TWI750601B - 原子層沉積設備 - Google Patents

Abstract

本案揭露一種原子層沉積設備。原子層沉積設備包括腔體、基材載台、中空部件與擋件，其中中空部件具有抽氣孔且其底部的一部份對應設置於基材載台之上。所述擋件對應抽氣孔設置，其中擋件具有縱向延伸部與橫向延伸部。再者，中空部件上方可連接馬達以形成上抽氣裝置。當上抽氣裝置做動時，擋件與中空部件之間可形成上抽氣路徑，以及擋件與基材載台之間可形成下抽氣路徑。所述上與下抽氣路徑分別包括第一縱向距離與第二縱向距離，其中第一與第二縱向距離之間的比例可受調整，進而調節腔體內的製程流體(例如，前驅物)之流場，以使原子層沉積製程中的基材可受前驅物均勻的沉積。

Description

原子層沉積設備

本發明係關於一種原子層沉積設備與製程方法，尤其指一種具有中空部件並形成上與下抽氣路徑以調節製程流體之流場的原子層沉積設備，以及使用其的製程方法。

積體電路技術的發展已經成熟，且目前電子產品朝向輕薄短小、高性能、高可靠性與智能化的趨勢發展。電子產品中的電晶體之微縮技術至關重要，小尺寸的電晶體會對電子產品的性能產生重要影響，當電晶體的尺寸愈小，可減少電流傳輸時間並降低耗能，以達到快速運算並節能的效果。在現今微小的電晶體中，部分關鍵的薄膜層幾乎僅有幾個原子的厚度，而發展這些微量結構的技術之一為原子層沉積製程(atomic layer deposition process,ALD process)。

原子層沉積製程是一種將物質以單原子的形式一層一層地鍍於基材表面的技術，其中於製程中，係使反應的前驅物與基材或前一層膜的材料表面進行化學吸附，以生產既薄且均勻的薄膜。於原子層沉積製程中，均勻的沉積薄膜是電晶體微縮的重要基礎，如何有效的控制薄膜均勻度為現今的電晶體發展的重要課題。

目前原子層沉積製程的均勻度之控制仍未完善，其中一個問題來自前驅物的流場未受到妥善的控制(例如，原子層沉積製程的前驅物如何在不干擾均勻的沉積行為下抽離腔體)。現行的原子層沉積設備之設計多使用大型的密閉式腔體，其可於原子層沉積製程中容納大量的前驅物，並確保前驅物滯留於腔體中與基材接觸以進行沉積，其中密閉式的腔體設計可避免前驅物在沉積與反應完成之前提早流失。當沉積與反應完成，腔體內的前驅物再透過腔體之底部抽氣口排出。然而，此種大型的密閉式腔體需使用大量的前驅物，將使製程成本過高。再者，若排出前驅物的時間控制失當，則單一的抽氣裝置(底部抽氣口)則可能導致前驅物形成擾流，使得基材受沉積的均勻度受到不良影響。為了降低製程成本，其中一種方法是縮減腔體的容積以減少前驅物用量，然而此法將造成前驅物形成擾流，進而導致前驅物重複與基材接觸，而使基材受沉積的均勻度下降。故如何降低製程成本且妥善控制前驅物沉積於基材的均勻度，為現今原子層沉積製程待克服之議題。

因此，為了克服昔知技術的不足之處，本發明實施例提供一種原子層沉積設備與製程方法，使前驅物(precursor)及/或滌洗氣體(purge gas)可呈現受控制的慢速流場，以藉此調節前驅物沉積於基材的均勻度。所述原子層沉積設備包括腔體、基材載台、擋件與多個中空部件，其中腔體具有底部抽氣口，中空部件的每一者個別具有一個抽氣孔，以及基材載台連接擋件，其中擋件具有複數個縱向延伸部且縱向延伸部的每一者個別對應於中空部件的抽氣 孔。所述中空部件可偕同馬達形成上抽氣裝置，其中馬達不限制同時連接多個或僅連接一個中空部件以形成上抽氣裝置。所述中空部件的底部的一部份設置於基材載台的上方。當上抽氣裝置啟動時，擋件與中空部件的底部之間形成上抽氣路徑，以及擋件與基材載台之間形成下抽氣路徑，所述兩個抽氣路徑可使原子層沉積製程之前驅物及/或滌洗氣體呈現受控制的慢速流場，以控管前驅物的沉積行為與抽離腔體時的流動行為，並優化原子層沉積製程。再者，擋件與中空部件之間的第一縱向距離可受調整，以使第一縱向距離與第二縱向距離(擋件與基材載台之間)的比例可受調整，以藉此調節前驅物及/或滌洗氣體的流場，以優化前驅物沉積於基材的均勻度。

所述原子層沉積製程中，沉積一種前驅物的流程具有五個步驟，當基材放置於基材載台後，首先是透過腔體的底部抽氣口對腔體內部進行不間斷的下抽氣。接著，前驅物由腔體上方被送入腔體中，以對基材進行反應與沉積。當注入的前驅物達到預定量時，停止對腔體內部供應前驅物。進一步地，於停止對腔體內部供應前驅物的一段時間後，讓滌洗氣體由腔體上方被送入腔體中以滌洗腔體內的前驅物，並讓上抽氣裝置同步地對腔體內部進行上抽氣，以透過上與下抽氣路徑形成並控制前驅物的慢速流場，並使前驅物被抽離腔體。最後，在停止對腔體內供應滌洗氣體後，停止上抽氣裝置對腔體內部的上抽氣，其中上抽氣的時間大於供應滌洗氣體的時間。藉由上述步驟，可完成原子層沉積製程中的提供一次(一種)前驅物的流程，同樣的，提供另一種前驅物的流程與上述相同，以及每一次的原子層沉積的流程亦可重複上述的步驟，以完成完整的原子層沉積製程。

基於前述目的的至少其中之一者，本發明實施例提供之原子層沉積設備包括腔體、基材載台、下抽氣裝置、上抽氣裝置以及擋件。所述腔體具有底部抽氣口。所述基材載台設置於腔體中。所述下抽氣裝置透過其底部抽氣口，持續不間斷地對腔體進行下抽氣。所述上抽氣裝置具有複數個抽氣孔。所述擋件用於形成至少一上抽氣路徑於擋件與上抽氣裝置的底部之間，以及至少一下抽氣路徑於基材載台與擋件之間。所述上抽氣裝置在滌洗腔體的前驅物時對腔體進行上抽氣。

可選地，所述擋件包括彼此連接的橫向延伸部與複數縱向延伸部，其中橫向延伸部連接基材載台的外緣，以及縱向延伸部的每一者對應於上抽氣裝置的抽氣孔的其中一者，以形成上抽氣路徑於擋件與上抽氣裝置的底部之間，以及下抽氣路徑於基材載台與該擋件之間

可選地，所述所述橫向延伸部與上抽氣裝置的底部之間具有第一縱向距離，以及橫向延伸部與基材載台之間具有小於第一縱向距離的第二縱向距離。

可選地，所述原子層沉積設備更包括噴頭組件，用以提供至少一個前驅物或滌洗氣體到腔體內。

基於前述目的的至少其中之一者，本發明實施例提供之原子層沉積設備包括腔體、基材載台、擋件以及複數個中空部件。所述腔體具有底部抽氣口。所述基材載台設置於腔體中。所述多個中空部件的每一者具有一個抽氣孔，以及每一個中空部件的底部的一部分對應設置於基材載台之上。每一個中 空部件的抽氣孔對應設置有擋件，以在擋件與中空部件的底部之間形成上抽氣路徑，以及在基材載台與擋件之間形成下抽氣路徑。

可選地，所述擋件具有彼此連接的橫向延伸部與複數縱向延伸部，其中橫向延伸部連接基材載台的外緣以及橫向延伸部位於中空部件之下與基材載台之上，以形成上與下抽氣路徑。

可選地，所述橫向延伸部與中空部件的底部之間具有第一縱向距離，以及橫向延伸部與基材載台之間具有小於第一縱向距離的第二縱向距離。

可選地，所述第一縱向距離基於原子層沉積製程的參數為可調整的，以及第二縱向距離為不可調整的。

基於前述目的的至少其中之一者，本發明實施例提供之原子層沉積製程方法包括步驟A-步驟E。步驟A，對腔體內部進行持續地下抽氣，其中下抽氣自原子層沉積製程開始至結束不間斷。步驟B，自腔體上方對腔體內部以及腔體內的基材載台上的基材提供前驅物。步驟C，停止提供前驅物給腔體內部以及腔體內的基材。步驟D，於停止提供前驅物給腔體內部的一段時間後，自腔體上方對腔體內部提供滌洗氣體，其中在開始對腔體內部提供滌洗氣體時，同步地對腔體內部進行上抽氣以移除前驅物。步驟E，停止提供滌洗氣體至腔體內部後，停止上抽氣，其中上抽氣的時間大於或等於提供滌洗氣體的時間。

可選地，於所述步驟A中，係透過下抽氣裝置對腔體內部進行下抽氣。於所述步驟B與步驟D中，係透過噴頭組件提供前驅物與滌洗氣體給腔體內部。於所述步驟D中，係透過上抽氣裝置對腔體內部進行上抽氣。

可選地，於所述步驟D中，滌洗氣體為氮氣。

簡言之，本發明實施例提供的原子層沉積設備與製程方法可形成可調整之上抽氣路徑與下抽氣路徑，以使原子層沉積製程中的前驅物與/或滌洗氣體形成慢速流場，藉此以動態的方式對基材進行反應與沉積，進而調控原子層沉積製程中的基材受沉積的均勻度。再者，未正確沉積於基材而沾附於基材載台之前驅物可多數沾附於擋件，使清潔機台時可針對擋件進行更換，避免直接更換基材載台，因此可節省成本。故本發明所述之原子層沉積設備與製程方法於對原子層沉積有需求之製程與市場(例如積體電路)具有優勢。

為讓本發明之上述和其他目的、特徵及優點能更明顯易懂，配合所附圖示，做詳細說明如下。

1:原子層沉積設備

101:腔體

102、202、302:基材載台

1021:基材承載部

1022:外緣部

103:中空部件

1031、2031、3031:擋件

104:噴頭組件

d1、d3、d5:第一縱向距離

d2、d4、d6:第二縱向距離

G101:第一前驅物

G102:滌洗氣體

H1031、H2031、H3031:橫向延伸部

Line1~Line5:線

O101:底部抽氣口

O103、O203、O303:抽氣孔

P1031、P3031:上抽氣路徑

P1032:下抽氣路徑

V1031、V2031、V3031:縱向延伸部

W:基材

圖1A是本發明實施例之原子層沉積設備的示意圖。

圖1B是本發明另一實施例的原子層沉積設備的局部示意圖。

圖1C是本發明又一實施例的原子層沉積設備的局部示意圖。

圖1D是本發明實施例之擋件的俯視示意圖。

圖2是本發明實施例之原子層沉積製程的步驟與時間的趨勢關係圖。

為充分瞭解本發明之目的、特徵及功效，茲藉由下述具體之實施例，並配合所附之圖式，對本發明做一詳細說明，說明如後。

本發明提供一種原子層沉積設備與使用其的原子層沉積製程方法。所述原子層沉積設備透過其中空部件偕同馬達以創造有別於傳統沉積設備(僅包括下抽氣裝置)的第二個抽氣裝置(更包括上抽氣裝置)，其中上抽氣裝置偕同連接於基材載台的擋件可創造上與下抽氣路徑。原子層沉積設備藉由上與下抽氣路徑以及製程的調控(例如，提供前驅物或滌洗氣體的時間之調控，或者抽氣的時間之調控)可進一步調控欲與基材反應並沉積的前驅物之沉積狀況，進而使基材受沉積的均勻度受到優化。

首先，請參照圖1A、圖1B以及參照圖1C，圖1A是本發明實施例之原子層沉積設備的示意圖，圖1B是本發明另一實施例的原子層沉積設備的局部示意圖，以及圖1C是本發明又一實施例的原子層沉積設備的局部示意圖，以及圖1C是本發明又一實施例的原子層沉積設備的局部示意圖。如圖1A~圖1C所示，原子層沉積設備1包括腔體101、基材載台102、擋件1031、2301、3031、複數個中空部件103以及噴頭組件104。腔體101具有底部抽氣口O101，用以排出腔體內需排出的流體，其中底部抽氣口O101可偕同動力裝置(例如，馬達)形成下抽氣裝置，以加強對流體的排出能力。基材載台102設置於腔體101中，用以承載基材W(例如但不限制為晶圓)。所述基材載台102的外緣連接有擋件1031、2301、3031，擋件1031、2301、3031包括彼此連接的縱向延伸部V1031、V2031、V3031與橫向延伸部H1031、H2031、H3031，且橫向延伸部H1031、H2031、H3031的一處連接縱向延伸部V1031、V2031、V3031的其中一端。所述擋件更詳細的說明請參照圖1D，圖1D是本發明實施例之擋件的俯視示意圖。如圖1D所示，擋件1301為圓形環狀，且具有橫向延伸部H1031與複數個縱向延伸部V1031，其中 橫向延伸部H1031的多個位置連接多個縱向延伸部V1031的其中一端，其中擋件1031不限制為一體成形或由多個部件組合而成。請繼續參照圖1A~圖1C，所述基材載台102的外觀沒有任何限制，其可以如圖1A所示具有基材承載部1021與外緣部1022，其中外緣部1022圍繞並連接基材承載部1021，且基材承載部1021高於外緣部1022，於此實施例中，基材載台102係以其基材承載部1021與擋件1031的橫向延伸部H1031連接。圖1A所示之基材載台102的縱切面呈現類似於「凸」字型的形狀，但本發明不以此為限制。

請繼續參照圖1A、圖1B以及參照圖1C，所述中空部件103、203、303的每一者皆具有一個抽氣孔O103、O203、O303以及頂部開口，且具有貫穿抽氣孔O103、O203、O303及頂部開口的中空區，其中中空區可以與外部連通。所述中空區的中空路徑沒有任何限制，以及抽氣孔的位置沒有任何限制(例如圖1A、圖1B之底部抽氣孔O103、O203，或如圖1C之側邊抽氣孔O303)，再者，本發明亦不限制中空部件的數量。所述抽氣孔O103、O203、O303的每一者個別與擋件1031、2301、3031的縱向延伸部V1031、V2031、V3031的其中一者對應配置，故擋件之縱向延伸部的數量與中空部件的數量相同。所述擋件1031、2031、3031的橫向延伸部H1031、H2031、H30131與中空部件103、203、303的底部之間具有可調整的第一縱向距離d1、d3，其中第一縱向距離d1、d3、d5例如但不限制為1-10公釐。於本發明中，中空部件103、203、303與擋件1031、2031、3031的外觀沒有任何限制，舉例而言，中空部件可以呈現不規則形狀，以及擋件1031、2301、3031的外型可以是如圖1A所示其縱切面呈現L型，或是如圖1B所示其縱切面呈現倒T字型或其他形狀。所述中空部件103、203係配置於基材載 台102、202的上方，更詳盡的說明是，中空部件103、203、303的底部的一部份係對應地設置於基材載台102、202、303之上。舉例而言，當基材載台呈現如圖1A所示之縱切面為「凸」字型之形狀時，中空部件103的底部的一部份係對應地設置於基材載台102的外緣部1022之上。再者，擋件1031的橫向延伸部H1031與基材載台102的外緣部1022之間具有第二縱向距離d2。請繼續參照圖1A至圖1C，所述中空部件103、203、303可透過其頂部開口連接動力裝置(例如，馬達)以形成上抽氣裝置。當上抽氣裝置做動時，可於上抽氣裝置之中空部件103、203、303的底部與擋件1031、2031、3031之間形成上抽氣路徑P1031、P3031，以及於基材載台102與擋件1031之間形成下抽氣路徑P1032，其中上抽氣路徑P1031與下抽氣路徑P1032可使腔體101內的氣體(例如，反應的前驅物)呈現慢速流場，並使氣體慢速地被抽離腔體101。基於原子層沉積製程的參數，第一縱向距離d1、d3、d5為可調整的，以及第二縱向距離d2、d4、d6為不可調整的，其中當第一縱向距離d1、d3、d5大於第二縱向距離d2、d4、d6，可使上抽氣裝置對腔體101內的流體之流場達到良好的控制，以使原子層沉積設備1對基材W進行沉積時達到好的沉積均勻度，其中第二縱向距離d2、d4、d6例如但不限制為0.2-0.8公釐。更佳的情況是，當第一縱向距離d1、d3、d5與第二縱向距離d2、d4、d6之比值大於1.5，可使上抽氣裝置對腔體101內的流體之流場達到更佳的控制，並使原子層沉積設備1對基材W進行沉積時達到更佳的沉積均勻度。在此請注意，所述擋件之精神在於偕同中空部件以創造上與下抽氣路徑，故不限制中空部件的連接處與連接方式，凡使用目的為創造上與下抽氣路徑之物件組合，應視為 基於本發明概念之發想與延伸。請繼續參照圖1A，所述噴頭組件104係用以提供原子層沉積製程之反應的前驅物或滌洗氣體至腔體中。

接著，請參照圖2並配合圖1A的設備以知悉原子層沉積製程的流程與方法，圖2是本發明實施例之原子層沉積製程的步驟與時間的趨勢關係圖。如圖1A與圖2所示，首先，請參照用於表示下抽氣裝置啟動時間的線line5，當基材W放置到基材載台102後，原子層沉積設備的下抽氣裝置透過腔體101的底部抽氣口O101對腔體101內部的進行下抽氣，其中下抽氣自製程開始到結束沒有間斷，以作為控制腔體101內的氣體之流場的第一位點。接著，請參照用於表示注入第一前驅物G101之時間的線line1，第一前驅物G101透過噴頭組件104由腔體101上方被提供至腔體101內部，並擴散到基材W上方以與基材W表面的材料進行反應與沉積。接著，請繼續參照線line1，當第一前驅物G101注入腔體101達到目標量後(根據製程參數以決定目標量)，噴頭組件104停止供應第一前驅物G101到腔體101內。進一步地，請參照用於表示注入滌洗氣體G102之時間的線line3與用於表示上抽氣裝置啟動時間的線line4，於停止供應第一前驅物G101到腔體101內的一段時間後，滌洗氣體G102(例如但不限制為氮氣)透過噴頭組件104由腔體101上方被提供至腔體101內部，以對第一前驅物G101進行滌洗(purge)，同步地，上抽氣裝置於腔體101的中段位置(即，接近基材W的水平面之位置)對腔體101內部進行上抽氣，以作為控制腔體101內的氣體之流場的第二位點，此時上抽氣裝置可控制第一前驅物G101與滌洗氣體G102的流場，使第一前驅物G101呈現慢速流場反應，並使第一前驅物G101可以動態的方式對基材W進行反應與沉積，於反應的同時，第一前驅物G101與滌洗氣體G102被慢速地抽離腔體 101。當腔體101內的流體呈現慢速的流動，其流場將可穩定地被控制，並避免擾流產生。所述上與下抽氣裝置對流場之控制與兩抽氣裝置的開啟與關閉的時機可使基材W受原子層沉積時的均勻度受到良好的控制。接著，請繼續參照線line3與線line4，當滌洗氣體G102停止供應至腔體101後，上抽氣裝置停止對腔體101內部的抽氣。於本發明中，上抽氣的時間大於提供滌洗氣體的時間，但本發明不以此為限制，上抽氣的時間也可以相同於提供滌洗氣體的時間。接著，請繼續參照圖1A與圖2以知悉第二前驅物注入腔體101後的原子層沉積設備1做動的流程，其中注入第二前驅物的步驟流程相似於注入第一前驅物的步驟流程。請參照用於表示注入第二前驅物之時間的線line2，當滌洗氣體G102停止供應至腔體101的一段時間後，且上抽氣裝置停止對腔體101內部的抽氣後，第二前驅物透過噴頭組件104由腔體101上方被提供至腔體101內部，並擴散到基材W上方以與基材W表面的材料進行反應與沉積。接著，當第二前驅物注入腔體101達到目標量後，噴頭組件104停止供應第二前驅物到腔體101內。進一步地，請參照線line3與線line4，於停止供應第二前驅物到腔體101內的一段時間後，滌洗氣體透過噴頭組件104由腔體101上方被提供至腔體101內部，以對第二前驅物進行滌洗，同步地，上抽氣裝置於腔體101的中段位置(即，接近基材W的水平面之位置)對腔體101內部進行上抽氣以控制第二前驅物與滌洗氣體之流場。接著，請繼續參照線line3與線line4，當滌洗氣體停止供應至腔體101後，上抽氣裝置停止對腔體101內部的抽氣。於本發明中，上抽氣的時間大於提供滌洗氣體的時間，但本發明不以此為限制，上抽氣的時間也可以相同於提供滌洗氣體的時間。當 第一前驅物與第二前驅物完成對基材W表面的反應與沉積後，即對原子層沉積之流程達成完整的一次循環，而後續的每一次循環之步驟流程皆與上述相同。

所述原子層沉積設備1與使用其的製程方法的效果請參照表1，表1為12吋矽晶圓經原子層沉積製程後的晶圓厚度表，如表1所示，取12吋矽晶圓進行的原子層沉積製程後，晶圓的厚度均勻度為0.34686並達到良好的效果。

綜合以上所述，相較於昔知技術，本發明實施例所述之原子層沉積設備與製程方法之技術效果，係說明如下。

昔知技術中，原子層沉積製程多使用大型腔體並通入大量反應前驅物以對基材進行反應與沉積，故使製程之成本較高，而傳統的降低成本的方法是縮減腔體的容積，但此方法常造成前驅物於腔體內部產生擾流，導致基材受沉積後的均勻度不佳。反觀本發明所述之原子層沉積設備與製程方法，無須於大型腔體中反應，僅需透過抽氣裝置使前驅物形成穩定慢速且均勻的流場，以優化基材受沉積後的均勻度。再者，未正確沉積於基材而沾附於基材載台之 前驅物可多數沾附於擋件，使清潔機台時可針對擋件進行更換，避免直接更換基材載台，因此可節省成本。

本發明在上文中已以較佳實施例揭露，然熟習本項技術者應理解的是，上述實施例僅用於描繪本發明，而不應解讀為限制本發明之範圍。應注意的是，舉凡與前述實施例等效之變化與置換，均應設為涵蓋於本發明之範疇內。

1:原子層沉積設備

101:腔體

102:基材載台

1021:基材承載部

1022:外緣部

103:中空部件

1031:擋件

104:噴頭組件

d1:第一縱向距離

d2:第二縱向距離

G101:滌洗氣體

H1031:橫向延伸部

O101:底部抽氣口

O103:抽氣孔

P1031:上抽氣路徑

P1032:下抽氣路徑

V1031:縱向延伸部

W:基材

Claims (6)

1. 一種原子層沉積設備，包括：一腔體，具有一底部抽氣口；一基材載台，設置於該腔體中；一下抽氣裝置，透過該底部抽氣口，持續不間斷地對該腔體進行下抽氣；一上抽氣裝置，具有複數抽氣孔；以及一擋件，用於形成至少一上抽氣路徑於該擋件與該上抽氣裝置的底部之間，以及至少一下抽氣路徑於該基材載台與該擋件之間；其中該上抽氣裝置在滌洗(purge)該腔體的一前驅物時對該腔體進行上抽氣，其中該擋件包括彼此連接的一橫向延伸部與複數縱向延伸部，其中該橫向延伸部連接該基材載台的外緣，以及該縱向延伸部的每一者對應於該上抽氣裝置的該抽氣孔的其中一者，以形成一上抽氣路徑於該擋件與該上抽氣裝置的底部之間，以及一下抽氣路徑於該基材載台與該擋件之間。
2. 如請求項1所述之原子層沉積設備，其中該橫向延伸部與該上抽氣裝置的底部之間具有一第一縱向距離，以及該橫向延伸部與基材載台之間具有小於該第一縱向距離的一第二縱向距離。
3. 如請求項1所述之原子層沉積設備，更包括：一噴頭組件，提供至少一前驅物或一滌洗氣體至該腔體內。
4. 一種原子層沉積設備，包括：一腔體，具有一底部抽氣口； 一基材載台，設置於該腔體中；一擋件；以及複數個中空部件，該等中空部件的每一者具有一抽氣孔，以及該等中空部件的底部的一部分對應設置於該基材載台之上；其中該等中空部件的每一者的該抽氣孔對應設置有該擋件，以形成有一上抽氣路徑於該擋件與該中空部件的底部之間，以及一下抽氣路徑於該基材載台與該擋件之間，其中該擋件具有彼此連接的一橫向延伸部與複數縱向延伸部，其中該橫向延伸部連接該基材載台的外緣以及該橫向延伸部位於該中空部件之下與該基材載台之上，以形成該上與下抽氣路徑。
5. 一種原子層沉積設備，包括：一腔體，具有一底部抽氣口；一基材載台，設置於該腔體中；一擋件；以及複數個中空部件，該等中空部件的每一者具有一抽氣孔，以及該等中空部件的底部的一部分對應設置於該基材載台之上；其中該等中空部件的每一者的該抽氣孔對應設置有該擋件，以形成有一上抽氣路徑於該擋件與該中空部件的底部之間，以及一下抽氣路徑於該基材載台與該擋件之間，其中該橫向延伸部與該中空部件的底部之間具有一第一縱向距離，以及該橫向延伸部與該基材載台之間具有小於該第一縱向距離的一第二縱向距離。
6. 一種原子層沉積設備，包括： 一腔體，具有一底部抽氣口；一基材載台，設置於該腔體中；一擋件；以及複數個中空部件，該等中空部件的每一者具有一抽氣孔，以及該等中空部件的底部的一部分對應設置於該基材載台之上；其中該等中空部件的每一者的該抽氣孔對應設置有該擋件，以形成有一上抽氣路徑於該擋件與該中空部件的底部之間，以及一下抽氣路徑於該基材載台與該擋件之間，其中該第一縱向距離基於原子層沉積製程的參數為可調整的，以及該第二縱向距離為不可調整的。

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