TWI777383B - 彩色濾光片的製作方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提出一種彩色濾光片的製作方法,包括以下步驟:(A)設置一第一圖案遮罩於一基底上;(B)以噴灑塗佈法(spray coating),將一第一色光材料透過該第一圖案遮罩塗佈於該基底上,形成一第一色光圖案;(C)移除該第一圖案遮罩,並以雷射或氣槍清除該第一色光材料的一第一餘料;(D)設置一第二圖案遮罩於該基底上;(E)以噴灑塗佈法(spray coating),將一第二色光材料透過該第二圖案遮罩塗佈於該基底上,形成一第二色光圖案;(F)移除該第二圖案遮罩,並以雷射或氣槍清除該第二色光材料的一第二餘料;(G)設置一第三圖案遮罩於基底上;(H)以噴灑塗佈法(spray coating),將一第三色光材料透過該第三圖案遮罩塗佈於該基底上,形成一第三色光圖案;以及(I)移除該第三圖案遮罩,並以雷射或氣槍清除該第三色光材料的一第三餘料。
Description
本發明涉及一種彩色濾光片的製作方法,尤指一種可準確清除多餘材料,而不影響彩色濾光片圖案本體的製作方法。
量子點(Quantum Dot)是在把內部電子在三個空間方向上束縛住的半導體奈米結構。這種約束可以歸結於靜電勢、兩種不同半導體材料的介面、半導體的表面或者上述三者的結合。因此,量子點具有獨特的光電特性,例如量子點在被激發時,會根據其直徑大小,發出各種不同顏色的高純度單色光,故其常應用於彩色濾光片中的色光圖案。
然而,在目前彩色濾光片的製作過程中,若有多餘的材料(包括但不限於量子點材料)殘留於濾光片基板上,大多後使用特定的溶劑清除之;然而,液體溶劑的控制力極差,難免會有部分材料未被有效清除即覆蓋上新的濾光材料,導致光線會同時被多種濾光材料吸收而減少出光效率,顯示品質不佳。更甚者,液體溶劑還有可能意外接觸到原先基板上的濾光材料主體,除了會有珍貴量子點材料浪費的疑慮外,更使得製作完成的濾光片產生漏光或混光的問題。
為了解決先前技術的缺失,本發明提出了一種彩色濾光片的製作方法,包括以下步驟:(A)設置一第一圖案遮罩於一基底上;(B)以噴灑塗佈法(spray coating),將一第一色光材料透過該第一圖案遮罩塗佈於該基底上,形
成一第一色光圖案;(C)移除該第一圖案遮罩,並以雷射或氣槍清除該第一色光材料的一第一餘料;(D)設置一第二圖案遮罩於該基底上;(E)以噴灑塗佈法(spray coating),將一第二色光材料透過該第二圖案遮罩塗佈於該基底上,形成一第二色光圖案;(F)移除該第二圖案遮罩,並以雷射或氣槍清除該第二色光材料的一第二餘料;(G)設置一第三圖案遮罩於該基底上;(H)以噴灑塗佈法(spray coating),將一第三色光材料透過該第三圖案遮罩塗佈於該基底上,形成一第三色光圖案;以及(I)移除該第三圖案遮罩,並以雷射或氣槍清除該第三色光材料的一第三餘料。
進一步而言,該第一色光材料包括紅色量子點材料,該第二色光材料包括綠色量子點材料,該第三色光材料包括藍色量子點材料或透明有機材料。
除此之外,本發明更提出了另一種彩色濾光片的製作方法,包括以下步驟:(a)設置一第一圖案遮罩於一基底上;(b)以噴灑塗佈法(spray coating),將一第一色光材料透過該第一圖案遮罩塗佈於該基底上,形成一第一色光圖案;(c)設置一第一圖案保護遮罩於該第一色光圖案上,並以雷射清除該第一色光材料的一第一餘料;(d)設置一第二圖案遮罩於該基底上;(e)以噴灑塗佈法(spray coating),將一第二色光材料透過該第二圖案遮罩塗佈於該基底上,形成一第二色光圖案;(f)設置一第二圖案保護遮罩於該第一色光圖案及該第二色光圖案上,並以雷射清除該第二色光材料的一第二餘料;(g)設置一第三圖案遮罩於該基底上;(h)以噴灑塗佈法(spray coating),將一第三色光材料透過該第三圖案遮罩塗佈於該基底上,形成一第三色光圖案;(i)以及設置一第三圖案保護遮罩於該第一色光圖案、該第二色光圖案及該第三色光圖案上,並以雷射清除該第三色光材料的一第三餘料。
進一步而言,該第一色光材料包括紅色量子點材料,該第二色光材料包括綠色量子點材料,該第三色光材料包括藍色量子點材料或透明有機材料。
以上對本發明的簡述,目的在於對本發明之數種面向和技術特徵作一基本說明。發明簡述並非對本發明的詳細表述,因此其目的不在特別列舉本發明的關鍵性或重要元件,也不是用來界定本發明的範圍,僅為以簡明的方式呈現本發明的數種概念而已。
1:彩色濾光片
2:基底
10:第一色光材料
10”:第一餘料
20:第二色光材料
20”:第二餘料
30:第三色光材料
30”:第三餘料
100:第一色光圖案
200:第二色光圖案
300:第三色光圖案
S:雷射
U:氣槍
M1:第一圖案遮罩
M2:第二圖案遮罩
M3:第三圖案遮罩
P1:第一圖案保護遮罩
P2:第二圖案保護遮罩
P3:第三圖案保護遮罩
(A)~(I):步驟
(a)~(i):步驟
圖1為本發明第一實施例之彩色濾光片的製作方法流程圖。
圖2為本發明第一實施例之彩色濾光片的製作方法示意圖。
圖3為本發明第二實施例之彩色濾光片的製作方法流程圖。
圖4為本發明第二實施例之彩色濾光片的製作方法示意圖。
為能瞭解本發明的技術特徵及實用功效,並可依照說明書的內容來實施,茲進一步以如圖式所示的較佳實施例,詳細說明如後:請先同時參見圖1及圖2,圖1為本發明第一實施例之彩色濾光片的製作方法流程圖;及圖2為本發明第一實施例之彩色濾光片的製作方法示意圖。如圖1及圖2所示,本實施例之彩色濾光片的製作方法包括以下步驟:(A)設置第一圖案遮罩M1於基底2上;(B)以噴灑塗佈法(spray coating),將第一色光材料10透過第一圖案遮罩M1塗佈於基底2上,形成第一色光圖案100;(C)移除第一圖案遮罩M1,並以雷射S或氣槍U清除第一色光材料10的第一餘料10”;(D)設置第二圖案遮罩M2於基底2上;(E)以噴灑塗佈法(spray coating),將第二色光材料20透過第二圖案遮罩M2塗佈於基底2上,形成第二色光圖案200;(F)移除第二圖案遮罩M2,並以雷射S或氣槍U除清除第二色
光材料20的第二餘料20”;(G)設置第三圖案遮罩M3於基底上;(H)以噴灑塗佈法(spray coating),將第三色光材料30透過第三圖案遮罩M3塗佈於基底2上,形成第三色光圖案300;以及(I)移除第三圖案遮罩M3,並以雷射S或氣槍U清除第三色光材料30的第三餘料30”。根據本發明,較佳地,所述第一餘料10”、所述第二餘料20”及所述第三餘料30”意指塗佈在基底2上的第一色光材料10、第二色光材料20及第三色光材料30,經認定與第一色光圖案100、第二色光圖案200及第三色光圖案300不相關而不予採用之部位。
應注意的是,於本實施例的步驟(B)、步驟(E)及步驟(H)中,可應用一固化程序來分別固化第一色光材料10;第二色光材料20及第三色光材料30,以在所述基底2上依次形成第一色光圖案100;第二色光圖案200及第三色光圖案300。其中所述固化程序可以透過光固化或熱固化來達成;並且,本領域中通常知識者容易想到的是:為實現光固化或熱固化,所述第一色光材料10;所述第二色光材料20及所述第三色光材料30必然包括光固化膠或熱固化膠其中之一,具體地,此光固化膠可由任何合適的材料或材料之組合來構成,例如但不限於丙烯酸酯單體、丙烯酸酯寡聚合物單體。
更具體地,當第一色光材料10;第二色光材料20或第三色光材料30包括光固化膠時,所述固化程序可藉由、高壓汞燈、無電極燈、氙氣燈或其他光固化方案以來進行。此處光固化方案的照射時間介於2(s)到1020(s)之間;照射強度介於5(mW/cm2)到200(mW/cm2)之間,且較佳為照射劑量介於10(mJ/cm2)至2,000(mJ/cm2)。
又,當該等色光材料10、20、30包括熱固化膠時,此固化程序則可藉由烤箱加熱或其他熱固化方案來進行。例如,將塗佈在基底上的該等色光材料,依次以100(℃)至160(℃)烤箱加熱1(min)到300(min)後,即形成前述的第一色光圖案100、第二色光圖案200或第三色光圖案300。值得一提的是,
於本發明的實際應用中,此固化程序可依實際需求及設計以添加至少一個熱固化方案(諸如:150℃烤箱加熱4小時;或添加硬化劑使其在室溫下固化等)。
此處需說明的是,本第一實施例所揭示之彩色濾光片的製作方法,亦可應用在有機發光二極體(Organic Light-Emitting Diode,OLED)中,這個時候,所述方法將具有一設置程序(即圖1中未示的步驟(J)),用於在所述彩色濾光片1上設置至少一偏光板(圖2未示),以對通過所述彩色濾光片1之光線進行偏光。
其中在步驟(A)、步驟(D)及步驟(G)中,所述基底2可以使用透光基板,舉例來說,可以由玻璃材料、金屬材料及/或陶瓷材料的任何組合所構成;亦可以由石英材料及/或有機聚合物的任何組合所構成,本發明不以此為限。於本實施例中,使用者可依實際應用需求於步驟(A)中選擇自定義的一第一圖案遮罩M1;並依此類推,於步驟(D)中選擇自定義的一第二圖案遮罩M2;及於步驟(G)中選擇自定義的一第三圖案遮罩M3,以依前述的步驟順序將所述第一圖案遮罩M1、所述第二圖案遮罩M2及所述第三圖案遮罩M3以懸空或貼合方式設置在所述基底2上。
其中在步驟(B)中,所述第一色光材料10包括紅色量子點材料。詳述地,所述紅色量子點材料包括第II族與第VI族中的元素形成的第一化合物(例如但不限於硒化鎘(CdSe)、碲化鎘(CdTe)、硫化鎂(MgS)、硒化鎂(MgSe)、碲化鎂(MgTe)、硫化鈣(CaS)、硒化鈣(CaSe)、碲化鈣(CaTe)、硫化鍶(SrS)、硒化鍶(SrSe)、碲化鍶(SrTe)、硫化鋇(BaS)、硒化鋇(BaSe)、碲化鋇(BaTe)、硫化鋅(ZnS)、硒化鋅(ZnSe)、碲化鋅(ZnTe)或硫化鎘(CdS));以及第III主族與第V主族中的元素形成的第二化合物(例如但不限於氮化鎵(GaN)、磷化鎵(GaP)、砷化鎵(GaAs)、氮化銦(InN)、磷化銦(InP)或砷化銦(InAs)),並藉由組合第一化合物及/或第二化合物而包覆形成核殼結構或摻雜奈米晶顆粒。
此外,本實施例的第一色光材料10亦可包括具有化學通式MAX3的鈣鈦礦量子點材料,所述鈣鈦礦量子點材料主要包括有機-無機雜化鈣鈦礦量子點、全無機鈣鈦礦量子點或其組合;由於鈣鈦礦材料具有獨特的光電特性,致使其所激發出的光具高色純度。其中陽離子M為有機離子的甲胺離子、乙胺離子、甲脒離子或無機離子的銫離子(Cs+);金屬離子A為二價的鉛離子(Pb2+)、錫(Sn2+)或鍺離子(Ge2+);及鹵素離子X為屬於立方、正交或者四方晶系的氯離子(Cl-),溴離子(Br-)或碘離子(I-)。具體地,就此組合而言,可舉出所述第一色光材料10包括具有化學通式CsPbI3的一紅色全無機鈣鈦礦量子點,其粒徑大小介於0.1-20奈米(nm),較佳的是介於5-10奈米(nm)。
其中在步驟(C)、步驟(F)及步驟(I)中,所使用的雷射S可以是任何適當的種類,例如但不限於奈秒雷射(Nanosecond Laser)、飛秒雷射(Femtosecond Laser)或皮秒雷射(Picosecond)、CO2雷射、光纖雷射、UV雷射、綠光雷射,更佳為YVO4雷射、YAG雷射或準分子雷射,以自基底2清除第一餘料10”、第二餘料20”及第三餘料30”。但此僅為一實例,且所述雷射S的設定並不限於此,亦可為波長在短波(SW)紫外線區域(例如,100nm~400nm)或長波(LW)紅外線區域(例如,750nm~1mm)之中的合適雷射;事實上,所述雷射S亦能夠依據瑞利長度(Rayleigh length)(即瑞利距離或瑞利範圍)來進行設定,依此確保可在沒有前述圖案遮罩(即,第一圖案遮罩M1、第二圖案遮罩M2或第三圖案遮罩M3)之情況下執行前述基底2之所述餘料(即,第一餘料10”、第二餘料20”或第三餘料30”)之精準清除,以避免光線被所述餘料吸收而造成光損失。
又其中,於步驟(C)、步驟(F)及步驟(I)中使用氣槍U的情形下,所使用的氣槍U並無特別限制,例如其所吹送的氣體可以是潔淨乾空氣(Clean Dry
Air,CDA)、氮氣(N2)或二氧化碳(CO2);又例如其所吹送的氣體壓力亦可以根據氣槍型號或氣刷規格來進行調整。
又其中在步驟(E)中,所述第二色光材料20包括綠色量子點材料。詳述地,所述綠色量子點材料包括第II族與第VI族中的元素形成的第一化合物(例如但不限於硒化鎘(CdSe)、碲化鎘(CdTe)、硫化鎂(MgS)、硒化鎂(MgSe)、碲化鎂(MgTe)、硫化鈣(CaS)、硒化鈣(CaSe)、碲化鈣(CaTe)、硫化鍶(SrS)、硒化鍶(SrSe)、碲化鍶(SrTe)、硫化鋇(BaS)、硒化鋇(BaSe)、碲化鋇(BaTe)、硫化鋅(ZnS)、硒化鋅(ZnSe)、碲化鋅(ZnTe)或硫化鎘(CdS));以及第III主族與第V主族中的元素形成的第二化合物(例如但不限於氮化鎵(GaN)、磷化鎵(GaP)、砷化鎵(GaAs)、氮化銦(InN)、磷化銦(InP)或砷化銦(InAs)),並藉由組合第一化合物及/或第二化合物而包覆形成核殼結構或摻雜奈米晶顆粒。
除此之外,本實施例的第二色光材料20亦可包括具有化學通式MAX3的鈣鈦礦量子點材料,所述鈣鈦礦量子點材料主要包括有機-無機雜化鈣鈦礦量子點、全無機鈣鈦礦量子點或其組合。其中,陽離子M為有機離子的甲胺離子、乙胺離子、甲脒離子或無機離子的銫離子(Cs+);金屬離子A為二價的鉛離子(Pb2+)、錫(Sn2+)或鍺離子(Ge2+);鹵素離子X為屬於立方、正交或者四方晶系的氯離子(Cl-),溴離子(Br-)或碘離子(I-)。具體地,就此組合而言,可舉出所述第二色光材料20包括具有化學通式CsPbBr3的一綠色全無機鈣鈦礦量子點,其粒徑大小介於0.1-20奈米(nm),較佳的是介於2-5奈米(nm)。
又其中在步驟(H)中,所述第三色光材料30包括有機材料、藍色量子點材料或其組合。詳述地,所述藍色量子點材料包括第II族與第VI族中的元素形成的第一化合物(例如但不限於硒化鎘(CdSe)、碲化鎘(CdTe)、硫化鎂(MgS)、硒化鎂(MgSe)、碲化鎂(MgTe)、硫化鈣(CaS)、硒化鈣(CaSe)、碲化鈣(CaTe)、硫化鍶(SrS)、硒化鍶(SrSe)、碲化鍶(SrTe)、硫化鋇(BaS)、硒化
鋇(BaSe)、碲化鋇(BaTe)、硫化鋅(ZnS)、硒化鋅(ZnSe)、碲化鋅(ZnTe)或硫化鎘(CdS));以及第III主族與第V主族中的元素形成的第二化合物(例如但不限於氮化鎵(GaN)、磷化鎵(GaP)、砷化鎵(GaAs)、氮化銦(InN)、磷化銦(InP)或砷化銦(InAs)),並藉由組合第一化合物及/或第二化合物而包覆形成核殼結構或摻雜奈米晶顆粒。
另外,本實施例的第三色光材料30亦可包括具有化學通式MAX3的鈣鈦礦量子點材料,所述鈣鈦礦量子點材料主要包括有機-無機雜化鈣鈦礦量子點、全無機鈣鈦礦量子點或其組合。其中,陽離子M為有機離子的甲胺離子、乙胺離子、甲脒離子或無機離子的銫離子(Cs+);金屬離子A為二價的鉛離子(Pb2+)、錫(Sn2+)或鍺離子(Ge2+);鹵素離子X為屬於立方、正交或者四方晶系的氯離子(Cl-),溴離子(Br-)或碘離子(I-)。具體地,就此組合而言,可舉出所述第三色光材料30包括具有化學通式CsPbCl3的一藍色全無機鈣鈦礦量子點,其粒徑大小介於0.1-20奈米(nm),較佳的是介於1-2奈米(nm)。
簡言之,本第一實施例所示之彩色濾光片的製作方法中,在設置該等圖案遮罩M1、M2、M3於基底2後,直接透過噴灑塗佈法(spray coating)以依序形成數個色光圖案100、200、300於其上,使得製作流程可以簡化、還可以減少色光材料的使用以避免浪費,故具有節省成本及環保的優點。值得一提的是,相較於已知製程(即,採用特定溶劑作為色光材料多餘部位的清除方案),本第一實施例係以雷射工法S執行對位切割(或精準切割),由於所述雷射工法S可根據瑞利理論(Rayleigh theory)來設定,因此可達到精準將各該色光圖案100、200、300之間的第一餘料10”、第二餘料20”及第三餘料30”自所述基底上清除之可能。故除前述優點外,本第一實施例亦同時具有減少濾光片漏光及光源損耗的優點;並進而提升光線的利用效率。
請接著合併參見圖3及圖4,圖3為本發明第二實施例之彩色濾光片的製作方法流程圖;及圖4為本發明第二實施例之彩色濾光片的製作方法示意圖。如圖3及圖4所示,本實施例之彩色濾光片的製作方法包括以下步驟:(a)設置第一圖案遮罩M1於基底2上;(b)以噴灑塗佈法(spray coating),將第一色光材料10透過該第一圖案遮罩M1塗佈於該基底2上,形成第一色光圖案100;(c)設置第一圖案保護遮罩P1於第一色光圖案100上,並以雷射S清除第一色光材料10的第一餘料10”;(d)設置第二圖案遮罩M2於該基底2上;(e)以噴灑塗佈法(spray coating),將第二色光材料20透過第二圖案遮罩M2塗佈於該基底2上,形成第二色光圖案200;(f)設置第二圖案保護遮罩P2於第一及第二色光圖案100、200上,並以雷射S清除第二色光材料20的第二餘料20”;(g)設置第三圖案遮罩M3於基底2上;(h)以噴灑塗佈法(spray coating),將第三色光材料30透過第三圖案遮罩M3塗佈於基底2上,形成第三色光圖案300;(i)以及設置第三圖案保護遮罩P3於第一、第二及第三色光圖案100、200、300上,並以雷射S清除第三色光材料30的第三餘料30”。
在第二實施例中,步驟(c)、步驟(f)及步驟(i)並非直接使用雷射S來清除第一餘料10”、第二餘料20”及第三餘料30”,而是藉著於步驟(c)中的第一圖案保護遮罩P1;於步驟(f)中的第二圖案保護遮罩P2;及於步驟(i)中的第三圖案保護遮罩P3依序遮蔽第一色光圖案100;第一及第二色光圖案100、200;及第一、第二及第三色光圖案100、200、300,以明確識別第一餘料10”、第二餘料20”及第三餘料30”。基於前述的第一圖案保護遮罩P1、第二圖案保護遮罩P2及第三圖案保護遮罩P3為第二實施例與第一實施例唯一的不同,故以下敘述將僅著重於此不同之處。
此處需說明的是,本第二實施例所揭示之彩色濾光片的製作方法,與第一實施例同樣,亦可應用在有機發光二極體(Organic Light-Emitting
Diode,OLED)中,這個時候,所述方法將具有一設置程序(即圖3中未示的步驟(j)),用於在所述彩色濾光片1上設置至少一偏光板(圖4未示),以對通過所述彩色濾光片1之光線進行偏光。
其中在步驟(c)中,待移除所述基底2上方的第一圖案遮罩M1而暴露所有第一色光材料(即,第一色光材料10中屬於第一色光圖案100的部位及第一餘料10”)其上,即可將前述的第一圖案保護遮罩P1相對第一色光圖案100而懸置,藉以遮蔽使用者欲保留的第一色光圖案100之部份,例如,本實施例係設定第一色光圖案100的全部皆為欲保留者。藉由此,即可直接採用大面積雷射S來清除第一色光材料中的第一餘料10”,且無需如第一實施例般嚴格,所述雷射S可為任何合適雷射,僅要可將所述第一餘料10”自基底2上清除乾淨即可。舉例來說,由於在圖4的每個第一色光圖案100皆為第一圖案保護遮罩P1所遮蔽,所以在圖4中的雷射S能夠僅將基底2上面每個第一色光圖案100間隔中的第一餘料10”予以清除。
其中在步驟(f)中,待移除所述基底2上方的第二圖案遮罩M2而暴露經步驟(c)的第一色光圖案100及所有的第二色光材料(即,第二色光材料20中屬於第二色光圖案200的部位及第二餘料20”)於其上,即可將前述的第二圖案保護遮罩P2相對該等色光圖案而懸置,藉以遮蔽使用者欲保留的該等色光圖案100、200之部份。為便於說明,本實施例同樣係以設定該等色光圖案100、200皆是欲保留者為例,當藉大面積雷射S對基底2上不欲保留的該等色光材料(如第一餘料及/或第二餘料10”、20”)進行清除時,該等色光圖案100、200將基於第二圖案保護遮罩P2的遮蔽而被完整地保留。
其中在步驟(i)中,待移除所述基底2上方的第三圖案遮罩M3而暴露經步驟(f)的第一和第二色光圖案100、200及所有的第三色光材料(即,第三色光材料30中屬於第三色光圖案300的部位及第三餘料30”)於其上,即可將
前述的第三圖案保護遮罩P3相對該等色光圖案100、200、300而懸置,藉以遮蔽使用者欲保留的該等色光圖案100、200、300之部份。與步驟(c)及步驟(f)同樣地,本實施例亦以設定該等色光圖案100、200、300皆是欲保留者為例;如此,該等色光圖案100、200、300將可同樣基於第三圖案遮罩P3的遮蔽而於所述雷射S大面積照射的情形下被完整地保留在所述基底2上。
簡言之,本第二實施例所示之彩色濾光片的製作方法,在設置該等圖案遮罩M1、M2、M3於基底2後,亦可與第一實施例同樣,採用噴灑塗佈法(spray coating)直接在基底上依次形成數個色光圖案100、200、300,故第二實施例亦具有節省成本及環保的優點。此時,由於該等色光圖案100、200、300被該等圖案保護遮罩P1、P2、P3完整地遮蔽,因此可直接於基底2上施加大面積的雷射S,以一次性地清除各該色光圖案100、200、300之間的第一餘料10”、第二餘料20”及第三餘料30”,而無需如本第一實施例般利用特殊雷射或高密度氣槍將其等清除。藉此,除前述優點外,本第二實施例亦同時具有減少濾光片漏光及光源損耗的優點;並進而提升光線的利用效率;以及本製作方法的工作效率。
惟以上所述者,僅為本發明之較佳實施例而已,當不能以此限定本發明實施之範圍,即依本發明申請專利範圍及說明內容所作之簡單的等效變化與修飾,皆仍屬本發明涵蓋之範圍內。
(A)~(I)…步驟
Claims (6)
- 一種彩色濾光片的製作方法,包括:(A)設置一第一圖案遮罩於一基底上;(B)以噴灑塗佈法(spray coating),將一第一色光材料透過該第一圖案遮罩塗佈於該基底上,形成一第一色光圖案;(C)移除該第一圖案遮罩,並以雷射或氣槍清除該第一色光材料的一第一餘料;(D)設置一第二圖案遮罩於該基底上;(E)以噴灑塗佈法(spray coating),將一第二色光材料透過該第二圖案遮罩塗佈於該基底上,形成一第二色光圖案;(F)移除該第二圖案遮罩,並以雷射或氣槍清除該第二色光材料的一第二餘料;(G)設置一第三圖案遮罩於該基底上;(H)以噴灑塗佈法(spray coating),將一第三色光材料透過該第三圖案遮罩塗佈於該基底上,形成一第三色光圖案;以及(I)移除該第三圖案遮罩,並以雷射或氣槍清除該第三色光材料的一第三餘料;其中,在步驟(B)中,該第一色光材料包括紅色量子點材料;在步驟(E)中,該第二色光材料包括綠色量子點材料;及在步驟(H)中,該第三色光材料包括藍色量子點材料或透明有機材料。
- 如請求項1所述之彩色濾光片的製作方法,其中該雷射為一YVO4雷射、一YAG雷射或一準分子雷射。
- 如請求項1所述之彩色濾光片的製作方法,更包括步驟(J):設置至少一偏光板於步驟(I)後形成的彩色濾光片上,以對通過該彩色濾光片之光線進行偏光。
- 一種彩色濾光片的製作方法,包括:(a)設置一第一圖案遮罩於一基底上;(b)以噴灑塗佈法(spray coating),將一第一色光材料透過該第一圖案遮罩塗佈於該基底上,形成一第一色光圖案;(c)設置一第一圖案保護遮罩於該第一色光圖案上,並以雷射清除該第一色光材料的一第一餘料;(d)設置一第二圖案遮罩於該基底上;(e)以噴灑塗佈法(spray coating),將一第二色光材料透過該第二圖案遮罩塗佈於該基底上,形成一第二色光圖案;(f)設置一第二圖案保護遮罩於該第一色光圖案及該第二色光圖案上,並以雷射清除該第二色光材料的一第二餘料;(g)設置一第三圖案遮罩於該基底上;(h)以噴灑塗佈法(spray coating),將一第三色光材料透過該第三圖案遮罩塗佈於該基底上,形成一第三色光圖案;以及(i)設置一第三圖案保護遮罩於該第一色光圖案、該第二色光圖案及該第三色光圖案上,並以雷射清除該第三色光材料的一第三餘料;其中,在步驟(b)中,該第一色光材料包括紅色量子點材料;在步驟(e)中,該第二色光材料包括綠色量子點材料;及在步驟(h)中,該第三色光材料包括藍色量子點材料或透明有機材料。
- 如請求項4所述之彩色濾光片的製作方法,其中該雷射為一YVO4雷射、一YAG雷射或一準分子雷射。
- 如請求項4所述之彩色濾光片的製作方法,更包括步驟(j):設置至少一偏光板於步驟(i)後形成的彩色濾光片上,以對通過該彩色濾光片之光線進行偏光。
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