TWI802870B - 使用經組態有高軸向及徑向感測器密度以及增強之分裂伽瑪量測敏感度的ｓｉｃ肖特基二極體的固定核心內偵測器設計 - Google Patents
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- TWI802870B TWI802870B TW110114574A TW110114574A TWI802870B TW I802870 B TWI802870 B TW I802870B TW 110114574 A TW110114574 A TW 110114574A TW 110114574 A TW110114574 A TW 110114574A TW I802870 B TWI802870 B TW I802870B
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 title description 32
- 238000013461 design Methods 0.000 title description 15
- 230000004992 fission Effects 0.000 title description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 title description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 54
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 28
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 86
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 10
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 2
- 230000004044 response Effects 0.000 abstract description 5
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 abstract description 3
- 238000001730 gamma-ray spectroscopy Methods 0.000 abstract description 2
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 abstract 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 29
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 22
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 8
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 7
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 5
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000013467 fragmentation Methods 0.000 description 4
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical group O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 3
- 238000003947 neutron activation analysis Methods 0.000 description 3
- 239000003758 nuclear fuel Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 238000012552 review Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N [C].[Si] Chemical compound [C].[Si] HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 description 1
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000035755 proliferation Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/36—Measuring spectral distribution of X-rays or of nuclear radiation spectrometry
- G01T1/366—Measuring spectral distribution of X-rays or of nuclear radiation spectrometry with semi-conductor detectors
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/36—Measuring spectral distribution of X-rays or of nuclear radiation spectrometry
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/115—Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation
- H01L31/118—Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation of the surface barrier or shallow PN junction detector type, e.g. surface barrier alpha-particle detectors
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L31/1812—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table including only AIVBIV alloys, e.g. SiGe
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E30/00—Energy generation of nuclear origin
- Y02E30/30—Nuclear fission reactors
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Molecular Biology (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
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- Monitoring And Testing Of Nuclear Reactors (AREA)
Abstract
一種用於量測一中子輻照材料之伽瑪光譜的系統包括複數個半導體感測器。該等半導體感測器中之每一者包括一伽瑪射線收容表面，該伽瑪射線收容表面裝設在與n型摻雜作用層接觸之一肖特基層上方。該收容表面經組態以在由伽瑪射線輻照時發射電子。該收容表面接觸一可調整伸縮式安裝件，該可調整伸縮式安裝件經組態以調整該收容表面與該肖特基層之間的距離。該n型摻雜層係製造為具有經設計以使具有大於一所定義能量之電子穿過的一厚度。可調整收容表面與作用層厚度之組合定義該等感測器中之每一者的一最小及最大能量回應。多個感測器可整合於一陣列中，其中每一感測器具有其自身的能量回應。此等感測器之一陣列可量測由中子輻照之一材料的伽瑪能譜。
Description
本發明係關於輻射偵測器，且更特定而言，係關於用於量測分裂伽瑪輻射以進行功率分佈量測之複數個肖特基二極體的總成。
伽瑪輻射係藉由核衰變(諸如，核反應器中發生之核分裂)產生。核反應器配備有量測系統以偵測及量測伽瑪輻射。然而，新的核燃料及反應器設計之增加對現有量測系統確認燃料設計效能預測及在燃料循環中之整個反應器操作中詳細地量測操作效能的能力提出了挑戰。
核反應器設計依賴於對核心設計及燃料效能預計之軟體模擬以及反應器組件在正常操作條件中及多種事故情境兩者中之效能預計。最終將軟體效能預計與在正常操作條件下之實際量測結果或其在測試反應器、商業或測試反應器中之模擬進行比較。
早期的數代輕水反應器(light water reactor；LWR)設計利用微型分裂腔室，該等腔室沿著反應器中之燃料總成的大約三分之一的長度連續地量測中子通量，以作為功率分佈量測及核心設計軟體方法之基準。此類型之量測系統被稱作可移動核心內偵測器系統(Movable In-core Detector System；MIDS)。由MIDS量測系統提供之精細隔開的軸向中子分佈量測解析度(~2.4吋)允許對許多燃料效能問題進行識別及診斷，該等效能問題導致顯著的反應器操作問題，諸如燃料棒彎曲、燃料棒外部上影響傳熱器反應性之碎屑沈積物及入口流量分佈不對稱性。與MIDS之使用相關聯的主要負面操作問題為與相關聯管道及感測器之使用相關聯的複雜度、所需大小以及操作及維護成本。
被稱作固定核心內偵測器(fixed in-core detector；FID)系統之當代反應器功率分佈量測系統依賴於反應器核心內部之固定軸向及徑向部位中的有限數目個輻射感測器。圖1描繪相較於MIDS偵測器系統之FID偵測器系統之使用的態樣600。如圖1上所指示，來自FID感測器之信號表示在由感測元件之有效長度界定的固定軸向區上的平均反應器功率。典型的Rh FID偵測器系統組態610之一個實施例說明約12吋之偵測器的軸向間隔613。OPARSSEL V偵測器系統組態620之第二實施例說明約24吋之偵測器的軸向間隔623。燃料總成FID量測之徑向分佈需要且限於與反應器壓力槽中之穿透相關聯的部位。FID系統之必要平均化及徑向分佈部位約束使得難以觀測到高度局部化及詳細量測結果與所預測功率分佈及長期操作特性之間的差異。舉例而言，覆疊的通量分佈曲線圖630描繪所量測通量分佈對比追蹤點或反應器核心深度。對於使用多MIDS偵測器組態625獲得之資料，相比藉由Rh FID組態610或OPARSSEL V FIG組態620將可能獲得的解析度，更容易地獲得深度對比通量量測結果之更精細解析度。偵測此等差異之能力對於限定反應器之設計及在燃料及反應器兩者之安全操作中可為關鍵的。
另外，在反應器操作期間產生之核種可藉由使用各種類型之光譜量測(包括中子及伽瑪輻射光譜分析)來偵測及判定。使用現有方法及設備執行伽瑪輻射光譜分析之準確性常常受產生連續關注脈衝之偵測器的有效體積中之不同輻射能量的相互作用限制。其亦適用於足夠小以將其置放於反應器內之數個部位中的伽瑪輻射光譜感測器。本文中揭示一種方法及系統，相比於當前可藉由其他固態伽瑪偵測器光譜分析系統達成之情況，該方法及系統將允許更清晰表示自正被分析之材料發射的伽瑪能量及強度。
本申請案主張2020年4月22日申請之美國臨時申請案第63/013,859號的權益，該申請案之內容特此以全文引用之方式併入本文中。
發明內容是要幫助瞭解所揭露多個具體例獨特的一些創新特徵，且不意圖進行完整描述。從整個的所有說明書、申請專利範圍、發明摘要和附圖可獲得對多個具體例的各種態樣的全面性理解。
本文中描述一種用於核心內功率分佈偵測之總成，其適合於功率分佈量測。該總成通常包括：一細長外殼，其用於置放於一核反應器內；及複數個固態伽瑪輻射偵測器。每一偵測器相對於每一鄰近偵測器以一徑向隔開關係軸向地定位於該外殼內。
每一伽瑪輻射偵測器包括：一肖特基二極體，其具有一作用半導體區及在該作用半導體區之至少一部分上方的一肖特基接點；一歐姆接觸層，其在該作用半導體區之至少一部分下方；一康普頓及光電子源材料之一層，其與入射伽瑪輻射反應以與環繞該源材料之源原子的電子相互作用，從而產生高能康普頓及光電電子以穿過肖特基接點穿透至該蕭特基二極體之該作用區中，該康普頓及光電子源材料之該層支撐於該肖特基接點上方；一流體層，其介入該該肖特基接點與該康普頓及光電子源材料之該層之間；以及一第一引線，其接近該源材料自該輻射偵測器向上延伸；及一第二引線，其接近該歐姆接觸層自該輻射偵測器向上延伸。該等偵測器在該外殼內隔開使得每一偵測器之該第一引線及該第二引線與該複數個偵測器中之其他者中之每一者的該第一引線及該第二引線間隔開。
每一偵測器可由一中間層及一外部層覆蓋。在各種態樣中，該中間層為一氧化鋁層。在各種態樣中，該外部層為一不鏽鋼層。
在各種態樣中，可調整該肖特基接點與該康普頓及光電子源材料之該層之間的距離。在各種態樣中，可調整該距離以僅偵測最高能量瞬發分裂伽瑪輻射。舉例而言，可調整該距離以偵測大於約5 MeV之分裂伽瑪輻射。
除非上下文另外清楚地規定，否則如本文中所使用之單數形式「一(a/an)」及「該(the)」包括複數個參考物。
除非另外明確地陳述，否則本文中所使用之方向性片語，諸如但不限於頂部、左下方、右方、下部、上部、前部、背部及其變化形式，應關於附圖中所展示之元件之定向且不對申請專利範圍進行限制。
在本申請案中，包括申請專利範圍，除非另外指示，否則表示數量、值或特性之所有數字應被理解為在所有情況下由「約」字修飾。因此，即使字詞「約」可能未與數字一起明確地出現，但亦可將數字讀成如同前面具有「約」字。因此，除非有相反指示，否則在以下描述中所闡述之任何數值參數可取決於試圖在根據本公開之組合物及方法中獲得的所需性質而變化。至少且不試圖將等效物原則之應用限制於申請專利範圍之範圍，本說明書中所描述之每一數值參數應至少鑒於所報告之有效數位的數目且藉由應用一般捨入技術來解釋。
本說明書所列舉的任何數值範圍意欲包括其中涵蓋的所有子範圍。舉例而言，範圍「1至10」意欲包括介於(且包括)所列舉的最小值1和所列舉的最大值10之間的所有子範圍，即是，具有等於或大於1的一最小值，及具有等於或小於10的一最大值。
如本文中所使用，「軸向」意謂在軸線之方向上或與軸線對準之方向。關於兩個或多於兩個物件，軸向意謂物件沿著軸線定位，與軸線同軸對準或平行於軸線。
如本文中所使用，「徑向隔開」意謂兩個或多於兩個物件經定位以使得該等物件沿著圓之弧彼此隔開或沿著半徑置放。
圖4說明適合於所描述之更新進核燃料及反應器設計之功率分佈量測的核心內功率分佈偵測之總成100。總成100使用複數個伽瑪偵測器10' (描繪於圖3及圖7中)，該等偵測器較佳以在彼此頂部之上的方式軸向地定位於諸如管40之細長容器內。偵測器10'各自具有兩個引線26及28。偵測器10'之軸向堆疊沿著細長容器40之長度相對於彼此旋轉，使得每一偵測器10'之引線不會干擾其他偵測器之引線，且最大化可獲得之量測的密度。
在各種態樣中，圖3及圖7中所描繪之偵測器10'可為在標題為「Solid State Radiation detector with Enhanced Gamma Radiation Sensitivity」的美國專利第9,831,375號中所描述之彼等偵測器的修改且以全文引用之方式並出於所有目的而併入本文中。圖2中所描繪之先前所揭示伽瑪偵測器10可包括肖特基二極體，該二極體具有作用半導體區及在該半導體區之至少一部分上方的肖特基接點。在本文中及在美國專利第9,831,375號中所描述之偵測器10包括由例如鎢製成之歐姆接觸層12，該歐姆接觸層定位於碳化矽導電基板14之下，該基板由磊晶碳化矽層16覆蓋。在各種態樣中，基板14之厚度為大約300微米，且在各種態樣中，磊晶層16之厚度為大約3至100微米。磊晶碳化矽層16由肖特基接點18覆蓋。肖特基接點18可由厚度為約1微米之諸如鉑或金的任何高度導電金屬形成。
將例如由鉑或另一合適的高原子供體材料(諸如，氟化鋰或鎢)製成之康普頓及光電子源材料20的薄層定位於肖特基接點18之至少一部分上方且與其隔開，從而界定間隙22，該間隙將回應於入射伽瑪輻射而釋放將穿透作用區16且促進帶電粒子收集於區14中之電子。回應於入射伽瑪輻射，源或電子輻射體材料20將釋放將穿透作用區16且促進帶電粒子收集於作用區中之電子。
由肖特基接點18與所添加源層20之間的間隙22界定之距離為可調整的，且較佳在電子供體層20與肖特基接點18之間包括具有低有效原子序數及可忽略電導之流體，諸如在1個大氣壓與在70°F (21℃)時小於或等於20百分比之相對濕度下的空氣性質。具有已知密度及電子衰減特性之任何此類流體可用於間隙22中。
源層20與肖特基接點18之間的間隙22確保僅由具有所要能量之伽瑪輻射產生的電子將有助於所量測信號。
源層20之所使用材料及厚度係基於以待由終端使用者偵測為目標之伽瑪輻射的能量範圍而選擇。添加可調整電子供體層(由環繞層24之伸縮式套筒象徵性地表示)，亦即，厚度及與肖特基接點18之距離可調整，允許伽瑪輻射與環繞供體材料20中之源原子的電子相互作用，以在供體層內部產生穿透至碳化矽偵測器10之作用區16中的高能康普頓及光電電子。間隙22中之介入流體的厚度控制供體電子之能量，使得該等電子收集於作用區中。
在固定時間量內沈積之電荷將與入射於層20上之伽瑪輻射的能量成比例，因此可自對來自碳化矽裝置之電輸出之適當分析來判定伽瑪能量及伽瑪輻射強度兩者。
如圖3及圖7中所展示，上文所描述之偵測器10可經修改(偵測器10')以在歐姆接觸層12與導電層14之間包括絕緣層34。絕緣層34防止電子之放電及鎢歐姆接點12之短路。在各種態樣中，經修改偵測器10'之作用區包括SiC層14及16。磊晶層16可由已輕微摻雜有額外電子源(n-
)之SiC製成。在此上下文中，輕微摻雜可對應於約1014
cm-3
至約1016
cm-3
之電子供給元素濃度。導電層14可由已更重度摻雜有額外電子源(n+
)之SiC形成。在此上下文中，重度摻雜可對應於約1018
cm-3
至約1020
cm-3
之電子供給元素濃度。重度摻雜區可保證至歐姆接點之較佳電子輸送。反向偏壓耗盡n-區16中之電子，且電離輻射在耗盡區中產生電子-電洞對。在接點上之所施加電壓的影響下，電荷可接著收集於歐姆接點處。
在替代態樣中，作用區可包含磊晶層16，該磊晶層包括兩個區：厚度為約1微米之一個正摻雜層及厚度為約3至10微米之一個負摻雜層。在各種態樣中，導電層14可包括氫離子。
偵測器10'極小，小於約5 mm3
。SiC偵測器較佳經組態以藉由調整源材料20與SiC磊晶層16之n-
區之間的距離來僅偵測最高能量瞬發分裂伽瑪輻射(＞~5 MeV)。
再次參看圖3及圖7，偵測器10'之外表面由中間層30覆蓋，該中間層在各種態樣中由氧化鋁(Al2
O3
)或氧化鎂(MgO)製成，且充當電介質，且除了不鏽鋼殼體以外，亦將偵測器中之導電材料彼此隔離。中間層30較佳由外部層32覆蓋，該外部層由不鏽鋼或Iconel™製成且充當向偵測器10'提供結構完整性之殼體。
亦由氧化鋁層30及外部不鏽鋼層32覆蓋之第一引線26在點44處源材料層20附近自偵測器10'之頂部延伸。亦由氧化鋁層30及外部不鏽鋼層32覆蓋之第二引線28在點46處歐姆接觸層12附近自偵測器10'之底部延伸。第一引線26及第二引線28在偵測器10'之相對側上。在徑向組態中，偵測器10'之第一引線26及第二引線28可例如定位成彼此隔開180°。第一引線與第二引線之間的距離在圖3至圖5及圖7中由表示電壓差之ΔV標示。
圖4及圖5說明偵測器10'之配置，該偵測器包含用於功率分佈量測之總成100的具體例。偵測器
10'經展示為容納於諸如儀器管40之細長容器中，該容器在使用中將定位於反應壓力槽中，例如鄰近燃料棒。管40之內表面與偵測器10'之外表面之間的距離界定填充有空氣、氬氣或另一惰性氣體之開放空間42。
圖4為總成100之軸向示意圖，出於說明之目的，該圖僅展示三個軸向隔開之偵測器。圖5為圖3中所展示之總成100的橫剖面圖，其展示管40及偵測器10'配置，展示分開達標示為ΔV1、ΔV2及ΔV3之距離的引線26/28之三個集合及由ΔVn標示之另一集合，以指示n可為額外偵測器10'之任何數目。在使用中，將存在複數個偵測器10'。舉例而言，多達61個偵測器10'可置放於核反應器(未圖示)中所使用之典型儀器管40中。任何管40中之偵測器10'的數目將取決於管之長度及反應器之量測需要而變化。偵測器10'將經配置以使得每一偵測器10'之引線26/28與管40中之其餘偵測器10'的引線26/28徑向隔開。
此方法將基本上消除分裂產物伽瑪輻射在所量測信號中之貢獻。在各種態樣中，SiC偵測器10'定位於在乾管40內部且沿著其長度緊密地隔開之不同位置處，該乾管具有足夠小以例如裝配於燃料總成中心儀器套管或反應器內部或或周圍之其他策略量測部位內部及/或反應器壓力槽內部的外徑。如本文中所使用，「緊密地隔開」意謂小於約十二吋，且在各種態樣中，小於或等於約二至三吋，且較佳約2.4吋或小於2.4吋，等於或小於由MIDS量測系統提供之精細隔開軸向中子分佈量測解析度(~2.4吋)中的間隔。
核心設計軟體將已針對位於反應器核心內或周圍之許多SiC偵測器10'中之每一者而偵測到SiC信號回應。小的、緊密地隔開之SiC偵測器10'的使用基本上消除了在長的燃料總成長度上平均化通量量測的影響，如圖 1之630中所展示。如先前所解釋，當前使用之FID系統的必要平均化及徑向分佈部位約束使得難以觀測到高度局部化且詳細量測結果對比所預測功率分佈及長期操作特性之間的差異。本文中所描述之SiC偵測器10'的組態將緊密地模擬MIDS可移動分裂腔室軸向量測密度(例如，每2.4吋一次量測)之分佈，及將能夠解決燃料棒外部存在如柵格、碎屑沈積物之物體對反應器核心的影響，該等物體影響熱傳遞或反應性(例如，CRUD)及局部沸騰。此允許開發軸向通量分佈之更準確合成。所量測信號與所預測偵測器10'信號之間的差異可用以高度詳細地判定核心設計模型化工具之準確性，且產生可用以識別燃料效能異常之存在的高度詳細之核心功率分佈量測。
偵測器100總成可永久地定位於所有燃料總成儀器套管內部或反應器燃料結合體中之製備位置內部。
用以輸出偵測器管40中之偵測器信號的信號引線26/28如圖4及圖5上所展示而定向，以允許在將標準的礦物絕緣纜線設計用於信號引線時達成最大可能的SiC感測元件有效體積表面積及軸向密度。SiC信號將利用共同反應器接地以簡化將所量測電壓差接合至信號處理電子裝置之電連接器的組態。
本文中所描述及展示之偵測器總成100設計的新穎態樣包括例如：
1. 依據偵測器10'在管40內部之軸向位置而變化的旋轉配置之使用最大化可含於管40內之相同偵測器10'的數目且最小化乾管40之所需外徑。
2. 使用總成100中之SiC偵測器10'允許反應器分裂功率分佈之連續量測，該等偵測器藉由調整每一偵測器10'中之間隙22來調節以偵測最大能量瞬發分裂伽瑪能量。此瞬發分裂資訊可用於反應器異常偵測、連續功率分佈監測及單感測器設計之反應器保護。
3. 使用伽瑪敏感SiC偵測器10'總成100設計可允許此總成在反應器之壽命期間保持服務，此係因為無組件會由於輻射曝露而降級或削弱。
4. 圖5上所展示之SiC偵測器設計的熱特性可允許用於壓力水反應器、沸水反應器、高溫氣冷反應器及液體金屬冷卻反應器之設計中。
原則上，圖4及圖5中所展示之輻射偵測器總成100設計及組態可取代核反應器操作中所使用之所有其他輻射感測器。此外，自當前量測系統轉變至本文中所描述之輻射偵測器總成100的努力應非常容易且具成本效益。
在核反應器中，冷卻劑通過燃料通道之流動速率將為已知的且可視需要藉由已知技術連續或週期性地量測。可選擇將預期在包覆管中存在洩漏之情況下以足夠量存在從而產生可量測伽瑪輻射的分裂產物。例示性分裂產物為La140
，此係因為其為使用UO2
作為可裂材料之反應器中最普遍分裂產物中之一者。另外，在冷卻劑中存在其他分裂產物之情況下監測改變可為有用的，該等產物產生相對較低能量的伽瑪輻射，諸如自Xe135
發射的瞬發n-γ。由於此產物更有可能會經由燃料包層缺陷而自燃料結合體逸出，因此在燃料包層中發生洩漏之情況下其可能以比La140
高的濃度存在於冷卻劑中。因此，使用能夠經由光譜術識別伽瑪發射產物之類型的伽瑪偵測器之陣列將為有用的。另外，一些中子輻照材料可形成能夠發射伽瑪輻射之核種。伽瑪能量及強度量測可提供使用熟悉本技藝者熟知之中子活化分析(NAA)技術判定中子輻照元素之組合物連同其數量所需的資訊。
存在於中子輻照材料樣本中之元素的一些實施例可藉由量測伽瑪能譜(如圖6上所展示之能譜)判定。伽瑪能量及強度量測提供使用熟悉本技藝者熟知之中子活化分析(NAA)技術判定存在於所輻照材料中之元素及數量所需的資訊。抑制在圖6中所觀測到之連續雜訊可允許比當前可使用當前伽瑪光譜分析設備達成之情況更準確地判定單個伽瑪能量峰之強度。連續雜訊抑制可允許更準確地量測燃料通道中之分裂產物濃度改變，如描述於2019年6月12日申請之標題為「Method and System to Detect and Locate the In-Core Position of Fuel Bundles with Cladding Perforations in CANDU-Style Nuclear Reactors」的美國專利申請案第16/439,061號中，該申請案之內容以全文引用之方式且出於所有目的併入本文中。此類量測可適用於識別燃料缺陷在燃料通道中之存在及軸向部位。
使用經組態以對伽瑪輻射尤其敏感之固態輻射偵測器可允許自諸如圖6中例示之中子輻照材料樣本產生伽瑪輻射光譜圖。此類偵測器描述於先前參考且進一步示意性地展示於圖3及圖7中之美國專利第9,831,375號中。每一SiC偵測器可經組態為單通道分析器(Single Channel Analyzer；SCA)(例如，-ORTEC®
550A單通道分析器)輸入以允許每一偵測器覆蓋極窄伽瑪能量範圍。能量範圍可根據電子發射體20與肖特基接點18之間的間隙22之深度及n-作用區16之深度Te而判定。
電子發射體20與肖特基接點18之間的間隙22可包括介入肖特基接點18與康普頓及光電子輻射材料20之層之間的流體24，如上文所揭示。照射於電子發射體20上之伽瑪輻射810將產生具有與照射伽瑪輻射810之能量相關之能量的電子。低能伽瑪輻射可產生對應的低能康普頓或光電散射電子。低能可定義為導致電子不能穿過間隙22之整個厚度且因此將無法進入至作用n-區16中的能量。結果，此等低能電子可能無法由SCA偵測到。此類偵測器元件之陣列可包括個別元件，其各自在電子發射體20與肖特基接點18之間具有不同厚度的間隙22。因為間隙22之大小判定偵測器之較低截止能量，所以陣列可包括數個偵測器元件，該等偵測器元件之不同之處在於其下限能量偵測能力。
可選擇Te (n-層16之深度)之值以定義可藉由感測器偵測之康普頓或光電散射電子820的上限。可根據由L. Katz及A.S. Penfold於現代物理評論(Rev. Mod. Phys.，24，1952年，第28頁)給出之以下經驗公式計算Te：
其中Eβ
為以MeV為單位之最大β能量。停止β輻射之能力主要取決於吸收體中之電子的數目(亦即，面積密度，其為每cm2
之電子的數目)。因此，在表達為材料之密度厚度(g/cm2
)時，範圍給出可藉以比較各種吸收體之通用量詞。
應理解，具有導致沿著有效體積16及14之厚度的大於Te之穿過距離之能量的所有電子815將在SCA中產生具有基本上相同振幅之脈衝。此等高能電子815可由對應於照射在電子輻射體層20上之高能伽瑪輻射810的康普頓散射及光電效應產生。所得高能電子815可具有足夠能量以完全穿透偵測器之作用區16的厚度Te，從而照射在背部歐姆接點12上。與此等事件相關聯之脈衝將皆具有基本上相同的脈衝振幅，且可藉由SCA之上能階鑑別器組件移除。應理解，厚度Te因此判定藉由感測器偵測到之能量的上限範圍。
中能電子820可由對應於中能伽瑪輻射810之康普頓散射及光電效應產生。根據定義，中能電子820可為能夠穿透電子輻射層20與肖特基接點18之間的間隙22但不穿過作用n-區16的彼等電子。此類電子可為由SCA有效地計數為具有小於由上限鑑別器濾波之最大脈衝高度之脈衝高度的彼等電子。偵測器之陣列可因此由肖特基感測器之陣列製成，每一感測器由間隙22及作用區深度Te界定。因此，每一感測器可在較低能量端(間隙22深度)及較高能量端(Te層之厚度)兩者處進行調節。來自SCA陣列中具有間隙22及Te之不同值的每一伽瑪能量感測器之資料可組合以產生伽瑪能量及相關聯伽瑪強度量測結果，如圖6之譜圖中所展示的彼等。然而，間隙22厚度之變化可減小與特定核種相關聯之所量測伽瑪能量所產生的較低連續信號位準。此將允許在較低能量及強度值下偵測更清晰定義的能量峰值。
本文中所提及的所有專利、專利申請案、公開案或其他揭示材料皆特此以全文引用之方式併入，如同每一個別參考文獻分別以引用方式明確地併入一般。據稱以引用之方式併入本文中的所有參考文獻及其任何材料或其部分僅在併入之材料不會與本公開中所闡述之現有定義、陳述或其他揭示材料矛盾之程度上併入本文中。因而且在必要程度上，如本文中所闡述之揭示內容取代以引用方式併入本文中之任何矛盾的材料及在本申請案對照中明確闡述之揭示內容。
已參考各種例示性及說明性具體例描述本發明。本文中所描述之具體例應理解為提供本發明之各種具體例之不同細節的說明性特徵；且因此，除非另外指定，否則應理解，在可能之情況下，所揭示具體例之一或多個特徵、元件、組件、組份、成份、結構、模組及/或態樣可與或相對於所揭示具體例之一或多個其他特徵、元件、組件、組份、成份、結構、模組及/或態樣組合、分開、互換及/或重新配置，而不脫離本發明之範圍。因此，一般熟悉本技藝者將認識到，可在不脫離本發明範圍之情況下進行例示性具體例中之任一者的各種替代、修改或組合。此外，熟悉本技藝者將認識到或能夠在審閱本說明書後僅使用常規實驗確定本文中所描述之本發明之各種具體例的許多等效物。因此，本發明不受各種具體例之描述限制，而是受申請專利範圍限制。
10:伽瑪偵測器/碳化矽偵測器
10':SiC伽瑪偵測器
12:歐姆接觸層/鎢歐姆接點/背部歐姆接點
14:碳化矽導電基板/區/導電層/SiC層/有效體積
16:磊晶碳化矽層/磊晶層/n-作用區/有效體積
18:肖特基接點
20:康普頓及光電子源材料/源材料層/源或電子輻射體材料/電子供體層/供體材料/電子發射體/康普頓及光電子輻射材料
22:間隙
24:流體/層
26:第一引線
28:第二引線
30:中間層/氧化鋁層
32:外部層/外部不鏽鋼層
34:絕緣層
40:細長容器/乾管/儀器管/偵測器管
42:開放空間
44:點
46:點
100:輻射偵測器總成
600:態樣
610:Rh FID偵測器系統組態
613:軸向間隔
620:OPARSSEL V偵測器系統組態/OPARSSEL V FIG組態
623:軸向間隔
625:多MIDS偵測器組態
630:通量分佈曲線圖
810:伽瑪輻射
815:高能電子
820:中能電子/康普頓或光電散射電子
Te:作用區深度
ΔV:電壓差
ΔV1:距離
ΔV2:距離
ΔV3:距離
ΔVn:距離
可藉由參看附圖較佳地理解本公開之特性及優點。
圖1描繪說明根據本公開之至少一個態樣的如由固定核心感測器組態對比可移動核心感測器組態判定的反應器核心通量之量測結果的曲線圖。
圖2描繪根據本公開之至少一個態樣的具有肖特基接點之例示性先前技術伽瑪偵測器的側視剖面圖。
圖3描繪根據本公開之至少一個態樣的在用於核反應器內之功率分佈偵測之例示性總成中使用的例示性伽瑪偵測器之示意圖的側視剖面圖。
圖4描繪展示根據本公開之至少一個態樣的三個堆疊伽瑪偵測器之配置的示意圖之軸向視圖，該等偵測器在套管內相對於彼此旋轉以用於核反應器內之功率分佈偵測。
圖5描繪根據本公開之至少一個態樣的套管內之複數個例示性伽瑪偵測器的堆疊之俯視平面圖，其展示繞套管之周邊旋轉信號輸出引線以用於核反應器內之功率分佈偵測的配置之徑向視圖。
圖6為根據本公開之至少一個態樣的可用以使用中子活化分析來識別存在於所輻照樣本中之元素的伽瑪能量對比強度量測結果之曲線圖。
圖7為根據本公開之至少一個態樣的圖3中所描繪之用作裝設於核反應器內之伽瑪輻射光譜儀之部分的伽瑪偵測器之側視剖面圖。
10':SiC伽瑪偵測器
12:歐姆接觸層/鎢歐姆接點/背部歐姆接點
14:碳化矽導電基板/區/導電層/SiC層/有效體積
16:磊晶碳化矽層/磊晶層/n-作用區/有效體積
18:肖特基接點
20:康普頓及光電子源材料/源材料層/源或電子輻射體材料/電子供體層/供體材料/電子發射體/康普頓及光電子輻射材料
22:間隙
26:第一引線
28:第二引線
30:中間層/氧化鋁層
32:外部層/外部不鏽鋼層
34:絕緣層
44:點
46:點
△V:電壓差
Claims (11)
- 一種製造一伽瑪輻射偵測器之方法，該方法包含：提供一SiC輻射偵測器，其包含：一肖特基二極體，其具有一作用半導體區及在該作用半導體區之至少一部分上方的一肖特基接點；一康普頓及光電子源材料之一層，其經組態以與入射伽瑪輻射反應，從而發射康普頓及光電電子以穿過該肖特基接點而穿透至該肖特基二極體之該作用半導體區中，該康普頓及光電子源材料之該層支撐於該肖特基接點上方；及一流體層，其介入該肖特基接點與該康普頓及光電子源材料之該層之間；致動與該康普頓及光電子源材料接觸之一環繞該肖特基接點與該康普頓及光電子源材料之該層之間的該流體層之伸縮式套筒，以調整該肖特基接點與該康普頓及光電子源材料之該層之間的一距離，藉此判定該SiC輻射偵測器之一最小偵測能量；製造該作用半導體區以具有一指定厚度，藉此判定該SiC輻射偵測器之一最大偵測能量；及使該SiC輻射偵測器與一單通道分析器之一電荷輸入端接觸。
- 如請求項1之方法，其中提供一SiC輻射偵測器包含提供一SiC輻射偵測器以具有一n-作用半導體區。
- 如請求項2之方法，其中提供一SiC輻射偵測器包含提供一SiC輻射偵測器以具有裝設於該作用半導體區下方之一n+導電區。
- 如請求項1之方法，其中製造該作用半導體區以具有一指定厚度包含製造該作用半導體區以具有根據下式之一厚度
- 一種製造一伽瑪輻射偵測器陣列之方法，該方法包含：提供複數個SiC輻射偵測器，其中該複數個SiC輻射偵測器中之每一者包含：一肖特基二極體，其具有一作用半導體區及在該作用半導體區之至少一部分上方的一肖特基接點；一康普頓及光電子源材料之一層，其經組態以與入射伽瑪輻射反應，從而發射康普頓及光電電子以穿過該肖特基接點而穿透至該肖特基二極體之該作用半導體區中，該康普頓及光電子源材料之該層支撐於該肖特基接點上方；及一流體層，其介入該肖特基接點與該康普頓及光電子源材料之該層之間；對於該複數個SiC輻射偵測器中之每一者，調整一第一SiC輻射偵測器之該肖特基接點與該康普頓及光電子源材料之該層之間的一距離，該距離不同於一第二SiC輻射偵測器之該肖特基接點與該康普頓及光電子源材料之該層之間的一距離，藉此判定該複數個SiC輻射偵測器中之每一者的一最小偵測能量；對於該複數個SiC輻射偵測器中之每一者，製造該作用半導體區以具有一指定厚度，藉此判定該複數個SiC輻射偵測器中之每一者的一最大偵測能量；及使該複數個SiC輻射偵測器中之每一者與複數個單通道分析器中之一者的一電荷輸入端接觸。
- 如請求項5之方法，其中對於該複數個SiC輻射偵測器中之每一者，製造該作用半導體區以具有一指定厚度包含製造一第一SiC輻射偵測器之一作用半導體區以具有一第一指定厚度及製造一第二SiC輻射偵測器之一作用半導體區以具有一第二指定厚度。
- 如請求項5之方法，其中判定該複數個SiC輻射偵測器中之每一者的一最小偵測能量包含判定一第一SiC輻射偵測器之一最小偵測能量，該最小偵測能量不同於一第二SiC輻射偵測器之一最小偵測能量。
- 如請求項5之方法，其中判定該複數個SiC輻射偵測器中之每一者的一最大偵測能量包含判定一第一SiC輻射偵測器之一最大偵測能量，該最大偵測能量不同於一第二SiC輻射偵測器之一最大偵測能量。
- 一種用於量測伽瑪輻射之能量及振幅的系統，該系統包含：複數個SiC輻射偵測器，其中該複數個SiC輻射偵測器中之每一者包含：一肖特基二極體，其具有一作用半導體區及在該作用半導體區之至少一部分上方的一肖特基接點；一康普頓及光電子源材料之一層，其經組態以與入射伽瑪輻射反應，從而發射康普頓及光電電子以穿過該肖特基接點而穿透至該肖特基二極體之該作用半導體區中，該康普頓及光電子源材料之該層支撐於該肖特基接點上方；及一流體層，其介入該肖特基接點與該康普頓及光電子源材料之該層之間，其中對於該複數個SiC輻射偵測器中之每一者，藉由與該康普頓及光電子源材料接觸之一環繞該流體層之可調整伸縮式套筒，該肖特基接點與該 康普頓及光電子源材料之該層之間的一距離為可調整的，且其中對於該複數個SiC輻射偵測器中之每一者，製造該作用半導體區以具有一指定厚度，藉此判定該複數個SiC輻射偵測器中之每一者的一最大偵測能量；及複數個單通道分析器，其中該複數個單通道分析器中之每一者的一電荷輸入端經組態以接觸該複數個SiC輻射偵測器中之一者。
- 如請求項9之系統，其中該等單通道分析器中之每一者經組態以在其相關聯SiC輻射偵測器上施加一反向偏壓電壓。
- 如請求項9之系統，其中該複數個SiC輻射偵測器中之每一者進一步包含一歐姆接觸層與該作用半導體區之間的一絕緣層。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US202063013859P | 2020-04-22 | 2020-04-22 | |
| US63/013,859 | 2020-04-22 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202143502A TW202143502A (zh) | 2021-11-16 |
| TWI802870B true TWI802870B (zh) | 2023-05-21 |
Family
ID=76250417
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW110114574A TWI802870B (zh) | 2020-04-22 | 2021-04-22 | 使用經組態有高軸向及徑向感測器密度以及增強之分裂伽瑪量測敏感度的ｓｉｃ肖特基二極體的固定核心內偵測器設計 |
| TW112116467A TW202339298A (zh) | 2020-04-22 | 2021-04-22 | 使用經組態有高軸向及徑向感測器密度以及增強之分裂伽瑪量測敏感度的sic肖特基二極體的固定核心內偵測器設計 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW112116467A TW202339298A (zh) | 2020-04-22 | 2021-04-22 | 使用經組態有高軸向及徑向感測器密度以及增強之分裂伽瑪量測敏感度的sic肖特基二極體的固定核心內偵測器設計 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20230168398A1 (zh) |
| EP (1) | EP4139715A1 (zh) |
| JP (1) | JP2023523734A (zh) |
| KR (1) | KR20230004587A (zh) |
| CA (1) | CA3176499A1 (zh) |
| TW (2) | TWI802870B (zh) |
| WO (1) | WO2021216805A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022550438A (ja) * | 2019-10-04 | 2022-12-01 | ウェスティングハウス エレクトリック カンパニー エルエルシー | インコア測定を強化するためのショットキーダイオードによる放射線検出のためのデバイス、システム、および方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200743207A (en) * | 2006-05-03 | 2007-11-16 | Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd | Image sensors and methods for fabricating the same |
| US20130285068A1 (en) * | 2012-04-25 | 2013-10-31 | Westinghouse Electric Company Llc | Solid state radiation detector with enhanced gamma radiation sensitivity |
| US20150028353A1 (en) * | 2013-07-26 | 2015-01-29 | Krishna C. Mandal | Schottky Barrier Detection Devices Having a 4H-SiC n-Type Epitaxial Layer |
| TW201901985A (zh) * | 2017-05-18 | 2019-01-01 | 韓商Ｌｇ伊諾特股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
-
2021
- 2021-04-22 TW TW110114574A patent/TWI802870B/zh active
- 2021-04-22 CA CA3176499A patent/CA3176499A1/en active Pending
- 2021-04-22 JP JP2022564418A patent/JP2023523734A/ja active Pending
- 2021-04-22 KR KR1020227039342A patent/KR20230004587A/ko unknown
- 2021-04-22 US US17/996,765 patent/US20230168398A1/en active Pending
- 2021-04-22 WO PCT/US2021/028543 patent/WO2021216805A1/en unknown
- 2021-04-22 EP EP21729675.5A patent/EP4139715A1/en active Pending
- 2021-04-22 TW TW112116467A patent/TW202339298A/zh unknown
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200743207A (en) * | 2006-05-03 | 2007-11-16 | Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd | Image sensors and methods for fabricating the same |
| US20130285068A1 (en) * | 2012-04-25 | 2013-10-31 | Westinghouse Electric Company Llc | Solid state radiation detector with enhanced gamma radiation sensitivity |
| US20150028353A1 (en) * | 2013-07-26 | 2015-01-29 | Krishna C. Mandal | Schottky Barrier Detection Devices Having a 4H-SiC n-Type Epitaxial Layer |
| TW201901985A (zh) * | 2017-05-18 | 2019-01-01 | 韓商Ｌｇ伊諾特股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| L. Liu et al., "A fast-neutron detection detector based on fission material and large sensitive 4H silicon carbide Schottky diode detector," Rev. Sci. Instrum., vol. 88, no. 12, pp. 123503(1-6), Dec. 2017. * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20230168398A1 (en) | 2023-06-01 |
| CA3176499A1 (en) | 2021-10-28 |
| JP2023523734A (ja) | 2023-06-07 |
| EP4139715A1 (en) | 2023-03-01 |
| TW202339298A (zh) | 2023-10-01 |
| TW202143502A (zh) | 2021-11-16 |
| KR20230004587A (ko) | 2023-01-06 |
| WO2021216805A1 (en) | 2021-10-28 |
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