TWI750610B - 太陽能電池結構 - Google Patents
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Abstract
一種太陽能電池結構，包含基板、第一接觸層及第二接觸層。基板包括第一半導體層，及形成於第一半導體層且多數載子異於第一半導體層的第二半導體層，第一半導體層具有頂面、非受光面，及第一側緣。第一接觸層製備於非受光面且第一接觸層與基板呈電性絕緣，第一接觸層用於讓第一半導體層的部分載子通過而部分載子保持在第一半導體層。第二接觸層層疊於第一接觸層且沿著第一接觸層延伸，第二接觸層用於接收通過第一接觸層的載子，其中，第二半導體層和第二接觸層的至少其中一者間隔於第一側緣，以形成電性絕緣。
Description
本發明是有關於一種電池結構，特別是指一種太陽能電池結構。
近年來，在環保意識的抬頭下，太陽能電池被視為可再生能源的重要發展科技。再者，由於輕薄短小為目前市場的發展主流，因此，在可維持或增加發電效率的前提下將太陽能電池的厚度作薄，藉以減輕重量，進而便於搬運與安裝。針對目前的穿隧型異質接面矽晶太陽能電池，該太陽能電池的厚度例如小於200微米，由於厚度極薄，在製作過程中，容易因正負電極的連接處清除不乾淨而造成後續使用上發生漏電的問題。因此，如何降低漏電問題以提升整體良率為目前亟需克服的問題。
因此，本發明之目的，即在提供一種可避免漏電的薄板式之太陽能電池結構，進而提升生產良率。
於是，本發明太陽能電池結構，包含一基板、一第一接觸層及一第二接觸層。該基板包括一第一半導體層，及一形成於該第一半導體層且多數載子異於該第一半導體層的第二半導體層，該第一半導體層具有一鄰接該第二半導體層的頂面、一相反於該頂面的非受光面，及一連接該頂面與該非受光面的第一側緣。該第一接觸層製備於該非受光面，該第一接觸層用於讓該第一半導體層的部分載子通過而部分載子保持在該第一半導體層。該第二接觸層層疊於該第一接觸層且沿著該第一接觸層延伸，該第二接觸層用於接收通過該第一接觸層的該等載子，其中，該第二半導體層和該第二接觸層的至少其中一者間隔於該第一側緣，以形成電性絕緣。
在一些實施態樣中，該第二接觸層的周緣與該第一側緣間隔一第一間距，且該第一間距的範圍為50~1000微米。
於是，本發明太陽能電池結構，包含一基板及一鈍化接觸單元。該基板包括一第一半導體層，及一形成於該第一半導體層且多數載子異於該第一半導體層的第二半導體層，該第一半導體層具有一鄰接該第二半導體層的頂面、一相反於該頂面的非受光面，及一連接該頂面與該非受光面的第一側緣，該第二半導體的周緣間隔於該第一側緣。該鈍化接觸單元製備於該非受光面且該鈍化接觸單元的周緣延伸於該第一側緣的至少一部份，並與該第二半導體層相間隔，以形成電性絕緣。
在一些實施態樣中，該第二半導體層的周緣與該第一側緣間隔一第二間距，且該第二間距的範圍為50~500微米。
在一些實施態樣中，該第二半導體層的周緣與該第一側緣間隔一第二間距，且該第二間距大於200微米。
在一些實施態樣中，該鈍化接觸單元包括一製備於該非受光面與該第一側緣的該部份的第一接觸層，及一層疊於該第一接觸層且沿著該第一接觸層延伸的第二接觸層，該第一接觸層用於讓該第一半導體層的部分載子通過而部分載子保持在該第一半導體層，該第二接觸層用於接收通過該第一接觸層的該等載子。
在一些實施態樣中，該鈍化接觸單元包括一製備於該非受光面與該第一側緣且末端緣與該頂面齊平的第一接觸層，及一層疊於該第一接觸層且末端緣與該第一接觸層的末端緣齊平的第二接觸層，該第一接觸層用於讓該第一半導體層的部分載子通過而部分載子保持在該第一半導體層，該第二接觸層用於接收通過該第一接觸層的該等載子。
在一些實施態樣中，該鈍化接觸單元包括一製備於該第一半導體層未與該第二半導體層連接的部份且間隔該第二半導體層的周緣的第一接觸層，及一包覆該第一接觸層且間隔該第二半導體層的周緣的第二接觸層，該第一接觸層用於讓該第一半導體層的部分載子通過而部分載子保持在該第一半導體層，該第二接觸層用於接收通過該第一接觸層的該等載子。
在一些實施態樣中，該第一接觸層的周緣與該第一側緣間隔一第三間距，且該第三間距的範圍為0~100微米。
在一些實施態樣中，該第二接觸層的周緣與該第二半導體層的周緣間隔一第四間距，且該第四間距的範圍為0~100微米。
本發明之功效在於：太陽能電池結構藉由將該第二接觸層或是該第二半導體層以適當退縮的方式間隔於該第一側緣，藉此能解決以往嚴重漏電的問題。再者，在移除產物層時同時移除部分該第二半導體層，以使該第二半導體層退縮間隔該第一側緣，藉此節省製程時間及成本。
在本發明被詳細描述之前，應當注意在以下的說明內容中，類似的元件是以相同的編號來表示。
參閱圖1至圖3，本發明太陽能電池結構100之一第一實施例，包含一基板1、一第一接觸層21、一第二接觸層22、一保護單元3、一抗反射單元4及一導電單元6。在本實施例中，將多個太陽能電池結構100組合後形成一太陽能電池，便能用於進行光電轉換提供電力，其中，圖1是該太陽能電池的仰視示意圖，圖2是該太陽能電池的俯視示意圖，以及圖3是該太陽能電池結構100的剖面示意圖。該太陽能電池結構100舉例為穿隧型異質接面矽晶太陽能電池結構100(Tunneling Heterojunction Silicon Solar Cell)。此外，在本實施例中，該太陽能電池結構100的厚度小於200微米，舉例具體為150微米。
參閱圖3，該基板1包括一第一半導體層11，及一形成於該第一半導體層11且多數載子異於該第一半導體層11的第二半導體層12，該第一半導體層11具有一鄰接該第二半導體層12的頂面111、一相反於該頂面111的非受光面112，及一連接該頂面111與該非受光面112的第一側緣113。該第二半導體層12製備於該頂面111且周緣與該第一側緣113齊平，意即該第二半導體層12完整地覆蓋住該頂面111且未延伸至該第一側緣113。該第二半導體層12具有一連接該頂面111的底面122，及一相反於該底面122的受光面121。在本實施例中，該第一半導體層11舉例為一矽基N型半導體層，該第二半導體層12舉例為一矽基P型半導體層，進而形成P-N接面，使用時由該受光面121朝向光源接收入射光。此外，該受光面121較佳是形成粗糙表面或圖案化表面，藉以增進抗反射特性。
參閱圖3，該第一接觸層21形成在該第一半導體層11的該非受光面112，在本實施例中，該第一接觸層21完整地覆蓋於該第一半導體層11的該非受光面112，且周緣與該第一側緣113齊平，但是該第一接觸層21的周緣並不以與該第一側緣113齊平為限。在本實施例中，該第一接觸層21的成分舉例為氧化矽，藉此達到絕緣效果，但該第一接觸層21的成分並不以氧化矽為限，在其他實施態樣中，該第一接觸層21的成分也可以是氧化鋁，或金屬氧化層，抑或是氮化矽，或氮氧化矽。另外，該第一接觸層21的厚度遠小於該基板1，其厚度實際上可讓該第一半導體層11的部分載子通過而部分載子保持在該第一半導體層11的程度。
該第二接觸層22舉例透過鍍膜的方式形成於該第一接觸層21的底面，該第二接觸層22舉例為重摻雜的矽基N型半導體薄膜，具體而言，該第二接觸層22位於該第一接觸層21的底面且不接觸該第一半導體層11。再者，該第二接觸層22藉由蝕刻方式向內退縮至使該第一接觸層21的周緣處顯露，意即該第二接觸層22間隔於該第一側緣113與該第一接觸層21的周緣。
據此，由於該第一接觸層21與該第二接觸層22是先以鍍膜方式形成於該基板1的外表面，然而，因為該基板1的厚度極薄，以致於在鍍膜的過程中容易使該第一接觸層21與該第二接觸層22延伸至該第一側緣113(即繞鍍現象)，且在後續蝕刻步驟中亦不容易將位於該第一側緣113上的該第二接觸層22去除，因此，透過上述使該第二接觸層22對應於該非受光面112的部分進行退縮處理，即使位於該第一側緣113的該第二接觸層22未被去除乾淨，還是能確保該第二接觸層22與該第二半導體層12之間保持在電性絕緣(低漏電流)的狀態。
針對該第二接觸層22與該第一側緣113間的間距所作的實驗如下，舉例該第二接觸層22的周緣與該第一側緣113間隔一第一間距L1，依據測量設備測試所得的實驗數據如圖4所示，橫軸表示該第一間距L1，單位是微米(μm)，縱軸表示漏電流的狀況，單位為安培(A)。由於該第一間距L1在500微米以上的漏電流數據已趨於穩定，故在此僅呈現出500微米以下的數據，而由圖4中可得知該第一間距L1的範圍在160~500微米是漏電流較低的狀況，當然，該第一間距L1的範圍亦可增加到50~1000微米，對於漏電流及溫度規範而言仍在可運作的範圍內。
再參閱圖3，該保護單元3具體舉例為鈍化層。其中，該保護單元3完全包覆該基板1、該第一接觸層21，及該第二接觸層22，藉此達到保護之功效，同時使該第二半導體層12、該第二接觸層22與外部呈絕緣狀態。當然，該保護單元3並不以完全包覆該基板1、該第一接觸層21，及該第二接觸層22為限，在另一實施態樣中，該保護單元3包覆該基板1的該第二半導體層12並延伸至該第一側緣113呈倒U型，抑或是該保護單元3包覆該第一接觸層21與該第二接觸層22並延伸至該第一側緣113呈U型，均在實施範圍內。另一方面，該抗反射單元4製備於該保護單元3位置對應於該第二半導體層12的該受光面121，藉此提升入射光量。
該導電單元6具體包括多個間隔排列的第一引線61及多個間隔排列的第二引線62。每一第一引線61貫穿該抗反射單元4與該保護單元3，且其中一端電連接該第二半導體層12，藉此使該第二半導體層12的電洞載子通過該抗反射單元4及該保護單元3。該第一引線61的另一端則凸出於該抗反射單元4與該保護單元3，進而將電洞載子導出，並導向與其他太陽能電池結構100(參閱圖2)的電洞載子匯集。每一第二引線62貫穿該保護單元3，且其中一端電連接該第二接觸層22，藉此使該第二接觸層22的電子載子通過該保護單元3。該第二引線62的另一端凸出於該保護單元3之外，進而將電子載子導出，並導向與其他太陽能電池結構100(參閱圖2)的電子載子匯集，進而提供電力供外部電器使用。
透過上述結構可知，在本實施例中，是以該第二接觸層22間隔於該第一側緣113的方式來降低以往漏電流頻繁發生的情況。該太陽能電池的原理是當P-N接面的電子電洞對在受光激發而分開形成電子載子和電洞載子時，電洞載子會朝向該第二半導體層12方向移動，電子載子則朝向該第一半導體層11遠離該第二半導體層12的位置移動，而且能量足夠的電子載子可進一步通過該第一接觸層21而聚集於該第二接觸層22，同時部分電洞載子會受到該第一接觸層21的阻擋而無法與通過該第一接觸層21的電子載子復合。此外，藉由增加該第二接觸層22以供該導電單元6電連接，如此能避免該導電單元6為了接收載子而破壞該第一接觸層21與該第一半導體層11。
參閱圖1與圖5，本發明太陽能電池結構100之一第二實施例，包含一基板1、一鈍化接觸單元2、一保護單元3、一抗反射單元4及一導電單元6。該第二實施例與該第一實施例的差異在於是透過另一結構的退縮來降低漏電流的狀況，具體說明如下。
參閱圖5，該基板1包括一第一半導體層11，及一第二半導體層12，該第一半導體層11具有一頂面111、一非受光面112，及一第一側緣113。該第二半導體層12製備於該頂面111且周緣間隔於該第一側緣113，意即該第二半導體層12未完全覆蓋該頂面111。該第二半導體層12具有一受光面121，及一底面122。
該鈍化接觸單元2製備於該第一半導體層11未與該第二半導體層12連接的部份且間隔該第二半導體層12。該鈍化接觸單元2具體包括一第一接觸層21及一第二接觸層22。在本實施例中，該第一接觸層21的成分舉例為氧化矽，該第一接觸層21具體結構為包覆該第一半導體層11的該非受光面112、該第一側緣113及該頂面111的一部分，且該第一接觸層21的周緣間隔於該第二半導體層12的周緣。再者，該第二接觸層22舉例為重摻雜的矽基N型半導體薄膜，且如第一實施例所述，是透過鍍膜的方式使該第二接觸層22包覆該第一接觸層21但是該第二接觸層22的周緣間隔該第二半導體層12的周緣。據此，在本實施例中，是透過該第二半導體層12的周緣預先間隔於該第一側緣113，使該第二接觸層22在鍍完後仍與該第二半導體層12相間隔，確保與該第二半導體層12保持在電性絕緣(低漏電流)的狀態。
進一步而言，舉例該第二半導體層12與該第一側緣113間隔一第二間距L2，配合參閱圖6，圖6是經由測量設備測量該太陽能電池結構100後的數據，圖6中的橫軸表示該第二間距L2，單位是微米(μm) ，縱軸表示漏電流的狀況，單位為安培(A)。而由圖6中可得知該第二間距L2的範圍在160~500微米是漏電流較低的狀況，但是，該第二間距L2的範圍亦可擴大至50~500微米，同樣能使漏電流及溫度規範內運作。其中，在較佳的實施態樣中，該第二間距L2大於200微米，對於漏電流的控制會更完整。
此外，該第一接觸層21位於該第一半導體層11的該頂面111的周緣與該第一側緣113間隔一第三間距L3，而該第三間距L3的較佳範圍為0~100微米。該第二接觸層22位於該第一半導體層11的該頂面111的周緣與該第一側緣113間隔一第四間距L4，而該第四間距L4的較佳範圍為0~100微米。
當然，該鈍化接觸單元2並不以覆蓋至該頂面111為限，參閱圖7，在另一實施態樣中，該第一接觸層21製備於該非受光面112與該第一側緣113且末端緣與該頂面111齊平，而該第二接觸層22層疊於該第一接觸層21且末端緣與該第一接觸層21的末端緣齊平。再參閱圖8，在另一實施態樣中，該第一接觸層21製備於該非受光面112與該第一側緣113的至少一部份，亦即該第一接觸層21的末端緣是介於該頂面111與該非受光面112之間。該第二接觸層22層疊於該第一接觸層21且沿著該第一接觸層21延伸，進一步來說，該第二接觸層22完整地覆蓋該第一接觸層21且末端緣亦介於該頂面111與該非受光面112之間。進一步而言，前述該第一接觸層21與該第二接觸層22的狀態可相互配置。
再參閱圖5，此外，該保護單元3如同第一實施例的保護單元3，舉例為鈍化層，其中，該保護單元3包覆該基板1與該鈍化接觸單元2，藉此達到保護及絕緣之效果。另一方面，該抗反射單元4製備於該保護單元3位置對應於該第二半導體層12的該受光面121，藉此提升入射光量。
在本實施例中，該太陽能電池結構100具有多個貫穿該保護單元3對應於該非受光面112的部分且鄰接該第二接觸層22的下穿孔51，及多個貫穿該保護單元3對應於該第二半導體層12的部分且鄰接該第二半導體層12的上穿孔52。該導電單元6如第一實施例所述包括多個分別填充於該等上穿孔52的第一引線61，及多個分別填充於該等下穿孔51的第二引線62。每一第一引線61貫穿該抗反射單元4、該保護單元3且一端電連接該第二半導體層12，另一端則凸出於該抗反射單元4與該保護單元3。每一第二引線62貫穿該保護單元3，且一端電連接該第二接觸層22，另一端凸出於該保護單元3之外。藉此使該太陽能電池結構100能與其他太陽能電池結構100電連接，進而提供電力供外部電器使用。
參閱圖9，本發明太陽能電池結構100的製作方法之較佳實施例依序包括提供一太陽能電池結構半成品的步驟S01、在該太陽能電池結構半成品製作該鈍化接觸單元2的步驟S02，及在該太陽能電池結構半成品製作該保護單元3與該導電單元6的步驟S03。
參閱圖10及相關圖式，以下先說明步驟S01提供該太陽能電池結構半成品的製作流程。
參閱圖10與圖11，在步驟S11中，是將一原本為平整表面的基板1經表面粗化處理或圖案化處理後，形成具有粗糙表面的該基板1，使該基板1的表面呈凹凸不平狀，藉此改變入射光的反射角，讓入射光能再一次朝基板1入射，藉此提升入射光量。該基板1例如是一N型矽晶圓，因此該步驟S11即是對該N型矽晶圓施以粗化處理。
參閱圖10與圖12，在步驟S12中，是對該基板1的整體表面施以擴散摻雜含硼之成分，使得該基板1由N型矽晶圓轉換形成區分為N型的該第一半導體層11及P型的該第二半導體層12的結構，並由該第一半導體層11與該第二半導體層12形成P-N接面。在此狀態下，舉例該第一半導體層11具有該非受光面112、該第一側緣113及該頂面111；而該第二半導體層12具有該受光面121及該底面122，該頂面111與該底面122的接合處即為P-N接面，藉此當入射光入射至該P-N接面時，激發位於該P-N接面的電子電洞對，使電子載子與電洞載子相互分離形成光電流。另外，要說明的是，由於本步驟是藉由擴散方式製作該第二半導體層12，因此在該第二半導體層12的外表面也將形成該產物層9，也就是含硼氧化層。
參閱圖10與圖13，在步驟S13中，透過蝕刻移除該產物層9，特別是該受光面121的部分，以提升入射光至該P-N接面的機率。此外，還透過蝕刻移除該第二半導體層12，使該第二半導體層12只剩下位於該頂面111的部分，且其周緣更向內退縮至與該第一半導體層11的第一側緣113間隔該第二間距L2(參閱圖5)。
參閱圖10與圖14，在步驟S21中，透過熱氧化的方式在該第一半導體層11的該非受光面112、該第一側緣113與該頂面111的至少一部分形成該第一接觸層21，且該第一接觸層21形成於該頂面111的部分與該第二半導體層12的周緣相間隔。藉此為下一步驟所形成之結構做準備。
參閱圖10與圖15，在步驟S22中，在該第一接觸層21藉由重摻雜及退火的方式摻雜N型多晶矽，以形成該第二接觸層22，意即該第二接觸層22包覆該第一接觸層21，換言之，該第二接觸層22與該第一半導體層11間隔著具絕緣性質的該第一接觸層21，而且該第二接觸層22位於該頂面111的部分也與該第二半導體層12相間隔，藉此達到與該第二半導體層12電性絕緣。再者，由於該第二接觸層22以外推電極的型態形成於該第一接觸層21的外側，進而供後續步驟中所形成的該導電單元6(參閱圖5)能在避免破壞該第一半導體層11或該第一接觸層21的前提下與該第一半導體層11達到電性連接之功效。
參閱圖10與圖16，在步驟S31中，會鈍化該太陽能電池結構半成品與該鈍化接觸單元2，以形成該保護單元3，藉此對該太陽能電池結構半成品與該鈍化接觸單元2達到保護及絕緣作用。
參閱圖10與圖17，在步驟S32中，在鈍化步驟之後，在該保護單元3對應該受光面121上製備該抗反射單元4，透過不同折射率的介質使入射光更容易穿透進入該第一半導體層11及該第二半導體層12並且降低反射特性。
參閱圖5與圖10，在步驟S33中，透過雷射鑽孔或高溫燒結的方式使該保護單元3對應於該非受光面112的部分形成鄰接該第二接觸層22的該等下穿孔51。此外，還使該抗反射單元4，及該保護單元3對應於該第二半導體層12的部分共同形成該等上穿孔52。隨後，透過填孔的方式分別在該等上穿孔52與該等下穿孔51形成該導電單元6，該導電單元6包括多個分別填充於該等上穿孔52的第一引線61，及一填充於該等下穿孔51的第二引線62，藉此與其他太陽能電池結構100進行電連接。
綜上所述，本發明太陽能電池結構100藉由將該第二接觸層22或是該第二半導體層12以適當退縮的方式間隔於該第一側緣113，藉此能解決以往嚴重漏電的問題。此外，在移除產物層9時同時移除部分該第二半導體層12，以使該第二半導體層12退縮間隔該第一側緣113，藉此節省製程時間及成本，故確實能達成本發明之目的。
惟以上所述者，僅為本發明之實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍，凡是依本發明申請專利範圍及專利說明書內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。
100····· 太陽能電池結構
1········ 基板
11······ 第一半導體層
111····· 頂面
112····· 非受光面
113····· 第一側緣
12······ 第二半導體層
121····· 受光面
122····· 底面
2········ 鈍化接觸單元
21······ 第一接觸層
22······ 第二接觸層
3········ 保護單元
4········ 抗反射單元
51······ 下穿孔
52······ 上穿孔
6········ 導電單元
61······ 第一引線
62······ 第二引線
9········ 產物層
L1······ 第一間距
L2······ 第二間距
L3······ 第三間距
L4······ 第四間距
本發明之其他的特徵及功效，將於參照圖式的實施方式中清楚地呈現，其中：
圖1是本發明太陽能電池結構的一第一實施例的一仰視示意圖；
圖2是該第一實施例的一俯視示意圖；
圖3是沿圖2線III-III所截取之一剖面示意圖；
圖4是一相關於間距與漏電流的箱形圖；
圖5是本發明太陽能電池結構的一第二實施例的一剖面示意圖；
圖6是一相關於間距與漏電流的箱形圖；
圖7是另一實施態樣之一剖面示意圖；
圖8是再一實施態樣之一剖面示意圖；
圖9是該實施例之一步驟流程圖；
圖10是該實施例之一步驟流程圖；及
圖11至圖17是該實施例之流程示意圖。
100····· 太陽能電池結構
1········ 基板
11······ 第一半導體層
111····· 頂面
112····· 非受光面
113····· 第一側緣
12······ 第二半導體層
121····· 受光面
122····· 底面
21······ 第一接觸層
22······ 第二接觸層
3········ 保護單元
4········ 抗反射單元
6········ 導電單元
61······ 第一引線
62······ 第二引線
L1······ 第一間距
Claims (10)
- 一種太陽能電池結構，包含：一基板，包括一第一半導體層，及一形成於該第一半導體層且多數載子異於該第一半導體層的第二半導體層，該第一半導體層具有一鄰接該第二半導體層的頂面、一相反於該頂面的非受光面，及一連接該頂面與該非受光面的第一側緣；一第一接觸層，製備於該非受光面，該第一接觸層用於讓該第一半導體層的部分載子通過而部分載子保持在該第一半導體層；及一第二接觸層，層疊於該第一接觸層且沿著該第一接觸層延伸，該第二接觸層用於接收通過該第一接觸層的該等載子，其中，該第二半導體層和該第二接觸層的至少其中一者間隔於該第一側緣，以形成電性絕緣。
- 如請求項1所述的太陽能電池結構，其中，該第二接觸層的周緣與該第一側緣間隔一第一間距，且該第一間距的範圍為50~1000微米。
- 一種太陽能電池結構，包含：一基板，包括一第一半導體層，及一形成於該第一半導體層且多數載子異於該第一半導體層的第二半導體層，該第一半導體層具有一鄰接該第二半導體層的頂面、一相反於該頂面的非受光面，及一連接該頂面與該非受光面的第一側緣，該第二半導體層的周緣間隔於該第一側緣；及 一鈍化接觸單元，製備於該非受光面且該鈍化接觸單元的周緣延伸於該第一側緣的至少一部份，並與該第二半導體層相間隔，以形成電性絕緣。
- 如請求項3所述的太陽能電池結構，其中，該第二半導體層的周緣與該第一側緣間隔一第二間距，且該第二間距的範圍為50~500微米。
- 如請求項3所述的太陽能電池結構，其中，該第二半導體層的周緣與該第一側緣間隔一第二間距，且該第二間距大於200微米並小於等於500微米。
- 如請求項3所述的太陽能電池結構，其中，該鈍化接觸單元包括一製備於該非受光面與該第一側緣的該部份的第一接觸層，及一層疊於該第一接觸層且沿著該第一接觸層延伸的第二接觸層，該第一接觸層用於讓該第一半導體層的部分載子通過而部分載子保持在該第一半導體層，該第二接觸層用於接收通過該第一接觸層的該等載子。
- 如請求項3所述的太陽能電池結構，其中，該鈍化接觸單元包括一製備於該非受光面與該第一側緣且末端緣與該頂面齊平的第一接觸層，及一層疊於該第一接觸層且末端緣與該第一接觸層的末端緣齊平的第二接觸層，該第一接觸層用於讓該第一半導體層的部分載子通過而部分載子保持在該第一半導體層，該第二接觸層用於接收通過該第一接觸層的該等載子。
- 如請求項3所述的太陽能電池結構，其中，該鈍化接觸單元包括一製備於該第一半導體層未與該第二半導體層連 接的部份且間隔該第二半導體層的周緣的第一接觸層，及一包覆該第一接觸層且間隔該第二半導體層的周緣的第二接觸層，該第一接觸層用於讓該第一半導體層的部分載子通過而部分載子保持在該第一半導體層，該第二接觸層用於接收通過該第一接觸層的該等載子。
- 如請求項8所述的太陽能電池結構，其中，該第一接觸層的周緣與該第一側緣間隔一第三間距，且該第三間距的範圍為0~100微米。
- 如請求項8所述的太陽能電池結構，其中，該第二接觸層的周緣與該第二半導體層的周緣間隔一第四間距，且該第四間距的範圍為0~100微米。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
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| TW202137575A TW202137575A (zh) | 2021-10-01 |
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| TW (1) | TWI750610B (zh) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201422823A (zh) * | 2012-12-14 | 2014-06-16 | Solar Applied Mat Tech Corp | 多元合金材料層及包含其之太陽能電池 |
| US20150096613A1 (en) * | 2013-06-24 | 2015-04-09 | Sino-American Silicon Products Inc. | Photovoltaic device and method of manufacturing the same |
| TW201906180A (zh) * | 2017-06-23 | 2019-02-01 | 中美矽晶製品股份有限公司 | 光伏元件及其製造方法 |
-
2020
- 2020-03-18 TW TW109109003A patent/TWI750610B/zh active
Patent Citations (3)
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|---|---|
| TW202137575A (zh) | 2021-10-01 |
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