TWI806413B - 偵測電路 - Google Patents
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Abstract
一種偵測電路,其包含複數個第一收發電容及複數個第二收發電容。複數個第一收發電容用以收發複數個第一偵測信號,且複數個第一偵測信號各自獨立。複數個第二收發電容用以收發複數個第二偵測信號,且複數個第二偵測信號各自獨立。複數個第一收發電容及複數個第二收發電容交錯排列為陣列。於互容模式,複數個第一收發電容用以輸出複數個第一偵測信號,且複數個第二收發電容用以接收複數個第一偵測信號。
Description
本案係與偵測電路有關,且特別是有關於一種應用於觸控面板之偵測電路。
現行觸控面板的偵測與電容值的變化有關,當觸控面板使用一段時間,觸控偵測器與面板間的距離(air gap)發生改變,會導致電容值的變化,讓系統誤以為有偵測到手指做觸碰的動作,此外,偵測訊號源若有雜訊(noise)產生,同樣會讓系統產生誤判。
發明內容旨在提供本揭示內容的簡化摘要,以使閱讀者對本揭示內容具備基本的理解。此發明內容並非本揭示內容的完整概述,且其用意並非在指出本案實施例的重要/關鍵元件或界定本案的範圍。
本案內容之一技術態樣係關於一種偵測電路。偵測電路包含複數個第一收發電容及複數個第二收發電容。複數個第一收發電容用以收發複數個第一偵測信號,且複數個第一偵測信號各自獨立。複數個第二收發電容用以收發複數個第二偵測信號,且複數個第二偵測信號各自獨立。複數個第一收發電容及複數個第二收發電容交錯排列為陣列。於自容模式,複數個第一收發電容用以輸出複數個第一偵測信號且接收複數個第一偵測信號,且複數個第二收發電容用以輸出複數個第二偵測信號且接收複數個第二偵測信號。於互容模式,複數個第一收發電容用以輸出複數個第一偵測信號,且複數個第二收發電容用以接收複數個第一偵測信號。複數個第一收發電容在陣列的任一行及任一列上彼此互不相鄰,且複數個第一收發電容在陣列的任一對角線、任一次對角線及任一超對角線上彼此相鄰。複數個第二收發電容在陣列的任一行及任一列上彼此互不相鄰,且複數個第二收發電容在陣列的任一對角線、任一次對角線及任一超對角線上彼此相鄰。
因此,根據本案之技術內容,本案實施例所示之偵測電路得以判別手指與雜訊,以達到觸碰功能正常之效果。
在參閱下文實施方式後,本案所屬技術領域中具有通常知識者當可輕易瞭解本案之基本精神及其他發明目的,以及本案所採用之技術手段與實施態樣。
為了使本揭示內容的敘述更加詳盡與完備,下文針對了本案的實施態樣與具體實施例提出了說明性的描述;但這並非實施或運用本案具體實施例的唯一形式。實施方式中涵蓋了多個具體實施例的特徵以及用以建構與操作這些具體實施例的方法步驟與其順序。然而,亦可利用其他具體實施例來達成相同或均等的功能與步驟順序。
除非本說明書另有定義,此處所用的科學與技術詞彙之含義與本案所屬技術領域中具有通常知識者所理解與慣用的意義相同。此外,在不和上下文衝突的情形下,本說明書所用的單數名詞涵蓋該名詞的複數型;而所用的複數名詞時亦涵蓋該名詞的單數型。
另外,關於本文中所使用之「耦接」,可指二或多個元件相互直接作實體或電性接觸,或是相互間接作實體或電性接觸,亦可指二或多個元件相互操作或動作。
第1圖係依照本案一實施例繪示一種偵測電路的示意圖。如圖所示,偵測電路100包含複數個第一收發電容Tx及複數個第二收發電容Rx。於連接關係上,複數個第一收發電容Tx及複數個第二收發電容Rx交錯排列為一陣列,複數個第一收發電容Tx在陣列的任一行及任一列上彼此互不相鄰,且複數個第一收發電容Tx在陣列的任一對角線、任一次對角線及任一超對角線上彼此相鄰,複數個第二收發電容Rx在陣列的任一行及任一列上彼此互不相鄰,且複數個第二收發電容Rx在陣列的任一對角線、任一次對角線及任一超對角線上彼此相鄰。
為判別手指與雜訊,本案提供如第1圖所示之偵測電路100的相關操作詳細說明如下所述。
為使偵測電路100之上述操作易於理解,請一併參閱第2圖至第4圖,第2圖係依照本案一實施例繪示一種偵測電路的示意圖,第3圖係依照本案一實施例繪示一種偵測電路操作情境的示意圖,第4圖係依照本案一實施例繪示一種偵測電路操作情境的示意圖。
請一併參閱第1圖至第4圖,在一實施例中,複數個第一收發電容Tx用以收發複數個第一偵測信號,且複數個第一偵測信號各自獨立。然後,複數個第二收發電容Rx用以收發複數個第二偵測信號,且複數個第二偵測信號各自獨立。舉例而言,複數個第一收發電容Tx可以為通道(channel)Ch1~Ch8(如第2圖),複數個第二收發電容Rx可以為通道Ch9~Ch16(如第2圖),但本案不以此為限。
隨後,於自容模式,複數個第一收發電容Tx用以輸出複數個第一偵測信號且接收複數個第一偵測信號,複數個第二收發電容Rx用以輸出複數個第二偵測信號且接收複數個第二偵測信號。請參閱第3圖,舉例而言,複數個第一收發電容Tx可以為通道Ch1,複數個第一偵測信號可以為第一偵測信號S1,通道Ch1用以輸出第一偵測信號S1且接收第一偵測信號S1,複數個第二收發電容Rx可以為通道Ch9,複數個第二偵測信號可以為第二偵測信號S2,通道Ch9用以輸出第二偵測信號S2且接收第二偵測信號S2,但本案不以此為限。
然後,於互容模式,複數個第一收發電容Tx用以輸出複數個第一偵測信號,複數個第二收發電容Rx用以接收複數個第一偵測信號。請參閱第4圖,舉例而言,複數個第一偵測信號可以為第一偵測信號M1,複數個第一收發電容Tx可以為通道Ch1,複數個第二收發電容Rx可以為通道Ch9,通道Ch1用以輸出第一偵測信號M1,通道Ch9用以接收第一偵測信號M1,但本案不以此為限。
第5圖係依照本案一實施例繪示一種偵測電路的示意圖。請一併參閱第1圖及第5圖,在一實施例中,複數個第一收發電容Tx包含第一電容(例如通道Ch1),且複數個第二收發電容Rx包含第二電容(例如通道Ch9)。
在一實施例中,於陣列的第一列中第一電容(例如通道Ch1)耦接於第二電容(例如通道Ch9)。
請一併參閱第3圖及第5圖,在一實施例中,於自容模式,第一電容(例如通道Ch1)用以輸出第一自容偵測信號S1且接收第一自容偵測信號S1,且第二電容(例如通道Ch9)用以輸出第二自容偵測信號S2且接收第二自容偵測信號S2。
請一併參閱第4圖及第5圖,在一實施例中,於互容模式,第一電容(例如通道Ch1)用以輸出第一互容偵測信號M1,第二電容(例如通道Ch9)用以接收第一互容偵測信號M1。
請參閱第5圖,在一實施例中,複數個第一收發電容Tx包含第三電容(例如通道Ch2),複數個第二收發電容Rx包含第四電容(例如通道Ch10)。
在一實施例中,於陣列的第一列中第三電容(例如通道Ch2)耦接於第二電容(例如通道Ch9)。
在一實施例中,於陣列的第一列中第四電容(例如通道Ch10)耦接於第三電容(例如通道Ch2)。
請一併參閱第3圖及第5圖,在一實施例中,於自容模式,第三電容(例如通道Ch2)用以輸出第三自容偵測信號S3且接收第三自容偵測信號S3,且第四電容(例如通道Ch10)用以輸出第四自容偵測信號S4且接收第四自容偵測信號S4。
請一併參閱第4圖及第5圖,在一實施例中,於互容模式,第三電容(例如通道Ch2)用以輸出第二互容偵測信號M2,第四電容(例如通道Ch10)用以接收第二互容偵測信號M2。
第6圖係依照本案一實施例繪示於各個階段的接收多個信號的示意圖。請一併參閱第3圖、第5圖及第6圖,在一實施例中,於自容模式的第一自容操作階段(例如T1_self),第一電容(例如通道Ch1)用以輸出第一自容偵測信號S1且同時接收第一自容偵測信號S1。然後,第二電容(例如通道Ch9)用以輸出第二自容偵測信號S2且同時接收第二自容偵測信號S2。
隨後,第三電容(例如通道Ch2)用以輸出第三自容偵測信號S3且同時接收第三自容偵測信號S3。再來,第四電容(例如通道Ch10)用以輸出第四自容偵測信號且同時接收第四自容偵測信號。舉例而言,在第一自容操作階段(例如T1_self)內可以視為同時,但本案不以此為限。
第7圖係依照本案一實施例繪示於各個階段的接收多個信號的示意圖。請一併參閱第4圖、第5圖及第7圖,在一實施例中,於互容模式的第一互容操作階段(例如T1_mutual),第一電容(例如通道Ch1)用以輸出第一互容偵測信號M1。然後,第二電容(例如通道Ch9)用以同時接收第一互容偵測信號M1。
隨後,第三電容(例如通道Ch2)用以同時輸出第二互容偵測信號M2。再來,第四電容(例如通道Ch10)用以同時接收第二互容偵測信號M2。舉例而言,在第一互容操作階段(例如T1_mutual)內可以視為同時,但本案不以此為限。
第8圖係依照本案一實施例繪示一種偵測電路的示意圖。請一併參閱第1圖及第8圖,在一實施例中,複數個第一收發電容Tx包含第三電容(例如通道Ch3),複數個第二收發電容Rx包含第四電容(例如通道Ch11)。
在一實施例中,於陣列的第一列中第一電容(例如通道Ch1)耦接於第二電容(例如通道Ch9)。
在一實施例中,於陣列的第一行中第四電容(例如通道Ch11)耦接於第一電容(例如通道Ch1)。
在一實施例中,於陣列的第二列中第三電容(例如通道Ch3)耦接於第四電容(例如通道Ch11),第三電容(例如通道Ch3)耦接於第二電容(例如通道Ch9)。
第9圖係依照本案一實施例繪示一種偵測電路操作情境的示意圖。請一併參閱第8圖及第9圖,在一實施
例中,於自容模式,第三電容(例如通道Ch3)用以輸出第三自容偵測信號S3且接收第三自容偵測信號S3,且第四電容(例如通道Ch11)用以輸出第四自容偵測信號S4且接收第四自容偵測信號S4。
第10圖係依照本案一實施例繪示一種偵測電路操作情境的示意圖。請一併參閱第8圖及第10圖,在一實施例中,於互容模式,第三電容(例如通道Ch3)用以輸出第二互容偵測信號M2,且第四電容(例如通道Ch11)用以接收第二互容偵測信號M2。
請一併參閱第6圖、第8圖及第9圖,在一實施例中,於自容模式的第一自容操作階段(例如T1_self),第一電容(例如通道Ch1)用以輸出第一自容偵測信號S1且同時接收第一自容偵測信號S1,第二電容(例如通道Ch9)用以輸出第二自容偵測信號S2且同時接收第二自容偵測信號S2,第三電容(例如通道Ch3)用以輸出第三自容偵測信號S3且同時接收第三自容偵測信號S3,且第四電容(例如通道Ch11)用以輸出第四自容偵測信號S4且同時接收第四自容偵測信號S4。舉例而言,在第一自容操作階段(例如T1_self)內可以視為同時,但本案不以此為限。
請一併參閱第7圖、第8圖及第10圖,在一實施例中,於互容模式的第一互容操作階段(例如T1_mutual),第一電容(例如通道Ch1)用以輸出第一互容偵測信號M1,第二電容(例如通道Ch9)用以同時接收第一互容偵測信號M1,第三電容(例如通道Ch3)用以同時輸出第二互容偵測信號M2,第四電容(例如通道Ch11)用以同時接收第二互容偵測信號M2。舉例而言,在第一互容操作階段(例如T1_mutual)內可以視為同時,但本案不以此為限。
請參閱第2圖及第6圖,在一實施例中,自容模式包含n個自容操作階段(例如T1_self至Tn_self),且n為大於零之整數。
請參閱第2圖及第7圖,在一實施例中,互容模式包含n個互容操作階段(例如T1_mutual至Tn_mutual),其中n為大於零之整數。
第11圖係依照本案一實施例繪示一種偵測電路操作情境的示意圖。如圖所示,在一實施例中,偵測電路包含偵測器,在於觸碰時間中,偵測器一併接收複數自容偵測信號及複數互容偵測信號後算點。舉例而言,算點可以為偵測器一併接收複數自容偵測信號及複數互容偵測信號後計算觸碰信號的座標(例如xy座標)位置,但本案不以此為限。
請一併參閱第2圖、第9圖至第11圖,在一實施例中,於自容模式及互容模式下,皆有接收到複數自容偵測信號(Self sensing)及複數互容偵測信號(Mutual sensing),則可判斷觸碰信號為手指(finger)觸發的信號。
在一實施例中,於自容模式及互容模式下,僅接收到複數自容偵測信號(Self sensing),則可判斷觸碰信號為雜訊(noise)或面板間的距離(air gap)產生變化,而造成形變觸發的信號。舉例而言,當判斷觸碰信號為雜訊(noise)或面板間的距離(air gap)產生變化,而造成形變觸發的信號時,可以校正(calibration)或忽略(drop frame)此雜訊或形變觸發的信號,此外,雜訊(noise)可以來自共電極直流電壓OVSS,但本案不以此為限。
由上述本案實施方式可知,應用本案具有下列優點。本案實施例所示之偵測電路得以判別手指與雜訊,以達到觸碰功能正常之效果。
雖然上文實施方式中揭露了本案的具體實施例,然其並非用以限定本案。請注意,前揭圖式中,元件之形狀、尺寸及比例等僅為示意,係供本案所屬技術領域具有通常知識者瞭解本案之用,非用以限制本案。本案所屬技術領域中具有通常知識者,在不悖離本案之原理與精神的情形下,當可對其進行各種更動與修飾,因此本案之保護範圍當以附隨申請專利範圍所界定者為準。
100,100A,100B,100C:偵測電路
Tx:第一收發電容
Rx:第二收發電容
IC:驅動晶片
CG:蓋玻璃
OVSS:共電極直流電壓
Vref_TP:參考訊號
Ch1:第一電容(通道)
Ch2:第三電容(通道)
Ch3:第三電容(通道)
Ch4~Ch8:通道
Ch9:第二電容(通道)
Ch10:第四電容(通道)
Ch11:第四電容(通道)
Ch12~Ch16:通道
S1:第一偵測信號(第一自容偵測信號)
S2:第二偵測信號(第二自容偵測信號)
S3:第三自容偵測信號
S4:第四自容偵測信號
S5~S16:自容信號
M1:第一偵測信號(第一互容偵測信號)
M2:第二互容偵測信號
M3~M8:互容信號
T1_self:第一自容操作階段(自容操作階段)
T2_self~Tn_self:自容操作階段
T1_mutual:第一互容操作階段(互容操作階段)
T2_mutual~Tn_mutual:互容操作階段
driving1~dringN:操作階段
為讓本案之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂,所附圖式之說明如下:
第1圖係依照本案一實施例繪示一種偵測電路的示意圖。
第2圖係依照本案一實施例繪示一種偵測電路的示意圖。
第3圖係依照本案一實施例繪示一種偵測電路操作情境的示意圖。
第4圖係依照本案一實施例繪示一種偵測電路操作情境的示意圖。
第5圖係依照本案一實施例繪示一種偵測電路的示意圖。
第6圖係依照本案一實施例繪示於各個階段的接收多個信號的示意圖。
第7圖係依照本案一實施例繪示於各個階段的接收多個信號的示意圖。
第8圖係依照本案一實施例繪示一種偵測電路的示意圖。
第9圖係依照本案一實施例繪示一種偵測電路操作情境的示意圖。
第10圖係依照本案一實施例繪示一種偵測電路操作情境的示意圖。
第11圖係依照本案一實施例繪示一種偵測電路操作情境的示意圖。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記)
無
國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記)
無
100:偵測電路
Tx:第一收發電容
Rx:第二收發電容
IC:驅動晶片
Claims (20)
- 一種偵測電路,包含:複數個第一收發電容,用以收發複數個第一偵測信號,且該些第一偵測信號各自獨立;以及複數個第二收發電容,用以收發複數個第二偵測信號,且該些第二偵測信號各自獨立,其中該些第一收發電容及該些第二收發電容交錯排列為一陣列,其中於一自容模式,該些第一收發電容用以輸出該些第一偵測信號且接收該些第一偵測信號,且該些第二收發電容用以輸出該些第二偵測信號且接收該些第二偵測信號,其中於一互容模式,該些第一收發電容用以輸出該些第一偵測信號,且該些第二收發電容用以接收該些第一偵測信號,其中該些第一收發電容在該陣列的任一行及任一列上彼此互不相鄰,且該些第一收發電容在該陣列的任一對角線、任一次對角線及任一超對角線上彼此相鄰,其中該些第二收發電容在該陣列的該任一行及該任一列上彼此互不相鄰,且該些第二收發電容在該陣列的該任一對角線、該任一次對角線及該任一超對角線上彼此相鄰。
- 如請求項1所述之偵測電路,其中該些第一收發電容包含一第一電容,其中該些第二收發電容包含一第二電容。
- 如請求項2所述之偵測電路,其中於該陣列的一第一列中該第一電容耦接於該第二電容。
- 如請求項3所述之偵測電路,其中於該自容模式,該第一電容用以輸出一第一自容偵測信號且接收該第一自容偵測信號,且該第二電容用以輸出一第二自容偵測信號且接收該第二自容偵測信號。
- 如請求項4所述之偵測電路,其中於該互容模式,該第一電容用以輸出一第一互容偵測信號,且該第二電容用以接收該第一互容偵測信號。
- 如請求項4所述之偵測電路,其中該些第一收發電容包含一第三電容,其中該些第二收發電容包含一第四電容。
- 如請求項6所述之偵測電路,其中於該陣列的該第一列中該第三電容耦接於該第二電容,其中於該陣列的該第一列中該第四電容耦接於該第三電容。
- 如請求項7所述之偵測電路,其中於該自容模式,該第三電容用以輸出一第三自容偵測信號且接收該第三自容偵測信號,且該第四電容用以輸出一第四自容偵測信號且接收該第四自容偵測信號。
- 如請求項8所述之偵測電路,其中於該互容模式,該第三電容用以輸出一第二互容偵測信號,且該第四電容用以接收該第二互容偵測信號。
- 如請求項9所述之偵測電路,其中於該自容模式的一第一自容操作階段,該第一電容用以輸出該第一自容偵測信號且同時接收該第一自容偵測信號,該第二電容用以輸出該第二自容偵測信號且同時接收該第二自容偵測信號,該第三電容用以輸出該第三自容偵測信號且同時接收該第三自容偵測信號,且該第四電容用以輸出該第四自容偵測信號且同時接收該第四自容偵測信號。
- 如請求項10所述之偵測電路,其中於該互容模式的一第一互容操作階段,該第一電容用以輸出一第一互容偵測信號,該第二電容用以同時接收該第一互容偵測信號,該第三電容用以同時輸出該第二互容偵測信號,且該第四電容用以同時接收該第二互容偵測信號。
- 如請求項2所述之偵測電路,其中於該陣列的一第一列中該第一電容耦接於該第二電容,其中該些第一收發電容更包含一第三電容,其中該些第二收發電容更包含一第四電容。
- 如請求項12所述之偵測電路,其中於該陣列的一第一行中該第四電容耦接於該第一電容。
- 如請求項13所述之偵測電路,其中於該陣列的一第二列中該第三電容耦接於該第四電容,且該第三電容耦接於該第二電容。
- 如請求項14所述之偵測電路,其中於該自容模式,該第三電容用以輸出一第三自容偵測信號且接收該第三自容偵測信號,且該第四電容用以輸出一第四自容偵測信號且接收該第四自容偵測信號。
- 如請求項15所述之偵測電路,其中於該互容模式,該第三電容用以輸出一第二互容偵測信號,且該第四電容用以接收該第二互容偵測信號。
- 如請求項16所述之偵測電路,其中於該自容模式的一第一自容操作階段,該第一電容用以輸出一第一自容偵測信號且同時接收該第一自容偵測信號,該第二電容用以輸出一第二自容偵測信號且同時接收該第二自容偵測信號,該第三電容用以輸出該第三自容偵測信號且同時接收該第三自容偵測信號,且該第四電容用以輸出該第四自容偵測信號且同時接收該第四自容偵測信號。
- 如請求項17所述之偵測電路,其中於該互容模式的一第一互容操作階段,該第一電容用以輸出一第一互容偵測信號,該第二電容用以同時接收該第一互容偵測信號,該第三電容用以同時輸出該第二互容偵測信號,且該第四電容用以同時接收該第二互容偵測信號。
- 如請求項1所述之偵測電路,其中該自容模式包含n個自容操作階段,其中n為大於零之整數。
- 如請求項1所述之偵測電路,其中該互容模式包含n個互容操作階段,其中n為大於零之整數。
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