TWI807537B - 影像對準方法及系統 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 95
- 238000009877 rendering Methods 0.000 claims description 79
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 21
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 20
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 20
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 12
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 63
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 60
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 50
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 50
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 40
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 24
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 16
- 238000013461 design Methods 0.000 description 13
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 13
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000003708 edge detection Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000008676 import Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000012634 optical imaging Methods 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 1
- 238000013442 quality metrics Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000012549 training Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
- G06V10/00—Arrangements for image or video recognition or understanding
- G06V10/20—Image preprocessing
- G06V10/24—Aligning, centring, orientation detection or correction of the image
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/7065—Defects, e.g. optical inspection of patterned layer for defects
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
- G06T7/0004—Industrial image inspection
- G06T7/001—Industrial image inspection using an image reference approach
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- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T3/00—Geometric image transformations in the plane of the image
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- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T5/00—Image enhancement or restoration
- G06T5/70—Denoising; Smoothing
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/30—Determination of transform parameters for the alignment of images, i.e. image registration
- G06T7/33—Determination of transform parameters for the alignment of images, i.e. image registration using feature-based methods
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/50—Depth or shape recovery
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/60—Analysis of geometric attributes
- G06T7/62—Analysis of geometric attributes of area, perimeter, diameter or volume
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- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/70—Determining position or orientation of objects or cameras
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/10—Image acquisition modality
- G06T2207/10056—Microscopic image
- G06T2207/10061—Microscopic image from scanning electron microscope
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
- G06T2207/30108—Industrial image inspection
- G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/22—Treatment of data
- H01J2237/221—Image processing
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2813—Scanning microscopes characterised by the application
- H01J2237/2817—Pattern inspection
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Quality & Reliability (AREA)
- Multimedia (AREA)
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Vehicle Body Suspensions (AREA)
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
Abstract
本發明揭示影像對準之系統及方法。該影像對準方法可包含:獲得一樣本之一影像;獲得與一對應參考影像相關聯之資訊;藉由模糊該對應參考影像之一演現影像以使得實質上保留該演現影像之一拓撲來產生一經修改演現影像,其中一模糊程度係基於該拓撲之一特性;及對準該樣本之該影像與該經模糊演現影像。該方法可進一步包含基於該樣本之該影像與該經模糊演現影像之間的一對準來對準該樣本之該影像與該對應參考影像。
Description
本文中所提供之實施例係關於影像演現技術,且更特定言之,係關於演現用於與自帶電粒子束檢測設備獲得之檢測影像對準的影像的系統及方法。
在積體電路(IC)之製造製程中,檢測未完成或已完成電路組件以確保其係根據設計而製造且無缺陷。可採用利用光學顯微鏡或帶電粒子(例如電子)束顯微鏡,諸如掃描電子顯微鏡(SEM)之檢測系統。隨著特徵大小持續良好地縮小超過光學解析度極限,製造及後端分析變得更加複雜。具體言之,邊緣置放誤差(EPE)之控制在半導體行業中的先進技術節點之圖案化中起關鍵作用。為了獲得3D NAND及FinFET IC之高產出量及良率,預期EPE為0.5nm或更小,從而需要特徵置放及對準之高精度及可重複性。EPE之可靠量測在品質控制、產出量及良率學習方面起重要作用。儘管包括基於邊緣及基於相關性之技術的現有晶粒對資料庫(D2DB)對準技術可提供高產出量,然而,基於相關性對準之高方差及不良可重複性致使該技術不足以用於諸如DRAM或FinFET之複雜裝置結構中之特徵的對準。
本文中所提供之實施例揭示影像對準之系統及方法,特定言之,用於晶圓度量衡及檢測之檢測影像與參考影像或演現影像之對準。
本發明之一個態樣係針對一種影像對準方法。該方法可包括獲得一樣本之一影像及獲得與一對應參考影像相關聯之資訊。該方法可進一步包括:藉由修改該對應參考影像之一演現影像以使得實質上保留該演現影像之一拓撲來產生一經修改演現影像;及對準該樣本之該影像與該經修改演現影像。
本發明之另一態樣係針對一種影像對準系統。該系統可包含:一記憶體,其儲存一指令集;及一處理器,其經組態以執行該指令集以使得該影像對準系統獲得一樣本之一影像及獲得與一對應參考影像相關聯之資訊。該可執行指令集可進一步使得該影像對準系統:藉由修改該對應參考影像之一演現影像以使得實質上保留該演現影像之一拓撲來產生一經修改演現影像;及對準該樣本之該影像與該經修改演現影像。
本發明之另一態樣係針對一種儲存一指令集之非暫時性電腦可讀媒體,該指令集可由一設備之一或多個處理器執行以使得該設備執行一影像對準方法。該方法可包含獲得該樣本之一影像及獲得與一對應參考影像相關聯之資訊。該方法可進一步包括:藉由修改該對應參考影像之一演現影像以使得實質上保留該演現影像之一拓撲來產生一經修改演現影像;及對準該樣本之該影像與該經修改演現影像。
本發明之另一態樣係針對一種影像對準方法。該方法可包括:獲得一樣本之一影像;獲得與一對應參考影像相關聯之資訊;藉由模糊該對應參考影像之一演現影像以使得實質上保留該演現影像之一拓撲來
產生一經修改演現影像,其中一模糊程度係基於該拓撲之一特性;及對準該樣本之該影像與該經模糊演現影像。
本發明之另一態樣係針對一種影像對準系統。該系統可包含:一記憶體,其儲存一指令集;及一處理器,其經組態以執行該指令集以使得該影像對準系統獲得該樣本之一影像及獲得與一對應參考影像相關聯之資訊。該可執行指令集可進一步使得該影像對準系統:藉由模糊該對應參考影像之一演現影像以使得實質上保留該演現影像之一拓撲來產生一經修改演現影像,其中一模糊程度係基於該拓撲之一特性;及對準該樣本之該影像與該經模糊演現影像。
本發明之實施例之其他優勢將自結合隨附圖式進行的以下描述變得顯而易見,在隨附圖式中藉助於說明及實例闡述本發明之某些實施例。
10:主腔室
20:裝載鎖定腔室
30:設備前端模組
30a:第一裝載埠
30b:第二裝載埠
40:電子束工具/設備
50:控制器
100:電子束檢測系統
201:主光軸
202:初級光束交越
203:陰極
204:初級電子束
205:提取器電極
220:槍孔徑
222:陽極
224:庫侖孔徑陣列
226:聚光器透鏡
232:物鏡總成
232a:極片
232b:控制電極
232d:激磁線圈
234:電動載物台
235:光束限制孔徑陣列
236:樣本固持器
240a:偏轉器
240b:偏轉器
240c:光束分離器
240d:偏轉器
240e:偏轉器
244:電子偵測器
250:樣本/晶圓
300:度量衡系統
310:檢測影像
320:儲存模組
330:資訊檔案
340:參考影像
350:演現影像
360:影像對準模組
362:輸出裝置
364:影像對準器
400:設備/影像對準方法
401:方法/影像對準方法
410:步驟
415:檢測影像
420:步驟
430:步驟
440:參考影像
442:邊界
444:邊界
445:演現影像
450:經修改演現影像
460:對準影像
472:參考影像
474:演現特徵
474_E:經邊緣修改特徵
474_F:經填充修改特徵
478:檢測影像
482:演現影像
486:演現影像
492:對準影像
496:對準影像
500:方法
510:步驟
520:步驟
530:步驟
540:步驟
550:步驟
A:特徵
B:特徵
d:距離/間隔
圖1為說明符合本發明之實施例的例示性電子束檢測(EBI)系統的示意圖。
圖2為說明符合本發明之實施例的可為圖1之例示性電子束檢測系統之一部分的例示性電子束工具的示意圖。
圖3說明符合本發明之實施例的包括影像對準模組的例示性度量衡系統。
圖4A說明符合本發明之實施例的由圖3的度量衡系統執行之影像對準方法的例示性流程圖。
圖4B說明符合本發明之實施例的基於用於影像演現之參數選擇來對準檢測影像的例示性方法。
圖5為符合本發明之實施例的表示影像對準之例示性方法的過程流程圖。
現將詳細參考例示性實施例,其實例說明於隨附圖式中。以下描述參考隨附圖式,其中除非另外表示,否則不同圖式中之相同編號表示相同或類似元件。例示性實施例之以下描述中所闡述之實施方案並不表示所有實施方案。實情為,其僅為符合與隨附申請專利範圍中所敍述之所揭示實施例相關之態樣的設備及方法之實例。舉例而言,儘管一些實施例係在利用電子束之上下文中進行描述,但本發明不限於此。可類似地應用其他類型之帶電粒子束。此外,可使用其他成像系統,諸如光學成像、光偵測、x射線偵測等。
電子裝置由形成於稱為基板之矽片上的電路構成。許多電路可一起形成於同一矽片上且稱為積體電路或IC。此等電路之大小已顯著減小,使得更多該等電路可安裝於基板上。舉例而言,智慧型手機中之IC晶片可與縮略圖一樣小且仍可包括超過20億個電晶體,每一電晶體之大小小於人類毛髮之大小的1/1000。
製造此等極小IC為通常涉及數百個個別步驟之複雜、耗時且昂貴之程序。甚至一個步驟中之錯誤亦有可能導致成品IC中之缺陷,由此使得成品IC為無用的。因此,製造程序之一個目標為避免此類缺陷以使在該程序中製造之功能性IC的數目最大化,亦即,改良該程序之總良率。
改良良率之一個組分為監測晶片製作程序,以確保其正生產足夠數目個功能性積體電路。監測該程序之一種方式為在晶片電路結構形成之各個階段檢測晶片電路結構。可使用掃描電子顯微鏡(SEM)進行檢
測。SEM可用於實際上使此等極小結構成像,從而獲取該等結構之「圖像」。影像可用於判定結構是否經適當地形成,且亦判定該結構是否經形成於適當位置中。若結構係有缺陷的,則可調整該程序,使得缺陷不大可能再現。
IC設計佈局在經由製造程序轉移至晶圓之前以二進位檔案格式儲存,二進位檔案格式諸如表示平面幾何結構、文本標記等的圖形設計系統(GDS或GDSII)。資料可用於重建構或「演現」可用於觀測、晶圓檢測或其他度量衡應用的基於像素之影像。在朝向亞10nm半導體裝置之驅動中,儘管高速圖案化技術係有益的,但其可能引入非所要及難以偵測之缺陷。晶粒對資料庫(D2DB)檢測技術通常用於高速檢測,其比較檢測影像與設計佈局。
一些現有GDS演現方法包括參考GDS模式,基於像素位置為該等像素指派不同強度值。雖然此方法可在GDS設計中提供輪廓及形狀之準確演現,但其遭受諸如偏心移位、高未對準率的缺點以及其他問題。替代地,GDS影像可基於特定影像之預定義規則及獲悉模型來演現,以產生經模擬檢測影像。然而,如此進行可為資源密集的且對用戶較不友好。因此,提供用於D2DB對準之精確且可重複模板的演現方法之進一步改良可能期望減輕對準誤差及較大EPE。
本發明之一些實施例係針對影像對準之設備及方法。對準方法可包括獲得與參考GDS影像相關聯之資訊,該參考GDS影像對應於由例如電子束設備捕捉之特徵或樣本的檢測影像。方法可進一步包括基於演現參數演現參考GDS影像及基於拓撲特性修改演現參考GDS影像以使得實質上保留演現影像之拓撲。該方法可進一步包括基於檢測影像與經修
改演現影像之間的對準來對準檢測影像與參考GDS影像。
出於清楚起見,圖式中之組件之相對尺寸可經放大。在以下圖式描述內,相同或類似附圖標號係指相同或類似組件或實體,且僅描述關於個別實施例之差異。如本文中所使用,除非另外具體陳述,否則術語「或」涵蓋所有可能組合,除非不可行。舉例而言,若陳述組件可包括A或B,則除非另外具體陳述或不可行,否則組件可包括A,或B,或A及B。作為第二實例,若陳述組件可包括A、B或C,則除非另有具體陳述或不可行,否則組件可包括A,或B,或C,或A及B,或A及C,或B及C,或A及B及C。
現參考圖1,其說明符合本發明之實施例的例示性電子束檢測(EBI)系統100。如圖1中所展示,帶電粒子束檢測系統100包括主腔室10、裝載鎖定腔室20、電子束工具40及設備前端模組(EFEM)30。電子束工具40位於主腔室10內。雖然描述及圖式係針對電子束,但應瞭解,實施例並非用於將本發明限制為特定帶電粒子。
EFEM 30包括第一裝載埠30a及第二裝載埠30b。EFEM 30可包括額外裝載埠。第一裝載埠30a及第二裝載埠30b接收含有待檢測之晶圓(例如,半導體晶圓或由其他材料製成之晶圓)或樣本(晶圓及樣本在下文中統稱為「晶圓」)的晶圓前開式單元匣(FOUP)。EFEM 30中之一或多個機器人臂(未展示)將晶圓輸送至裝載鎖定腔室20。
裝載鎖定腔室20連接至裝載/鎖定真空泵系統(未展示),該裝載/鎖定真空泵系統移除裝載鎖定腔室20中之氣體分子以達至低於大氣壓力之第一壓力。在達至第一壓力之後,一或多個機器人臂(未展示)將晶圓自裝載鎖定腔室20輸送至主腔室10。主腔室10連接至主腔室真空泵系
統(未展示),該主腔室真空泵系統移除主腔室10中之氣體分子以達至低於第一壓力之第二壓力。在達至第二壓力之後,晶圓經受電子束工具40進行之檢測。在一些實施例中,電子束工具40可包含單束檢測工具。在其他實施例中,電子束工具40可包含多束檢測工具。
控制器50可電連接至電子束工具40,且亦可電連接至其他組件。控制器50可為經組態以執行帶電粒子束檢測系統100之各種控制的電腦。控制器50亦可包括經組態以執行各種信號及影像處理功能之處理電路系統。雖然控制器50在圖1中展示為位於包括主腔室10、裝載鎖定腔室20及EFEM 30之結構的外部,但應瞭解,控制器50可為該結構之部分。
雖然本發明提供容納電子束檢測系統之主腔室10的實例,但應注意,本發明之態樣在其最廣泛意義上而言不限於容納電子束檢測系統之腔室。實際上,應瞭解,前述原理亦可應用於其他腔室。
現參考圖2,其說明符合本發明之實施例的說明可為圖1之例示性帶電粒子束檢測系統100之一部分的電子束工具40之例示性組態的示意圖。電子束工具40(在本文中亦稱為設備40)可包含電子發射器,該電子發射器可包含陰極203、提取器電極205、槍孔徑220及陽極222。電子束工具40可進一步包括庫侖孔徑陣列224、聚光器透鏡226、光束限制孔徑陣列235、物鏡總成232及電子偵測器244。電子束工具40可進一步包括藉由電動載物台234支撐之樣本固持器236以固持待檢測之樣本250。應瞭解,可視需要添加或省略其他相關組件。
在一些實施例中,電子發射器可包括陰極203、陽極222,其中初級電子可自陰極發射且經提取或加速以形成初級電子束204,該初級電子束204形成初級光束交越202。初級電子束204可視覺化為自初級光
束交越202發射。
在一些實施例中,電子發射器、聚光器透鏡226、物鏡總成232、光束限制孔徑陣列235及電子偵測器244可與設備40之主光軸201對準。在一些實施例中,電子偵測器244可沿次光軸(未展示)遠離主光軸201置放。
在一些實施例中,物鏡總成232可包含經修改擺動物鏡延遲浸沒透鏡(SORIL),其包括極片232a,控制電極232b,包含偏轉器240a、240b、240d及240e之光束操縱器總成,及激磁線圈232d。在一般成像程序中,自陰極203之尖端發出之初級電子束204藉由施加至陽極222之加速電壓加速。初級電子束204之一部分穿過槍孔徑220及庫侖孔徑陣列224之孔徑,且由聚光器透鏡226聚焦以便完全或部分地穿過光束限制孔徑陣列235之孔徑。可聚焦穿過光束限制孔徑陣列235之孔徑的電子以由經修改SORIL透鏡在樣本250之表面上形成探測光點,且由光束操縱器總成之一或多個偏轉器偏轉以掃描樣本250之表面。自樣本表面發出之次級電子可藉由電子偵測器244收集以形成所關注掃描區域之影像。
在物鏡總成232中,激磁線圈232d及極片232a可產生磁場。正由初級電子束204掃描之樣本250之一部分可浸入磁場中,且可帶電,此又產生電場。電場可減小衝擊樣本250附近及該樣本250之表面上的初級電子束204之能量。與極片232a電隔離之控制電極232b可控制例如在樣本250上方及上之電場,以減小物鏡總成232之像差且控制信號電子束之聚焦情況以實現高偵測效率,或避免電弧作用來保護樣本。光束操縱器總成之一或多個偏轉器可使初級電子束204偏轉以促進對樣本250之光束掃描。舉例而言,在掃描程序中,可控制偏轉器240a、240b、240d及
240e以在不同時間點處使初級電子束204偏轉至樣本250之頂部表面之不同位置上,以為樣本250之不同部分的影像重建構提供資料。應注意,240a至240e之次序在不同實施例中可不同。
在接收初級電子束204之後,可自樣本250之部分發射反向散射電子(BSE)及次級電子(SE)。光束分離器240c可將包含反向散射及次級電子之次級或散射電子束引導至電子偵測器244之感測器表面。經偵測次級電子束可在電子偵測器244之感測器表面上形成對應光束光點。電子偵測器244可產生表示所接收次級電子束光點之強度的信號(例如,電壓、電流),且將信號提供至處理系統,諸如控制器50。次級或反向散射電子束及所得次級電子束光點之強度可根據樣本250之外部或內部結構而變化。此外,如上文所論述,可使初級電子束204偏轉至樣本250之頂部表面的不同位置上,以產生不同強度之次級或散射電子束(及所得光束光點)。因此,藉由用樣本250之位置來映射次級電子束光點之強度,處理系統可重建構反映晶圓樣本250之內部或外部結構的影像。
在一些實施例中,控制器50可包含影像處理系統,該影像處理系統包括影像獲取器(未展示)及儲存器(未展示)。影像獲取器可包含一或多個處理器。舉例而言,影像獲取器可包含電腦、伺服器、大型電腦、終端機、個人電腦、任何種類之行動計算裝置及類似者,或其組合。影像獲取器可經由諸如電導體、光纖電纜、攜帶型儲存媒體、IR、藍芽、網際網路、無線網路、無線電等等或其組合之媒體以通信方式耦接至設備40之電子偵測器244。在一些實施例中,影像獲取器可自電子偵測器244接收信號,且可建構影像。影像獲取器可因此獲取樣本250之區的影像。影像獲取器亦可執行各種後處理功能,諸如產生輪廓、將指示符疊加於所
獲取影像上及類似者。影像獲取器可經組態以執行所獲取影像之亮度及對比度等的調整。在一些實施例中,儲存器可為諸如硬碟、快閃驅動器、雲端儲存器、隨機存取記憶體(RAM)、其他類型之電腦可讀記憶體及類似者之儲存媒體。儲存器可與影像獲取器耦接,且可用於將經掃描原始影像資料保存為原始影像及後處理影像。
在一些實施例中,控制器50可包括量測電路系統(例如,類比對數位轉換器)以獲得經偵測次級電子及反向散射電子的分佈。與入射於樣本(例如晶圓)表面上之初級光束204之對應掃描路徑資料組合的在偵測時間窗期間收集之電子分佈資料可用於重建構受檢測之晶圓結構之影像。經重建構影像可用於顯露樣本250之內部或外部結構的各種特徵,且由此可用於顯露可能存在於晶圓中之任何缺陷。
在一些實施例中,控制器50可控制電動載物台234以在檢測期間移動樣本250。在一些實施例中,控制器50可使得電動載物台234能夠在一方向上以恆定速度連續地移動樣本250。在其他實施例中,控制器50可使得電動載物台234能夠取決於掃描程序之步驟而隨時間推移改變樣本250之移動速度。
現參考圖3,其說明符合本發明之實施例的例示性度量衡系統300之示意圖。在一些實施例中,度量衡系統300可包含:電子束工具40,其包含經組態以獲取及產生檢測影像310之影像處理系統(未展示);儲存模組320,其經組態以儲存例如與設備400相關聯之資料;及影像對準模組360。替代地,度量衡系統300可為圖2之設備40之一部分或圖1之EBI系統100。
儘管未說明,但影像處理系統之影像獲取器(參考圖2所論
述)可經組態以捕捉檢測影像310。在一些實施例中,檢測影像310可包括樣本上之圖案的高解析度帶電粒子束影像。如本文中所使用,高解析度帶電粒子束影像係指具有足夠高解析度以解析影像中具有小於20nm之間隔的兩個不同特徵且使用帶電粒子束設備(諸如但不限於電子束工具40)所捕捉的影像。可使用影像處理系統或能夠獲取高解析度影像之任何此類系統之影像獲取器來獲取檢測影像310。可由可產生樣本之檢測影像的任何帶電粒子束系統獲取檢測影像310。樣本可為半導體晶圓基板,或例如具有一或多個磊晶層或程序膜之半導體晶圓基板。本發明之實施例不限制檢測系統之特定類型,只要系統可產生具有適當解析度之晶圓影像即可。
在一些實施例中,檢測影像310可為檢查模式影像,其為在既定最佳之獲取條件下所獲取之影像。檢查模式影像可具有至少使用經最佳化偵測器設定來獲取高解析度影像所獲得之更高解析度,例如經最佳化放大率、經最佳化對比度及亮度、經最佳化帶電粒子束強度等。在一些實施例中,檢測影像310可為例如樣本之低解析度影像,或晶圓(例如,圖2之晶圓250)上之特徵,或基板上之所關注區。可使用影像處理系統或能夠獲取低解析度影像之任何此類系統之影像獲取器來獲取檢測影像310。可由可產生晶圓或晶圓上所關注區之檢測影像的任何帶電粒子束檢測系統(諸如SEM)獲取檢測影像310。
在一些實施例中,可在離線模式中獲取檢測影像310。如本文中所使用,「離線」模式係指在系統在生產運行中未用於晶圓處理時影像獲取器或EBI系統100的操作模式。舉例而言,離線模式可包含在實際檢測開始之前或在實際處理運行之前影像獲取器或EBI系統100的操作。在一些實施例中,藉由與處理設備分開定位之影像獲取器(例如,包
括獨立的EBI系統或影像獲取器)來獲取檢測影像310。在離線模式中獲取檢測影像310可顯著地幫助增加SEM檢測工具之產出量,此係由於可藉由將已存在之參考影像與已存在之檢測影像310進行比較來執行影像對準。
檢測影像310可儲存於影像處理系統之局部儲存單元中、度量衡系統300之儲存模組320中,或儲存於可由度量衡系統300之組件(包括影像對準模組360)存取的遠端儲存位置(未說明)(例如,遠端資料庫、網路、伺服器、雲端平台或類似者)中。儲存模組320可進一步經組態以與包括例如影像對準模組360、電子束工具40之度量衡系統300之組件共用所儲存資訊。在一些實施例中,儲存模組320可為影像對準模組360之整合式儲存媒體,其經組態以與其組件中之每一者連接。儲存模組320可為可在例如網際網路、雲端平台或合適的Wi-fi通訊路徑上經由無線通信存取之遠端儲存模組。在一些實施例中,儲存模組320可包含經組態以儲存資訊之資料庫。資料庫亦可經組態以儲存影像或其他相關資訊,例如導引參數、品質度量值等。在一些實施例中,資料庫可例如直接與影像對準模組360耦接。資料庫可包括例如OracleTM資料庫、SybaseTM資料庫、關係資料庫或非關係資料庫,諸如HadoopTM序列檔案、HBaseTM或CassandraTM。資料庫可包括計算組件(例如,資料庫管理系統、資料庫伺服器等),其經組態以接收且處理儲存於資料庫之記憶體裝置中的資料之請求且自資料庫提供資料。在一些實施例中,資料庫可採取伺服器、電腦、大型電腦或此等組件之任何組合之形式。根據所揭示實施例之其他實施方案亦為可能的。
在一些實施例中,儲存模組320可包含資訊檔案330,其經組態以儲存包括但不限於與晶圓設計、工具條件、工具參數、產品設計、
程序設計、缺陷分析等等相關聯之資訊。舉例而言,資訊檔案330可包含呈圖形資料庫系統(GDS)格式、包括晶圓表面上之特徵之圖形表示的圖形資料庫系統II(GDS II)格式,或開放原圖系統互換標準(OASIS)格式之晶圓設計佈局。晶圓設計佈局可基於用於建構晶圓之圖案佈局。晶圓設計佈局可對應於用於例如將來自光微影光罩或倍縮光罩之特徵轉移至晶圓之一或多個光微影光罩或倍縮光罩。GDS資訊檔案或OASIS資訊檔案可包含以表示平面幾何形狀之二進位檔案格式儲存之特徵資訊、文字及與晶圓設計佈局相關之其他資訊。OASIS格式可顯著地幫助減小資料體積,從而產生更高效之資料轉移程序。可能已收集大量GDS或OASIS格式影像,且該等影像可構成比較特徵之較大資料集。
資訊檔案330可進一步包含知識或特徵庫,其可包括晶圓上之資訊相關聯特徵或圖案,例如結構之相對定向、晶圓上之特徵之實體位置資訊、晶圓上之特徵之x-y位置座標、特徵之間的間隔,或類似者。在一些實施例中,資訊檔案330可含有與光學微影之臨界尺寸及臨界尺寸公差相關聯的資訊。在一些實施例中,資訊檔案330可包括目標GDS資訊、目標GDSII資訊、目標OASIS資訊等等。
在一些實施例中,資訊檔案330可包含在本文中亦稱為「訓練」影像之參考影像340。參考影像可基於與一或多個參考特徵相關聯之所儲存資訊而形成。作為實例,可基於所儲存資料形成包含諸如接觸襯墊之特徵之二維影像的參考影像,該特徵具有參考位置座標、參考尺寸、參考定向或類似者。參考影像340可包含二進位影像、灰度影像或光學影像。
演現影像350可包含對應參考影像(例如參考影像340)之二
維或三維演現,或現有影像之修改。在一些實施例中,演現影像350可包含(包括但不限於)GDS演現影像、OASIS演現影像或GDSII演現影像。演現影像350可藉由將由像素矩陣表示之參考影像與由數字之二維矩陣表示之「核」進行廻旋而形成。可藉由跨影像應用核來執行包括模糊、銳化、平滑化、邊緣偵測等的影像處理技術。核之大小可在尺寸範圍內,例如,3×3或5×5,或m×n矩陣,其中m及n為整數。演現影像可藉由例如在參考影像之矩陣與濾波器核之間的數學運算(亦稱為廻旋)而產生,且所得演現影像之特性可基於濾波器核之特性,諸如模糊核或銳化核之大小等。
度量衡系統300可進一步包括影像對準模組360,其經組態以接收至少檢測影像310及演現影像350,且將檢測影像310與演現影像350對準。影像對準模組360可包含影像對準器364及輸出裝置362。在一些實施例中,儘管未說明,但影像對準模組360可進一步包含一或多個處理器或資料儲存模組。
影像對準模組360可經組態以以合適格式接收一或多個檢測影像、參考影像或演現影像,該格式例如聯合圖像專家群(JPEG)檔案、可攜式網路圖像(PNG)檔案、可攜式文件格式(PDF)檔案、帶標影像檔案格式(TIFF)檔案等。亦可使用影像之其他合適格式。影像對準模組360可經組態以自一或多個源接收影像,該一或多個源包括但不限於儲存模組320、遠端資料庫、電子束工具40、EBI系統100或類似者。
在一些實施例中,影像對準模組360之影像對準器364可包括經組態以執行指令集以使得影像對準模組360執行相關聯功能之處理器。影像對準器364可包含計算單元、電腦、可程式化IC電路、大型電腦、伺服器等,且可經由有線連接或以無線方式與輸出裝置362耦接。在
一些實施例中,輸出裝置362可整合於影像對準器364內。替代地或另外,輸出裝置362可不為影像對準器364或影像對準模組360之部分。影像對準器364可經組態以執行軟體實施之演算法、影像處理演算法、特徵識別或特徵提取演算法、邊緣偵測演算法或類似者中之一或多者。
在一些實施例中,影像對準器364或影像對準模組360可包括經組態以儲存用於處理器之指令的記憶體(未展示)。記憶體可包含非揮發性記憶體、隨機存取記憶體(RAM)、動態隨機存取記憶體(DRAM)、靜態隨機存取記憶體(SRAM)、唯讀記憶體(ROM)、快閃記憶體或類似者。在一些實施例中,影像對準模組360可基於例如需要處理之資料及資訊的體積或視需要包含一或多個記憶體。
影像對準模組360可進一步包含經組態以顯示與檢測影像310與演現影像350或參考影像340或兩者之對準相關聯的資訊之輸出裝置362。在一些實施例中,輸出裝置362可包含手持式顯示裝置、TV螢幕、電腦螢幕、多螢幕顯示器、交互式顯示裝置或類似者。亦可使用其他合適之顯示裝置。輸出裝置362可整合於影像對準器364內,或影像對準模組360內,或度量衡系統300內。在一些實施例中,輸出裝置362可為位於遠端位置中且獨立於影像對準模組360操作之獨立的單獨顯示裝置。
現參考圖4A,其為符合本發明之實施例的說明影像對準方法400的例示性流程圖。影像對準方法可由影像對準模組360執行,影像對準模組360可與包括EBI系統100之帶電粒子束設備耦接。應瞭解,可控制帶電粒子束設備以對晶圓或晶圓上之所關注區進行成像。成像可包含掃描晶圓以對晶圓之至少一部分、晶圓上之圖案或晶圓自身進行成像。對準可包含對準所獲取檢測影像與諸如對應於檢測影像之參考影像之GDS演現
影像的演現影像,使得參考影像之拓撲實質上保留於演現影像中。如本文中所使用之術語「實質上保留」係指經修改影像之拓撲特性,其相比於在影像之修改之前的原始拓撲特性不變或類似。舉例而言,若由參考(原始)影像中之平行線表示的兩個特徵在經修改影像(諸如,經降取樣或經升取樣影像)中保持平行,則拓撲被視為「實質上保留」。
在步驟410中,影像對準模組360可獲得與對應於檢測影像415之參考影像440相關聯的資訊,或可獲得參考影像440自身。參考影像440可包含圖案之原始GDS影像,或對應於圖案之晶圓區或檢測影像區的原始GDS影像。影像對準模組360可自儲存模組(例如,圖3之儲存模組320)或自電子束工具(例如,圖2之電子束工具40)之輸出檔案獲得檢測影像415,該電子束工具經組態以產生例如高解析度帶電粒子束影像。參考影像440可為例如對應於待對準之檢測影像的二進位尺度影像、灰度影像、光學影像或數位影像。在一些實施例中,影像對準模組360可獲得與對應於檢測影像415之參考影像相關聯的資訊且產生參考影像440,或可自儲存模組之資訊檔案(例如,圖3之資訊檔案330)獲得已存在之參考影像440。
影像對準模組360可進一步判定參考影像440之拓撲或拓撲之特性。作為實例,影像對準模組360可判定圖4A中所展示之參考影像440為包含兩個特徵,特徵A及特徵B之區域之影像,該等特徵分別具有間隔距離d之平行邊界442及444。在此情境下,原始GDS影像或參考影像440之拓撲可包含具有平行邊界之至少兩個特徵及兩個特徵之間的有限間隔d。
影像對準模組360可包含處理器,該處理器經組態以執行
指令集,諸如軟體實施之演算法,例如以形成演現影像445且自其判定拓撲或拓撲之特性。演現影像445可包含例如GDS演現影像。演現影像可包括尤其參數選擇以基於影像內特徵之內部(例如FILL參數)或邊界(例如EDGE參數)來識別特徵。作為實例,演現影像445可包含參考影像440之經邊緣演現GDS影像,其中識別特徵A與特徵B之間的空間之邊界442及444。演現影像445可為二進位影像,其中經識別所關注圖案(例如邊界442及444)由像素強度「1」表示且其餘區由像素強度「0」表示。
在步驟420中,影像對準模組360可修改演現影像445以形成經修改演現影像450,使得修改實質上保留演現影像445之拓撲。經修改演現影像可包含模糊邊緣演現影像(例如,圖4A之經修改演現影像450)或模糊填充演現影像或類似者。藉助於實例,藉由修改演現影像445形成之經修改演現影像450說明其間分隔開一距離的兩個實質上平行及物理可解析線。演現影像445之拓撲實質上保留於經修改演現影像450中。
在一些實施例中,演現影像445之修改可包含藉助於降取樣演現影像445自二進位尺度影像形成灰度影像。在本發明之上下文中,且在影像處理之上下文中,降取樣係指按比例縮小影像以使得減小空間解析度,同時維持影像之二維表示。降取樣影像可導致影像或影像之一或多個特徵之模糊。降取樣之優勢中之一些可包括但不限於資料之可管理性、資料維度之減少,由此實現資料之更快可處理性且減小資料儲存大小,以及其他益處。在一些實施例中,演現影像445之修改可包含演現影像445之升取樣。升取樣係指改良空間解析度,同時維持影像之二維表示。升取樣可導致影像或影像之一或多個特徵之平滑或銳化。
在一些實施例中,演現影像445之修改可基於演現影像445
之拓撲。演現影像445可例如藉由降取樣基於拓撲而模糊,使得模糊可實質上保留拓撲或拓撲之特性。舉例而言,演現影像445之降取樣可導致邊界442及444之模糊,使得經修改演現影像450仍包含具有平行邊界及邊界之間的有限間隔的兩個特徵。在一些實施例中,在本文中稱為降取樣比例或降取樣比率之演現影像445之修改程度或範圍可基於拓撲或拓撲之特性,該特性包含特徵之大小、形狀、定向或邊界,或參考影像之鄰近特徵之間的間隔。
降取樣影像通常導致影像之特徵之模糊。在一些實施例中,降取樣比例可限於最大值,使得實質上保留拓撲之特性,如經修改演現影像450中所說明。降取樣比例之最大值可經定義為降取樣比例之值,直至演現影像中之所連接特徵的數目保持不變。降取樣比率之最大值可基於演現影像445之拓撲之特性。作為實例,若參考影像440之特徵A及特徵B以距離d實體上分離,則最大降取樣比例可小於x。若演現影像445經降取樣超出最大降取樣比,則邊界線442及444可合併以形成單一實體不可解析特徵,從而導致影像對準機構失效。在一些實施例中,影像對準模組360之影像對準器364可執行演現影像445之降取樣以在對準參考影像與檢測影像310之前形成經修改演現影像450。
在一些實施例中,演現影像445可經修改以藉由例如將演現影像445與濾波器核進行廻旋而形成經修改演現影像450。因此,最佳化應用於演現影像445以形成經修改演現影像450的濾波器核之一或多個特性可為有益的。最佳化濾波器核之特性可包括但不限於調整大小、調整廻旋(數學運算)、調整濾波器核之一或多個元素、調整偏移、調整包括高斯模糊或凸模糊之模糊函數等等。舉例而言,模糊函數及核大小之組合可
用於修改演現影像445以形成經修改演現影像450。亦可適當地按需要使用其他組合。
現參考圖4B,其說明符合本發明之實施例的基於影像演現之參數選擇之影像對準的例示性方法401。影像對準器(例如,圖3之影像對準器364)或圖3之影像對準模組360可經組態以執行方法401之一或多個步驟。應瞭解,度量衡系統300之其他組件或度量衡系統300自身可執行方法401之一或多個步驟。
影像對準方法401可包含獲得參考影像472及對應檢測影像478。參考影像472及檢測影像478可包含在本文中亦稱為原始影像之輸入影像。參考影像可包含例如以陣列方式配置之特徵474的GDS影像。檢測影像478可包含例如如製造於晶圓或基板上之對應特徵474的SEM影像。
在一些實施例中,影像對準方法401可進一步包含演現參考影像472以形成演現影像482。演現參考影像472可包括基於一或多個參數之選擇而演現,該一或多個參數包括但不限於用於取樣之特徵類型、特徵強度、最小比例及最大比例等等。如圖4B中所見,演現影像482可包含基於用於演現特徵474之「EDGE」選擇的所演現GDS影像。在一些實施例中,影像對準方法可進一步包含演現參考影像472以形成包含基於用於演現特徵474之「FILL」選擇之所演現GDS影像的演現影像486。
影像對準方法401可進一步包含修改演現影像482以形成包含經邊緣修改特徵474_E的經修改演現影像(未展示),或修改演現影像486以形成包含經填充修改特徵474_F的經修改演現影像(未展示)。用以自演現影像482及486產生經修改演現影像的特徵之修改可包含基於演現影像之拓撲或拓撲之特性而降取樣演現影像。如圖4B中所見,降取樣演現影
像482可使特徵474之邊緣模糊,產生經修改特徵474_E;且降取樣演現影像486可使特徵474之內部模糊,產生經修改特徵474_F。降取樣比率或降取樣比例可基於經降取樣之演現影像的拓撲而判定,如參考圖4A所論述。
影像對準方法401可進一步包含基於檢測影像478與包含經修改特徵(例如,經修改特徵474_E或474_F)之經修改演現影像之間的對準而對準檢測影像478與參考影像472。對準影像492表示基於對應於特徵474之檢測影像478之特徵與經邊緣修改特徵474_E之間的對準而在檢測影像478與參考影像472之間的例示性對準。在一些實施例中,對準影像496表示基於對應於特徵474之檢測影像478之特徵與經填充修改特徵474_F之間的對準而在檢測影像478與參考影像472之間的例示性對準。
在半導體行業中,邊緣置放誤差(EPE)係指IC佈局之預期特徵與印刷特徵之間的差異。EPE之若干源中之一者可為精確位置中奈米大小特徵之精確圖案化的要求。舉例而言,特徵可為金屬線或互連線,且該線具有右側及左側邊緣。在裝置組態中,線及其邊緣必須為精確的且置放於準確位置中。未能在精確位置處製造及定位線可能導致未對準或EPE,使裝置經歷電短路或不良產率,此可使得整個晶片失效。對於一些應用,由於可接受邊緣置放誤差(EPE)減小至0.5nm及以下,因此可靠地及可重複地量測EPE可為有益的。然而,高度可重複對準可具有挑戰性,部分地因為檢測影像可不同於參考影像之強度、亮度、雜訊級、銳度、尺寸、影像獲取工具條件等等。
儘管用於對準檢測影像與參考影像的當前現有晶粒對資料庫(D2DB)對準技術,諸如基於邊緣之對準及平面相關對準提供一些優
勢,但對準之可實現的可重複性及精確度可能不足以收縮裝置幾何形狀,尤其在DRAM裝置中。限制對準精確度之若干問題中之一者包括邊緣朝向漂移。為了減輕對EPE之邊緣朝向漂移的影響,提供用於可重複地及精確地對準檢測影像至例如參考GDS圖案之中心的方法可為有益的。
在一些所揭示實施例中,用於對準檢測影像與參考GDS影像之方法可包括用於平面相關技術之適應性濾波器機構。該適應性濾波器機構可包括基於參考GDS影像之拓撲或拓撲之特性而使用廻旋矩陣修改參考GDS影像。若檢測影像中之檢測特徵之寬度為ws,且對應參考GDS特徵之寬度為wG,則自檢測特徵之邊緣至參考GDS特徵之邊緣的最佳距離x'可由等式1表示。
若濾波器核f實施為脈衝函數,如參考影像440中所展示,則可在以下情況最大化相關指數:x=0或w G -w S (等式3)
再次參考圖4A,在一些實施例中,包含橢圓或球函數之凸模糊核可將檢測特徵牢固地定位至參考GDS特徵之中心。在一些實施例中,修改演現影像445以形成經修改演現影像450可進一步包含選擇核大小s。此外,可能需要識別具有核大小s'之核,該核大小在與演現影像445進行廻旋時導致最大降取樣,同時實質上保留演現影像445之拓撲。可基於拓撲之特性判定最大核大小s'。舉例而言,可基於演現影像445中特徵A與特徵B之間的間隔而判定最大核大小s'。若s<s',則可獲得演現影像445
與檢測影像之間的居中對準,然而,若s>s',則居中對準可能由於演現GDS影像之拓撲可能已改變而失敗。另外,若s<s',則中心對準檢測影像與演現影像445可具有挑戰性,且因此導致未對準檢測影像與參考影像440。
作為實例,若特徵A及B之邊界442與444之間的間隔分別為80nm,則具有大小為40nm至79nm之濾波器核的GDS演現影像可導致檢測影像415與參考影像440之間的居中對準。在以80nm及以上之核大小演現參考影像440的情況下,居中對準將由於拓撲(諸如,邊界442與444之間的間隔)可能改變而失敗。
在步驟430中,影像對準模組360之影像對準器364可對準類似於圖3之檢測影像310的檢測影像415與經修改演現影像450。影像對準器364可基於檢測影像415與經修改演現影像450之間的對準而進一步對準檢測影像415(例如SEM影像)與參考影像440以形成對準影像460。
現參考圖5,其說明符合本發明之實施例的表示使用圖3之度量衡系統300進行影像對準之方法500的例示性過程流程圖。方法500之步驟可由圖3之影像對準模組360執行,出於說明之目的,該影像對準模組360在計算裝置(例如,圖1之控制器50)上執行或以其他方式使用計算裝置之特徵執行。應瞭解,所說明方法500可經變更以修改步驟次序且包括額外步驟或省略步驟。
在步驟510中,影像對準模組360可獲得檢測影像(例如,圖3之檢測影像310)。檢測影像可為帶電粒子束影像,諸如圖案或區域之電子束影像,或晶圓上之特徵。檢測影像可為高解析度電子束影像、高解析度光學影像、高解析度數位影像,或可用於影像對準之具有適當解析度
的另一影像。可使用電子束檢測系統或電子束工具(例如,圖2之電子束工具40)之影像獲取器捕捉檢測影像。在一些實施例中,可獲取檢測影像且將其暫時儲存於儲存模組(例如,圖3之儲存模組320)中。影像對準模組可視需要存取或獲得檢測影像。
在步驟520中,影像對準模組可獲得與對應於檢測影像之參考影像(例如,圖3之參考影像340或圖4A之參考影像440)相關聯的資訊。與參考影像相關聯之資訊可在儲存模組中儲存於資訊檔案(例如,圖3之資訊檔案330)中。資訊可儲存為呈圖形資料庫系統(GDS)格式、包括晶圓表面上之特徵之圖形表示的圖形資料庫系統II(GDS II)格式,或開放原圖系統互換標準(OASIS)格式之晶圓設計佈局資訊。GDS資訊檔案或OASIS資訊檔案可包含以表示平面幾何形狀之二進位檔案格式儲存之特徵資訊、文字及與晶圓設計佈局相關之其他資訊。影像對準模組之處理器可判定與對應於檢測影像之圖案或特徵相關聯的資訊,且將呈GDS格式之經判定資訊或參考GDS影像引入至影像對準模組之儲存單元中。
在步驟530中,影像對準模組可基於與對應參考影像相關聯之資訊形成演現影像(例如演現影像445),且自其判定拓撲或拓撲之特性。演現影像可包含例如GDS演現影像。演現影像可包括尤其參數選擇以基於影像內特徵之內部(例如FILL參數)或邊界(例如EDGE參數)來識別特徵。作為實例,演現影像可包含參考影像之經邊緣演現GDS影像,或參考影像之經填充演現GDS影像。演現影像445可為二進位影像。
在步驟540中,影像對準模組可基於演現影像之拓撲修改演現影像以形成經修改演現影像(例如,圖4A之經修改演現影像450),使得實質上保留演現影像之拓撲。演現影像之修改可包含藉助於降取樣演現
影像自二進位尺度影像形成灰度影像。在一些實施例中,演現影像之修改可基於演現影像之拓撲。演現影像可例如藉由降取樣基於拓撲而模糊,使得模糊量可實質上保留拓撲或拓撲之特性。在一些實施例中,在本文中稱為降取樣比例或降取樣比率之演現影像之修改程度或範圍可基於拓撲或拓撲之特性,該特性包含特徵之大小、形狀、定向或邊界,或演現影像之鄰近特徵之間的間隔。演現影像可經修改以藉由例如將演現影像與最大大小之濾波器核進行廻旋而形成經修改演現影像,而不改變演現影像之拓撲。
在步驟550中,影像對準模組可對準檢測影像與步驟540中之經修改演現影像。影像對準模組可基於檢測影像與演現影像之間的對準而進一步對準檢測影像與對應參考影像(例如,參考GDS影像)以形成對準影像(例如,圖4A之對準影像460)。對準可基於所應用廻旋濾波器之核大小。舉例而言,若濾波器核之大小小於可在降取樣時實質上保留拓撲的最大核大小,則檢測影像可與對應GDS特徵之中心對準。然而,若核濾波器之大小大於最大核大小,則對準可由於拓撲將已改變而失敗。
可提供一種非暫時性電腦可讀媒體,其儲存用於控制器(例如,圖1之控制器50)之處理器執行影像檢測、影像獲取、激活帶電粒子源、調整像散校正器之電激勵、調整電子之著陸能量、調整物鏡激勵、載物台運動控制、激活光束偏轉器以偏轉初級電子束、施加包括AC電壓之電激勵信號等的指令。非暫時性媒體之常見形式包括例如軟碟、可撓性磁碟、硬碟、固態磁碟機、磁帶或任何其他磁性資料儲存媒體、緊密光碟唯讀記憶體(CD-ROM)、任何其他光學資料儲存媒體、任何具有孔圖案之實體媒體、隨機存取記憶體(RAM)、可程式化唯讀記憶體(PROM)及可抹除可程式化唯讀記憶體(EPROM)、FLASH-EPROM或任何其他快閃記憶
體、非揮發性隨機存取記憶體(NVRAM)、快取記憶體、暫存器、任何其他記憶體晶片或卡匣及其網路化版本。
可使用以下條項進一步描述實施例:
1.一種影像對準方法,其包含:獲得一樣本之一影像;獲得與一對應參考影像相關聯之資訊;藉由修改該對應參考影像之一演現影像以使得實質上保留該演現影像之一拓撲來產生一經修改演現影像;及對準該樣本之該影像與該經修改演現影像。
2.如條項1之方法,其進一步包含基於該樣本之該影像與該經修改演現影像之間的一對準來對準該樣本之該影像與該對應參考影像。
3.如條項1及2中任一項之方法,其進一步包含基於該演現影像之該拓撲之一特性來修改該演現影像。
4.如條項3之方法,其中該拓撲之該特性包含一特徵之一大小、一形狀、一定向或一邊界,或該演現影像之鄰近特徵之間的一間隔。
5.如條項1至4中任一項之方法,其中修改該演現影像包含基於一降取樣比例降取樣該演現影像,該降取樣比例基於該拓撲之該特性。
6.如條項5之方法,其中降取樣該演現影像係基於實質上保留該演現影像之該拓撲的該降取樣比例之一最大值。
7.如條項5及6中任一項之方法,其中使用一凸模糊函數執行降取樣該演現影像。
8.如條項7之方法,其中該凸模糊函數包含一橢圓函數。
9.如條項5至8中任一項之方法,其中降取樣該參考影像引起該演
現影像之模糊。
10.如條項1至9中任一項之方法,其中該樣本之該影像包含一帶電粒子束影像、一光學影像或一數位影像。
11.如條項1至10中任一項之方法,其中與該參考影像相關聯之該資訊包含呈圖形資料庫系統(GDS)格式、圖形資料庫系統II(GDS II)格式或一開放原圖系統互換標準(OASIS)格式的資訊。
12.一種影像對準系統,其包含:一記憶體,其儲存一指令集;及一處理器,其經組態以執行該指令集以使得該影像對準系統:獲得一樣本之一影像;獲得與一對應參考影像相關聯之資訊;藉由修改該對應參考影像之一演現影像以使得實質上保留該演現影像之一拓撲來產生一經修改演現影像;及對準該樣本之該影像與該經修改演現影像。
13.如條項12之系統,其中該指令集進一步使得該影像對準系統基於該樣本之該影像與該經修改演現影像之間的一對準來對準該樣本之該影像與該對應參考影像。
14.如條項12及13中任一項之系統,其中該指令集進一步使得該影像對準系統基於該演現影像之該拓撲之一特性來修改該演現影像,且其中該拓撲之該特性包含一特徵之一大小、一形狀、一定向或一邊界,或該演現影像之鄰近特徵之間的一間隔。
15.如條項14之系統,其中該指令集進一步使得該影像對準系統基於一降取樣比例降取樣該演現影像,該降取樣比例基於該拓撲之該特性,
且其中降取樣係基於實質上保留該演現影像之該拓撲的該降取樣比例之一最大值。
16.如條項14之系統,其中該指令集進一步使得該影像對準系統使用包含一橢圓函數之一凸模糊函數來降取樣該演現影像。
17.一種非暫時性電腦可讀媒體,其儲存一指令集,該指令集可由一設備之一或多個處理器執行以使得該設備進行一影像對準方法,該方法包含:獲得一樣本之一影像;獲得與一對應參考影像相關聯之資訊;藉由修改該對應參考影像之一演現影像以使得實質上保留該對應演現影像之一拓撲來產生一經修改演現影像;及對準該樣本之該影像與該經修改演現影像。
18.如條項17之電腦可讀媒體,其中該指令集可執行以進一步使得該設備基於該樣本之該影像與該經修改演現影像之間的一對準來對準該樣本之該影像與該對應參考影像。
19.如條項17及18中任一項之電腦可讀媒體,其中該指令集可執行以進一步使得該設備基於一降取樣比例降取樣該演現影像,該降取樣比例基於該拓撲之該特性,其中該降取樣係基於實質上保留該演現影像之該拓撲的該降取樣比例之一最大值。
20.一種影像對準方法,其包含:獲得一樣本之一影像;獲得與一對應參考影像相關聯之資訊;藉由模糊該對應參考影像之一演現影像以使得實質上保留該演現影
像之一拓撲來產生一經修改演現影像,其中一模糊程度係基於該拓撲之一特性;及對準該樣本之該影像與該經模糊演現影像。
21.如條項20之方法,其進一步包含基於該樣本之該影像與該經模糊演現影像之間的一對準來對準該樣本之該影像與該對應參考影像。
22.如條項20及21中任一項之方法,其中模糊該演現影像包含基於一降取樣比例降取樣該演現影像,該降取樣比例基於該拓撲之該特性,且其中該拓撲之該特性包含一特徵之一大小、一形狀、一定向或一邊界,或該演現影像之鄰近特徵之間的一間隔。
23.如條項22之方法,其中降取樣該演現影像係基於實質上保留該演現影像之該拓撲的該降取樣比例之一最大值。
24.如條項22及23中任一項之方法,其中使用包含一橢圓函數之一凸模糊函數執行降取樣該演現影像。
25.一種影像對準系統,其包含:一記憶體,其儲存一指令集;及一處理器,其經組態以執行該指令集以使得該影像對準系統:獲得一樣本之一影像;獲得與一對應參考影像相關聯之資訊;藉由模糊該對應參考影像之一演現影像以使得實質上保留該演現影像之一拓撲來產生一經修改演現影像,其中一模糊程度係基於該拓撲之一特性;及對準該樣本之該影像與該經模糊演現影像。
26.如條項25之系統,其中該指令集進一步使得該影像對準系統基
於該樣本之該影像與該經模糊演現影像之間的一對準來對準該樣本之該影像與該對應參考影像。
27.如條項25及26中任一項之系統,其中該指令集進一步使得該影像對準系統基於一降取樣比例降取樣該演現影像,該降取樣比例基於該拓撲之該特性,且其中降取樣係基於實質上保持該演現影像之該拓撲的該降取樣比例之一最大值。
28.如條項27之系統,其中該指令集進一步使得該影像對準系統使用包含一橢圓函數之一凸模糊函數來降取樣該演現影像。
諸圖中之方塊圖說明根據本發明之各種例示性實施例之系統、方法及電腦硬體/軟體產品之可能實施的架構、功能性及操作。就此而言,示意圖中之每一方塊可表示可使用硬體(諸如電子電路)實施之某一算術或邏輯運算處理。區塊亦可表示包含用於實施指定邏輯功能之一或多個可執行指令的程式碼之模組、區段或部分。應理解,在一些替代實施方案中,方塊中所指示之功能可不按圖中所提及之次序出現。舉例而言,取決於所涉及之功能性,連續展示之兩個方塊可實質上同時執行或實施,或兩個方塊有時可以相反次序執行。亦可省略一些方塊。
應瞭解,本發明之實施例不限於已在上文描述及在隨附圖式中說明之確切構造,且可在不脫離本發明之範疇的情況下作出各種修改及改變。本發明已結合各種實施例進行描述,藉由考慮本文中所揭示之本發明之說明書及實踐,本發明之其他實施例對於熟習此項技術者將為顯而易見的。意欲將本說明書及實例僅視為例示性的,其中本發明之真實範疇及精神由以下申請專利範圍指示。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此,對於熟習此
項技術者將顯而易見,可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下如所描述進行修改。
400:影像對準方法
410:步驟
415:檢測影像
420:步驟
430:步驟
440:參考影像
442:邊界
444:邊界
445:演現影像
450:經修改演現影像
460:對準影像
A:特徵
B:特徵
d:距離/間隔
Claims (15)
- 一種影像對準方法,其包含:獲得一樣本之一影像;獲得與一對應參考影像相關聯之資訊;藉由修改該對應參考影像之一演現影像(rendered image)以使得實質上保留該演現影像之一拓撲(topology)來產生一經修改演現影像;及對準該樣本之該影像與該經修改演現影像。
- 如請求項1之方法,其進一步包含基於該樣本之該影像與該經修改演現影像之間的一對準來對準該樣本之該影像與該對應參考影像。
- 如請求項1之方法,其進一步包含基於該演現影像之該拓撲之一特性來修改該演現影像。
- 如請求項3之方法,其中該拓撲之該特性包含一特徵之一大小、一形狀、一定向或一邊界,或該演現影像之鄰近特徵之間的一間隔。
- 如請求項1之方法,其中修改該演現影像包含基於一降取樣比例降取樣該演現影像,該降取樣比例基於該拓撲之該特性。
- 如請求項5之方法,其中降取樣該演現影像係基於實質上保留該演現影像之該拓撲的該降取樣比例之一最大值。
- 如請求項5之方法,其中使用一凸模糊函數執行降取樣該演現影像。
- 如請求項7之方法,其中該凸模糊函數包含一橢圓函數。
- 如請求項5之方法,其中降取樣該參考影像引起該演現影像之模糊。
- 如請求項1之方法,其中該樣本之該影像包含一帶電粒子束影像、一光學影像或一數位影像。
- 如請求項1之方法,其中與該參考影像相關聯之該資訊包含呈圖形資料庫系統(GDS)格式、圖形資料庫系統II(GDS II)格式或一開放原圖系統互換標準(OASIS)格式的資訊。
- 一種影像對準系統,其包含:一記憶體,其儲存一指令集;及一處理器,其經組態以執行該指令集以使得該影像對準系統:獲得一樣本之一影像;獲得與一對應參考影像相關聯之資訊;藉由修改該對應參考影像之一演現影像以使得實質上保留該演現影像之一拓撲來產生一經修改演現影像;及對準該樣本之該影像與該經修改演現影像。
- 如請求項12之系統,其中該指令集進一步使得該影像對準系統基於該樣本之該影像與該經修改演現影像之間的一對準來對準該樣本之該影像與該對應參考影像。
- 如請求項12之系統,其中該指令集進一步使得該影像對準系統基於該演現影像之該拓撲之一特性來修改該演現影像,且其中該拓撲之該特性包含一特徵之一大小、一形狀、一定向或一邊界,或該演現影像之鄰近特徵之間的一間隔。
- 如請求項14之系統,其中該指令集進一步使得該影像對準系統基於一降取樣比例降取樣該演現影像,該降取樣比例基於該拓撲之該特性,且其中降取樣係基於實質上保留該演現影像之該拓撲的該降取樣比例之一最大值。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US202063126434P | 2020-12-16 | 2020-12-16 | |
US63/126,434 | 2020-12-16 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202240636A TW202240636A (zh) | 2022-10-16 |
TWI807537B true TWI807537B (zh) | 2023-07-01 |
Family
ID=78820373
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW110146871A TWI807537B (zh) | 2020-12-16 | 2021-12-15 | 影像對準方法及系統 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20240037890A1 (zh) |
EP (1) | EP4264373A1 (zh) |
JP (1) | JP2023553368A (zh) |
KR (1) | KR20230119139A (zh) |
CN (1) | CN116615645A (zh) |
IL (1) | IL303653A (zh) |
TW (1) | TWI807537B (zh) |
WO (1) | WO2022128374A1 (zh) |
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- 2021-11-24 WO PCT/EP2021/082773 patent/WO2022128374A1/en active Application Filing
- 2021-11-24 IL IL303653A patent/IL303653A/en unknown
- 2021-11-24 US US18/267,748 patent/US20240037890A1/en active Pending
- 2021-11-24 CN CN202180084304.9A patent/CN116615645A/zh active Pending
- 2021-11-24 JP JP2023532499A patent/JP2023553368A/ja active Pending
- 2021-11-24 KR KR1020237020086A patent/KR20230119139A/ko unknown
- 2021-11-24 EP EP21819114.6A patent/EP4264373A1/en active Pending
- 2021-12-15 TW TW110146871A patent/TWI807537B/zh active
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Publication number | Publication date |
---|---|
CN116615645A (zh) | 2023-08-18 |
IL303653A (en) | 2023-08-01 |
WO2022128374A1 (en) | 2022-06-23 |
US20240037890A1 (en) | 2024-02-01 |
TW202240636A (zh) | 2022-10-16 |
JP2023553368A (ja) | 2023-12-21 |
EP4264373A1 (en) | 2023-10-25 |
KR20230119139A (ko) | 2023-08-16 |
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