TWI791172B - 應用等離子體加工系統進行加工的方法及等離子體加工系統 - Google Patents

應用等離子體加工系統進行加工的方法及等離子體加工系統 Download PDF

Info

Publication number
TWI791172B
TWI791172B TW109139293A TW109139293A TWI791172B TW I791172 B TWI791172 B TW I791172B TW 109139293 A TW109139293 A TW 109139293A TW 109139293 A TW109139293 A TW 109139293A TW I791172 B TWI791172 B TW I791172B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
plasma
chamber
capacitor
characteristic
bias voltage
Prior art date
Application number
TW109139293A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202119530A (zh
Inventor
王建龍
Original Assignee
大陸商北京北方華創微電子裝備有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 大陸商北京北方華創微電子裝備有限公司 filed Critical 大陸商北京北方華創微電子裝備有限公司
Publication of TW202119530A publication Critical patent/TW202119530A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI791172B publication Critical patent/TWI791172B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32807—Construction (includes replacing parts of the apparatus)
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32899—Multiple chambers, e.g. cluster tools
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67213—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one ion or electron beam chamber

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

應用等離子體加工系統進行加工的方法。該等離子體加工系統包括具有第一下電極的第一腔室和具有第二下電極的第二腔室。射頻源分別在第一和第二下電極產生第一偏置電壓及第二偏置電壓。該方法包括:在第一和第二腔室分別對第一和第二工作件同時進行加工時，通過第一檢測裝置檢測第一腔室內的等離子體的第一等離子體特徵，並通過第二檢測裝置檢測第二腔室內的等離子體的第二等離子體特徵；根據第一等離子體特徵和第二等離子體特徵調節第一偏置電壓和/或第二偏置電壓，使第一等離子體特徵與第二等離子體特徵的相對偏差值小於預設值。

Description

應用等離子體加工系統進行加工的方法及等離子體加工系統
本發明是有關一種方法，涉及半導體加工技術領域，詳細來說，是一種應用等離子體加工系統進行加工的方法及等離子體加工系統。
傳統的等離子體加工系統具有多個腔室，以便同時對多個工作件(如晶圓)進行加工。然而，在缺少精准感測機制的情況下，難以保持各腔室之間的製程條件一致，導致工作件(如晶圓)的製程結果的一致性較差。另外，當多個腔室中僅有單一腔室有工作件(如晶圓)要進行加工時，具有工作件(如晶圓)的腔室與其他腔室之間由於氣體膨脹差異、功率分配差異等原因，使得單一腔室單獨加工所製造的工作件(如晶圓)的製程結果與多個腔室同時加工所製造的工作件(如晶圓)的製程結果的一致性較差。
本發明公開一種應用等離子體加工系統以進行加工的方法及等離子體加工系統，如多個腔室同時加工時，仍能維持工作件(如晶圓)的製程結果的一致性。
依據本發明的一實施例，公開一種應用等離子體加工系統以進行加工的方法，該等離子體系統包括一第一腔室和一第二腔室，該第一 腔室內設置一第一下電極，該第二腔室內設置一第二下電極，一射頻源通過一匹配電路和一功率分配器分別向該第一下電極和該第二下電極供電，使該第一下電極產生一第一偏置電壓及該第二下電極產生一第二偏置電壓。該方法包括：在該第一腔室對一第一工作件進行加工且該第二腔室對一第二工作件同時進行加工時，通過一第一檢測裝置檢測該第一腔室內的等離子體的一第一等離子體特徵，並通過一第二檢測裝置檢測該第二腔室內的等離子體的一第二等離子體特徵；以及，根據該第一等離子體特徵和該第二等離子體特徵調節該第一偏置電壓和/或該第二偏置電壓，以使該第一等離子體特徵與該第二等離子體特徵的相對偏差值小於預設值。
依據本發明的一實施例，公開一種等離子體加工系統。該等離子體加工系統包括一第一腔室、一第二腔室、一第一檢測裝置、一第二檢測裝置及一控制裝置。該第一腔室內設置一第一下電極及該第二腔室內設置一第二下電極；一射頻源通過一匹配電路和一功率分配器分別向該第一下電極和該第二下電極供電，使該第一下電極產生一第一偏置電壓及該第二下電極產生一第二偏置電壓。該第一檢測裝置用於檢測該第一腔室內的等離子體的一第一等離子體特徵，其中該第一等離子體特徵與該第一偏置電壓相關。該第二檢測裝置用於檢測該第二腔室內的等離子體的一第二等離子體特徵，其中該第二等離子體特徵與該第二偏置電壓相關。該控制裝置用於在該第一腔室對一第一工作件進行加工且該第二腔室對一第二工作件同時進行加工時，根據該第一等離子體特徵和該第二等離子體特徵調節該第一偏置電壓和/或該第二偏置電壓，以使該第一等離子體特徵與該第二等離子體特徵的相對偏差值小於預設值。
通過本發明所公開的方法及等離子體加工系統，可以在多個腔室同時對工作件(如晶圓)加工時，維持致工作件(如晶圓)的製程結 果的一致性。
1、1’:等離子體加工系統
11、11’、21、21’:腔室
12、12’、22、22’:下電極
13、23:檢測裝置
30:控制裝置
40、40’:功率分配器
51、51’:射頻源
52、52’:匹配電路
60、60’:儲存裝置
131:檢測裝置13的第一端
132:檢測裝置13的第二端
133:檢測裝置13的第三端
231:檢測裝置23的第一端
232:檢測裝置23的第二端
301:控制裝置30的第一端
302:控制裝置30的第二端
303:控制裝置30的第三端
304:控制裝置30的第四端
305:控制裝置30的第五端
401:功率分配器40的第一端
402:功率分配器40的第二端
403:功率分配器40的第三端
404:功率分配器40的第四端
C1、C2:電容
5:方法
501-506、5061-5065、507-510、5091-5094:步驟
61:判斷模塊
62:檢測模塊
63:控制模塊
當結合附圖閱讀時，從以下詳細描述最佳理解本揭露之態樣。應注意，根據產業中之標準實踐，各種構件未按比例繪製。事實上，為了論述的清楚起見可任意增大或減小各種構件之尺寸。
圖1是依據本發明一實施例的等離子體加工系統的示意圖。
圖2是依據本發明一實施例的功率分配器的示意圖。
圖3A是依據本發明一實施例的功率分配器操作於第一模式的示意圖。
圖3B是依據本發明另一實施例的功率分配器操作於第一模式的示意圖。
圖4A是依據本發明一實施例的功率分配器操作於第二模式的示意圖。
圖4B是依據本發明另一實施例的功率分配器操作於第二模式的示意圖。
圖5A是依據本發明一實施例的應用於等離子體加工系統的方法的第一部分流程圖。
圖5B是依據本發明一實施例的圖5A中步驟506的細部流程圖。
圖5C是依據本發明一實施例的應用於等離子體加工系統的方法的第二部分流程圖。
圖5D是依據本發明一實施例的圖5C中步驟509的細部流程圖。
圖6是依據本發明另一實施例的等離子體加工系統的示意圖。
以下揭露提供用於實施本揭露之不同構件之許多不同實施 例或實例。下文描述組件及配置之特定實例以簡化本揭露。當然，此等僅為實例且非意欲限制。舉例而言，在以下描述中之一第一構件形成於一第二構件上方或上可包含其中該第一構件及該第二構件經形成為直接接觸之實施例，且亦可包含其中額外構件可形成在該第一構件與該第二構件之間，使得該第一構件及該第二構件可不直接接觸之實施例。另外，本揭露可在各個實例中重複參考數字及/或字母。此重複出於簡化及清楚之目的且本身不指示所論述之各個實施例及/或組態之間的關係。
此外，為便於描述，諸如「下面」、「下方」、「下」、「上方」、「上」及類似者之空間相對術語可在本文中用於描述一個元件或構件與另一(些)元件或構件之關係，如圖中圖解說明。空間相對術語意欲涵蓋除在圖中描繪之定向以外之使用或操作中之裝置之不同定向。設備可以其他方式定向(旋轉90度或按其他定向)且因此可同樣解釋本文中使用之空間相對描述詞。
儘管陳述本揭露之寬泛範疇之數值範圍及參數係近似值，然儘可能精確地報告特定實例中陳述之數值。然而，任何數值固有地含有必然由於見於各自測試量測中之標準偏差所致之某些誤差。再者，如本文中使用，術語「大約」通常意謂在一給定值或範圍之10%、5%、1%或0.5%內。替代地，術語「大約」意謂在由此項技術之一般技術者考量時處於平均值之一可接受標準誤差內。除在操作/工作實例中以外，或除非以其他方式明確指定，否則諸如針對本文中揭露之材料之數量、時間之持續時間、溫度、操作條件、數量之比率及其類似者之全部數值範圍、數量、值及百分比應被理解為在全部例項中由術語「大約」修飾。相應地，除非相反地指示，否則本揭露及隨附發明申請專利範圍中陳述之數值參數係可根據需要變化之近似值。至少，應至少鑑於所報告有效數位之數目且 藉由應用普通捨入技術解釋各數值參數。範圍可在本文中表達為從一個端點至另一端點或在兩個端點之間。本文中揭露之全部範圍包含端點，除非另有指定。
傳統的等離子體加工系統具有多個腔室(如兩個腔室)以便同時對多個晶圓進行加工。然而，由於腔室裝配差異、部件設計差異及部件使用壽命差異等因素，在缺少精准感測機制的情況下，難以保持各腔室之間的製程條件一致，導致晶圓的製程結果的一致性較差。另外，在實際情況中，每一批量的晶圓通常具有奇數片(如25片)晶圓，因此，當等離子體加工系統具有兩個腔室時，將導致最後會有單一片晶圓單獨進行加工。當多個腔室中僅有單一腔室有晶圓要進行加工時，具有晶圓的腔室與其他腔室之間由於氣體膨脹差異、功率分配差異等因素，使得單一腔室加工所製造的晶圓的製程結果與多個腔室同時加工所製造的晶圓的製程結果的一致性較差。因此，本發明公開一種等離子體加工系統以及應用於所述等離子體加工系統來進行加工的方法，來避免上述一致性較差的問題。
圖1是依據本發明一實施例的等離子體加工系統1的示意圖。等離子體加工系統1包括腔室11與21、置於腔室11中的下電極12、置於腔室21中的下電極22、檢測裝置13與23、控制裝置30、功率分配器40、射頻源51、匹配電路52及儲存裝置60。當腔室11與21內同時具有工作件(如晶圓)時，等離子體加工系統1通過等離子體對腔室11與21內的工作件(如晶圓)同時進行加工；當腔室11與21只有其中之一(如腔室11)具有工作件(如晶圓)而另一(如腔室21)沒有工作件(如晶圓)時，等離子體加工系統1通過等離子體對腔室11內的工作件(如晶圓)進行加工。在某些實施例中，等離子體加工系統1是一種蝕刻裝置，用於對工作件(如晶圓)進行蝕刻。在某些實施例中，等離子體加工系統1是一種薄 膜沉積裝置，用於對工作件(如晶圓)進行薄膜沉積。舉例來說，等離子體加工系統1可以是一種物理氣相沉積裝置。本發明並不限定等離子體加工系統1的種類。
下電極12與22用於承載工作件(如晶圓)。詳細來說，當工作件(如晶圓)傳入腔室11與21後，工作件(如晶圓)放置於下電極12與22之上，使得等離子體加工系統1通過等離子體對工作件(如晶圓)進行加工。檢測裝置13包括第一端131、第二端132及第三端133，其中第一端131耦接至腔室11，第二端132耦接至控制裝置30，第三端133耦接至儲存裝置60。檢測裝置13用於檢測腔室11內等離子體的第一等離子體特徵。在本實施例中，檢測裝置13是光學發射光譜儀(Optical Emission Spectroscopy,OES)，用於檢測腔室11內等離子體的第一等離子體特徵。在本實施例中，第一等離子體特徵是腔室11內等離子體的特徵峰強度。檢測裝置23包括第一端231及第二端232，其中第一端231耦接至腔室21，第二端232耦接至控制裝置30。檢測裝置23用於檢測腔室21內等離子體的第二等離子體特徵。在本實施例中，檢測裝置23是光學發射光譜儀，用於檢測腔室21內等離子體的第二等離子體特徵。在本實施例中，第二等離子體特徵是腔室21內等離子體的特徵峰強度。
射頻源51用於通過匹配電路52傳送射頻功率。匹配電路52用於對射頻源51後方的阻抗進行匹配，使得射頻源51輸出的射頻功率有最大的耦合效率。功率分配器40包括第一端401、第二端402、第三端403及第四端404，其中第一端401耦接至控制裝置30，第二端402耦接至下電極12、第三端403耦接至下電極22，第四端404耦接至匹配電路52。功率分配器40用於將射頻源51所產生的射頻功率分配至下電極12與下電極22，使得下電極12具有第一偏置電壓且下電極22具有第二偏置電壓。第 一偏置電壓於腔室11內等離子體的第一等離子體特徵相關，第二偏置電壓於腔室21內等離子體的第二等離子體特徵相關。舉例來說，下電極12上的第一偏置電壓於腔室11內等離子體的特徵峰強度呈現正相關，換言之，第一偏置電壓的電壓越大，腔室11內等離子體的特徵峰強度越強。然而，此並非本發明的一限制，本發明對於偏置電壓與等離子體特徵的關係並不限定是正相關。
需注意的是，在上述的實施例中，等離子體加工系統1具有兩個腔室(即腔室11與21)來同時對工作件(如晶圓)進行加工。然而，此並非本發明的一限制。在其他實施例中，等離子體加工系統1可具有多個腔室來同時對工作件(如晶圓)進行加工，依然隸屬於本發明的範疇。
參考圖2，圖2是依據本發明一實施例的功率分配器40的示意圖。功率分配器40包括電容C1與C2。電容C1的一端通過第二端點402耦接至下電極12，電容C1的另一端通過第四端點404耦接至匹配電路52。電容C2的一端通過第三端點403耦接至下電極22，電容C2的另一端通過第四端點404耦接至匹配電路52。功率分配器40自射頻源51及匹配電路52接受射頻功率後，通過電容C1與C2所形成的阻抗將射頻功率分配到耦接至電容C1與C2的下電極12與22來產生偏置電壓。控制裝置30通過功率分配器40的第一端401來傳送控制信號，藉以調節電容C1與C2的狀態，進而調節第一偏置電壓和/或第二偏置電壓。控制裝置30通過控制信號來調節電容C1與C2的狀態，進而調節第一偏置電壓和/或第二偏置電壓的詳細說明將於後續段落中說明。
需注意的是，功率分配器40可包括步進馬達(圖未示)，該步進馬達用於依據控制裝置30所傳送的控制信號來調節電容C1與C2。
重新參考圖1，儲存裝置60的一端耦接至檢測裝置13的第三端133，儲存裝置60的另一端耦接至控制裝置30。控制裝置30包括第一端301、第二端302、第三端303、第四端304及第五端305，其中第一端301耦接至腔室11，第二端302耦接至腔室21，第三端303耦接至功率分配器40的第一端401，第四端304耦接至檢測裝置13的第二端132，第五端305耦接至檢測裝置23的第二端232。
當控制裝置30判斷腔室11與21同時具有工作件(如晶圓)時，控制裝置30傳送第一控制信號CTRL1至功率分配器40，使功率分配器40操作在第一模式；並且，控制裝置30控制啟動射頻源51，使得射頻源51通過匹配電路52傳送射頻功率至功率分配器40。需注意的是，本發明並不限制由控制裝置30來控制射頻源51的啟動。在其他實施例中，在控制裝置30傳送第一控制信號CTRL1至功率分配器40使得功率分配器40操作在第一模式後，可通過人工方式啟動射頻源51，使得射頻源51通過匹配電路52傳送射頻功率至功率分配器40。
在本實施例中，控制裝置30可通過傳感器來偵測腔室11與21是否具有工作件(如晶圓)。舉例來說，可通過紅外線傳感器偵測下電極12與22之上是否具有工作件(如晶圓)。以另一例子而言，可通過壓力傳感器偵測工作件(如晶圓)是否放置在下電極12與22之上，進而判斷腔室11與21是否具有工作件(如晶圓)。以另一例子而言，控制裝置30可判斷等離子體加工系統1的機械手臂是否有傳遞工作件(如晶圓)進入腔室11與21，借此判斷腔室11與21是否具有工作件(如晶圓)。本發明並不限制控制裝置30判斷的機制。
詳細來說，當控制裝置30控制功率分配器40操作在第一模式時，電容C1和電容C2的至少其中之一被調節為電容值可調整的狀態。 舉例來說，如圖3A所示，當控制裝置30控制功率分配器40操作在第一模式時，電容C1與電容C2被調節為電容值可調整的狀態。在如此設置下，啟動射頻源51(如通過控制裝置30自主啟動或人工方式啟動)來開始對腔室11與21內的工作件(如晶圓)進行加工。接著，射頻源51通過匹配電路52傳送射頻功率至功率分配器40，功率分配器40通過電容C1和電容C2所形成的阻抗將功率分配至下電極12和22，借此於下電極12之上來產生第一偏置電壓，並於下電極22之上來產生第二偏置電壓。檢測裝置13檢測腔室11內等離子體的第一等離子體特徵，檢測裝置23檢測腔室21內等離子體的第二等離子體特徵。
接著，控制裝置30自檢測裝置13和檢測裝置23接受檢測到的第一等離子體特徵和第二等離子體特徵，並依據第一等離子體特徵和第二等離子體特徵輸出第二控制信號CTRL2至功率分配器40，使得功率分配器40依據第二控制信號CTRL2同時調節電容C1與電容C2的電容值，來使得電容C1和電容C2的阻抗比改變。由於電容C1和電容C2的阻抗比改變，相應地，分配至下電極12和下電極22的功率改變，進而使得第一偏置電壓與第二偏置電壓改變。並且，由於第一偏置電壓與第二偏置電壓的改變，與第一偏置電壓相關的第一等離子體特徵以及與第二偏置電壓相關的第二等離子體特徵也會相應地改變。
詳細來說，控制裝置30接受第一等離子體特徵和第二等離子體特徵後，判斷第一等離子體特徵和第二等離子體特徵的相對偏差值是否小於預設值來產生第二控制信號CTRL2。在本實施例中，第一等離子體特徵為腔室11內等離子體的特徵峰強度D1(λ)，第二等離子體特徵為腔室21內等離子體的特徵峰強度D2(λ)。控制裝置30判斷腔室11與21內等離子體的特徵峰強度是否滿足下列式子： [D1(λ)-D2(λ)]/[D1(λ)+D2(λ)]<1%
若特徵峰強度D1(λ)與特徵峰強度D2(λ)的相對偏差值大於1%，代表腔室11與21之間的製程條件存在差異，因此，功率分配器40依據第二控制信號CTRL2調節電容C1的電容值直到特徵峰強度D1(λ)與特徵峰強度D2(λ)的相對偏差值小於1%。
由於射頻源51所產生的總射頻功率為定值，電容C1與電容C2之間的等效阻抗比將決定分配至下電極12和22的功率。在一實施例中，當特徵峰強度D1(λ)小於特徵峰強度D2(λ)，且特徵峰強度D1(λ)與特徵峰強度D2(λ)的相對偏差值大於1%時，功率分配器40依據第二控制信號CTRL2來增加電容C1的電容值，使得電容C1的等效阻抗減少。在射頻源51所產生的總射頻功率為定值且未調節電容C2的情況下，電容C1等效阻抗的減少，將使得分配至下電極12的功率則相應地增加而分配至下電極22的功率則相應地減少，進而使得特徵峰強度D1(λ)增加而特徵峰強度D2(λ)減少。功率分配器40將持續循環操作直到特徵峰強度D1(λ)與特徵峰強度D2(λ)的相對偏差值小於1%。
本領域具有通常知識者應能輕易理解，只要能調節電容C1與電容C2之間的等效阻抗比，並不限定調整電容C1的電容值來減少特徵峰強度D1(λ)與特徵峰強度D2(λ)的差值。以另一例子而言，當特徵峰強度D1(λ)小於特徵峰強度D2(λ)，且特徵峰強度D1(λ)與特徵峰強度D2(λ)的相對偏差值大於1%時，功率分配器40依據第二控制信號CTRL2來減少電容C2的電容值，使得電容C2的等效阻抗增加。在射頻源51所產生的總射頻功率為定值且未調節電容C1的情況下，電容C2等效阻抗的增加，將使得分配至下電極12的功率則相應地增加而分配至下電極22的功率則相應地減少，進而使得特徵峰強度D1(λ)增加而特徵峰強度D2(λ)減少，並且功率 分配器40將持續循環操作直到特徵峰強度D1(λ)與特徵峰強度D2(λ)的相對偏差值小於1%。
以另一例子而言，當特徵峰強度D1(λ)小於特徵峰強度D2(λ)，且特徵峰強度D1(λ)與特徵峰強度D2(λ)的相對偏差值大於1%時，功率分配器40依據第二控制信號CTRL2同時增加電容C1的電容值並減少電容C2的電容值，使得電容C1的等效阻抗減少而電容C2的等效阻抗增加。在射頻源51所產生的總射頻功率為定值的情況下，電容C1等效阻抗的減少以及電容C2等效阻抗的增加，將使得分配至下電極12的功率則相應地增加而分配至下電極22的功率則相應地減少，進而使得特徵峰強度D1(λ)增加而特徵峰強度D2(λ)減少，並且功率分配器40將持續循環操作直到特徵峰強度D1(λ)與特徵峰強度D2(λ)的相對偏差值小於1%。由於同時調整電容C1與C2，特徵峰強度D1(λ)與特徵峰強度D2(λ)之間的差異將更快減少。
上述的實施例中，以特徵峰強度D1(λ)小於特徵峰強度D2(λ)作為範例說明，本領域具有通常知識者在閱讀完上述實施例後應能輕易理解，特徵峰強度D1(λ)大於特徵峰強度D2(λ)且特徵峰強度D1(λ)與特徵峰強度D2(λ)的相對偏差值大於1%時功率分配器40的操作，詳細說明在此省略以省篇幅。
需注意的是，在調節電容C1與電容C2的電容值的過程中，控制裝置30還傳送信號至儲存裝置60，來控制儲存裝置60儲存腔室11內等離子體的第一等離子體特徵的數值。
在圖3A的實施例中，當控制裝置30控制功率分配器40操作在第一模式時，電容C1與電容C2被調節為電容值可調整的狀態。然而，此並非本發明的一限制。如圖3B所示，當控制裝置30控制功率分配器40 操作在第一模式時，電容C1被調節為電容值可調整的狀態，電容C2被調節為電容值固定不可調整的狀態，借此可避免在調節電容C1的電容值時，電容C2的電容值浮動使得功率分配器40花費更多時間調節第一等離子體特徵和第二等離子體特徵。
當控制裝置30控制功率分配器40操作在第一模式時，本發明並不限制電容C2固定時的電容值。在如此設置下，啟動射頻源51(如通過控制裝置30自主啟動或人工方式啟動)來開始對腔室11與22內的工作件(如晶圓)進行加工。接著，射頻源51通過匹配電路52傳送射頻功率至功率分配器40，功率分配器40通過電容C1和電容C2所形成的阻抗將功率分配至下電極12和22，借此於下電極12之上來產生第一偏置電壓，並於下電極22之上來產生第二偏置電壓。檢測裝置13檢測腔室11內等離子體的第一等離子體特徵，檢測裝置23檢測腔室21內等離子體的第二等離子體特徵。
接著，控制裝置30自檢測裝置13和檢測裝置23接受檢測到的第一等離子體特徵和第二等離子體特徵，並依據第一等離子體特徵和第二等離子體特徵輸出第二控制信號CTRL2至功率分配器40，使得功率分配器40依據第二控制信號CTRL2調節電容C1的電容值。詳細來說，當調節電容C1的電容值後，由於電容C1和電容C2的阻抗比改變，分配至下電極12和下電極22的功率相應地改變，進而使得第一偏置電壓與第二偏置電壓改變。並且，由於第一偏置電壓與第二偏置電壓的改變，與第一偏置電壓相關的第一等離子體特徵以及與第二偏置電壓相關的第二等離子體特徵也相應地改變。
圖3B所示實施例的操作僅不同在電容C1與電容C2之中僅有電容C1被調節為電容值可調的狀態，本領域具有通常知識者在閱讀完圖 3A的實施例後應能輕易理解，只要能通過調節電容C1與電容C2的阻抗比來改變分配至下電極12與22的功率，皆能達到相同的目的。圖3B所示實施例的其餘操作在此省略以省篇幅。
本發明所提出的等離子體加工系統1通過以光學發射光譜儀來感測腔室11與21內等離子體的第一等離子體特徵與第二等離子體特徵，並且依據腔室11與21內等離子體的第一等離子體特徵與第二等離子體特徵來調節功率分配器40中電容C1與電容C2的阻抗比，借此將腔室11與21內的製程條件調節至趨近一致，來提高同時在腔室11與21內進行加工的工作件(如晶圓)的製程結果的一致性。
如上所述，在實際情況中，每一批量的晶圓通常具有奇數片的晶圓，因此，最終有單一片晶圓單獨進行加工。當控制裝置30判斷腔室11與21之中僅有其中之一具有工作件(如晶圓)，舉例來說，僅有腔室11具有工作件(如晶圓)，而腔室21沒有工作件(如晶圓)時，控制裝置30傳送第一控制信號CTRL1至功率分配器40，使功率分配器40操作在第二模式。並且，控制裝置30控制啟動射頻源51，使得射頻源51通過匹配電路52傳送射頻功率至功率分配器40。需注意的是，本發明並不限制射頻源51的啟動由控制裝置30所控制。在其他實施例中，在控制裝置30傳送第一控制信號CTRL1至功率分配器40，使功率分配器40操作在第二模式後，可通過人工方式啟動射頻源51，使得射頻源51通過匹配電路52傳送射頻功率至功率分配器40。
在本實施例中，控制裝置30可通過傳感器來偵測腔室11與21是否具有工作件(如晶圓)。舉例來說，可通過紅外線傳感器偵測下電極12與22之上是否具有工作件(如晶圓)。以另一例子而言，可通過壓力傳感器偵測工作件(如晶圓)是否放置在下電極12與22之上，進而判 斷腔室11與21是否具有工作件(如晶圓)。以另一例子而言，控制裝置30可判斷等離子體加工系統1的機械手臂是否有傳遞工作件(如晶圓)進入腔室11與21，借此判斷腔室11與21是否具有工作件(如晶圓)。本發明並不限制控制裝置30判斷的機制。
詳細來說，當控制裝置30控制功率分配器40操作在第二模式時，電容C1被調節為電容值可調整的狀態，電容C2被調節為電容值為最小值的狀態，其中最小值使得匹配電路52與下電極22之間的電性路徑視為斷路，如圖4A所示。當電容C2被調節為電容值為最小值的狀態時，經由功率分配器40分配到下電極22的功率將為固定甚或是趨近於零。在如此設置下，啟動射頻源51(如通過控制裝置30自主啟動或人工方式啟動)來開始對腔室11與21內的工作件(如晶圓)進行加工。接著，射頻源51通過匹配電路52傳送射頻功率至功率分配器40，功率分配器40通過電容C1和電容C2所形成的阻抗將功率分配至下電極12和22，借此於下電極12之上來產生第一偏置電壓，並於下電極22之上來產生第二偏置電壓。檢測裝置13檢測腔室11內等離子體的第一等離子體特徵。
接著，控制裝置30自儲存裝置60接收之前所儲存的第一等離子體特徵數值，依據所儲存的第一等離子體特徵的數值得到第一等離子體特徵的平均值。控制裝置30依據第一等離子體特徵的平均值產生第三控制信號CTRL3，並傳送第三控制信號CTRL3至功率分配器40。功率分配器40依據第三控制信號CTRL3調節電容C1的電容值，進而使得第一偏置電壓改變。並且，由於第一偏置電壓改變，與第一偏置電壓相關的第一等離子體特徵也相應地改變。
通過第一等離子體特徵的平均值來實時地調節電容C1的電容值，將使得腔室11內等離子體的第一等離子體特徵與之前所儲存的第一 等離子體特徵的平均值越趨一致，進而使得僅有單一腔室(如腔室11)在對工作件(如晶圓)進行加工的情況下，所得到的製程結果與同時有多個腔室(如腔室11與21)在對工作件(如晶圓)進行加工的製程結果的一致性相仿。
在圖4A的實施例中，電容C2被調節為電容值為最小值的狀態，使得經由功率分配器40分配到下電極22的功率將為固定甚或是趨近於零，借此可提高調節腔室11內等離子體的第一等離子體特徵的穩定性。然而，此並非本發明的一限制，在其他實施例中可通過其他技術手段來提高調節腔室11內等離子體的第一等離子體特徵的穩定性。
參考圖4B，在圖4B的實施例中，匹配電路52與下電極22之間的電性路徑上具有開關SW。當控制裝置30判斷腔室11與21之中僅有其中之一具有工作件(如晶圓)，舉例來說，僅腔室11具有工作件(如晶圓)，而腔室21沒有工作件(如晶圓)時，控制裝置30傳送第一控制信號CTRL1至功率分配器40，使功率分配器40操作在第二模式。當控制裝置30控制功率分配器40操作在第二模式時，電容C1被調節為電容值可調整的狀態，並且將開關SW停用，使得匹配電路52與下電極22之間的電性路徑形成斷路，進而使得經由功率分配器40分配到下電極22的功率趨近於零，提高調節腔室11內等離子體的第一等離子體特徵的穩定性。
需注意的是，在圖4B的實施例中，開關SW位於端點403與下電極22之間。然而，此並非本發明的一限制。本技術領域具有通常知識者應能輕易理解開關SW可位於匹配電路52與下電極22之間的電性路徑上的任意位置。
圖5A是依據本發明一實施例的應用於等離子體加工系統1的方法5第一部分流程圖。倘若大致上能獲得相同的結果，本發明並不限定 完全依照圖5A所示的流程步驟來執行。第一部分的流程步驟大致歸納如下。
步驟501：流程開始。
步驟502：判斷是否第一腔室具有第一工作件且第二腔室內具有第二工作件，若是，則進入步驟503；否則，接續圖5C的流程圖。
步驟503：進行加工。
步驟504：以第一檢測裝置檢測第一腔室內等離子體的第一等離子體特徵。
步驟505：以第二檢測裝置檢測第二腔室內等離子體的第二等離子體特徵。
步驟506：根據第一等離子體特徵和第二等離子體特徵調節第一偏置電壓和/或第二偏置電壓，以使第一等離子體特徵與第二等離子體特徵的相對偏差值小於預設值。
圖5B是依據本發明一實施例的圖5A中步驟506的細部流程圖。倘若大致上能獲得相同的結果，本發明並不限定完全依照圖5B所示的流程步驟來執行，步驟506的細部流程步驟大致歸納如下。
步驟5061：儲存第一等離子體特徵。
步驟5062：將第一電容及第二電容的至少其中之一設置為電容值可調節狀態。
步驟5063：調節第一電容和/或第二電容，以對第一偏置電壓和/或第二偏置電壓進行調節。
步驟5064：判斷第一等離子體特徵與第二等離子體特徵的相對偏差值是否小於預設值，若是，則進入步驟5065；否則，進入步 驟5063。
步驟5065：流程結束。
圖5C是依據本發明一實施例的應用於等離子體加工系統1的方法5第二部分流程圖。倘若大致上能獲得相同的結果，本發明並不限定完全依照圖5C所示的流程步驟來執行，第二部分的流程步驟大致歸納如下。
步驟507：判斷是否第一腔室具有第一工作件且第二腔室沒有第二工作件，若是，則進入步驟508；否則，進入步驟510。
步驟508：根據所儲存的第一等離子體特徵的數值得到第一等離子體特徵的平均值。
步驟509：以上述平均值為目標調節第一偏置電壓，使僅第一腔室對第一工作件進行加工過程中的第一等離子體特徵維持在上述平均值。
步驟510：流程結束。
圖5D是依據本發明一實施例的圖5C中步驟509的細部流程圖。倘若大致上能獲得相同的結果，本發明並不限定完全依照圖5D所示的流程步驟來執行，步驟509的細部流程步驟大致歸納如下。
步驟5091：將第一電容設置為電容值可調節狀態，並將第二電容設置為電容值為最小值。
步驟5092：調節第一電容，以對第一偏置電壓進行調節。
步驟5093：判斷第一等離子體特是否為上述平均值，若是，則進入步驟5094；否則，進入步驟5092。
步驟5094：流程結束。
本技術領域具有通常知識者在閱讀完圖1至圖4B的實施例 後，應能輕易地理解方法5的詳細操作。詳細說明在此省略以省篇幅。在圖1的實施例中，儲存裝置60還可用於儲存一程序碼，當自儲存裝置60讀取並執行上述程序碼後，控制裝置30執行方法5的流程步驟。
圖6是依據本發明一實施例的等離子體加工系統1'的示意圖。等離子體加工系統1'包括腔室11'與21'、置於腔室11'之中的下電極12'、置於腔室21'之中的下電極22'、功率分配器40'、射頻源51'、匹配電路52'、儲存裝置60'、判斷模塊61、檢測模塊62及控制模塊63，其中腔室11'與21'、下電極12'與22'、功率分配器40'、射頻源51'、匹配電路52'及儲存裝置60'與圖1中相對應的元件相同，詳細的連接關係以及功用在此省略以省篇幅。
判斷模塊61用於判斷腔室11'及腔室21'內是否同時具有工作件(如晶圓)。檢測模塊62用於檢測腔室11'內的等離子體的第一等離子體特徵以及檢測腔室21'內的等離子體的第二等離子體特徵，其中第一等離子體特徵與下電極12'之上的第一偏置電壓相關，第二等離子體特徵與下電極22'之上的第二偏置電壓相關。控制模塊63用於根據第一等離子體特徵和第二等離子體特徵調節第一偏置電壓和/或第二偏置電壓，以使第一等離子體特徵與第二等離子體特徵的相對偏差值小於預設值。本技術領域具有通常知識者在閱讀完上述實施例後應能輕易理解判斷模塊61、檢測模塊62用於執行圖5中所示的方法5的流程步驟，詳細說明在此省略以省篇幅。
需注意的是，本發明並不限制判斷模塊61、檢測模塊62及控制模塊63的實現方式。詳細來說，判斷模塊61、檢測模塊62及控制模塊63可以軟件、硬件或固件來實現。舉例來說，檢測模塊62可以硬件，如上述的光學發射光譜儀，或者，軟件如程序設計語言來實現。
前述內容概括數項實施例之特徵，使得熟習此項技術者可更佳地理解本揭露之態樣。熟習此項技術者應瞭解，其等可容易地使用本揭露作為用於設計或修改用於實行本文中介紹之實施例之相同目的及/或達成相同優點之其他製程及結構之一基礎。熟習此項技術者亦應瞭解，此等等效構造不背離本揭露之精神及範疇，且其等可在不背離本揭露之精神及範疇之情況下在本文中作出各種改變、置換及更改。
1:等離子體加工系統
11,21:腔室
12,22:下電極
13,23:檢測裝置
30:控制裝置
40:功率分配器
51:射頻源
52:匹配電路
60:儲存裝置
131:檢測裝置13的第一端
132:檢測裝置13的第二端
133:檢測裝置13的第三端
231:檢測裝置23的第一端
232:檢測裝置23的第二端
301:控制裝置30的第一端
302:控制裝置30的第二端
303:控制裝置30的第三端
304:控制裝置30的第四端
305:控制裝置30的第五端
401:功率分配器40的第一端
402:功率分配器40的第二端
403:功率分配器40的第三端
404:功率分配器40的第四端

Claims (15)

  1. 一種應用等離子體加工系統進行加工的方法，該等離子體系統包括一第一腔室和一第二腔室，該第一腔室內設置一第一下電極，該第二腔室內設置一第二下電極，一射頻源通過一匹配電路和一功率分配器分別向該第一下電極和該第二下電極供電，使該第一下電極產生一第一偏置電壓及該第二下電極產生一第二偏置電壓，其中該方法包括: 在該第一腔室對一第一工作件進行加工且該第二腔室對一第二工作件同時進行加工時，通過一第一檢測裝置檢測該第一腔室內的等離子體的一第一等離子體特徵，通過一第二檢測裝置檢測該第二腔室內的等離子體的一第二等離子體特徵； 根據該第一等離子體特徵和該第二等離子體特徵調節該第一偏置電壓和/或該第二偏置電壓，以使該第一等離子體特徵與該第二等離子體特徵的一相對偏差值小於一預設值； 其中該第一等離子體特徵為該第一等離子體的特徵峰強度，該第二等離子體特徵為該第二等離子體的特徵峰強度。
  2. 如請求項1所述的方法，其中在該第一腔室對該第一工作件進行加工且該第二腔室對該第二工作件同時進行加工過程中，儲存該第一等離子體特徵的數值。
  3. 如請求項2所述的方法，其中在僅該第一腔室對該第一工作件進行加工時，根據所儲存的該第一等離子體特徵的數值得到該第一等離子體特徵的平均值，並以該平均值為目標調節該第一偏置電壓，使僅該第一腔室對該第一工作件進行加工過程中的該第一等離子體特徵維持在該平均值。
  4. 如請求項3所述的方法，其中該功率分配器包括一第一電容，該第一電容的一端耦接至該第一下電極，該第一電容的另一端耦接至該匹配電路；在該第一腔室對該第一工作件進行加工且該第二腔室對該第二工作件同時進行加工時，該第一電容設置為一電容值可調整狀態；通過調節該第一電容，以對該第一偏置電壓進行調節。
  5. 如請求項4所述的方法，其中該功率分配器還包括一第二電容，該第二電容的一端耦接至該第二下電極，該第二電容的另一端耦接至該匹配電路；在該第一腔室對該第一工作件進行加工且該第二腔室對該第二工作件同時進行加工時，該功率分配器處於一第一模式，該第一電容和該第二電容均設置為電容值可調整狀態；通過調節該第一電容和/或該第二電容，以對該第一偏置電壓和/或該第二偏置電壓進行調節。
  6. 如請求項5所述的方法，其中在僅該第一腔室對該第一工作件進行加工時，該功率分配器處於一第二模式，該第一電容設置為一電容值可調整狀態，該第二電容設置為電容值為一最小值，其中該最小值使得該匹配電路與該第二下電極之間的一電性路徑視為斷路；通過調節該第一電容，以對該第一偏置電壓進行調節。
  7. 如請求項1至6任一項所述的方法，其中該第一檢測裝置和該第二檢測裝置為一光學發射光譜儀(Optical Emission Spectroscopy, OES)。
  8. 如請求項1至6任一項所述的方法，還包括： 判斷該第一腔室是否具有該第一工作件且該第二腔室內是否具有該第二工作件； 當該第一腔室具有該第一工作件且該第二腔室具有該第二工作件時，該第一腔室對該第一工作件進行加工且該第二腔室對該第二工作件同時進行加工；以及 當該第一腔室具有該第一工作件，該第二腔室沒有該第二工作件時，僅該第一腔室對該第一工作件進行加工。
  9. 一種等離子體加工系統，包括: 一第一腔室及一第二腔室；該第一腔室內設置一第一下電極且該第二腔室內設置一第二下電極； 一射頻源，通過一匹配電路和一功率分配器分別向該第一下電極和該第二下電極供電，使該第一下電極產生一第一偏置電壓且該第二下電極產生一第二偏置電壓； 一第一檢測裝置，用於檢測該第一腔室內的等離子體的一第一等離子體特徵，該第一等離子體特徵與該第一偏置電壓相關； 一第二檢測裝置，用於檢測該第二腔室內的等離子體的一第二等離子體特徵，該第二等離子體特徵與該第二偏置電壓相關；及 一控制裝置，用於在該第一腔室對一第一工作件進行加工且該第二腔室對一第二工作件同時進行加工時，根據該第一等離子體特徵和該第二等離子體特徵調節該第一偏置電壓和/或該第二偏置電壓，以使該第一等離子體特徵與該第二等離子體特徵的一相對偏差值小於一預設值； 其中該第一等離子體特徵為該第一等離子體的一特徵峰強度，該第二等離子體特徵為該第二等離子體的一特徵峰強度。
  10. 如請求項9所述的等離子體加工系統，還包括: 一儲存裝置，用於儲存該第一腔室對該第一工作件進行加工且該第二腔室對該第二工作件同時進行加工時該第一等離子體特徵的一數值。
  11. 如請求項10所述的等離子體加工系統，其中該控制裝置還用於在僅該第一腔室對該第一工作件進行加工時，根據該儲存裝置所儲存的該第一等離子體特徵的該數值得到該第一等離子體特徵的一平均值，並以該平均值為目標調節該第一偏置電壓。
  12. 如請求項11所述的等離子體加工系統，其中該功率分配器包括一第一電容，該第一電容的一端耦接至該第一下電極，該第一電容的另一端耦接至該匹配電路； 在該第一腔室對該第一工作件進行加工且該第二腔室對該第二工作件同時進行加工時，該第一電容為一電容值可調整狀態；該控制裝置通過調節該第一電容，以對該第一偏置電壓進行調節。
  13. 如請求項12所述的等離子體加工系統，其中該功率分配器還包括一第二電容，該第二電容的一端耦接至該第二下電極，該第二電容的另一端耦接至該匹配電路； 在該第一腔室對該第一工作件進行加工且該第二腔室對該第二工作件同時進行加工時，該功率分配器處於一第一模式，該第一電容和該第二電容均為一電容值可調整狀態；該控制裝置通過調節該第一電容和/或該第二電容，以對該第一偏置電壓和/或該第二偏置電壓進行調節。
  14. 如請求項13所述的等離子體加工系統，其中在僅該第一腔室對該第一工作件進行加工時，該功率分配器處於一第二模式，該第一電容為一電容值可調整狀態，該第二電容的電容值為最小值，其中該最小值使得該匹配電路與該第二下電極之間的一電性路徑視為斷路；該控制裝置通過調節該第一電容，以對該第一偏置電壓進行調節。
  15. 如請求項9至14任一項所述的等離子體加工系統，其中該第一檢測裝置和該第二檢測裝置為一光學發射光譜儀(Optical Emission Spectroscopy, OES)。
TW109139293A 2019-11-14 2020-11-11 應用等離子體加工系統進行加工的方法及等離子體加工系統 TWI791172B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911109807.8 2019-11-14
CN201911109807.8A CN110600357B (zh) 2019-11-14 2019-11-14 用等离子体加工系统进行加工的方法及等离子体加工系统

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202119530A TW202119530A (zh) 2021-05-16
TWI791172B true TWI791172B (zh) 2023-02-01

Family

ID=68852322

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109139293A TWI791172B (zh) 2019-11-14 2020-11-11 應用等離子體加工系統進行加工的方法及等離子體加工系統

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN110600357B (zh)
TW (1) TWI791172B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112530773B (zh) * 2020-11-27 2023-11-14 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺设备

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030230385A1 (en) * 2002-06-13 2003-12-18 Applied Materials, Inc. Electro-magnetic configuration for uniformity enhancement in a dual chamber plasma processing system
CN101076219A (zh) * 2007-06-20 2007-11-21 中微半导体设备(上海)有限公司 包含多个处理平台的去耦合反应离子刻蚀室
US20110178628A1 (en) * 2010-01-08 2011-07-21 Applied Materials, Inc. N-channel flow ratio controller calibration
CN102789949A (zh) * 2012-02-01 2012-11-21 中微半导体设备(上海)有限公司 一种等离子反应器
US20160027667A1 (en) * 2014-07-25 2016-01-28 Applied Materials, Inc. Systems and methods for electrical and magnetic uniformity and skew tuning in plasma processing reactors

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030230385A1 (en) * 2002-06-13 2003-12-18 Applied Materials, Inc. Electro-magnetic configuration for uniformity enhancement in a dual chamber plasma processing system
CN101076219A (zh) * 2007-06-20 2007-11-21 中微半导体设备(上海)有限公司 包含多个处理平台的去耦合反应离子刻蚀室
US20110178628A1 (en) * 2010-01-08 2011-07-21 Applied Materials, Inc. N-channel flow ratio controller calibration
CN102789949A (zh) * 2012-02-01 2012-11-21 中微半导体设备(上海)有限公司 一种等离子反应器
US20160027667A1 (en) * 2014-07-25 2016-01-28 Applied Materials, Inc. Systems and methods for electrical and magnetic uniformity and skew tuning in plasma processing reactors

Also Published As

Publication number Publication date
TW202119530A (zh) 2021-05-16
CN110600357B (zh) 2020-03-31
CN110600357A (zh) 2019-12-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI797307B (zh) 電漿產生方法
US11682541B2 (en) Radio frequency power supply system, plasma processor, and frequency-tuning matching
CN108028166B (zh) 用于处理基板的射频脉冲反射减量
TWI645441B (zh) 用於快速且可重覆之電漿點燃及電漿室中之調整之設備
US8513889B2 (en) Methods and apparatus for tuning matching networks
US8674255B1 (en) Apparatus and method for controlling etch uniformity
JP4838525B2 (ja) プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置及び可変整合器におけるインピーダンスのプリセット値を決定するためのプログラム
US9384945B2 (en) Automatic matching unit and plasma processing apparatus
WO2020263673A1 (en) Method and apparatus for actively tuning a plasma power source
TWI791172B (zh) 應用等離子體加工系統進行加工的方法及等離子體加工系統
US11791135B2 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
US20040188021A1 (en) Method and system for monitoring RF impedance to determine conditions of a wafer on an electrostatic chuck
US20240347320A1 (en) Plasma processing apparatus, power system, control method, and storage medium
US10410840B2 (en) Gas supplying method and semiconductor manufacturing apparatus
TWI790829B (zh) 半導體製程設備和電漿起弧方法
US20170076916A1 (en) Cycle-averaged frequency tuning for low power voltage mode operation
KR102057446B1 (ko) 플라즈마 챔버의 임피던스 매칭 장치
US11508555B2 (en) Plasma processing apparatus and electrode consumption amount measuring method
US12106948B2 (en) Plasma processing apparatus and monitoring device
US20220377870A1 (en) High-frequency power circuit, plasma treatment apparatus, and plasma treatment method
US20210257187A1 (en) Plasma processing apparatus and matching method
US20210066044A1 (en) Plasma processing system and method of supporting plasma ignition
US11929236B2 (en) Methods of tuning to improve plasma stability
US20240304420A1 (en) Apparatus for providing rf power and operating method thereof
US20220157564A1 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method