射特定波長之可見光及/或光光率且反射其他。在本文所描述之實施例中，描述可分離可見光(冷)與IR (暖)光以僅反射可見光之一二向色鏡設計。
圖3A係展示根據一實施例之一實例性二向色鏡之性質的一曲線圖300。如圖3A之實例中可見，二向色鏡可反射具有400 nm至650 nm之間的波長之幾乎所有光且透射具有高於700 nm之波長的幾乎所有光。本文描述LED裝置，其可使用此一二向色鏡來將自LED發射之未經轉換UV及/或可見光反射回至裝置中且更明確言之，反射回至波長轉換層中，使得其可在最終自LED裝置發射之前完全轉換成IR光。本文描述頂射及側射LED裝置之特定實例。然而，一般技術者應認知，本文所描述之二向色鏡可與任何類型之LED裝置一起使用。此外，儘管圖3A展示非常有效地提高一IR LED之轉換效率之一二向色鏡之特定性質，然可根據本文所描述之實施例來使用反射可見光且透射IR光之任何二向色鏡。
圖3B係一實例性二向色鏡350之一圖式。在實施例中，二向色鏡350可為經組態為一分束器之一長通二向色鏡。在圖3B所繪示之實例中，二向色鏡350係包含一第一層352及一第二層354之一兩層結構。第一層352可具有一相對較低折射率，且第二層354可具有相對高於第一層352之折射率的一折射率。第一層352及第二層354之折射率及厚度可經選定使得二向色鏡350在低於一特定波長內高度反射且在高於該波長內高度透射。在實施例中，二向色鏡350可設置於一透明基板(圖中未展示)上。
圖4繪示包含一二向色鏡(諸如具有諸如圖3A之曲線圖中所提供之性質之一二向色鏡)之一LED裝置305之一實施例。LED裝置305包括一發光元件301、一波長轉換層330、一基板340及一二向色鏡320。以下圖8及圖9提供一LED裝置之一結構之一更詳細實例。參考圖8，發光元件301包含主動層204且亦可包含一或多個額外元件，諸如基板202及任何相關聯接點及/或用於將發光元件電耦合至支撐基板340或透過支撐基板340電耦合發光元件以接收一電流之其他導電元件。
發光元件301設置於一支撐基板340上。發光元件301發射一第一波長範圍311內之光。在一實施例中，第一波長範圍311係在光譜之UV及/或可見光部分內。在一進一步實施例中，第一波長範圍311係約350 nm至500 nm。在一進一步實施例中，發光元件301發射藍色泵浦光。
在圖4所繪示之實例中，波長轉換層330安置於發光元件301上。波長轉換層330經組態以將第一波長範圍311內之光轉換成一第二波長範圍310內之光。第二波長範圍310高於第一波長範圍311。在一實施例中，第二波長範圍310係在光譜之IR部分內。例如，在第一波長範圍311係約350 nm至500 nm之一實施例中，第二波長範圍310可為約600 nm至2500 nm，其係在光譜之IR部分內。
LED裝置305進一步包括至少一個二向色鏡320。至少一個二向色鏡320經組態以反射第一波長範圍311內之光且透射第二波長範圍310內之光。例如，在第一波長範圍311係約350 nm至500 nm且第二波長範圍310係約600 nm至2500 nm之一實施例中，二向色鏡320反射具有約350 nm至500 nm之一波長的光且透射具有約600 nm至2500 nm之一波長的光。
至少一個二向色鏡320放置於LED裝置305上且經設計以將第一波長範圍內之光反射回至LED裝置300中。因而，未經轉換光不會自封裝逃離，而是可代以再循環回至波長轉換層中用於轉換。第二波長範圍310內之光能夠自封裝逃離，因為二向色鏡320透射第二波長範圍310內之光。
圖4中所繪示之實施例係一頂射LED裝置，其中自發光元件301發射之幾乎所有光透過一頂面302發射。在此實施例中，介電鏡體320放置於頂面302上。因而，自頂面302發射之第一波長範圍311內之光及第二波長範圍310內之光與二向色鏡320相互作用。如圖4中所繪示，自發光元件302發射之第一波長範圍311內之光反射回至LED裝置301中，且第二波長範圍310內之光自LED裝置301逃離。反射回至LED裝置301中之第一波長範圍311內之光可再次進入波長轉換層302以轉換成第二波長範圍310內之光。此可導致自第一波長範圍311內之光至第二波長範圍310內之光之提高轉換效率。
圖5繪示包括一發光元件401之一LED裝置400之一替代實施例。在此替代實施例中，發光元件401包括一側射發光元件401及安置成鄰近發光元件401之各側之一波長轉換層430。側射發光元件安置於一支撐基板440上。側射發光元件401發射一第一波長範圍411內之光。在一實施例中，第一波長範圍411係在光譜之UV及/或可見光部分內。在一進一步實施例中，第一波長範圍411係約350 nm至500 nm。在一進一步實施例中，發光元件401發射藍光。儘管圖5中未展示，然不發射光之發光元件401之各側表面及一頂面可由阻止光自該等表面發射之一材料覆蓋。
波長轉換層430具有將第一波長範圍411內之光轉換成一第二波長範圍410內之光的特性。第二波長範圍410高於第一波長範圍411。在一實施例中，第二波長範圍410係在光譜之IR部分內。例如，在第一波長範圍411係約350 nm至500 nm之一實施例中，第二波長範圍410可為約600 nm至2500 nm。
LED裝置400進一步包括至少一個二向色鏡420。至少一個二向色鏡420經組態以反射第一波長範圍411內之光且透射第二波長範圍410內之光。例如，在第一波長範圍411係約350 nm至500 nm且第二波長範圍410係約600 nm至2500 nm之一實施例中，二向色鏡420反射具有約350 nm至500 nm之一波長的光且透射具有約600 nm至2500 nm之一波長的光。
至少一個二向色鏡420放置成鄰近LED裝置420之側表面以使自發光元件401發射之第一波長範圍411內之光反射回至LED裝置400中。因而，第一波長範圍內之未經轉換光可再循環回至波長轉換層430中用於轉換。第二波長範圍410內之光能夠自封裝逃離，因為二向色鏡420透射第二波長範圍410內之光。
在圖5所繪示之實施例中，自LED裝置400發射之幾乎所有光自LED結構之一第一側表面402及LED結構之一第二側表面403發射。因而，一第一二向色鏡420放置成鄰近LED裝置400之至少一個側表面402。在所繪示之實例中，LED裝置400進一步包括一第二二向色鏡420，其鄰近LED裝置400之一第二側表面403且與第一二向色鏡420對置。類似於第一二向色鏡420，第二二向色鏡420經組態以反射第一波長範圍411內之光且透射第二波長範圍410內之光。例如，在第一波長範圍411係約350 nm至500 nm且第二波長範圍410係約600 nm至2500 nm之一實施例中，二向色鏡420反射具有約350 nm至500 nm之一波長的光且透射具有約600 nm至2500 nm之一波長的光。
如圖5中所繪示，原本可自LED裝置400之側表面逃離之第一波長範圍411內之光反射回至波長轉換層430中，且第二波長範圍410內之光逃離LED裝置400。此可導致自第一波長範圍411內之光至第二波長範圍410內之光之提高轉換效率。
儘管圖4及圖5分別展示頂射及兩側發射LED裝置，然本文所描述之實施例可應用於任何類型之發射器。例如，可由波長轉換層囊封發光層之頂面及側表面，且LED裝置可自頂面及所有側表面發射。在此一實施例中，可設計對應地覆蓋LED裝置之頂面及側表面之一二向色鏡。類似地，一側、三側及四側發射裝置係可行的。在此等實施例中，波長轉換材料可將主動層或晶片囊封於頂面及側表面上或僅安置成鄰近光將最終透過其來離開LED裝置之表面。在此等實施例中，可設計覆蓋LED裝置之一個、三個或四個側之二向色鏡(例如形成一環形或中空立方體形之一或多個二向色鏡)。
在實施例中，LED裝置可包含二向色鏡之一支撐結構，諸如一固化非發光材料(諸如聚矽氧)或一框結構。支撐結構可經設定尺寸以使二向色鏡與LED結構間隔開，使得光依適合於二向色鏡之一入射角入射於二向色鏡上以高效率反射/透射所要波長。一般技術者應瞭解，二向色鏡之適當操作可取決於光之波長及入射角及鏡之性質。
圖6係展示離開諸如本文所描述之一LED裝置之光之光譜輻射通量(mW/nm)的一曲線圖。如圖6中所繪示，自本文所描述之LED裝置發射之約350 nm至500 nm之一第一波長範圍510內之光之光譜輻射通量顯著小於離開無二向色鏡之LED裝置之第一波長範圍211內之光之光譜輻射通量，如圖2中所繪示。與自未使用二向色鏡之LED裝置發射之第二波長範圍210內之光量(如圖2中所繪示)相比，自使用二向色鏡之裝置發射約650 nm至1 mm之一第二波長範圍510內之更多光。因而，使用二向色鏡之本文所描述之LED裝置具有更高效率且顯著減少或消除應用中之無用光量。
圖7展示操作一裝置之一方法之一流程圖。在圖7所繪示之實例中，方法包含操作一發光元件發射紫外線(UV)、可見光或UV及可見光之一組合(610)。可將所發射之UV、可見光或UV及可見光之至少一部分轉換成IR光(620)。可透射IR光至LED裝置外(630)。可將未經轉換透射穿過波長轉換器之發射UV、可見光或UV及可見光反射回至波長轉換器中(640)。
圖8係一實例性實施例中之一LED裝置200之一圖式。LED裝置200可包含一基板202、一主動層204、一波長轉換層206及初級光學器件208。在其他實施例中，一LED裝置可不包含一波長轉換器層及/或初級光學器件。
如圖8中展示，主動層204可鄰近基板202且在被激發時發射光。適合用於形成基板202及主動層204之材料包含藍寶石、SiC、GaN、聚矽氧且更明確言之，可由以下各者形成：III-V族半導體，其包含(但不限於) AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs、InSb；II-VI族半導體，其包含(但不限於) ZnS、ZnSe、CdSe、CdTe；IV族半導體，其包含(但不限於) Ge、Si、SiC；及其等之混合物或合金。
波長轉換層206可遠離、接近主動層204或直接在主動層204上方。主動層204將光發射至波長轉換層206中。波長轉換層206用以進一步修改由主動層204發射之光之波長。包含一波長轉換層之LED裝置通常指稱磷光體轉換LED (「PCLED」)。波長轉換層206可包含任何發光材料(諸如(例如)一透明或半透明黏結劑或基質中之磷光體粒子或一陶瓷磷光體元件)，其吸收一波長之光且發射一不同波長之光。
初級光學器件208可在LED裝置200之一或多個層上且容許光自主動層204及/或波長轉換層206穿過初級光學器件208。初級光學器件208可為經組態以保護一或多個層且至少部分塑形LED裝置200之輸出的一透鏡或囊封。初級光學器件208可包含透明及/或半透明材料。在實例性實施例中，可基於一朗伯(Lambertian)分佈型態來發射經由初級光學器件之光。應瞭解，初級光學器件208之一或多個性質可經修改以產生不同於朗伯分佈型態之一光分佈型態。
圖9展示一實例性實施例中之包含具有像素201A、201B及201C之一LED陣列210及次級光學器件212之一發光系統220之一橫截面圖。LED陣列210包含像素201A、201B及201C，其等各包含一各自波長轉換層206B、主動層204B及一基板202B。LED陣列210可為使用晶圓級處理技術所製造之一單片LED陣列、具有次500微米尺寸之一微型LED或其類似者。可使用陣列分段或替代地，使用取放技術來形成LED陣列210中之像素201A、201B及201C。
LED裝置200B之一或多個像素201A、201B及201C之間所展示之空間203可包含一氣隙或可由諸如一金屬材料之一材料(其可為一接點(例如n接點))填充。
次級光學器件212可包含透鏡209及波導207之一或兩者。應瞭解，儘管已根據所展示之實例論述次級光學器件，然在實例性實施例中，次級光學器件212可用於擴散傳入光(發散光學器件)或將傳入光聚集成一準直光束(準直光學器件)。在實例性實施例中，波導207可為一集光器且可具有適用於集中光之任何形狀，諸如一拋物線形、錐形、斜面形或其類似者。波導207可塗佈有用於反射或重定向入射光之一介電材料、一金屬化層或其類似者。在替代實施例中，一發光系統可不包含以下之一或多者：波長轉換層206B、初級光學器件208B、波導207及透鏡209。
透鏡209可由任何適用透明材料形成，諸如(但不限於) SiC、氧化鋁、鑽石或其類似者或其等之一組合。透鏡209可用於修改輸入至透鏡209中之光束，使得自透鏡209輸出之一光束將高效率滿足一所要光度規格。另外，透鏡209可(諸如)藉由判定LED陣列210之像素201A、201B及/或201C之一點亮及/或未點亮外觀來達成一或多個審美目的。
儘管已詳細描述本發明下，但熟習技術者應瞭解，可在不脫離本文所描述之發明概念之精神之情況下鑑於本揭示內容來對本發明作出修改。因此，本發明之範疇不意欲受限於所繪示及描述之特定實施例。
100:發光二極體(LED)裝置
101:發光元件
110:第二波長範圍
111:第一波長範圍
130:波長轉換層
140:基板
200:LED裝置
201A:像素
201B:像素
201C:像素
202:基板
202B:基板
203:空間
204:主動層
204B:主動層
206:波長轉換層
206B:波長轉換層
207:波導
208:初級光學器件
208B:初級光學器件
209:透鏡
210:第二波長範圍/LED裝置
211:第一波長範圍
212:次級光學器件
220:發光系統
300:曲線圖
301:發光元件
302:頂面
305:LED裝置
310:第二波長範圍
311:第一波長範圍
320:二向色鏡
330:波長轉換層
340:基板
350:二向色鏡
352:第一層
354:第二層
400:LED裝置
401:側射發光元件
402:第一側表面
403:第二側表面
410:第二波長範圍
411:第一波長範圍
420:二向色鏡
430:波長轉換層
440:支撐基板
510:第二波長範圍
511:第一波長範圍
610:操作一發光元件發射紫外線(UV)、可見光或UV及可見光之一組合
620:將所發射之UV、可見光或UV及可見光之至少一部分轉換成IR光
630:透射IR光至LED裝置外
640:將未經轉換透射穿過波長轉換器之發射UV、可見光或UV及可見光反射回至波長轉換器中
圖1係一LED裝置之一截面圖。
圖2係展示離開圖1之LED裝置之光之光譜輻射通量的一曲線圖。
圖3A係展示根據一實施例之一實例性二向色鏡之性質的一曲線圖。
圖3B係一實例性二向色鏡之一截面圖。
圖4係包含一二向色鏡之一實例性LED裝置之一截面圖。
圖5係包含一二向色鏡之另一實例性LED裝置之一截面圖。
圖6係展示離開具有一二向色鏡之一LED裝置之光之光譜輻射通量的一曲線圖。
圖7展示製造具有一二向色鏡之一LED裝置之一方法之一流程圖。
圖8係更詳細展示一實例性LED裝置的一圖式。
圖9係展示多個LED裝置之一實例的一圖式。
301:發光元件
302:頂面
305:發光二極體(LED)裝置
310:第二波長範圍
311:第一波長範圍
320:二向色鏡
330:波長轉換層
340:基板
Claims (20)
- 一種發光裝置，其包括：一發光元件，其包括一頂面及側表面，該頂面在一水平方向延伸，各該側表面在垂直於該水平方向之一垂直方向延伸，該發光元件在操作時發射具有一波長為350nm至500nm之一第一光；一波長轉換層，其經安置與該發光元件之該頂面直接接觸且在該垂直方向與該發光元件之該頂面重疊而沒有在該水平方向與該發光元件之該等側表面重疊，該波長轉換層經配置以吸收由該發光元件發射之該第一光之至少一部分且回應性發射所有700nm至1000nm之一波長範圍之紅外光；及一二向色鏡，其經安置於該波長轉換層上方且經配置以將初始地未經吸收透射穿過該波長轉換層之該第一光之至少一部分反射回至該波長轉換層中，使得反射回之該第一光之該部分由該波長轉換層完全吸收以產生更多該紅外光，及透射所有700nm至1000nm之整個該波長範圍之大部分該紅外光，使得在操作中該紅外光之一功率與通過該二向色鏡透射之一輸出光束中之該第一光之一功率的一比率大於7：1。
- 如請求項1之發光裝置，其中該二向色鏡反射一波長範圍350nm至500nm內之光。
- 如請求項1之發光裝置，其中該二向色鏡透射一波長範圍700nm至2500nm內之光。
- 如請求項1之發光裝置，其中該二向色鏡安置成鄰近該波長轉換層、與該第一光透過其發射之該發光元件之至少一個表面對置。
- 如請求項4之發光裝置，其中該至少一個表面係至少一個側表面。
- 如請求項5之發光裝置，其中該二向色鏡包含安置成與該至少一個側表面對置之一或多個二向色鏡。
- 如請求項4之發光裝置，其包括：一基板，其上安置該發光元件，該發光元件之該至少一個表面係與該基板對置之該發光元件之一表面。
- 如請求項4之發光裝置，其包括：一基板，其上安置該發光元件之一第一表面，該發光元件之該至少一個表面係除該第一表面之外的該發光元件之所有表面。
- 如請求項8之發光裝置，其中該二向色鏡係完全包圍除該第一表面之外的該發光裝置之所有表面的一或多個鏡。
- 如請求項9之發光裝置，其中該二向色鏡係具有一環形及一中空立方體形之一者的一單層二向色鏡。
- 如請求項1之發光裝置，其進一步包括一支撐結構，該二向色鏡安置於該支撐結構上或安置成鄰近該支撐結構。
- 如請求項11之發光裝置，其中該支撐結構包括一非發光固體材料或一框之至少一者。
- 如請求項1之發光裝置，其中該波長轉換層在該水平方向與該發光元件係一相同寬度。
- 如請求項1之發光裝置，其中該波長轉換層在該垂直方向具有小於該發光元件之一高度。
- 如請求項1之發光裝置，其中該二向色鏡在該水平方向具有大於該波長轉換層及該發光元件之一寬度。
- 如請求項1之發光裝置，其中該波長轉換層包括在該水平方向延伸之一第一頂面及在該垂直方向延伸之兩個側表面，及該二向色鏡包括在該水平方向延伸之一第二頂面及在該垂直方向延伸之兩個側表面。
- 如請求項1之發光裝置，其中該二向色鏡沒有與該波長轉換層直接接觸。
- 如請求項1之發光裝置，其中該二向色鏡經組態以反射所有400-650 nm之一整個波長範圍所考慮之大部分總光(total light)。
- 如請求項1之發光裝置，其中該二向色鏡經組態以反射所有400-650nm之一整個波長範圍所考慮幾乎所有之總光及透射所有700-1000nm之整個該波長範圍所考慮幾乎所有之該總光。
- 一種發光裝置，其包括：一發光元件，其包括一頂面及垂直於該頂面之側壁，該發光元件在操作時發射一第一波長範圍內之一第一光；一波長轉換層，其經安置鄰近該發光元件之該等側壁且經配置以將該第一波長範圍內之該第一光轉換為一第二波長範圍內之一第二光，該第二波長範圍高於該第一波長範圍；及一第一介電鏡及一第二介電鏡，各經安置鄰近該發光元件之該等側壁之個別一者，而沒有覆蓋該發光元件之該頂面，使得該第一介電鏡及該第二介電鏡經配置於由該波長轉換層發射或透射穿過該波長轉換層之光之一光學路徑中，且經配置以反射該第一波長範圍內之該一第一光及透射該第二波長範圍內之該第二光。
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