TWI765302B - 晶圓檢測設備和晶圓檢測方法 - Google Patents

晶圓檢測設備和晶圓檢測方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI765302B
TWI765302B TW109124919A TW109124919A TWI765302B TW I765302 B TWI765302 B TW I765302B TW 109124919 A TW109124919 A TW 109124919A TW 109124919 A TW109124919 A TW 109124919A TW I765302 B TWI765302 B TW I765302B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
wafer
light
wafers
holder
stage
Prior art date
Application number
TW109124919A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202113343A (zh
Inventor
周崇斌
Original Assignee
台灣積體電路製造股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 台灣積體電路製造股份有限公司 filed Critical 台灣積體電路製造股份有限公司
Publication of TW202113343A publication Critical patent/TW202113343A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI765302B publication Critical patent/TWI765302B/zh

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers
    • G01N21/9505—Wafer internal defects, e.g. microcracks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/24—Optical enhancement of defects or not directly visible states, e.g. selective electrolytic deposition, bubbles in liquids, light emission, colour change
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/30—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces
    • G01B11/303—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces using photoelectric detection means
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/26—Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
    • G01N2201/06—Illumination; Optics
    • G01N2201/061—Sources
    • G01N2201/06113—Coherent sources; lasers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
    • G01N2201/06—Illumination; Optics
    • G01N2201/066—Modifiable path; multiple paths in one sample
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
    • G01N2201/10—Scanning

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

提供一種晶圓檢測設備和晶圓檢測方法。晶圓檢測設備包括光學模組、用於承載多個晶圓的至少一個晶圓固持器以及多個光學感測器。光學模組被配置成發射多個光束以用於同時掃描由至少一個晶圓固持器所承載的多個晶圓。多個光學感測器被配置成接收被所述多個晶圓反射的多個光束。

Description

晶圓檢測設備和晶圓檢測方法
本發明是有關於一種晶圓檢測設備和晶圓檢測方法。
製造半導體器件通常包括使用大量半導體製造製程來處理基板(例如半導體晶圓)，以形成半導體器件的各種特徵和多個層級。半導體製造製程可包括但不限於布植製程、沉積製程、微影和蝕刻製程、研磨和拋光製程等等，所述沉積製程例如是化學氣相沉積(chemical vapor deposition；CVD)、電漿增強CVD(plasma-enhanced CVD；PECVD)、物理氣相沉積(physical vapor deposition；PVD)等。
在製造半導體器件期間的各種步驟處執行檢測製程，以檢測基板(例如，晶圓)上是否具有缺陷，從而促成製造製程中的較高良率且由此達到較高利潤。在整個製造製程中，為了追求較高效率，晶圓檢測效率是一個備受關注的話題。
本發明實施例提供一種晶圓檢測設備，其包括光源、第一分光元件、第一晶圓固持器、第一光學感測器以及第二光學感測器。光源被配置成發射光。第一分光元件被配置成將來自所述光源的所述光分成第一光束和第二光束。第一晶圓固持器包括用於承載第一晶圓的第一晶圓載物台和用於承載第二晶圓的第二晶圓載物台，其中所述第一晶圓被配置成反射所述第一光束，且所述第二晶圓被配置成反射所述第二光束。第一光學感測器被配置成接收所述第一晶圓載物台所承載的所述第一晶圓所反射的所述第一光束。第二光學感測器被配置成接收所述第二晶圓載物台所承載的所述第二晶圓所反射的所述第二光束。
本發明實施例提供一種晶圓檢測設備，其包括：光學模組、至少一個晶圓固持器以及多個光學感測器。至少一個晶圓固持器用於承載多個晶圓，其中所述光學模組被配置成發射多個光束以用於同時掃描所述至少一個晶圓固持器所承載的所述多個晶圓。多個光學感測器被配置成分別接收被所述多個晶圓反射的所述多個光束。
本發明實施例提供一種晶圓檢測方法，其包括：將多個晶圓裝載到至少一個晶圓固持器以及同時檢測所述多個晶圓。同時檢測所述多個晶圓包括：從光學模組發射多個光束並將所述多個光束引導至所述多個晶圓；以及通過多個光學感測器接收被所述多個晶圓反射的所述多個光束。
10:接收表面
100、200、300、400:檢測設備
110:光源
120、281、282、283、284:光學放大器
130:光學定向元件
131、132、133:反射鏡
140、240、340:分光元件
142、242、244、246、333:分光器
144、248:全反射鏡
151、152、251、252、351、352:單向鏡
160、260、360:晶圓固持器
161、162、261、262、361、362:晶圓載物台
165、265、365:連接元件
171、172、371、372:光學感測器
180:偏光器
330:光學定向分光單元
334:光學元件
480:光纖
520:集成光學元件
610、620、630、631、632、633、640、650:動作
AG:陣列式波導光柵
EC:電極
F:輸入光纖
F1、F2、Fn:輸出光纖
F1:前表面
F2:背表面
L、L2'、L3':光
L'、L":部分
L1、L2、L3、L4:光束
L1、L2、Ln:光
OM1、OM2、OM3:光學模組
RA:旋轉軸
S1、S2:自由空間傳播區
W、W1、W2、W3、W4:晶圓
W1、W2、W3、Wn:通道波導
WS:晶圓載物台
X、Y:水平方向
Z:豎直方向
結合附圖閱讀以下詳細描述會最好地理解本公開的各個方面。應注意，根據業界中的標準慣例，各個特徵未按比例繪製。實際上，為了論述清楚起見，可任意增大或減小各個特徵的尺寸。
圖1是根據本公開的第一實施例的檢測設備的示意圖。
圖2A是根據本公開的第二實施例的檢測設備的示意圖。圖2B是根據本公開的第二實施例的檢測設備的晶圓載物台和光學元件的配置的示意圖。圖2C是根據本公開的第二實施例的檢測設備的分光元件的透視圖。
圖3是根據本公開的第三實施例的檢測設備的示意圖。
圖4是根據本公開的第四實施例的檢測設備的示意圖。
圖5是根據本公開的第五實施例的檢測設備的示意圖。
圖6是說明根據本公開的一些實施例的使用檢測設備的檢測方法的流程圖。
圖7是說明根據本公開的一些實施例的晶圓載物台所承載的晶圓的橫截面示意圖。
圖8是說明根據本公開的一些實施例的陣列式波導光柵的示意圖。
以下公開內容提供用於實施所提供主題的不同特徵的許 多不同實施例或實例。出於以簡化方式傳達本公開的目的，下面描述元件和佈置的具體實例。當然，這些元件和佈置只是實例且並不意欲為限制性的。舉例來說，在以下描述中，第一特徵在第二特徵上方或上的形成可包括第一特徵和第二特徵直接接觸地形成的實施例，且還可包括額外特徵可在第一特徵與第二特徵之間形成以使得第一特徵和第二特徵可不直接接觸的實施例。另外，相同附圖標號和/或字母可用於指本公開的各種實例中的相同或類似部件。這種附圖標號的重複使用是出於簡化和清楚的目的且本身並不規定所論述的各種實施例和/或配置之間的關係。
另外，本文中可使用空間相對術語，如“在…下方”、“在…下”、“下部”、“在…上”、“在…上方”、“在…上”、“上部”以及類似術語，以便於描述一個元件或特徵與如圖中所說明的另一(一些)元件或特徵的關係。除圖中所描繪的定向以外，空間相對術語意欲涵蓋器件在使用或操作中的不同定向。設備可以其它方式定向(旋轉90度或處於其它定向)，且本文中所使用的空間相對描述詞因此可同樣地進行解釋。
本公開的各種實施例旨在提供能夠實施多晶圓檢測(multi-wafer inspection)以提高檢測效率的檢測設備(例如，晶圓檢測設備)。
圖1是根據本公開的至少一個實施例的檢測設備100的示意圖。
參考圖1，在一些實施例中，檢測設備100被配置成檢測 至少兩個工件W1、W2。檢測設備100可產生所檢測工件W1、工件W2的圖像以用於確定工件W1、工件W2中的任一個或兩個是否具有缺陷。工件W1、工件W2可以是基板。基板可包括玻璃、矽、陶瓷、金屬、不銹鋼、塑膠、樹脂、複合材料、條帶、膜或其它合適的材料。在一些實施例中，基板是半導體晶圓。
在一些實施例中，檢測設備100包括光學模組OM1、用於承載多個工件W1、W2的工件固持器160、單向鏡(one-way mirror)151、單向鏡152以及光學感測器171、光學感測器172。
光學模組OM1被配置成發射多個光束，以用於同時檢測工件固持器160所承載的工件W1、工件W2。在一些實施例中，光學模組OM1包括光源110、光學放大器120、光學定向元件130以及分光元件(optical splitting element)140。光源110被配置成發射光L，例如雷射光束。
光學放大器120被配置成放大和控制光L的強度，且由此控制從光L所分出的光束L1及光束L2的強度。從光源110發射的光L可通過使用光學放大器120來進一步有效地增強，以提供所需光學強度。在一些實施例中，光學放大器120根據產品設計和要求將光L的強度增大到其原始強度的兩倍或四倍或大於四倍。在一些實施例中，光學放大器120可以是固態放大器(solid-state amplifier)、摻雜光纖放大器或半導體光學放大器，但本公開不限於此。在一些實施例中，光學放大器120是雷射放大器，如射頻泵(RF bumped)快軸流(fast axial flow)CO2雷射放 大器。在一些實施例中，光學放大器120緊鄰光源110設置，但本公開不限於此。替代或另外地，光學放大器可設置於其它位置處，以在將光引導到工件之前調整光的強度。舉例來說，光學放大器可設置於光學定向元件130與分光元件140之間，或設置於分光元件140與工件固持器160之間。然而，本公開不限於此。
在一些實施例中，光學模組OM1可視情況包括光學定向元件130以用於控制光L的光學路徑。在一些實施例中，光學定向元件130包括反射器單元。反射器單元可包括多個反射鏡，以用於將光L引導至預定方向。光學定向元件130可包括反射鏡131、反射鏡132以及反射鏡133，其也可被稱為長號鏡單元(trombone mirror unit；TMU)。圖中繪示的光學定向元件130所包括的反射鏡的數目和配置僅用於說明，且本公開不限於此。本文中也涵蓋包括可控制光的光學路徑的其它合適的光學元件的實施例。
分光元件140被配置成將光L分成多個光束，以用於檢測工件固持器160所承載的多個工件。在一些實施例中，分光元件140可將光L分成沿著兩個相反豎直方向行進的兩個光束L1、L2。光L可被平均地分成兩個光束，其中兩個光束中的每一個的強度大約是光L的強度的一半，但本公開不限於此。在一些實施例中，分光元件140包括分光器142和全反射鏡(total reflection mirror)144。當將光引導到分光元件140時，入射光的一部分(例如，一半)被分光器142反射，且入射光的另一部分(例如，一 半)透射穿過分光器142且被全反射鏡144反射。分光器142可將非偏振光分成兩束非偏振光，或將偏振光(例如，p偏振光或s偏振光)分成兩束偏振光，或將非偏振光分成兩束偏振光(例如，p偏振光和s偏振光)。在一些實施例中，分光元件140被配置成在晶圓檢測期間固定。
在一些實施例中，光學模組OM1更包括一或多個偏光器(polarizer)，所述偏光器被配置成使將要引導到工件固持器160所承載的工件的光偏振，且可取決於待檢測的缺陷類型而將光分別偏振為p偏振光或s偏振光。偏光器180可沿光L的光路設置在光L進入分光元件140之前的位置，且被配置成在通過分光元件140分光之前使光L偏振。偏光器180可設置於光學定向元件130與分光元件140之間。在一些實施例中，可省略偏光器180，且一或多個偏光器(未繪示)被配置成在通過分光元件140將光L分光之後使光束L1、光束L2偏振。一或多個偏光器可設置於分光元件140與工件W1之間和/或分光元件140與工件W2之間，例如設置於分光器142與單向鏡(one-way mirror)151之間和/或全反射鏡144與單向鏡152之間。在一些實施例中，分光器142是偏振分光器，用於將非偏振光分成兩個偏振光。舉例而言，分光器142可透射p偏振光且反射s偏振光。
在一些實施例中，工件固持器160包括多個工件載物台161、162以用於承載多個工件W1、W2。工件W1、工件W2可以是基板，例如晶圓。因此，工件固持器160可包括基板固持器， 例如晶圓固持器，且工件載物台161、工件載物台162可以是基板載物台，例如晶圓載物台。
在一些實施例中，晶圓固持器160包括用於承載第一晶圓W1的第一晶圓載物台161、用於承載第二晶圓W2的第二晶圓載物台162以及用於連接第一晶圓載物台161和第二晶圓載物台162的連接元件165。在一些實施例中，第一晶圓載物台W1和第二晶圓載物台W2連接到連接元件165的相對末端，且固定在連接元件165上。本文中，晶圓載物台固定在連接元件上意為晶圓載物台與連接元件之間的相對位置關係固定。連接元件165可連接到晶圓載物台161和晶圓載物台162的側壁，但本公開不限於此。在一些實施例中，連接元件165連接到晶圓載物台161的背表面和晶圓載物台162的背表面。本文中，晶圓載物台的背表面是指與晶圓載物台的用於接收晶圓的前表面10(即，接收表面10)相對的表面。在一些實施例中，晶圓載物台161及晶圓載物台162關於連接元件165對稱設置，但本公開不限於此。在一些實施例中，晶圓載物台161及晶圓載物台162被配置成面對面，以使得晶圓W1的待檢測的前表面F1與晶圓W2的待檢測的前表面F1被配置成面對面。在一些實施例中，晶圓載物台161、晶圓載物台162設置於分光元件140的相對兩側。
在一些實施例中，晶圓固持器160是可操作的。舉例來說，晶圓固持器160能夠繞旋轉軸RA旋轉。旋轉軸RA可為沿著穿過連接元件165的中心的水平方向X的軸。旋轉軸RA沿著與 晶圓載物台161、162的接收表面10或晶圓載物台所承載的晶圓W1、W2的前表面F1平行的方向。在一些實施例中，晶圓固持器160可在順時針或逆時針方向上繞旋轉軸RA旋轉任何合理的角度(例如，0度到360度)。也就是說，晶圓固持器160的晶圓載物台161、晶圓載物台162能夠繞旋轉軸RA旋轉，以使得晶圓固持器160的晶圓載物台161、晶圓載物台162所承載的晶圓W1、晶圓W2隨著晶圓固持器160旋轉而旋轉。在一些實施例中，在晶圓檢測期間，晶圓固持器160停止旋轉且位於如圖1中所繪示的檢測位置處。在一些實施例中，晶圓載物台161與晶圓載物台162在檢測期間位於分光元件140的豎直方向上的相對兩側且與分光元件140在豎直方向Z上交疊。在一些實施例中，第一晶圓載物台161設置於分光元件140下方，且第二晶圓載物台162設置於分光元件140上方。晶圓固持器160可沿著水平方向(如方向X、方向Y)移動。
在替代性實施例中，晶圓固持器160可在水平方向(如方向X、方向Y)上移動但不可旋轉。舉例來說，晶圓固持器160配置成固定在如圖1中所繪示的檢測位置處且不可旋轉。
在本實施例中，當晶圓固持器160沿著水平方向(例如，方向X或方向Y)移動時，晶圓固持器160所承載的晶圓W1、晶圓W2隨著晶圓固持器160移動而沿著相同方向同時移動。
在一些實施例中，晶圓載物台161、晶圓載物台162分別是或包括靜電吸盤(electrostatic chuck，E-chuck)。靜電吸盤使用 電力以固定晶圓W1、晶圓W2。在其它實施例中，晶圓載物台161、晶圓載物台162分別包括夾盤，所述夾盤使用夾具來固定晶圓W1、晶圓W2。在替代性實施例中，晶圓載物台161、晶圓載物台162分別包括真空吸盤，所述真空吸盤通過吸盤中的真空孔口來產生真空壓力以將晶圓W1、晶圓W2固持在其上。也可使用以上吸盤的組合。然而，本公開不限於此。晶圓W1、晶圓W2可通過任何適當安裝力來被固持在晶圓載物台161、晶圓載物台162上。
圖7是說明由包括靜電吸盤的晶圓載物台WS所承載的晶圓W的橫截面示意圖。晶圓載物台WS可以是晶圓載物台161、晶圓載物台162中的一個，且晶圓W可以是晶圓W1、晶圓W2中的對應一個。
參看圖7，在一些實施例中，晶圓載物台WS的靜電吸盤包括嵌入的電極EC，電極EC靠近用於接收晶圓W的接收表面10，且接收表面10位於電極EC正上方並與電極EC交疊。電極EC可由如氧化物或陶瓷或類似物的介電材料覆蓋，以使電極EC與晶圓W分離。換句話說，接收表面10是介電材料的表面。在一些實施例中，電極EC電耦合到電源(未繪示)。由電源提供的電壓可施加到電極EC。在一些實施例中，電源可配置成將直流電(direct current；DC)或交流電(alternating current；AC)功率提供到電極EC。在一些其它實施例中，電源配置成將射頻(radio frequency；RF)功率提供到電極EC。在吸緊模式(chucking mode)中，電源接通，且高電壓由電源提供且施加到電極EC。隨後使電 極EC帶電以產生用以吸引晶圓W的靜電力，以使得晶圓W被晶圓載物台WS固定。在一些實施例中，晶圓W與介電材料的接收表面10接觸，但本公開不限於此。在替代性實施例中，支撐元件(未繪示)可設置於晶圓W與接收表面10之間，以使得晶圓W不與接收表面10直接接觸，且在晶圓W與晶圓載物台WS的接收表面10之間存在間隙。晶圓W具有前表面F1和背表面F2。在整個說明書中，晶圓的前表面F1是指待檢測的表面，且晶圓的背表面F2是指與前表面相對且面向晶圓載物台的接收表面的表面。也就是說，晶圓W的背表面F2可與晶圓載物台WS的接收表面10接觸或與接收表面10分離。在吸盤脫離模式(de-chucking mode)中，電源斷開，且消除靜電力，以使得可從晶圓載物台WS移除晶圓W。
返回參看圖1，在一些實施例中，分光元件140位於晶圓載物台161與晶圓載物台162之間。在一些實施例中，分光元件140與晶圓載物台161之間的距離和分光元件140與晶圓載物台162之間的距離相同或不同。
單向鏡151和單向鏡152分別設置於分光元件140與晶圓載物台161之間和分光元件140與晶圓載物台162之間。在一些實施例中，單向鏡被配置成透射從第一側入射的光，且反射從與第一側相對的第二側入射的光。
光學感測器171、光學感測器172配置成接收自晶圓W1、晶圓W2反射的光束，並產生晶圓W1、晶圓W2的檢測結果 (例如，圖像)。在一些實施例中，光學感測器171、光學感測器172可包括時間延遲和積分(time delay and integration；TDI)感測器，但本公開不限於此。還可使用其它合適的光學圖像捕獲元件。
圖6是使用本文中所描述的檢測設備的檢測方法600的流程圖。雖然將方法說明和/或描述為一系列動作(處理)或事件，但應瞭解，所述方法不限於所說明的次序或動作。因此，在一些實施例中，動作可與所說明的不同次序進行，和/或可同時進行。另外，在一些實施例中，所說明的動作或事件可細分成多個動作或事件，其可與其它動作或子動作在不同時間進行或同時進行。在一些實施例中，可省略一些所說明的動作或事件，且可包括其它未說明的動作或事件。
所述檢測方法可用於檢測任何種類的工件，例如基板。在一些實施例中，基板是半導體晶圓，且下文參考圖1和圖6示例性地描述晶圓檢測方法的實施例。
參考圖1和圖6，在一些實施例中，可在處理晶圓之前或之後將晶圓裝載到檢測設備。舉例來說，在晶圓經受沉積製程(如用以沉積介電層或聚合物層的CVD、PECVD)、微影和蝕刻製程、化學機械拋光(chemical mechanical polishing；CMP)製程和/或任何其它合適的半導體製造製程之後，將晶圓W1、晶圓W2裝載到檢測設備以待檢測，以便確定晶圓是否具有缺陷。在一些實施例中，晶圓固持器包括多個晶圓載物台，且可同時對多個晶圓載 物台所承載的多個晶圓進行檢測。
在一些實施例中，在動作610處，將多個晶圓裝載到晶圓固持器的晶圓載物台。舉例來說，將晶圓W1裝載到晶圓固持器160的晶圓載物台161，並將晶圓W2裝載到晶圓固持器160的晶圓載物台162。晶圓W1、晶圓W2可通過靜電力和/或機械力被晶圓載物台161、晶圓載物台162承載。在晶圓固持器160可旋轉的一些實施例中，在裝載位置處執行晶圓W1、晶圓W2中的每一個的裝載。裝載位置是指晶圓載物台161或晶圓載物台162的接收表面10面朝上的位置，例如圖1中所繪示的晶圓載物台161的位置。在一些實施例中，在裝載晶圓W1、晶圓W2之前，晶圓載物台162旋轉到裝載位置(即，圖1所示的晶圓載物台161所處的位置)，以使得晶圓載物台162的接收表面10面朝上。晶圓載物台162位於用於裝載的下部位置處，且晶圓載物台161位於晶圓載物台162上方的上部位置處(未繪示)。之後，將晶圓W2裝載到晶圓載物台162的接收表面10上，其中晶圓W2的前表面F1面朝上。在一些實施例中，使用機械臂(未繪示)將晶圓W2放置在晶圓載物台162上，並使晶圓W2的前表面F1面朝上。之後，在晶圓載物台162包括如圖7中所描述的靜電吸盤的一些實施例中，將靜電吸盤的電源接通，並對電極EC充電以產生用以吸引晶圓W2的靜電力，以使得晶圓W2被晶圓載物台162固定。
在晶圓W2被晶圓載物台162固持之後，機械臂移開。晶圓固持器160隨後沿著順時針或逆時針方向圍繞旋轉軸RA旋轉 180度。也就是說，晶圓固持器160上下翻轉，以使得晶圓載物台161旋轉到裝載位置，並使得晶圓載物台161的接收表面10面朝上以用於裝載晶圓，同時晶圓載物台162及其所承載的晶圓W2移動到圖1所示的上部位置且晶圓W2的前表面F1面朝下。在一些實施例中，當晶圓載物台162旋轉到上部位置時，由晶圓載物台162的靜電吸盤產生的靜電力足夠強以避免晶圓W2從晶圓載物台162脫離。
接著，通過與如上文所描述的晶圓W2的裝載方法類似的裝載方法將晶圓W1裝載到晶圓載物台161。通過機械臂(未繪示)將晶圓W1放置在晶圓載物台161上，並使晶圓W1的前表面F1面朝上。在晶圓載物台161包括靜電吸盤(圖7)的實施例中，靜電吸盤的電源接通，且對電極EC充電以產生用以吸引晶圓W1的靜電力，以使得晶圓W1被晶圓載物台161固定。
在晶圓W1、晶圓W2被晶圓載物台161、晶圓載物台162固定之後，晶圓固持器160可旋轉到檢測位置，且之後停止旋轉以用於晶圓檢測。檢測位置是指晶圓固持器160在檢測期間的位置。在一些實施例中，在檢測期間，晶圓載物台161、晶圓載物台162位於分光元件140的豎直方向上的相對兩側，如圖1中所繪示。
在一些晶圓固持器160不可旋轉的實施例中，晶圓載物台161、晶圓載物台162經過設計且配置成處於檢測位置。晶圓W1、晶圓W2分別裝載到位於圖1所示位置處的晶圓載物台161、晶圓載物台162。在一些實施例中，第一晶圓載物台161處於下部 位置且第二晶圓載物台162處於上部位置。晶圓載物台161、晶圓載物台162的接收表面10呈面對面配置。晶圓載物台161的接收表面10面朝上，而晶圓載物台162的接收表面10面朝下。舉例來說，通過機械臂將晶圓W1放置在晶圓載物台161上，其中晶圓W1的前表面F1面朝上，且晶圓W1隨後通過靜電力和/或機械力被晶圓載物台161固定。通過機械臂將晶圓W2移動到處於上部位置的晶圓載物台162，並使得第二晶圓W2的前表面F1面朝下。在一些實施例中，晶圓載物台162包括用以通過靜電力吸附和固定晶圓W2的靜電吸盤。在一些其它實施例中，晶圓載物台162包括夾具和靜電吸盤兩者。夾具提供初始力以通過機械力固持晶圓W2，隨後靜電吸盤通過靜電力吸附晶圓W2，以便穩固地固持晶圓W2。在一些實施例中，靜電力足夠強以防止晶圓W2從晶圓載物台162脫離。在晶圓W1、晶圓W2被晶圓載物台161、晶圓載物台162固持之後，機械臂移開。在一些實施例中，使用一個機械臂將晶圓W1、晶圓W2依序裝載到晶圓載物台161、晶圓載物台162。在替代性實施例中，使用兩個機械臂同時裝載第一晶圓W1和第二晶圓W2。
在一些實施例中，如圖6的動作620所示，在將晶圓裝載到晶圓載物台之後，執行對準。在一些實施例中，檢測方法採用晶圓坐標系來確定和記錄晶圓的點(如缺陷)的位置。坐標系包括x座標和y座標，且所述點的座標可表示為(x值，y值)。在一些實施例中，執行對準以確定晶圓的參考點，該參考點作為 晶圓坐標系的原點，並可確定晶圓上的所有點相對於原點的座標。在一些實施例中，在晶圓W1、晶圓W2被晶圓載物台161、晶圓載物台162固定就位之後，將光束(例如，從光學模組OM1發射的光束L1、光束L2)分別照射到晶圓W1、晶圓W2。可選擇與光束L1、光束L2對準的點作為晶圓W1、晶圓W2的晶圓坐標系的原點。在一些實施例中，將對準標記設置於晶圓W1、晶圓W2的每一者的原點處。以上對準方法是一種用於確定晶圓坐標系的原點的合適的製程，且還可使用本領域中的任何其它合適的對準方法。
在動作630處，同時檢測多個晶圓，如晶圓W1和晶圓W2。在一些實施例中，動作630包括動作631(從光源發射光)、動作632(將光分成多個光束)以及動作633(接收晶圓所反射的光束)。這些動作631、動作632、動作633中的每一個詳細描述如下。
在動作631處，從光源發射光。在一些實施例中，通過光源110發射光L，如雷射光束。在一些實施例中，光源110所發射的光L進入光學放大器120，並由光學放大器120放大。光學放大器120控制光L的光學強度且將光L的光學強度增大到任何所需強度。
在動作632處，將光L分成多個光束，並將多個光束引導至晶圓W1、晶圓W2以用於多晶圓檢測。在一些實施例中，在通過光學放大器120放大光L之後，通過光學定向元件130將光 L引導至分光元件140。在一些實施例中，光L進入光學定向元件130，且依序被反射鏡131、反射鏡132、反射鏡133反射，然後被引導至指向分光元件140。
之後，通過分光元件140將光L分成沿著不同光路徑行進的第一光束L1和第二光束L2，以分別用於檢測晶圓W1、晶圓W2。在一些實施例中，光L進入分光器142且被分光器142分成第一光束L1和第二光束L2。在一些實施例中，光L的一部分(例如，一半)被分光器142反射，作為指向晶圓W1的第一光束L1。光L的另一部分(例如，一半)透射穿過分光器142作為第二光束L2。第二光束L2隨後被全反射鏡144反射並指向晶圓W2。在一些實施例中，從分光元件140射出的第一光束L1和第二光束L2沿著豎直方向Z在相反方向上射出。在一些實施例中，第一光束L1向下行進到晶圓W1，且第二光束L2向上行進到晶圓W2。
在一些實施例中，從分光元件140發出的第一光束L1穿過單向鏡151並照射在晶圓W1的前表面F1上。從分光元件140發出的第二光束L2穿過單向鏡152並照射在晶圓W2的前表面F1上。在一些實施例中，光束L1、光束L2以實質上垂直的入射角射向晶圓W1、晶圓W2。
在第一光束L1和第二光束L2照射在晶圓W1、晶圓W2的前表面F1上的情況下，晶圓固持器160在水平方向(如方向X、方向Y)上移動。同時，分光元件140是固定的。如此，晶圓固持器160所承載的晶圓W1和晶圓W2隨著晶圓固持器160移動而 同時沿著相同水平方向移動，以使得晶圓W1的整個前表面F1和晶圓W2的整個前表面F1可分別被第一光束L1和第二光束L2掃描。在一些實施例中，照射在晶圓W1和晶圓W2上的第一光束L1和第二光束L2可具有相同強度，且第一光束L1和第二光束L2各自的強度可以是光L被光學放大器120放大之後的強度的一半。
在一些實施例中，取決於待檢測的缺陷類型，可使用偏振光或非偏振光來掃描晶圓，也就是說，射向晶圓W1和晶圓W2的第一光束L1和第二光束L2可分別是偏振(例如，s偏振或p偏振)光或非偏振光。在一些在分光元件140之前設置偏光器180的實施例中，在通過分光元件140將光L分光之前使光源110所發射的光L偏振，且光L可偏振為p偏振光或s偏振光。所述偏振光L被分光元件140分成偏振光束L1和偏振光束L2。在此類實施例中，第一光束L1和第二光束L2具有相同偏振。在一些其它實施例中，可在將光分成第一光束和第二光束之後使光束偏振。在一些省略偏光器180並且將一或多個偏光器設置於分光元件140與單向鏡151之間和/或分光元件140與單向鏡152之間的實施例中，首先將光L分成第一光束L1和第二光束L2，且隨後，可在光束透射穿過單向鏡151和/或單向鏡152之前使第一光束L1和/或第二光束L2偏振。在此類實施例中，照射在晶圓W1和晶圓W2上的第一光束L1和第二光束L2中的至少一個偏振，且第一光束L1和第二光束L2的偏振可相同或不同。在一些分光元件140 是偏振分光元件的實施例中，光L被分成具有不同偏振的兩個偏振光L1和L2。在一些實施例中，第一光束L1是p偏振光，且第二光束L2是s偏振光。在一些實施例中，省略偏光器，且通過分光元件140將非偏振光L分成兩個非偏振光束L1和L2。
在動作633處，晶圓W1、晶圓W2反射的光束L1、光束L2被光學感測器171、光學感測器172接收，以產生晶圓W1、晶圓W2的檢測結果。在一些實施例中，照射在晶圓W1和晶圓W2上的第一光束L1和第二光束L2分別被晶圓W1的前表面F1和晶圓W2的前表面F1反射。晶圓W1反射的第一光束L1隨後被單向鏡151反射並指向光學感測器171。晶圓W2反射的第二光束L2隨後被單向鏡152反射並指向光學感測器172。
光學感測器171接收自晶圓W1反射的第一光束L1，並產生晶圓W1的檢測結果。光學感測器172接收自晶圓W2反射的第二光束L2，並產生晶圓W2的檢測結果。
在動作640處，保存晶圓的檢測結果以用於進一步分析。在一些實施例中，檢測結果可被傳輸到存儲媒介(如計算系統)並由存儲媒體存儲。在一些實施例中，檢測結果是晶圓W1的前表面F1和晶圓W2的前表面F1的圖像。在一些實施例中，執行鄰近晶粒比較方法(neighbor-die comparison method)以確定晶圓W1、晶圓W2是否具有缺陷。以晶圓W1為例，光學感測器171所捕獲的晶圓W1的圖像包括晶圓W1的晶粒區中的多個晶粒的圖像。使用光學測試方法來比較一個晶粒(即，中心晶粒)的圖像 與緊鄰該中心晶粒的鄰近晶粒的圖像。所述方法隨後移動到下一晶粒並比較下一晶粒的圖像與其鄰近晶粒的圖像。重複以上比較直至已比較晶圓W1中的所有晶粒為止。在比較期間，如果發現任何差異(其可以是缺陷)，那麼記下差異並標記具有所述差異的晶粒。在一些實施例中，記錄所述差異在晶圓坐標系中的座標。所述差異的座標是指所述差異相對於在動作620處確定的晶圓坐標系的原點的位置。之後，執行缺陷檢視過程。在一些實施例中，通過掃描電子顯微鏡(scanning electron microscope；SEM)再次檢測晶圓W1以得到晶圓W1的更清晰圖像，從而再次檢查差異並確定晶圓W1是否具有缺陷。在一些實施例中，可使用另一合適的比較方法。在一些實施例中，將晶圓W1和晶圓W2的圖像與參考圖像進行比較，以確定晶圓W1和晶圓W2是否具有缺陷。在一些實施例中，參考圖像可以是具有或不具有缺陷的晶圓的圖像。
在動作650處，從晶圓載物台161和晶圓載物台162卸載晶圓W1和晶圓W2。在一些實施例中，靜電吸盤的電源斷開，且通過機械臂從晶圓載物台161、晶圓載物台162卸載晶圓W1、晶圓W2，以用於進一步處理。如果確定晶圓具有缺陷，那麼可在執行進一步半導體製造製程之前執行適當製程以消除缺陷。
圖2A是根據本公開的各種實施例的檢測設備200的示意圖。圖2B是根據本公開的各種實施例的檢測設備200的晶圓載物台和光學元件的配置的示意圖。圖2B是圖2A的右側視圖，且為了簡潔起見在圖2B中省略一些組件。圖2C是根據本公開的各種 實施例的檢測設備200的分光元件的透視圖。缺陷檢測設備200的配置類似於圖1中繪示的缺陷檢測設備100，差異在於檢測設備200可同時檢測四個晶圓。為易於理解，相似元件使用相同或類似的參考標號且其細節在本文中不再重複。
參考圖2A和圖2B，在一些實施例中，檢測設備200包括光學模組OM2、用於承載晶圓W1和晶圓W2的晶圓固持器160、用於承載晶圓W3和晶圓W4的晶圓固持器260、單向鏡151、單向鏡152、單向鏡251以及單向鏡252(單向鏡251和單向鏡252未繪示於圖2A中)，光學感測器171和光學感測器172和其它兩個光學感測器(未繪示於圖中)。光學模組OM2可發射四個光束以用於同時檢測晶圓W1至晶圓W4。在一些實施例中，光學模組OM2包括光源110、光學放大器120、光學定向元件130以及分光元件240。
在一些實施例中，晶圓固持器260具有與晶圓固持器160類似的結構。在一些實施例中，晶圓固持器260包括通過連接元件265彼此連接的晶圓載物台261和晶圓載物台262。晶圓載物台261、晶圓載物台262以及連接元件265的結構關係類似於晶圓支撐件160的結構關係，此處不再贅述。應注意，出於簡潔起見，晶圓固持器160和晶圓固持器260的連接元件161和連接元件265未繪示於圖2B中。應理解，在圖2B中，晶圓載物台161和晶圓載物台162通過連接元件165彼此連接，且晶圓載物台261和晶圓載物台262通過連接元件265彼此連接。
在一些實施例中，類似於晶圓固持器160，晶圓固持器260也可圍繞旋轉軸RA旋轉任何合理的角度，且晶圓固持器260所承載的晶圓可隨著晶圓固持器260旋轉而圍繞旋轉軸RA旋轉。在替代性實施例中，晶圓固持器160和晶圓固持器260不可旋轉。在一些實施例中，晶圓固持器160可在水平方向X和水平方向Y上移動，而晶圓固持器260可在豎直方向Z和水平方向X上移動，以使得晶圓固持器160和晶圓固持器260所承載的晶圓可隨著晶圓固持器移動而沿著對應方向移動。在一些實施例中，晶圓固持器160和晶圓固持器260彼此分離且可在晶圓檢測期間沿著相同或不同方向單獨地移動。在一些實施例中，晶圓固持器160和晶圓固持器260的檢測位置如圖2A和圖2B中所示，晶圓固持器160的晶圓載物台161和晶圓載物台162配置於分光元件240的豎直方向上的相對兩側，且晶圓固持器260的晶圓載物台261和晶圓載物台262配置於分光元件240的橫向方向上的相對兩側。
在一些實施例中，光學模組OM2的分光元件240可將來自光源110的光分成四個光束L1-L4，以用於檢測晶圓固持器160和晶圓固持器260所承載的四個晶圓W1-W4。在一些實施例中，如圖2A和圖2C中所示，分光元件240包括第一分光器242、第二分光器244、第三分光器246以及全反射鏡248。
在一些實施例中，除光學放大器120以外，光學模組OM2在通過分光器分光之前和/或之後更包括多個光學放大器(未繪示)，以便控制照射在晶圓上的光束的強度。在一些實施例中，如 圖2A和圖2B中所示，光學放大器281-284配置成分別放大光束L1-L4。詳細地說，第一光學放大器281設置於分光元件240的第一分光器242與單向鏡151之間；第二光學放大器282設置於分光元件240的第二分光器244與單向鏡152之間；第三光學放大器283設置於分光元件240的第三分光器246與單向鏡251之間；且第四光學放大器284設置於分光元件240的全反射鏡248與單向鏡252之間。在另一些實施例中，光學放大器設置於第一分光器242與第二分光器244之間，第二分光器244與第三分光器246之間，和/或第三分光器246與全反射鏡248之間。在替代性實施例中，在具有上述光學放大器的情況下，可省略光學放大器120。
當光被分光器242、分光器244以及分光器246分光時，光的強度將在分光之後下降。使用設置於光學路徑上的光學放大器，可將光束L1至L4的強度調整和控制在合適的範圍內，以用於檢測晶圓W1至W4。在一些實施例中，可將光束L1至L4控制為具有實質上相同的強度以照射到晶圓上。
在一些實施例中，檢測設備200的光學模組OM2不含任何偏光器。在替代性實施例中，光學模組OM2可包括用於使光束L1至L4中的一或多個偏振的一或多個偏光器，且一或多個偏光器可設置於分光元件240與單向鏡151、分光元件240與單向鏡152、分光元件240與單向鏡251和/或分光元件240與單向鏡252之間，或設置於光學定向元件130與分光元件240之間。
下文參考圖2A到圖2C以及圖6描述使用檢測設備200 的檢測方法。
在動作610和動作620處，分別將晶圓W1和晶圓W2裝載到晶圓固持器160的晶圓載物台161和晶圓載物台162，將晶圓W3和晶圓W4裝載到晶圓固持器260的晶圓載物台261和晶圓載物台262，並執行對準製程以確定這些晶圓的晶圓坐標系的原點。裝載方法和對準方法類似於參考圖1所描述的裝載方法和對準方法。在晶圓固持器160和晶圓固持器260可旋轉的一些實施例中，可在裝載位置處(其中晶圓載物台的接收表面朝上)將每一晶圓裝載到對應的晶圓載物台。在一些實施例中，在裝載晶圓之前，將晶圓載物台161、晶圓載物台162、晶圓載物台261、晶圓載物台262中的一個旋轉到裝載位置以用於裝載晶圓W1-W4中的對應一個，隨後，已承載晶圓的晶圓載物台旋轉到另一位置，並將這些晶圓載物台中的另一個旋轉到裝載位置以用於裝載這些晶圓中的對應的另一個。本文中，裝載位置是指其中晶圓載物台的接收表面面向上的位置，如圖2A中所示的晶圓載物台161所處的位置。之後，重複旋轉和晶圓裝載，直至分別將四個晶圓W1、W2、W3、W4裝載到四個晶圓載物台161、162、261、262為止。如上文所描述，晶圓W1-W4可通過靜電力和/或機械力被晶圓載物台固定。
在一些實施例中，在晶圓W1-W4已裝載到晶圓載物台161、162、261、262就位之後，晶圓固持器160和晶圓固持器260旋轉到檢測位置以用於晶圓檢測。在一些實施例中，晶圓固持器 160的晶圓載物台旋轉至在豎直方向Z上與分光元件240交疊，以使得晶圓載物台161和晶圓載物台162所承載的晶圓W1和晶圓W2在豎直方向上位於分光元件240的相對兩側。晶圓固持器260的晶圓載物台旋轉至在水平方向Y上與分光元件240交疊，以使得晶圓載物台261和晶圓載物台262所承載的晶圓W3和晶圓W4在橫向方向上位於分光元件240的相對兩側。在一些實施例中，晶圓W1與分光元件240之間的豎直距離與晶圓W2與分光元件240之間的豎直距離實質上相同或不同，且晶圓W3與分光元件240之間的橫向距離與晶圓W4與分光元件240之間的橫向距離實質上相同或不同。隨後，晶圓固持器160和晶圓固持器260可停止旋轉且保持在檢測位置處以用於晶圓檢測。
在晶圓固持器160和晶圓固持器260不可旋轉的一些實施例中，晶圓固持器160和晶圓固持器260配置成處於檢測位置，且晶圓W1-W4分別裝載到圖2A和圖2B中所繪示的位置處的晶圓載物台161、162、261、262。
接著，在動作630處，執行多晶圓檢測。在一些實施例中，在動作631處，通過光源110發射光L。可視情況通過放大器120放大光L。其後，通過光學定向元件130將光L引導到分光元件240。
在動作632處，將光成多個光束，且將多個光束分別引導至晶圓固持器所承載的晶圓。在一些實施例中，如圖2A到圖2C所示，通過分光元件240將光L分成第一光束L1、第二光束 L2、第三光束L3以及第四光束L4以分別用於檢測晶圓W1-W4。
在一些實施例中，如圖2A和圖2C所繪示，光L首先進入第一分光器242，且被第一分光器242分成兩束光L1和L2'。光L的第一部分被第一分光器242反射且成為第一光束L1指向晶圓W1。光L的第二部分(即，光L2')穿過第一分光器242並進入第二分光器244。
光L2'隨後被第二分光器244分成兩束光L2和L3'。光L2'的第一部分被第二分光器244反射且作為第二光束L2指向晶圓W2。光L2'的第二部分(即，光L3')穿過第二分光器244並進入第三分光器246。
光L3'隨後被第三分光器246分成兩束光L3和L4。光L3'的第一部分被第三分光器246反射並成為第三光束L3指向晶圓W3。光L3'的第二部分(即，光L4)穿過第三分光器246並隨後被全反射鏡248反射，作為第四光束L4指向第四晶圓W4。
在一些實施例中，如圖2B中所繪示，在將光L分成光束L1-L4之後，光束L1-L4可分別通過光學放大器281-284放大，以便具有合適的強度以用於檢測晶圓。在一些實施例中，光束L1-L4在被放大之後具有實質上相同的強度。之後，光束L1-L4分別穿過單向鏡151、單向鏡152、單向鏡251、單向鏡252並照射在晶圓W1-W4的前表面F1上。取決於待檢測的缺陷，光束L1-L4可分別是偏振或非偏振的。當需要偏振光束時，光束可在穿過單向鏡之前通過偏光器偏振。
參考圖2A和圖2B，在檢測期間，在光束L1-L4照射在晶圓W1-W4的前表面F1上的情況下，晶圓固持器160沿著水平方向X和/或水平方向Y移動，以使得承載晶圓W1和晶圓W2的晶圓載物台161和晶圓載物台162同時沿著水平方向X和/或水平方向Y移動；晶圓固持器260沿著水平方向X和/或豎直方向Z移動，以使得承載晶圓W3和晶圓W4的晶圓載物台261和晶圓載物台262同時沿著水平方向X和/或豎直方向Z移動，從而使得可掃描到晶圓W1-W4中的每一者的整個前表面F1。在一些實施例中，晶圓固持器160和晶圓固持器260同時沿著相同方向或不同方向移動，以使得同時檢測晶圓W1-W4。
在動作633處，由光學感測器接收從晶圓反射的光束並產生晶圓的檢測結果。在一些實施例中，第一光束L1被晶圓W1反射，且被晶圓W1反射的第一光束L1隨後被單向鏡151反射並被光學感測器171接收。第二光束L2被晶圓W2反射，且被晶圓W2反射的第二光束L2隨後被單向鏡152反射並被光學感測器172接收。第三光束L3被晶圓W3反射，且被第三晶圓W3反射的第三光束L3隨後被單向鏡251反射並被光學感測器(未繪示)接收。第四光束L4被晶圓W4反射，且被晶圓W4反射的第四光束L4隨後被單向鏡252反射並被光學感測器(未繪示)接收。應注意，用於接收光束L3和光束L4的光學感測器以及光束L3和光束L4從晶圓W3和晶圓W4到單向鏡251、單向鏡252的反射以及光束L3和光束L4從單向鏡251、單向鏡252到光學感測器的反射類似 於針對光束L1和光束L2以及光學感測器171/光學感測器172所描述的那樣，且在圖中未具體示出。
在接收晶圓W1-W4所反射的光束L1-L4之後，光學感測器分別產生晶圓W1-W4的檢測結果。在動作640處，保存晶圓的檢測結果(如圖像)以用於進一步分析。晶圓的缺陷確定方法類似於參考圖1所描述的缺陷確定方法，於此不再贅述。其後，在動作650處，將晶圓W1-W4從晶圓載物台卸載。
圖3是根據本公開的一些實施例的檢測設備300的示意圖。缺陷檢測設備300的配置與圖1所示的缺陷檢測設備100類似，差異在於檢測設備300中包括多層晶圓固持器。為易於理解，相似元件使用相同或類似的參考標號，且其細節在本文中不再重複。
參考圖3，在一些實施例中，檢測設備300包括光學模組OM3、用於承載多個晶圓的包括多個晶圓固持器(例如，晶圓固持器160和晶圓固持器360)的晶圓固持器組(wafer holder set)、單向鏡151、單向鏡152、單向鏡351、單向鏡352以及光學感測器171、光學感測器172、光學感測器371、光學感測器372。在一些實施例中，檢測設備300包括至少兩個晶圓固持器。多個晶圓固持器可沿豎直方向Z佈置並在豎直方向Z上彼此交疊。在一些實施例中，檢測設備300包括晶圓固持器160和位於晶圓固持器160下方的晶圓固持器360。晶圓固持器360包括與晶圓固持器160實質上相同的結構。在一些實施例中，晶圓固持器360包括通 過連接元件365彼此連接的用於承載晶圓W3的晶圓載物台361和用於承載晶圓W4的晶圓載物台362。類似於晶圓固持器160，晶圓固持器360也可旋轉或不可旋轉，且可沿著水平方向(如方向X和方向Y)移動。儘管圖3示出兩個晶圓固持器160和360，但本公開不限於此。檢測設備300可包括超過兩個晶圓固持器，如省略號所表示。
光學模組OM3可包括光源110、光學放大器120、光學定向分光單元330以及多個分光元件140、340。
光學定向分光單元330被配置成將來自光源110的光L分成多個光且將所述多個光引導到多個分光元件140、340。在一些實施例中，光學定向分光單元330包括反射鏡131、反射鏡132、一或多個分光器(如分光器333)以及光學元件334。當晶圓固持器360是晶圓固持器組中的沿光學定向分光單元330的路徑離光源最遠的最後一個晶圓固持器時(例如，當晶圓固持器360是最底部晶圓固持器時)，光學元件334可以是全反射鏡。在具有更多晶圓固持器設置在晶圓固持器360下方的一些實施例中，光學元件334是分光器，且全反射鏡設置於對應最底部晶圓固持器的位置處。
分光元件140、分光元件340設置於對應的晶圓固持器160、260的晶圓載物台之間，且配置成將來自光學定向分光單元330的光分成多個光束以用於檢測對應的晶圓。每一分光元件和對應晶圓固持器的配置類似於參考圖1所述的分光元件140和晶圓 固持器160的配置。
使用檢測設備300的檢測方法類似於使用檢測設備100的檢測方法。在動作610處，將晶圓W1-W4分別裝載到晶圓固持器160、360的晶圓載物台161、162、361、362。在一些實施例中，晶圓W1-W4分別通過靜電力和/或機械力被晶圓載物台161、162、361、362承載。在動作620處，執行對準以確定晶圓W1-W4的晶圓坐標系的原點。其後，在動作630處，執行多晶圓檢測。
在一些實施例中，在動作631處，通過光源110發射光L。光L可在進入光學定向分光單元330之前被光學放大器120放大。在動作632處，將光L分成指向晶圓W1-W4的多個光束L1-L4。在一些實施例中，光L進入光學定向分光單元330，光L依序被反射器131和反射器132反射，並接著被分光器333分成兩個部分L'和L"。光L的第一部分L'被分光器333反射並指向分光元件140。光L的第二部分L"透射穿過分光器333且可被光學元件334部分或完全地反射且射向分光元件340。在晶圓固持器360是最底部晶圓固持器且光學元件334是全反射鏡的一些實施例中，光L的第二部分L"實質上被全反射鏡334完全反射並射向分光元件340。在具有其它晶圓固持器設置於晶圓固持器360下方且光學元件334是分光器的一些實施例中，光L的第二部分L"被分光器334進一步分成兩個部分。在一些實施例中，光L的第二部分L"的一半被分光器334反射並射向分光元件340，而光L的第二部分L"的另一半透射穿過分光器334以用於檢測下一層中的 晶圓固持器所承載的晶圓。在一些實施例中，在將光L分成兩個部分L'和L"之後和在光L的第一部分L'和第二部分L"進入分光元件140和分光元件340之前，光L的第一部分L'和第二部分L"可被光學放大器(未繪示)放大，以調整引導至晶圓的光束L1-L4的強度。所述光學放大器可設置於光學定向分光元件330與分光元件140之間以及定向分光元件330與分光元件340之間的。
光L的第一部分L'隨後被分光元件140分成第一光束L1和第二光束L2以用於檢測晶圓固持器160所承載的晶圓W1和晶圓W2。光L的第二部分L'，隨後被分光元件340分成第三光束L3和第四光束L4以用於檢測晶圓固持器360所承載的晶圓W3和晶圓W4。在一些實施例中，光束L1-L4的強度的調整可在第一部分L'和第二部分L"被分光元件140、340分光之後執行。在一些實施例中，光束L1-L4可在穿過單向鏡之前通過放大器(未繪示)放大到所需強度。所述放大器可設置於分光元件140與對應單向鏡151、152之間及分光元件340與對應單向鏡351、352之間。光束L1-L4可分別是非偏振或偏振的。在一些實施例中，光束L1-L4中的至少一者通過設置於分光元件與對應單向鏡之間的偏光器(未繪示)偏振。
之後，光束L1-L4分別透射穿過對應單向鏡151、152、351、352且分別照射在晶圓W1-W4上。
在晶圓檢測期間，在光束L1-L4照射在晶圓W1-W4上的情況下，晶圓固持器160和晶圓固持器360可沿著水平方向X/Y 同時移動，以使得晶圓固持器160和晶圓固持器360的晶圓載物台所承載的晶圓W1-W4同時沿著水平方向X/Y移動，且光束L1-L4可分別掃描晶圓W1-W4的整個前表面F1。
在動作633處，光束L1-L4被晶圓W1-W4反射，且被晶圓W1-W4反射的光束隨後分別被單向鏡151、152、351、352反射並被光學感測器171、172、371、372接收。之後，在接收晶圓W1-W4反射的光束L1-L4後，光學感測器171、172、371、372產生晶圓W1-W4的檢測結果，例如晶圓W1-W4的圖像。在動作640處，保存檢測結果。在動作650處，從晶圓固持器160和晶圓固持器360卸載晶圓W1-W4。
圖4是根據一些實施例的檢測設備400的示意圖。檢測設備400的配置與圖1所示的檢測設備100類似，差異在於檢測設備400的光學定向元件是光纖480而非反射鏡單元。光纖480被配置成將光L引導至分光元件140。在替代性實施例中，光學定向元件可包括反射鏡與光纖的組合。
在一些實施例中，光源110所發射的光L在通過光學放大器120放大之後，通過光纖480被引導至分光元件140。光纖480在傳輸光L方面更加靈活。並且，通過使用光纖480，光學定向元件的尺寸可減小。檢測設備400的其它結構和使用檢測設備400的檢測方法類似於參考圖1所描述的結構和方法，於此不再贅述。
在前述實施例中，光源110設置於晶圓固持器上方，且 需要光學定向元件來調整從光源110發出的光的光路徑。然而，本公開不限於此。
圖5是根據本公開的至少一個實施例的檢測設備500的示意圖。檢測設備500的配置與圖1所示的缺陷檢測設備類似，差異在於檢測設備500的光源110設置在晶圓固持器160側邊且分光元件140被集成光學元件520替代。集成光學元件520被配置成將來自光源110的光分成多個光束以用於檢測多個晶圓。
在一些實施例中，光源110橫向地設置在集成光學元件520側邊，且從光源110發射的光L直接指向集成光學元件520。如此，可省略用於引導光L的定向元件。當光L進入集成光學元件520時，光L被集成光學元件520分成多個光束以分別用於檢測晶圓固持器160所承載的晶圓。
在一些實施例中，集成光學元件520可為或包括光學耦合器、陣列式波導光柵(arrayed waveguide grating；AWG)、其組合或類似物。在一些實施例中，集成光學元件520包括多個光學元件，所述多個光學元件組合以實現一些複雜功能。舉例來說，此類光學元件可以是光學濾波器、調製器、放大器、分光器或類似物。舉例來說，這些光學元件可製造於一些結晶材料(例如，矽、二氧化矽或LiNbO3)的表面上且與波導連接。
在一些實施例中，集成光學元件520包括陣列式波導光柵AG。在圖8中示出根據至少一個實施例的陣列式波導光柵AG的結構。在一些實施例中，陣列式波導光柵AG包括輸入光纖F、 自由空間傳播區S1和自由空間傳播區S2、波導陣列(包括多個通道波導W1、W2、W3...Wn)以及多個輸出光纖F1、F2...Fn。輸入光纖F被配置成輸入入射光。自由空間傳播區S1耦合到光纖F的末端且可包括輸入腔、耦合器部分或平板波導。通道波導W1、W2、W3...Wn連接到自由空間傳播區S1的末端。這些通道波導具有不同長度且並排設置。自由空間傳播區S2連接到通道波導W1、W2、W3...Wn的末端，且可包括輸出腔、耦合器部分或平板波導。輸出光纖F1、F2...Fn連接到自由空間傳播區S2的末端且被配置成輸出從入射光分出的多個光束。在一些實施例中，使用光纖F將入射光(例如，光L)饋送到自由空間傳播區S1中。光L可以是具有各種波長的波長複用光(wavelength multiplexed light)。光L穿過自由傳播區S1並進入通道波導W1、W2、W3...Wn。與波長成正比的相位延遲引入到從不同長度的不同通道波導傳遞的光訊號。使這些相位延遲的訊號從自由傳播區S2通過。光訊號在穿過不同長度的通道波導之後彼此干涉且在輸出光纖F1、F2...Fn處重新聚焦。結果，輸出光纖F1、F2...Fn中的每一者被饋入具有最大振幅(amplitude)的唯一波長的光。在一些實施例中，從光纖F1、F2...Fn輸出多束光L1、L2...Ln。換句話說，具有至少兩個波長的入射光通過陣列式波導光柵AG被分成至少兩束光，且所述至少兩束光中的每一者具有單一波長。應注意，在本公開中不限制通道波導的數目、輸出光纖的數目以及從光纖輸出的光束的數目。
返回參看圖5，集成光學元件520可將來自光源110的光 L分成至少兩個光束，例如光束L1和光束L2，以用於檢測晶圓W1和晶圓W2。集成光學元件520可進一步放大光L，以控制引導到晶圓固持器160所承載的晶圓的光束的強度。檢測設備500的其它結構和使用檢測設備500的檢測方法類似於參考圖1所描述的結構和方法，於此不再贅述。
在本公開的實施例中，檢測設備包括一或多個晶圓固持器，所述一或多個晶圓固持器包括用於承載多個晶圓的多個晶圓載物台，且檢測設備的光學模組被配置成發射多個光束以用於同時檢測多個晶圓，以實施多晶圓檢測。如此，提高了晶圓檢測效率，且由此提高產率。
根據本公開的一些實施例，晶圓檢測設備包括光源、第一分光元件、第一晶圓固持器、第一光學感測器以及第二光學感測器。光源被配置成發射光。第一分光元件被配置成將來自光源的光分成第一光束和第二光束。第一晶圓固持器包括用於承載第一晶圓的第一晶圓載物台和用於承載第二晶圓的第二晶圓載物台。第一晶圓被配置成反射第一光束，且第二晶圓被配置成反射第二光束。第一光學感測器被配置成接收第一晶圓載物台所承載的第一晶圓反射的第一光束。第二光學感測器被配置成接收第二晶圓載物台所承載的第二晶圓反射的第二光束。
在上述晶圓檢測設備中，所述第一晶圓載物台包括第一靜電吸盤且所述第二晶圓載物台包括第二靜電吸盤，且所述第一晶圓和所述第二晶圓分別通過靜電力被所述第一靜電吸盤和所述 第二靜電吸盤承載。
在上述晶圓檢測設備中，所述第一晶圓固持器更包括連接元件，且所述第一晶圓載物台和所述第二晶圓載物台通過所述連接元件彼此連接。
在上述晶圓檢測設備中，所述第一晶圓固持器可繞沿著與所述第一晶圓載物台和所述第二晶圓載物台的接收表面平行的方向的旋轉軸旋轉。
在上述晶圓檢測設備中，更包括光學定向元件，其中所述光學定向元件被配置成將從所述光源發射的所述光引導至所述第一分光元件。
在上述晶圓檢測設備中，所述光學定向元件包括從反射器單元和光纖所組成的群組中選出的至少一個。
在上述晶圓檢測設備中，更包括光學放大器，所述光學放大器被配置成控制所述第一光束和所述第二光束的強度。
在上述晶圓檢測設備中，更包括第二晶圓固持器，其中所述第二晶圓固持器包括用於承載第三晶圓的第三晶圓載物台和用於承載第四晶圓的第四晶圓載物台，且所述第一分光元件還被配置成將所述光分成引導至所述第三晶圓的第三光束和引導至所述第四晶圓的第四光束。
在上述晶圓檢測設備中，更包括：光學定向分光單元，被配置成將從所述光源發射的所述光分成第一部分和第二部分並將所述第一部分引導至所述第一分光元件且將所述第二部分引導 至第二分光元件，其中所述第一部分被所述第一分光元件分成所述第一光束和所述第二光束，且所述第二部分被所述第二分光元件分成第三光束和第四光束；以及第二晶圓固持器，包括用於承載第三晶圓的第三晶圓載物台和用於承載第四晶圓的第四晶圓載物台，其中所述第三晶圓被配置成反射所述第三光束，且所述第四晶圓被配置成反射所述第四光束；第三光學感測器，被配置成接收所述第三晶圓反射的所述第三光束；以及第四光學感測器，被配置成接收所述第四晶圓反射的所述第四光束。
根據本公開的一些實施例，晶圓檢測設備包括光學模組、用於承載多個晶圓的至少一個晶圓固持器以及多個光學感測器。光學模組被配置成發射多個光束以用於同時掃描至少一個晶圓固持器所承載的多個晶圓。多個光學感測器配置成接收多個晶圓反射的光束。
在上述晶圓檢測設備中，所述至少一個晶圓固持器中的每一個包括通過連接元件彼此連接的兩個晶圓載物台。
在上述晶圓檢測設備中，所述兩個晶圓載物台被配置成可同時移動。
在上述晶圓檢測設備中，所述兩個晶圓載物台的用於接收晶圓的接收表面被配置成面對面。
在上述晶圓檢測設備中，所述光學模組包括：光源，被配置成發射光；分光元件，被配置成將所述光分成指向所述至少一個晶圓固持器所承載的所述多個晶圓的所述多個光束，以及至 少一個放大器，被配置成控制所述多個光束的強度。
在上述晶圓檢測設備中，所述光學模組更包括光學定向元件，所述光學定向元件被配置成將從所述光源發射的所述光引導至所述分光元件。
根據本公開的一些實施例，晶圓檢測方法包括：將多個晶圓裝載到至少一個晶圓固持器；以及同時檢測多個晶圓，包括：從光學模組發射多個光束，並將所述多個光束引導至所述多個晶圓；以及通過多個光學感測器接收多個晶圓反射的多個光束。
在上述晶圓檢測方法中，其中將所述多個晶圓裝載到所述至少一個晶圓固持器包括：將第一晶圓裝載到所述至少一個晶圓固持器的第一晶圓固持器的第一晶圓載物台；旋轉所述第一晶圓固持器，以使得所述第一晶圓固持器上下翻轉；以及將第二晶圓裝載到所述第一晶圓固持器的第二晶圓載物台。
在上述晶圓檢測方法中，其中從所述光學模組發射所述多個光束包括：通過光源發射光；通過至少一個分光元件將所述光分成所述多個光束；以及進行以下操作中的至少一者：在將所述光分光之前放大所述光、在將所述光分光之後放大所述多個光束。
在上述晶圓檢測方法中，其中在檢測所述多個晶圓期間，在所述多個光束照射在所述多個晶圓上的情況下，所述多個晶圓隨著所述至少一個晶圓固持器移動而同時移動。
在上述晶圓檢測方法中，更包括使所述多個光束中的至 少一個在射向所述多個晶圓的對應晶圓之前偏振。
前文概述若干實施例的特徵以使得本領域的技術人員可更好地理解本公開的方面。本領域的技術人員應瞭解，他們可輕易地將本公開用作設計或修改用於實現本文中所引入的實施例的相同目的和/或達成相同優勢的其它製程和結構的基礎。本領域的技術人員還應認識到，此類等效構造並不脫離本公開的精神和範圍，且其可在不脫離本公開的精神和範圍的情況下在本文中進行各種改變、替代以及更改。
600:檢測方法
610、620、630、631、632、633、640、650:動作

Claims (10)

  1. 一種晶圓檢測設備，包括：光源，被配置成發射光；第一分光元件，被配置成將來自所述光源的所述光分成第一光束和第二光束；第一晶圓固持器，包括用於承載第一晶圓的第一晶圓載物台和用於承載第二晶圓的第二晶圓載物台，其中所述第一晶圓被配置成反射所述第一光束，且所述第二晶圓被配置成反射所述第二光束，其中所述第一晶圓載物台與所述第二晶圓載物台設置在所述第一分光元件的相對兩側；第一光學感測器，被配置成接收被所述第一晶圓載物台所承載的所述第一晶圓反射的所述第一光束；以及第二光學感測器，被配置成接收被所述第二晶圓載物台所承載的所述第二晶圓反射的所述第二光束。
  2. 如請求項1所述的晶圓檢測設備，其中所述第一晶圓固持器可繞沿著與所述第一晶圓載物台和所述第二晶圓載物台的接收表面平行的方向的旋轉軸旋轉。
  3. 如請求項1所述的晶圓檢測設備，更包括第二晶圓固持器，其中所述第二晶圓固持器包括用於承載第三晶圓的第三晶圓載物台和用於承載第四晶圓的第四晶圓載物台，且所述第一分光元件更被配置成將所述光分成引導至所述第三晶圓的第三光束和引導至所述第四晶圓的第四光束。
  4. 如請求項1所述的晶圓檢測設備，更包括：光學定向分光單元，被配置成將從所述光源發射的所述光分 成第一部分和第二部分並將所述第一部分引導至所述第一分光元件且將所述第二部分引導至第二分光元件，其中所述第一部分被所述第一分光元件分成所述第一光束和所述第二光束，且所述第二部分被所述第二分光元件分成第三光束和第四光束；以及第二晶圓固持器，包括用於承載第三晶圓的第三晶圓載物台和用於承載第四晶圓的第四晶圓載物台，其中所述第三晶圓被配置成反射所述第三光束，且所述第四晶圓被配置成反射所述第四光束；第三光學感測器，被配置成接收所述第三晶圓反射的所述第三光束；以及第四光學感測器，被配置成接收所述第四晶圓反射的所述第四光束。
  5. 一種晶圓檢測設備，包括：光學模組，具有第一分光元件；至少一個晶圓固持器，包括用於承載多個晶圓的多個晶圓載物台，其中所述光學模組被配置成發射多個光束以用於同時掃描所述至少一個晶圓固持器所承載的所述多個晶圓，其中所述多個晶圓載物台包括第一晶圓載物台與第二晶圓載物台，且所述第一晶圓載物台與所述第二晶圓載物台設置在所述第一分光元件的相對兩側；以及多個光學感測器，被配置成分別接收被所述多個晶圓反射的所述多個光束，其中所述至少一個晶圓固持器可繞旋轉軸旋轉，所述旋轉軸沿著與所述多個晶圓的反射所述多個光束的表面平行的方向設 置。
  6. 如請求項5所述的晶圓檢測設備，其中所述至少一個晶圓固持器中的每一個包括通過連接元件彼此連接的兩個晶圓載物台，其中所述兩個晶圓載物台被配置成可同時移動。
  7. 如請求項5所述的晶圓檢測設備，其中所述光學模組包括：光源，被配置成發射光；至少一個分光元件，包括所述第一分光元件，所述至少一個分光元件被配置成將所述光分成指向所述至少一個晶圓固持器所承載的所述多個晶圓的所述多個光束；以及至少一個放大器，被配置成控制所述多個光束的強度。
  8. 一種晶圓檢測方法，包括：將多個晶圓裝載到至少一個晶圓固持器，所述至少一個晶圓固持器包括用於承載所述多個晶圓的多個晶圓載物台；以及同時檢測所述多個晶圓，包括：從光學模組發射多個光束，包括：從光源發射光；以及藉由至少一個分光元件將所述光分成所述多個光束，所述至少一個分光元件設置在所述多個晶圓之間，其中所述至少一個分光元件包括第一分光元件，且所述多個晶圓載物台包括第一晶圓載物台與第二晶圓載物台，其中所述第一晶圓載物台與所述第二晶圓載物台設置在所述第一分光元件的相對兩側；將所述多個光束引導至所述多個晶圓；以及通過多個光學感測器接收被所述多個晶圓反射的所述多 個光束。
  9. 如請求項8所述的晶圓檢測方法，其中將所述多個晶圓裝載到所述至少一個晶圓固持器包括：將第一晶圓裝載到所述至少一個晶圓固持器的第一晶圓固持器的所述第一晶圓載物台；旋轉所述第一晶圓固持器，以使得所述第一晶圓固持器上下翻轉；以及將第二晶圓裝載到所述第一晶圓固持器的所述第二晶圓載物台。
  10. 如請求項8所述的晶圓檢測方法，其中在檢測所述多個晶圓期間，在所述多個光束照射在所述多個晶圓上的情況下，所述多個晶圓隨著所述至少一個晶圓固持器移動而同時移動。
TW109124919A 2019-07-31 2020-07-23 晶圓檢測設備和晶圓檢測方法 TWI765302B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201962880668P 2019-07-31 2019-07-31
US62/880,668 2019-07-31
US16/805,849 US11300525B2 (en) 2019-07-31 2020-03-02 Wafer inspection apparatus and method
US16/805,849 2020-03-02

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202113343A TW202113343A (zh) 2021-04-01
TWI765302B true TWI765302B (zh) 2022-05-21

Family

ID=74258768

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109124919A TWI765302B (zh) 2019-07-31 2020-07-23 晶圓檢測設備和晶圓檢測方法

Country Status (3)

Country Link
US (2) US11300525B2 (zh)
CN (1) CN112309881A (zh)
TW (1) TWI765302B (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11300525B2 (en) * 2019-07-31 2022-04-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer inspection apparatus and method
TWI794873B (zh) * 2021-07-08 2023-03-01 亞亞科技股份有限公司 晶片檢測裝置之料盤翻轉模組
TWI836694B (zh) * 2021-11-08 2024-03-21 旺矽科技股份有限公司 光路校正配件、光學檢測組件以及光學檢測系統
CN113793826B (zh) * 2021-11-16 2022-03-08 西安奕斯伟材料科技有限公司 硅片方位调准装置及硅片缺陷检测设备
CN114005785A (zh) * 2021-11-22 2022-02-01 苏州科韵激光科技有限公司 一种旋转平台和晶圆裂片设备
CN115930850B (zh) * 2023-02-06 2023-05-30 宜科(天津)电子有限公司 一种检测物体表面粗糙度的数据处理系统

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200732650A (en) * 2006-02-07 2007-09-01 Hantech Co Ltd Apparatus and method for detecting defects in wafer using line sensor camera
US20090213364A1 (en) * 2008-02-27 2009-08-27 Hitachi High-Technologies Corporation Surface inspection method and inspection device using the same

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7525659B2 (en) * 2003-01-15 2009-04-28 Negevtech Ltd. System for detection of water defects
NL2006935A (en) * 2010-06-28 2011-12-29 Asml Netherlands Bv Inspection apparatus and method.
DE102017129356B3 (de) * 2017-12-08 2019-03-07 Infineon Technologies Ag Inspektionsverfahren für halbleitersubstrate unter verwendung von neigungsdaten und inspektionsgerät
US11300525B2 (en) * 2019-07-31 2022-04-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer inspection apparatus and method

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200732650A (en) * 2006-02-07 2007-09-01 Hantech Co Ltd Apparatus and method for detecting defects in wafer using line sensor camera
US20090213364A1 (en) * 2008-02-27 2009-08-27 Hitachi High-Technologies Corporation Surface inspection method and inspection device using the same

Also Published As

Publication number Publication date
TW202113343A (zh) 2021-04-01
US20210033541A1 (en) 2021-02-04
US20220236198A1 (en) 2022-07-28
US11300525B2 (en) 2022-04-12
CN112309881A (zh) 2021-02-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI765302B (zh) 晶圓檢測設備和晶圓檢測方法
US20240014079A1 (en) Substrate bonding apparatus and substrate bonding method
TWI657239B (zh) 用於在半導體樣本中偵測缺陷或再檢測缺陷之方法及系統
TWI807016B (zh) 具有多光學探針之多點分析系統
KR102228505B1 (ko) 큰 입자 모니터링 및 레이저 전력 제어를 이용한 표면 결함 검사
TW201602738A (zh) 線內晶圓邊緣檢驗、晶圓預校準及晶圓清潔
CN213874187U (zh) 用于测量的系统
WO2021067239A1 (en) Metrology module with parallel acquisition of broadband polarized spectra
US8643845B2 (en) Interferometric surface inspection using a slit-shaped reference beam from inspection surface
JP7475211B2 (ja) レーザー加工装置の検査方法
KR20190119803A (ko) 웨이퍼의 에지 영역 검사장치 및 검사방법
TWI837525B (zh) 測量系統
KR20240040030A (ko) 피가공물의 검사 방법 및 검사 장치
TWM606713U (zh) 測量系統