TWI750549B - 一種製備氮化鋁-氧化鋅紫外光檢測電極之方法 - Google Patents

一種製備氮化鋁-氧化鋅紫外光檢測電極之方法 Download PDF

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Abstract

本發明為採用具有散熱性佳、熱傳導率、高電絕緣、使用壽命長、抗腐蝕、耐高溫以及物理特性穩定的氮化鋁基板，並於氮化鋁基板上以磁控射頻濺鍍製作寬能隙之高品質氧化鋅薄膜，相較於一般之蒸鍍法、化學氣相法與水熱法等，此磁控射頻濺鍍可成長出高品質與低缺陷的氧化鋅薄膜，此低缺陷濃度之氧化鋅對於短波長光電元件為一重要關鍵性技術，並使得元件之漏電流變小，降低閃爍雜訊(flicker noise)，進而提升其光拒斥比(UV-visible rejection ratio)。

Description

一種製備氮化鋁-氧化鋅紫外光檢測電極之方法
本發明係關於一種製備氧化鋅紫外光檢測電極之方法，特別是關於一種製備氮化鋁-氧化鋅紫外光檢測電極之方法。
一般民用產業及國防工業皆需要紫外光檢測器，故偵測週遭之紫外光強度成為一不可或缺技術，根據紫外光對生物圈的影響，紫外光通常被分類成UV-A(400~320nm)、UV-B(320~280nm)和UV-C(280~10nm)。紫外光檢測器是一種將輸入的光訊號轉換成電訊號輸出的感測元件，藉由半導體受光子能量大於其能隙，照射時會使導電率發生變化，並以計量器測量其電阻率的變化程度，進而估算入射光功率的一種元件。重要的參數包括訊雜比、響應時間與響應率等。目前已廣泛應用在半導體製程監控、微影儀器校正、臭氧破洞監測、燃燒監控、生物與醫療應用與光通訊系統。傳統上紫外光偵測器可概分成光電倍增管、窄能隙半導體光偵測器與熱輻射偵測器，對於紫外光的應用也更進一步的延伸到軍事國防、太空通訊與飛彈防禦警報等方面。
光電倍增管為具有高響應率的光探測元件，在一 般典型的光電倍增管中，在其響應範圍最佳的近紅外光區到紫外光區，可將少量的入射光子的光訊號轉換，放大成電訊號以提供分析使用，然而光電倍增管必需操作在高電壓，在磁場環境下具有相當敏感程度。光電倍增管會呈現疲累現象，光電子的靈敏度會因為照射時間過久或是照射光度太強而降低靈敏度，以及光陰極的表面因污染或光陰極不均勻分佈而影響光電倍增管使用效益。窄能隙半導體在四十年代已尚起廣泛的研究，如矽與砷化鎵等材料，其中矽為目前商用的半導體式光偵測器的主要材料之一。工作原理為藉由吸收能量大於半導體能隙的輻射，使半導體中的載子濃度上升，在外加偏壓或內建電場的輔助下，將光產生的電流作為訊號輸出的來源。以矽能隙為1.12eV作為紫外光偵測器時，其響應的波段無法達到可見光不響應的效果，必須外加濾波片以阻隔紅外光與可見光的吸收。此外，長時間使用矽基光偵測器於紫外光波段，因光子能量大於矽之能隙，不僅會使半導體中價帶上的電子躍遷至導帶上，多餘的能量將以熱的形式散逸，進而導致光偵測器的量子轉換效率降低。
碳化矽(SiC)為目前常見的寬能隙半導體紫外光偵測器之一。使用能隙大於3.1eV(400nm)之寬能隙半導體做為紫外光偵測器，則可解決對可見光響應與對紫外光波段量子轉換效率不足的問題。寬能隙半導體紫外光偵測器可以操作在室溫下，且不需外加光學濾波片就可達到對可見光不響應 的效果。由於其能隙很大，所以即使在升溫的環境下也有很低的暗電流。若將碳化矽製做成二極體式的紫外光偵測器，其訊雜比可大於矽基的紫外光偵測器。且對於高能量之輻射無明顯的衰退現象，適用於高功率元件。常使用於紫外光偵測器範疇的為α-碳化矽，其屬於六方晶系的纖鋅礦結構，然而相變態溫度大於1700℃，導致製作成本高居不下，使應用受限制。另一種寬能隙的半導體氮化鎵在九零年代後，常應用於紫外光偵測器的範疇並且被廣泛研究，利用氮化鎵能隙為3.4eV做為偵測器，優點在於有良好的光波長選擇性、明顯的光截止波長與高的崩潰電壓，且可藉由鋁與銦的添加製作三元合金可調整其光截止波長的位置。然而上述關於氮化鎵紫外光偵測器的優點僅發生於擁有良好品質的單晶氮化鎵。因為其高的標準生成焓，使氮化鎵無法使用低溫濕式的化學法合成。
自從金屬有機化學沉積(MOCVD)的技術被發表後，氮化鎵之單晶普遍的藉由磊晶成長的方式成長於藍寶石基板上，並應用與紫外光偵測器。然而單晶的氮化鎵至目前為止其成長的技術仍然是依靠金屬有機化學沉積，此技術價格昂貴、技術難度高且設備成本高，導致其成長氮化鎵的成本一直無法降低。除此之外，沉積氮化鎵所選擇的基板至今為只仍然是以藍寶石基板或碳化矽基板為主，這也限制著氮化鎵在各方面的應用。將利用氮化鎵製作為蕭基式二極體紫外光偵測器時，在波長356nm可獲得響應度(responsivity)約0.23 A/W，響應時間約在數十皮秒(ps)。
另外，晶體結構相同為纖鋅礦結構的氧化鋅，因為其能隙約為3.37eV，也是作為紫外光偵測器之一重要材料，若將金屬有機化學沉積製作而成的氧化鋅製作為蕭基式二極體紫外光偵測器時，在波長360nm可獲得響應度約0.337A/W，響應時間約在數十奈秒。寬能隙半導體可有效避開濾光器並減小能量衰減的影響，且對於化學與熱有較佳穩定性，氧化鋅屬於直接能隙，在室溫下導帶與價帶間能隙值為3.37eV，其晶格結構與傳統的三五族氮化鎵材料類似，皆屬六方晶系結構，且氧化鋅具有較大的激發子束縛能，約為60meV，比氮化鎵和硒化鋅都高出許多，且氧化鋅是熔點為1975℃的氧化物，具有很高的熱穩定性和化學穩定性。
現階段對可見光不響應的紫外光偵測器多使用寬能隙之半導體作為感光的材料，其中具高性能的偵測器如金屬有機化學沉積、射頻磁控濺鍍或三相生成等技術。以上方式觸及了昂貴的真空設備或高溫的製程，以氧化鋅為例使用金屬有機化學沉積的溫度約為380~420℃，氣-液-固生長機制者則約890~1000℃，高的製程溫度將導致基板的選擇性降低，且熱負載亦大。為獲得低成本、低溫製程，以製作高性能紫外光偵測器，感光材料的選擇及效能的提升是目前重要技術之一。
鑒於上述習知技術之缺點，本發明之主要目的在於提供一種製備氮化鋁-氧化鋅紫外光檢測器之方法，主要將氧化鋅材料製作於氮化鋁基板，作為紫外光檢測器。與其他陶瓷材料如氧化鋁基板相比，氮化鋁基板具有散熱性佳、熱傳導率、高電絕緣、厚度薄、使用壽命長、抗腐蝕、耐高溫及物理特性穩定等優點。
本發明之氧化鋅薄膜可以在低於500℃溫度下獲得，而一般的氮化鎵是以有機金屬化學氣相沉積製作，且成長溫度高達1000℃。相對氮化鎵材料，氧化鋅材料有著低成本與低成長溫度的優勢，因此本發明之氧化鋅系列元件可以避免結構因高溫成長而導致結構之互相擴散，以保有基板及氧化鋅元件之特性。
為了達到上述目的，根據本發明所提出之一方案，提供一種製備氮化鋁-氧化鋅紫外光檢測器之方法，步驟包括：(A)提供一表面拋光之多晶系氮化鋁基板，利用磁控濺鍍設備以氮氣、氬氣所形成之電漿轟擊鋁靶材，於該基板表面反應生成一氮化鋁薄膜，以填補該基板表面晶格缺陷所產生之孔洞間隙；(B)將該氮化鋁薄膜進行表面減薄製程，並進行研磨及拋光，以平坦化該氮化鋁基板；(C)於該氮化鋁薄膜上，利用真空鍍膜設備製作一氧化鋅鍍層；(D)於該氧化鋅鍍層上，利用黃光製程定義一氧化鋅元件吸收層圖案；(E)於該氧化鋅元件吸收層圖案上，製作一對金屬指叉狀電極。
上述中，步驟(A)之多晶系氮化鋁基板係以刮刀成型法或高溫燒結成型法製備而成，該表面拋光多晶系氮化鋁基板之熱導值平均為175W/m‧K以上，中心線平均粗糙度(Ra)為30m-50nm。
上述中，步驟(A)之前可進一步包括以下步驟：(1)以丙酮、酒精或異丙醇其中之一之溶劑擦拭該表面拋光之多晶系氮化鋁基板，除去髒污；(2)以氧離子電漿將該多晶系氮化鋁基板之表面有機殘留物及水氣去除。其中，步驟(2)之氧離子電漿產生方式可為反應性離子蝕刻(RIE)或感應耦合式電漿蝕刻(ICP)，該氧離子電漿來源氣體可為氧氣及氬氣之混和氣，氮氣/氬氣混合氣比例係為20%-30%，製程時間約為3分鐘。
上述中，步驟(A)之磁控濺鍍設備係為DC直流濺鍍設備或RF射頻磁控濺鍍設備，真空環境皆至10-7Torr以下，通入30mTorr-90mTorr之惰性氣體，生成之氮化鋁薄膜厚度為5μm-10μm，晶格缺陷小於15μm之孔洞間隙。
上述中，步驟(B)之表面減薄製程及研磨拋光之方式可為化學機械式研磨法或物理機械式研磨製程，該表面減薄製程及研磨拋光後之氮化鋁薄膜厚度為3μm-5μm。
上述中，步驟(C)之真空鍍膜設備係為真空蒸發鍍膜設備或磁控濺射鍍膜設備，靶材原料氧化鋅純度為99%以上，製作之氧化鋅層厚度大於200nm，電阻率大於3 x10- 2Ωcm。
上述中，步驟(D)之元件吸收層黃光定義區為(100μm)2-(120μm)2之方框圖形。
上述中，步驟(E)之金屬指叉狀電極由下而上依序為鎳(Ni)金屬層及金(Au)金屬層。其中，該鎳(Ni)金屬層之厚度可為20nm-30nm，該金(Au)金屬層之厚度可為80nm-120nm。該金屬指叉狀電極之指狀部係相互指叉而不接觸，該指狀部之寬度為2μm-3μm，間距為2μm-3μm。
本發明採用的多晶系氮化鋁基板表面填孔方法，為利用磁控濺鍍技術成長氮化鋁薄膜。磁控濺鍍是藉由電漿中的離子經過加速，接觸到金屬或是無機化合物靶材後，使充滿能量的靶材離子鬆脫濺鍍到目標的光學元件上，增加鍍膜分子的動能，可改善薄膜的緻密性及附著性，並有較短的製程時間，有效提升產能。其中，藉由控制特定混和比例的氮氣及氬氣濃度經由高電壓生成強電場，將氣體原子游離產生電漿後，與負極之鋁靶材接觸轟擊使表面原子離開靶材，濺射至拋光過後的多晶系氮化鋁基板表面，結核成長進而行成氮化鋁薄膜。本發明之氮化鋁薄膜可有效填補多晶系氮化鋁基板表面的孔洞缺陷，再利用研磨拋光方式將表面的氮化鋁薄膜去除，留下填補孔洞缺陷的氮化鋁，如此可有效提升多晶系氮化鋁基板表面平整性，減少基板表面孔隙缺陷。
本發明是一種製備氮化鋁-氧化鋅紫外光檢測器 之方法，特色在於結合具有散熱性佳、熱傳導率、高電絕緣、使用壽命長、抗腐蝕、耐高溫以及物理特性穩定的氮化鋁基板，將多晶系氮化鋁基板表面孔洞缺陷進行氮化鋁薄膜成長填補法，再進行表面研磨拋光製程，如此可有效減少表面孔洞缺陷，提高多晶系氮化鋁基板的表面平整度，以成長後續高品質低缺陷之氧化鋅，製作高效能之紫外光檢測器。
以上之概述與接下來的詳細說明及附圖，皆是為了能進一步說明本發明達到預定目的所採取的方式、手段及功效。而有關本發明的其他目的及優點，將在後續的說明及圖式中加以闡述。
S101-S105:步驟
100:主動區圖形光罩
200:指叉狀金屬電極圖形光罩
300:Ni/Au金屬電極
400:指叉狀電極間距
500:主動區域範圍
第一圖係為本發明一種製備氮化鋁-氧化鋅紫外光檢測器之方法流程圖；第二圖係為本發明一種製備氮化鋁-氧化鋅紫外光檢測器之指叉狀電極結構示意圖；第三圖係為本發明實施例氮化鋁-氧化鋅紫外光檢測器之X光繞射分析量測氧化鋅結晶分析圖；第四圖係為本發明實施例氮化鋁-氧化鋅紫外光檢測器之變溫霍爾量測電子濃度及移動率圖；第五圖係為本發明實施例氮化鋁-氧化鋅紫外光檢測器之氧化鋅薄膜室溫螢光光譜圖；第六圖係為本發明實施例氮化鋁-氧化鋅紫外光檢測器金屬-半導體-金屬紫外光檢測暗電流圖； 第七圖係為本發明實施例氮化鋁-氧化鋅紫外光檢測器金屬-半導體-金屬紫外光檢測光響應圖；第八圖係為本發明實施例氮化鋁-氧化鋅紫外光檢測器金屬-半導體-金屬紫外光檢測雜訊功率密度圖。
以下係藉由特定的具體實例說明本發明之實施方式，熟悉此技藝之人士可由本說明書所揭示之內容輕易地了解本發明之優點及功效。
本發明是一種製備氮化鋁-氧化鋅紫外光檢測器之方法，先利用多晶系氮化鋁基板表面填孔，以磁控濺鍍技術控制特定混和比例的氮氣及氬氣濃度經由強電場將氣體原子游離產生電漿後，轟擊靶材使表面原子離開靶材濺射至多晶系氮化鋁基板表面，結核成長進而行成氮化鋁薄膜，填補多晶系氮化鋁基板表面的小與孔洞缺陷，再利用二次研磨拋光方式將表面的氮化鋁薄膜去除，留下填補孔洞缺陷的氮化鋁，提升表面平整性，達到減少基板表面孔隙缺陷。
實施例：
請參閱第一圖，為本發明一種製備氮化鋁-氧化鋅紫外光檢測器之方法流程圖。如圖所示，一種製備氮化鋁-氧化鋅紫外光檢測器之方法，步驟包括：(A)提供一表面拋光 之多晶系氮化鋁基板，利用磁控濺鍍設備以氮氣、氬氣所形成之電漿轟擊鋁靶材，於該基板表面反應生成一氮化鋁薄膜，以填補該基板表面晶格缺陷所產生之孔洞間隙S101；(B)將該氮化鋁薄膜進行表面減薄製程及研磨拋光，以平坦化該氮化鋁基板S102；(C)於該氮化鋁薄膜上，利用真空鍍膜設備製作一氧化鋅鍍層S103；(D)於該氧化鋅鍍層上，利用黃光製程定義一氧化鋅元件吸收層圖案S104；(E)於該氧化鋅元件吸收層圖案上，製作一對金屬指叉狀電極S105。請參閱第二圖，為本發明氮化鋁-氧化鋅紫外光檢測器之金屬指叉狀電極結構示意圖，如圖所示，主動區圖形光罩100、指叉狀金屬電極圖形光罩200、Ni/Au金屬指叉狀電極300、指叉狀電極間距400及主動區域範圍500。其中，該主動區圖形光罩100包括一100μm×100μm之方框狀的主動區域範圍500，用以製作方框狀的氧化鋅元件吸收層；該指叉狀金屬電極圖形光罩200之圖案尺寸係與主動區圖形光罩100相互搭配，用以製作金屬指叉狀電極；該金屬指叉狀電極之材質由下而上依序為鎳(Ni)金屬層及金(Au)金屬層，該鎳(Ni)金屬層之厚度可為20nm-30nm，該金(Au)金屬層之厚度可為80nm-120nm；該金屬指叉狀電極之指狀部300係相互指叉而不接觸，且該指狀部300係位於該氧化鋅元件吸收層之上方，該指狀部之寬度為2μm-3μm，間距為2μm-3μm。
其中，步驟(A)之前可進一步包括以下步驟：(1) 以丙酮、酒精或異丙醇其中之一之溶劑擦拭該表面拋光之多晶系氮化鋁基板，除去髒污；(2)以氧離子電漿將該多晶系氮化鋁基板之表面有機殘留物及水氣去除。。
請參閱第三圖，為本發明實施例氮化鋁-氧化鋅紫外光檢測器之X光繞射分析量測氧化鋅結晶分析圖，首先提供單一面拋光之多晶系氮化鋁基板，熱導值為175W/m‧K，拋光面中心線平均粗糙度(Ra)係為30nm。之後進行製作高品質氧化鋅濺鍍薄膜於氮化鋁基板上並針對材料特性部份分析，可以發現藉由磁控濺鍍之氧化鋅薄膜有兩個晶格方向分別是(001)及(002)。請參閱第四圖，為本發明實施例氮化鋁-氧化鋅紫外光檢測器之變溫霍爾量測電子濃度及移動率圖。溫度變化由100K至350K，其結果可以發現所製作之氧化鋅薄膜在溫度為300K時，其電子濃度數量級為1015cm-3，與一般文獻所以製作氧化鋅要低得多，而氧化鋅薄膜的載子來源是因薄膜中的缺陷所造成，可推斷氧化鋅薄膜具有較低的缺陷密度。請參閱第五圖，為本發明實施例氮化鋁-氧化鋅紫外光檢測器之氧化鋅薄膜室溫螢光光譜圖，量測氧化鋅薄膜之光譜特性，由量測結果發現，於磁控濺鍍之氧化鋅薄膜之光頻譜位置在380nm附近，而一般氧化鋅薄膜除在370nm的位置有光譜存在外，在500nm~650nm間亦有一寬頻譜出現，此寬光頻譜是由缺陷所造成的發光現象。藉由以上數據可以知道利用磁控濺鍍成長氧化鋅於氮化鋁基板上，其氧化鋅具有高品質低缺 陷的特性。
請參閱第六圖，為本發明實施例氮化鋁-氧化鋅紫外光檢測器金屬-半導體-金屬紫外光檢測暗電流圖。暗電流值愈小，愈能有效降低電流雜訊，是光檢測器可靠度與檢測能力的重要參數。為降低暗電流，以光電化學護佈法對元件表面處理。由圖中可以發現未經表面處理的氮化鋁-氧化鋅紫外光檢測器金屬-半導體-金屬暗電流值比經表面處理的大。經過表面處理過後，因光電化學護佈法表面處後元件表面所生成的Zn(OH)2薄膜足以護佈元件表面缺陷，達到減少漏電路徑的作用，元件可以有效的降低紫外光檢測器的暗電流值。請參閱第七圖，為本發明實施例氮化鋁-氧化鋅紫外光檢測器金屬-半導體-金屬紫外光檢測光響應圖，以150W氙燈作為光源，並將光導入射至單光儀中，產生不同波長之光源，於元件外加一逆向偏壓，並將光源利用光纖均勻照射在元件上，量測元件於不同偏壓下光電流，其紫外光對可見光拒特性顯示出此兩種檢測器皆為一個良好的紫外光檢測器，但經由表面處理的元件具有極佳的表現。無表面處理的檢測器由於有較多的缺陷而會造成較大的內部增益，使得光響應度以及增益會提升，但隨之伴隨的則是大的暗電流以及雜訊。經由表面處理過後的元件，由於缺陷被修補，其內部增益也隨之變小。請參閱第八圖，為本發明實施例氮化鋁-氧化鋅紫外光檢測器金屬-半導體-金屬紫外光檢測雜訊功率密度圖，由圖中可以發現有無表面處 理氮化鋁-氧化鋅紫外光檢測器金屬-半導體-金屬之雜訊功率的γ計算值皆近似於為1，此二種紫外光檢測器之雜訊功率密度與頻率關係為一閃爍雜訊，可知道藉由此磁控濺鍍所製作之相關氧化鋅鍍層具有極少的缺陷。
本發明首先經由多晶系氮化鋁薄膜填補與二次拋光來有效的減少因多晶系陶瓷中晶格缺陷所產生的孔洞間隙，提升基板平整度與濺鍍效率。使此多晶系氮化鋁基板相較於玻璃及高分子基板有更好的導熱性；相較於多晶系陶瓷基板有更少的表面缺陷及更好的反射性；相較於高導熱的單晶系陶瓷基板有著更佳的成本優勢；相較於金屬基板有著更好的絕緣性。再藉由真空鍍膜設備，製作出具有高品質低缺陷的特性之氧化鋅鍍層。本發明可應用於短波長光電偵測元件，在紫外光偵測器中為一重要關鍵性技術，使其在未來的應用領域更加寬廣。
上述之實施例僅為例示性說明本發明之特點及功效，非用以限制本發明之實質技術內容的範圍。任何熟悉此技藝之人士均可在不違背發明之精神及範疇下，對上述實施例進行修飾與變化。因此，本發明之權利保護範圍，應如後述之申請專利範圍所列。
S101-S105‧‧‧步驟

Claims (17)

  1. 一種製備氮化鋁-氧化鋅紫外光檢測器之方法，步驟包括：(A)提供一表面拋光之多晶系氮化鋁基板，利用磁控濺鍍設備以氮氣、氬氣所形成之電漿轟擊鋁靶材，於該基板表面反應生成一氮化鋁薄膜，以填補該基板表面晶格缺陷所產生之孔洞間隙；(B)將該氮化鋁薄膜表面進行減薄製程，並進行研磨及拋光，以平坦化該氮化鋁基板；(C)於該氮化鋁薄膜上，利用真空鍍膜設備製作一氧化鋅鍍層；(D)於該氧化鋅鍍層上，利用黃光製程定義一氧化鋅元件吸收層圖案；(E)於該氧化鋅元件吸收層圖案上，製作一對金屬指叉狀電極。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之製備氮化鋁-氧化鋅紫外光檢測器之方法，其中，步驟(A)之多晶系氮化鋁基板係以刮刀成型法或高溫燒結成型法製備而成。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之製備氮化鋁-氧化鋅紫外光檢測器之方法，其中，步驟(A)之表面拋光之多晶系氮化鋁基板之熱導值係為175W/m‧K以上，中心線平均粗糙度(Ra)係為30nm-50nm。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之製備氮化鋁-氧化鋅紫外光檢測器之方法，其中，於步驟(A)之前更進一步包括以下步驟：(1)以丙酮、酒精或異丙醇其中之一之溶劑擦拭該表面拋光之多晶系氮化鋁基板除去髒污；(2)以氧離子電漿將該多晶系氮化鋁基板之表面有機殘留物及水氣去除。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之製備氮化鋁-氧化鋅紫外光檢測器之方法，其中，步驟(2)之氧離子電漿產生方式係為反應性離子蝕刻(RIE)或感應耦合式電漿蝕刻(ICP)。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之製備氮化鋁-氧化鋅紫外光檢測器之方法，其中，步驟(2)之氧離子電漿來源氣體係為氧氣及氬氣之混和氣。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之製備氮化鋁-氧化鋅紫外光檢測器之方法，其中，步驟(A)之磁控濺鍍設備係為DC直流濺鍍設備或RF射頻磁控濺鍍設備。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之製備氮化鋁-氧化鋅紫外光檢測器之方法，其中，步驟(A)之氮化鋁薄膜厚度係為5μm-10μm。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之製備氮化鋁-氧化鋅紫外光檢測器之方法，其中，步驟(B)之減薄製程及研磨拋光之方式係為化學機械式研磨法或物理機械式研磨法。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之製備氮化鋁-氧化鋅紫外光檢測器之方法，其中，步驟(B)之減薄製程及研磨拋光後之氮化鋁薄膜厚度係為3μm-5μm。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之製備氮化鋁-氧化鋅紫外光檢測器之方法，其中，步驟(C)或步驟(D)之真空鍍膜設備係為真空蒸發鍍膜設備或磁控濺射鍍膜設備。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之製備氮化鋁-氧化鋅紫外光檢測器之方法，其中，步驟(C)之氧化鋅鍍層厚度係大於200nm。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之製備氮化鋁-氧化鋅紫外光檢測器之方法，其中，步驟(C)之氧化鋅電阻率大於3 x10-2Ωcm。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之製備氮化鋁-氧化鋅紫外光檢測器之方法，其中，步驟(D)之元件吸收層黃光定義區為(100μm)2-(120μm)2之方框圖形。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之製備氮化鋁-氧化鋅紫外光檢測器之方法，其中，步驟(E)之金屬指叉狀電極由下而上依序為鎳(Ni)金屬層及金(Au)金屬層。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之製備氮化鋁-氧化鋅紫外光檢測器之方法，其中，該鎳(Ni)金屬層之厚度為20nm-30nm，該金(Au)金屬層之厚度為80nm-120nm。
  17. 如申請專利範圍第1項所述之製備氮化鋁-氧化鋅紫外光檢測器之方法，其中，步驟(E)之金屬指叉狀電極之指狀部
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