TWI809036B - 高功率短通道之全內反射濾波器 - Google Patents

高功率短通道之全內反射濾波器 Download PDF

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TWI809036B TW108102462A TW108102462A TWI809036B TW I809036 B TWI809036 B TW I809036B TW 108102462 A TW108102462 A TW 108102462A TW 108102462 A TW108102462 A TW 108102462A TW I809036 B TWI809036 B TW I809036B
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偉 趙
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Abstract

一種用於產生經濾波之光之裝置可包含：一寬頻照明源，其經組態以產生寬頻照明；及一全內反射(TIR)濾波器，其係由對該寬頻照明至少部分透明之一材料形成。該TIR濾波器可包含一或多個輸入面，其等經定向以接收該寬頻照明。該TIR濾波器可經進一步定向以在一或多個濾波面上反射低於一選定截止波長之該寬頻照明光束的波長作為經濾波寬頻照明，且透過一或多個輸出面提供該經濾波寬頻照明。可進一步基於該一或多個面上之全內反射來選擇該截止波長。

Description

高功率短通道之全內反射濾波器
本發明大體上係關於高功率濾波器，且更特定言之，係關於高功率紫外線輻射之短通道濾波。
高功率紫外線(UV)光源對於製造及檢測具有不斷縮小之特徵大小之積體電路係關鍵的。特定言之，光學繞射限制可製造及光學檢測之特徵之大小及密度。因此，積體電路之製造及檢測通常用UV光執行，其可廣泛地包含各種光譜頻帶，諸如(但不限於)深紫外光(DUV)、真空紫外(VUV)光或極紫外(EUV)光。
高功率UV光源通常產生寬頻輻射，使得濾波所非要波長(例如，頻帶外波長)以提供具有一選定波長範圍之一照明光束。然而，頻帶外波長之非所要或過度吸收實際上限制傳統濾波技術。例如，習知介電質塗層濾波器依靠吸收非所要波長，此可基於頻帶外波長之光之強度而導致過度加熱、失真及/或損害。藉由另一實例，許多傳統濾波技術，諸如(但不限於)空間選擇濾波器或光透過一材料之透射率。然而，許多材料在UV光譜頻帶中具有吸收頻帶，其等再次歸因於過度加熱或損害而限制濾波器中使用之透射光學組件之實際厚度及/或使用期限。因此，可期望提供一種處理上述缺點之系統及方法。
根據本發明之一或多項闡釋性實施例揭示一種用於產生經濾波之光之裝置。在一項闡釋性實施例中，該裝置包含一或多個泵浦源，其等經組態以產生泵浦照明。在另一闡釋性實施例中，該裝置包含一聚焦元件，其經配置以將該泵浦照明聚焦至一電漿標靶上以產生發射寬頻照明之一電漿。在另一闡釋性實施例中，該裝置包含一集光器元件，其經配置以收集來自該電漿之該寬頻照明。在另一闡釋性實施例中，該裝置包含一全內反射(TIR)濾波器，其由對該寬頻照明至少部分透明之一材料形成。在另一闡釋性實施例中，該TIR濾波器包含：一或多個輸入面，其等經定向以接收該寬頻照明；及一或多個濾波面，其等經定向以反射低於一選定截止波長之該寬頻照明光束之波長作為經濾波寬頻照明，其中基於該一或多個濾波面上之全內反射選擇該截止波長。在另一闡釋性實施例中，該經濾波寬頻照明光束透過一或多個輸出面離開該TIR濾波器。
根據本發明之一或多項闡釋性實施例揭示一種用於產生經濾波之光之裝置。在一項闡釋性實施例中，該裝置包含一寬頻照明源，其經組態以產生寬頻照明。在另一闡釋性實施例中，該裝置包含一全內反射(TIR)濾波器，其由對該寬頻照明至少部分透明之一材料形成。在另一闡釋性實施例中，該TIR濾波器包含：一或多個輸入面，其等經定向以接收該寬頻照明；及一或多個濾波面，其等經定向以反射低於一選定截止波長之該寬頻照明光束之波長作為經濾波寬頻照明，其中基於該一或多個濾波面上之全內反射選擇該截止波長。在另一闡釋性實施例中，該經濾波寬頻照明光束透過一或多個輸出面離開該TIR濾波器。
根據本發明之一或多項闡釋性實施例揭示一種全內反射(TIR)濾波器。在一項闡釋性實施例中，該TIR濾波器包含一固體材料，其包含經定向以接收寬頻照明之一或多個輸入面，其中該固體材料對該寬頻照明至少部分透明。在另一闡釋性實施例中，該TIR濾波器包含一或多個濾波面，其等經定向以反射傳播通過該固體材料之低於一選定截止波長之該寬頻照明之波長作為經濾波寬頻照明，其中基於該一或多個面上之全內反射選擇該截止波長。在另一闡釋性實施例中，該TIR濾波器包含一或多個輸出面，其等經定向以接收該經濾波寬頻照明且引導該經濾波寬頻照明作為一輸出光束。
應理解，前文概述及下列詳細描述兩者皆僅為例示性及說明性的且未必限制所主張之本發明。併入本說明書中且構成本說明書之一部分之附圖繪示本發明之實施例且與概述一起用於說明本發明之原理。
相關申請案之交叉參考
本申請案根據35 U.S.C. § 119(e)規定主張2018年1月26日申請之以Wei Zhao及Ilya Bezel為發明者之標題為HIGH-POWER SHORT PASS VUV FILTER BASED ON TOTAL INTERNAL REFLECTION之美國臨時申請案第62/622,276號的權利，該案之全部內容係以引用的方式併入本文中。
現在將詳細參考附圖中繪示之所揭示標的物。已關於某些實施例及其等之特定特徵特別展示及描述本發明。本文中闡述之實施例應被視為闡釋性而非限制性。一般技術者應易於明白，可在不背離本發明之精神及範疇之情況下進行形式及細節之各種改變及修改。
本發明之實施例係關於用於用基於全內反射(TIR)之一短通道濾波器濾波寬頻照明之系統及方法。本發明之一些實施例係關於接收寬頻照明且用一基於TIR之短通道濾波器從寬頻照明之非所要頻帶外波長濾波(例如，分離)寬頻照明之選定頻帶內波長。例如，頻帶內波長可包含適合於製造及/或檢測積體電路之UV波長，諸如(但不限於) DUV波長、VUV波長或EUV波長。
本文中應認知，與兩種材料之間的一介面處之全內反射相關聯之臨界角取決於波長以及兩種材料之折射率。在一些實施例中，一基於TIR之短通道濾波器可包含一透射材料，其對待濾波之輸入寬頻照明至少部分透明。寬頻照明可透過一或多個輸入面進入濾波器且依經選擇以提供頻帶內波長之全內反射之一角度入射於一反射面上，而頻帶外波長可傳播通過介面。經反射頻帶內照明可接著透過一或多個輸出面離開濾波器。此外，TIR可提供頻帶內波長之高效反射(處於或接近100%反射)。
本文中應進一步認知，任何波長之光依小於TIR之臨界角之一角度在一介面上之透射率進一步取決於入射角以及介面周圍之兩種材料之折射率。例如，通常可由菲涅爾方程式描述光透過一介面之反射及透射。在一些實施例中，一短通道濾波器包含一或多個抗反射(AR)表面，其等經調諧以促進所通過頻帶內波長與被拒頻帶外波長之間的一高對比率。例如，短通道濾波器之輸入面及輸出面可包含AR表面，其等經調諧以減輕至少頻帶內波長之反射且因此減輕與進入及離開濾波器之頻帶內波長相關聯之損耗。藉由另一實例，濾波器之反射面之外表面可包含調諧至頻帶外波長之AR表面。就此而言，AR表面可促進頻帶外波長之能量傳輸離開濾波器。
在一些實施例中，短通道濾波器包含一菲涅爾稜鏡以減小及/或最小化通過濾波器之頻帶內波長之路徑長度。一菲涅爾稜鏡可包含具有擁有一共同頂角之傾斜面之一週期性分佈之一表面。一菲涅爾稜鏡之性質可因此實質上類似於具有一對應頂角之三稜柱之性質。然而，通過一菲涅爾稜鏡之路徑長度可實質上相對於三稜柱減小。
本發明之一些實施例係關於一種照明源，其包含一基於TIR之短通道濾波器以提供選定照明波長。例如，可(但無需)使用一雷射維持電漿(LSP)光源產生寬頻照明。LSP可由雷射輻射操作至一標靶上，以便將標靶材料激發為發射寬頻光(例如，寬頻照明、寬頻輻射或類似物)之一電漿狀態。由一電漿發射之寬頻光可基於標靶材料以及操作條件(溫度、壓力及類似物)而展現從EUV至紅外線(IR)之廣泛波長範圍。因此，一基於TIR之短通道濾波器可使電漿產生光之選定波長通過，諸如(但不限於)適合於製造及/或檢測積體電路之VUV光。
圖1A至圖1E繪示根據本發明之一或多項實施例之配備有一基於TIR之光譜濾波器之用於產生寬頻照明之一系統100。在2007年4月2日申請之美國專利申請案第11/695,348號及2006年3月31日申請之美國專利公開案第2007/0228288號(其等之全部內容以引用的方式併入本文中)中大體描述在惰性氣體物種內產生電漿。在2012年10月9日申請之美國專利公開案第2013/0106275號(其之全部內容以引用的方式併入本文中)中描述各種電漿單元設計及電漿控制機構。亦在2014年3月25日申請之美國專利公開案第2014/0291546號(其之全部內容以引用的方式併入本文中)中大體描述電漿之產生。亦在2014年3月31日申請之美國專利申請案第14/231,196號(其之全部內容以引用的方式併入本文中)中描述電漿單元及控制機構。亦在2014年5月27日申請之美國專利第9,185,788號(其之全部內容以引用的方式併入本文中)中描述電漿單元及控制機構。亦在2013年1月15日申請之美國專利公開案第2013/0181595號(其之全部內容以引用的方式併入本文中)中描述電漿單元及控制機構。在一般意義上，系統100應解釋為延伸至此項技術中已知的任何基於電漿之光源。
圖1A係根據本發明之一或多項實施例之用於產生寬頻照明之一系統100內之一TIR光譜濾波器之一示意圖。在一項實施例中，系統100包含經組態以產生寬頻照明104之一寬頻照明源102及用於使低於一選定截止波長之波長通過之一TIR短通道濾波器106。因此，寬頻照明104之反射波長可形成經濾波寬頻照明108，其可離開TIR短通道濾波器106且經引導至外部組件。
在另一實施例中，藉由TIR短通道濾波器106之一內表面上之全內反射定義TIR短通道濾波器106之截止波長。例如，來自寬頻照明源102之寬頻照明104可入射於TIR短通道濾波器106之一內表面上，使得低於截止波長之寬頻照明104之波長由內表面處之全內反射進行反射且高於截止波長之寬頻照明104之波長傳播通過內表面。
在另一實施例中，入射於TIR短通道濾波器106之內表面上之寬頻照明104經準直以提供內表面上之一共同入射角。可使用此項技術中已知的任何技術準直寬頻照明104。
圖1B係根據本發明之一或多項實施例之用於從發散寬頻照明源102產生寬頻照明之系統100內之一TIR光譜濾波器之一概念圖。在一項實施例中，一寬頻照明源102產生發散寬頻照明104，其可由一集光器元件110準直且引導至TIR短通道濾波器106。在另一實施例中，儘管未展示，然一寬頻照明源102直接產生準直光。
寬頻照明源102可包含此項技術中已知之適合於產生寬頻照明104之任何類型的照明源。此外，寬頻照明源102可產生具有任何波長或波長範圍之寬頻照明104，諸如(但不限於) EUV波長、VUV波長、DUV波長、UV波長、可見波長，或紅外線(IR)波長。在一項實施例中，寬頻照明源102包含提供一選定頻寬內之波長之一雷射源(例如，一超連續譜雷射源、一白光雷射源，或類似物)。在另一實施例中，寬頻照明源102包含其中由一電漿產生寬頻照明104之一電漿源。在另一實施例中，寬頻照明源102包含一燈源。在另一實施例中，藉由使泵浦照明經受非線性光學程序(例如，自相位調變或類似物)來產生寬頻照明104。
在一項實施例中，寬頻照明源102藉由產生一電漿來產生寬頻照明104。例如，寬頻照明源102可將一電漿標靶材料離子化為一電漿狀態，以產生具有與電漿標靶材料之一或多發射線相關聯之波長的寬頻照明104。可透過此項技術中已知之任何技術來產生及/或維持電漿，諸如(但不限於)放電或聚焦雷射能量。此外，一電漿標靶可包含呈任何相之任何類型的材料。例如，電漿標靶可包含經安裝於一平移總成上之一固體標靶，該平移總成經組態以使固體標靶平移通過及/或靠近所產生電漿以提供標靶材料之一供應。例如，電漿標靶可包含(但不限於)一旋轉滾筒標靶。藉由另一實例，電漿標靶可包含一液體標靶，其經組態以流動通過及/或流動靠近所產生電漿以提供標靶材料之一供應。藉由另一實例，電漿標靶可包含一氣體標靶，其經組態以透過對流及/或強制氣流來提供標靶材料之一供應。
現在參考圖1C至圖1E，描述經組態用於基於氣態電漿標靶材料之離子化來產生一寬頻照明104之一寬頻照明源102。然而，應理解，圖1C至圖1E及相關聯描述僅為闡釋性目的而提供，且不應解釋為限制性。如先前在本文中描述，一寬頻照明源102可使用此項技術中已知的任何技術來產生寬頻照明104，諸如(但不限於)從一雷射腔發射雷射、透過非線性光學程序進行光譜增寬，或離子化一非氣態電漿標靶。
可利用一基於氣體之LSP系統100以使用各種氣體起始及/或維持一電漿112。在一項實施例中，用於起始及/或維持電漿112之電漿標靶可包含稀有氣體、惰性氣體(例如，稀有氣體或非稀有氣體)或非惰性氣體(例如，汞)。在另一實施例中，電漿標靶可包含稀有氣體與一或多個微量材料(例如，金屬鹵化物、過渡金屬及類似物)之一混合物。例如，適合於在本發明中實施之氣體可包含(但不限於) Xe、Ar、Ne、Kr、He、N2 、H2 O、O2 、H2 、D2 、F2 、CH4 、金屬鹵化物、鹵素、Hg、Cd、Zn、Sn、Ga、Fe、Li、Na、K、Tl、In、Dy、Ho、Tm、ArXe、ArHg、ArKr、ArRn、KrHg、XeHg及類似物。在一般意義上，本發明應解釋為延伸至適合於維持一電漿112之任何LSP系統及任何類型之氣體混合物。另外本文中應注意，來自一LSP源中泵激之原子元素之大多數發射係中性物種之高度激發電子狀態之線發射之一結果。就此而言，電漿標靶可包含適合於發射寬頻照明104之任何氣體分量。
圖1C係根據本發明之一或多項實施例之包含一電漿室之一雷射維持電漿(LSP)寬頻照明源102之一概念圖。
在另一實施例中，寬頻照明源102包含一泵浦照明源114，其經組態以產生包含一或多個選定波長之泵浦照明116。例如，泵浦照明源114可產生具有適合於在氣體圍阻結構120中產生及/或維持電漿112之一選定波長或波長範圍之泵浦照明116，諸如(但不限於)紅外線或可見波長之輻射。在一個例項中，泵浦照明源114可經調諧，使得可調整泵浦照明116之波長。
泵浦照明源114可包含適合於產生及/或維持一電漿之任何類型之照明源，諸如(但不限於)一或多個雷射源或一或多個燈源。此外，泵浦照明源114可提供具有任何時間量變曲線之泵浦照明116。例如，泵浦照明源114可提供連續波泵浦照明116、脈衝泵浦照明116、調變泵浦照明116或類似物。
在一項實施例中，一氣態電漿標靶118裝納於一氣體圍阻結構120內，氣體圍阻結構120可包含經組態以使泵浦照明116透射至氣體圍阻結構120中之至少一個透明元件122及/或從氣體圍阻結構120發射之寬頻照明104。圖1D係根據本發明之一或多項實施例之包含一電漿單元之一寬頻照明源102之一概念圖。在一項實施例中，氣體圍阻結構120係包含一透明元件122之一電漿單元，透明元件122形成適合於裝納氣態電漿標靶118之一中空圓筒。在另一實施例中，電漿單元包含耦合至透明元件122之一或多個凸緣124a、124b。在另一實施例中，可使用連接桿126將凸緣124a、124b固定至透明元件122 (例如，一中空圓筒)。至少在2014年3月31日申請之美國專利申請案第14/231,196號及2014年5月27日申請之美國專利第9,185,788號(其等之全部內容在先前各以引用的方式併入本文中)中描述一凸緣電漿單元之使用。
在另一實施例中，系統100包含一集光器元件110 (例如，一橢球形或一球形集光器元件)，其經組態以將泵浦照明116聚焦至氣體圍阻結構120中以產生及/或維持一電漿112。特定言之，將來自泵浦照明源114之泵浦照明116聚焦至電漿標靶118之體積中導致透過氣體電漿標靶118或電漿112之一或多個選定吸收線吸收能量，藉此「泵激」電漿標靶118之氣體物種，以便產生或維持電漿112。在另一實施例中，儘管未展示，寬頻照明源102可包含一組電極，其等用於在氣體圍阻結構120之內部體積內產生電漿112，藉此泵浦照明116可在藉由電極點火後維持電漿112。
在另一實施例中，集光器元件110經配置以收集由電漿112發射之寬頻照明104且將寬頻照明104作為一光束引導至一或多個額外光學元件，諸如(但不限於) TIR短通道濾波器106。
在一項實施例中，寬頻照明源102可包含各種額外光學元件。例如，寬頻照明源102可包含一鏡128，其經配置以將照明自集光器元件110引導至下游光學器件，諸如(但不限於)TIR短通道濾波器106。此外，鏡128可包含適合於引導寬頻照明104及/或透射泵浦照明116之任何類型之鏡，諸如(但不限於)一冷光鏡或包含一或多個孔徑之一鏡。例如，如圖1C中繪示，鏡128可包含容許泵浦照明116傳播至集光器元件110之一或多個孔徑128a及用於反射由電漿112產生之寬頻照明104之一或多個反射表面128b。
此外，寬頻照明源102包含沿寬頻照明源之照明路徑或集光路徑放置以引導及/或調節光之一或多個額外光學元件。例如，如圖1C中繪示，寬頻照明源102可包含一轉向鏡130，其經配置以接收來自泵浦照明源114之泵浦照明116且經由集光器元件110將泵浦照明116引導至裝納於氣體圍阻結構120內之電漿標靶118。
然而，應理解，包含組態為圖1C及圖1D中之一電漿單元之一氣體圍阻結構120之LSP寬頻照明源102之描述僅為闡釋性目的而提供且不應解釋為限制性。可預期，可在本發明之範疇內利用數個等效光學組態。
在一般意義上，一基於氣態電漿之LSP寬頻照明源102可包含此項技術中已知的任何類型之氣體圍阻結構120。例如，圖1E係根據本發明之一或多項實施例之包含一電漿室之一寬頻照明源102之一概念圖。例如，氣體圍阻結構120可包含適合於裝納一氣體混合物之一室及一或多個光學組件。在一項實施例中，一或多個透明元件122經組態為入射及/或出射窗(例如，輸入窗122a、輸出窗122b)。在2010年5月26日申請之美國專利第9,099,292號(其之全部內容以引用的方式併入本文中)中描述一自含型氣體室之使用。此外，如先前在本文中描述，一寬頻照明源102可使用此項技術中已知的任何技術產生寬頻照明104，諸如(但不限於)從一雷射腔發射雷射、透過非線性光學程序進行光譜增寬或離子化一非氣態電漿標靶。
現在參考圖2至圖5，下文更詳細描述使用一TIR短通道濾波器106濾波寬頻照明104之光譜。
在某些應用中，可僅期望來自一寬頻照明源102之寬頻照明104之光譜內容之一部分。例如，一寬頻照明源102可提供具有跨電磁光譜之一廣泛波長範圍之光，諸如(但不限於) UV光(例如，DUV光、VUV光、EUV光或類似物)、可見光及/或紅外光。然而，可期望將照明波長限於一選定頻帶，諸如(但不限於)具有低於約200 nm之波長之VUV光。例如，較長波長頻帶外光可減小基於寬頻照明源102之系統(例如，計量系統、檢測系統、微影系統或類似物)之實際光學解析度。藉由另一實例，較長波長頻帶外光可引發對下游光學組件之非所要加熱及/或損害。
情況可能是，由寬頻照明源102產生之寬頻照明104包含頻帶外波長之大量能量。例如，如先前在本文中針對電漿發射之情況所描述，本文中應認知，一般言之，通常藉由將一材料激發為一能量狀態且接著在從材料釋放能量時進行一光子之輻射發射而產生光之輻射發射。此外，一激發材料通常可具有多個能量狀態，使得能量可至少部分透過與較低能量發射相關聯之多個路徑來消散能量。因此，高光子能量源(例如，EUV源、VUV源、DUV源及類似物)可特別易於產生非所要較低能量(較長波長)光子。
因此，TIR短通道濾波器106可基於TIR短通道濾波器106之一或多個背側表面上之全內反射而使低於一選定截止波長之波長通過。使用全內反射作為截止機制提供選定波長之高通量。此外，頻帶外波長透射穿過背側表面而非被吸收，此減輕潛在過熱及/或頻帶外波長對TIR短通道濾波器106之損害。
一TIR短通道濾波器106可由此項技術中已知的對寬頻照明104至少部分透明且具有高於周圍介質之一折射率以支援選定波長之全內反射之任何材料形成。在一項實施例中，TIR短通道濾波器106係由圍封於具有對寬頻照明104至少部分透明之窗之一容器中之一液體材料形成。在另一實施例中，TIR短通道濾波器106係由一固體材料形成，諸如(但不限於)一玻璃材料、一陶瓷材料或一晶體材料。例如，適合於使低於約200 nm之波長(例如，120 nm波長)通過之一TIR短通道濾波器106可(但未必)由MgF2 或LiF形成。此外，TIR短通道濾波器106適合於使任何波長範圍中之波長通過。例如，TIR短通道濾波器106可使低於約200 nm之波長(例如，在約115 nm至約220 nm之一範圍中、在約115 nm至約150 nm之一範圍中、在約115 nm至130 nm之一範圍中或類似物)通過。然而，應理解，TIR截止波長或通過波長範圍之描述僅為闡釋性目的而提供且不應解釋為限制性。一TIR短通道濾波器106可具有任何截止波長。此外，形成TIR短通道濾波器106之一材料之吸收特性可引入額外吸收，此可影響寬頻照明104及/或經濾波寬頻照明108之光譜。
然而，本文中應認知，TIR短通道濾波器106中之任何波長之吸收可藉由減小通量及/或引發可限制TIR短通道濾波器106之使用期限之損害而不利地影響效能。此外，許多材料展現與寬頻照明104之一光束中之能量之至少一部分相關聯之至少一些吸收頻帶。例如，儘管MgF2 可適合於透射低於200 nm之波長(例如，120 nm或類似物)，然其易受與F中心吸收頻帶之形成相關聯之吸收引發之損害。圖2係根據本發明之一或多項實施例之MgF2 在190 nm至500 nm之範圍中之吸收之一曲線圖202。如圖2中繪示，MgF2 展現以約258 nm為中心之一吸收頻帶(峰值處具有超過30%吸收)以及以約370 nm為中心之一較弱吸收頻帶(峰值處具有約5%吸收)。因此，歸因於此光譜範圍中之吸收，MgF2 可易受損害及過度熱應力。
一TIR短通道濾波器106可具有適合於接收寬頻照明104且將寬頻照明104反射離開一表面之一內面之任何幾何形狀，使得一選定範圍之波長經由全內反射而反射且隨後離開濾波器。圖3A至圖4繪示根據本發明之TIR短通道濾波器106之多項非限制性實施例。例如，TIR短通道濾波器106可包含(但無需包含)一稜鏡。就此而言，寬頻照明104可透過一輸入稜鏡面進入TIR短通道濾波器106且傳播通過稜鏡材料之一部分而至一或多個背側面。一選定範圍之波長可接著在背側面處經受全內反射，傳播通過稜鏡材料之另一部分，且透過可相同或不同於輸入面之一稜鏡面離開稜鏡。
現在參考圖3A至圖3H，在一些實施例中，一TIR短通道濾波器106包含一菲涅爾稜鏡。一菲涅爾稜鏡可提供全內反射濾波之益處，同時限制通過TIR短通道濾波器106之寬頻照明104之光學路徑以減輕潛在損害。例如，一傳統稜鏡可包含大於一輸入光束之直徑之面，使得各稜鏡面之總尺寸必須至少如該面上之光束之直徑般大。此外，經組態以反射一光束之面必須基於光束大小沿入射角之投射來定大小且因此可大於輸入光束大小。相比之下，一菲涅爾稜鏡包含具有週期性分佈之傾斜面之一或多個溝槽表面(例如，呈一三角形圖案、一鋸齒圖案或類似物)。就此而言，一菲涅爾稜鏡可提供具有一共同頂角及面向一共同方向之傾斜面(其等可在功能上組合以形成一共同稜鏡面)之多個週期性稜鏡元件。因此，一菲涅爾稜鏡可促進實質上相同於一傳統稜鏡之功能，但具有通過稜鏡之一減小路徑長度且因此較不易受吸收引發之損害。
圖3A及圖3B分別包含根據本發明之一或多項實施例之包含菲涅爾稜鏡306之一TIR短通道濾波器106之一透視圖302及一側視圖304。在一項實施例中，菲涅爾稜鏡306包含一溝槽表面308，其包含沿一分佈方向312 (例如，此處係Y方向)以一間距310週期性分佈之傾斜面。例如，溝槽表面308可包含具有沿一第一方向之表面法向向量之一第一組溝槽面314，其等與具有沿不同於第一方向之一第二方向之表面法向向量之一第二組溝槽面316交錯。就此而言，第一組溝槽面314及第二組溝槽面316可以一選定頂角318相交。此外，第一組溝槽面314及第二組溝槽面316之表面法向向量可位於與分佈方向312之一共同平面中。就此而言，第一組溝槽面314及第二組溝槽面316可形成沿Y方向延伸之一週期性溝槽結構。在另一實施例中，菲涅爾稜鏡306進一步藉由一或多個平坦表面320定界。例如，菲涅爾稜鏡306可包含與溝槽表面308相對之一平坦表面320 (例如，在X-Y平面中)，使得菲涅爾稜鏡306之一厚度322可包含一溝槽高度324及一塊體厚度326。
菲涅爾稜鏡306可經組態具有任何塊體厚度326。圖3C及圖3D分別繪示根據本發明之一或多項實施例之具有等於溝槽高度324之一總厚度322之一菲涅爾稜鏡306之一透視圖328及一側視圖330。例如，菲涅爾稜鏡306可由一系列個別稜鏡元件332組形成及/或以一週期性分佈融合。就此而言，菲涅爾稜鏡306之一厚度322可限於溝槽高度324以進一步減小通過菲涅爾稜鏡306之光學路徑且因此對應地減小對吸收引發之損害之易感性。
現在參考圖3E至圖3H，根據本發明之一或多項實施例繪示通過包含一菲涅爾稜鏡306之TIR短通道濾波器106之可能光束路徑。
在一些實施例中，一TIR短通道濾波器106包含經定向以在一溝槽表面308上提供全內反射之一菲涅爾稜鏡306。圖3E係根據本發明之一或多項實施例之包含在一溝槽表面308上提供全內反射之一菲涅爾稜鏡306之一TIR短通道濾波器106之一側視圖334。在一項實施例中，溝槽表面308之頂角318經組態為90度以充當一回反射器。例如，來自一寬頻照明源102之寬頻照明104可透過一平坦表面320進入菲涅爾稜鏡306且依Y-Z平面中之90度入射角照射第一組溝槽面314。
低於一TIR截止波長之寬頻照明104之波長可接著由第一組溝槽面314反射，而高於全內反射之臨界角之寬頻照明104之波長將透射穿過第一組溝槽面314且因此離開TIR短通道濾波器106。寬頻照明104之反射波長可接著形成經濾波寬頻照明108，而透射波長可形成被拒照明336。
經濾波寬頻照明108可在第二組溝槽面316處進一步經受全內反射且隨後透過平坦表面320離開菲涅爾稜鏡306。就此而言，平坦表面320可操作為一輸入及出射表面兩者。本文中應認知，TIR短通道濾波器106中之多個全內反射可促進通過光與被拒光之間的一高對比率。
菲涅爾稜鏡306之溝槽表面308可因此基於總厚度322用通過稜鏡之一路徑長度提供回反射全內反射。本文中應認知，菲涅爾稜鏡306之總厚度322可相對於具有一單一頂角318之一相當三稜柱實質上減小，使得與一相當三稜柱相比，菲涅爾稜鏡306可展現對吸收引發之損害之一對應較低易感性。
現在參考圖3F，在一些實施例中，菲涅爾稜鏡306經定向以依X-Z平面中之一非法向入射角接收寬頻照明104。圖3F係根據本發明之一或多項實施例之包含一菲涅爾稜鏡306之一TIR短通道濾波器106之一正交視圖338，其繪示入射寬頻照明104及經濾波寬頻照明108之一光束路徑。在一項實施例中，寬頻照明104可依X-Z平面中之一非法向入射角入射於平坦表面320上。例如，菲涅爾稜鏡306可安裝於適合於使菲涅爾稜鏡306繞Z軸旋轉之一旋轉載物台340上。藉由另一實例，菲涅爾稜鏡306可經永久或半永久定向以達成寬頻照明104在X-Z平面中之一選定入射角。
定向菲涅爾稜鏡306以提供X-Z平面中之一非法向入射角可以各種方式影響TIR短通道濾波器106。例如，一非法向入射角可為入射寬頻照明104及原本將經回反射之經濾波寬頻照明108提供單獨光束路徑。就此而言，可容易地擷取經濾波寬頻照明108且將其引導至額外組件或系統。藉由另一實例，調整X-Z平面中的入射角可藉由調整寬頻照明104在溝槽表面308上的入射角而促進調諧TIR截止波長(及因此經濾波寬頻照明108之光譜)。如先前在本文中描述，與全內反射相關聯之臨界角通常取決於一介面(此處，稜鏡材料及周圍介質)之折射率之間的差異及波長。例如，在正常色散下，光在一介面處之一折射角通常隨光子能增加(減小波長)而增加。就此而言，選擇一稜鏡材料及一入射角來定義一截止波長，其中高於截止之波長被透射且低於截止之波長經受全內反射。
在一些實施例中，一TIR短通道濾波器106包含經定向以在一或多個平坦表面320上提供全內反射之一菲涅爾稜鏡306。圖3G係根據本發明之一或多項實施例之包含在一平坦表面320上提供全內反射之一菲涅爾稜鏡306之一TIR短通道濾波器106之一側視圖342。因此，來自一寬頻照明源102之寬頻照明104可透過第一組溝槽面314進入菲涅爾稜鏡306。例如，菲涅爾稜鏡306可經定向，使得寬頻照明104依一法向入射角進入第一組溝槽面314以避免色散。低於全內反射之一臨界角之寬頻照明104的波長可接著由平坦表面320反射，而高於全內反射之臨界角之寬頻照明104的波長將透射穿過平坦表面320且因此離開TIR短通道濾波器106。寬頻照明104之經反射波長可接著形成經濾波寬頻照明108。
在一項實施例中，一菲涅爾稜鏡306之溝槽表面308經形成具有擁有一選定頂角318之一對稱三角形側剖面以提供通過稜鏡之一對稱路徑。例如，圖3G繪示根據本發明之一或多項實施例之具有90度之一頂角318及一對稱三角形側輪廓之一菲涅爾稜鏡306。因此，依一法向入射角入射於第一組溝槽面314上之寬頻照明104可由平坦表面320依一對應90度角反射且可進一步透過第二組溝槽面316依一法向入射角離開。類似地，一菲涅爾稜鏡306可經製造具有一對稱三角形側輪廓及任何選定頂角318以調整寬頻照明104在平坦表面320上之入射角且因此選擇與全內反射相關聯之截止波長。
現在參考圖3H，TIR短通道濾波器106可包含一或多個元件以擷取及/或安置透射穿過TIR介面之頻帶外波長。例如，可期望高效地引導頻帶外波長遠離TIR短通道濾波器106以避免可導致失真及/或損害之非所要加熱。特定言之，雜散頻帶外波長(諸如但不限於IR波長)可加熱TIR短通道濾波器106本身及/或周圍材料。圖3H係根據本發明之一或多項實施例之包含一菲涅爾稜鏡306及用於引導頻帶外波長遠離菲涅爾稜鏡306之一頻帶外耦合器346之一TIR短通道濾波器106之一側視圖344。在一項實施例中，一頻帶外耦合器346可包含對定位成靠近用於全內反射之稜鏡面之頻帶外波長至少部分透明之一材料。本文中應認知，接近TIR截止波長之波長可依相對於介面之一近掠射角折射且因此可沿介面之表面傳播。因此，表面相互作用及/或粗糙度可導致頻帶外波長之一部分耦合回至菲涅爾稜鏡306中。因此，頻帶外耦合器346可與菲涅爾稜鏡306 (例如，圖3H之平坦表面320)分離一氣隙348，使得由頻帶外耦合器346將頻帶外波長折射離開菲涅爾稜鏡306。就此而言，可使用此項技術中已知的任何方法安置頻帶外波長，諸如(但不限於)一光束截止器。
此外，可藉由頻帶外耦合器346憑藉此項技術中已知的任何機制收集頻帶外波長。例如，頻帶外波長可藉由漸消耦合而至少部分耦合至頻帶外耦合器346中。
應理解，TIR短通道濾波器106無需包含如圖3A至圖3H中繪示之一菲涅爾稜鏡。在一般意義上，一TIR短通道濾波器106可包含適合於在一或多個面上提供全內反射之任何幾何形狀之稜鏡。例如，一TIR短通道濾波器106可包含具有類似於菲涅爾稜鏡306之溝槽表面308之一元件，但可具有一或多個曲面以塑形、聚焦及/或準直光。例如，圖3E之菲涅爾稜鏡306可包含一彎曲表面而非一平坦表面320。就此而言，彎曲表面可塑形、聚焦及/或準直來自寬頻照明源102之寬頻照明104及/或經濾波寬頻照明108。藉由另一實例，TIR短通道濾波器106可包含經組態以在多個面上提供全內反射之一稜鏡。
圖3I係根據本發明之一或多項實施例之包含一菱形稜鏡352之一TIR短通道濾波器106之一側視圖350。例如，來自寬頻照明源102之寬頻照明104可在一輸入面354處進入菱形稜鏡352，在一或多個平坦表面320處經受全內反射，且在一輸出面356處離開。
在另一實施例中，TIR短通道濾波器106之定向可經調整以促進TIR截止波長之調整(例如，調諧)。例如，可藉由調整寬頻照明104在TIR短通道濾波器106之一內表面上之入射角而選擇由一給定稜鏡材料形成之一TIR短通道濾波器106之一所要TIR截止波長。如(但不限於)圖3G至圖3I中繪示，TIR短通道濾波器106可安裝於適合於使TIR短通道濾波器106旋轉之一旋轉載物台358上以提供寬頻照明104在一內TIR表面上之一選定入射角。此外，取決於TIR短通道濾波器106之組態，旋轉載物台358可經組態以使TIR短通道濾波器106繞一或多個軸旋轉以提供寬頻照明104在一或多個內面上之一所要入射角。例如，如圖3I中繪示，一旋轉載物台358可使TIR短通道濾波器106繞X軸旋轉以提供寬頻照明104在Y-Z平面中之一內TIR表面上之一選定入射角。藉由另一實例，如圖3G至圖3I中繪示，一旋轉載物台(未展示)可使TIR短通道濾波器106沿平面358a至358d之任一者旋轉。
再次參考圖3E及圖3G，TIR短通道濾波器106可包含一或多個表面上之抗反射(AR)塗層以減輕介面處之非所要反射。例如，將藉由如先前在本文中描述之菲涅爾方程式管控高於截止角之光波長在一介面處之反射及透射功率。因此，可選擇性地應用頻帶內及頻帶外AR塗層兩者以促進TIR短通道濾波器106之總通量以及增加通過(例如，反射)波長與被拒(例如，透射)波長之對比率。
在一項實施例中，用作輸入及/或輸出面之稜鏡面之外表面可包含一頻帶內AR塗層360，其經選擇以減輕低於TIR截止波長之波長依一選定角度之反射。例如，在圖3E之平坦表面320上及圖3G之第一組溝槽面314及第二組溝槽面316上繪示一頻帶內AR塗層360。就此而言，頻帶內AR塗層360可減輕進入及/或離開菲涅爾稜鏡306之頻帶內輻射之非所要反射且因此可增強TIR短通道濾波器106之總通量。
在另一實施例中，用於全內反射之稜鏡面之外表面包含一頻帶外AR塗層362，其經選擇以減輕高於TIR截止波長之波長依一選定角度之反射。例如，在圖3E之第一組溝槽面314及第二組溝槽面316上及圖3G之平坦表面320上繪示一頻帶外AR塗層362。就此而言，頻帶外AR塗層362可減輕高於截止波長之波長之非所要反射且促進頻帶外波長之能量傳送離開菲涅爾稜鏡306且因此增強通過波長與被拒波長之對比率。此外，應注意，頻帶外AR塗層362之操作範圍可在不妨礙TIR效能的情況下延伸至TIR截止波長以下。
AR塗層(例如，頻帶內AR塗層360及/或頻帶外AR塗層362)可基於此項技術中已知的任何技術來減輕一介面處之反射。例如，AR塗層可包含(但不限於)習知介電質堆疊塗層、具有經選擇以減輕反射之微米級及奈米級特徵之結構化表面、漸變折射率塗層或奈米晶體塗層。
此外，應理解，圖3E及圖3G中之AR塗層之描述僅為闡釋性目的而提供且不應解釋為限制性。針對一TIR短通道濾波器106之任何組態，AR塗層可包含於任何表面上。
圖4係繪示針對一入射角範圍依據波長而變化之MgF2 之反射率之一曲線圖402。例如，寬頻照明104之光譜404可包含一廣泛波長範圍。如先前在本文中描述，可在TIR短通道濾波器106之一或多個內面處透過全內反射濾波此光譜404。此外，可基於TIR截止波長來調整經濾波寬頻照明108之光譜，可藉由調整寬頻照明104在TIR短通道濾波器106之內面上之入射角而調諧TIR截止波長，如由與多個入射角相關聯之MgF2 之TIR傳輸信號406所繪示。
圖5係根據本發明之一或多項實施例之用於濾波寬頻照明之一方法500之一流程圖。在一項實施例中，該方法包含步驟502：提供由一固體材料形成之一TIR濾波器，該TIR濾波器包含：一或多個輸入面，其等經組態以接收寬頻照明；一或多個濾波面，其等適合於反射寬頻照明；及一或多個輸出面，其等經組態以使經反射寬頻照明通過。
在另一實施例中，該方法包含步驟504：定向TIR濾波器以藉由一或多個選定(例如，濾波)面全內反射來反射低於一選定截止波長之寬頻照明之波長。例如，可基於形成TIR濾波器之固體材料及周圍介質之折射率及寬頻照明在TIR濾波器之一或多個濾波面上之一選定入射角來選擇截止波長。在一項實施例中，TIR濾波器可調諧，使得可藉由旋轉TIR濾波器以調整寬頻照明在TIR濾波器之一或多個濾波面上之入射角而選擇截止波長。
本文中描述之標的物有時繪示裝納於其他組件內或與其他組件連接之不同組件。應理解，此等所描繪之架構僅為例示性的，且事實上可實施達成相同功能性之許多其他架構。在概念意義上，達成相同功能性之組件之任何配置有效地「相關聯」，使得達成所要功能性。因此，在本文經組合以達成一特定功能性之任何兩個組件可被視為彼此「相關聯」使得達成所要功能性，而無關於架構或中間組件。同樣地，如此相關聯之任何兩個組件亦可被視為彼此「連接」或「耦合」以達成所要功能性，且能夠如此相關聯之任何兩個組件亦可被視為「可耦合」至彼此以達成所要功能性。可耦合之特定實例包含但不限於可實體相互作用及/或實體相互作用之組件及/或可無線相互作用及/或無線相互作用之組件及/或可邏輯相互作用及/或邏輯相互作用之組件。
據信，將藉由前述描述理解本發明及其許多伴隨優點，且將明白，在不脫離所揭示之標的物或不犧牲所有其材料優勢的情況下可對組件之形式、構造及配置做出各種改變。所描述形式僅為說明性的，且下列發明申請專利範圍之意圖係涵蓋及包含此等改變。此外，應理解，由隨附發明申請專利範圍定義本發明。
100‧‧‧系統 102‧‧‧寬頻照明源/雷射維持電漿(LSP)寬頻照明源 104‧‧‧寬頻照明 106‧‧‧全內反射(TIR)短通道濾波器 108‧‧‧經濾波寬頻照明 110‧‧‧集光器元件 112‧‧‧電漿 114‧‧‧泵浦照明源 116‧‧‧泵浦照明 118‧‧‧氣態電漿標靶 120‧‧‧氣體圍阻結構 122‧‧‧透明元件 122a‧‧‧輸入窗 122b‧‧‧輸出窗 124a‧‧‧凸緣 124b‧‧‧凸緣 126‧‧‧連接桿 128‧‧‧鏡 128a‧‧‧孔徑 128b‧‧‧反射表面 130‧‧‧轉向鏡 202‧‧‧曲線圖 302‧‧‧透視圖 304‧‧‧側視圖 306‧‧‧菲涅爾稜鏡 308‧‧‧溝槽表面 310‧‧‧間距 312‧‧‧分佈方向 314‧‧‧第一組溝槽面 316‧‧‧第二組溝槽面 318‧‧‧頂角 320‧‧‧平坦表面 322‧‧‧厚度 324‧‧‧溝槽高度 326‧‧‧塊體厚度 328‧‧‧透視圖 330‧‧‧側視圖 332‧‧‧稜鏡元件 334‧‧‧側視圖 336‧‧‧被拒照明 338‧‧‧正交視圖 340‧‧‧旋轉載物台 342‧‧‧側視圖 344‧‧‧側視圖 346‧‧‧頻帶外耦合器 348‧‧‧氣隙 350‧‧‧側視圖 352‧‧‧菱形稜鏡 354‧‧‧輸入面 356‧‧‧輸出面 358‧‧‧旋轉載物台 358a至358d‧‧‧平面 360‧‧‧頻帶內抗反射(AR)塗層 362‧‧‧頻帶外抗反射(AR)塗層 402‧‧‧曲線圖 404‧‧‧光譜 406‧‧‧全內反射(TIR)傳輸信號 500‧‧‧方法 502‧‧‧步驟 504‧‧‧步驟
藉由參考附圖可使熟習此項技術者更好理解本發明之許多優點，其中： 圖1A係根據本發明之一或多項實施例之用於產生寬頻照明之一系統內之一TIR光譜濾波器之一示意圖。 圖1B係根據本發明之一或多項實施例之用於從一發散寬頻照明源產生寬頻照明之一系統內之一TIR光譜濾波器之一概念圖。 圖1C係根據本發明之一或多項實施例之包含一電漿室之一雷射維持電漿(LSP)寬頻照明源之一概念圖。 圖1D係根據本發明之一或多項實施例之包含一電漿單元之一寬頻照明源之一概念圖。 圖1E係根據本發明之一或多項實施例之包含一電漿室之一寬頻照明源之一概念圖。 圖2係根據本發明之一或多項實施例之MgF2 在190 nm至500 nm之範圍中之吸收之一曲線圖。 圖3A係根據本發明之一或多項實施例之包含一菲涅爾(Fresnel)稜鏡之一TIR短通道濾波器之一透視圖。 圖3B係根據本發明之一或多項實施例之包含一菲涅爾稜鏡之一TIR短通道濾波器之一側視圖。 圖3C係根據本發明之一或多項實施例之具有等於溝槽高度之一總厚度之一菲涅爾稜鏡之一透視圖。 圖3D係根據本發明之一或多項實施例之具有等於溝槽高度之一總厚度之一菲涅爾稜鏡之一側視圖。 圖3E係根據本發明之一或多項實施例之包含在一溝槽表面上提供全內反射之一菲涅爾稜鏡之一TIR短通道濾波器之一側視圖。 圖3F係根據本發明之一或多項實施例之包含一菲涅爾稜鏡之一TIR短通道濾波器之一正交視圖，其繪示入射寬頻照明及經濾波寬頻照明之一光束路徑。 圖3G係根據本發明之一或多項實施例之包含在一平坦表面上提供全內反射之一菲涅爾稜鏡之一TIR短通道濾波器之一側視圖。 圖3H係根據本發明之一或多項實施例之包含一菲涅爾稜鏡及用於引導頻帶外波長遠離菲涅爾稜鏡之一頻帶外耦合器之一TIR短通道濾波器之一側視圖。 圖3I係根據本發明之一或多項實施例之包含一菱形稜鏡之一TIR短通道濾波器之一側視圖。 圖4係繪示根據本發明之一或多項實施例之針對一入射角範圍依據波長而變化之MgF2 之反射率之一曲線圖。 圖5繪示根據本發明之一或多項實施例之用於濾波寬頻照明之一方法之一流程圖。
106‧‧‧全內反射(TIR)短通道濾波器
302‧‧‧透視圖
306‧‧‧菲涅爾稜鏡
308‧‧‧溝槽表面
310‧‧‧間距
312‧‧‧分佈方向
314‧‧‧第一組溝槽面
316‧‧‧第二組溝槽面
318‧‧‧頂角

Claims (21)

  1. 一種用於產生經濾波雷射維持電漿光之裝置，其包括：一或多個泵浦源，其等經組態以產生泵浦照明；一聚焦元件，其經配置以將該泵浦照明聚焦至一電漿標靶上，以產生發射寬頻照明之一電漿；一集光器元件，其經配置以收集來自該電漿之該寬頻照明；一全內反射(TIR)濾波器，其係由對該寬頻照明至少部分透明之一材料形成，該TIR濾波器包含：一或多個輸入面，其等經定向以接收該寬頻照明；及一或多個濾波面，其等經定向以反射低於一選定截止波長之該寬頻照明光束的波長作為經濾波寬頻照明，其中基於該一或多個濾波面上的全內反射選擇該截止波長，其中該經濾波寬頻照明光束透過一或多個輸出面離開該TIR濾波器；及一頻帶外耦合器，其經定位成靠近於該一或多個濾波面，其中該頻帶外耦合器接收透射穿過該一或多個濾波面之該寬頻照明的波長，且引導該經接收波長離開該TIR濾波器；其中該一或多個濾波面與該頻帶外耦合器之間之一分離距離經選擇以藉由漸消波耦合來接收透射穿過該一或多個濾波面之寬頻照明的該等波長。
  2. 如請求項1之用於產生經濾波雷射維持電漿光之裝置，其中該寬頻照明包括：連續波光。
  3. 如請求項1之用於產生經濾波雷射維持電漿光之裝置，其中該寬頻照明包括：脈衝光。
  4. 如請求項1之用於產生經濾波雷射維持電漿光之裝置，其中該電漿標靶包括：一氣體電漿標靶，其中該氣體電漿標靶之一體積係裝納於一氣體圍阻結構內，該氣體圍阻結構具有對該泵浦照明及該寬頻照明至少部分透明之一或多個透明元件。
  5. 如請求項1之用於產生經濾波雷射維持電漿光之裝置，其中該電漿標靶包括：一固體電漿標靶。
  6. 如請求項1之用於產生經濾波雷射維持電漿光之裝置，其中該電漿標靶包括：一液體電漿標靶。
  7. 如請求項1之用於產生經濾波雷射維持電漿光之裝置，其中該TIR濾波器包含一菲涅爾稜鏡陣列，該菲涅爾稜鏡陣列包括：一溝槽表面，其包含沿一分佈方向分佈之傾斜面之一週期性分佈，該等傾斜面包含與一第二組溝槽面交錯之一第一組溝槽面，其 中該第一組溝槽面依一共同頂角與該第二組溝槽面相交；及一平坦表面，其與該溝槽表面相對。
  8. 如請求項7之用於產生經濾波雷射維持電漿光之裝置，其中該菲涅爾稜鏡陣列包括：兩個或兩個以上三稜柱，其等之頂點具有經配置成一線性分佈之該共同頂角，其中與該等頂點相對之該兩個或兩個以上三稜柱的面形成該平坦表面。
  9. 如請求項8之用於產生經濾波雷射維持電漿光之裝置，其中該兩個或兩個以上三稜柱之邊緣經融合以提供形成該菲涅爾稜鏡陣列之一單一元件。
  10. 如請求項7之用於產生經濾波雷射維持電漿光之裝置，其中該一或多個輸入面包括：該第一組溝槽面，其中該一或多個輸出面包括：該第二組溝槽面，其中該一或多個濾波面包括：該平坦表面。
  11. 如請求項7之用於產生經濾波雷射維持電漿光之裝置，其中一或多個輸入面包括：該平坦表面，其中該一或多個輸出面包括：該平坦表面，其中該一或多個濾波面包括： 該第一組溝槽面及該第二組溝槽面。
  12. 如請求項7之用於產生經濾波雷射維持電漿光之裝置，其中該共同頂角係90度。
  13. 如請求項1之用於產生經濾波雷射維持電漿光之裝置，其中該TIR濾波器包括：一菱形稜鏡，其中該一或多個輸入面包括一單一輸入面，其中該一或多個輸出面包括經定向平行於該輸入面之一單一輸出面。
  14. 如請求項1之用於產生經濾波雷射維持電漿光之裝置，進一步包括：一抗反射塗層，其經安置於該一或多個濾波面上，該抗反射塗層具有包含高於該選定截止波長之該寬頻照明光束之波長之一操作範圍。
  15. 如請求項1之用於產生經濾波雷射維持電漿光之裝置，進一步包括：一抗反射塗層，其經安置於該一或多個輸入面或該一或多個輸出面之至少一者上，該抗反射塗層具有至少包含低於該選定截止波長之波長之一操作範圍。
  16. 如請求項1之用於產生經濾波雷射維持電漿光之裝置，進一步包括：一抗反射塗層，其在該一或多個濾波面之至少一者、該一或多個輸入面之至少一者或該一或多個輸出面之至少一者上。
  17. 如請求項16之用於產生經濾波雷射維持電漿光之裝置，其中該抗反射塗層包括：一介電質堆疊抗反射塗層、一漸變折射率塗層或一奈米結構化抗反射塗層之至少一者。
  18. 如請求項1之用於產生經濾波雷射維持電漿光之裝置，進一步包括：一旋轉載物台，其固定該TIR濾波器，其中可藉由使該TIR濾波器旋轉以調整該寬頻照明光束在該一或多個濾波面上之一入射角來選擇該截止波長。
  19. 如請求項1之用於產生經濾波雷射維持電漿光之裝置，其中從一或多個平坦面反射之該寬頻照明光束之該選定波長範圍包括：約100奈米至約220奈米之一範圍。
  20. 如請求項1之用於產生經濾波雷射維持電漿光之裝置，其中從一或多個平坦面反射之該寬頻照明光束之該選定波長範圍包括：約115奈米至約150奈米之一範圍。
  21. 如請求項1之用於產生經濾波雷射維持電漿光之裝置，其中從一或多個平坦面反射之該寬頻照明光束之該選定波長範圍包括：約115奈米至約130奈米之一範圍。
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