TWI779093B - 膜狀燒製材料、具支撐片的膜狀燒製材料以及半導體裝置之製造方法 - Google Patents

膜狀燒製材料、具支撐片的膜狀燒製材料以及半導體裝置之製造方法 Download PDF

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TWI779093B
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firing
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市川功
中山秀一
佐藤明徳
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日商琳得科股份有限公司
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    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29339—Silver [Ag] as principal constituent
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    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29344—Gold [Au] as principal constituent
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    • H01L2224/29355—Nickel [Ni] as principal constituent
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    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/2936—Iron [Fe] as principal constituent
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    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29363—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/29364—Palladium [Pd] as principal constituent
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    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29363—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/29366—Titanium [Ti] as principal constituent
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    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29363—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/29369—Platinum [Pt] as principal constituent
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    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/29386—Base material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
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    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
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Abstract

本發明係提供一種具支撐片的膜狀燒製材料，具備有膜狀燒製材料1以及設置於前述膜狀燒製材料之至少一側之支撐片2，其中膜狀燒製材料1含有燒結性金屬粒子10以及黏合劑成分20，燒結性金屬粒子10之含量為15質量%至98質量%，黏合劑成分20之含量為2質量%至50質量%，於60℃之拉伸彈性模數為4.0MPa至10.0MPa，於60℃之破裂伸長度為500%以上；前述膜狀燒製材料對支撐片之黏著力(a2)小於前述膜狀燒製材料對半導體晶圓之黏著力(a1)，且前述黏著力(a1)為0.1N/25mm以上，前述黏著力(a2)為0.1N/25mm以上0.5N/25mm以下。

Description

膜狀燒製材料、具支撐片的膜狀燒製材料以及半導體裝置之製造方法
本發明係關於一種膜狀燒製材料、以及具支撐片的膜狀燒製材料。
本申請案係基於2017年9月15日向日本提出申請之特願2017-177653號、2018年5月16日向日本提出申請之特願2018-94575號、以及2018年5月22日向日本提出申請之特願2018-98014號主張優先權，將其內容援引於本說明書中。
近年來伴隨汽車、空調、電腦等之高電壓化、高電流化，搭載於此等物件上之電力用半導體元件(功率元件)之需求升高。電力用半導體元件基於在高電壓、高電流下使用的特徵， 故自半導體元件的生熱容易成為問題。
以往，由於自半導體元件所產生之熱的放熱，會有在半導體元件之周圍安裝散熱座的情況。但是，若於散熱座與半導體元件之間的接合部的熱傳導性並非良好，則會妨礙有效率的放熱。
作為熱傳導性優異之接合材料，例如於專利文獻1揭示了一種糊狀金屬微粒子組成物，係由特定之加熱燒結性金屬粒子、特定之高分子分散劑、特定之揮發性分散媒所混合而成。若使得該組成物產生燒結，則會成為熱傳導性優異之固態狀金屬。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開2014-111800號公報。
但是，如專利文獻1般燒製材料為糊狀之情況，要使得所塗布之糊厚度均勻化有困難，而有欠缺厚度穩定性之趨勢。是以，本發明者為了解決厚度穩定性之問題，乃想到了將以往以糊狀組成物形式所提供之燒製材料變成以膜狀形式來提供。
為了使得燒製材料成為膜狀，只要於燒製材料摻配黏合劑成分來形成為膜狀即可。對於膜狀之燒製材料而言，若考慮到燒製時之昇華性，則以增加燒結性金屬粒子之含量、減少黏合劑成分之含量為佳。
另一方面，燒製材料係例如使用於半導體晶圓經由切割而單片化形成之晶片與基板之燒結接合。此外，只要於膜狀燒製材料其中一側(表面)設有支撐片，則可作為將半導體晶圓單片化成為晶片時所使用之切割片。再者，可藉由使用刀具等來和半導體晶圓一同單片化而加工成為和晶片為同形的膜狀燒製材料。
但是，若膜狀燒製材料之黏合劑成分之含量變少，則膜狀燒製材料容易變得脆弱。一旦膜狀燒製材料變得脆弱，則於切割時燒製材料被刀具切削變得容易產生切屑。此切屑會附著於半導體晶圓之表面，成為半導體晶圓污染之原因。
為了消除膜狀燒製材料之脆性，使得膜狀燒製材料柔軟化即可，但柔軟性過高則於切割時膜狀燒製材料容易因振動使得晶片彼此碰撞，而變得容易於晶片之表面、側面發生晶片碎裂(碎屑)。
如此般，由於防止晶圓污染與防止晶片碎裂成為二者擇一之關係，故難以同時抑制晶圓污染與晶片碎裂。
此外，以膜狀燒製材料而言，若對於半導體晶圓之黏著力變低，則於切割時晶片容易因著與刀具的摩擦而飛濺，發生所謂的「晶片彈飛」。
再者，以膜狀燒製材料而言，若對於支撐片支黏著力變低，則切割時燒製材料會飛濺，此飛濺之燒製材料會附著於半導體晶圓之表面，成為半導體晶圓污染之原因。相反地，若對於支撐片之黏著力變高，則對於半導體晶圓經切割而單片化所成之晶片進行選取(pick up)時，膜狀燒製材料變得不易從支撐片剝落，將變得無法穩定地選取經切割之具膜狀燒製材料的晶片。
本發明係鑑於上述情事所得者，其目的在於提供一種膜狀燒製材料，於厚度穩定性方面優異，可抑制切割時之晶圓污染以及晶片碎裂。此外，目的在於提供一種具備該膜狀燒製材料之具支撐片的膜狀燒製材料、以及具支撐片的膜狀燒製材料(可抑制切割時之晶片彈飛與晶圓污染並可穩定地選取經切割之具膜狀燒製材料的晶片)、以及使用前述具支撐片的膜狀燒製材料之半導體裝置之製造方法。
本發明具有以下之態樣。
〔1〕一種膜狀燒製材料，含有燒結性金屬粒子以及黏合劑成分；燒結性金屬粒子之含量為15質量%至98質量%，黏合劑成分之含量為2質量%至50質量%；於60℃之拉伸彈性模數為 4.0MPa至10.0MPa，於60℃之破裂伸長度為500%以上。
〔2〕如〔1〕所記載之膜狀燒製材料，其中於23℃之拉伸彈性模數為5.0MPa至20.0MPa，於23℃之破裂伸長度為300%以上。
〔3〕如〔1〕或是〔2〕所記載之膜狀燒製材料，其中構成燒製前之膜狀燒製材料之成分當中，燒結性金屬粒子以外之成分之玻璃轉換溫度為30℃至70℃。
〔4〕一種具支撐片的膜狀燒製材料，具備有：如〔1〕至〔3〕中任一項記載之膜狀燒製材料；以及支撐片，係設置於前述膜狀燒製材料之至少一側。
〔5〕一種具支撐片的膜狀燒製材料，具備有：膜狀燒製材料，係含有燒結性金屬粒子以及黏合劑成分；以及，支撐片，係設置於前述膜狀燒製材料之至少一側；前述膜狀燒製材料對支撐片之黏著力(a2)小於前述膜狀燒製材料對半導體晶圓之黏著力(a1)，且前述黏著力(a1)為0.1N/25mm以上，前述黏著力(a2)為0.1N/25mm以上0.5N/25mm以下。
〔6〕如〔4〕所記載之具支撐片的膜狀燒製材料，其中前述膜狀燒製材料之燒結性金屬粒子之含量為15質量%至98質量%，黏合劑成分之含量為2質量%至50質量%，於60℃之拉伸彈性模數為4.0MPa至10.0MPa，於60℃之破裂伸長度為500%以上。
〔7〕如〔4〕至〔6〕中任一項所記載之具支撐片的膜狀燒製材料，其中前述支撐片係於基材膜上設置有黏著劑層者；於 前述黏著劑層上設置有前述膜狀燒製材料。
〔8〕一種半導體裝置之製造方法，係使用如〔4〕至〔7〕中任一項所記載之具支撐片的膜狀燒製材料，依序進行以下之步驟(1)至(4)：步驟(1)：對於前述具支撐片的膜狀燒製材料貼附至半導體晶圓所得到之依序積層有支撐片、膜狀燒製材料、以及半導體晶圓而成之積層體之半導體晶圓與膜狀燒製材料進行切割之步驟；步驟(2)：將前述切割後之膜狀燒製材料與支撐片加以剝離，得到具膜狀燒製材料的晶片之步驟；步驟(3)：對基板之表面貼附前述具膜狀燒製材料的晶片之步驟；步驟(4)：將前述具膜狀燒製材料的晶片之膜狀燒製材料加以燒製，使得前述具膜狀燒製材料的晶片與基板進行接合之步驟。
依據本發明，可提供一種膜狀燒製材料，在厚度穩定性方面優異，可抑制切割時之晶圓污染以及晶片碎裂。此外，提供一種具備該膜狀燒製材料而用於半導體元件等晶片之燒結接合上之具支撐片的膜狀燒製材料、以及具支撐片的膜狀燒製材料(可抑制切割時之晶片彈飛與晶圓污染並可穩定地選取具膜狀燒製材料的晶片)、以及使用前述具支撐片的膜狀燒製材料之半導體裝置之製造方法。
1:膜狀燒製材料
2:支撐片
3:基材膜
4:黏著劑層
5:環骨架
10:燒結性金屬粒子
20:黏合劑成分
100:具支撐片的膜狀燒製材料
100a:具支撐片的膜狀燒製材料
100b:具支撐片的膜狀燒製材料
圖1係示意顯示本發明之一實施形態相關之膜狀燒製材料之截面圖。
圖2係示意顯示本發明之一實施形態相關之具支撐片的膜狀燒製材料之截面圖。
圖3係示意顯示本發明之一實施形態相關之具支撐片的膜狀燒製材料貼附於環骨架之狀態之截面圖。
圖4係示意顯示本發明之一實施形態相關之具支撐片的膜狀燒製材料貼附於環骨架之狀態之截面圖。
圖5係示意顯示本發明之一實施形態相關之具支撐片的膜狀燒製材料貼附於環骨架之狀態之立體圖。
圖6係示意顯示本發明之一實施形態相關之具支撐片的膜狀燒製材料積層於半導體晶圓之狀態之截面圖。
以下，針對本發明之一實施形態，參見適宜之圖式來說明。
另外，以下之說明所使用之圖，為了便於理解本發明之特徵而有權宜性地將成為主要部分之部分予以放大顯示之情況，各構成要素之尺寸比率等不限於和實際相同。
≪膜狀燒製材料≫
本實施形態之膜狀燒製材料為一種膜狀燒製材料，含有燒結性金屬粒子以及黏合劑成分，燒結性金屬粒子之含量為15 質量%至98質量%，黏合劑成分之含量為2質量%至50質量%，於60℃之拉伸彈性模數為4.0MPa至10.0MPa，於60℃之破裂伸長度為500%以上。此處所說的燒結性金屬粒子之含量以及黏合劑成分之含量分別表示本實施形態之膜狀燒製材料中，相對於溶媒以外全部成分之總質量(100質量%)所佔含量。此外，燒結性金屬粒子之含量與黏合劑成分之含量之和不超過100質量%。
本發明所說的膜狀燒製材料，在無特別限定的情況意指燒製前之物。
圖1係示意顯示本實施形態之膜狀燒製材料之截面圖。膜狀燒製材料1係含有燒結性金屬粒子10以及黏合劑成分20。
膜狀燒製材料可為由1層(單層)所構成之物，也可為由2層以上之複數層(例如2層以上10層以下之層)所構成之物。當膜狀燒製材料係由複數層所構成之情況，此等複數層可彼此相同也可不同，此等複數層之組合在不損及本發明效果的前提下並無特別限定。
此外，本說明書中不限於膜狀燒製材料之情況，所謂「複數層可彼此相同也可不同」意指「所有的層可為相同，所有的層也可為不同，也可僅一部分的層相同」，再者所謂「複數層彼此不同」意指「各層之構成材料、構成材料之摻配比、以及厚度之至少一者彼此不同」。
膜狀燒製材料之燒製前厚度並無特別限定，以10μm至200μm為佳，以20μm至150μm為更佳，以30μm至90μm為特佳。
此處所謂「膜狀燒製材料之厚度」意指膜狀燒製材料全體之厚度，例如由複數層所構成之膜狀燒製材料之厚度意指構成膜狀燒製材料之所有的層之合計厚度。
本說明書中，「厚度」係在任意5部位測定厚度而以平均表示之值，可依據JIS(Japanese Industrial Standard；日本工業標準)K7130，使用定壓厚度測定器來取得。
(剝離膜)
膜狀燒製材料能以積層在剝離膜上之狀態來提供。使用時只要剝除剝離膜而將膜狀燒製材料配置於燒結接合對象物上即可。剝離膜也具有作為防止膜狀燒製材料之損傷、附著髒污之保護膜的功能。剝離膜只要設置於膜狀燒製材料之至少一側即可，也可設置於膜狀燒製材料之兩側。設置於兩側之情況，一側係發揮支撐片的功能。
作為剝離膜係使用例如聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚對萘二甲酸乙二酯膜、聚對苯二甲酸丁二酯膜、聚胺甲酸乙酯膜、乙烯/醋酸乙烯酯共聚物膜、離 子聚合物樹脂膜、乙烯/(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯/(甲基)丙烯酸酯共聚物膜、聚苯乙烯膜、聚碳酸酯膜、聚醯亞胺膜、氟樹脂膜等之透明膜。此外也可使用此等之交聯膜。再者也可為此等之積層膜。此外，也可使用此等經著色之膜、不透明膜等。作為剝離劑可舉出例如矽酮系、氟系、烯烴系、醇酸系、含長鏈烷基之胺甲酸酯等之剝離劑。
剝離膜之厚度通常為10μm至500μm，較佳為15μm至300μm，尤佳為20μm至250μm左右。
<燒結性金屬粒子>
燒結性金屬粒子在膜狀燒製材料之燒製上係因著以金屬粒子之熔點以上的溫度受到加熱處理而可使得粒子彼此熔融、結合來形成燒結體的金屬粒子。藉由形成燒結體可使得膜狀燒製材料與相鄰受到燒製之物品產生燒結接合。具體而言，可使得晶片與基板經由膜狀燒製材料來燒結接合。
作為燒結性金屬粒子之金屬種可舉出銀、金、銅、鐵、鎳、鋁、矽、鈀、鉑、鈦、鈦酸鋇、此等氧化物或是合金等，以銀以及氧化銀為佳。燒結性金屬粒子可僅摻配一種類，也能以2種類以上的組合來摻配。
燒結性金屬粒子以粒徑為100nm以下、較佳為50nm以下、更佳為20nm以下之銀粒子亦即銀奈米粒子為佳。
膜狀燒製材料所含燒結性金屬粒子之粒徑只要可發揮上述燒結性則無特別限定，可為100nm以下，也可為50nm以下，也可為30nm以下。例如，具有粒徑為100nm以下之物佔全體之20質量%以上為佳。此外，膜狀燒製材料所含燒結性金屬粒子之粒徑係定為以電子顯微鏡所觀察到燒結性金屬粒子之粒徑之相當於投影面積圓之直徑。屬於上述粒徑範圍之燒結性金屬粒子由於燒結性優異故為所喜好者。
以膜狀燒製材料所含燒結性金屬粒子之粒徑而言，對於以電子顯微鏡所觀察到燒結性金屬粒子之粒徑之相當於投影面積圓之直徑為100nm以下之粒子所求得之粒徑之數平均可為0.1nm至95nm，也可為0.3nm至50nm，也可為0.5nm至30nm。此外，測定對象之燒結性金屬粒子係定為從每一膜狀燒製材料隨機選出100個以上(例如100個)。
燒結性金屬粒子在混合至黏合劑成分以及後述其他添加劑成分之前，為了事先調整成為無凝集物之狀態，也可事先分散於異莰基環己醇或癸醇等沸點高的高沸點溶媒。高沸點溶媒之沸點可為例如200℃至350℃。此時，若使用高沸點溶媒，由於幾乎不會於常溫揮發故可防止燒結性金屬粒子之濃度變高，使得作業性提高，此外，也可防止燒結性金屬粒子之再凝集等， 品質也變得良好。分散法可舉出捏合機、三輥機、珠磨機以及超音波等。
本實施形態之膜狀燒製材料中除了粒徑100nm以下之金屬粒子(燒結性金屬粒子)以外，也可進而摻配此種金屬粒子以外的粒徑超過100nm之金屬粒子之屬於非燒結性金屬粒子。此外，非燒結性金屬粒子之粒徑係定為以電子顯微鏡所觀察到非燒結性金屬粒子之粒徑之相當於投影面積圓之直徑。粒徑可為例如超過100nm至5000nm，以具有100nm至2500nm之粒徑者佔全體之5質量%以上為佳。以粒徑超過100nm之非燒結性金屬粒子之粒徑而言，對於以電子顯微鏡所觀察到金屬粒子之粒徑之相當於投影面積圓之直徑超過100nm之粒子所求得之粒徑之數平均可為超過150nm且50000nm以下，也可為150nm至10000nm，也可為180nm至5000nm。
粒徑超過100nm之非燒結性金屬粒子之金屬種可舉出和針對上述燒結性金屬粒子之金屬種所例示者為相同者，以銀、銅、以及此等氧化物為佳。
粒徑100nm以下之燒結性金屬粒子與粒徑超過100nm之非燒結性金屬粒子彼此可為相同金屬種也可為互異金屬種。例如，粒徑100nm以下之燒結性金屬粒子可為銀粒子，而粒徑超過100nm之非燒結性金屬粒子可為銀或是氧化銀粒子。例如， 粒徑100nm以下之燒結性金屬粒子可為銀或是氧化銀粒子，而粒徑超過100nm之非燒結性金屬粒子可為銅或是氧化銅粒子。
本實施形態之膜狀燒製材料中，相對於全部金屬粒子之總質量(100質量%)，燒結性金屬粒子之含量可為10質量%至100質量%，也可為20質量%至95質量%。
可於燒結性金屬粒子以及/或是非燒結性金屬粒子之表面被覆有機物。藉由被覆有機物，可提高燒結性金屬粒子以及/或是非燒結性金屬粒子與黏合劑成分之相容性，可防止粒子彼此之凝集，而可均勻地分散。
當燒結性金屬粒子以及/或是非燒結性金屬粒子之表面被覆著有機物之情況，燒結性金屬粒子以及非燒結性金屬粒子之質量係定為包含被覆物之值。
<黏合劑成分>
藉由摻配黏合劑成分，可將燒製材料成形為膜狀，可對燒製前之膜狀燒製材料賦予黏著性。黏合劑成分可具有因著膜狀燒製材料之燒製上之加熱處理而起熱分解之熱分解性。
黏合劑成分並無特別限定，作為黏合劑成分之較佳一例可舉出樹脂。樹脂可舉出丙烯酸系樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚乳酸、纖維素衍生物之聚合物等，以丙烯酸系樹脂為佳。丙烯酸系樹脂包含有(甲基)丙烯酸酯化合物之均聚物、(甲基)丙烯酸酯化合 物之2種以上之共聚物、(甲基)丙烯酸酯化合物與其他共聚性單體之共聚物。
構成黏合劑成分之樹脂中，源自於(甲基)丙烯酸酯化合物之構成單位之含量相對於構成單位之總質量(100質量%)以50質量%至100質量%為佳，以80質量%至100質量%為更佳，以90質量%至100質量%為特佳。
此處所謂的「源自於」意指前述單體進行重合時所受必要之構造變化。
(甲基)丙烯酸酯化合物之具體例可舉出：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸異戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸-乙基己酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷酯、(甲基)丙烯酸十二烷酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸硬脂酯、(甲基)丙烯酸異硬脂酯等之(甲基)丙烯酸烷酯；(甲基)丙烯酸羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-3-羥基丁酯等之(甲基)丙烯酸羥基烷酯；(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸2- 羥基-3-苯氧基丙酯等之(甲基)丙烯酸苯氧基烷酯；(甲基)丙烯酸-2-甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-乙氧基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-丙氧基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-丁氧基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-甲氧基丁酯等之(甲基)丙烯酸烷氧基烷酯；聚乙二醇單(甲基)丙烯酸酯、乙氧基二乙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、苯氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、壬基苯氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇單(甲基)丙烯酸酯、甲氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、乙氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、壬基苯氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯等之聚烷二醇(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸-4-丁基環己酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯酯、(甲基)丙烯酸二環戊二烯酯、(甲基)丙烯酸莰酯、(甲基)丙烯酸異莰酯、(甲基)丙烯酸三環癸酯等之(甲基)丙烯酸環烷酯；(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸四氫糠酯等。以(甲基)丙烯酸烷酯或是(甲基)丙烯酸烷氧基烷酯為佳，尤佳之(甲基)丙烯酸酯化合物可舉出(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸乙基己酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、以及(甲基)丙烯酸-2-乙氧基乙酯。
本說明書中所謂「(甲基)丙烯酸酯」係包含「丙烯酸酯」以及「甲基丙烯酸酯」雙方的概念。
作為丙烯酸樹脂以甲基丙烯酸酯為佳。若黏合劑成分含有源自於甲基丙烯酸酯之構成單位，則能以相對低溫進行燒製，可易於滿足燒結後用以獲得充分接著強度之條件。
構成黏合劑成分之樹脂中，源自於甲基丙烯酸酯之構成單位之含量相對於構成單位之總質量(100質量%)以50質量%至100質量%為佳，以80質量%至100質量%為更佳，以90質量%至100質量%為特佳。
作為其他共聚性單體只要是可和上述(甲基)丙烯酸酯化合物進行共聚之化合物即可並無特別制限，可舉出例如(甲基)丙烯酸、乙烯基苯甲酸、馬來酸、乙烯基鄰苯二甲酸等之不飽和羧酸類；乙烯基苄基甲醚、乙烯基環氧丙醚、苯乙烯、α-甲基苯乙烯、丁二烯、異戊二烯等之含乙烯基之自由基聚合性化合物。
構成黏合劑成分之樹脂之質量平均分子量(Mw)以1,000至1,000,000為佳，以10,000至800,000為更佳。若樹脂之質量平均分子量在上述範圍內，則可展現出作為膜之充分膜強度，且變得易於賦予柔軟性。
此外，本說明書中所說的「質量平均分子量」若無特別限定，係藉由凝膠滲透層析(GPC；Gel Permeation Chromatography)法所測定之聚苯乙烯換算值。
構成黏合劑成分之樹脂之玻璃轉換溫度(Tg)可使用以下所示Fox之式子來計算求得，此溫度以-60℃至50℃為佳，以-30℃至10℃為更佳，以-20℃以上且未達0℃為特佳。若從Fox之式子所求得之樹脂之Tg在上述上限值以下，則可提高膜狀燒製材料與被黏著體(例如晶片、基板等)之燒製前之黏著力。進而，可提高膜狀燒製材料之柔軟性。另一方面，若從Fox之式子所求得之樹脂之Tg在上述下限值以上，則可維持膜形狀，從支撐片等扯離膜狀燒製材料會變得更容易。
1/Tg=(W1/Tg1)+(W2/Tg2)+...+(Wm/Tgm)
(式中，Tg係構成黏合劑成分之樹脂之玻璃轉換溫度，Tg1、Tg2、...Tgm係成為構成黏合劑成分之樹脂原料的各單體之單聚物之玻璃轉換溫度，W1、W2、...Wm係各單體之質量分率。其中，W1+W2+...+Wm=1。)
前述Fox之式子中之各單體之單聚物之玻璃轉換溫度可使用高分子數據手冊或是黏著手冊之記載值。
黏合劑成分可為經由膜狀燒製材料之燒製上的加熱處理而起熱分解之熱分解性物。黏合劑成分受熱分解一事可藉由燒製所致黏合劑成分之質量減少來確認。此外，雖作為黏合劑成分所摻配之成分可藉由燒製而大致熱分解，但作為黏合劑成分所摻配之成分之全質量也可不因燒製而熱分解。
對於黏合劑成分而言，相對於燒製前之黏合劑成分之總質量(100質量%)，燒製後之質量可成為10質量%以下，也可成為5質量%以下，也可成為3質量%以下，也可成為0質量%。
本實施形態之膜狀燒製材料除了上述燒結性金屬粒子、非燒結性金屬粒子以及黏合劑成分以外，在不損及本發明之效果的範圍內，也可含有非對應於燒結性金屬粒子、非燒結性金屬粒子以及黏合劑成分的其他添加劑。
本實施形態之膜狀燒製材料可含有之其他添加劑可舉出溶媒、分散劑、塑化劑、賦予黏著劑、保存安定劑、消泡劑、熱分解促進劑、以及抗氧化劑等。添加劑可僅含有1種，也可含有2種以上。此等添加劑並無特別限定，可適宜選擇本區域通常使用者。
<組成>
本實施形態之膜狀燒製材料可為由燒結性金屬粒子、黏合劑成分、以及其他添加劑所構成者，此等含量(質量%)之合計成為100質量%。
當本實施形態之膜狀燒製材料含有非燒結性金屬粒子之情況，膜狀燒製材料可為由燒結性金屬粒子、非燒結性金屬粒子、黏合劑成分、以及其他添加劑所構成者，此等含量(質量%)之合計成為100質量%。
膜狀燒製材料中，相對於溶媒以外之全部成分(以下表記為「固態成分」)之總質量(100質量%)，燒結性金屬粒子之含量為15質量%至98質量%，以15質量%至90質量%為佳，以20質量%至80質量%為更佳。若燒結性金屬粒子之含量為上述上限值以下，則可充分確保黏合劑成分之含量，所以可維持膜形狀。另一方面，若燒結性金屬粒子之含量為上述下限值以上，則燒製時燒結性金屬粒子彼此、或是燒結性金屬粒子與非燒結性金屬粒子會產生融接，而於燒製後呈現出高接合接著強度(剪切接著力)。
當膜狀燒製材料含有非燒結性金屬粒子之情況，相對於膜狀燒製材料中之固態成分之總質量(100質量%)，燒結性金屬粒子以及非燒結性金屬粒子之總含量以50質量%至98質量%為佳，以70質量%至95質量%為更佳，以80質量%至90質量%為特佳。
相對於膜狀燒製材料中之固態成分之總質量(100質量%)，黏合劑成分之含量為2質量%至50質量%，以5質量%至30質量%為佳，以5質量%至20質量%為更佳。若黏合劑成分之含量為上述上限值以下，由於可充分確保燒結性金屬粒子之含量，所以可提高膜狀燒製材料與被黏著體之接合接著力。另 一方面，若黏合劑成分之含量為上述下限值以上，則可維持膜形狀。
膜狀燒製材料中，燒結性金屬粒子與黏合劑成分之質量比率(燒結性金屬粒子：黏合劑成分)以50：1至1：5為佳，以20：1至1：2為更佳，以10：1至1：1為特佳。當膜狀燒製材料含有非燒結性金屬粒子之情況，燒結性金屬粒子以及非燒結性金屬粒子與黏合劑成分之質量比率((燒結性金屬粒子+非燒結性金屬粒子)：黏合劑成分)以50：1至1：1為佳，以20：1至2：1為更佳，以9：1至4：1為特佳。
膜狀燒製材料中也可含有當燒結性金屬粒子、非燒結性金屬粒子、黏合劑成分以及其他添加劑成分進行混合時所使用之前述高沸點溶媒。相對於膜狀燒製材料之總質量(100質量%)，高沸點溶媒之含量以20質量%以下為佳，以15質量%以下為更佳，以10質量%以下為特佳。
<拉伸彈性模數>
本實施形態之膜狀燒製材料於60℃之拉伸彈性模數為4.0MPa至10.0MPa。於60℃之拉伸彈性模數以4.5MPa至5.5MPa為佳。本實施形態之膜狀燒製材料於23℃之拉伸彈性模數以5.0MPa至20.0MPa為佳，以6.0MPa至18.0MPa為更佳。若於60℃或是於23℃之拉伸彈性模數在上述範圍內，則膜 狀燒製材料因外力所致變形量小，且具備韌性。尤其，若拉伸彈性模數為上述上限值以下，則膜狀燒製材料變得不易脆化，可抑制切割時之晶圓污染。另一方面，若拉伸彈性模數為上述下限值以上，則膜狀燒製材料不會變得過度柔軟，可抑制切割時之晶片碎裂。
此外，本實施形態中之所以規定於60℃之拉伸彈性模數以及後述破裂伸長度之理由在於，考慮到膜狀燒製材料因受到刀具切割時之摩擦熱而被加熱至60℃左右，但實際之切割時，膜狀燒製材料之溫度不限定於60℃。此外，本實施形態中之所以規定於23℃之拉伸彈性模數以及後述破裂伸長度之理由在於，考慮到於23℃進行測定為容易，並非意指實際切割時之膜狀燒製材料之溫度為23℃。
膜狀燒製材料於23℃或是60℃之拉伸彈性模數能以以下方法來測定。
從膜狀燒製材料切出寬度為10mm、長度為20mm、厚度為200μm之試驗片，將此試驗片加溫至23℃或是60℃，測定以拉伸速度50mm/分鐘、夾具間距離10mm來拉伸時之負載與伸長量。從伸長度在0%至5%區域之拉伸應力的斜率來求出拉伸彈性模數。
膜狀燒製材料於23℃或是60℃之拉伸彈性模數可藉由膜狀燒製材料所含黏合劑成分之種類來控制。具體而言，構成黏 合劑成分之樹脂之Tg愈高，則拉伸彈性模數有變得愈高之趨勢。此外，若燒結性金屬粒子之含量多，則拉伸彈性模數有變高之趨勢。
<破裂伸長度>
本實施形態之膜狀燒製材料於60℃之破裂伸長度為500%以上。於60℃之破裂伸長度以600%以上為佳。本實施形態之膜狀燒製材料於23℃之破裂伸長度以300%以上為佳，以400%以上為更佳。若於60℃或是於23℃之破裂伸長度為上述下限值以上，則膜狀燒製材料不易變脆，可抑制切割時之晶圓污染。
膜狀燒製材料於60℃之破裂伸長度以3000%以下為佳，於23℃之破裂伸長度以2500%以下為佳。
膜狀燒製材料於60℃之破裂伸長度可為500%以上3000%以下，也可為600%以上3000%以下。此外，膜狀燒製材料於23℃之破裂伸長度可為300%以上2500℃以下，也可為400℃以上2500%以下。
膜狀燒製材料於23℃或是於60℃之破裂伸長度能以以下方法來測定。
從膜狀燒製材料切出寬度為10mm、長度為20mm、厚度為200μm之試驗片，將此試驗片加溫到23℃或是60℃，測定以拉伸速度50mm/分鐘、夾具間距離10mm來拉伸時之伸長量。從試驗片破斷時之伸長量來求出破裂伸長度。
膜狀燒製材料於23℃或是於60℃之破裂伸長度可藉由膜狀燒製材料所含黏合劑成分之種類、含量來控制。具體而言，若黏合劑成分之含量愈多、構成黏合劑成分之樹脂之Tg愈低，則破裂伸長度有變高之趨勢。此外，若燒結性金屬粒子之含量多則破裂伸長度有變低之趨勢。
<玻璃轉換溫度>
對於本實施形態之膜狀燒製材料而言，構成燒製前之膜狀燒製材料之成分當中摒除了金屬粒子(燒結性金屬粒子以及非燒結性金屬粒子)後之成分之玻璃轉換溫度(以下也稱為「金屬粒子以外之燒製材料之Tg」)以30℃至70℃為佳，以40℃至60℃為更佳。若金屬粒子以外之燒製材料之Tg在上述上限值以下，則膜狀燒製材料不易變脆，可更為抑制切割時之晶圓污染。另一方面，若金屬粒子以外之燒製材料之Tg在上述下限值以上，則膜狀燒製材料不會變得過於柔軟，可更為抑制切割時之晶片碎裂。
金屬粒子以外之燒製材料之Tg雖可於前述Fox之式子中取代構成黏合劑成分之樹脂而改用金屬粒子以外之燒製材料來計算求得，但也可利用以下方法來測定。
針對從膜狀燒製材料將金屬粒子分離後之物，使用動態機械分析裝置來測定儲存彈性模數E’與損耗彈性模數E”，將兩者 之比(E”/E’)亦即tanδ對溫度作圖，將顯示tanδ之極大值的溫度當作燒製材料之Tg。
從膜狀燒製材料將金屬粒子與摒除金屬粒子後之成分加以分離之方法係記載如後述之實施例。
燒製材料之Tg可藉由膜狀燒製材料所含黏合劑成分之種類來控制。
依據上述本實施形態之膜狀燒製材料，由於為膜狀故厚度穩定性優異。此外，本實施形態之膜狀燒製材料由於含有燒結性金屬粒子故熱傳導性優異。再者，本實施形態之膜狀燒製材料含有特定量之燒結性金屬粒子以及黏合劑成分，且於60℃之拉伸彈性模數為4.0MPa至10.0MPa，於60℃之破裂伸長度為500%以上。從而，本實施形態之膜狀燒製材料成為具備適度的硬度與靱性，切割時不易因刀具之摩擦造成晶片振動或是產生膜狀燒製材料之切屑，故可抑制晶片碎裂以及晶圓污染，在切割適性上優異。
膜狀燒製材料可成為於至少一側(表面)設有支撐片所成之具支撐片的膜狀燒製材料。
具支撐片的膜狀燒製材料之詳細將於後述。
≪膜狀燒製材料之製造方法≫
膜狀燒製材料可使用含有膜狀燒製材料之構成材料的燒製材料組成物來形成。例如，對於膜狀燒製材料之形成對象面來塗布或是印刷上含有用以構成膜狀燒製材料之各成分以及溶媒的燒製材料組成物，依必要性使得溶媒揮發，而可於目的部位形成膜狀燒製材料。燒製材料組成物中之用以構成膜狀燒製材料之各成分之含量，以各成分之合計而言可為50質量%至99質量%，溶媒之含量可為1質量%至50質量%。
膜狀燒製材料之形成對象面可舉出剝離膜之表面。
當塗布燒製材料組成物之情況，溶媒以沸點未達200℃者為佳，可舉出例如正己烷(沸點：68℃)、醋酸乙酯(沸點：77℃)、2-丁醇(沸點：80℃)、正庚烷(沸點：98℃)、甲基環己烷(沸點：101℃)、甲苯(沸點：111℃)、乙醯丙酮(沸點：138℃)、正二甲苯(沸點：139℃)以及二甲基甲醯胺(沸點：153℃)等。此等可單獨使用也可組合使用。
燒製材料組成物之塗布以周知方法來進行即可，可舉出例如使用氣刀塗布機、刮刀塗布機、棒塗布機、凹版塗布機、桿式塗布機(註冊商標)、輥塗布機、輥刀塗布機、簾幕塗布機、模具塗布機、刀塗布機、網印塗布機、梅耶棒塗布機、模唇塗布機等之各種塗布機之方法。
於印刷燒製材料組成物之情況，溶媒方面只要於印刷後能揮發乾燥者即可，以沸點為65℃至350℃為佳。如此之溶媒可舉出前面所例示過之沸點為未達200℃之溶媒、異佛爾酮(沸點：215℃)、丁基卡必醇(沸點：230℃)、1-十二烷醇(沸點：233℃)、丁基卡必醇醋酸酯(沸點：247℃)、異莰環己醇(沸點：318℃)等。
若沸點超過350℃，則有可能印刷後之揮發乾燥將難以使得溶媒揮發，要確保所希望之形狀將變得困難，或是燒製時溶媒將殘存於膜內，使得接合接著性劣化。若沸點低於65℃，恐於印刷時被揮發掉而損及厚度之穩定性。只要使用沸點為200℃至350℃之溶媒，即可抑制印刷時之溶媒揮發所致黏度上升，可得到印刷適性。
燒製材料組成物之印刷能以周知之印刷方法來進行，例如，可舉出柔版印刷等之凸版印刷、照相凹版印刷等之凹版印刷、套版印刷等之平板印刷、絲網印刷或轉子網版印刷等之網版印刷、噴墨印表機等之各種印刷印表機所進行之印刷等之方法。
膜狀燒製材料之形狀只要配合燒結接合對象之形狀來適宜設定即可，以圓形或是矩形為佳。圓形係對應於半導體晶圓形狀的形狀。矩形係對應於晶片形狀的形狀。所謂對應形狀可為和燒結接合對象之形狀為相同形狀或是大致相同形狀。
當膜狀燒製材料為圓形之情況，圓面積可為3.5cm2至1,600cm2，也可為85cm2至1,400cm2。當膜狀燒製材料為矩形之情況，矩形面積可為0.01cm2至25cm2，也可為0.25cm2至9cm2。尤其，只要印刷燒製材料組成物即可輕易形成所希望形狀之膜狀燒製材料。
燒製材料組成物之乾燥條件並無特別限定，當燒製材料組成物含有溶媒之情況，進行加熱乾燥為佳，於此情況，以例如70℃至250℃或是例如80℃至180℃並以10秒至10分鐘的條件來進行乾燥為佳。
本實施形態之膜狀燒製材料為一種膜狀燒製材料，含有燒結性金屬粒子以及黏合劑成分，燒結性金屬粒子之含量為15質量%至98質量%，黏合劑成分之含量為2質量%至50質量%，於60℃之拉伸彈性模數為4.0MPa至10.0MPa，於60℃之破裂伸長度為500%以上，此膜狀燒製材料又以含有選自銀、銅、以及此等氧化物所構成之群中至少1種作為燒結性金屬粒子、以及由(甲基)丙烯酸酯化合物與其他共聚物所成的共聚物作為黏合劑成分為佳。
此外，本實施形態之膜狀燒製材料以燒結性金屬粒子之含量為20質量%至80質量%且黏合劑成分之含量為5質量%至20質量%為佳。
≪具支撐片的膜狀燒製材料≫
〔第1實施形態〕
本實施形態之具支撐片的膜狀燒製材料具備有：上述膜狀燒製材料、以及設置於前述膜狀燒製材料之至少一側(表面)的支撐片。前述支撐片係於基材膜上之全面或是外周部設有黏著劑層之物，以於前述黏著劑層上設有前述膜狀燒製材料為佳。前述膜狀燒製材料可直接接觸設置於黏著劑層，也可直接接觸設置於基材膜。若採用本形態，可作為將半導體晶圓單片化成為晶片時所使用的切割片來使用。且藉由使用刀具等來和半導體晶圓一同單片化而可被加工成為和晶片為同形狀之膜狀燒製材料，且可製造具膜狀燒製材料的晶片。
以下，針對具支撐片的膜狀燒製材料之一實施形態來說明。圖2係示意顯示本實施形態之具支撐片的膜狀燒製材料之截面圖。圖3以及圖4係本實施形態之具支撐片的膜狀燒製材料之示意截面圖。如圖2所示般，具支撐片的膜狀燒製材料100，膜狀燒製材料1係以可剝離方式暫時黏著於支撐片2。如圖3、圖4所示般，本實施形態之具支撐片的膜狀燒製材料100a,100b，膜狀燒製材料1係以可剝離方式暫時黏著於外周部具有黏著部的支撐片2之內周部。支撐片2如圖3所示般為基材膜3之上面具有黏著劑層4之黏著片，成為於該黏著劑層4之內周部表面被覆著膜狀燒製材料、而外周部有黏著部露出之 構成。此外，如圖4所示般，支撐片2也可為在基材膜3之外周部具有環狀之黏著劑層4的構成。
膜狀燒製材料1於支撐片2之內周部形成為和被貼附之工件(半導體晶圓等)為大致相同形狀。支撐片2之外周部具有黏著部。較佳態樣中，直徑小於支撐片2的膜狀燒製材料1係以同心圓狀積層於圓形之支撐片2上。外周部之黏著部如圖示般係用於環骨架5之固定。
(基材膜)
基材膜3並無特別限定，可使用例如低密度聚乙烯(LDPE；Low Density Polyethylene)、直鏈低密度聚乙烯(LLDPE；Linear Low Density Polyethylene)、乙烯/丙烯共聚物、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、乙烯/乙酸乙酯共聚物、乙烯/(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯/(甲基)丙烯酸甲酯共聚物、乙烯/(甲基)丙烯酸乙酯共聚物、聚氯乙烯、氯乙烯/乙酸乙酯共聚物、聚胺甲酸乙酯膜、離子聚合物等所構成之膜等。此外，本說明書中之「(甲基)丙烯酸」係包含丙烯酸以及甲基丙烯酸雙方之涵義來使用。
此外當對於支撐片要求更高耐熱性之情況，基材膜3可舉出聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚對萘二甲酸乙二酯等之聚酯膜、聚丙烯、聚甲基戊烯等之聚烯烴膜等。此 外，也可使用此等之交聯膜或經放射線、放電等所得改質膜。基材膜可為上述膜之積層體。
此外，此等膜可積層2種類以上、或是組合使用。再者，也可使用此等膜經著色者、或是施行過印刷者等。此外，膜可為熱塑性樹脂經擠製形成而片材化者，也可為經延伸者，也可使用硬化性樹脂以既定手段來薄膜化且經硬化而片材化者。
基材膜之厚度並無特別限定，較佳為30μm至300μm，更佳為50μm至200μm。若基材膜之厚度定為上述範圍，即便利用切割來賦予刻痕也不易發生基材膜之斷裂。此外，由於可對於具支撐片的膜狀燒製材料賦予充分的可撓性，故對於工件(例如半導體晶圓等)展現良好的貼附性。
基材膜也可藉由對表面塗布剝離劑來施以剝離處理而得到。作為剝離處理所使用之剝離劑，可使用醇酸系、矽酮系、氟系、不飽和聚酯系、聚烯烴系、石蠟系等，尤其醇酸系、矽酮系、氟系之剝離劑由於具有耐熱性故較佳。
為了使用上述剝離劑來對基材膜之表面施以剝離處理，可將剝離劑直接以無溶劑或是經過溶劑稀釋或乳膠化而利用照相凹版塗布機、梅耶棒塗布機、氣刀塗布機、輥塗布機等來進行塗布，而將塗布有剝離劑之基材膜供於常溫下或是加熱下、或 是藉由電子束來硬化，或是藉由濕式壓合、乾式壓合、熱熔融壓合、熔融擠製壓合、共擠製加工等來形成積層體即可。
(黏著劑層)
支撐片2至少於外周部具有黏著部。黏著部在具支撐片的膜狀燒製材料100a,100b之外周部，以具有暫時地固定環骨架5之功能，而在所需步驟後可剝離環骨架5為佳。從而，黏著劑層4可使用弱黏著性物、也可使用黏著力經能量線照射會降低之能量線硬化性物。再剝離性黏著劑層可藉由周知之各種黏著劑(例如橡膠系、丙烯酸系、矽酮系、胺基甲酸乙酯系、乙烯醚系等之通用黏著劑、具表面凹凸之黏著劑、能量線硬化型黏著劑、含熱膨脹成分之黏著劑等)來形成。
支撐片2如圖3所示般，為基材膜3之上側全面具有黏著劑層4之通常構成之黏著片，也可為該黏著劑層4之內周部表面為膜狀燒製材料所被覆、而外周部則露出黏著部之構成。於此情況，黏著劑層4之外周部係使用於上述環骨架5之固定方面，內周部則以可剝離方式積層著膜狀燒製材料。黏著劑層4可和上述同樣地使用弱黏著性物，也可使用能量線硬化性黏著劑。
此外，圖4所示構成中，係於基材膜3之外周部形成環狀之黏著劑層4來作為黏著部。此時，黏著劑層4可為上述黏著 劑所構成之單層黏著劑層，也可為將包含由上述黏著劑所構成之黏著劑層的雙面黏著膠帶切斷成為環狀之物。
在弱黏著劑方面可較佳使用丙烯酸系、矽酮系。此外，考慮到膜狀燒製材料之剝離性，黏著劑層4於23℃對於SUS(Stainless Used Steel；不鏽鋼)板之黏著力係依據JIS Z0237：2009求出，以30mN/25mm至120mN/25mm為佳，以50mN/25mm至100mN/25mm為更佳，以60mN/25mm至90mN/25mm為特佳。若此黏著力過低，環骨架可能會脫落。若黏著力過高，則變得難以從環骨架剝離，故變得難以再利用環骨架。
圖3之構成之支撐片在使用能量線硬化性之再剝離性黏著劑層之情況，也可對於積層著膜狀燒製材料之區域事先進行能量線照射來降低黏著性。此時，對於其他區域可不進行能量線照射，而是例如基於接著至環骨架5之目的來仍舊維持高的黏著力。為了專就其他區域不進行能量線照射，例如只要在基材膜之對應於其他區域的區域藉由印刷等來設置能量線遮蔽層，而從基材膜側進行能量線照射即可。此外，在圖3之構成之支撐片，為使得基材膜3與黏著劑層4之接著成為強固，可在基材膜3之設置有黏著劑層4之面依照所需來施以噴砂或溶劑處理等所進行之凹凸化處理、或是電暈放電處理、電子射線照射、 電漿處理、臭氧/紫外線照射處理、火焰處理、鉻酸處理、熱風處理等之氧化處理等。此外，也可施以底塗處理。
黏著劑層4之厚度並無特別限定，較佳為1μm至100μm，更佳為2μm至80μm，尤佳為3μm至50μm。
(具支撐片的膜狀燒製材料)
具支撐片的膜狀燒製材料，係於外周部具有黏著部的支撐片之內周部以可剝離方式暫時黏著著膜狀燒製材料。圖3所示構成例中，具支撐片的膜狀燒製材料100a係於由基材膜3與黏著劑層4所構成之支撐片2之內周部以可剝離方式積層著膜狀燒製材料1，於支撐片2之外周部則露出有黏著劑層4。此構成例中，直徑小於支撐片2的膜狀燒製材料1以同心圓狀且可剝離方式積層於支撐片2之黏著劑層4上為佳。
上述構成之具支撐片的膜狀燒製材料100a，係在露出於支撐片2之外周部處的黏著劑層4來貼附至環骨架5。
此外，可於對環骨架成為黏附部位(於黏著片之外周部所露出之黏著劑層)上進而另外設置環狀之雙面膠帶或是黏著劑層。雙面膠帶具有黏著劑層/芯材/黏著劑層之構成，雙面膠帶中之黏著劑層並無特別限定，可使用例如橡膠系、丙烯酸系、矽酮系、聚乙烯醚等之黏著劑。黏著劑層於製造後述具晶片的 基板之時，係於外周部貼附至環骨架。作為雙面膠帶之芯材可較佳使用例如聚酯膜、聚丙烯膜、聚碳酸酯膜、聚醯亞胺膜、氟樹脂膜、液晶聚合物膜等。
圖4所示構成例中，係於基材膜3之外周部形成環狀之黏著劑層4作為黏著部。圖5係顯示圖4所示具支撐片的膜狀燒製材料100b之立體圖。此時，黏著劑層4可為由上述黏著劑所構成之單層黏著劑層，也可為將包含由上述黏著劑所構成之黏著劑層的雙面黏著帶切斷為環狀之物。膜狀燒製材料1係以可剝離方式積層於圍繞在黏著部的基材膜3之內周部處。此構成例中，直徑小於支撐片2的膜狀燒製材料1以同心圓狀且可剝離方式積層於支撐片2之基材膜3上為佳。
具支撐片的膜狀燒製材料也可在供做使用之前，基於避免與外部產生接觸之表面保護的目的而在膜狀燒製材料以及黏著部之其中一者或是兩者之表面設置剝離膜。
作為表面保護膜(剝離膜)，也可在前面舉出之聚乙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚對萘二甲酸乙二酯以及聚丙烯等之基材膜表面，使用剝離劑來施以上述剝離處理而得到。剝離處理所使用之剝離劑可舉出在基材膜之說明中已例示之剝離劑。
具支撐片的膜狀燒製材料之厚度以1μm至500μm為佳，以5μm至300μm為更佳，以10μm至150μm為特佳。
此處所說「具支撐片的膜狀燒製材料之厚度」意指具支撐片的膜狀燒製材料全體之厚度，例如，所謂由複數層所構成之具支撐片的膜狀燒製材料之厚度意指構成具支撐片的膜狀燒製材料的所有的層之厚度。
〔第2實施形態〕
本實施形態之具支撐片的膜狀燒製材料具備有膜狀燒製材料以及設置於前述膜狀燒製材料之至少一側(表面)之支撐片，前述膜狀燒製材料對支撐片之黏著力(a2)小於前述膜狀燒製材料對半導體晶圓之黏著力(a1)，且前述黏著力(a1)為0.1N/25mm以上，前述黏著力(a2)為0.1N/25mm以上0.5N/25mm以下。
例如，在圖6所示本實施形態之具支撐片的膜狀燒製材料與半導體晶圓經積層而成之積層體中，前述膜狀燒製材料對支撐片之黏著力(a2)小於前述膜狀燒製材料對半導體晶圓之黏著力(a1)，且前述黏著力(a1)為0.1N/25mm以上，前述黏著力(a2)為0.1N/25mm以上0.5N/25mm以下。
<黏著力>
本實施形態之具支撐片的膜狀燒製材料中，前述膜狀燒製材料對半導體晶圓之黏著力(a1)為0.1N/25mm以上，以 0.5N/25mm以上為佳，以1.0N/25mm以上為更佳。若黏著力(a1)為上述下限值以上，則可抑制切割時之晶片彈飛。此外，在晶片與基板利用燒製前之膜狀燒製材料來暫時固定著之狀態下進行搬送時，可抑制晶片位置出現偏移。
本實施形態之具支撐片的膜狀燒製材料中，前述膜狀燒製材料對支撐片之黏著力(a2)為0.1N/25mm以上0.5N/25mm以下，以0.2N/25mm以上0.5N/25mm以下為佳，以0.2N/25mm以上0.4N/25mm以下為更佳。若黏著力(a2)為上述下限值以上，則可抑制切割時燒製材料出現飛濺，可抑制半導體晶圓之污染。
因著黏著力(a2)小於黏著力(a1)、且為上述上限值以下，則詳如後述般，當對於半導體晶圓經切割而單片化所成之晶片進行選取時，膜狀燒製材料變得容易從支撐片剝除，可易於選取經切割之具膜狀燒製材料的晶片。
前述黏著力(a1)係依據JIS Z0237：2009來求得，具體而言，能藉由以下方法來測定。
首先，對矽晶圓之表面進行化學機械研磨處理直到算術平均粗度(Ra)成為0.02μm。
去除剝離膜等之表面保護膜之後，將具支撐片的膜狀燒製材料貼附於上述矽晶圓之處理面。貼附時，可將具支撐片的膜狀燒製材料加熱至室溫以上。加熱溫度並無特別限定，以120℃ 以下為佳。其次，去除支撐片，將聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜貼合於暴露出來的膜狀燒製材料並強固地接著(內襯)，對內襯於PET膜的膜狀燒製材料以成為寬度25mm、長度100mm以上的方式賦予刻痕而進行切斷。
其次，從矽晶圓將內襯於PET膜的膜狀燒製材料按PET膜以剝離速度300mm/分來使之剝離。此時之剝離係以矽晶圓與具支撐片的膜狀燒製材料原先相互接觸之面彼此以成為180°之角度的方式來將具支撐片的膜狀燒製材料朝本身長度方向剝離，當作所謂的180°剝離。然後，測定此180°剝離時的負載(剝離力)，將測定值當作黏著力(a1)(N/25mm)。
此外，關於強固地接著於PET膜的膜狀燒製材料，也可將包含溶媒的燒製材料組成物塗布於PET膜上並使之乾燥來將溶媒揮發掉而製作。再者，也可將其切斷成為寬度25mm、長度100mm以上，並將切斷後強固地接著於PET膜的膜狀燒製材料貼附於上述矽晶圓之處理面，來製作前述黏著力(a1)測定用試驗片。
前述黏著力(a2)係依據JIS Z0237：2009來求得，具體而言，能藉由以下方法來測定。
於去除剝離膜等之表面保護膜之後，將具支撐片的膜狀燒製材料貼合於暴露出聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜的膜狀燒製材料並強固地接著(內襯)，將其切斷成為寬度25mm、長度100mm以上。從經切斷之內襯於PET膜的具支撐片的膜狀燒製 材料，將內襯於PET膜的膜狀燒製材料按PET膜以剝離速度300mm/分來使之剝離。此時之剝離係以支撐片與膜狀燒製材料原先相互接觸之面彼此以成為180°之角度的方式來將膜狀燒製材料朝本身長度方向剝離，當作所謂的180°剝離。然後，測定此180°剝離時的負載(剝離力)，將測定值當作黏著力(a2)(N/25mm)。
此外，關於強固地接著於PET膜的膜狀燒製材料，也可將包含溶媒的燒製材料組成物塗布於PET膜上並使之乾燥來將溶媒揮發掉而製作。再者，也可將其切斷成為寬度25mm、長度100mm以上，並將切斷後強固地接著於PET膜的膜狀燒製材料貼附於支撐片，來製作前述黏著力(a2)測定用試驗片。
如圖2所示，本實施形態之具支撐片的膜狀燒製材料100係膜狀燒製材料1以可剝離方式暫時黏著於支撐片2而成者。前述支撐片係於基材膜上之全面或是外周部設有黏著劑層之物，以於前述黏著劑層上設有前述膜狀燒製材料為佳。前述膜狀燒製材料可直接接觸設置於黏著劑層，也可直接接觸設置於基材膜。藉由採行本形態，可當作將半導體晶圓單片化成為晶片時所使用之切割片來使用。且藉由使用刀具等來和半導體晶圓一起單片化而可加工成為和晶片為同形狀之膜狀燒製材料，且可製造具膜狀燒製材料的晶片。
以下，針對本實施形態之具支撐片的膜狀燒製材料之一實施形態來說明。此外，本第2實施態樣之具支撐片的膜狀燒製材料，就和前述第1實施態樣之具支撐片的膜狀燒製材料為相同之部分係省略說明。
(膜狀燒製材料)
<組成>
膜狀燒製材料1如圖2所示般，含有燒結性金屬粒子10以及黏合劑成分20。本實施形態之具支撐片的膜狀燒製材料中，膜狀燒製材料可為由燒結性金屬粒子、黏合劑成分、以及前述其他添加劑所構成者，此等含量(質量%)合計成為100質量%。
當膜狀燒製材料含有非燒結性金屬粒子之情況，膜狀燒製材料可為由燒結性金屬粒子、非燒結性金屬粒子、黏合劑成分、以及前述其他添加劑所構成者，此等含量(質量%)合計成為100質量%。
膜狀燒製材料中，相對於溶媒以外之全部成分(以下表記為「固態成分」)之總質量(100質量%)，燒結性金屬粒子之含量以15質量%至98質量%為佳，以15質量%至90質量%為更佳，以20質量%至80質量%為特佳。若燒結性金屬粒子之含量為上述上限值以下，由於可充分確保黏合劑成分之含量，故膜形狀之維持變得容易。另一方面，若燒結性金屬粒子之含量為上 述下限值以上，則尚可得到下述效果：燒製時燒結性金屬粒子彼此、或是燒結性金屬粒子與非燒結性金屬粒子會產生融接，而於燒製後呈現出高接合接著強度(剪切接著力)。
當膜狀燒製材料含有非燒結性金屬粒子之情況，相對於膜狀燒製材料中之固態成分之總質量(100質量%)，燒結性金屬粒子以及非燒結性金屬粒子之總含量以50質量%至98質量%為佳，以70質量%至95質量%為更佳，以80質量%至95質量%為特佳。
相對於膜狀燒製材料中之固態成分之總質量(100質量%)，黏合劑成分之含量以2質量%至50質量%為佳，以5質量%至30質量%為更佳，以5質量%至20質量%為特佳。若黏合劑成分之含量為上述上限值以下，由於可充分確保燒結性金屬粒子之含量，故膜狀燒製材料與被黏著體之接合接著力更為提高。另一方面，若黏合劑成分之含量為上述下限值以上，則變得容易維持膜形狀。
膜狀燒製材料中，燒結性金屬粒子與黏合劑成分之質量比率(燒結性金屬粒子：黏合劑成分)以50：1至1：5為佳，以20：1至1：2為更佳，以10：1至1：1為特佳。當膜狀燒製材料含有非燒結性金屬粒子之情況，燒結性金屬粒子以及非燒結性金屬粒子與黏合劑成分之質量比率((燒結性金屬粒子+非燒結 性金屬粒子)：黏合劑成分)以50：1至1：1為佳，以20：1至2：1為更佳，以9：1至4：1為特佳。
膜狀燒製材料中也可含有當燒結性金屬粒子、非燒結性金屬粒子、黏合劑成分以及其他添加劑成分進行混合時所使用之高沸點溶媒。相對於膜狀燒製材料之總質量(100質量%)，高沸點溶媒之含量以20質量%以下為佳，以15質量%以下為更佳，以10質量%以下為特佳。
<拉伸彈性模數>
本實施形態之膜狀燒製材料於60℃之拉伸彈性模數以4.0MPa至10.0MPa為佳，以4.5MPa至5.5MPa為更佳。此外，本實施形態之膜狀燒製材料於23℃之拉伸彈性模數以5.0MPa至20.0MPa為佳，以6.0MPa至18.0MPa為更佳。若於60℃或是於23℃之拉伸彈性模數在上述範圍內，尚可得到膜狀燒製材料因外力所致變形量小且具備靱性之效果。尤其，若拉伸彈性模數為上述上限值以下，則膜狀燒製材料變得不容易脆化，可更為抑制切割時之晶圓污染。另一方面，若拉伸彈性模數為上述下限值以上，尚可得到膜狀燒製材料不會變得過度柔軟且可抑制切割時之晶片碎裂的效果。
此外，本實施形態中，規定於60℃之拉伸彈性模數以及後述破裂伸長度之理由在於，考慮到膜狀燒製材料因受到刀具切割時之摩擦熱而被加熱至60℃左右，但實際之切割時，膜狀燒 製材料之溫度不限定於60℃。此外，本實施形態中之所以規定於23℃之拉伸彈性模數以及後述破裂伸長度之理由在於，考慮到於23℃進行測定為容易，並非意指實際切割時之膜狀燒製材料之溫度為23℃。
膜狀燒製材料於23℃或是於60℃之拉伸彈性模數能以前述方法來測定。
<破裂伸長度>
膜狀燒製材料於60℃之破裂伸長度以500%以上為佳，以600%以上為更佳。本實施形態之膜狀燒製材料於23℃之破裂伸長度以300%以上為佳，以400%以上為更佳。若於60℃或是於23℃之破裂伸長度為上述下限值以上，則膜狀燒製材料變得不易脆化，可更為抑制切割時之晶圓污染。
膜狀燒製材料於60℃之破裂伸長度以3000%以下為佳，於23℃之破裂伸長度以2500%以下為佳。
膜狀燒製材料於23℃或是於60℃之破裂伸長度能以前述方法來測定。
依據上述膜狀燒製材料，由於膜狀燒製材料對半導體晶圓之黏著力(a1)為0.1N/25mm以上，故可抑制切割時之晶片彈飛，此外，當晶片與基板在利用燒製前之膜狀燒製材料所暫時固定著之狀態下受到搬送時，可抑制晶片位置出現偏移。此外，依據上述膜狀燒製材料，由於膜狀燒製材料對支撐片之黏著力 (a2)為0.1N/25mm以上，故可抑制切割時燒製材料之飛濺，可抑制半導體晶圓之污染。
再者，依據上述膜狀燒製材料，由於前述黏著力(a2)小於前述黏著力(a1)，且前述黏著力(a2)為0.5N/25mm以下，故對於半導體晶圓經切割而單片化所成之晶片進行選取時，膜狀燒製材料變得易於從支撐片剝落，而可輕易選取經切割之具膜狀燒製材料的晶片。
此外，依據上述本實施形態之膜狀燒製材料，由於為膜狀故厚度穩定性優異。此外，本實施形態之膜狀燒製材料由於含有燒結性金屬粒子，故熱傳導性優異。再者，本實施形態之膜狀燒製材料以含有15質量%至98質量%之燒結性金屬粒子以及2質量%至50質量%之黏合劑成分為佳，且以於60℃之拉伸彈性模數為4.0MPa至10.0MPa、於60℃之破裂伸長度為500%以上為佳。如此之膜狀燒製材料將進而成為具備適度硬度與靱性之物，切割時晶片不易因刀具之摩擦而振動，或是變得不易產生膜狀燒製材料之切屑，故可抑制晶片碎裂以及晶圓污染，在切割適性上更為優異。
關於上述第2實施形態之膜狀燒製材料之製造方法由於和前述第1實施形態之膜狀燒製材料之製造方法相同故省略說明。
≪具支撐片的膜狀燒製材料之製造方法≫
前述具支撐片的膜狀燒製材料能以上述各層成為對應位置關係的方式依序積層來製造。
例如，當於基材膜上積層黏著劑層或是膜狀燒製材料之情況，只要藉由於剝離膜上塗布或是印刷含有構成所需成分以及溶媒之黏著劑組成物或是燒製材料組成物，並視必要性使之乾燥來讓溶媒揮發而成為膜狀，便事先可於剝離膜上形成黏著劑層或是膜狀燒製材料，而將此已形成之黏著劑層或是膜狀燒製材料之與前述剝離膜相接觸之側的相反側之露出面來和基材膜之表面做貼合即可。此時，黏著劑組成物或是燒製材料組成物以塗布或是印刷於剝離膜之剝離處理面為佳。剝離膜只要於積層構造形成後依必要性來移除即可。
例如，於製造基材膜上積層黏著劑層且於前述黏著劑層上積層膜狀燒製材料而成之具支撐片的膜狀燒製材料(支撐片為基材膜以及黏著劑層之積層物的具支撐片的膜狀燒製材料)之情況，係以上述方法在基材膜上事先積層黏著劑層，另外於剝離膜上塗布或是印刷燒製材料組成物(含有用以構成膜狀燒製材料之成分以及溶媒)，依必要性使之乾燥來將溶媒揮發而成為膜狀，藉此於剝離膜上事先形成膜狀燒製材料，而將此膜狀燒製材料之露出面來和基材上完成積層之黏著劑層之露出面做貼合，而將膜狀燒製材料積層至黏著劑層上，藉此得到具支撐片的膜狀燒製材料。同樣地於剝離膜上形成膜狀燒製材料之情 況，燒製材料組成物以塗布或是印刷於剝離膜之剝離處理面為佳，剝離膜只要於積層構造形成後依必要性移除即可。
如此般，由於構成具支撐片的膜狀燒製材料之基材以外的層皆能以事先形成於剝離膜上再貼合至目的層表面的方法來積層，故只要依必要性來適宜選擇採用如此步驟的層以製造具支撐片的膜狀燒製材料即可。
此外，具支撐片的膜狀燒製材料可在設置完全部必要的層之後，在與支撐片成為相反側之最表層的表面貼合著剝離膜之狀態來保管即可。
≪具晶片的基板之製造方法≫
其次，針對本發明之具支撐片的膜狀燒製材料之利用方法，舉出將該燒製材料適用於製造具晶片的基板之情況為例來說明。
本發明之一實施形態，使用具支撐片的膜狀燒製材料之具晶片的基板之製造方法係將具支撐片的膜狀燒製材料之剝離膜加以剝離，對半導體晶圓(工件)之內面貼附具支撐片的膜狀燒製材料，並使得以下之步驟(1)至(2)依照(1)、(2)的順序來進行，或是使得以下之步驟(1)至(4)依照(1)、(2)、(3)、(4)的順序來進行。
步驟(1)：將依序積層有支撐片、膜狀燒製材料以及半導體晶圓(工件)之積層體中之半導體晶圓(工件)與膜狀燒製材料加以切割之步驟。
步驟(2)：剝離膜狀燒製材料與支撐片，得到具膜狀燒製材料的晶片之步驟。
步驟(3)：於基板之表面貼附具膜狀燒製材料的晶片之步驟。
步驟(4)：將膜狀燒製材料加以燒製，使得晶片與基板進行接合之步驟。
以下，針對進行上述步驟(1)至(4)之情況來說明。
半導體晶圓可為矽晶圓以及碳化矽晶圓，此外也可為鎵、砷等之化合物半導體晶圓。也可於半導體晶圓之表面形成電路。對晶圓表面形成電路可藉由包含蝕刻法、剝離(lift off)法等之以往通用方法的各種方法來進行。其次，將半導體晶圓之電路面的相反面(內面)加以磨削。磨削法並無特別限定，能以使用研磨機等之周知手段來進行磨削。於內面磨削時，為了保護表面電路而對於電路面貼附被稱為表面保護片之黏著片。內面磨削係將晶圓之電路面側(亦即表面保護片側)以夾具台等固定，而將未形成電路之內面側利用研磨機來進行磨削。晶圓磨削後之厚度並無特別限定，通常為20μm至500μm程度。之後， 依必要性來去除內面磨削時所產生之破砕層。破砕層之去除係藉由化學蝕刻或是電漿蝕刻等來進行。
其次，於半導體晶圓之內面貼附上述具支撐片的膜狀燒製材料中之膜狀燒製材料。之後，步驟(1)至(4)係以步驟(1)、步驟(2)、步驟(3)、步驟(4)之順序來進行。
將半導體晶圓/膜狀燒製材料/支撐片之積層體按照於晶圓表面所形成之電路來進行切割，得到晶片/膜狀燒製材料/支撐片之積層體。切割係以將半導體晶圓與膜狀燒製材料均加以切斷的方式來進行。依據本實施形態之具支撐片的膜狀燒製材料，由於切割時在膜狀燒製材料與支撐片之間發揮黏著力，故可防止晶片碎裂、晶片彈飛，於切割適性方面優異。切割並無特別限定，作為一例可舉出於半導體晶圓之切割時將支撐片之周邊部(支撐體之外周部)以環骨架來固定後，以使用切割刀具等之旋轉圓刃等之周知手法來進行半導體晶圓之單片化之方法等。切割對支撐片產生之刻痕深度可為將膜狀燒製材料完全切斷，以相對於膜狀燒製材料與支撐片之界面距離0μm至30μm為佳。藉由減少對支撐片之刻痕量，可抑制切割刀具之摩擦所致構成支撐片之黏著劑層、基材膜之熔融或是毛邊等之發生。此外，依據本實施形態之具支撐片的膜狀燒製材料，由於不易產生膜狀燒製材料之切屑，故可抑制晶圓污染。
此外，將表面形成有電路的半導體晶圓經單片化者(晶片)尤其也稱為元件或是半導體元件。
之後，可將上述支撐片加以擴展。作為支撐片之基材膜選擇伸張性優異之物的情況，支撐片將具有優異的擴展性。將經切割之具膜狀燒製材料的晶片利用收集器等通用手段來選取，藉此剝離膜狀燒製材料與支撐片。其結果，得到內面具有膜狀燒製材料的晶片(具膜狀燒製材料的晶片)。
接著，對基板之表面貼附具膜狀燒製材料的晶片。基板也包含導線架、散熱座等。
其次，將膜狀燒製材料加以燒製，使得基板與晶片形成燒結接合。此時，只要事先將具膜狀燒製材料的晶片中之膜狀燒製材料之露出面貼附於基板，即可經由膜狀燒製材料來使得晶片與前述基板形成燒結接合。
將膜狀燒製材料加以燒製之加熱溫度只要考慮膜狀燒製材料之種類等來適宜決定即可，以100℃至600℃為佳，以150℃至550℃為更佳，以250℃至500℃為特佳。加熱時間只要考慮膜狀燒製材料之種類等來適宜決定即可，以5秒至60分鐘為佳，以5秒至30分鐘為更佳，以10秒至10分鐘為特佳。
膜狀燒製材料之燒製也可對膜狀燒製材料施壓來燒製亦即進行加壓燒製。加壓條件之一例可定為1MPa至50MPa程度。
依據本實施形態之具晶片的基板之製造方法，可使得厚度均勻性高之膜狀燒製材料簡便地形成於晶片內面，於切割步驟、封裝後不易發生龜裂。此外，依據本實施形態之具晶片的基板之製造方法，可在無需對個別化之晶片內面來個別地貼附膜狀燒製材料的前提下得到具膜狀燒製材料的晶片，可謀求製造步驟之簡化。此外，可藉由將具膜狀燒製材料的晶片配置於所希望之基板上並進行燒製來製造出晶片與基板係經由膜狀燒製材料來燒結接合著之具晶片的基板。本實施形態之具晶片的基板之製造方法所使用之本發明之膜狀燒製材料由於具備適度的硬度與靱性，切割時不易因刀具之摩擦造成晶片振動或是產生膜狀燒製材料之切屑，故可抑制晶片碎裂以及晶圓污染。
作為一實施形態，係得到具備有晶片與本發明之膜狀燒製材料而成之具膜狀燒製材料的晶片。具膜狀燒製材料的晶片之一例可藉由上述具晶片的基板之製造方法來製造。
此外，上述實施形態中雖例示了膜狀燒製材料之晶片與基板之燒結接合，但膜狀燒製材料之燒結接合對象不限定於上述例示者，可對於和膜狀燒製材料相接觸而燒結之各種物品來進行燒結接合。
此外，上述實施形態中，可藉由使用刀具等來和半導體晶圓一同單片化而加工成為與晶片為同形狀之膜狀燒製材料，且可製造具膜狀燒製材料的晶片。亦即，具膜狀燒製材料的晶片雖膜狀燒製材料之接觸面與晶片之接觸面的大小(面積)為相同，但彼此也可不同。例如，也能在膜狀燒製材料之接觸面大於晶片之接觸面的狀態下來使得基板與晶片經由膜狀燒製材料來貼合。具體而言，也可事先於基板配置所希望大小的膜狀燒製材料，而將接觸面小於該膜狀燒製材料的晶片貼附於膜狀燒製材料上。
≪半導體裝置之製造方法≫
其次針對本實施形態之具支撐片的膜狀燒製材料之利用方法，以該燒製材料適用於半導體裝置之製造上的情況為例來說明。本發明中，所謂的半導體裝置係和使用本實施形態之膜狀燒製材料所製造出之前述具晶片的基板為同義，可使用本實施形態之具支撐片的膜狀燒製材料來製造。
作為本發明之一實施形態，使用具支撐片的膜狀燒製材料之半導體裝置之製造方法係使用本發明之具支撐片的膜狀燒製材料的半導體裝置之製造方法，為依序進行以下步驟(1)至(4)之方法。
步驟(1)：將前述具支撐片的膜狀燒製材料貼附於半導體晶圓(工件)所得之依序積層有支撐片、膜狀燒製材料、以及半導體晶圓(工件)之積層體當中的半導體晶圓(工件)與膜狀燒製材料加以切割之步驟；步驟(2)：將前述切割後之膜狀燒製材料與支撐片加以剝離，得到具膜狀燒製材料的晶片之步驟；步驟(3)：對基板之表面貼附前述具膜狀燒製材料的晶片之步驟；步驟(4)：將前述具膜狀燒製材料的晶片中之膜狀燒製材料加以燒製，使得前述晶片與基板進行接合之步驟。
以下，針對上述步驟(1)至(4)來說明。
半導體晶圓可為矽晶圓以及碳化矽晶圓，也可為鎵、砷等之化合物半導體晶圓。也可於半導體晶圓之表面形成有電路。於晶圓表面形成電路可藉由包含蝕刻法、剝離法等之以往通用之方法的各種方法來進行。其次，將半導體晶圓之電路面的相反面(內面)加以磨削。磨削法並無特別限定，能以使用研磨機等之周知手段來進行磨削。於內面磨削時，為了保護表面電路係於電路面貼附被稱為表面保護片之黏著片。內面磨削係將晶圓之電路面側(亦即表面保護片側)以夾具台等來固定，而將未形成電路之內面側以研磨機來磨削。晶圓之磨削後之厚度並無特別限定，通常為20μm至500μm程度。之後，視必要性來去 除內面磨削時所產生之破砕層。破砕層之去除可藉由化學蝕刻、電漿蝕刻等來進行。
其次，對半導體晶圓之內面貼附上述具支撐片的膜狀燒製材料中之膜狀燒製材料。將所得半導體晶圓/膜狀燒製材料/支撐片之積層體按照於晶圓表面所形成之電路來進行切割，得到晶片/膜狀燒製材料/支撐片之積層體。切割係以半導體晶圓與膜狀燒製材料均被切斷的方式來進行。依據本實施形態之具支撐片的膜狀燒製材料，由於膜狀燒製材料對半導體晶圓之黏著力(a1)為0.1N/25mm以上，膜狀燒製材料對支撐片之黏著力(a2)為0.1N/25mm以上，切割時在膜狀燒製材料與半導體晶圓、以及膜狀燒製材料與支撐片之間發揮黏著力，故可防止晶片彈飛，切割適性優異。切割並無特別限定，作為一例可舉出於半導體晶圓之切割時將支撐片之周邊部(支撐體之外周部)以環骨架來固定後，藉由使用切割刀具等之旋轉圓刃等之周知手法來進行半導體晶圓之單片化之方法等。切割對支撐片產生之刻痕深度可為將膜狀燒製材料完全切斷，以相對於膜狀燒製材料與支撐片之界面距離0μm至30μm為佳。藉由減少對支撐片之刻痕量，可抑制切割刀具之摩擦所致構成支撐片之黏著劑層、基材膜之熔融或是毛邊等之發生。此外，依據本實施形態之具支撐片的膜狀燒製材料，可抑制切割時之燒製材料飛濺，可抑制晶圓污染。
此外，表面形成有電路之半導體晶圓經單片化者(晶片)也特別稱為元件或是半導體元件。
之後，可將上述支撐片加以擴展。作為支撐片之基材膜選擇伸張性優異之物的情況，支撐片將具有優異的擴展性。將經切割之具膜狀燒製材料的晶片利用收集器等通用手段來選取，藉此剝離膜狀燒製材料與支撐片。其結果，得到內面具有膜狀燒製材料的晶片(具膜狀燒製材料的晶片)。依據本實施形態之具支撐片的膜狀燒製材料，由於前述膜狀燒製材料對支撐片之黏著力(a2)小於前述膜狀燒製材料對半導體晶圓之黏著力(a1)，且前述黏著力(a1)為0.5N/25mm以下，故膜狀燒製材料變得容易從支撐片剝除，可容易選取經切割之具膜狀燒製材料的晶片。
接著，對基板表面貼附具膜狀燒製材料的晶片。基板也包含導線架、散熱座等。依據本實施形態之具支撐片的膜狀燒製材料，即便於膜狀燒製材料與基板之間也可期待發揮黏著力，當晶片與基板在利用燒製前之膜狀燒製材料所暫時固定著之狀態下受到搬送時，可抑制晶片位置出現偏移。
其次將膜狀燒製材料加以燒製，使得基板與晶片進行燒結接合。此時，只要事先將具膜狀燒製材料的晶片中之膜狀燒製材料之露出面貼附於基板，即可使得晶片與前述基板經由膜狀燒製材料來進行燒結接合。
將膜狀燒製材料加以燒製之加熱溫度只要考慮膜狀燒製材料之種類等來適宜決定即可，以100℃至600℃為佳，以150℃至550℃為更佳，以250℃至500℃為特佳。加熱時間只要考慮膜狀燒製材料之種類等來適宜決定即可，以5秒至60分鐘為佳，以5秒至30分鐘為更佳，以10秒至10分鐘為特佳。
膜狀燒製材料之燒製也可對膜狀燒製材料施壓來燒製亦即進行加壓燒製。加壓條件之一例可定為1MPa至50MPa程度。
依據本實施形態之半導體裝置之製造方法，可抑制切割時之晶片彈飛。此外，當晶片與基板在利用燒製前之膜狀燒製材料所暫時固定著之狀態下受到搬送時，可抑制晶片位置出現偏移。此外，依據本實施形態之半導體裝置之製造方法，在選取半導體晶圓經切割而單片化所成之晶片時，膜狀燒製材料變得容易從支撐片剝除，可容易選取經切割之具膜狀燒製材料的晶片。再者，可在無須對於經單片化之晶片內面個別貼附膜狀燒製材料的前提下來得到具膜狀燒製材料的晶片，可謀求製造步驟之簡化。此外，可藉由將具膜狀燒製材料的晶片配置於所希望之基板上並進行燒製來製造出晶片與基板係經由膜狀燒製材料來燒結接合著之具晶片的基板。本實施形態之半導體裝置之製造方法所使用之本發明之具支撐片的膜狀燒製材料由於前述膜狀燒製材料對半導體晶圓之黏著力(a1)以及前述膜狀燒製材 料對支撐片之黏著力(a2)滿除特定條件，故可抑制切割時之刀具摩擦所致晶片彈飛、晶圓污染，可容易選取經切割之具膜狀燒製材料的晶片。
一實施形態中，可得到具備有晶片與膜狀燒製材料而成之具膜狀燒製材料的晶片。具膜狀燒製材料的晶片之一例能藉由上述半導體裝置之製造方法來製造。
此外，上述實施形態中雖例示了膜狀燒製材料之晶片與基板之燒結接合，但膜狀燒製材料之燒結接合對象不限定於上述例示者，可對於和膜狀燒製材料相接觸而燒結之各種物品來進行燒結接合。
此外，上述實施形態中，可藉由使用刀具等來和半導體晶圓一同單片化而加工成為與晶片為同形狀之膜狀燒製材料，且可製造具膜狀燒製材料的晶片。亦即，具膜狀燒製材料的晶片雖膜狀燒製材料之接觸面與晶片之接觸面的大小(面積)為相同，但彼此也可不同。例如，也能在膜狀燒製材料之接觸面大於晶片之接觸面的狀態下來使得基板與晶片經由膜狀燒製材料來貼合。具體而言，也可事先於基板配置所希望大小的膜狀燒製材料，而將接觸面小於該膜狀燒製材料的晶片貼附於膜狀燒製材料上。
(實施例)
以下，藉由實施例等來更具體說明本發明，但本發明之範圍不限定於此等實施例等。
≪實施例1至3、比較例1至4≫
<燒製材料組成物之製造>
燒製材料組成物之製造所使用之成分如以下所示。此處針對粒徑100nm以下之金屬粒子係表記為「燒結性金屬粒子」。
(內含燒結性金屬粒子之糊材料)
‧Alconano銀糊ANP-1(有機被覆複合銀奈米糊，應用奈米粒子研究所公司製造：醇衍生物被覆銀粒子，金屬含量70質量%以上，平均粒徑100nm以下之銀粒子(燒結性金屬粒子)60質量%以上)
‧Alconano銀糊ANP-4(有機被覆複合銀奈米糊，應用奈米粒子研究所公司製造：醇衍生物被覆銀粒子，金屬含量80質量%以上，平均粒徑100nm以下之銀粒子(燒結性金屬粒子)25質量%以上)
(黏合劑成分)
‧丙烯酸聚合物1(甲基丙烯酸-2-乙基己酯聚合物，質量平均分子量260,000，L-0818，日本合成化學公司製造， MEK(methyl ethyl ketone；甲基乙基酮)稀釋品，固態成分58.4質量%，Tg：-10℃)
‧丙烯酸聚合物2(甲基丙烯酸-2-乙基己酯/丙烯酸正丁酯共聚物，共聚質量比率40/60，質量平均分子量280,000，L-0818B，日本合成化學公司製造，MEK稀釋品，固態成分60.0質量%，Tg：-30℃)
‧丙烯酸聚合物3(甲基丙烯酸-2-乙基己酯/丙烯酸酸/甲基丙烯酸第三丁酯共聚物，共聚質量比率47/15/38，質量平均分子量280,000，L-0818C，日本合成化學公司製造，MEK稀釋品，固態成分60.0質量%，Tg：41℃)
此外，丙烯酸聚合物1至3之Tg係使用Fox式子之計算值。
以下述表1所示摻配來混合各成分，得到和實施例1至3以及比較例1至4相對應之燒製材料組成物。表1中之各成分之值表示質量份。由於內含燒結性金屬粒子之糊材料係包含高沸點溶媒來販售，且殘存於塗布後或是乾燥後之膜狀燒製用材料中，故內含燒結性金屬粒子之糊材料之成分係包含此等成分來記載。考慮到黏合劑成分中之溶媒會在乾燥時揮發，故表示出摒除溶媒成分的固態成分質量份。此外，表1中括弧內的數值係以燒製材料組成物之總質量作為100質量%時之燒製材料組成物所含燒結性金屬粒子之量(質量%)。
<膜狀燒製材料之製造>
於剝離膜(厚度38μm，SP-PET381031，琳得科公司製造)之單面塗布上述所得之燒製材料組成物，以150℃乾燥10分鐘來得到具有表1所示厚度之膜狀燒製材料。
<具支撐片的膜狀燒製材料之製造>
將上述所得之膜狀燒製材料連同剝離膜裁切成為直徑153mm之圓形狀。
於實施例1至2以及比較例1至3，作為於厚度70μm之基材膜上積層有厚度10μm之黏著劑層而成之支撐片係使用切割片(AdwillG-011，琳得科公司製造)，對該切割片之黏著劑層面貼附上被裁切成為圓形狀之膜狀燒製材料，來得到圓形之膜狀燒製材料與剝離膜積層在基材膜上具有黏著劑層之切割片(支撐片)上而成之具支撐片的膜狀燒製材料。
實施例3中，作為由基材膜所構成之支撐片係使用依序積層有由聚丙烯所構成之層以及由乙烯-甲基丙烯酸共聚合物所構成之層而成之切割片(HUSL1302，Achilles公司製造)，對該切割片之由聚丙烯所構成之層面貼附上被裁切成為圓形狀之膜狀燒製材料，進而將雙面具有黏著材層之雙面膠帶(G-01DF，琳得科公司製造)(被裁切成為外徑和環骨架外徑大致相同且內徑大於膜狀燒製材之外徑的環形狀)貼附於膜狀燒製材料之外周部，進而於其上貼附剝離膜作為保護膜。藉此，得到於由基材膜所構成之切割片(支撐片)上積層著圓形之膜狀燒製材料以 及位於膜狀燒製材料外側之環骨架保持用之雙面膠帶且進而於全面積層著剝離膜而成之具支撐片的膜狀燒製材料。
比較例4中，作為由基材膜所構成之支撐片係使用剝離膜(SP-PET502150，琳得科公司製造)，於該剝離膜之剝離層面貼附上被裁切成為圓形狀之膜狀燒製材料，而得到於剝離膜上積層有圓形之膜狀燒製材料以及剝離膜而成之具支撐片的膜狀燒製材料。
<從膜狀燒製材料分離出燒結性金屬粒子以及非燒結性金屬粒子以外之成分的分離方法>
對於燒製前之膜狀燒製材料與以重量計約10倍量的有機溶媒經混合而成之物使用超音波來進行30分鐘以上攪拌，使得可溶解之成分來充分溶解。之後，將所得之物靜置約30分鐘直到燒結性金屬粒子以及非燒結性金屬粒子產生沈降為止。將此上清液以注射器來抽取，回收於120℃經10分鐘乾燥後的殘留物，而從膜狀燒製材料分樣出燒結性金屬粒子以及非燒結性金屬粒子以外的成分。
<膜狀燒製材料之測定、評價>
針對上述所得之膜狀燒製材料，測定以及評價下述項目。
(厚度之測定)
遵循JISK7130，使用定壓厚度測定器(TEKLOCK公司製造，製品名「PG-02」)來測定膜狀燒製材料之厚度。
(拉伸彈性模數以及破裂伸長度之測定)
將已剝除了剝離膜的膜狀燒製材料以厚度成為200μm的方式來積層複數層，進而將切斷成為寬度10mm、長度20mm者當作拉伸彈性模數以及破裂伸長度測定用之試驗片。
將所得試驗片以夾具間距離成為10mm的方式固定於萬能型拉伸試驗機(INSTRON公司製造，5581型試驗機)之既定部位。於測定23℃之拉伸彈性模數以及破裂伸長度之情況，係測定以23℃、拉伸速度50mm/分來拉伸試驗片時之負載與伸長量。測定60℃之拉伸彈性模數以及破裂伸長度之情況，係於附帶之加熱爐將試驗片加熱至60℃，測定以拉伸速度50mm/分來拉伸試驗片時之負載與伸長量。從伸長度為0%至5%之區域的拉伸應力之斜率來求出拉伸彈性模數〔MPa〕。此外，從試驗片出現破斷時之伸長量來求出破裂伸長度〔%〕。結果顯示於表1。
(玻璃轉換溫度之測定)
以上述方法從膜狀燒製材料分離出燒結性金屬粒子以及非燒結性金屬粒子以外之成分。
將構成燒製前之膜狀燒製材料之成分當中之金屬粒子以外的成分熔融於MEK(甲基乙基酮)，塗布於施行過剝離處理之 PET(聚對苯二甲酸乙二酯)膜上，進行乾燥使得MEK揮發，藉此製作出玻璃轉換溫度測定用之膜。
針對所得玻璃轉換溫度測定用之膜，使用動態機械分析裝置(TA INSTRUMENTS公司製造，製品名「DMAQ800」)，以升溫速度10℃/分之條件升溫至150℃，測定儲存彈性模數E’與損耗彈性模數E”，將兩者之比(E”/E’)亦即tanδ對溫度作圖。將顯示tanδ極大之溫度當作構成燒製前之膜狀燒製材料之成分當中之金屬粒子以外之成分的玻璃轉換溫度。結果顯示於表1。
(黏著力(a1)之測定)
準備表面經化學機械研磨處理成為算術平均粗度(Ra)為0.02μm以下之矽晶圓(科學技術研究所公司製造，直徑：150mm，厚度：500μm)當作黏著對象之被黏著體。
其次，具支撐片的膜狀燒製材料在去除了剝離膜等之表面保護膜之後於50℃貼合至，矽晶圓之處理面。其次，從膜狀燒製材料剝離支撐片，將厚度12μm之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜貼合至暴露狀態之膜狀燒製材料來強固地接著(內襯)。對此PET膜與膜狀燒製材料之積層體以成為寬度25mm、長度100mm以上的方式加入刻痕並切斷，得到由膜狀燒製材料與PET膜所構成之積層體貼附於矽晶圓上之物。
將所得積層體於23℃、相對濕度50%之氛圍下放置20分鐘後，使用萬能型拉伸試驗機(INSTRON公司製造，5581型試驗機)，遵循JISZ0237：2000進行了180°扯離試驗。具體而言， 從矽晶圓將內襯有PET膜之各例之膜狀燒製材料按各PET膜以剝離速度300mm/分來加以剝離。此時之剝離係以矽晶圓與膜狀燒製材料原先相互接觸之面彼此成為180°之角度的方式，將內襯有PET膜5之膜狀燒製材料朝長度方向剝離。然後，測定此180°剝離時之負載(剝離力)，此測定值作為黏著力(a1)〔N/25mm〕。結果示於表1。此外，實施例2至3以及比較例1以及3，具支撐片的膜狀燒製材料如表1所示之值由於發生了凝集破壞(於膜狀燒製材料層中發生破壞之現象)，故a1之值大於表所示之值。
(黏著力(a2)之測定)
將各例之具支撐片的膜狀燒製材料於23℃、相對濕度50%之氛圍下放置20分鐘後，使用萬能型拉伸試驗機(INSTRON公司製造，5581型試驗機)，遵循JISZ0237：2000進行180°扯離試驗。具體而言，從各例之具支撐片的膜狀燒製材料去除剝離膜等之表面保護膜之後，將厚度12μm之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜貼合於暴露狀態之膜狀燒製材料進行強固接著(內襯)，切斷成為寬度25mm、長度100mm以上之物。從內襯有PET膜之具支撐片的膜狀燒製材料將膜狀燒製材料按各PET膜以剝離速度300mm/分加以剝離。此時之剝離係以支撐片與膜狀燒製材料原先相互接觸之面彼此成為180°之角度的方式，將內襯於PET膜的膜狀燒製材料連同各PET膜朝長度方向剝離。然後，測定此180°剝離時之負載(剝離力)，此測定值作為黏著 力(a2)〔N/25mm〕。結果示於表1。
此外，當支撐片使用切割片(AdwillG-011，琳得科公司製造)之情況，以該切割片之黏著劑層與具支撐片的膜狀燒製材料中之膜狀燒製材料相接的方式，將切割片與具支撐片的膜狀燒製材料加以貼合。
(晶片碎裂以及燒製材料之切屑所致晶圓污染之評價)
準備表面經化學機械研磨處理成為算術平均粗度(Ra)為0.02μm以下之矽晶圓(科學技術研究所公司製造，直徑：150mm，厚度：150μm)來作為黏著對象之被黏著體。
從具支撐片的膜狀燒製材料剝除剝離膜，將露出狀態之膜狀燒製材料側之面使用膠帶貼片機(AdwillRAD2500，琳得科公司製造)來貼附於矽晶圓之處理面，得到晶片碎裂以及晶圓污染評價用之試驗片。
將所得試驗片裝設於切割用環骨架(DISCO公司製造)，使用切割裝置(DFD-651，DISCO公司製造)，利用以下之條件進行切割。切割後之晶片以及矽晶圓以實體顯微鏡來觀察。針對經單片化之各晶片，確認有無1邊為10μm以上大小之破裂或是碎裂。此外，確認矽晶圓表面有無膜狀燒製材料之切屑的附著。結果顯示於表1。
<各種條件>
‧切割刀具：NBC-ZH2050-SE27HECC，DISCO公司製造
‧刀具厚度：0.03mm
‧出刃量：0.76mm
‧刀具旋轉數：40,000rpm
‧切斷速度：40mm/秒
‧切削水量：1.0L/分
‧切削水溫度：20℃
‧刻痕條件：使得支撐片之基材膜連同矽晶圓距離膜狀燒製材料側之表面達20μm之深度受刻痕的方式來實施。
‧切割條件：以各晶片成為5mm×5mm的方式來實施。
(切割適性評價(燒製材料之飛濺所致晶圓污染、晶片彈飛))
從具支撐片的膜狀燒製材料來剝除剝離膜，將露出狀態之膜狀燒製材料側之面使用膠帶貼片機(AdwillRAD2500，琳得科公司製造)來貼附至經化學機械研磨處理而擁有算術平均粗度Ra為0.02μm以下表面之矽被黏著體構件(150mm直徑，厚度500μm，科學技術研究所製)之處理面。將所得之貼附有具支撐片的膜狀燒製材料片的矽晶圓裝設於切割用環骨架(DISCO公司製造)，使用切割裝置(DFD651，DISCO公司製造)，採以下之切割條件進行從矽被黏著體側進行切斷之切割步驟，分割出5mm×5mm之大小的晶片。對於經切割步驟所得之具支撐片的膜狀燒製材料之支撐片側之面所附著之經單片化之晶圓表面上，確認經切割步驟後該晶圓表面上是否有具支撐片的膜狀燒製材料割裂而附著上從晶圓以及支撐片剝落之碎屑。再者以目視確認於切割步驟中有無從支撐片脫落之晶片。
<切割條件>
‧切割刀具：NBC-ZH2050-SE27HECC，DISCO公司製造
‧刀具厚度：0.03mm
‧出刃量：0.76mm
‧刀具旋轉數：40,000rpm
‧切斷速度：40mm/秒
‧支撐片相對於基材之刻痕深度：20μm
‧切削水量：1.0L/分
‧切削水溫度：20℃
(選取步驟適性評價)
將上述切割適性評價所得之5mm×5mm之大小之晶片使用裸晶接合器(BESTEM-D02，CANON MACHINERY製造)利用以下之選取條件，以滑動速度10mm/秒將晶片載置於基板。此時，載置50個晶片，確認有無晶片未被提出造成裝置停止、或是晶片破損等選取不良之發生。
<選取條件>
‧收集器：無空隙型式
‧收集器尺寸：5mm×5mm
‧選取方式：滑動式(無針型式)
‧滑動寬度：5mm
‧擴展：3mm
Figure 107132045-A0305-02-0069-2
從表1可明顯看出，實施例1至3之膜狀燒製材料相較於比較例1至3之膜狀燒製材料，可抑制燒製材料之切屑所致晶圓污染以及晶片碎裂。
此外，從表1可明顯看出，實施例1至3之具支撐片的膜狀燒製材料相較於比較例2至4之具支撐片的膜狀燒製材料，可抑制燒製材料之切屑所致晶圓污染、燒製材料之飛濺所致晶圓污染以及晶片彈飛。此外，實施例1至3之具支撐片的膜狀燒製材料相較於比較例1之具支撐片的膜狀燒製材料，可抑制晶片碎裂以及選取不良。
各實施形態之各構成以及此等之組合等僅為一例，可在不超脫本發明意旨的範圍內進行構成之附加、省略、置換、以及其他變更。此外，本發明不受各實施形態所限定，僅被請求項(claim)之範圍所限定。
1:膜狀燒製材料
10:燒結性金屬粒子
20:黏合劑成分

Claims (7)

  1. 一種膜狀燒製材料，含有燒結性金屬粒子以及黏合劑成分；燒結性金屬粒子之含量為15質量%至98質量%，黏合劑成分之含量為2質量%至50質量%；於23℃之拉伸彈性模數為6.0MPa至9.9MPa，於60℃之拉伸彈性模數為4.0MPa至10.0MPa，於60℃之破裂伸長度為500%以上。
  2. 如請求項1所記載之膜狀燒製材料，其中於23℃之破裂伸長度為300%以上。
  3. 如請求項1或2所記載之膜狀燒製材料，其中構成燒製前之膜狀燒製材料之成分當中，金屬粒子以外之成分之玻璃轉換溫度為30℃至70℃。
  4. 一種具支撐片的膜狀燒製材料，具備有：如請求項1至3中任一項所記載之膜狀燒製材料；以及，支撐片，係設置於前述膜狀燒製材料之至少一側。
  5. 一種具支撐片的膜狀燒製材料，具備有：如請求項1至3中任一項所記載之膜狀燒製材料；以及，支撐片，係設置於前述膜狀燒製材料之至少一側；前述膜狀燒製材料對支撐片之黏著力(a2)小於前述膜狀燒製材料對半導體晶圓之黏著力(a1)，且前述黏著力(a1)為0.1N/25mm以上，前述黏著力(a2)為0.1N/25mm以上至0.5N/25mm以下。
  6. 如請求項4或5所記載之具支撐片的膜狀燒製材料，其中前述支撐片係於基材膜上設有黏著劑層者；於前述黏著劑層上設有前述膜狀燒製材料。
  7. 一種半導體裝置之製造方法，係使用如請求項4至6中任一項所記載之具支撐片的膜狀燒製材料，依序進行以下之步驟(1)至步驟(4)：步驟(1)：對於前述具支撐片的膜狀燒製材料貼附至半導體晶圓所得到之依序積層有支撐片、膜狀燒製材料、以及半導體晶圓而成之積層體中之半導體晶圓與膜狀燒製材料進行切割之步驟；步驟(2)：將前述切割後之膜狀燒製材料與支撐片加以剝離，得到具膜狀燒製材料的晶片之步驟；步驟(3)：對基板之表面貼附前述具膜狀燒製材料的晶片之步驟；步驟(4)：將前述具膜狀燒製材料的晶片之膜狀燒製材料加以燒製，使得前述具膜狀燒製材料的晶片與基板進行接合之步驟。
TW107132045A 2017-09-15 2018-09-12 膜狀燒製材料、具支撐片的膜狀燒製材料以及半導體裝置之製造方法 TWI779093B (zh)

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