TWI758520B - 具備有受控的粗糙度及微結構之塗層的經塗佈物件與消費者電子產品及製造經塗佈物件之方法 - Google Patents
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Abstract
一種物件包括具有主表面之玻璃、玻璃陶瓷或陶瓷基板。功能性塗層安置於該基板之該主表面上方。該塗層包括安置於該主表面上方之第一部分。一或多個中斷層安置於該第一部分上方。第二部分安置於該一或多個中斷層上方。該一或多個中斷層包括不同於該第一及第二部分中之一者的微結構，且該塗層在自約450nm至約650nm之可見光波長範圍內具有大於約10%之平均光學透射率。
Description
本申請案根據專利法主張2017年7月31日申請之美國臨時申請案序列號第62/539,112號之優先權權益，該美國臨時申請案之內容為本案之基礎且以全文引用方式併入本文中。
本揭示案係關於具有功能性塗層之物件，且更特定地，係關於具有具受控的粗糙度及微結構之硬質功能性塗層及特定光學性質之物件。
透明硬質塗層例如AlNx、AlOxNy、Al2O3、ZrO2-Al2O3、SiNx、SiOxNy、金剛石或類金剛石塗層及/或ZrO2可取決於其製造條件而具有非晶、多晶或半晶微結構。此等塗層對於多種應用可為有價值的。舉例而言，此類塗層可用作具有高光學透明度之基板上方之硬
質塗層、抗刮擦塗層、或耐磨塗層。此等材料可具有形成多晶或半晶微結構的自然趨勢。此多晶微結構可提供某些益處諸如機械韌性或壓電性質。為最佳化此等性質之益處，可能有利的係工程化設計微晶大小(例如，以減少微晶大小，從而控制塗層表面粗糙度)。咸信硬質塗層之表面粗糙度在某些機械磨耗效能測試、摩擦接觸事件及沉積於硬質塗層頂部之薄有機低摩擦層(例如，易於清潔塗層，諸如1奈米至10奈米(nanometer；nm)厚氟矽烷塗層)之耐久性中發揮重要作用。
因此，需要在維持用於顯示器、觸控螢幕、眼鏡片、窗戶及類似應用中之下伏基板的光學透明度的同時，控制多晶或半晶硬質塗層微結構、微晶大小及表面粗糙度的方法。因此，亦需要具有具受控粗糙度及微結構之硬質功能性塗層及特定光學性質之物件。
根據本揭示案之一些態樣，一種物件包括具有主表面之玻璃、玻璃陶瓷或陶瓷基板。功能性塗層安置於該基板之該主表面上方。該塗層包括安置於該主表面上方之第一部分。一或多個中斷層安置於該第一部分上方。第二部分安置於該一或多個中斷層上方。該一或多個中斷層包括不同於該第一及第二部分中之一者的微結構，且該塗層在自約450nm至約650nm之可見光波長範圍內具有大於約10%之平均光學透射率。
根據本揭示案之一些態樣，一種物件包括基板，該基板包括主表面及玻璃、玻璃陶瓷或陶瓷組成物。功能性塗層安置於該基板之該主表面上方以形成經塗佈表面。該塗層包括安置於該主表面上方之第一部分。複數個中斷層安置於該第一部分上方且包括不同於該第一部分之微結構。第二部分安置於該複數個中斷層上方。該等中斷層在自約450nm至約650nm之可見光波長範圍內包括大於約85%之光學透射率且該等中斷層中之每一者具有100nm或更小之厚度。
根據本揭示案之又其他態樣，一種消費者電子產品包括具有前表面、背表面及側表面之殼體。電組件至少部分地在該殼體內，該等電組件至少包括控制器、記憶體及顯示器，該顯示器在該殼體之該前表面處或鄰近處。護罩玻璃安置於該顯示器上方。該殼體或該護罩玻璃之一部分中之至少一者包含如上所述之物件。
在以下詳細描述中闡述本發明之額外特徵及優點，且熟習此項技術者自該描述可容易地得出該等額外特徵及優點，或藉由實踐如本文中包括以下詳細描述、申請專利範圍以及隨附圖式所描述之實施例認識該等額外特徵及優點。
應理解，前述一般描述及以下詳細描述僅係例示性的，且意欲提供對理解本揭示案及隨附申請專利範圍之性質及特性的概述或框架。
包括隨附圖式以提供對本揭示案之原理之進
一步理解，且併入於本說明書中並構成本說明書的一部分。該等圖式說明一或多個實施例，且與描述一起來以實例方式解釋本揭示案之原理及操作。應理解，可以任何及所有組合使用在本說明書中及在圖式中揭示之本揭示案之各個特徵。藉助於非限制性實例，本揭示案之各個特徵可根據以下實施例與彼此組合。
根據第一態樣，提供一種物件，其包括：玻璃、玻璃陶瓷或陶瓷基板，其包含主表面；及功能性塗層，其安置於該基板之該主表面上方。該塗層包括：第一部分，其安置於該主表面上方；一或多個中斷層，其安置於該第一部分上方；及第二部分，其安置於該一或多個中斷層上方。該一或多個中斷層包括不同於該第一及第二部分中之一者的微結構，且該塗層在自約450nm至約650nm之可見光波長範圍內具有大於約10%之平均光學透射率。
根據第二態樣，提供態樣1之物件，其中該一或多個中斷層包含不同於該第一及第二部分兩者之微結構。
根據第三態樣，提供態樣1及2之物件，其中該一或多個中斷層具有非晶微結構。
根據第四態樣，提供態樣1至3中任一項之物件，其中該塗層之該第一及第二部分各自包含複數個層且該塗層具有大於約50%之平均光學透射率。
根據第五態樣，提供態樣1至4中任一項之
物件，其中在距離該等中斷層約100nm內之該塗層的該第二部分包含小於在距離該等中斷層約100nm內之該第一部分之平均微結構晶體大小的平均微結構晶體大小。
根據第六態樣，提供態樣1至5中任一項之物件，其中該一或多個中斷層中之每一者包含約50nm或更小之厚度。
根據第七態樣，提供態樣6之物件，其中該一或多個中斷層包含約10nm或更小之厚度。
根據第八態樣，提供態樣1至7中任一項之物件，其中該一或多個中斷層係多孔的。
根據第九態樣，提供態樣1至8中任一項之物件，其中該第一及第二部分中之至少一者包含自約0.1μm至約2μm之厚度。
根據第十態樣，提供態樣1至8中任一項之物件，其中一或多個中斷層包含三個層，且該物件另外包含定位在該一或多個中斷層之間的複數個間隔層。
根據第十一態樣，提供態樣1至10中任一項之物件且另外包含安置於功能性塗層之第二部分上方的易於清洗(easy-to-clean；ETC)塗層。
根據第十二態樣，提供態樣1至11中任一項之物件，其中該塗層包含約5nm Rq或更小之表面粗糙度。
根據第十三態樣，提供一種物件，其包括：基
板，其包含主表面且包含玻璃、玻璃陶瓷或陶瓷組成物；及功能性塗層，其安置於該基板之該主表面上方以形成經塗佈表面。該塗層包括：第一部分，其安置於該主表面上方；複數個中斷層，其安置於該第一部分上方且包含不同於該第一部分之微結構；及第二部分，其安置於該複數個中斷層上方。該等中斷層在自約450nm至約650nm之可見光波長範圍內包括大於約85%之光學透射率且該等中斷層中之每一者具有100nm或更小之厚度。
根據第十四態樣，提供態樣13之物件，其中該複數個中斷層包含與該第一及第二部分中之任一者之約0.1或更大之折射率差，且其中該等中斷層中之每一者具有約5nm或更大之一厚度。
根據第十五態樣，提供態樣13及14之物件，其中該塗層包含約5nm Rq或更小之表面粗糙度。
根據第十六態樣，提供態樣13至15中任一項之物件，其中該第一及第二部分包含各別第一及第二體塊層，該第一及第二體塊層各自包含約200nm或更大之一厚度。
根據第十七態樣，提供態樣16之物件，其中該第一及第二體塊層各自與該複數個中斷層中之至少一者接觸。
根據第十八態樣，提供態樣13至17中之任一項之物件，其中該複數個中斷層包含Al2O3。
根據第十九態樣，提供態樣13至18中任一
項之物件，其中該基板包含壓縮應力區域，該壓縮應力區域自該主表面延伸至該基板中之第一選定深度。
根據第二十態樣，提供態樣13至19中任一項之物件，其中該複數個中斷層包含係該功能性塗層之總厚度之約10%或更小的厚度。
根據第二十一態樣，提供一種消費者電子產品，其包括：殼體，其具有前表面、背表面及側表面；電組件，其至少部分地在該殼體內，該等電組件至少包括一控制器、記憶體及顯示器，該顯示器在該殼體之該前表面處或鄰近處；及護罩玻璃，其安置於該顯示器上方。該殼體或該護罩玻璃之一部分中之至少一者包含態樣1至20中任一項之物件。
根據第二十二態樣，提供態樣13至19中任一項之物件，其中該經塗佈表面具有如藉由Berkovich奈米壓痕在約100nm或更大之凹痕深度下量測之約12GPa或更大之硬度。
根據第二十三態樣，提供態樣13至19中任一項之物件，其中該功能性塗層之該第一部分及/或該第二部分包含多晶或半晶材料。
根據第二十四態樣，提供態樣13至19中任一項之物件，其中該功能性塗層之該第一部分及/或該第二部分包含包含AlOxNy之多晶或半晶材料，其中x(表示氧相對於鋁之莫耳分數)係自約0.02至約0.25；且其中y(表示氮相對於鋁之莫耳分數)係自約0.75至約
0.98。
根據第二十五態樣，提供一種在基板上形成功能性塗層的方法，其包括以下步驟：在該基板之主表面上沉積第一部分；在該第一部分上方沉積一或多個中斷層，該一或多個中斷層包含不同於該第一部分之微結構以及在自約450nm至約650nm之可見光波長範圍內之大於約85%之光學透射率；及在該一或多個中斷層上方沉積第二部分。
根據第二十六態樣，提供態樣25之方法，其中該沉積一或多個中斷層之步驟另外包含沉積該一或多個中斷層以包含約100nm或更小之厚度的步驟。
10:層合物件
14:膜
14A:第一部分
14B:中斷層
14C:第二部分
14D:第三部分
14E:表面
18:基板
18A:主要表面
18B:主要表面
22:阻抗匹配層
26:抗反射膜
26A:第一低RI層
26B:第二高RI層
30:體塊層
34:易於清洗塗層
38:間隔層
50:電子產品
54:殼體
58:護罩玻璃
以下係對隨附圖式中之諸圖之描述。諸圖未必按比例繪製，且諸圖之某些特徵及某些視圖可出於清晰及簡潔目的以放大比例或以示意圖形式示出。
在圖式中：第1A圖係根據至少一個實例之包括膜之物件的剖視圖；第1B圖係根據至少一個實例之包括膜之物件的剖視圖；第2圖係根據至少一個實例之消費者電子產品；第3圖係本揭示案之多個實例及比較實例之
模型化第一表面反射率之5°入射角的曲線圖；第4圖係本揭示案之多個實例及比較實例之模型化雙表面透射率之5°入射角的曲線圖；第5A圖係本揭示案之多個實例及比較實例之自0°至90°之所有視角之第一表面反射的D65色彩的曲線圖；第5B圖係本揭示案之多個實例及比較實例之自0°至90°之所有視角之雙表面透射的D65色彩的曲線圖；第6圖係本揭示案之至少一個實例及比較實例之6°入射角第一表面反射率的曲線圖；第7圖係本揭示案之至少一個實例及比較實例之6°入射角雙表面透射率的曲線圖；第8圖係根據本揭示案之至少一個實例的5°入射角第一表面反射率的曲線圖；第9圖係根據本揭示案之至少一個實例的5°入射角雙表面透射率的曲線圖；第10A圖係本揭示案之多個實例及比較實例之自0°至90°之所有視角之第一表面反射的D65色彩的曲線圖；及第10B圖係本揭示案之多個實例及比較實例之自0°至90°之所有視角之雙表面透射的D65色彩的曲線圖。
第11圖係針對基板上之各個厚度的膜的硬度
對壓痕深度的曲線圖。
在以下詳細描述中闡述本發明之額外特徵及優點，且該等額外特徵及優點將自描述對熟習此項技術者顯而易見，或熟習此項技術者藉由實踐以下描述中描述之實施例以及申請專利範圍及隨附圖式而認識到該等額外特徵及優點。
如本文中所使用，當用於列舉兩個或更多個項目時，術語「及/或」係指可單獨使用列舉項目中之任一個，或可使用兩個或更多個所列項目之任何組合。舉例而言，若組成物描述為含有組分A、B及/或C，則該組成物可含有僅A；僅B；僅C；A與B之組合；A與C之組合；B及C之組合；或A、B、及C之組合。
在此文獻中，關係術語諸如第一與第二、頂部與底部等僅用以將一個實體或動作與另一實體或動作區分開，而不必要求或暗示此類實體或動作之間的任何實際的此類關係或次序。
熟習此項技術者及製造或使用本揭示案者將對本揭示案做出修改。因而，應理解，在圖式中示出且在上文描述之實施例僅出於說明性目的，且不意欲限制如根據專利法之原理包括等同論所解釋之由隨附申請專利範圍定義的本揭示案之範疇。
出於本揭示案之目的，術語「耦接(coupled)」
(及其所有形式：couple、coupling、coupled等)通常意指兩個(電或機械)組件直接或間接結合至彼此。此類結合可在性質上為靜止的或在性質上為可移動的。此類結合可用兩個(電或機械)組件及彼此或與該兩個組件整體地形成為單個整體主體之任何額外的中間部件達成。除非另有說明，否則此類結合可在性質上為永久性的，或可在性質上為可移除的或可釋放的。
如本文中所使用，術語「約」意指量、大小、配方、參數及其他數量及特性不精確且不必精確，但可根據需要為近似的及/或較大或較小，其反映公差、轉算因數、捨入、量測誤差等，以及熟習此項技術者已知之其他因數。當在描述值或範圍端點時使用術語「約」的情況下，本揭示案應理解為包括所述及之特定值或端點。不管說明書中之範圍數值或端點是否敘述「約」，範圍數值或端點皆意欲包括兩個實施例：被「約」修飾者及不被「約」修飾者。應進一步理解，範圍中之每一者的端點無論是與另一端點相關還是獨立於另一端點皆為有效的。
如本文中所使用之術語「實質(substantial)」、「實質上(substantially)」及其變化形式意欲指出所描述之特徵等於或近似等於值或描述。舉例而言，「實質上平坦」表面意欲表示平坦或大致平坦之表面。此外，「實質上」意欲表示兩個值相等或大致相等。在一些實施例中，「實質上」可表示在彼此之約10%內，諸如在彼此之約5%內或在彼此之約2%內的
值。
如本文中所使用之方向性術語例如上、下、右、左、前、後、頂部、底部僅參考諸圖進行繪製且不意欲暗示絕對定向。
如本文中所使用，術語「該」、「一」或「一個」意指「至少一個」，且不應限於「僅一個」，除非明確地相反描述。因此，舉例而言，除非上下文另有明確表示，否則對「一組件」之述及包括具有兩個或更多個此類組件之實施例。
現參考第1A圖及第1B圖，層合物件10包括膜14及基板18。如下文將詳細地解釋，膜14可為提供複數個功能性質(例如，抗刮擦性)及光學性質(例如，抗反射及色彩中性)之多層結構。
基板18可具有相對主要表面(major surface)18A、18B。基板18亦可界定一或多個次要表面(minor surface)。出於本揭示案之目的，術語「主表面(primary surface)」可為相對主要表面18A、18B及/或次要表面中之一或多者。根據各個實例，膜14可安置於基板18之主表面上。基板18可為實質上平坦的片材，不過其他實例可利用彎曲或其他形狀或造型之基板18。另外或替代性地，基板18之厚度可出於美學及/或功能原因而沿著其尺寸中之一或多者變化。舉例而言，基板18之邊緣與玻璃基基板18之更中心區域相比可為較厚的，或反之亦然。基板18之長度、寬度及厚度尺寸亦
可根據物件10之應用或用途而變化。
如上文所解釋，物件10包括其上定位或安置有膜14之基板18。基板18可包括玻璃、玻璃陶瓷、陶瓷材料及/或其組合。出於本揭示案之目的，術語「玻璃基」可意指玻璃、玻璃陶瓷及/或陶瓷材料。如本文中所使用，術語「玻璃基」意指包括至少部分地由玻璃製成之任何材料，包括玻璃、玻璃陶瓷及藍寶石。「玻璃陶瓷」包括經由玻璃之受控的結晶產生之材料。在實施例中，玻璃陶瓷具有約1%至約99%結晶度。適合玻璃陶瓷之實例可包括Li2O-Al2O3-SiO2系(亦即LAS系)玻璃陶瓷、MgO-Al2O3-SiO2系(亦即MAS系)玻璃陶瓷、ZnO×Al2O3×nSiO2(亦即ZAS系)，及/或包括顯著結晶相之玻璃陶瓷，包括β石英固體溶液、β鋰輝石、堇青石及焦矽酸鋰。可使用本文中揭示之化學強化製程強化玻璃陶瓷基板。在一或多個實施例中，MAS系玻璃陶瓷基板可在Li2SO4熔鹽中經強化，藉此可發生2Li+對Mg2+之交換。根據各個實例，基板18可為玻璃基基板。在基板18之玻璃基實例中，如下文更詳細地解釋，基板18可經強化或加強。基板18可實質上清透、透明及/或無光散射。在基板18之玻璃基實例中，基板18可具有在自約1.45至約1.55之範圍內的折射率。另外，物件10之基板18可包括藍寶石及/或聚合材料。適合聚合物之實例包括但不限於：熱塑性塑膠，包括聚苯乙烯(polystyrene；PS)(包括苯乙烯共聚物及摻合物)；聚
碳酸酯(polycarbonate；PC)(包括共聚物及摻合物)；聚酯(包括共聚物及摻合物，包括聚乙二醇對酞酸酯及聚乙二醇對酞酸酯共聚物)；聚烯烴(polyolefin；PO)及環狀聚烯烴(cyclicpolyolefin；環狀PO)；聚氯乙烯(polyvinylchloride；PVC)；丙烯酸類聚合物，包括聚甲基丙烯酸甲酯(聚甲基丙烯酸甲酯；PMMA)(包括共聚物及摻合物)；熱塑性胺甲酸乙酯(urethane；TPU)；聚醚醯亞胺(polyetherimide；PEI)；及此等聚合物與彼此之摻合物。其他例示性聚合物包括環氧樹脂、苯乙烯樹脂、酚醛樹脂、三聚氰胺及矽酮樹脂。
根據各個實例，基板18可具有在自約50微米(微米(micron)或μm)至約5毫米(millimeter；mm)之範圍內之厚度。基板18之例示性厚度在自1μm至1000μm或100μm至500μm之範圍內。舉例而言，基板18可具有約100μm、200μm、300μm、400μm、500μm、600μm、700μm、800μm、900μm或1000μm之厚度。根據其他實例，玻璃基基板18可具有大於或等於約1mm、約2mm、約3mm、約4mm或約5mm之厚度。在一或多個特定實例中，玻璃基基板18可具有2mm或更小或小於1mm之厚度。基板18可經酸拋光或以其他方式經處理以移除或減小表面裂紋之效應。
基板18可為相對原始的且無裂紋(例如，具有低數目個表面裂紋或小於約1μm之平均表面裂紋大
小)。在利用經強化或加強玻璃基基板18的情況下，此類基板18可表徵為在此類基板18之一或多個相對主要表面上具有高平均抗撓強度(當與未經強化或加強之玻璃基基板18相比時)或高表面應變所致失效(strain-to-failure)(當與未經強化或加強之玻璃基基板18相比時)。
適合基板18可展現在自約30GPa至約120GPa之範圍內的彈性模數(例如，楊氏模數)。在一些情況下，基板之彈性模數可在自約30GPa至約110GPa、自約30GPa至約100GPa、自約30GPa至約90GPa、自約30GPa至約80GPa、自約30GPa至約70GPa、自約40GPa至約120GPa、自約50GPa至約120GPa、自約60GPa至約120GPa、自約70GPa至約120GPa及其間之所有範圍及子範圍之範圍內。在本揭示案中敘述之基板之楊氏或彈性模數值係指藉由標題為「Standard Guide for Resonant Ultrasound Spectroscopy for Defect Detection in Both Metallic and Non-metallic Parts」之ASTM E2001-13中闡述之一般類型之共振超音波光譜技術量測的值。
可使用多種不同製程提供基板18之玻璃基實例。例如，玻璃基基板18之形成方法包括浮法玻璃製程及下拉製程，諸如熔融拉製及縫隙拉製。
一旦形成，基板18之玻璃基實例便可經強化
以形成經強化玻璃基基板18。如本文中所使用，術語「經強化玻璃基基板」將指已藉由例如經由較大鹼金屬離子對玻璃基基板18之表面中之較小離子的離子交換將殘餘壓縮應力添加至基板18的後製造製程強化的玻璃基基板18。然而，可利用此項技術中已知之其他強化方法諸如熱回火形成玻璃基基板18之強化實例。如將描述，經強化玻璃基基板包括在其表面(例如，相對主要表面18A、18B及/或次要表面中之至少一者)中具有表面壓縮應力且其體塊有助於玻璃基基板18之強度保持的玻璃基基板18。
亦如本文中所使用，「加強」玻璃基基板18係在本揭示案之範疇內。加強基板包括如下玻璃基基板18：其可能經歷或可能未經歷施加殘餘壓縮應力之特定強化製程，但仍經歷製造或後製造製程、步驟或過程，產生與無「加強」製程、步驟或過程之對照基板相比增加的平均強度、魏普模數及/或應變所致失效。舉例而言，加強玻璃基基板18可形成有原始表面及/或可經拋光以具有原始表面，該原始表面減小平均裂紋大小及/或裂紋數目。此類加強玻璃基基板18可定義為具有大於約0.5%、0.7%、1%、1.5%或甚至大於2%之應變所致失效平均值的玻璃片材物件或玻璃基基板。可例如藉由在熔融及形成玻璃基基板18之後保護原始玻璃表面來製造此類加強玻璃基基板18。此類保護之實例在熔融拉製方法中發生，其中玻璃膜之表面在形成之後不接觸設備之任何部分或
其他表面。由熔融拉製方法形成之玻璃基基板18可自其原始表面品質導出其強度。亦可經由對玻璃基基板表面之蝕刻或拋光及後續保護以及此項技術中已知之其他方法達成原始表面品質。
在一或多個實例中，例如當使用環上環(ring-on-ring)或環上球(ball-on-ring)撓曲測試進行量測時，經強化玻璃基基板18及加強玻璃基基板18兩者皆可具有大於約0.5%、0.7%、1%、1.5%或甚至大於2%之應變所致失效平均值。
如上所述，在本文中(參見第1A圖及第1B圖)描述之層合物件10中採用之基板18之玻璃基實例可藉由離子交換製程經化學強化，以提供經強化玻璃基基板18。玻璃基基板18亦可藉由此項技術中已知之其他方法諸如熱回火經強化。在離子交換製程中，通常藉由將玻璃基基板18浸入至熔鹽浴中達預定時間段，玻璃基基板18之表面處或附近之離子交換為來自鹽浴之較大金屬離子。根據各個實例，熔鹽浴之溫度係約350℃至450℃，且該預定時間段係約兩小時至約八小時。較大離子併入至玻璃基基板18中藉由在近表面區域中或在玻璃基基板18之表面(例如，相對主要表面18A、18B)處及相鄰之區域中產生壓縮應力來經強化玻璃基基板18。在距離玻璃基基板18之一或多個表面一距離之一或多個中心區域內誘發對應拉伸應力，以平衡壓縮應力。利用此強化製程之玻璃基基板18可更具體地描述為經化學經強化玻璃基基
板18或經離子交換玻璃基基板18。不經強化之玻璃基基板18在本文中可被稱為「非強化」玻璃基基板18；然而，此類「非強化」玻璃基基板可為或可不為如本揭示案中較早定義之「加強」基板。
根據各個實例，經強化玻璃基基板18中之鈉離子替換為來自熔浴諸如硝酸鉀鹽浴之鉀離子，不過具有較大原子半徑之其他鹼金屬離子諸如銣或銫可替換玻璃中之較小鹼金屬離子。在一些實例中，玻璃中之較小鹼金屬離子可替換為Ag+離子。類似地，可在離子交換製程中使用其他鹼金屬鹽，諸如但不限於硫酸鹽、磷酸鹽、鹵化物等。
在低於玻璃基基板18中之玻璃網路可鬆馳所處之溫度的溫度下較小離子替換為較大離子會產生跨越經強化玻璃基基板18之表面之離子分佈，該離子分佈產生應力分佈曲線。較大之引入離子體積在表面上產生壓縮應力(compressive stress；CS)且在經強化玻璃基基板18之中心產生張力(中心張力(central tension)，或CT)。離子交換之深度可描述為經強化玻璃基基板18內之深度(亦即，自玻璃基基板之表面至玻璃基基板之中心區域之距離)，此處發生離子交換製程促進之離子交換。因而，玻璃基基板18可具有壓縮應力區域。
玻璃基基板18之強化實例可具有大於或等於約300MPa、400MPa、450MPa、500MPa、550MPa、600MPa、650MPa、700MPa、750MPa
或大於或等於約800MPa之表面壓縮應力。經強化玻璃基基板18可具有自約15μm至約100μm之壓縮深度(亦即，自主表面18A延伸至基板中之第一選定深度之壓縮應力區域)。在又其他實例中，玻璃基基板18可具有在玻璃基基板18中之約5μm或更大、10μm或更大、15μm或更大、20μm或更大、25μm或更大、30μm或更大、35μm或更大、40μm或更大、45μm或更大、或50μm或更大之壓縮深度。根據各個實例，玻璃基基板18可具有在玻璃基基板18中之約15μm或更大之壓縮深度。在玻璃基基板18內可存在約10MPa或更大、20MPa或更大、30MPa或更大、40MPa或更大、42MPa或更大、45MPa或更大或約50MPa或更大之中心張力。該中心張力可小於或等於約100MPa、95MPa、90MPa、85MPa、80MPa、75MPa、70MPa、65MPa、60MPa或小於或等於約55MPa。在一或多個特定實例中，經強化玻璃基基板18具有以下中之一或多者：大於500MPa之表面壓縮應力、大於15μm之壓縮深度及大於18MPa之中心張力。
藉由表面應力計(surface stress meter；FSM)使用市售之儀錶諸如Orihara Industrial Co.,Ltd(日本)製造之FSM-6000量測壓縮應力(包括表面CS)。表面應力量測值依賴與玻璃之雙折射率有關之應力光學係數(stress optical coefficient；SOC)的準確量測。繼而根據在標題為「Standard Test Method
for Measurement of Glass Stress-Optical Coefficient」且內容以全文引用之方式併入本文中之ASTM標準C770-16中描述之過程C(玻璃盤方法)量測SOC。如本文中所使用，DOC意指本文中描述之經化學強化鹼性鋁矽酸鹽玻璃物件中之應力自壓縮應力變為拉伸應力所處之深度。可取決於離子交換處理藉由FSM或散射光偏光鏡(scattered light polariscope；SCALP)量測DOC。在藉由將鉀離子交換至玻璃物件中，在該玻璃物件中產生應力的情況下，FSM可用以量測DOC。在藉由將鈉離子交換至玻璃物件中產生應力的情況下，SCALP用以量測DOC。在藉由將鉀離子及鈉離子兩者交換至玻璃中，在玻璃物件中產生應力的情況下，藉由SCALP量測DOC，此係由於咸信鈉之交換深度指示DOC且鉀離子之交換深度指示壓縮應力之量值改變(而非自壓縮應力至拉伸應力之改變)；藉由FSM量測此類玻璃物件中之鉀離子之交換深度。使用此項技術中已知之散射光偏光鏡(SCALP)技術量測最大CT值。
不受理論束縛，咸信具有大於500MPa之表面壓縮應力及大於約15μm之壓縮深度的經強化玻璃基基板18通常具有大於非強化玻璃基基板18(或，換言之，未經離子交換或者強化之玻璃基基板)的應變所致失效。根據各個實例，由於在諸多典型應用中存在持握或常見玻璃表面損傷事件，本文中描述之一或多個實例的益處可能不如不存在此等表面壓縮應力或壓縮深度位準之非
強化或弱強化類型之玻璃基基板18一般突出。在其中玻璃基基板18之表面可受到充分保護(例如，藉由防護層或其他層)以免刮擦或表面損傷的其他具體應用中，亦可經由使用諸如熔融形成方法之方法的原始玻璃表面質量之形成及保護，產生具有相對高應變所致失效之加強玻璃基基板18。在此等替代性應用中，可類似地實現本文中描述之一或多個實例的益處。
可用於經強化玻璃基基板18中之例示性可離子交換玻璃可包括鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃組成物或鹼金屬硼鋁矽酸鹽玻璃組成物，不過預期其他玻璃組成物。如本文中所使用，「可離子交換」意指玻璃基基板18能夠將位於玻璃基基板之表面處或附近的陽離子與具有較大或較小大小的相同原子價之陽離子進行交換。一個例示性玻璃組成物包括SiO2、B2O3及Na2O，其中(SiO2+B2O3)
66莫耳%，且Na2O
9莫耳%。在另一實例中，玻璃基基板18包括具有至少6重量%氧化鋁之玻璃組成物。在另一實例中，玻璃基基板18包括具有一或多個鹼土氧化物之玻璃組成物，使得鹼土氧化物之含量係至少5重量%。在一些實例中，適合玻璃組成物另外包括K2O、MgO及CaO中之至少一者。在特定實例中，用於玻璃基基板18中之玻璃組成物可包括61莫耳%至75莫耳% SiO2；7莫耳%至15莫耳% Al2O3；0莫耳%至12莫耳% B2O3；9莫耳%至21莫耳% Na2O；0莫耳%至4莫耳% K2O；0莫耳%至7莫耳% MgO；及0莫耳%至3莫耳% CaO。
適用於玻璃基基板18且可視情況經強化或加強之另一例示性玻璃組成物包括：60莫耳%至70莫耳% SiO2；6莫耳%至14莫耳% Al2O3；0莫耳%至15莫耳% B2O3；0莫耳%至15莫耳% Li2O；0莫耳%至20莫耳% Na2O；0莫耳%至10莫耳% K2O；0莫耳%至8莫耳% MgO；0莫耳%至10莫耳% CaO；0莫耳%至5莫耳% ZrO2；0莫耳%至1莫耳% SnO2；0莫耳%至1莫耳% CeO2；小於50ppm As2O3；及小於50ppm SB2O3；其中12莫耳%
(Li2O+Na2O+K2O)
20莫耳%且0莫耳%
(MgO+CaO)
10莫耳%。
適用於基板18之玻璃基實例且可視情況經強化或加強之又一例示性玻璃組成物包括：63.5莫耳%至66.5莫耳% SiO2；8莫耳%至12莫耳% Al2O3；0莫耳%至3莫耳% B2O3；0莫耳%至5莫耳% Li2O；8莫耳%至18莫耳% Na2O；0莫耳%至5莫耳% K2O；1莫耳%至7莫耳% MgO；0莫耳%至2.5莫耳% CaO；0莫耳%至3莫耳% ZrO2；0.05莫耳%至0.25莫耳% SnO2；0.05莫耳%至0.5莫耳% CeO2；小於50ppm As2O3；且小於50ppm SB2O3；其中14莫耳%
(Li2O+Na2O+K2O)
18莫耳%且2莫耳%
(MgO+CaO)
7莫耳%。
在特定實例中，適用於玻璃基基板18且可視情況經強化或加強之鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃組成物包括氧化鋁、至少一個鹼金屬以及在一些實施例中大於50莫耳
% SiO2，在其他實例中至少58莫耳% SiO2，及在又
其他實例中至少60莫耳% SiO2，其中比值
，
其中組分之比值用莫耳%表達且改質劑係鹼金屬氧化物。在特定實例中，此玻璃組成物包括：58莫耳%至72莫耳% SiO2；9莫耳%至17莫耳% Al2O3；2莫耳%至12莫耳% B2O3；8莫耳%至16莫耳% Na2O；及0莫耳
%至4莫耳% K2O，其中比值
。
在又一實例中，可視情況經強化或加強之玻璃基基板18可包括鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃組成物，其包含：64莫耳%至68莫耳% SiO2；12莫耳%至16莫耳% Na2O；8莫耳%至12莫耳% Al2O3；0莫耳%至3莫耳% B2O3；2莫耳%至5莫耳% K2O；4莫耳%至6莫耳% MgO；及0莫耳%至5莫耳% CaO，其中：66莫耳%<SiO2+B2O3+CaO
69莫耳%；Na2O+K2O+B2O3+MgO+CaO+SrO>10莫耳%；5莫耳%
MgO+CaO+SrO
8莫耳%；(Na2O+B2O3)
Al2O3<2莫耳%；2莫耳%
Na2O<Al2O3 
6莫耳%；且4莫耳%
(Na2O+K2O)
Al2O3 
10莫耳%。
根據各個實例，可視情況經強化或加強之基板18之玻璃基實例可包括鹼金屬矽酸鹽玻璃組成物，其包括：2莫耳%或更大之Al2O3及/或ZrO2，或4莫耳%或更大之Al2O3及/或ZrO2。
根據各個實例，基板18之玻璃基實例可用選
自包括Na2SO4、NaCl、NaF、NaBr、K2SO4、KCl、KF、KBr及SnO2之群組之0莫耳%至2莫耳%之至少一種澄清劑進行批處理。
仍參考第1A圖及第1B圖，在本文中亦稱為塗層之膜14描繪為直接定位於玻璃基基板18上，但應理解，一或多個層或膜可定位於膜14與基板18之間。膜14可定位於基板18之大於一個表面上。另外，膜14可定位於基板18之相對主要表面18A、18B以及次要表面上。
如適用於膜14及/或其他併入至層合物件10中之膜的術語「膜」包括藉由此項技術中任何已知方法包括分立沉積或連續沉積製程形成之一或多個層。此類層可與彼此直接接觸。該等層可由相同材料或大於一種的不同材料形成。在一或多個替代性實例中，此類層可具有安置於其間的不同材料之插入層。在一或多個實例中，膜14可包括一或多個連續且不中斷層及/或一或多個不連續且中斷層(亦即，具有鄰近於彼此形成之不同材料的層)。根據各個實例，膜14無肉眼可見即眼睛容易見到的刮擦或缺陷。
如本文中所使用，術語「安置」包括使用此項技術中任何已知方法將材料塗佈、沉積及/或形成至表面上。經安置材料可構成如本文中所定義之層。片語「安置在......上」包括將材料形成至表面上使得材料與該表面直接接觸的情況並且亦包括其中材料形成在表面上且在材
料與表面之間安置一或多個插入材料的情況。插入材料可構成如本文中所定義之層。
可使用諸如以下之各種沉積方法形成光學膜14：真空沉積技術，例如化學氣相沉積(例如，電漿增強化學氣相沉積、低壓化學氣相沉積、大氣壓力化學氣相沉積、及電漿增強大氣壓力化學氣相沉積)、物理氣相沉積(例如，反應性或非反應性濺鍍或雷射燒蝕)、熱或電子束蒸鍍、濺鍍及/或原子層沉積。光學膜14之一或多個層可包括奈米孔或混合材料以提供特定折射率範圍或值。
膜14之厚度可在自約0.005μm至約0.5μm或自約0.01μm至約20μm之範圍內。根據其他實例，膜14可具有在自約0.01μm至約10μm、自約0.05μm至約0.5μm、自約0.01μmm至約0.15μm或自約0.015μm至約0.2μm之範圍內的厚度。在又其他實例中，膜14可具有自約100nm至約200nm的厚度。藉由剖面之掃描電子顯微鏡(scanning electron microscope；SEM)、或藉由光學橢圓對稱法(例如，藉由n & k分析器)、或藉由薄膜反射法，量測薄膜元件(例如，裂紋偏轉層、裂紋緩和層、抗刮擦層、膜14、中斷層、間隔層、體塊層、第一部分、第二部分、第三部分等)之厚度。對於多個層元件(例如，裂紋緩和堆疊)，藉由SEM之厚度量測係較佳的。
物件10及/或膜14可在可見光波長頻帶(例如，約500nm至約800nm)中具有大於或等於約10%
或更大、20%或更大、30%或更大、40%或更大、50%或更大、60%或更大、約65%或更大、約70%或更大、約75%或更大、約80%或更大、約85%或更大、約90%或更大、約90.5%或更大、約91%或更大、約91.5%或更大、約92%或更大、約92.5%或更大、約93%或更大、約93.5%或更大、約94%或更大、約94.5%或更大、約95%或更大、約95.5%或更大、約96%或更大、約96.5%或更大、約97%或更大、約97.5%或更大、約98%或更大、約98.5%或更大、約99%或更大、或約99.5%或更大之平均及/或局部光學或光透射率。術語「光學透射率」係指透射穿過介質之光的量。光學透射率之量測值係進入介質之光的量與離開介質之光的量之間的差。換言之，光學透射率係穿過介質且不被吸收或散射的光。術語「適光平均透射率」係指光的透射乘以照明效率函數的譜平均數，如由CIE標準觀測者所描述。可根據美國測試與材料學會(American Society for Testing and Materials)之標準D1003量測物件10及/或膜14之光學透射率。
物件10及/或膜14可具有小於或等於約10%、9%、8%、7%、6%、5%、4%、3%、2%或小於或等於約1%的濁度。與光學透射率類似地，可根據美國測試與材料學會之標準D1003量測物件10及/或膜14之濁度。
物件10及/或膜14可具有低可見光反射率。
舉例而言，膜14及/或物件10在可見光波長範圍(例如，約500nm至約800nm)內之反射率的適光平均值可為約20%或更小、約10%或更小、約5%或更小、約4.5%或更小、約4%或更小、約3.5%或更小、約3%或更小、約2.5%或更小、約2%或更小、約1.5%或更小、約0.9%或更小、約0.5%或更小、約0.4%或更小、或約0.3%或更小。如本文中所使用，適光反射率藉由根據人眼之敏感性權重反射率對波長譜來模擬人眼回應。根據已知慣例，諸如CIE色彩空間慣例，適光反射率亦可定義為反射光之照度或三色激勵Y值。平均適光反射率在方程式(1)中定義為光譜反射率R(λ)乘以照明體頻譜(λ)及CIE色彩匹配函數
，其與眼睛的光譜回應有關：
在一些情況下，包括膜14之物件10可展現當在照明體下方與法向入射之各個入射照明角度下觀察時由該物件展現之約10或更小、約5或更小、或甚至約2或更小之色彩偏移。在一些情況下，色彩偏移係約1.9或更小、1.8或更小、1.7或更小、1.6或更小、1.5或更小、1.4或更小、1.3或更小、1.2或更小、1.1或更小、1.0或更小、0.9或更小、0.8或更小、0.7或更小、0.6或更小、0.5或更小、0.4或更小、0.3或更小、0.2或更小、或0.1或更小。在一些實施例中，色彩偏移可為約0。照明體可包括如由CIE判定之標準照明體，包
括A系列照明體(表示鎢燈絲發光)、B系列照明體(表示模擬日光之照明體)、C系列照明體(表示模擬日光之照明體)、D系列照明體(表示自然光)及F系列照明體(表示各種類型之發螢光體)。在特定實例中，當在CIE F2、F10、F11、F12或D65照明體下方與法向入射之入射照明角度下觀察時，物件10展現約2或更小之色彩偏移。
入射照明角度可在遠離法向入射自約0度至約80度、自約0度至約75度、自約0度至約70度、自約0度至約65度、自約0度至約60度、自約0度至約55度、自約0度至約50度、自約0度至約45度、自約0度至約40度、自約0度至約35度、自約0度至約30度、自約0度至約25度、自約0度至約20度、自約0度至約15度、自約5度至約90度、自約5度至約80度、自約5度至約70度、自約5度至約65度、自約5度至約60度、自約5度至約55度、自約5度至約50度、自約5度至約45度、自約5度至約40度、自約5度至約35度、自約5度至約30度、自約5度至約25度、自約5度至約20度、自約5度至約15度及其間之所有範圍及子範圍的範圍內。
物件10可展現本文中描述之在遠離法向入射自約0度至約80度之範圍內之所有入射照明角度處及沿著該等入射照明角度之最大色彩偏移。在一個實例中，該物件可展現在遠離法向入射自約0度至約60度、自約2
度至約60度或自約5度至約60度之範圍內的任何入射照明角度處之2或更小的色彩偏移。該色彩偏移根據方程式(2)給出：
其中a*1及b*1係當在法向入射下觀察時物件之色彩座標，且a*2及b*2係在入射照明角度下觀察之物件10的色彩座標。當在法向入射下及在入射照明角度下觀察時物件10之色彩座標係以透射率或以反射率計。
根據各個實例，其上安置有膜14之物件10的經塗佈表面可展現如藉由約100nm或更大之壓痕深度下之Berkovich奈米壓痕量測之約8GPa或更大、約9GPa或更大、約10GPa或更大、約11GPa或更大、約12GPa或更大、約13GPa或更大、約14GPa或更大、約15GPa或更大、約16GPa或更大、約17GPa或更大、約18GPa或更大之最大硬度。硬度係藉由「Berkovich壓頭硬度測試(Berkovich Indenter Hardness Test)」量測，其包括藉由用金剛石Berkovich壓頭壓印表面量測其表面上之材料的硬度。
如本文中所使用，膜14之「最大硬度值」報告為使用Berkovich壓頭硬度測試在膜14之外部(例如，頂部或空氣)表面上量測，且膜14之「最大硬度值」報告為(在應用額外層或結構之前)使用Berkovich壓頭硬度測試在膜14之頂部表面上量測。更特定地，根據
Berkovich壓頭硬度測試，如本文中報告之薄膜塗層之硬度係使用廣泛接受之奈米壓痕實踐判定。參見：Fischer-Cripps,A.C.之Critical Review of Analysis and Interpretation of Nanoindentation Test Data(Surface & Coatings Technology,200,4153-4165(2006))(在下文中為「Fischer-Cripps」)；及Hay,J.、Agee,P與Herbert,E.之Continuous Stiffness measurement During Instrumented Indentation Testing(Experimental Techniques,34(3)86-94(2010))(在下文中為「Hay」)。對於塗層，通常依據壓痕深度量測硬度及模數。只要塗層具有足夠厚度，接著便可能使塗層之性質與所得之回應分佈曲線分離。應認識到，若塗層太薄(例如，小於約500nm)，則完全分離塗層性質可能係不可能的，此係因該等性質可受可具有不同機械性質之基板的接近性影響。參見Hay。本文中用以報告性質的方法表示塗層本身。該製程係量測硬度及模數對壓痕深度向外至接近1000nm之深度。在較軟玻璃上有硬質塗層的情況下，回應曲線將顯示相對小壓痕深度(小於或等於約200nm)下之最高硬度及模數位準。在較深壓痕深度下，由於回應受較軟玻璃基板的影響，硬度及模數兩者將逐漸變小。在此情況下，塗層硬度及模數視為與展現最大硬度及模數之區域相關聯。在較硬質玻璃基板上有軟塗層的情況下，將由在相對小壓痕深度下發生之
最低硬度及模數位準指示塗層性質。在較深壓痕深度下，硬度及模數將歸因於較硬質玻璃之影響而逐漸增加。可使用傳統Oliver及Pharr方法(參見Fischer-Cripps)或者藉由更有效的連續剛度方法(參見Hay)獲得此等硬度及模數對深度之分佈曲線。
舉例而言，第11圖說明隨塗層之壓痕深度及厚度變化的所量測硬度值的改變。如第11圖中所示，在中間壓痕深度處(硬度接近且維持在最高位準處)且在較深壓痕深度處量測之硬度取決於材料或層之厚度。第11圖說明具有不同厚度之AlOxNy之四個不同層的硬度回應。使用Berkovich壓頭硬度測試量測每一層之硬度。500nm厚層在自約100nm至180nm之壓痕深度處展現其最大硬度，隨後在自約180nm至約200nm之壓痕深度處硬度急劇減小，指示基板之硬度影響硬度量測。1000nm厚層在自約100nm至約300nm之壓痕深度處展現最大硬度，隨後在大於約300nm之壓痕深度處，硬度急劇減小。1500nm厚層在自約100nm至約550nm之壓痕深度處展現最大硬度，且2000nm厚層在自約100nm至約600nm之壓痕深度處展現最大硬度。雖然第11圖說明厚單層，但在較薄塗層及包括多個層諸如本文中描述之實施例之膜14的塗層中觀測到相同行為。
如上所述，藉由Berkovich金剛石壓頭尖端，使用金剛石奈米壓痕方法量測本文中報告之此類薄膜之
彈性模數及硬度值。
根據各個實例，膜14包括安置於主表面18A上方之第一部分14A、安置於第一部分14A上方之一或多個中斷層14B及安置於一或多個中斷層14B上方之第二部分14C。應理解，部分14A、14C及中斷層14B之交替結構可穿過膜14重複複數個次。舉例而言，第1B圖中之膜14的實例在第二組中斷層14B上方提供第三部分14D。膜14可另外併入複數個阻抗匹配層22及/或抗反射層26。如此項技術中所理解，阻抗匹配層22可經配置以減小藉由膜14返回至玻璃基基板18中之光反射。第一部分14A、第二部分14C及第三部分14D中之每一者可另外包括體塊層30。膜14界定定位於抗反射膜26之外表面或體塊層30上的膜表面14E。如下文將更詳細地解釋，可控制或修改膜14之微結構以調整表面14E之粗糙度。易於清洗(easy-to-clean；ETC)塗層34可定位於膜14之表面14E上。如下文將更詳細地解釋，對表面14E之粗糙度的控制可影響ETC塗層34之耐久性。
如第1A圖及第1B圖中所示，光學膜14包括抗反射塗層26，其可包括複數個層(26A、26B)。在一或多個實例中，抗反射塗層26可包括包括兩個或更多個層的段。在一或多個實例中，兩個或更多個層可表徵為具有彼此不同的折射率(refractive indices；RI)。根據各個實例，該段包括第一低RI層26A及第二高RI層
26B。第一低RI層與第二高RI層之折射率的差可為約0.01或更大、0.05或更大、0.1或更大或甚至0.2或更大。抗反射塗層26可包括額外蓋層，其可包括低於第二高RI層26B之折射率材料。
抗反射塗層26可包括複數個段。單個段包括第一低RI層26A及第二高RI層26B，使得當提供複數個段時，第一低RI層26A及第二高RI層26B以重複順序交替，使得第一低RI層26A與第二高RI層26B呈現為沿著抗反射塗層26之實體厚度交替。抗反射塗層26可包括自約1至約25個段、約2至約20個段、自約2至約15個段、自約2至約10個段、自約2至約12個段、自約3至約8個段、自約3至約6個段。
在一些實例中，該段可包括一或多個第三層。第三層可具有低RI、高RI或中等RI。在一些實例中，第三層可具有與第一低RI層26A或第二高RI層26B相同的RI。在其他實例中，第三層可具有介於第一低RI層26A之RI與第二高RI層26B之RI之間的中等RI。替代性地，第三層可具有大於第二高RI層26B之折射率。
如本文中所使用，術語「低RI」、「高RI」及「中等RI」係指相對於另一者之RI值(例如，低RI<中等RI<高RI)。在一或多個實例中，術語「低RI」當與第一低RI層26A或與第三層一起使用時包括自約1.3至約1.7或1.75之範圍。在一或多個實例中，術語
「高RI」當與第二高RI層26B或與第三層一起使用時包括自約1.7至約2.5(例如，約1.85或更大)之範圍。在一些實例中，術語「中等RI」當與第三層一起使用時包括自約1.55至約1.8之範圍。在一些情況下，低RI、高RI及中等RI之範圍可重疊；然而，大多數情況下，抗反射塗層26之層具有關於RI之一般性關係：低RI<中等RI<高RI。
適於在抗反射塗層26中使用之例示性材料包括：SiO2、Al2O3、GeO2、SiO、AlOxNy、AlN、SiNx、SiOxNy、SiuAlvOxNy、Ta2O5、Nb2O5、TiO2、ZrO2、TiN、MgO、MgF2、BaF2、CaF2、SnO2、HfO2、Y2O3、MoO3、DyF3、YbF3、YF3、及/或CeF3，其中x、y、u及v可為具有自約1至約10之值的整數。適於在抗反射塗層26中使用之材料的另外實例包括聚合物、含氟聚合物、電漿聚合的聚合物、矽氧烷聚合物、倍半矽氧烷、聚醯亞胺、氟化聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚醚碸、聚苯礬、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二酯、丙烯酸類聚合物、胺甲酸乙酯聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯、如下文所述適於在ETC塗層34中使用之其他材料，及此項技術中已知之其他材料。適合在第一低RI層26A中使用之材料的一些實例包括SiO2、Al2O3、GeO2、SiO、AlOxNy、SiOxNy、SiuAlvOxNy、MgO、MgAl2O4、MgF2、BaF2、CaF2、DyF3、YbF3、YF3及CeF3。在第一低RI層26A中使用之材料的氮
含量可減到最少(例如，在諸如Al2O3及MgAl2O4之材料中)。適合在第二高RI層26B中使用之材料的一些實例包括SiuAlvOxNy、Ta2O5、Nb2O5、AlN、Si3N4、AlOxNy、SiOxNy、HfO2、TiO2、ZrO2、Y2O3、Al2O3、MoO3、多晶矽、銦錫氧化物、金剛石、奈米結晶金剛石及類金剛石碳。第二高RI層26B之材料的氧含量可減到最少，尤其係在SiNx或AlNx材料中。AlOxNy材料可被視為氧摻雜AlNx，亦即，其可具有AlNx晶體結構(例如，纖鋅礦)且不必具有AlON晶體結構。
如本文中所使用，如本揭示案之領域中之普通技術人員所理解，本揭示案中之「AlOxNy」、「SiOxNy」及「SiuAlxOyNz」材料包括根據針對下標「u」、「x」、「y」及「z」之某些數值及範圍描述之各種氮氧化鋁、氮氧化矽及氮氧化矽鋁材料。亦即，常見用「整數化學式」描述式諸如Al2O3來描述固體。亦常見使用等效「原子分數化學式」描述式諸如等效於Al2O3之Al0.4O0.6來描述固體。在原子分數化學式中，化學式中之所有原子的總和係0.4+0.6=1，且化學式中之Al與O的原子分數分別係0.4與0.6。原子分數描述式在諸多普通教科書中描述原子分數描述式且原子分數描述式通常用以描述合金。舉例而言，參見：(i)Charles Kittel之Introduction to Solid State Physics(第七版，John Wiley & Sons,Inc.，美國紐約，1996年，第611至627頁)；(ii)Smart and Moore之Solid
State Chemistry(An introduction，Chapman & Hall University and Professional Division，英國倫敦，1992年，第136至151頁)；及(iii)James F.Shackelford之Introduction to Materials Science for Engineers(第六版，Pearson Prentice Hall，美國新澤西州，2005年，第404至418頁)。
再次參考本揭示案中之「AlOxNy」、「SiOxNy」及「SiuAlxOyNz」材料，下標允許此項技術中普通技術人員將此等材料視作一類材料而不指定特定下標值。為一般性地討論合金諸如氧化鋁，而不指定特定下標值，吾人討論AlvOx。描述式AlvOx可表示Al2O3或Al0.4O0.6。若v+x選擇為加起來共計1(亦即，v+x=1)，則該化學式將為原子分數描述式。類似地，可描述更複雜混合物，諸如SiuAlvOxNy，其中再次，若總和u+v+x+y等於1，則將具有原子分數描述式情況。
再次參考本揭示案中之材料「AlOxNy」、「SiOxNy」及「SiuAlxOyNz」，此等注釋允許此項技術中普通技術人員容易將此等材料於其他材料進行比較。亦即，原子分數化學式有時較易於在比較中使用。例如，由(Al2O3)0.3(AlN)0.7組成之實例合金接近等效於化學式描述式Al0.448O0.31N0.241及Al367O254N198。由(Al2O3)0.4(AlN)0.6組成之另一實例合金接近等效
於化學式描述式Al0.438O0.375N0.188及Al37O32N16。原子分數化學式Al0.448O0.31N0.241及Al0.438O0.375N0.188相對易於彼此進行比較。例如，Al減小原子分數0.01，O增加原子分數0.065且N減小原子分數0.053。進行更詳細計算及考慮以比較整數化學式描述式Al367O254N198與Al37O32N16。因而，有時較佳為使用固體之原子分數化學式描述式。儘管如此，使用AlvOxNy係通常做法，此係由於其囊括含有Al、O及N原子之任何合金。
如本揭示案之領域中之普通技術人員關於光學膜14之前述材料(例如，AlN)中之任一者所理解，「u」、「x」、「y」及「z」下標中之每一者可自0至1變化，下標之總和將小於或等於一，且組成物之餘量係材料中之第一元素(例如，Si或Al)。另外，熟習此項技術者可認識到「SiuAlxOyNz」可經配置為使得「u」等於零且材料可描述為「AlOxNy」。更進一步地，光學膜14之前述組成物不包括之下標之組合，從而將產生純元素形式(例如，純矽、純鋁金屬、氧氣等)。最終，此項技術中普通技術人員亦將認識到，前述組成物可包括不明確地表示之其他元素(例如，氫)，此可產生非化學計量的組成物(例如，SiNx對Si3N4)。因此，用於光學膜14之前述材料可指示SiO2-Al2O3-SiNx-AlN或SiO2-Al2O3-Si3N4-AlN相圖內之可用空間，此取決於前述組成物表示中之下標的值。
在一或多個實例中，抗反射塗層26之層中之至少一者可包括特定光學厚度範圍。如本文中所使用，術語「光學厚度」係藉由(n*d)判定，其中「n」係指子層之RI且「d」係指層之實體厚度。在一或多個實例中，抗反射塗層26之層中之至少一者可包括在自約2nm至約200nm、自約10nm至約100nm、自約15nm至約100nm、自約15至約500nm或自約15至約5000nm之範圍內的光學厚度。在一些實例中，抗反射塗層26中之所有層可各自具有在自約2nm至約200nm、自約10nm至約100nm、自約15nm至約100nm、自約15nm至約500nm或自約15nm至約5000nm之範圍內的光學厚度。在一些情況下，抗反射塗層26之至少一個層具有約50nm或更大之光學厚度。在一些情況下，第一低RI層26A中之每一者具有在自約2nm至約200nm、自約10nm至約100nm、自約15nm至約100nm、自約15至約500nm或自約15nm至約5000nm之範圍內的光學厚度。在其他情況下，第二高RI層26B中之每一者具有在自約2nm至約200nm、自約10nm至約100nm、自約15nm至約100nm、自約15至約500nm或自約15nm至約5000nm之範圍內的光學厚度。
在一或多個實例中，抗反射塗層26具有約800nm或更小之實體厚度。抗反射塗層26可具有在自約10nm至約800nm、自約50nm至約800nm、
自約100nm至約800nm、自約150nm至約800、自約200nm至約800nm、自約10nm至約750nm、自約10nm至約700nm、自約10nm至約650nm、自約10nm至約600nm、自約10nm至約550nm、自約10nm至約500nm、自約10nm至約450nm、自約10nm至約400nm、自約10nm至約350nm、自約10nm至約300nm、自約50至約300及其間之所有範圍及子範圍的範圍內的實體厚度。
在一些實例中，當僅在抗反射塗層26處量測時(例如，當諸如經由使用背表面上耦接至吸收體之折射率匹配油或其他已知方法，自物件10之未經塗佈背表面移除反射時)，抗反射塗層26及因而膜14在光波長範圍內展現約9%或更小、約8%或更小、約7%或更小、約6%或更小、約5%或更小、約4%或更小、約3%或更小或約2%或更小之平均光反射率。平均反射率(其可為適光平均值)可在自約0.4%至約9%、自約0.4%至約8%、自約0.4%至約7%、自約0.4%至約6%或自約0.4%至約5%及其間之所有範圍的範圍內。在一些情況下，抗反射塗層26在諸如自約420nm至約650nm、自約420nm至約680nm、自約420nm至約700nm、自約420nm至約740nm、自約420nm至約850nm或自約420nm至約950nm之其他波長範圍內展現此類平均光反射率。在一些實例中，抗反射塗層26在光波長範圍內展現約90%或更大、92%或更大、94%或更大、
96%或更大、或98%或更大之平均光透射。除非另作說明，否則在自約0度至約10度之入射照明角度下量測平均反射率或透射率(然而，可在45度或60度之入射照明角度下提供此類量測)。
根據採用中斷層14B之膜14之各種實施例，中斷層14B亦可用以修整粗糙度並且提供對可見範圍外部(例如，紅外線範圍內或其他波長範圍內)之波長的高透明度。中斷層14B之光學干涉設計可調諧至在控制膜14之微結構的同時提供紅外線透明度。舉例而言，膜14可針對諸如約750nm至約2000nm、約750至約950nm、約900至約1200nm、約1150nm至約1400nm、約1350nm至約1650nm、約1000nm至約2000nm及其中之所有範圍及子範圍之所關注紅外波長範圍具有大於10%、大於20%、大於50%或甚至大於80%之透射率。
如上文所解釋，在包括抗反射塗層26之層合物件10的實例中，膜14之表面14E可藉由抗反射塗層26界定。抗反射塗層26可具有與其上定位有抗反射塗層26之體塊層30實質上相同之晶體結構及微晶大小。因而，可能有利的係控制體塊層30之微晶大小以使得抗反射膜26之微晶大小受到控制。在不包括抗反射層26之層合物件10的實例中，其上定位有ETC塗層34之表面14E可藉由體塊層30中之一者界定。
第一部分14A、第二部分14C及/或第三部
分14D可具有自約50nm至約10μm或自約0.1μm至約5μm或自約0.1μm至約2μm的厚度。第一部分14A、第二部分14C及/或第三部分14D可在可見光波長頻帶(例如，約500nm至約800nm)內具有大於或等於約10%或更大、約20%或更大、約30%或更大、約40%或更大、約50%或更大、約60%或更大、約65%或更大、約70%或更大、約75%或更大、約80%或更大、約85%或更大、約90%或更大、約90.5%或更大、約91%或更大、約91.5%或更大、約92%或更大、約92.5%或更大、約93%或更大、約93.5%或更大、約94%或更大、約94.5%或更大、約95%、約95.5%或更大、約96%或更大、約96.5%或更大、約97%或更大、約97.5%或更大、約98%或更大、約98.5%或更大、約99%或更大、或約99.5%或更大的平均及/或局部光學或光透射率。應理解，第一部分14A、第二部分14C及/或第三部分14D之透射率亦可個別地應用於體塊層30。
第一部分14A、第二部分14C及第三部分14D之體塊層30可包括AlNx、AlOxNy、AlN、Si3N4、SiOxNy、SiuAlvOxNy、Al2O3、ZrO2、其他光學透明及硬質材料及/或其組合。應理解，u、x、y及v可為具有自約1至約10之值的整數。根據各個實例，體塊層30之材料可包括多晶或半晶的晶體結構。應理解，體塊層30中之每一者可包括與其他體塊層30相同或不同的
材料。舉例而言，膜14之第一部分14A、第二部分14C及第三部分14D可包括多晶或半晶材料，包括AlOxNy，其中x(表示氧相對於鋁之莫耳分數)係自約0.02至約0.25；且其中y(表示氮相對於鋁之莫耳分數)係自約0.75至約0.98。
體塊層30可具有約100nm或更大、約200nm或更大、約300nm或更大、約400nm或更大、約500nm或更大、約600nm或更大、約700nm或更大、約800nm或更大、約900nm或更大、約1000nm或更大、約1100nm或更大、約1200nm或更大、約1300nm或更大、約1400nm或更大或約1500nm或更大的厚度。體塊層30中之每一者可具有相同厚度或不同厚度。根據各個實例，體塊層30可構成第一部分14A、第二部分14C或第三部分14D之一部分、大部分或實質上全部。舉例而言，體塊層30可構成第一部分14A、第二部分14C或第三部分14D之總厚度的約10%或更大、約20%或更大、約30%或更大、約40%或更大、約50%或更大、約60%或更大、約70%或更大、約80%或更大、約90%或更大、約95%或更大、或約99%或更大。
根據各個實例，體塊層30中之一或多者與中斷層14B中之至少一者接觸。膜14可包括單個或複數個中斷層14B。中斷層14B可均勻地或不均勻地分散在整個膜14中，或可經分組。在描繪之實例中，中斷層14B
分組定位，或以其中間隔層38定位於中斷層14B之間的三個為一序列的方式定位。應理解，在不脫離本文中提供之教示的情況下，中斷層14B之分組實例可包括2、4、5、6、7、8、9、10或更多中斷層14B。
間隔層38可具有約100nm或更小、90nm或更小、80nm或更小、70nm或更小、60nm或更小、50nm或更小、40nm或更小、30nm或更小、20nm或更小、10nm或更小、9nm或更小、8nm或更小、7nm或更小、6nm或更小、5nm或更小、4nm或更小、3nm或更小、2nm或更小或1nm或更小之厚度。間隔層38可包括AlNx、AlOxNy、AlN、Si3N4、SiOxNy、SiuAlvOxNy、ZrO2、Al2O3、SiO2及/或其組合。應理解，x、y、u及v可為具有自約1至約10之值的整數。雖然描繪為包括將中斷層14B隔開的單個間隔層38，但應理解，間隔層38中之每一者可包括若干子層且/或多個間隔層38將中斷層14B隔開。
根據各個實例，中斷層14B中之一或多者可具有不同於第一部分14A、第二部分14C及第三部分14D中之一者的微結構。舉例而言，第一部分14A、第二部分14C及第三部分14D可具有晶體、多晶及/或半晶微結構，而中斷層14B中之一或多者可具有不同的晶體、多晶、半晶、多孔及/或非晶微結構。此類特徵可有利於減小生長於中斷層14B頂部之體塊層30的平均晶粒大小或微晶大小。舉例而言，藉由在中斷層14B中之
一者上形成、沉積及/或生長體塊層30中之一者，中斷層14B相對於體塊層30之不同微結構可產生體塊層30之細微晶大小之多晶及/或半晶實例。使用中斷層14B隔開各個部分14A、14C、14D之體塊層30，可減小膜14之表面14E上平均微晶大小。
根據各個實例，中斷層14B之機械性質可不同於體塊層30及/或第一部分14A、第二部分14C及第三部分14D之機械性質(例如，歸因於微結構及/或材料的差異)。因而，物件10之機械性質可受中斷層14B之微結構之選擇控制。舉例而言，若中斷層14B經配置以具有機械強度低於第一部分14A、第二部分14C或第三部分14D之多孔微結構，則中斷層14B可充當可修改物件10之斷裂行為的裂紋偏轉層。
中斷層14B可具有約100nm或更小、90nm或更小、80nm或更小、70nm或更小、60nm或更小、50nm或更小、40nm或更小、30nm或更小、20nm或更小、10nm或更小、9nm或更小、8nm或更小、7nm或更小、6nm或更小、5nm或更小、4nm或更小、3nm或更小、2nm或更小、或1nm或更小之厚度。根據又一實例，中斷層14B中之一或多者可具有約1nm或更大、約2nm或更大、約3nm或更大、約4nm或更大、約5nm或更大、約6nm或更大、約7nm或更大、約8nm或更大、約9nm或更大、約10nm或更大、約20nm或更大、約30nm或更大、
約40nm或更大或約50nm或更大之厚度。中斷層14B之厚度可全部相同或可不同。由於中斷層14B可相對於膜14之體塊層30為薄的，因此中斷層14B個別地或總體上之厚度可佔膜14或第一部分14A、第二部分14C及/或第三部分14D中之任一者之總厚度的約20%或更小、約19%或更小、約18%或更小、約17%或更小、約16%或更小、約15%或更小、約14%或更小、約13%或更小、約12%或更小、約11%或更小、約10%或更小、約9%或更小、約8%或更小、約7%或更小、約6%或更小、約5%或更小、約4%或更小、約3%或更小、約2%或更小、或約1%或更小。由於中斷層14B構成膜14之相對低的總厚度，因此體塊層30之光學及/或機械性質可支配膜14之光學及/或機械性質。換言之，中斷層14B之薄度允許體塊層30支配膜14之光學及/或機械性質。
如上文所解釋，中斷層14B可包括具有不同於體塊層30之微結構的材料。中斷層14B可包括金屬、絕緣體及/或含碳材料(例如，無定形碳、DLC、C-70及/或石墨材料)以及碳化物膜諸如碳化鎢，或亦可利用SiC。根據一些實例，中斷層14B可包括薄金屬膜，諸如W及/或Mo。根據又其他實例，非金屬材料可用於中斷層14B，諸如Al2O3、TiO2、SiO2、Nb2O5、SiOC、SiNx、AlNx及Y2O3-ZrO2。亦可在中斷層14B中利用其他氧化物、氮化物或碳氧化物。中斷層14B可經由靜電沉積
及/或上文結合膜14所描述之方法中之任一者應用於體塊層30。材料諸如Al2O3可取決於膜沉積製程、電漿能量、電離及溫度而為晶體或非晶體。在一些情況下，中斷層14B可具有與體塊層30相同的化學組成物，但在沉積製程中使用改變，體塊層30可具有高於中斷層14B之密度及/或結晶度(亦即，不同微結構)。可經由反應性濺鍍製程形成中斷層14B之非晶形Al2O3及SiO2膜實例。
中斷層14B可具有與第一部分14A、第二部分14C及/或第三部分14D之體塊層30顯著不同之折射率(例如，約0.1折射率單位差或更大、約0.5折射率單位差或更大、約1.0折射率單位差或更大)，同時經由層設計仍維持極高光學透射。舉例而言，中斷層14B可在550nm之波長下與體塊層30及/或間隔層具有約0.12或更大、0.15或更大、0.2或更大、0.3或更大、或0.4或更大之折射率差。中斷層14B可在可見光波長頻帶(例如，約450nm至約650nm)中具有大於或等於約10%或更大、約20%或更大、約30%或更大、約40%或更大、約50%或更大、約60%或更大、約65%或更大、約70%或更大、約75%或更大、約80%或更大、約85%或更大、約90%或更大、約90.5%或更大、約91%或更大、約91.5%或更大、約92%或更大、約92.5%或更大、約93%或更大、約93.5%或更大、約94%或更大、約94.5%或更大、約95%、約95.5%或
更大、約96%或更大、約96.5%或更大、約97%或更大、約97.5%或更大、約98%或更大、約98.5%或更大、約99%或更大、或約99.5%或更大之平均及/或局部光學或光透射率。中斷層14B與體塊層30之折射率對比通常可為高，需要謹慎的光學設計及層厚度控制以便獲得所要光學透射率。
如上文所解釋，中斷層14B經配置以修改第一部分14A、第二部分14C及/或第三部分14D之體塊層30的晶體生長行為。舉例而言，隨著第一部分14A之體塊層30(例如，多晶及/或半晶Al2O3、ZrO2或AlOxNy)生長及/或沉積(例如，經由氣相沉積)，體塊層30經歷體塊層30之晶粒變粗。換言之，體塊層30始於細晶粒大小，且隨著體塊層30之沉積繼續，晶體晶粒在柱狀方向上生長且變得愈來愈大，從而包圍其他較小晶體。若任其發展，則膜14之表面可歸因於存在大晶體或粗晶粗晶體而展現高粗糙度。此類結果可在該膜中係不利的，因此應用於膜14之粗糙表面之塗層及層可展現相同粗糙度並且經歷有害機械性質(高摩擦、不良磨損容限等)。因而，藉由引入具有不同於體塊層30之微結構的中斷層14B，可中斷、破壞或重置大晶體之生長。體塊層30之生長點之中斷或重置允許體塊層30之晶粒大小再次始於細晶粒。使用中斷層14B可允許在距離中斷層14B約100nm內之膜14之第二部分14C或第三部分14D具有小於在距離中斷層14B約100nm內之第一部分14A
之平均微結構晶體大小的平均微結構晶體大小。可在同時保持其他產品或製程優點諸如膜14之高硬度、高韌性、高膜密度、高光學透明度或高沉積速率的情況下達成細晶粒結構。
使用中斷層14B可減小體塊層30及/或抗反射塗層26之最終晶粒或微晶大小。此類平均晶粒大小之減小可產生低至足以使對ETC塗層34之效應降至最低之表面粗糙度。「粗糙度」、「平均表面粗糙度」或類似術語係指在微觀層級或以下，不均勻或不規則表面狀況，諸如平均均方根(root mean squared；RMS)粗糙度(Rq)。Ra計算為量測之表面微觀峰值及谷值之粗糙度平均值。Rq計算為量測之表面微觀峰值與谷值之RMS。當依據Rq描述時，粗糙度可為約20奈米或更小、約19nm或更小、約18nm或更小、約17nm或更小、約16nm或更小、約15nm或更小、約14nm或更小、約13nm或更小、約12nm或更小、約11nm或更小、約10nm或更小、約9nm或更小、約8nm或更小、約7nm或更小、約6nm或更小、約5nm或更小、約4nm或更小、約3nm或更小、約2nm或更小或約1nm或更小。當依據Ra描述時，粗糙度可為約20nm或更小、約19nm或更小、約18nm或更小、約17nm或更小、約16nm或更小、約15nm或更小、約14nm或更小、約13nm或更小、約12nm或更小、約11nm或更小、約10nm或更小、約9nm或更小、約8nm
或更小、約7nm或更小、約6nm或更小、約5nm或更小、約4nm或更小、約3nm或更小、約2nm或更小或約1nm或更小。
ETC塗層34定位於膜14之第二部分14C及第三部分14D之抗反射層26的頂部。根據各個實例，ETC塗層34包括氟化材料(例如，全氟聚醚(perfluoropolyether；PFPE)矽烷、全氟烷基醚、PFPE油或其他適合的氟化材料)。根據一些實例，ETC塗層34之厚度係自約1nm至約20nm。在其他態樣中，ETC塗層34之厚度在自1nm至約200nm、1nm至約100nm及1nm至約50nm之範圍內。在一些實例中，ETC塗層34可具有自約0.5nm至約50nm、自約1nm至約25nm、自約4nm至約25nm或自約5nm至約20nm之厚度。在其他實例中，ETC塗層34可具有自約10nm至約50nm之厚度。
各個源材料可用以形成ETC塗層34。ETC塗層源材料可包括全氟聚醚(perfluoropolyether；PFPE)矽烷、全氟聚醚(perfluoropolyether；PFPE)烷氧基矽烷、此等PFPE之共聚物及此等PFPE之混合物。舉例而言，ETC塗層34可包括化學式為[CF3(CF2CF2O)a]ySiX4-y之全氟聚醚(PFPE)矽烷，其中a係自5至50，y=1或2，且X係-Cl、乙醯氧基、-OCH3或-OCH2CH3，其中全氟聚醚鏈總長係自矽原子至最大長度之鏈端的6至130個碳原子。在其他態
樣中，以上化學式中之「a」可在自約10至30之範圍內。此外，應理解，上述PFPE化學式係適於在本揭示案之ETC塗層34中使用之諸多類型之PFPE中之一者；因此，其提供為不預期以任何方式限制適用於本揭示案之ETC塗層34之化學式或化學式之混合物的例示性化學。因而，可在ETC塗層34中採用其他PFPE，其在全氟聚醚鏈及/或附連化學之結構上相對於上文提供之例示性形式具有變化。舉例而言，來自Daikin Industries之OptoolTM UF503氟化塗層材料係可用於ETC塗層34之另一適合PFPE。如本文中所使用，以奈米計之碳鏈長度係沿著鏈之最大長度之碳-碳鍵數目乘以0.154nm之碳-碳單鍵長度的乘積。在一些實例中，全氟聚醚(perfluoropolyether；PFPE)基團之碳鏈長度可在自約0.1nm至約50nm、自約0.5nm至約25nm或自約1nm至約20nm之範圍內。
亦如較早所述，ETC塗層34之實例可包括PFPE油。根據一些實例，ETC塗層34中採用之PFPE油可溶解於直接鍵合至光學膜14之ETC組分中。一般而言，PFPE油表徵為抗氧化性。在其他態樣中，ETC塗層34之PFPE油係安置於直接鍵合至光學膜14及/或體塊層30之ETC組件上方之分立層。在另外態樣中，ETC塗層34之PFPE油係溶解層與分立層之組合。根據一些實例，ETC塗層34中採用之PFPE油可包括Solvay Fomblin® Z型油、Fomblin® Y型油、
Fomblin® K型油、來自The Chemours Company之KrytoxTM K型油、來自Daikin Industries之DemnumTM型油或其他類似PFPE油。
根據各個實例，ETC塗層34表徵為高耐久性。因此，在根據鋼絲棉測試(亦即，如下所述)在1kg負載下經受2000個往復循環之後，ETC塗層34之暴露表面之一些實例具有與水之70°或更大之平均接觸角。ETC塗層34之暴露表面亦可在根據鋼絲棉測試在1kg負載下經受3500個往復循環之後，包括與水之70°或更大之平均接觸角。在其他態樣中，在根據鋼絲棉測試之2000或3500個此類循環之後，ETC塗層34之暴露表面保持與水之70°或更大、75°、80°、85°、90°、95°、100°、105°、110°或115°之平均接觸角(包括此等位準之間的所有平均接觸角)。
如本文中所使用，「鋼絲棉測試」係用以判定安置於本揭示案之物件中採用之玻璃、玻璃陶瓷或陶瓷基板(例如，玻璃基基板18)上方之ETC塗層34之耐久性的測試。在鋼絲棉測試開始時，一或多次量測特定樣本上之水接觸角以獲得可靠的初始水接觸角。使用Kruss GmbH DSA100點滴狀分析器或類似儀器進行此等水接觸角量測。在量測初始水接觸角之後，Bonstar #_0000鋼絲棉之襯墊附著至Taber® Industries 5750線性磨料儀器之臂。接著允許鋼絲棉襯墊在1kg負載下與(ETC塗層34上之)樣本接觸並且被設定為以60個循環
/分鐘往復運動。接著在2000個循環、3500個循環及/或另一指定持續時間之後，在樣本上量測平均接觸角。
根據各個實例，物件10可具有穿過ETC塗層34及玻璃、玻璃陶瓷或陶瓷基板18之小於或等於約5%之濁度。在某些態樣中，該濁度穿過ETC塗層34及玻璃基基板18等於或小於5%、4.5%、4%、3.5%、3%、2.5%、2%、1.5%、1%、0.75%、0.5%或0.25%或更小(包括此等位準之間的所有位準之濁度)。在其他情況下，物件10之實例併入有可感知濁度(大於5%)作為其功能之部分，且亦包括具有高耐久性之ETC塗層34(例如，在根據鋼絲棉測試在1kg負載下經受2000個往復運動循環或3500個往復運動循環之後，具有與水之100度或更大之平均接觸角)。如本文中所使用，本揭示案中報告之「濁度」屬性及量測係在使用具有約7mm之直徑之源埠口上方之孔口之BYK-Gardner濁度計上量測或者基於來自該BYK-Gardner濁度計之量測值。
ETC塗層34可以多種方式應用或安置於膜14上。根據一些實例，可藉由各種方法包括但不限於噴塗、浸漬塗佈、旋塗及氣相沉積來沉積ETC塗層34。用於沉積ETC塗層34之氣相沉積方法可包括但不限於物理氣相沉積(「physical vapor deposition；PVD」)、電子束(「electron beam；e-beam」或「electron beam；EB」)沉積、離子輔助沉積EB(「ion-assisted deposition-EB；IAD-EB」)、雷
射燒蝕、真空電弧沉積、熱蒸發、濺鍍、電漿增強型化學氣相沉積(plasma enhanced chemical vapor deposition；PECVD)及其他類似氣相沉積技術。
根據各個實例，光學膜14亦可包括裂紋緩和層。此裂紋緩和層可禁止或防止膜14與基板18之間的裂紋橋接，因此修改或改良物件10之機械性質或強度。裂紋緩和層之實施例另外描述於美國專利申請案序列號14/052,055、14/053,093及14/053,139中，該等美國專利申請案以引用方式併入本文中。裂紋緩和層可包括裂紋鈍化材料、裂紋偏轉材料、裂紋抑制材料、韌性材料或黏附受控介面。裂紋緩和層可包含聚合物材料、奈米多孔材料、金屬氧化物、金屬氟化物、金屬材料或本文中述及之供在膜14中使用之其他材料。裂紋緩和層之結構可為多層結構，其中多層結構經設計為偏轉、禁止或防止裂紋傳播。裂紋緩和層可包括奈米晶體、奈米複合材料、變換增韌材料、多層有機材料、多層無機材料、多層交錯有機及無機材料或混合式有機-無機材料。裂紋緩和層可具有大於約2%或大於約10%之應變所致失效。此等裂紋緩和層亦可與基板18或膜14單獨地組合。如上所述，在一些情況下，中斷層14B亦可經由其機械性質設計為充當裂紋緩和層或裂紋偏轉層。
裂紋緩和層可包括韌性或奈米結構無機物，例如氧化鋅、某些Al合金、Cu合金、鋼、或穩定化四方氧化鋯(包括變換增韌、部分地穩定化、氧化釔穩定化、
二氧化鈰穩定化、氧化鈣穩定化及氧化鎂穩定化二氧化鋯)；氧化鋯增韌陶瓷(包括氧化鋯增韌氧化鋁)；陶瓷-陶瓷複合物；碳-陶瓷複合物；纖維或須晶增強陶瓷或玻璃陶瓷(例如，SiC或Si3N4纖維或須晶增強陶瓷)；金屬-陶瓷複合物；多孔或無孔混合式有機-無機材料，例如奈米複合物、聚合物-陶瓷複合物、聚合物-玻璃複合物、纖維增強聚合物、碳-奈米管或石墨-陶瓷複合物、倍半矽氧烷、聚倍半矽氧烷、或「ORMOSIL」(經有機改質氧化矽或矽酸鹽)、及/或多種多孔或無孔聚合材料，例如矽氧烷、聚矽氧烷、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸、聚醯亞胺(polyimide；PI)、氟化聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯胺亞胺(polyamideimide；PAI)、聚碳酸酯、聚碸、PSU或PPSU(聚芳碸)、含氟聚合物、含氟彈性體、內醯胺、多環烯烴，以及類似材料，包括但不限於聚二甲矽氧烷(polydimethylsiloxane；PDMS)、聚(甲基丙烯酸甲酯)(poly(methyl methacrylate)；PMMA)、苯環丁烯(benzocyclobutene；BCB)、聚乙基醚醯亞胺(polyethyletherimide；PEI)、聚(亞芳基醚)諸如聚醚醚酮(poly-ether-ether-ketone；PEEK)、聚醚碸(polyethersulfone；PES)及聚芳酯(polyarylate；PAR)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate；PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯=聚(乙烯-2,6-萘二甲酸乙二醇酯)(PEN)、氟化乙丙烯(fluorinated ethylene propylene；FEP)、聚四氟
乙烯(polytetrafluoroethylene；PTFE)、全氟烷氧基聚合物(perfluoroalkoxy；PFA，例如商標名Teflon®、Neoflon®)及類似材料。其他適合材料包括改質聚碳酸酯、一些版本之環氧化物、氰酸酯、聚苯硫醚(polyphenylsulfide；PPS)、聚亞苯基、聚吡嚨、聚喹喔啉及雙馬來醯亞胺。
根據各個實例，在基板18上形成膜14或功能性塗層之例示性方法可包括在基板18之主表面18A上沉積第一部分14A之步驟。如上文所解釋，可以多種方式包括化學氣相沉積(例如，電漿增強化學氣相沉積、低壓化學氣相沉積、大氣壓力化學氣相沉積、及電漿增強大氣壓力化學氣相沉積)、物理氣相沉積(例如，反應性或非反應性濺鍍或雷射燒蝕)、熱或電子束蒸鍍、濺鍍及/或原子層沉積來沉積第一部分14A。接下來，執行在第一部分14A上方沉積一或多個中斷層14B之步驟，該一或多個中斷層14B包括不同於第一部分14A的微結構且在自約450nm至約650nm之可見光波長範圍內具有大於約85%之光學透射率。如上文所解釋，中斷層可為非晶體、晶體或任何其他不同於第一部分14A之體塊層30之微結構的微結構。接下來，執行在一或多個中斷層14B上方沉積第二部分14C之步驟。此類步驟可包括沉積額外體塊層30。該方法可另外包括沉積一或多個中斷層14B以具有約100nm或更小之厚度的步驟。如上文所解釋，中斷層14B可具有約100nm或更小、90nm
或更小、80nm或更小、70nm或更小、60nm或更小、50nm或更小、40nm或更小、30nm或更小、20nm或更小、10nm或更小、9nm或更小、8nm或更小、7nm或更小、6nm或更小、5nm或更小、4nm或更小、3nm或更小、2nm或更小、或1nm或更小之厚度。應理解，可以任何次序執行該方法之步驟，且可在不脫離本文中提供之教示的情況下，移除及/或添加步驟。
現參考第2圖，物件10可併入至電子產品50中。雖然描繪為移動電話，但電子產品50可為平板電腦、可攜式音樂裝置、電視、電腦監視器、或可圖形地顯示資訊(例如，視訊、圖片等)之任何種類的電子產品50。電子產品50包括具有前表面、背表面及側表面之殼體54。電組件至少部分地安置於殼體54內。電組件可至少包括控制器、記憶體及顯示器。顯示器可位於殼體54之前表面處或鄰近處。護罩玻璃58安置於顯示器上方。根據各個實例，殼體54或護罩玻璃58之部分包括如本文中所描述之物件10。
使用本揭示案可提供多種優點。第一，使用中斷層14B允許多晶或半晶體塊層30在維持高硬度、高光學透明度及低色彩偏移的同時具有受控微晶大小或受控表面粗糙度。如上文所解釋，體塊層30之受控微晶大小提供之低粗糙度可藉由提供供應用ETC塗層34之光滑表面，增加ETC層34之機械耐久性。第二，中斷層
14B可包括與體塊層30中採用之材料相同或類似的材料，此可允許在與體塊層30相同之沉積腔室中易於處理及原地形成中斷層14B。低粗糙度的益處可包括低摩擦、經增強耐磨性質、歸因於摩擦之較低熱量產生、經增強滑動、高除塵度、經增強接合等。
以下實例表示本揭示案之某些非限制性實例。
實例
現參考第3圖至第10B圖，具有修改層(例如，中斷層14B)之各個光學塗層(例如，膜14)已經模型化及形成以當與不具有修改層之類似硬質塗層相比時具有類似或相同奈米壓痕硬度。不受理論束縛，咸信類似或相同奈米壓痕硬度指示具有諸如此處描述之修改層的硬質塗層可為具有與不具有修改層之硬質塗層類似的抗刮擦性、抗破壞性、韌性及斷裂行為。
AlOxNy、Al2O3及SiO2膜係藉由反應性濺鍍製造，且使用光譜橢圓對稱法量測所得之折射率。在光學轉移矩陣模型化中使用此等折射率離差分佈曲線，以設計在下文提供之實例中經模型化之透明修改層及整個硬質塗層及抗反射塗層結構。光學模型化亦用以設計實例5及6之目標塗層厚度。此處經模型化之修改層經設計為薄的(例如，每一層為約100nm或更小，在一些情況下，約50nm或更小、或約25nm或更小)、非晶體或具有不同於大多數硬質塗層材料(例如，體塊層30)之晶體結
構，以及經由層厚度設計或經由緊密匹配硬質塗層材料之折射率為光學透明的。
第3圖至第10B圖之曲線圖描繪針對塗層之不同實例之多種模型化光學性質。如將看到，不包括修改層之比較實例1及比較實例2之光學性質(例如，反射率及透射率)與含有修改層之實例1、2、3及4無實質不同。實例1、2、3及4之修改層中之每一者由Al2O3組成。因而，修改層不實質上改變光學塗層之實例的光學性質。表1、2及3提供在比較實例1及2以及實例1至4之光學模型化中使用之材料的折射率之縮寫清單。
如自第3圖至第10B圖可見，將修改層(例如，包括Al2O3之中斷層14B)引入至光學塗層(例如，膜14)之分層構造中與光學塗層不併入有修改層相比不實質上改變光學塗層之反射率、透射率及/或反射或透射色彩。
除例示性塗層之光學模型化之外，亦在實驗上製造多個塗層實例以證明使用修改層之有效性。在Denton濺鍍工具中以DC模式使用Al靶材與N、Ar及Ar+5% O2處理氣體製造實驗實例。在14mTorr之壓力、421V及0.47kW下沉積Al2O3。處理氣體係在50sccm下饋送至腔室之95% Ar/5% O2。在2mTorr之壓力、295V及0.40kW下沉積AlOxNy，其中處理氣體Ar設定為15sccm且N2設定為15sccm。歸因於腔室中之殘留氧及水，2%至3%殘留氧併入至膜中(如由XPS所分析)。比較實例3係不包括修改層之光學塗層，而實例5及6包括多個修改層(例如，包括Al2O3
之層)。
不併入有修改層之比較實例3具有5.1nm平均Rq、4.1nm平均Ra、199GPa彈性模數及14.6GPa硬度。比較實例3係主要包括多晶AlOxNy(在此情況下，AlNx摻雜有約3原子%氧)之硬質塗層。併入有3個修改層之實例5具有3.6nm平均Rq、2.9nm平均Ra、190GPa彈性模數及14.5GPa硬度。併入有4個修改層之實例6具有平均Rq 3.5nm、平均Ra 2.8nm、彈性模數215GPa及16GPa硬度。此等實例實驗上證明經由插入極薄光學設計非晶(且在此情況下為半多孔)修改
層(例如，中斷層14B)之粗糙度減小、微結構控制及硬度維持之概念。
10:層合物件
14:膜
14A:第一部分
14B:中斷層
14C:第二部分
14E:表面
18:基板
18A:主要表面
18B:主要表面
22:阻抗匹配層
26:抗反射膜
26A:第一低RI層
26B:第二高RI層
30:體塊層
34:易於清洗塗層
38:間隔層
Claims (31)
- 一種經塗佈物件，其包含：一玻璃、玻璃陶瓷或陶瓷基板，包含一主表面；及一功能性塗層，安置於該基板之該主表面上方，該功能性塗層包含：一第一部分，安置於該主表面上方；一或多個中斷層，安置於該第一部分上方；及一第二部分，安置於該一或多個中斷層上方，其中該一或多個中斷層包含與該第一部分之一微結構不同的一微結構，且該功能性塗層在自450nm至650nm之可見光波長範圍內具有大於10%之一平均光學透射率，該第一部分與該第二部分包括相同材料，且在距離該等中斷層100nm內之該功能性塗層的該第二部分包含小於在距離該等中斷層100nm內之該第一部分之一平均微結構晶體大小的一平均微結構晶體大小。
- 如請求項1所述之經塗佈物件，其中，該一或多個中斷層具有一非晶微結構，該非晶微結構包含SiO2或Al2O3。
- 如請求項1所述之經塗佈物件，其中該功能性塗層之該第二部分包含複數個層，且該功能性塗層具有大於50%之一平均光學透射率。
- 如請求項1所述之經塗佈物件，其中該一或多個中斷層中之每一者包含50nm或更小之一厚度，且該第二部分包括一體塊層，該塊體層包括200nm或更大的厚度。
- 如請求項1所述之經塗佈物件，其中該一或多個中斷層中之每一者包含50nm或更小之一厚度，且該第一部分包含自0.1μm至2μm之一厚度。
- 如請求項1所述之經塗佈物件，其中該功能性塗層包含5nm Rq或更小之一表面粗糙度。
- 一種經塗佈物件，其包含：一基板，包含一主表面且包含一玻璃、玻璃陶瓷或陶瓷組成物；及一功能性塗層，安置於該基板之該主表面上方以形成一經塗佈表面，該功能性塗層包含：一第一部分，安置於該主表面上方；複數個中斷層，安置於該第一部分上方，該複數個中斷層包含與該第一部分之一微結構不同的一微結構；及一第二部分，安置於該複數個中斷層上方，其中該等中斷層在自450nm至650nm之可見光波長範圍內包含大於85%之一光學透射率，且該等中斷層中之每一者具有100nm或更小之一厚度，該第 一部分與該第二部分包括相同材料，且在距離該等中斷層100nm內之該功能性塗層的該第二部分包含小於在距離該等中斷層100nm內之該第一部分之一平均微結構晶體大小的一平均微結構晶體大小。
- 如請求項7所述之經塗佈物件，其中該複數個中斷層包含與該第一及第二部分中之任一者之0.1或更大之一折射率差，且該等中斷層中之每一者具有5nm或更大之一厚度。
- 如請求項7所述之經塗佈物件，其中該功能性塗層包含5nm Rq或更小之一表面粗糙度。
- 如請求項7所述之經塗佈物件，其中該第一部分包含一第一體塊層，該第一體塊層包含200nm或更大之一厚度，該第一體塊層與該複數個中斷層中之至少一者接觸，該第二部分包含一第二塊體層，且該第二體塊層與該複數個中斷層中之至少一者接觸。
- 如請求項7所述之經塗佈物件，其中該複數個中斷層之一總厚度是該功能性塗層之一總厚度之10%或更小。
- 如請求項7所述之經塗佈物件，其中該第二部分包括AlOxNy，其中x是從0.02至0.25，且y是從0.75至0.98。
- 如請求項7至12中任一項所述之經塗佈 物件，其中該經塗佈表面具有如藉由Berkovich奈米壓痕在100nm或更大之凹痕深度下量測之12GPa或更大之一硬度。
- 如請求項7所述之經塗佈物件，其中該複數個中斷層包括與該第二部分之一微結構不同的一微結構。
- 一種消費者電子產品，包含：一殼體，具有一前表面、一背表面及側表面；多個電組件，至少部分地在該殼體內，該等電組件至少包含一控制器、一記憶體及一顯示器，該顯示器在該殼體之該前表面處或鄰近處；及一護罩玻璃，安置於該顯示器上方，其中該殼體或該護罩玻璃之一部分中之至少一者包含如請求項1至14中任一項所述之經塗佈物件。
- 一種在一基板上形成一功能性塗層的方法，包含以下步驟：在該基板之一主表面上沉積一第一部分；在該第一部分上方沉積一或多個中斷層，該一或多個中斷層包含與該第一部分之一微結構不同的一微結構，該一或多個中斷層包括在自450nm至650nm之可見光波長範圍內之大於85%之一光學透射率；及在該一或多個中斷層上方沉積一第二部分， 其中該第一部分與該第二部分包括相同材料，且在距離該等中斷層100nm內之該功能性塗層的該第二部分包含小於在距離該等中斷層100nm內之該第一部分之一平均微結構晶體大小的一平均微結構晶體大小。
- 如請求項16所述之方法，其中該沉積一或多個中斷層之步驟包含以下步驟：使用反應性濺鍍以沉積非晶SiO2或非晶Al2O3。
- 如請求項16所述之方法，其中該第二部分包括AlOxNy，其中x是從0.02至0.25，且y是從0.75至0.98。
- 如請求項16所述之方法，其中該第一部分、該一或多個中斷層、該第二部分是在相同的沉積腔室中沉積。
- 如請求項16所述之方法，其中該一或多個中斷層中之每一者包含50nm或更小之一厚度，且該第二部分包含一第二塊體層，該第二塊體層包含200nm或更大的一厚度。
- 一種經塗佈物件，包含：一玻璃、玻璃陶瓷或陶瓷基板，包含一主表面；及一功能性塗層，安置於該基板之該主表面上方，該功能性塗層包含： 一第一部分，安置於該主表面上方；一或多個中斷層，安置於該第一部分上方；及一第二部分，安置於該一或多個中斷層上方，其中該一或多個中斷層包含與該第一部分之一微結構及該第二部分之一微結構不同的一微結構，該功能性塗層在自450nm至650nm之可見光波長範圍內具有大於10%之一平均光學透射率，且在距離該等中斷層100nm內之該功能性塗層的該第二部分包含小於在距離該等中斷層100nm內之該第一部分之一平均微結構晶體大小的一平均微結構晶體大小。
- 如請求項21所述之經塗佈物件，其中該一或多個中斷層中之每一者包含50nm或更小之一厚度，且該第二部分包含一第二塊體層，該第二塊體層包含200nm或更大的一厚度。
- 如請求項21所述之經塗佈物件，其中該等中斷層的透射率在自450nm至650nm之可見光波長範圍內大於85%，且該等中斷層中之每一者具有100nm或更小的厚度。
- 如請求項21所述之經塗佈物件，其中該功能性塗層包含5nm Rq或更小之一表面粗糙度。
- 如請求項21所述之經塗佈物件，其中該複 數個中斷層包含與該第一及第二部分中之任一者之0.1或更大之一折射率差，且該等中斷層中之每一者具有5nm或更大之一厚度。
- 如請求項21所述之經塗佈物件，其中該第一部分與該第二部分包含相同材料。
- 一種在一基板上形成一功能性塗層的方法，包含以下步驟：在該基板之一主表面上沉積一第一部分；在該第一部分上方沉積一或多個中斷層，該一或多個中斷層包含與該第一部分之一微結構不同的一微結構，該一或多個中斷層包括在自450nm至650nm之可見光波長範圍內之大於85%之一光學透射率；及在該一或多個中斷層上方沉積一第二部分，其中該在距離該等中斷層100nm內之該功能性塗層的該第二部分包含小於在距離該等中斷層100nm內之該第一部分之一平均微結構晶體大小的一平均微結構晶體大小。
- 如請求項27所述之方法，其中該一或多個中斷層中之每一者包含50nm或更小之一厚度，且該二部分包含一第二塊體層，該第二塊體層包含200nm或更大的一厚度。
- 如請求項27所述之方法，其中該沉積一或 多個中斷層之步驟包含以下步驟：使用反應性濺鍍以沉積非晶SiO2或非晶Al2O3。
- 如請求項27所述之方法，其中該功能性塗層包含5nm Rq或更小之一表面粗糙度。
- 如請求項27所述之方法，其中該第一部分與該第二部分包含相同材料。
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|---|---|---|---|---|
| KR20230037667A (ko) * | 2016-12-30 | 2023-03-16 | 코닝 인코포레이티드 | 잔류 압축 응력을 갖는 광학 코팅(optical coating)이 있는 코팅된 제품 |
| KR102299610B1 (ko) * | 2019-01-30 | 2021-09-08 | 연세대학교 산학협력단 | 향상된 내마모성 및 유연성을 갖는 투명 나노막 적층 구조체 |
| CN110049645B (zh) * | 2019-04-10 | 2021-03-02 | Oppo广东移动通信有限公司 | 电子设备壳体及其制作方法和电子设备 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7553686B2 (en) * | 2002-12-17 | 2009-06-30 | The Regents Of The University Of Colorado, A Body Corporate | Al2O3 atomic layer deposition to enhance the deposition of hydrophobic or hydrophilic coatings on micro-electromechanical devices |
| CN103917503A (zh) * | 2011-07-18 | 2014-07-09 | 南伊利诺伊州卡本代尔大学 | 具有自洁特性的抗反射性和抗污性涂料 |
| US20150322270A1 (en) * | 2014-05-12 | 2015-11-12 | Corning Incorporated | Durable anti-reflective articles |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005538255A (ja) * | 2002-09-14 | 2005-12-15 | ショット アクチエンゲゼルシャフト | 保護層ならびに保護層を生成するプロセスおよび構成 |
| DE10342397B4 (de) * | 2003-09-13 | 2008-04-03 | Schott Ag | Transparente Schutzschicht für einen Körper und deren Verwendung |
| US20090104462A1 (en) | 2007-08-16 | 2009-04-23 | Reflective X-Ray Optics Llc | X-ray multilayer films and smoothing layers for x-ray optics having improved stress and roughness properties and method of making same |
| CN101595073B (zh) * | 2007-09-14 | 2013-09-04 | 卡迪奈尔镀膜玻璃公司 | 低维护涂层和制造低维护涂层的方法 |
| JP5903848B2 (ja) * | 2011-11-25 | 2016-04-13 | 三菱マテリアル株式会社 | 反射防止膜付きガラス基材 |
| US9725357B2 (en) * | 2012-10-12 | 2017-08-08 | Corning Incorporated | Glass articles having films with moderate adhesion and retained strength |
| CN102717548B (zh) * | 2012-05-29 | 2015-07-01 | 江西沃格光电股份有限公司 | 玻璃保护膜、玻璃制品及玻璃防刮伤方法 |
| KR101949561B1 (ko) | 2012-10-12 | 2019-02-18 | 코닝 인코포레이티드 | 잔류 강도를 갖는 제품 |
| CN102922825B (zh) * | 2012-11-13 | 2014-10-22 | 福耀玻璃工业集团股份有限公司 | 一种耐酸碱性减反射镀膜玻璃 |
| US9110230B2 (en) * | 2013-05-07 | 2015-08-18 | Corning Incorporated | Scratch-resistant articles with retained optical properties |
| US9366784B2 (en) * | 2013-05-07 | 2016-06-14 | Corning Incorporated | Low-color scratch-resistant articles with a multilayer optical film |
| US9684097B2 (en) * | 2013-05-07 | 2017-06-20 | Corning Incorporated | Scratch-resistant articles with retained optical properties |
| US9359261B2 (en) | 2013-05-07 | 2016-06-07 | Corning Incorporated | Low-color scratch-resistant articles with a multilayer optical film |
| TWI652501B (zh) | 2013-09-13 | 2019-03-01 | 美商康寧公司 | 具有多層光學膜的低色偏抗刮物件 |
| US9335444B2 (en) * | 2014-05-12 | 2016-05-10 | Corning Incorporated | Durable and scratch-resistant anti-reflective articles |
| TW201643470A (zh) * | 2015-02-25 | 2016-12-16 | 康寧公司 | 具有高硬度多層堆疊之光學結構及物件以及其製造方法 |
| EP3770649A1 (en) * | 2015-09-14 | 2021-01-27 | Corning Incorporated | High light transmission and scratch-resistant anti-reflective articles |
| WO2018175195A1 (en) * | 2017-03-21 | 2018-09-27 | Corning Incorporated | Hardcoated glass-ceramic articles |
-
2018
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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