TWI740699B - 具冷噴塗層之基材結構及其形成方法 - Google Patents

具冷噴塗層之基材結構及其形成方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI740699B
TWI740699B TW109137755A TW109137755A TWI740699B TW I740699 B TWI740699 B TW I740699B TW 109137755 A TW109137755 A TW 109137755A TW 109137755 A TW109137755 A TW 109137755A TW I740699 B TWI740699 B TW I740699B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
cold
base layer
substrate structure
cold sprayed
Prior art date
Application number
TW109137755A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202217069A (zh
Inventor
趙泓安
石志鴻
Original Assignee
艾姆勒車電股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 艾姆勒車電股份有限公司 filed Critical 艾姆勒車電股份有限公司
Priority to TW109137755A priority Critical patent/TWI740699B/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI740699B publication Critical patent/TWI740699B/zh
Publication of TW202217069A publication Critical patent/TW202217069A/zh

Links

Images

Landscapes

  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Abstract

本發明提供一種具冷噴塗層之基材結構及其形成方法。具冷噴塗層之基材結構包括一基底層及一冷噴塗層。所述冷噴塗層以噴塗及溶解方式形成於所述基底層之上的預定區域。所述冷噴塗層的至少一側面與所述基底層形成有一夾角。

Description

具冷噴塗層之基材結構及其形成方法
本發明涉及基材結構及其形成方法,具體來說是涉及具冷噴塗層之基材結構及其形成方法。
目前現有的冷噴塗技術欲噴塗限定範圍,必需以人工方式放置遮板以噴塗至預定區域,使得生產效率非常低落。
有鑑於此,本發明人本於多年從事相關產品之開發與設計,有感上述缺失之可改善,乃特潛心研究並配合學理之運用,終於提出一種設計合理且有效改善上述缺失之本發明。
本發明所要解決的技術問題在於,針對現有技術的不足提供一種具冷噴塗層之基材結構及其形成方法。
為了解決上述的技術問題,本發明提供一種具冷噴塗層之基材結構,包括:一基底層;及一冷噴塗層,以噴塗及溶解方式形成於所述基底層之上的預定區域;其中,所述冷噴塗層的至少一側面與所述基底層形成有一夾角。
在一優選實施例中,所述冷噴塗層的所述至少一側面與所述基底層形成的所述夾角呈現為鈍角。
在一優選實施例中,所述冷噴塗層的所述至少一側面與所述基底層形成的所述夾角呈現為銳角。
在一優選實施例中,所述冷噴塗層的所述至少一側面與所述基底層形成的所述夾角呈現為直角。
在一優選實施例中,所述冷噴塗層是通過噴塗冷噴塗材料於所述基底層之上以及非完全覆蓋所述基底層的犧牲層之上,並將非完全覆蓋所述基底層的所述犧牲層溶解並帶走其上的冷噴塗材料而形成的一剩餘的冷噴塗層,且用於形成所述冷噴塗層的冷噴塗材料選自不銹鋼材、納米相材料、非晶材料、氧敏感材料、相變敏感材料的其中之一。
為了解決上述的技術問題,本發明另提供一種具冷噴塗層之基材結構的形成方法,包括:(a)提供一基底層;(b)形成一未完全覆蓋所述基底層的犧牲層於所述基底層之上;(c)以冷噴塗方式將冷噴塗材料噴塗至所述犧牲層之上與未被所述犧牲層遮住之所述基底層之上,以形成預處理之基材結構;(d)將所述預處理之基材結構放入僅能溶解所述犧牲層之溶液,使所述犧牲層溶解並帶走其上的冷噴塗材料,從而得到最終的具冷噴塗層之基材結構。
在一優選實施例中,步驟(b)中,是通過塗、印、噴、或微影製程的方式使所述犧牲層形成於所述基底層之上。
在一優選實施例中,所述犧牲層之材料選自有機油墨、樹脂、或感光性有機樹脂。
在一優選實施例中,所述冷噴塗層的至少一側面與所述基底層形成的夾角呈現為鈍角、銳角、或直角。
本發明的有益效果至少在於,本發明的具冷噴塗層之基材結構及其形成方法,其能通過冷噴塗層是以噴塗及溶解方式形成於基底層之上的預定區域,且能使冷噴塗層的側面與基底層形成有夾角,相較於現有冷噴塗技術必需人工方式放置遮板以噴塗至預定區域,本發明不需人工方式放置有遮板,因此可以有效大幅提高生產效率。
為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容,請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式,然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明,並非用來對本發明加以限制。
以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關的實施方式,本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用,本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用,在不背離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外,本發明的附圖僅為簡單示意說明,並非依實際尺寸的描繪,事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容,但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。另外,本文中所使用的術語“或”,應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。
請參考圖1,本發明實施例提供一種具冷噴塗層之基材結構。如圖1所示,根據本發明實施例所提供的具冷噴塗層之基材結構,其具有一基底層10及一冷噴塗層20。
在一實施例中,所述基底層10可以是以純金屬材料所構成,例如鋁、銅、鋅、鐵等。
在一實施例中,所述基底層10可以是以合金材料所構成,例如鋁合金、銅合金、鎂合金、不銹鋼材等。
在一實施例中,所述基底層10可以是以陶瓷材料所構成。所述基底層10的陶瓷材料可選自氧化鋁,但也可以選自氮化鋁、氮化矽、或碳化矽。
在本實施例中,所述冷噴塗層20以噴塗及溶解方式形成於所述基底層10之上的預定區域。進一步說,所述冷噴塗層20是通過噴塗冷噴塗材料於所述基底層10之上以及非完全覆蓋所述基底層10的犧牲層之上,並將非完全覆蓋所述基底層10的所述犧牲層溶解並帶走其上的冷噴塗材料而形成的一剩餘的冷噴塗層。
在一實施例中,用於形成所述冷噴塗層20的冷噴塗材料可選自納米相材料(nanophase material)。
在一實施例中,用於形成所述冷噴塗層20的冷噴塗材料可選自非晶材料(amorphous material)。
在一實施例中,用於形成所述冷噴塗層20的冷噴塗材料可選自氧敏感材料(oxygen sensitive material),例如銅、鈦、鎳、鉬等。
在一實施例中,用於形成所述冷噴塗層20的冷噴塗材料可選自相變敏感材料(phase-change material)。
在一實施例中,用於形成所述冷噴塗層20的冷噴塗材料可選自合金材料,例如不銹鋼材。
並且,剩餘的所述冷噴塗層20的至少一側面201與所述基底層10形成有一夾角θ。在本實施例中,如圖1所示,所述冷噴塗層20的所述至少一側面201與所述基底層10形成的所述夾角θ呈現為鈍角。
在一實施例中,參考圖2所示,所述冷噴塗層20的所述至少一側面201與所述基底層10形成的所述夾角θ呈現為銳角。
在一實施例中,參考圖3所示,所述冷噴塗層20的所述至少一側面201與所述基底層10形成的所述夾角θ呈現為直角。
請參考圖4至圖8,本發明實施例提供一種具冷噴塗層之基材結構的形成方法,主要包括以下步驟:
(a)提供一基底層10。進一步說,所述基底層10可以是以純金屬材料所構成,也可以是以合金材料所構成,或是以陶瓷材料所構成。
(b)形成一未完全覆蓋所述基底層10的犧牲層10a於所述基底層10之上。進一步說,所述犧牲層10a可以是通過塗、印、噴、微影製程等任何方式來形成於所述基底層10之上。並且,所述犧牲層10a之材料可選自有機油墨、樹脂、或感光性有機樹脂(光阻),也就是可以通過相應的溶液從所述基底層10上溶解去除之材料。
(c)以冷噴塗方式將冷噴塗材料20a噴塗至所述犧牲層10a之上與未被所述犧牲層10a遮住之所述基底層10之上,以形成預處理之基材結構100a。
(d)將所述預處理之基材結構100a放入僅能溶解所述犧牲層10a之溶液,使所述犧牲層10a溶解並帶走其上的冷噴塗材料20a,從而得到最終的具冷噴塗層20之基材結構100。
進一步說,此用於溶解所述犧牲層10a之溶液不能與所述基底層10及所述冷噴塗層20產生反應。舉例來說,以樹脂作為所述犧牲層10a,所述基底層10為鋁合金,所述冷噴塗層20為銅,此時丙酮即可作為只溶解所述犧牲層10a之溶液。並且,所述犧牲層10溶解後,剩餘的所述冷噴塗層20的至少一側面201與所述基底層10形成的夾角θ呈現為鈍角、銳角、或直角。
綜合以上所述,本發明的具冷噴塗層之基材結構及其形成方法,其能通過冷噴塗層是以噴塗及溶解方式形成於基底層之上的預定區域,且能使冷噴塗層的側面與基底層形成有夾角,相較於現有冷噴塗技術必需人工方式放置遮板以噴塗至預定區域,本發明不需人工方式放置有遮板,因此可以有效大幅提高生產效率。
以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例,並非因此侷限本發明的申請專利範圍,所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化,均包含於本發明的申請專利範圍內。
100a:預處理之基材結構 100:基材結構 10:基底層 10a:犧牲層 20:冷噴塗層 20a:冷噴塗材料 201:側面 θ:夾角
圖1為本發明一實施例的具冷噴塗層之基材結構的側視示意圖。
圖2為本發明另一實施例的具冷噴塗層之基材結構的側視示意圖。
圖3為本發明又一實施例的具冷噴塗層之基材結構的側視示意圖。
圖4至圖7為本發明一實施例的具冷噴塗層之基材結構的形成方法的過程示意圖。
10:基底層
20:冷噴塗層
201:側面
θ:夾角

Claims (8)

  1. 一種具冷噴塗層之基材結構,包括:一基底層;及一冷噴塗層,以噴塗及溶解方式形成於所述基底層之上的預定區域;其中,所述冷噴塗層的至少一側面與所述基底層形成有一夾角;其中,所述冷噴塗層是通過噴塗冷噴塗材料於所述基底層之上以及非完全覆蓋所述基底層的犧牲層之上,並將非完全覆蓋所述基底層的所述犧牲層溶解並一起帶走所述犧牲層其上之冷噴塗材料而形成的一剩餘之冷噴塗層。
  2. 如請求項1所述的具冷噴塗層之基材結構,其中,所述冷噴塗層的所述至少一側面與所述基底層形成的所述夾角呈現為鈍角。
  3. 如請求項1所述的具冷噴塗層之基材結構,其中,所述冷噴塗層的所述至少一側面與所述基底層形成的所述夾角呈現為銳角。
  4. 如請求項1所述的具冷噴塗層之基材結構,其中,所述冷噴塗層的所述至少一側面與所述基底層形成的所述夾角呈現為直角。
  5. 一種具冷噴塗層之基材結構的形成方法,包括:(a)提供一基底層;(b)形成一未完全覆蓋所述基底層的犧牲層於所述基底層之上; (c)以冷噴塗方式將冷噴塗材料噴塗至所述犧牲層之上與未被所述犧牲層遮住之所述基底層之上,以形成預處理之基材結構;(d)將所述預處理之基材結構放入僅能溶解所述犧牲層之溶液,使所述犧牲層溶解並一起帶走其上的冷噴塗材料,以形成一剩餘之冷噴塗層於所述基底層之上的預定區域,從而得到最終的具冷噴塗層之基材結構。
  6. 如請求項5所述具冷噴塗層之基材結構的形成方法,其中,步驟(b)中,是通過塗、印、噴、或微影製程的方式使所述犧牲層形成於所述基底層之上。
  7. 如請求項5所述具冷噴塗層之基材結構的形成方法,其中,所述犧牲層之材料選自有機油墨、樹脂、或感光性有機樹脂。
  8. 如請求項5所述具冷噴塗層之基材結構的形成方法,其中,所述冷噴塗層的至少一側面與所述基底層形成的夾角呈現為鈍角、銳角、或直角。
TW109137755A 2020-10-30 2020-10-30 具冷噴塗層之基材結構及其形成方法 TWI740699B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW109137755A TWI740699B (zh) 2020-10-30 2020-10-30 具冷噴塗層之基材結構及其形成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW109137755A TWI740699B (zh) 2020-10-30 2020-10-30 具冷噴塗層之基材結構及其形成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TWI740699B true TWI740699B (zh) 2021-09-21
TW202217069A TW202217069A (zh) 2022-05-01

Family

ID=78777800

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109137755A TWI740699B (zh) 2020-10-30 2020-10-30 具冷噴塗層之基材結構及其形成方法

Country Status (1)

Country Link
TW (1) TWI740699B (zh)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101891143A (zh) * 2009-05-18 2010-11-24 张刚 制造多层三维器件或结构方法
TWM608992U (zh) * 2020-10-30 2021-03-11 艾姆勒車電股份有限公司 具冷噴塗層之基材結構

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101891143A (zh) * 2009-05-18 2010-11-24 张刚 制造多层三维器件或结构方法
TWM608992U (zh) * 2020-10-30 2021-03-11 艾姆勒車電股份有限公司 具冷噴塗層之基材結構

Also Published As

Publication number Publication date
TW202217069A (zh) 2022-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI220269B (en) Method for fabricating n-type carbon nanotube device
JP2004339605A5 (zh)
CN108026628A (zh) 用于有机发光二极管制造的阴影掩模
CN103151245B (zh) 薄膜图形化方法
Matsumae et al. A scalable clean graphene transfer process using polymethylglutarimide as a support scaffold
CN104576323B (zh) 一种金属图形化结构及方法
TWI740699B (zh) 具冷噴塗層之基材結構及其形成方法
TW201122122A (en) Shadow mask and method of making the same
TWM608992U (zh) 具冷噴塗層之基材結構
Zhang et al. Direct Synthesizing In‐Plane Heterostructures of Graphene and Hexagonal Boron Nitride in Designed Pattern
TW593712B (en) Mask and method for of manufacturing the same, and method of manufacturing electroluminescent device
WO2018176769A1 (zh) 叠层结构及其制备方法
JP6307281B2 (ja) ロールモールド
US20050280147A1 (en) Imprinting lithography using the liquid/solid transition of metals and their alloys
JP2011109056A (ja) セラミック基板の製造方法
CN108628091B (zh) 掩膜板及其制作方法
CN108448006B (zh) 封装结构、电子装置以及封装方法
Gunderson et al. Nanoscale 3D electroforming by template pyrolysis
TWI300581B (en) Method of manufacturing suspension structure
US20100283179A1 (en) Method of Fabricating Metal Nitrogen Oxide Thin Film Structure
KR20140087157A (ko) 마그네슘 용해용 도가니 및 그 제조방법
TWM624077U (zh) 一種具表面圖案化鍍層的車用散熱裝置
US20120034379A1 (en) Coating method
TW201140825A (en) Thin film transistor array substrate and method for making the same
TW200527123A (en) Method of fabricating a metal mask