TWI757697B - 使用電壓及電流記錄之控制棒驅動機構診斷工具及使用該工具之診斷方法 - Google Patents

使用電壓及電流記錄之控制棒驅動機構診斷工具及使用該工具之診斷方法 Download PDF

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布魯斯 Ａ Ｐ 法維
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美商西屋電器公司
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Abstract

本發明揭示一種診斷裝置，其經結構化以與一核反應器之一控制器件之一驅動機構之一線圈堆疊電連接。該線圈堆疊具有複數個線圈。該診斷裝置包含：一電源供應器；及一控制器，其包含一處理器及儲存包含數個指令之數個常式之一記憶體。當在該處理器上執行時，該等指令引起該診斷裝置：將依據時間而變化之一電壓施加至一線圈；偵測該線圈中依據時間之一電流；在該電流中識別一第一反曲點及一第二反曲點；及基於包含該第一反曲點及該第二反曲點之一電子評估判定該線圈係適當地起作用及處於至少部分失效之一狀態中之一者。

Description

使用電壓及電流記錄之控制棒驅動機構診斷工具及使用該工具之診斷方法
本發明大體上係關於一種用於控制棒驅動機構(CRDM)及控制元件驅動機構(CEDM)之診斷工具，其使用電壓及電流記錄以判定CRDM及/或CEDM之問題。
在用於發電之一核反應器(諸如一壓水式反應器)中，熱由諸如濃化鈾之一核燃料之分裂產生，且被傳遞至流動通過一反應器核心之一冷卻劑中。核心含有在冷卻劑通過其且在其上方流動之一燃料總成結構上接近彼此安裝之長形核燃料棒。燃料棒以共同延伸平行陣列彼此隔開。在一給定燃料棒中之燃料原子之核衰變期間釋放之中子及其他原子粒子之一些行進通過燃料棒之間之空間且撞擊於一鄰近燃料棒中之可裂材料上，從而促成核反應及由核心產生之熱。
可移動控制棒分散遍及核心以藉由吸收在燃料棒之間行進之中子之一部分(否則其將促成分裂反應)而實現分裂之整體速率之控制。控制棒通常包括中子吸收材料之長形棒且配裝於平行於燃料棒且在燃料棒之間伸展之燃料總成中之縱向開口或導引套管中。將一控制棒進一步插入核心中引起更多中子被吸收而不促成一鄰近燃料棒中之分裂；且回縮控制 棒減少中子吸收之程度且增加核反應之速率及核心之功率輸出。
控制棒經支撐於可移動以相對於核心前進或回縮一控制棒群組之叢集總成中。為了此目的，提供控制棒驅動機構，通常作為定位於核心上方之反應器容器頭部之部分。反應器容器通常被加壓至一高內部壓力，且控制棒驅動機構容置於作為反應器壓力容器之管狀延伸之壓力外殼中。
用於定位一控制棒之一個類型之機構係一所謂的磁力聯接器(magnetic jack)，其可操作以依離散步進將控制棒以一增量距離移入或移出核心。控制棒驅動機構具有三個、四個或五個電磁線圈(下文稱為「線圈」)及以一協調方式操作以升高及降低一驅動棒軸件及耦合至軸件之一控制棒叢集總成之電樞或柱塞。線圈安裝於壓力外殼周圍及外部。三個線圈之兩者操作在由線圈供電時與驅動棒軸件接合之夾持器。
驅動棒軸件具有由在驅動棒軸件周圍圓周地間隔之夾持器上之夾持閂鎖夾緊之軸向間隔之圓周溝槽。一第三線圈致動耦合於可移動夾持器與一固定點之間之一提升柱塞。若丟失至控制棒驅動機構之控制電源，則兩個夾持器皆釋放且控制棒因重力而下降至其等最大核通量阻尼位置中。只要控制電源保持啟動，至少一組夾持器便始終固持驅動棒軸件。
線圈以一計時及協調方式交替地操作以固持且移動驅動軸件。夾持動作及移動之序列取決於逐步移動是否係一回縮或一前進而不同。雖然在移動序列期間，兩個夾持器接合驅動軸件，但夾持器實質上交替地操作。
數個特定線圈機構及夾持器機構可行。使用一固定夾持器、一可移動夾持器及一提升線圈之線圈頂舉機構之實例在(例如)頒予 King等人之美國專利第5,307,384號、頒予Tessaro之美國專利第5,066,451號及頒予Tessaro之美國專利第5,009,834號中揭示，該等專利之全部藉此以引用的方式併入。
在一個態樣中，本發明提供一種診斷裝置，其經結構化以與一核反應器之一控制器件之一驅動機構之一線圈堆疊電連接。該線圈堆疊具有複數個線圈。該診斷裝置包括：一電源供應器；及一控制器，其包括一處理器及一記憶體。該記憶體具有儲存於其中之包括數個指令之數個常式，該數個指令當在該處理器上執行時引起該診斷裝置：將依據時間而變化之一電壓施加至該複數個線圈之一線圈；偵測該線圈中依據時間之一電流；在該電流中識別一第一反曲點及一第二反曲點；及基於包括該第一反曲點及該第二反曲點之一電子評估判定該線圈係以下項之一者：適當地起作用；及處於至少部分失效之一狀態中。
在另一態樣中，本發明提供一種用於使用經結構化以與一線圈堆疊電連接之一診斷裝置診斷一核反應器之一控制器件之一驅動機構之診斷方法。該線圈堆疊具有複數個線圈。該診斷裝置包括：一電源供應器；及一控制器，其包括一處理器及一記憶體，該記憶體具有儲存於其中之包括數個指令之數個常式，該數個指令當在該處理器上執行時引起該診斷裝置執行該診斷方法。該方法包括：將依據時間而變化之一電壓施加至該複數個線圈之一線圈；偵測該線圈中依據時間之一電流；在該電流中識別一第一反曲點及一第二反曲點；及基於包括該第一反曲點及該第二反曲點之至少一者之一電子評估判定該線圈係以下項之一者：適當地起作用；及處於至少部分失效之一狀態中。
在另一態樣中，本發明提供一種用於使用經結構化以與一線圈堆疊電連接之一診斷裝置診斷一核反應器之一控制器件之一驅動機構之診斷方法。該線圈堆疊包括至少三個線圈。該診斷裝置包括：一電源供應器；及一控制器，其包括一處理器及一記憶體，該記憶體具有儲存於其中之包括數個指令之數個常式，該數個指令當在該處理器上執行時引起該診斷裝置執行該診斷方法。該方法包括：在一預定時間段內一次一個地將一經程式化電壓施加至該至少三個線圈之各者，其中當該至少三個線圈之一者被供電時，其他線圈未被供電；在該預定時段內監測該至少三個線圈之各者內之一電流；及基於該經監測電流判定該核反應器之該控制器件之該驅動機構之一組件是否係以下項之一者：適當地起作用；及處於至少部分失效之一狀態中。
22:電磁驅動機構
24:核控制棒
26:叢集
28:驅動棒
32:垂直延伸外殼
34:反應器核心壓力容器
36:燃料棒總成
42:電磁線圈
44:固定夾持器
46:可移動夾持器
48:提升電樞
54:電磁線圈
56:電磁線圈
58:電磁線圈
68:脊/溝槽
100:診斷系統
102:線圈
104:線圈
106:線圈
108:線圈
110:線圈
112:線圈堆疊
114:感測電壓計
116:感測電壓計
118:感測電壓計
120:感測電壓計
122:感測電壓計
124:分流感測電壓計
126:電源供應器
128a:雙極雙投(DPDT)繼電器
128b:雙極雙投(DPDT)繼電器
130a:雙極雙投(DPDT)繼電器
130b:雙極雙投(DPDT)繼電器
132a:雙極雙投(DPDT)繼電器
132b:雙極雙投(DPDT)繼電器
134a:雙極雙投(DPDT)繼電器
134b:雙極雙投(DPDT)繼電器
136a:雙極雙投(DPDT)繼電器
136b:雙極雙投(DPDT)繼電器
138:分壓器網路
140:分壓器網路
142:分壓器網路
144:分壓器網路
146:分壓器網路
148:兆歐計
150:單極雙投(SPDT)繼電器
152:嵌入式控制器
153:處理器
154:電匯流排
155:記憶體
156:第一端子
158:第二端子
160:正(+)端子
162:負(-)端子
164:力負(-)端子/第一端子
165:力正(+)接點
166:接地
167:感測正(+)接點
168:接點
169:感測負(-)接點
170:負(-)端子
171:力正(+)接點
172:力負(-)接點
173:感測正(+)接點
174:正(+)端子
175:感測負(-)接點
176:負(-)端子
178:力正(+)接點
180:感測正(+)接點
182:感測負(-)接點
184:力負(-)接點
186:正(+)端子
188:負(-)端子
190:力正(+)接點
192:感測正(+)接點
194:感測負(-)接點
196:力負(-)接點
198:正(+)端子
200:負(-)端子
202:力正(+)接點
204:感測正(+)接點
206:感測負(-)接點
208:力負(-)接點
300:圖表
302:第一曲線
304:第二曲線
306:固定時間段
400:圖表
402:可移動夾持器線圈經誘發電壓軌跡
404:提升夾持器線圈電壓軌跡
406:固定夾持器線圈經誘發電壓軌跡
500:圖表
502:固定線圈電流軌跡
504:第一接合反曲點
506:第二接合反曲點
508:第一釋放反曲點
510:第二釋放反曲點
600:詳細視圖
602:加速度計軌跡
604:加速度計軌跡
606:加速度計軌跡
608:反曲點/運動結束反曲點
610:運動結束反曲點
700:圖表
702:圖表
800:邏輯流程圖
802:施加
804:偵測
806:識別
808:判定
900:邏輯流程圖
902:施加
904:監測
906:判定
Coil-1至Coil-5:線圈電路
I1:電流
R1:串聯電阻器
R2:串聯電阻器
R6:分流電阻器
V1:電壓/量測
V2:電壓/量測
V3:電壓/經感測電壓/輸出電壓
V4:電壓/經誘發電壓
V5:電壓/經施加電壓
V6:電壓/分流電壓
以下圖式闡釋本發明之特定態樣且因此不限制隨附發明申請專利範圍之範疇。圖式旨在結合以下描述中之解釋使用。經揭示態樣將在下文結合隨附圖式描述，其中相同元件符號表示相同元件。
圖1係部分以橫截面展示一核反應器核心之一立視圖。
圖2係展示一三線圈型CRDM之一控制棒驅動機構之固定及可移動夾持器及提升機構之一部分剖視透視圖。
圖3係展示例示性固定及可移動夾持器之一更詳細橫截面圖。
圖4繪示根據本發明之至少一個態樣之用於核反應器之CRDM及/或CEDM機構之一診斷工具之一硬體佈局。
圖5係根據本發明之至少一個態樣之由診斷系統進行且記 錄之電阻量測之一圖表。
圖6係根據本發明之至少一個態樣之在供電給一固定夾持器線圈時在一三線圈控制棒驅動機構之提升及可移動夾持器線圈內之經誘發電壓之量測之一圖表。
圖7係根據本發明之至少一個態樣之流動通過其中被施加電壓之一線圈之電流之線圈電流量測之一圖表。
圖8展示根據本發明之至少一個態樣之在圖7中展示之固定夾持器線圈釋放(dropout)反曲點之一詳細視圖。
圖9係繪示根據本發明之至少一個態樣之一被供電固定夾持器線圈之溫度改變之一圖表。
圖10係描繪根據本發明之至少一個態樣之用於使用經結構化以與一線圈堆疊電連接之一診斷裝置診斷一核反應器之一控制器件之一驅動機構之一控制程式或一邏輯組態之一程序之一邏輯流程圖，該線圈堆疊具有複數個線圈。
圖11係描繪根據本發明之至少一個態樣之用於使用經結構化以與一線圈堆疊電連接之一診斷裝置診斷一核反應器之一控制器件之一驅動機構之一控制程式或一邏輯組態之一程序之一邏輯流程圖。
相關申請案之交叉參考
本申請案根據35 U.S.C.§119主張2019年2月28日申請且標題為CONTROL ROD DRIVE MECHANISM DIAGNOSTIC TOOL USING VOLTAGE AND CURRENT RECORDINGS之美國臨時專利申請案第62/811,780號之優先權，該案之全文藉此以引用的方式併入本文中。
以下詳細描述在性質上係例示性且提供一些實際圖解及實例。熟習此項技術者將認知，許多所提及之實例具有各種適合替代例。除隨附圖式之外，亦使用如下提供之描述在本文中揭示用於核反應器之CRDM及/或CEDM機構之數個各種例示性診斷工具。可獨立地或與本文中揭示之其他態樣之一或多者(例如，全部)組合採用本文中揭示之態樣之各者。
圖1部分以橫截面展示一核反應器核心之一立視圖。在一個態樣中，本發明提供用於利用一診斷工具以允許效能問題(不僅包含組件之失效，而且亦包含效能隨著時間之劣化)之偵測之一方式分析圖1中大體上展示之用於核控制棒24之一電磁驅動機構22之操作之一方法。藉由收集且儲存關於組件之效能之資料且比較當前效能與先前儲存之歷史資料，診斷工具允許在一失效實際上發生之前偵測即將發生之問題。在一個態樣中，用於核反應器之CRDM及/或CEDM機構之一診斷工具可包括可在部署一反應器核心壓力容器34中之控制棒24之電磁驅動機構22之前採用之一診斷系統100(見圖4)。在一個態樣中，當在核能電廠停電時反應器容器頭部在頭部支撐架中時，可採用診斷系統100來診斷CRDM及/或CEDM機構。在其他態樣中，診斷系統100旨在在核能電廠停電時使用，其中反應器容器頭部安裝於反應器容器上。其可在機構之壽命、製造、操作或失效後診斷之任何階段期間用於機構上。在一個態樣中，診斷系統100可係攜帶型的。
如圖1中展示，控制棒24附接於叢集26中，各叢集由安置於含有燃料棒總成36之反應器核心壓力容器34之一垂直延伸外殼32中之一驅動棒28共同驅動，該控制棒24前進至該等燃料棒總成36中或該控制 棒24自該等燃料棒總成36回縮用於核通量之可變阻尼。機構之移動部件在反應器之壓力包絡內且用於驅動可移動部件之電磁線圈42在各延伸部之周圍且繞各延伸部安置。
圖2展示其中延伸外殼被部分切除之一個驅動棒機構，且圖3係部分以橫截面展示當驅動機構之相關聯線圈被通電時進行或可循序操作以進行接合、提升及/或降低驅動棒之例示性夾持器之一詳細視圖。此配置實質上如頒予Tessaro之美國專利第5,009,834號中揭示，該專利藉此相對於控制棒驅動器之機械及電磁態樣以引用的方式併入。
驅動機構包括用於接合驅動棒28之固定夾持器44及可移動夾持器46，及藉由其沿著驅動棒28之縱軸提升可移動夾持器或容許可移動夾持器沿著驅動棒28之縱軸下落之一提升電樞48。各由一對應電磁線圈54、56、58操作。夾持器經垂直配置以釋放例如，經安裝以在未經電磁壓迫以接合時樞轉離開驅動棒或經彈簧偏置以在未經電磁壓迫以接合時回縮之驅動棒28。因此，當固定夾持器線圈54及可移動夾持器線圈56皆未被通電時，對應夾持器44、46釋放其等在驅動棒上之固持，該驅動棒藉由重力下降，從而容許控制棒24降落至核心中。在其他時間，線圈被通電用於將驅動棒28及相關聯控制棒24固持於適當位置中或用於回應於來自調節反應器之輸出位準之一控制器(未展示)之信號使其等步進升高或下降。圖3展示一可移動夾持器之一例示性安裝，尤其繞驅動棒28圓周間隔用於徑向向內承載以接合棒28上之脊或溝槽68或向外承載以離開脊或溝槽之三個夾持器之一者。貫穿圖式使用相同元件符號以識別對應元件。
圖4繪示根據本發明之至少一個態樣之用於核反應器之CRDM及/或CEDM機構之一診斷系統100之一硬體佈局。為了本發明之簡 潔及清楚起見，下文之「CRDM及/或CEDM機構」在下文將被稱為「控制棒驅動機構」。一般言之，診斷系統100可經組態以一次一個線圈地供電給機構之各線圈54、56、58(如圖2中展示且在圖4中示意性地表示為102、104、106、108、110)，同時記錄施加至線圈之電壓、流動通過線圈之電流及未被供電線圈中之感應電壓。診斷系統100將使用此資料以判定機構之某些特性且判定是否存在降級。診斷系統100亦將執行各線圈之間之一500伏特、60秒兆歐絕緣電阻測試，且各線圈接地。下文描述診斷系統100之一個例示性實施方案。
診斷系統100界定標記為Coil-1至Coil-5之五個線圈電路之一線圈堆疊112。線圈堆疊112可包含至少三個線圈電路Coil-1、Coil-2及Coil-3，然而，如圖2中展示，診斷系統100可經調適且經組態以使用一額外第四線圈電路Coil-4及/或一額外第五線圈電路Coil-5操作。將瞭解，線圈堆疊112可包括額外線圈電路Cn，其中n係大於5之一整數。線圈電路Coil-1至Coil-5之各者包括透過一四導線組態透過兩個雙極雙投(DPDT)繼電器128a、128b、130a、130b、132a、132b、134a、134b、136a、136b附接至一感測電路之一對應線圈102、104、106、108、110。各感測電路包括一分壓器網路138、140、142、144、146或耦合至一感測電壓計114、116、118、120、122之其他增益調整器件。診斷系統100進一步包括用於將電壓施加至線圈102至110之一電源供應器126、一分流電阻器R6及用於量測電流I1之一分流感測電壓計124、一兆歐計148及用於將電流自線圈102至110切換至分流電阻器R6或兆歐計148之一單極雙投(SPDT)繼電器150。應瞭解，可採用診斷系統100之各種組態以供電給線圈102至110且感測線圈102至110之各種電參數以診斷線圈102至110之狀態。應瞭 解，雖然將繼電器128a、128b、130a、130b、132a、132b、134a、134b、136a、136b、150示意性地描繪為具有機械接點之機械繼電器，但在替代態樣中，繼電器128a、128b、130a、130b、132a、132b、134a、134b、136a、136b、150可使用固態繼電器(SSR)及其他替代例(諸如各種類型之場效電晶體(FET))實施。SSR及FET應經選擇以滿足應用之適合路徑電阻、接點之間之隔離、操作電流及操作電壓要求。預期其他適合替代例而無限制。
診斷系統100進一步包括耦合至經由一電匯流排154互連之線圈電路Coil-1至Coil-5、線圈102至110、繼電器128a、128b至136a、136b、電源供應器126、分流電壓計124及兆歐計148之一嵌入式控制器152。嵌入式控制器152可包括具有經組態以處理機器可執行指令之一記憶體155之一處理器153、一微控制器或微處理器、一邏輯電路、場可程式化閘陣列電路(FPGA)、可程式化邏輯器件(PLD)或前述控制電路之組合，如本文中更廣泛定義。嵌入式控制器152、處理器153及記憶體155可經組態以藉由將繼電器128a、128b至136a、136b切入及切出電路而將電源供應器126切換至線圈電路Coil-1至Coil-5以量測電流I1(電壓V6)及感測電壓V1至V5，且控制繼電器150以量測電流I1或對各線圈102至110進行線圈至線圈且線圈-接地電阻測定，量測各線圈102至110之電阻，耦合一被動線圈102至110或耦合一主動線圈102至110。
可藉由耦合至線圈電路Coil-1至Coil-5之資料擷取通道監測電源供應器電壓及電流監測信號。比較此等量測與分壓器網路138至146處之電壓、由分流電阻器R6及分流感測電壓計124量測之電流I1且若兩個量測與分壓器網路138至146處之電壓及分流量測顯著不同，則提供一 錯誤。藉由感測電壓計114至122資料擷取通道透過一10：1分壓器網路138至146在線圈堆疊112處監測之電源供應器電壓被視為用於計算及軌跡之主要電壓量測。返回至電源供應器126之電流I1係使用跨一分流電阻器R6之電壓降V6監測且被視為用於計算及軌跡之主要電流量測。
診斷系統100經組態以產生一經程式化電壓以循序地供電給線圈堆疊112之線圈102至110同時記錄及分析流動通過各線圈102至110之所得電流I1及施加至由電源供應器126供電之各線圈102至110之電壓V1至V5及未被供電之線圈102至110中之電壓V1至V5。電壓V1至V5由對應感測電壓計114至122量測且所得電流I1藉由如由分流電壓計124量測之跨分流電阻器R6之分流電壓V6量測。線圈102至110之各者可藉由一對雙極雙投(DPDT)繼電器128a、128b至136a、136b連接至電源供應器126、感測電壓計114至122、分流感測電壓計124及兆歐計148。程序由控制器152控制且量測由處理器153記錄且儲存於記憶體155中。經儲存量測由藉由處理器153執行之一或多個控制演算法分析以判定機構之某些特性且判定是否存在降級。
在圖4中繪示之實例中，五個線圈電路Coil-1至Coil-5以不同繼電器組態展示以實施不同測試組態。然而，將瞭解，線圈電路Coil-1至Coil-5之任一者可以圖4中繪示之組態之任一者組態。雖然一般言之，線圈電路Coil-1至Coil-5由控制器152一次一個地組態且測試，但診斷系統100可經組態以同時組態及測試兩個或兩個以上線圈電路Coil-1至Coil-5。一旦經組態，線圈102至110便可一次一個地個別測試或同時測試。
在圖4中繪示之實例中，線圈堆疊112中之線圈電路Coil-1經組態以相對於接地166量測線圈102之絕緣之電阻(其被稱為線圈-接地絕 緣電阻)。此測試通常被稱為一電阻測定(megger)測試。兆歐計148之一第一端子156透過DPDT繼電器128b之一接點168連接至線圈102之力負(-)端子164且兆歐計148之一第二端子158連接至接地166，同時線圈102之正(+)端子與電路斷開連接。可藉由將兆歐計148之第一端子156連接至線圈102之第一端子164至線圈堆疊112之另一線圈之一端子而量測線圈至線圈絕緣電阻。DPDT繼電器128a之力正(+)接點165及感測正(+)接點167以及DPDT繼電器128b之感測負(-)接點169斷開。線圈102之絕緣相對於接地166量測V1之電阻由處理器153記錄且儲存於記憶體155中。經儲存量測V1由藉由處理器153執行之一控制演算法分析以判定機構之某些特性且判定是否存在降級。將瞭解，其他線圈電路Coil-2、Coil-3、Coil-4及Coil-5之任何者可與線圈電路Coil-1類似地組態。
在圖4中繪示之實例中，線圈堆疊112中之線圈電路Coil-2經組態以量測線圈堆疊112中之其他線圈之絕緣之線圈至線圈及線圈至接地電阻。如線圈電路Coil-2中展示，線圈104之負(-)端子170透過DPDT繼電器130b之力負(-)接點172耦合至電源供應器之負(-)端子162。DPDT繼電器130a之力正(+)接點171及感測正(+)接點173以及DPDT繼電器130b之感測負(-)接點175斷開。其他線圈量測V2之絕緣之線圈至線圈及線圈至接地電阻由處理器153記錄且儲存於記憶體155中。經儲存量測V2由藉由處理器153執行之一控制演算法分析以判定控制棒驅動機構之某些特性且判定是否存在降級。將瞭解，其他線圈電路Coil-1、Coil-3、Coil-4及Coil-5之任何者可與線圈電路Coil-2類似地組態。
在圖4中繪示之實例中，線圈電路Coil-3經組態以量測線圈106之電阻。在此組態中，線圈106之正(+)端子174透過DPDT繼電器132a 之一力正(+)接點178耦合至電源供應器126之正(+)端子160且線圈106之負(-)端子176透過DPDT繼電器132b之一力負(-)接點184連接至電源供應器126之負(-)端子162。在此組態中，電源供應器126透過線圈106供應一電流I1。線圈106之電阻顯現為跨線圈106之正(+)端子174及負(-)端子176之一電壓降。跨線圈106之電壓透過一選用分壓器網路142或放大器耦合至電壓計118以調整電壓以校正電壓計118之適當位準。DPDT繼電器132a之感測正(+)接點180連接至分壓器網路142之串聯電阻器R1之頂部且DPDT繼電器132b之感測負(-)接點182連接至串聯電阻器R2之底部。電壓計118量測自中心節點至分壓器網路142之電阻器R2之底部之經感測電壓V3。經感測電壓V3與線圈106之電阻成比例。通過線圈106之電流I1由電壓計104量測為跨分流電阻器R6之電壓V6。線圈106之電阻經量測為輸出電壓V3。通過線圈106之所得電流I1經量測為分流電壓V6。V3及V6兩者由處理器153記錄且儲存於記憶體155中。經儲存量測V2由藉由處理器153執行之一控制演算法分析以判定控制棒驅動機構之某些特性且判定是否存在降級。將瞭解，其他線圈電路Coil-1、Coil-2、Coil-4及Coil-5之任何者可與線圈電路Coil-3類似地組態。
在圖4中繪示之實例中，線圈電路Coil-4經組態以量測一未供電線圈108中之經誘發電壓。在此組態中，電源供應器126之正(+)端子160藉由將DPDT繼電器134a之力正(+)接點190斷開連接而與線圈108之正(+)端子186斷開連接。電源供應器126之負(-)端子162透過DPDT繼電器136b之力負(-)接點196連接至線圈108之負(-)端子188。跨線圈108誘發之電壓透過分壓器網路144耦合至電壓計120。DPDT繼電器134a之感測正(+)接點192連接至分壓器網路142之串聯電阻器R1之頂部且DPDT繼電器 134b之感測負(-)接點194連接至串聯電阻器R2之底部。電壓計120量測中心節點與分壓器網路144之電阻器R2之底部之間之經誘發電壓V4。因此，隨著未被供電線圈108產生自由線圈堆疊112中之附近線圈產生之電磁場耦合之一經誘發電流I1，所得經誘發電壓V4耦合至電壓計120且由電壓計120量測。通過線圈108之所得電流I1經量測為分流電壓V6。V4及V6兩者由處理器153記錄且儲存於記憶體155中。經儲存量測V2由藉由處理器153執行之一控制演算法分析以判定控制棒驅動機構之某些特性且判定是否存在降級。將瞭解，其他線圈電路Coil-1、Coil-2、Coil-3及Coil-5之任何者可與線圈電路Coil-4類似地組態。
在圖4中繪示之實例中，線圈電路Coil-5經組態以驅動線圈110且記錄施加至線圈110之電壓及通過線圈110之電流。在此組態中，電源供應器126之正(+)端子160透過DPDT繼電器136a之力正(+)接點202連接至線圈110之正(+)端子198。電源供應器126之負(-)端子162透過DPDT繼電器136b之力負(-)接點208連接至線圈110之負(-)端子200。跨線圈110施加之電壓透過分壓器網路146耦合至電壓計122。DPDT繼電器136a之感測正(+)接點204連接至分壓器網路146之串聯電阻器R1之頂部且DPDT繼電器136b之感測負(-)接點206連接至串聯電阻器R2之底部。電壓計122量測中心節點與分壓器網路146之電阻器R2之底部之間之經施加電壓V5。因此，隨著電壓經施加至線圈110，所得經施加電壓V5耦合至電壓計122且由電壓計122量測。V5及V6兩者由處理器153記錄且儲存於記憶體155中。經儲存量測V2由藉由處理器153執行之一控制演算法分析以判定控制棒驅動機構之某些特性且判定是否存在降級。將瞭解，其他線圈電路Coil-1、Coil-2、Coil-3及Coil-4之任何者可與線圈電路Coil-5類似地組態。
診斷系統100旨在在具有控制棒驅動機構之反應器容器頭部在頭部支撐架中或在反應器容器上時使用。在一個態樣中，診斷系統100旨在在核能電廠斷電時使用，然而，在各種其他態樣中，診斷系統100可在其等壽命、製造、操作或失效後診斷之任何階段期間用於機構上。診斷系統100之特徵係使用來自電源供應器126之一診斷程式化電壓源以致動控制棒驅動機構，同時監測電壓V1至V5及電流I1(例如，分流電壓V6)以分析作為控制棒驅動機構之組件之線圈堆疊112及閂鎖總成。此診斷系統100可併入一內視鏡系統以在致動控制棒驅動機構時檢測閂鎖臂。診斷系統100不需要內視鏡系統，然而，在致動控制棒驅動機構時利用診斷系統100進一步有助於控制棒驅動機構之診斷。
自由電源供應器126施加之電壓及經記錄電流I1，診斷系統100可經組態以計算與一被測線圈102至110相關聯之以下參數：線圈電阻、線圈溫度、負載下線圈溫度升高、在供電給另一線圈時未被供電線圈中之電磁誘發電壓及閉合(致動)控制棒驅動機構內之個別子總成所需之電磁力。
在各種態樣中，診斷系統100可經組態以基於與被測線圈102至110相關聯之參數之分析而識別控制棒驅動機構內之以下問題：失效或降級線圈、不正確線圈極性(佈線)、控制棒驅動機構閂鎖總成內之斷裂彈簧、歸因於腐蝕產物或失效組件之經增加摩擦。
然而，此診斷系統100不依賴於加速度計或將需要放置於控制棒驅動機構上之任何額外感測器。因此，有利地，全部診斷測試可自經程式化電壓之施加及監測所得經產生電流及電壓執行。利用由經程式化電壓產生之電流軌跡為診斷系統100提供對線圈102至110之電流衰變、線 圈102至110之健康情況及如今可僅使用一基於加速度計之系統達成之控制棒驅動機構內之摩擦之一更詳細情況。
控制棒驅動閂鎖總成含有彈簧及滑動組件。難以在線圈102至110問題與閂鎖總成問題之間進行評估。在閂鎖總成內，亦非常難以自記錄電流量變曲線軌跡之當前方法預測摩擦力及彈簧力之量。三線圈CRDM以及四線圈及五線圈CEDM系統(在本文中被稱為「控制棒驅動機構」)使用通過線圈102至110之電流之一系統以致動移動控制棒驅動線之一機械閂鎖總成。
在一個態樣中，診斷系統100經組態以在監測線圈102至110內之電壓V1至V5及電流I1時，一次一個地提供各線圈102至110之一經程式化電壓控制。自電壓V1至V5及電流I1量變曲線，及線圈102至110之線匝之已知數目，可在診斷測試期間監測所得磁力。CRDM閂鎖總成致動(斷開及閉合)將可在經記錄電流中觀察。藉由記錄閂鎖總成致動依其發生之電流及電壓，可判定用於克服內部摩擦及彈簧之力以判定CRDM及/或CEDM控制棒總成之健康情況。診斷系統100亦將使用電流及電壓關係以在測試週期期間監測線圈102至110之電阻。自測試週期期間之線圈102至110之電阻之改變，亦可監測線圈絕緣系統。診斷系統100可用於監測在測試內之一特定時點期間未被供電之線圈102至110中之經誘發電壓以判定未被供電線圈之極性及未被供電線圈內之經誘發電壓之相對強度以判定線圈系統之狀況。診斷系統100旨在在含有控制棒驅動機構之反應器容器頭部在頭部支撐架及驅動棒中且相關聯控制總成將不由閂鎖總成移動時使用且將最準確。相同方法可以稍微減小之準確度與安裝於反應器容器上之反應器頭部一起使用。
在各種態樣中，診斷系統100之控制器152控制電源供應器126以一次一個地施加一電壓控制量變曲線作為至線圈堆疊112中之各線圈102至110之一輸入。診斷系統100接著記錄電流及電壓以在測試期間判定閉合極面所需之力及線圈102至110之電阻。診斷系統100亦記錄被測線圈102至110內之溫度之改變，該改變指示線圈絕緣系統之狀況，此係因為溫度係線圈102至110之電阻之一直接函數。診斷系統100亦記錄未被供電線圈上之經誘發電壓以評估線圈102至110之健康情況。
診斷系統100可與頭部支撐架中之反應器容器一起採用以隔離控制棒驅動機構與驅動線以增加準確度。診斷系統100完全自動化以自動地執行線圈堆疊之一測試以改良可重複性及準確度。
診斷系統100係不依賴於電廠安裝棒控制設備之一測試單元。由於控制棒驅動機構係一機電系統，故隔離控制棒驅動機構與電廠棒控制系統進一步增加診斷系統100之準確度以將經觀察特性限制為僅來自控制棒驅動機構線圈堆疊112或閂鎖總成內。
診斷系統100提供控制棒驅動機構診斷之領域中之優點。診斷系統100通常判定操作一控制棒裝置之一驅動機構之線圈堆疊112之持續可行性及可工作性。具體言之，診斷系統100單純提供線圈堆疊112之各種線圈102至110中之電流I1及電壓V1至V5之一電評估而非採用應用至移動部件之加速度計，其中線圈102至110隨後經通電且來自加速度計之信號經評估以便判定線圈堆疊112之功能性。
存在三個不同類型之線圈堆疊112，一種線圈堆疊具有三個線圈(如圖1至圖3中展示)，一種線圈堆疊具有四個線圈且一種線圈堆疊具有五個線圈。三線圈堆疊112包括一提升線圈、移動夾持器線圈及固定 夾持器線圈。四線圈堆疊112包括一上提升線圈、一上夾持器線圈、一下提升線圈及下夾持器線圈。五線圈堆疊112包括一提升線圈、一上夾持器線圈、一下拉線圈、一負載轉移線圈及一下夾持器線圈。可將額外線圈添加至線圈堆疊112而不限制本發明及所附發明申請專利範圍之範疇。
在一個態樣中，根據本發明之診斷系統100提供包含一DC電源之一電源供應器126、包括一處理器153裝置及一記憶體155之一控制器152及用於將線圈堆疊112連接至控制器152之一單一連接器。一旦操作線圈堆疊112之DC電源與線圈102至110斷開連接，連接器便無法將診斷系統100連接至線圈堆疊112。控制器152之處理器153裝置包含一控制裝置以引起電源供應器126產生一線性斜坡電壓，使得電壓以一線性方式(具體言之，一筆直斜坡)增加。在至線圈連接器自身之輸入處而非在電源供應器126處檢查電壓以便避免電源供應器126與線圈連接器之間之損耗。在另一態樣中，電源供應器126可經控制以產生一線性斜坡，使得電壓以一線性方式降低。
除監測被供電之線圈102至110之連接器處之電壓V1至V5之外，亦量測流動通過被供電線圈102至110之電流I1。另外，亦量測依據時間之線圈堆疊112之其他線圈102至110之各者中誘發之電壓。
隨著由電源供應器126施加至通電線圈102至110之電壓依據時間而變化(例如，增加或降低)，流動通過通電線圈之電流11同樣地依據時間而變化(例如，增加或降低)，直至線圈102至110之電磁力賦予柱塞足以克服彈簧偏置及系統中之摩擦且引起柱塞開始移動之電磁力。向上直至固定柱塞在其處開始移動之點，增加電壓及電流引起線圈變得被充電。電流將增加至此點。然而，一旦柱塞開始移動，電流便將下降，因此產生 電流軌跡中之一反曲點，在該點處移動起始(例如，見圖6至圖8)。隨著電壓繼續增加，柱塞將移動，且電流將下降直至柱塞達到一機械止檔，在該點處，電流將不再下降而係將增加，因此產生電流曲線中之一第二反曲點。
若柱塞開始太快速地(即，以太低之一電流)移動，此指示一斷裂或以其他方式失效之彈簧。若柱塞移動太晚(即，以太高之一電流)，則此指示一失效線圈102至110或歸因於腐蝕或類似者之額外摩擦。替代地，若兩個反曲點之間所需之時間太大，則此可同樣地指示一失效線圈102至110及/或過量摩擦之存在。在任一此事件中，量測由供電線圈誘發之鄰近(即，未被供電)線圈102至110上之電壓。若電壓如預期，則此將指示問題係歸因於摩擦。另一方面，未被供電線圈中之電壓小於預期電壓，此將指示被供電之一失效線圈102至110。
進一步關於經誘發電壓之評估(即，在未被供電線圈中誘發之電壓)，具有預期之極性之一電壓確認此等線圈之佈線之正確極性。偵測具有不同於預期量值(通常低於預期量值)之一量值之一電壓指示被供電線圈已失效或在失效之程序中。在一個案例中，一線圈102至110可藉由使其繞組短接至接地而失效，意謂僅線圈之線匝之一子集具有電流流動通過其。此係用於在線圈與其金屬外殼之間施加一高電壓以判定電流是否洩漏至接地之一兆歐計148測試係在由偵測裝置執行之其他測試之前完成之原因。一線圈102至110之失效之另一模式係一線匝至線匝短路，其中線圈繞組之兩個鄰近線匝短接在一起。在一個此類型之短路中，一單一線匝可短接至一鄰近線匝，意謂代替實際具有300個線匝之線圈，結果有效地係299個線匝。另一此類型之短路係一層至層短路，其中大量線匝經旁 通，使得代替具有300個線匝，結果可能係200個線匝或199個線匝或類似者。在任何情況下，經偵測為在一未被供電線圈中誘發之一經降低電壓指示被供電線圈已失效或正在失效。
自被供電線圈獲得之資料信號可提供對在線圈周圍使用之絕緣之完整性之一進一步洞悉。電絕緣與熱絕緣具有一些類似性，且自經通電之線圈之熱特性將明白絕緣之一失效。若將一固定電壓施加至一線圈，則在該固定電壓下之一電流之施加將引起線圈加熱。由於一導體之電阻以一已知方式(諸如使用銅)隨著溫度變動，故線圈之溫度之一增加將導致電阻之一已知改變，此將因此更改流動通過線圈之電流。例如，若將電壓除以電流，則此產生一電阻值，(在銅之情況中)該電阻值與溫度具有一固定關係，且因此可自隨著時間之電阻導出隨著時間之線圈之溫度。其絕緣下降之一線圈將比在絕緣完整之情況更快速地加熱。
下文結合圖5至圖9描述可藉由診斷系統100進行之電阻、經誘發電壓、固定被供電線圈電壓、固定線圈電流、固定夾持器電壓及固定夾持器線圈溫度增加之量測之特定實例。
圖5係根據本發明之至少一個態樣之藉由診斷系統100進行及記錄之電阻量測之一圖表300。一第一曲線302表示基於電壓及電流(V/I)量測之以歐姆為單位之電阻且一第二曲線304表示在一固定時間段306(T1)內之一平均值。水平軸表示時間(秒)。左垂直軸表示第一曲線302之電阻(歐姆)標度且右垂直軸表示第二曲線304之電阻(歐姆)標度。此圖表300係可如何計算基線線圈電阻及最終線圈電阻(及溫度)之一實例。
標準數位萬用表使用一經控制電流且量測電壓。數位萬用表使用比可由電源供應器(其通常可提供約1毫安)控制之電流顯著更小之 一電流。診斷系統100之電源供應器126可作為1安培或更小之一電流的來源且量測所得電壓。
可藉由如下文部分概述之在ASTM B193-16，「Standard Test Method for Resistivity of Electrical Conductor Materials」中表示之方法自線圈電阻計算線圈溫度：Rt=RT[1+α(t-T)]
其中RT=在參考溫度T下之電阻。
Rt=如在溫度t下量測之電阻。
T=參考溫度(以℃為單位)。
t=進行量測之溫度(以℃為單位)。
α=在參考溫度T下量測之樣品之電阻之溫度係數；依據ASTM B193為0.00393。
圖6係根據本發明之至少一個態樣之在供電給一固定夾持器線圈時三線圈控制棒驅動機構之提升及可移動夾持器線圈內之經誘發電壓之量測之一圖表400。圖表400繪示一可移動夾持器線圈經誘發電壓軌跡402、一提升夾持器線圈電壓軌跡404及一固定夾持器線圈經誘發電壓軌跡406。左垂直軸係經誘發電壓標度且右垂直軸係被供電線圈電壓。水平軸表示時間(秒)。
在固定夾持器線圈被供電時三線圈控制棒驅動機構之提升及可移動夾持器線圈內之經誘發電壓軌跡402、404、406展示線圈系統之健康情況及狀況之若干態樣。經誘發電壓之極性(+/-)展示線圈導線之極性。若線圈之極性反向接線，則經誘發電壓軌跡402、404、406將係所展 示之經誘發電壓軌跡402、404、406之一鏡像(圍繞水平[x]軸)。在一個態樣中，四線圈及五線圈控制棒驅動機構由具有交替極性之設計接線。然而，三線圈控制棒驅動機構由具有相同極性之設計接線。經誘發電壓軌跡402、404、406之相對振幅亦展示線圈之相對位置。圖6中之經誘發電壓軌跡402、404、406展示，與提升線圈(頂部線圈)相比，供電給固定夾持器線圈(底部線圈)對可移動線圈(中間線圈)具有更大影響。
經誘發電壓軌跡402、404、406之振幅亦展示線圈系統之相對電感。若一個線圈產生較少經誘發電壓至其他兩個線圈中，且在由其他兩個線圈供電時產生較少經誘發電壓，則預期線圈將降級。
圖7係根據本發明之至少一個態樣之流動通過被施加電壓之一線圈之電流之線圈電流量測之一圖表500。如圖7中展示，在一固定時間段內流動通過由一經施加電壓斜坡供電之一固定夾持器線圈之電流之電流軌跡502。垂直軸表示電流(安培)且水平軸表示時間(秒)。
固定線圈電流軌跡502具有兩個接合反曲點504、506及兩個釋放反曲點508、510。第一接合反曲點504係在固定夾持器閉合時通過線圈之接合電流。第二接合反曲點506係在固定夾持器負載轉移閉合時通過線圈之接合電流。第一釋放反曲點508係在固定夾持器負載轉移打開時通過線圈之釋放電流。第二釋放反曲點510係在固定夾持器打開時通過線圈之釋放電流。線圈之剩餘部分將僅具有一個接合點及一個釋放點。依其發生回折之振幅及時間係用於藉由圖4中描述之診斷系統100計算及記錄。接合電流與控制棒驅動機構內之彈簧之力(及健康情況)成正比。
圖8展示根據本發明之至少一個態樣之圖7中展示之固定夾持器線圈釋放反曲點508、510之一詳細視圖600。左垂直軸係加速度計軌 跡602之標度且右垂直軸係固定線圈電流軌跡502之標度。水平軸表示時間(秒)。圖8亦展示一加速度計軌跡602，其僅係為了比較目的而展示。如先前論述，圖4中描述之診斷系統100不包含記錄加速度計資料之能力，此係因為診斷系統100不需要加速度計來判定控制棒驅動機構之某些特性且判定是否存在降級。
圖8展示用於完成釋放之時間之量測。此時間與使用閂鎖總成子組件之摩擦量成正比。第一釋放反曲點508指示釋放運動之開始。固定夾持器負載轉移運動結束由反曲點608指示。釋放反曲點508與運動結束反曲點608之間之時間係用於完成運動之時間。加速度計軌跡604標記用於確認使用圖4中描述之診斷系統100獲得之結果之運動結束。第一釋放反曲點508指示釋放運動之開始。固定夾持器負載轉移運動結束由運動結束反曲點608指示。釋放反曲點508與運動結束反曲點608之間之時間係用於完成運動之時間。加速度計軌跡604標記用於確認使用圖4中描述之診斷系統100獲得之結果之運動結束。
第二釋放反曲點510指示釋放運動之開始。固定夾持器閂鎖張開為間隙完全打開由運動結束反曲點610指示。第二釋放反曲點510與運動結束反曲點610之間之時間係用於完成運動之時間。加速度計軌跡606標記用於確認使用圖4中描述之診斷系統100獲得之結果之運動結束。
圖9係繪示根據本發明之至少一個態樣之一被供電固定夾持器線圈之溫度改變之一圖表700。垂直軸係溫度標度(℉)且水平軸表示時間(秒)。圖表702展示在100伏特之一經施加電壓下之一被供電固定夾持器線圈之溫度升高。在如圖4中展示之線圈堆疊112之線圈電流量變曲線之全部完成之後，使用圖4中描述之診斷系統100執行針對各線圈之溫度 升高測試。使用一最大程式化電壓供電給各線圈達一預定時間(例如，一分鐘)，同時記錄線圈電壓及電阻。線圈電阻及溫度在整個測試內由診斷系統100計算、監測及記錄。
線圈電阻、接合電流、接合時間、用於完成接合之時間及線圈溫度測試之計算可使用如本文中描述之診斷系統100持續執行。亦可執行線圈電感之一計算。可使用線圈釋放已完成之後的衰變斜率，前提是自其減去供應電壓之線性斜坡。衰變斜率可用於判定線圈之時間常數，該時間常數可用於自電感除以電阻等於一線圈之時間常數之關係計算電感。
圖10係描繪根據本發明之至少一個態樣之用於使用經結構化以與一線圈堆疊電連接之一診斷裝置診斷一核反應器之一控制器件之一驅動機構之一控制程式或一邏輯組態之一程序之一邏輯流程圖800，該線圈堆疊具有複數個線圈。將結合圖4中描述之診斷系統100描述邏輯流程圖800。
現參考圖4及圖10，診斷系統100經結構化以與一核反應器之一控制器件之一驅動機構之一線圈堆疊112電連接。線圈堆疊112具有複數個線圈102至110。診斷系統100包含一電源供應器126及包括一處理器153及一記憶體155之一控制器152。記憶體155包含儲存於其中之包括數個機器可執行指令之數個控制演算法或常式。當在處理器153上執行指令時，處理器153以圖4中之線圈電路Coil-5之組態設定DPDT繼電器136a、136b且將SPDT繼電器150之接點耦合至分流電阻器R6以引起電源供應器126將依據時間而變化之一電壓施加802至複數個線圈102至110之線圈110。處理器153接著引起分流電壓計124偵測804線圈110中依據時間之一電流I1。處理器153讀取電流I1且在電流I1中識別806一第一反曲點及 一第二反曲點。處理器153基於包括第一反曲點及第二反曲點之至少一者之一電子評估判定808線圈110適當地起作用或處於至少部分失效之一狀態中。
在另一態樣中，處理器153以圖4中展示之線圈電路Coil-4之組態設定DPDT繼電器134a、134b且進行一測試以在複數個線圈102至110之另一線圈108中偵測依據時間之一經誘發電壓。經誘發電壓由電壓計120偵測且由處理器153記錄於記憶體155中。
在另一態樣中，處理器153基於電子評估判定驅動機構具有處於一適當位準或處於一過量位準下之一摩擦位準。
在另一態樣中，處理器153基於電子評估判定驅動機構之一彈簧適當地起作用或處於至少部分失效之一狀態中。
在另一態樣中，處理器153記錄電壓及電流且在一診斷測試程序期間判定線圈電阻。在此組態中，處理器153以圖4中展示之線圈電路Coil-3之組態設定DPDT繼電器132a、132b且進行一測試以量測線圈106之電阻。線圈106之電阻由電壓計118量測且由處理器153記錄於記憶體155中。
在另一態樣中，處理器153將線圈110內之溫度之一改變記錄於記憶體155中，其中溫度之改變指示線圈110絕緣系統之一狀況。藉由實例，圖9中之圖表700繪示一被供電線圈之一溫度改變。
在另一態樣中，處理器153將一未被供電線圈上之經誘發電壓記錄於記憶體155中以評估線圈健康情況。在此組態中，處理器153以圖4中展示之線圈電路Coil-4之組態設定DPDT繼電器134a、134b且進行一測試以量測經誘發電壓。電壓計120接著量測經誘發電壓且處理器 153將經誘發電壓記錄於記憶體155中。
在另一態樣中，處理器153將線圈之絕緣電阻記錄於記憶體155中。在一個組態中，處理器153以圖4中展示之線圈電路Coil-1之組態設定DPDT繼電器128a、128b且進行一測試以量測線圈102之線圈至線圈絕緣電阻。電壓計114接著量測線圈102之絕緣電阻且處理器153將絕緣電阻記錄於記憶體155中。在另一組態中，處理器153以圖4中展示之線圈電路Coil-2之組態設定DPDT繼電器130a、130b且進行一測試以量測線圈104之線圈至接地絕緣電阻。電壓計114接著量測線圈104之絕緣電阻且處理器153將絕緣電阻記錄於記憶體155中。
圖11係描繪根據本發明之至少一個態樣之用於使用經結構化以與一線圈堆疊電連接之一診斷裝置診斷一核反應器之一控制器件之一驅動機構之一控制程式或一邏輯組態之一程序之一邏輯流程圖900，該線圈堆疊具有至少三個線圈。將結合圖4中描述之診斷系統100描述邏輯流程圖900。
現參考圖4及圖11，診斷系統100經結構化以與一核反應器之一控制器件之一驅動機構之一線圈堆疊112電連接。線圈堆疊112具有至少三個線圈106、108、110。診斷系統100包含一電源供應器126及包括一處理器153及一記憶體155之一控制器152。記憶體155包含儲存於其中之包括數個指令之數個常式。當在處理器153上執行時，處理器153以圖4中之線圈電路Coil-5之組態設定DPDT繼電器136a、136b且將SPDT繼電器150之接點耦合至分流電阻器R6以引起電源供應器126在一預定時間段內將一經程式化電壓施加902至線圈110。當線圈110被供電時，其他線圈106、108未被供電且DPDT繼電器132a、132b、134a、134b經組態以量 測在未被供電線圈106、108中由被供電線圈110誘發之電壓。處理器153接著引起分流電壓計124在預定時段內監測904被供電線圈110中之一電流I1。處理器153基於經監測電流I1判定906核反應器之控制器件之驅動機構之一組件是否適當地起作用或處於至少部分失效之一狀態中。
在另一態樣中，處理器153在電流I1中識別一第一反曲點及一第二反曲點且判定第一反曲點與第二反曲點之間之一經過時間段。處理器153比較經過時間段與一預定時間段。當經過時間段大於預定時間段時，處理器153判定一失效線圈及/或過量摩擦之存在。當經過時間段小於預定時間段時，處理器153判定一斷裂或失效彈簧之存在。處理器153亦判定鄰近未被供電線圈106、108上之經誘發電壓。當一未被供電線圈106、108上之經誘發電壓係一預期值時，處理器153判定過量摩擦之存在。當一未被供電線圈106、108上之經誘發電壓低於預期值時，處理器153判定被供電線圈110係一失效線圈。
如本文中使用，一處理器或處理單元係對某一外部資料源(通常記憶體或某一其他資料串流)執行操作之一電子電路。術語在本文中使用以指代組合數個專用「處理器」之一系統或電腦系統(尤其系統單晶片(SoC))中之中央處理器(中央處理單元)。
如本文中使用，一系統單晶片(system on a chip或system on chip)(SoC或SOC)係整合一電腦或其他電子系統之全部組件之一積體電路(亦被稱為一「IC」或「晶片」)。其可含有數位、類比、混合信號及通常射頻功能，其等全部在一單一基板上。一SoC將一微控制器(或微處理器)與先進周邊設備(如同圖形處理單元(GPU)、Wi-Fi模組或協處理器)整合。一SoC可或可不含有內建記憶體。
如本文中使用，一微控制器或控制器係將一微處理器與周邊電路及記憶體整合之一系統。一微控制器(或用於微控制器單元之MCU)可實施為一單一積體電路上之一小電腦。其可類似於一SoC；一SoC可包含一微控制器作為其組件之一者。一微控制器可含有一或多個核心處理單元(CPU)連同記憶體及可程式化輸入/輸出周邊設備。呈鐵電RAM、NOR快閃記憶體或OTP ROM之形式之程式記憶體以及小量RAM亦通常包含於晶片上。與在由各種離散晶片組成之個人電腦或其他通用應用中使用之微處理器相比，可採用微控制器用於嵌入式應用。
如本文中使用，術語控制器或微控制器可係與一周邊器件介接之一獨立IC或晶片器件。此可係管理一外部器件之操作(及與一外部器件之連接)之該器件上之一電腦或一控制器之兩個部件之間之一鏈路。
如本文中使用，除機電器件之外，術語「組件」、「系統」、「模組」及類似者可係指一電腦相關實體(硬體、硬體及軟體之一組合、軟體或執行中之軟體)。例如，一組件可係(但不限於係)在一處理器上運行之一程序、一處理器、一物件、一執行檔、一執行緒、一程式及/或一電腦。藉由圖解，在電腦上運行之一應用程式及電腦兩者可係一組件。一或多個組件可駐留於一程序及/或執行緒內且一組件可局部化於一個電腦上及/或分佈於兩個或兩個以上電腦之間。在本文中使用字詞「例示性」以意謂用作一實例、例項或圖解。本文中被描述為「例示性」之任何態樣或設計不必被解釋為比其他態樣或設計較佳或有利。
如本文中使用，術語控制電路可係任何獨立或組合電子電路，諸如(例如)一處理單元、處理器、微控制器、微控制器單元、控制器、數位信號處理器(DSP)、可程式化閘陣列(PGA)、場PGA(FPGA)、 可程式化邏輯器件(PLD)、系統單晶片(SoC)、特定應用積體電路(ASIC)、圖形處理單元(GPU)及類似者。根據各種態樣，本文中描述之程序流程圖可由諸如一控制電路之一數位器件實施。
雖然本發明之各種態樣在執行單元及邏輯電路之背景內容中描述指令處置及分佈，但本發明之其他態樣可藉由儲存於一機器可讀有形媒體上之資料及/或指令完成，該等資料及/或指令在藉由一機器執行時引起機器執行與至少一個態樣一致之功能。在一個態樣中，本發明之相關聯功能以機器可執行指令體現。指令可用於引起使用指令程式化之一通用或專用處理器執行本發明中描述之功能之步驟。可將本發明之態樣提供為可包含其上儲存指令之一機器或非暫時性電腦可讀媒體之一電腦程式產品或軟體，該等指令可用於程式化一電腦(或其他電子器件)以執行根據本發明之態樣之一或多個操作。替代地，根據本發明之功能可由含有用於執行功能之固定功能邏輯之特定硬體組件或由經程式化電腦組件及固定功能硬體組件之任何組合執行。
用於程式化邏輯以執行各種經揭示態樣之指令可儲存於系統中之一記憶體(諸如DRAM、快取區、快閃記憶體或其他儲存器)內。此外，指令可經由一網路或藉由其他電腦可讀媒體分佈。因此，一機器可讀媒體可包含用於以可由一機器(例如，一電腦)讀取之一形式儲存或傳輸資訊之任何機構，但不限於用於透過網際網路經由電、光學、聲音或其他形式之經傳播信號(例如，載波、紅外信號、數位信號等)傳輸資訊之軟碟、光學碟、光碟、唯讀記憶體(CD-ROM)及磁光碟、唯讀記憶體(ROM)、隨機存取記憶體(RAM)、可擦除可程式化唯讀記憶體(EPROM)、電可擦除可程式化唯讀記憶體(EEPROM)、磁卡或光學卡、快閃記憶體或一有形機 器可讀儲存器。因此，非暫時性電腦可讀媒體包含適用於以可由一機器(例如，一電腦)讀取之一形式儲存或傳輸電子指令或資訊之任何類型之有形機器可讀媒體。
已參考某些經揭示態樣描述各種實例。各種態樣為了圖解且非限制之目的呈現。熟習此項技術者將瞭解，可進行各種改變、調適及修改而不脫離本發明之範疇或隨附發明申請專利範圍之範疇。
100:診斷系統
102:線圈
104:線圈
106:線圈
108:線圈
110:線圈
112:線圈堆疊
114:感測電壓計
116:感測電壓計
118:感測電壓計
120:感測電壓計
122:感測電壓計
124:分流感測電壓計
126:電源供應器
128a:雙極雙投(DPDT)繼電器
128b:雙極雙投(DPDT)繼電器
130a:雙極雙投(DPDT)繼電器
130b:雙極雙投(DPDT)繼電器
132a:雙極雙投(DPDT)繼電器
132b:雙極雙投(DPDT)繼電器
134a:雙極雙投(DPDT)繼電器
134b:雙極雙投(DPDT)繼電器
136a:雙極雙投(DPDT)繼電器
136b:雙極雙投(DPDT)繼電器
138:分壓器網路
140:分壓器網路
142:分壓器網路
144:分壓器網路
146:分壓器網路
148:兆歐計
150:單極雙投(SPDT)繼電器
152:嵌入式控制器
153:處理器
154:電匯流排
155:記憶體
156:第一端子
158:第二端子
160:正(+)端子
162:負(-)端子
164:力負(-)端子/第一端子
165:力正(+)接點
166:接地
167:感測正(+)接點
168:接點
169:感測負(-)接點
170:負(-)端子
171:力正(+)接點
172:力負(-)接點
173:感測正(+)接點
174:正(+)端子
175:感測負(-)接點
176:負(-)端子
178:力正(+)接點
180:感測正(+)接點
182:感測負(-)接點
184:力負(-)接點
186:正(+)端子
188:負(-)端子
190:力正(+)接點
192:感測正(+)接點
194:感測負(-)接點
196:力負(-)接點
198:正(+)端子
200:負(-)端子
202:力正(+)接點
204:感測正(+)接點
206:感測負(-)接點
208:力負(-)接點
I1:電流
R1:串聯電阻器
R2:串聯電阻器
R6:分流電阻器
V1:電壓/量測
V2:電壓/量測
V3:電壓/經感測電壓/輸出電壓
V4:電壓/經誘發電壓
V5:電壓/經施加電壓
V6:電壓/分流電壓

Claims (21)

  1. 一種診斷裝置，其經結構化以與一核反應器之一控制器件之一驅動機構之一線圈堆疊電連接，該線圈堆疊具有複數個線圈，該診斷裝置包括： 一電源供應器；及 一控制器，其包括一處理器及一記憶體，該記憶體具有儲存於其中之包括數個指令之數個常式，該數個指令當在該處理器上執行時引起該診斷裝置： 將依據時間而變化之一電壓施加至該複數個線圈之一線圈； 偵測該線圈中依據時間之一電流； 在該電流中識別一第一反曲點及一第二反曲點；及 基於包括該第一反曲點及該第二反曲點之一電子評估判定該線圈係以下項之一者： 適當地起作用；及 處於至少部分失效之一狀態中。
  2. 如請求項1之診斷裝置，其中該等指令當在該處理器上執行時引起該診斷裝置： 在該複數個線圈之另一線圈中偵測依據時間之一經誘發電壓；及 基於包括該經誘發電壓之一電子評估判定該線圈係以下項之一者： 適當地起作用；及 處於至少部分失效之一狀態中。
  3. 如請求項1之診斷裝置，其中該等指令當在該處理器上執行時引起該診斷裝置： 基於該電子評估判定該驅動機構具有係以下項之一者之一摩擦位準： 處於一適當位準下；及 處於一過量位準下。
  4. 如請求項1之診斷裝置，其中該等指令當在該處理器上執行時引起該診斷裝置： 基於該電子評估判定該驅動機構之一彈簧係以下項之一者： 適當地起作用；及 處於至少部分失效之一狀態中。
  5. 如請求項1之診斷裝置，其中該等指令當在該處理器上執行時引起該診斷裝置： 記錄電壓及電流；及 在一診斷測試程序期間判定線圈電阻。
  6. 如請求項1之診斷裝置，其中該等指令當在該處理器上執行時引起該診斷裝置記錄該線圈內之溫度之一改變，其中溫度之該改變指示該線圈絕緣系統之一狀況。
  7. 如請求項1之診斷裝置，其中該等指令當在該處理器上執行時引起該診斷裝置記錄一未被供電線圈上之經誘發電壓以評估線圈健康情況。
  8. 如請求項1之診斷裝置，其中該等指令當在該處理器上執行時引起該診斷裝置記錄該線圈之絕緣電阻。
  9. 一種用於使用經結構化以與一線圈堆疊電連接之一診斷裝置診斷一核反應器之一控制器件之一驅動機構之診斷方法，該線圈堆疊具有複數個線圈，該診斷裝置包括： 一電源供應器；及 一控制器，其包括一處理器及一記憶體，該記憶體具有儲存於其中之包括數個指令之數個常式，該數個指令當在該處理器上執行時引起該診斷裝置執行包括以下項之該診斷方法： 將依據時間而變化之一電壓施加至該複數個線圈之一線圈； 偵測該線圈中依據時間之一電流； 在該電流中識別一第一反曲點及一第二反曲點；及 基於包括該第一反曲點及該第二反曲點之至少一者之一電子評估判定該線圈係以下項之一者： 適當地起作用；及 處於至少部分失效之一狀態中。
  10. 如請求項9之診斷方法，其進一步包括： 在該複數個線圈之另一線圈中偵測依據時間之一經誘發電壓；及 基於包括該經誘發電壓之一電子評估判定該線圈係以下項之一者： 適當地起作用；及 處於至少部分失效之一狀態中。
  11. 如請求項9之診斷方法，其進一步包括基於該電子評估判定該驅動機構具有係以下項之一者之一摩擦位準： 處於一適當位準下；及 處於一過量位準下。
  12. 如請求項9之診斷方法，其進一步包括基於該電子評估判定該驅動機構之一彈簧係以下項之一者： 適當地起作用；及 處於至少部分失效之一狀態中。
  13. 如請求項9之診斷方法，其進一步包括： 記錄電壓及電流；及 在一診斷測試程序期間判定線圈電阻。
  14. 如請求項9之診斷方法，其進一步包括記錄該線圈內之溫度之一改變，其中溫度之該改變指示該線圈絕緣系統之一狀況。
  15. 如請求項9之診斷方法，其進一步包括記錄一未被供電線圈上之經誘發電壓以評估線圈健康情況。
  16. 如請求項9之診斷方法，其進一步包括記錄該線圈之絕緣電阻。
  17. 一種用於使用經結構化以與一線圈堆疊電連接之一診斷裝置診斷一核反應器之一控制器件之一驅動機構之診斷方法，該線圈堆疊包括至少三個線圈，該診斷裝置包括： 一電源供應器；及 一控制器，其包括一處理器及一記憶體，該記憶體具有儲存於其中之包括數個指令之數個常式，該數個指令當在該處理器上執行時引起該診斷裝置執行包括以下項之該診斷方法： 在一預定時間段內一次一個地將一經程式化電壓施加至該至少三個線圈之各者，其中當該至少三個線圈之一者被供電時，其他線圈未被供電； 在該預定時段內監測該至少三個線圈之各者內之一電流；及 基於該經監測電流判定該核反應器之該控制器件之該驅動機構之一組件是否係以下項之一者： 適當地起作用；及 處於至少部分失效之一狀態中。
  18. 如請求項17之診斷方法，其進一步包括在該電流中識別一第一反曲點及一第二反曲點。
  19. 如請求項18之診斷方法，其進一步包括判定該第一反曲點與該第二反曲點之間之一經過時間段。
  20. 如請求項19之診斷方法，其進一步包括： 比較該經過時間段與一預定時間段； 其中當該經過時間段大於該預定時間段時，判定一失效線圈或過量摩擦之存在；及 其中當該經過時間段小於該預定時間段時，判定一斷裂或失效彈簧之存在。
  21. 如請求項20之診斷方法，其進一步包括： 判定鄰近未被供電線圈上之經誘發電壓； 其中當該經誘發電壓係一預期值時，判定過量摩擦之存在；及 其中當該經誘發電壓低於該預期值時，判定該被供電線圈係一失效線圈。
TW109106624A 2019-02-28 2020-02-27 使用電壓及電流記錄之控制棒驅動機構診斷工具及使用該工具之診斷方法 TWI757697B (zh)

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