TWI788411B - 檢查光微影光罩的方法和執行此方法的光罩計量裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明涉及一種在光罩計量裝置中檢查極紫外波長範圍的光微影光罩的方法。在此方法下，選擇光罩的至少一個結構化區域，確定在光微影生產運行中提供給光罩的極紫外波長範圍中的掃描器光子數，並且確定執行測量的極紫外波長範圍中的計量光子數。接下來，基於該掃描器光子數和計量光子數，確立光子統計檢查模式，以及用光罩計量裝置產生至少一個結構化區域的至少一個空間像。
Description
本發明涉及檢查光罩的方法，該光罩用在半導體部件的微光微影製造中。本發明還涉及設計為執行該方法的設備。
光微影光罩(photolithographic mask)--通常還常常稱為光遮罩(photomask)、光罩(mask)或遮罩(reticle)--是投射範本，其最重要的應用是生產半導體部件(特別是積體電路)的光微影法。作為半導體產業中連續增長的集成密度的結果，光微影光罩必須將更小的結構成像到感光層上，即晶圓的光阻上。為了滿足該需求，光微影光罩的曝光波長已經從電磁光譜的近紫外經由中紫外移動到遠紫外範圍。當前，通常使用193nm波長來曝光晶圓上的光阻。將可能用極紫外(EUV)範圍中(優選但不一定在6nm至15nm的範圍內)的波長操作未來的光微影系統。當前特別優選的波長是13.5nm。
EUV波長範圍對未來的光微影系統的束路徑中的光學元件的精度提出了巨大的要求。在所有可能性中，光學元件且因此還有光微影光罩將是反射式光學元件。該光罩具有例如鉬和矽的週期性順序的多層結構。附加地，吸收圖案元件的吸收體結構施加到多層結構。在由吸收體結構的圖案元件覆蓋的EUV光罩的區域中，入射EUV光子被吸收或至少不像 在其他區域中那樣被反射。所以，具有漸增的解析度的光微影光罩的生產變得更加複雜，並且還因此更加昂貴。
光微影光罩必須基本無誤差，因為在每個曝光期間光罩的誤差將會在每個晶圓上重現。在光微影光罩的情況下，重要的是光微影光罩上的吸收體結構的圖案元件恰好將由半導體元件的設計預定的結構元件成像到晶圓上的光阻中。由吸收體圖案在光阻中所產生的結構元件的預期尺寸稱為臨界尺寸(critical dimension，CD)。該尺寸和其變化(CDU，臨界尺寸均勻性(uniformity of the critical dimension))是光微影光罩的品質的中心特徵變數。在該背景下的光微影光罩的誤差的自由度意味著，以光化學波長曝光時的光罩將具有預定誤差間隔的預期尺寸成像到晶圓上，即CD僅可以在預定誤差間隔內變化。如果滿足該條件，則光微影光罩不具有晶圓上的可見的缺陷或可印刷的缺陷。因為不是所有缺陷具有可印刷的效應，所以使用光罩計量裝置檢查光罩。作為示例，提及卡爾蔡司SMT公司的AIMS和WLCD系列。
已知的是，對於從UV波長(諸如例如193nm)到EUV波長的變換，光子的統計效應具有重要作用。光微影設備中從193nm到13.5nm的波長減少導致了增加了近似14倍的光子能量。光微影限定的結構的尺寸減少還導致了結構的表面密度增加了近似5至10倍。因此，每個結構元件中減少近似兩個數量級的光子用在EUV光微影中，因而統計效應大大增加。例如由P.De Bisschopa等人於2014年在Proc of SPIE的卷9048中的“Impact of Stochastic effects on EUV printability limits(對EUV可印刷極限的隨機效應的影響)”以及Zhengqing John Qi等人於2017年在Proc of SPIE 10243中的“Contribution of EUV mask CD variability on LCDU(EUV光罩CD變化性對LCDU的貢獻)”中描述了這些效應。
首先在由於光子與光光罩的相互作用的空間像中引起統計效應，並且附加地，在光阻中於曝光期間同樣發生統計效應。曝光的晶圓 上的典型的特徵變數例如是線邊緣粗糙度(line edge roughness，LER)、線寬度粗糙度(line width roughness，LWR)和晶圓側臨界尺寸的局部變化(LCDU，局部臨界尺寸均勻性(local critical dimension uniformity))。特別地對於光罩和程式控制和對於光微影過程和光阻的合格化的發展而言，相對於統計過程的通過空間像和光阻的貢獻的分離是有利的。
因此，本發明的目的是，允許相對於由光子與光罩的相互作用引起的統計貢獻在盡可能接近光微影光罩用在光微影設備中的條件下來檢查光微影光罩和合格化光微影光罩。
根據本發明的第一方面，因此指定了光罩計量裝置中檢查用於極紫外(EUV)波長範圍的光微影光罩的方法，其中方法包含以下步驟：a.選擇光罩的至少一個結構化區域，b.確定在光微影生產運行中提供給光罩的極紫外(EUV)波長範圍中的掃描器光子數，c.確定執行測量的極紫外(EUV)波長範圍中的計量光子數，d.基於來自步驟b)的掃描器光子數和來自步驟c)的計量光子數確立光子統計檢查模式，e.用光罩計量裝置生產至少一個結構化區域的至少一個空間像(aerial image)。
在光罩計量裝置中，記錄光罩的空間像以判定光罩的選擇區域的圖像是否具有期望的品質。如果可能的缺陷已經在區域中被識別，則可以基於該空間像來判定這樣的缺陷是否也對曝光的晶圓具有影響。換言之，確定缺陷是否被印刷。如果缺陷不對晶圓上的成像結構造成影響，則光罩可以繼續被使用。如果另一方面該效應還導致了在晶圓中成像的結 構的缺陷，則必須採取措施。不可能使用帶缺陷的光罩。因為在EUV範圍中的光罩的成本非常高，這導致了大量經濟損失。替代的措施是校正該缺陷。如果執行這樣的校正，校正的成功必須在後面的步驟中被檢查。在這樣的驗證步驟中，在光罩計量裝置中再次測量校正的光罩。為了執行該測量，因此必須首先選擇將要測量的光罩的區域。因為意圖是為了判定如何將結構成像在晶圓上，所以該區域必須至少部分地取自結構化區域。
典型地在光罩計量裝置中執行嘗試來保持光罩計量裝置本身對測量影響盡可能小。在光罩計量裝置中記錄光罩的空間像系列或空間像。光罩計量裝置常包括光源和記錄裝置，諸如例如具有記錄空間像的CCD的照相機。光罩計量裝置中所使用的光源可以不同於光微影設備(還已知為掃描器，因為當下光微影設備以步進和掃描的原理操作)中所使用的那些。為了確保度量光源的特殊性質盡可能小地影響光微影光罩的區域的空間像，測量持續時間典型地選擇為較長，使得度量光源的統計上變化的性質由於平均化而僅對光罩的空間像做出輕微貢獻。因此，該計量光子數NMetro依賴於波長、度量光源的輸出和測量持續時間，也就是說已知作為在記錄空間像或空間像系列期間的積分時間。術語“劑量”(特別是用於說英語的區域中)在此稱為能量數量，例如像是“清除劑量”為需要來曝光光阻的能量數量。在此由已知公式E=N*h*c/λ得知能量數量E與光子數N相關。在這種情況下，λ表示波長，c表示真空中的光速以及h表示普朗克常量。
由光阻性質確立光子數NScanner，其用在光微影設備中以曝光光阻。因為在半導體元件的製造中快速週期時間是至關重要的，所以應當以低能量數量曝光光阻。因為從上述公式由DUV光處的光子數NDUV獲得在EUV光處的光子數NEUV，相同量的能量處需要更少的EUV光子。
光罩計量裝置不是必須滿足與光微影設備相同的生產率要求。穩定和可重複的測量結果是最重要的。出於該原因，通常選擇具有對應較高光子數NMetro的較長測量時間。這導致了測量中的光子統計的效應對測量結果具有可忽略不計的影響。如果對光罩的缺陷感興趣，該模式也是有利的。現在已經發現的是，除了光罩的寫入期間出現的缺陷以外，還必須在光罩計量裝置中考慮完成的晶圓上的光子統計效應。為此，必須確定在光微影生產運行中提供給光罩的極紫外(EUV)波長範圍中的掃描器光子數NScanner。
為了能夠在光罩計量裝置中光微影光罩的測量期間正確考慮光子統計，首先必須知道執行測量的計量光子數NMetro。為此，在光罩計量裝置中記錄空間像的記錄設備的能量校準可用是必要的。也就是說，計量光子數和記錄設備的測量信號之間的關係必須是已知的。如果記錄設備是例如CCD照相機，則必須絕對校準CCD照相機的計量光子數和計數率之間的關係。
取決於光罩計量裝置的對應測量模式下的掃描器光子數和計量光子數，現在確立光子統計檢查模式並且產生至少一個結構化區域的至少一個空間像。在這種情況下，光子統計檢查模式可以為：直接記錄至 少一個空間像，其中計量光子數和掃描器光子數實質上相同，另外記錄具有太高而光子統計效應為可忽略不計的計量光子數的支援空間像，以及隨後以光子統計模型修改空間像，或記錄多個支援空間像以及內插或外推以產生至少一個空間像。現在將單獨解釋這三個光子統計檢查模式。
在本發明的其他方面，出於生產的目的，用與掃描器光子數實質相同的計量光子數來記錄至少一個空間像。這意味著，計量光子數比掃描器光子數大至多2倍、特別地至多1.5倍、特別地至多1.3倍、特別地至多1.2倍、特別地至多1.1倍。該光子統計檢查模式具有以下優點：在與用光微影設備生產的晶圓上的後面圖像的條件盡可能相同的條件下記錄至少一個空間像。在這種情況下，分離對空間像的單獨貢獻(也就是說例如光子統計、光罩寫入期間的光子效應、光罩上的缺陷、寫入光罩期間的系統誤差及其它)是不可能的。當計算掃描器光子數時，應該考慮EUV範圍中的光微影鏡頭具有佈置在光罩和晶圓之間的多個光學有效反射鏡。例如從已知為“法線入射(normal incidence)”(或NI)反射鏡出發，在每個表面處僅反射全部光子中約65%-70%的光子。出於該原因，有必要考慮在確定掃描器光子數期間晶圓平面中的光子數和在確定計量光子數期間記錄設備的平面中的光子數。因為微光微影設備的鏡頭和光罩計量裝置的鏡頭不同，所以不足以將度量光源的源輸出設定為與掃描器光源實質相同。在確定計量光子數和掃描器光子數期間，必須包含關於光學系統的知識。可以以特別的優點來使用該光子統計檢查模式以便驗證校正的結構化區域。如果在光罩的結構化區域中缺陷已經被識別並且隨後被校正，則可以驗證了校正是成功並且沒有保留對臨界尺寸(CD)、臨界尺寸的全域和局部變化(CDU和LCDU)、對比度、線邊緣粗糙度(LER)或線寬度粗糙度(LWR)的效應。在與稍後在光微影設備中將存在的條件相同的條件下，應當有利地執行該校正。
在本發明的其他方面，執行其他步驟以產生至少一個空間 像。以偏離於掃描器光子數的計量光子數記錄至少一個結構化區域的至少一個支援空間像。接著，從至少一個支援空間像、極紫外(EUV)波長範圍中的光子統計的模型、掃描器光子數和計量光子數，計算空間像。用計量光子數有利地記錄恰好一個支援空間像，使得光子統計的影響可忽略地小。計量光子數可以比計算的掃描器光子數大至少3倍、特別地至少5倍、特別地至少10倍、特別地至少20倍、特別地至少30倍。還可以確定計量光子數，使得光子統計對評估變數(諸如CD、CDU、LCDU、對比度、LER、LWR或其它)的影響可忽略地小。該光子統計檢查模式特別可以有利地用來分離對至少一個空間像做出貢獻的不同效應。直接測量提供不包含光子統計的效應的空間像。然後從記錄的支援空間像與光子統計的已知模型的組合產生包含所有貢獻的全部效應的空間像。計量光子數的和掃描器光子數的知識在此是必要前提。
在本發明的其他方面，以彼此不同的兩個計量光子數來記錄至少兩個支援空間像以產生至少一個空間像。從此，由從至少兩個支援空間像內插或外推然後產生至少一個空間像。該光子統計檢查模式具有以下優點：可以檢查不同掃描器光子數的多個可能的空間像，而不需要再次記錄每個圖像。然而，可以優選地選擇支援空間像的記錄，使得記錄支援空間像的計量光子數的距離與將要檢查的掃描器光子數差別不大。由此，可以調適支援空間像的測量的費用與不同掃描器光子數的結果的精度之間的關係。在內插的情況下，掃描器光子數可以在最大計量光子數和最小計量光子數之間，用該光子數記錄支援空間像。在外推的情況下，掃描器光子數在由記錄支援空間像的最大計量光子數和最小計量光子數確定的範圍之外。已知許多內插和外推的方法。例如，此方法可以是線性內插或外推、基於樣條的方法、使用傅裡葉變換的方法或者使用光子數依賴性的模型的方法。已知的是，可以從數學文獻中收集許多其他的內插和外推方法。
在本發明的其他方面中，在附加步驟中從至少一個空間像 判定結構化區域的至少一個結構參數。在許多情況下，空間像或曝光的晶圓並不是用作評估目的的二維表示(representation)，而是選擇特殊結構參數。這些與特定結構或在光微影光罩的結構化區域中存在的結構相關。這些可以是例如密集線(“線或空間”)、隔離線、接觸孔(稱為“輔助特徵(assist feature)”)，它們對預期的結構的成像有影響，但是它們自身不會出現在晶圓上的圖像中，或者多個其他結構。特殊結構參數的評估取決於實際出現的結構。可以使用的結構參數是，例如臨界尺寸(CD)、線邊緣粗糙度(LER)、線寬度粗糙度(LWR)、臨界尺寸的均勻性(CDU)、臨界尺寸的局部均勻性(LCDU)或對比度。這些結構參數的準確定義同樣可以取決於準確的結構。例如，線結構的臨界尺寸可以限定為，以規定的閾值與相同線高度的兩點之間線範圍垂直的距離。相比之下，接觸孔的臨界尺寸可以限定為，以指定閾值與孔的周長和麵積成比例。確認至少一個空間像的結構參數的優點是，將要研究的資料量的減少，並且評估集中到與半導體結構關聯的尺寸的事實。
在本發明的其他方面中，光阻的模型用來判定至少一個結構參數。在光罩計量裝置中記錄的空間像和光微影設備中晶圓上光阻的實際曝光之間的原理差異，涉及在光阻中發生且對晶圓上結構的形成有貢獻的過程。這些化學過程它們自身還具有統計學成分。出於該原因，創造了光阻的化學行為的模型，並且修改用光罩計量裝置記錄的空間像或由此確定的結構參數。從現有技術已知這樣的光阻的模型。這些模型取決於專用漆(lacquer)。出於該原因，必須為每個光阻創造專用模型。還已知簡化的光阻的模型。最簡單的模型是使用閾值(threshold value)來確定結構。如果在一個位置處能量超過閾值，則曝光對應位置。另一方面，如果能量低於該閾值，則對應位置不曝光。還可以是相反的關係，取決於是使用正性光阻還是負性光阻。
在本發明的其他方面中，光微影光罩的結構化區域包含預 期的結構和至少一個缺陷。這樣的光罩計量裝置的一個可能的應用是，檢查在前面檢查步驟中已經識別的光微影光罩上的缺陷或可能的缺陷是否實際上體現為在光微影設備上成像期間的晶圓上的結構的變化。換言之，問題是這些缺陷或可能的缺陷是否能夠被列印。還可以從此匯出具有光罩的其他進程。例如，例如在修復過程中可以修復光罩。這具有優點在於，可以降低昂貴的光微影光罩的廢品率。在這樣的修復的情況下，可以儲存結構化區域的位置。在修復後，可以用光罩計量裝置再次測量該區域。在這樣的驗證步驟中，檢查修復是否是成功的。
在本發明的其他方面中，過程變化帶的表示(representation)是由光罩計量裝置來輸出。晶圓上的光微影光罩的成像的結構的準確外觀取決於光微影過程的各種參數。這些參數可以是例如波長、照明設定、偏振、曝光時間或其他變數。特別是在照明設定中，已知有很多種，例如雙極照明、四極照明、環形照明、自由形式照明等。在有意義的背景下，為了表示該過程參數對成像的影響，使用已知為過程變化帶(process variation band，“PV帶”)的示意圖。
在本發明的其他方面中，對至少一個結構參數的貢獻是單獨分離的。以這種方法，可以分別指示光微影光罩的、光子統計的和/或光阻的貢獻。
在本發明的其他方面中，提供了設計為執行請求項1至11該的方法步驟的光罩計量裝置。
21‧‧‧區域
22‧‧‧區域
31‧‧‧區域
32‧‧‧陰影區域
41‧‧‧區域
42‧‧‧區域
下面參考附圖更詳細地解釋本發明的示例性實施例。附圖中：圖1示出了根據本發明的方法的流程圖；圖2示出了接觸孔的圖像和來自完整圖像的細節放大圖； 圖3示出了過程變化帶的示意圖；圖4示出了標準化劑量與局部CDU(LCDU)之間的關係。
圖1示出了本發明的流程圖的示意圖。作為任意光微影光罩的示例，這裡考慮具有接觸孔的光罩。圖2中示出了這樣的光罩所產生的圖像。較小區域22選自具有2μm×2μm的範圍的較大區域21，並且以放大形式示出。在標稱術語中，這是在晶圓平面中具有22nm的CD的接觸孔的密集佈置。因為典型的光微影設備將光微影光罩上的結構縮小了四倍，所以光罩平面中的結構尺寸上為四倍大。為了執行此方法，首先選擇光微影光罩的結構化區域。在這種情況下，區域包含示出的接觸孔的佈置。為了正確地考慮EUV光的光子統計的影響，首先確定所需要的光子數。確定的是在光微影設備上運行的生產中提供給光罩的光子數NScanner。還確定的是將在光罩計量裝置上執行至少一個空間像的記錄的光子數NMetro。因為這兩個光子數彼此獨立，所以他們還可以彼此獨立地確定。兩個確定的順序也不重要。隨後，必須確立光子統計學檢查模式。總體上，以不同光子統計檢查模式執行多個測量。
首先考慮的是掃描器光子數NScanner，其與計量光子數實質相同。因此，使用光子統計檢查模式，在該模式中，在如光微影設備中的相同情況下直接記錄至少一個空間像。這裡未示出記錄的空間像。因此記錄的空間像包含了還可以在光微影設備中在晶圓上所見的所有效應。也就是說，包含了光微影鏡頭的實際成像、照明設定、光子統計和光罩製造的貢獻。
這裡未直接示出記錄的空間像。評估來自空間像的結構化區域中的結構參數。可以使用許多不同的結構參數，例如，臨界尺寸(CD)、線邊緣粗糙度(LER)、線寬粗糙度(LWR)、臨界尺寸的均勻性(CDU)、 臨界尺寸的局部均勻性(LCDU)、對比度及其它。
已知的光罩計量裝置提供了各種可能的評估。在這種情況下，檢查接觸孔的臨界尺寸(CD)。這裡觀察的臨界尺寸是接觸孔的區域。期望使不同效應彼此分離並且表示光子統計對CD的效應。由每個結構的平均值(經由重複的平均)描述系統效應(即光罩製造的品質)。通過從測量值減去該平均值，可以隔離該統計效應。例如，可以基於這些CD值而非平均值來計算光子統計的局部CDU效應(例如為接觸孔的三倍標準差)。為了確定接觸孔的區域，必須施加光阻的模型。在此，簡單的閾值用於確定接觸孔的內部和外部區域。常規影像處理演算法然後用於確定包圍的區域並且因此確定CD。
圖4示出了y軸上所獲得的CD(LCDU)的局部變化。圖4的x軸上繪製了標準化的劑量(normalized dose)。通過陳述的關係E=N*h*c/λ，該劑量還可以在任意時間變換為光子數。因為在此以任意單位給定劑量，不存在與光子數和劑量之間的實質差異。圖4中，與區域42對應的該示例性實施例中應用光子統計檢查模式。可以看到的是，在選擇的掃描器光子數處光子統計的影響構成了對最佳焦點位置(圖4中的圓)中近似1nm CD的貢獻。還可以在最佳焦點位置外部60nm處執行測量。在該離焦的情況下，光子統計的貢獻已經相當大，在近似1.3nm和1.5nm CD之間。光子統計的影響的模型是已知的。假設光子為泊松分佈，結果是LCDU與因數(factor)1/
成比例。圖4示出了由測量確認的該模型。
以計量光子數採取支援空間像的進一步記錄，該計量光子數遠大於掃描器光子數，使得通過光子統計對至少一個支援空間像的貢獻可忽略不計。圖4中，這樣的計量光子數與以選擇的任意單位的0.8-1的劑量對應。圖4中描繪了該區域41。至少一個支援空間像的評估還可以用於分離該效應。在該支援空間像中，僅包含光罩生產和光微影設備的系統效應。具體的劑量或必須為可忽略不計的光子統計的效應而選擇的計量光子數取 決於考慮的具體結構尺寸。在22nm接觸孔的該情況下，效應減少至近似0.2-0.1nm CD是足夠的。因此，規定極限值，並且選擇計量光子數太高使得規定的極限值不能達到結構參數。明確的是，由於對計量光子數的弱平方根依賴性，如果要實現更好的解耦則測量次數對應地增加。在此，必須在測量持續時間與測量精度之間執行權衡。
如剛才已經描述的且如圖4中作為區域41所示，第二光子統計檢查模式基於支援空間像發生。為此，對於至少一個支援空間像和極紫外(EUV)波長範圍中的光子統計的描述模型、掃描器光子數和計量光子數而言，計算至少一個空間像。該過程的優點是，獲得不含光子統計的影響的空間像(特別是至少一個支援空間像)和包含光子統計的效應的空間像二者。另一個優點是，可以從支援空間像的僅僅一次測量快速產生不同掃描器光子數的模擬。缺點是要掌握該進程所需要的模型的知識。該光子統計檢查模式因此特別適合於參數範圍的檢查。
其他光子統計檢查模式是基於至少兩個支援空間像的記錄，其中兩個計量光子數彼此不同並且隨後從至少兩個支援空間像內插或外推空間像。圖4未示出該情況，但是可以基於圖4解釋該情況。然而，給定了不同計量光子數的總共五次測量。這些針對最佳焦點位置示為圓形，並且針對60nm離焦示為方形。以可能與0.4的劑量對應的掃描器光子數評估然後可以應用於兩個支援空間像，其以與近似0.25和0.5的劑量值對應的計量光子數記錄。然後可以產生至少一個空間像，作為在兩個支持空間像之間的內插。在知道光阻的模型的情況下，然後可以評估結構參數。還從該示例明確的是，簡單線性內插和沿著光子統計的模型的內插都有意義。
光罩計量裝置為使用者提供了各種各樣的評估演算法。設計為自動執行描述的光子統計評估模式的光罩計量裝置將通過評估該結構參數提供其他表示，可以以該結構參數描述光微影光罩的結構化區域中的光罩結構。在此，作為已知的過程變化帶(“PV帶”)已經被證實特別地 有用。晶圓上的光微影光罩的成像的結構的準確外觀取決於光微影過程的各種參數。這些參數可以是例如波長、照明設定、偏振、曝光時間或其他變數。特別是在照明設定中，已知有很多種，例如雙極照明、四極照明、環形照明、自由形式照明等。在光微影系統的參數的每個選擇下，獲得彼此輕微地不同的空間像。在PV帶圖中示出的是具有過程參數的變化的所有線結構的包絡。圖3示出了簡單的示例。區域31在此給定光罩上的預期的結構。光阻模型的應用中過程參數的所有變化導致了所有位於陰影區域32內的空間像中的輪廓線。過程參數對至少一個空間像的最大影響由此可以是視覺化的並且被良好地估計。
Claims (12)
- 一種在光罩計量裝置中檢查用於極紫外波長範圍的光微影光罩的方法，其中該方法包含以下步驟：(a)選擇該光罩的至少一個結構化區域，(b)確定在該光微影生產運行中提供給該光罩的該極紫外波長範圍中的一掃描器光子數，(c)確定執行該測量的該極紫外波長範圍中的一計量光子數，(d)基於來自步驟(b)的該掃描器光子數和來自步驟(c)的該計量光子數確立一光子統計檢查模式，(e)用該光罩計量裝置產生該至少一個結構化區域的至少一個空間像。
- 根據請求項1所述的方法，其中，出於生產的目的，用與該掃描器光子數實質相同的該計量光子數來記錄該至少一個空間像。
- 根據請求項1所述的方法，其中，出於產生該至少一個空間像的目的，執行以下步驟：以偏離於該掃描器光子數的該計量光子數來記錄該至少一個結構化區域的至少一個支援空間像，從該至少一個支援空間像、該極紫外波長範圍中的該光子統計的一模型、該掃描器光子數和該計量光子數，來計算該空間像。
- 根據請求項3所述的方法，其中，以遠大於該掃描器光子數的一計量光子數記錄該至少一個支援空間像，使得經由該光子統計對該至少一個支持空間像的貢獻可忽略不計。
- 根據請求項1所述的方法，其中，出於產生該至少一個空間像的目的，執行以下步驟：以彼此不同的兩個計量光子數記錄至少兩個支援空間像，從該至少兩個支援空間像內插或外推該空間像。
- 根據請求項1至5中任一項所述的方法，包含以下附加的步驟：從該空間像判定該結構化區域的至少一個結構參數。
- 根據請求項6所述的方法，其中，該至少一個結構參數選自臨界尺寸、線邊緣粗糙度、線寬粗糙度、臨界尺寸的均勻性、臨界尺寸的局部均勻性或對比度。
- 根據請求項6所述的方法，其中應用一光阻的一模型以判定該至少一個結構參數。
- 根據請求項1至5中任一項所述的方法，其中該結構化區域包含預期的結構和至少一個缺陷。
- 根據請求項1至5中任一項所述的方法，其中輸出多個過程變化帶的一表示。
- 根據請求項8所述的方法，其中分別指示該光微影光罩的該至少一個結構參數、該光子統計和/或該光阻的貢獻。
- 一種光罩計量裝置，其中該光罩計量裝置設計為執行請求項1至11所述的方法步驟。
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