TWI722723B - 定位裝置、勁度縮減裝置及電子束設備 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種經組態以使一物件位移之定位裝置,其包含:
一載物台,其用以支撐該物件,
一致動器,其用以使該載物台相對於一參考件在一移動方向上移動,
一平衡質量塊,其配置於該致動器與該參考件之間以縮減自該致動器至該參考件之反作用力之轉移,
一支撐裝置,其配置於該參考件與該平衡質量塊之間以支撐該平衡質量塊,及
一重力補償器,其在該參考件與該平衡質量塊之間起作用以在該平衡質量塊上施加一提昇力,從而縮減待由用以支撐該平衡質量塊之該支撐裝置提供之一重力支撐力。
Description
本發明係關於一種定位裝置、一種勁度縮減裝置,及一種電子束(electron beam/e-beam)設備。
定位裝置可用以定位處理工具(例如電子束檢測工具)內部之目標,例如基板。在一實施例中,定位裝置包含用以支撐目標之可移動載物台。可提供致動器以在水平移動方向上例如相對於參考件移動載物台,及支撐於其上之目標。可將平衡質量塊配置於參考件與致動器之間。可提供此平衡質量塊以縮減自致動器至參考件之反作用力之轉移。平衡質量塊可藉由支撐裝置被支撐於參考件上,該支撐裝置配置於該平衡質量塊與該參考件之間。
平衡質量塊通常在與載物台之移動相反之移動方向上移動。此意謂當載物台例如在沿著水平方向之正方向上移動時,平衡質量塊將在相同水平方向之負方向上移動。另外,平衡質量塊通常具有實質上高於載物台之重量的重量,例如可應用5:1之重量比。由於此重量差,在移動方向上在平衡質量塊與載物台之位移之間將存在相反的比率,從而導致平衡質量塊與載物台相比之位移較小,同時仍縮減至參考件之反作用力之
轉移。舉例而言,平衡質量塊與載物台之間的5:1之重量比將導致在移動方向上1:5之位移比率。
用以支撐平衡質量塊之支撐裝置可包含配置於參考件與平衡質量塊之間的多個片彈簧。在平衡質量塊之正常操作期間,片彈簧提供在垂直方向上之足夠勁度以在垂直方向上支撐平衡質量塊,從而克服重力。片彈簧經進一步設計為在載物台之水平移動方向上具有相對較低勁度,以縮減片彈簧在由片彈簧之勁度造成的平衡質量塊之移動方向上的干擾效應。然而,實務上,此在移動方向上之相對較低勁度仍可具有勁度值,其對定位裝置之效能具有負面影響。
此外,歸因於在定位裝置之正常操作期間發生的片彈簧之材料之應力及疲乏,片彈簧之可達成衝程可受限制。儘管可藉由縮減平衡質量塊之重量來縮減此應力及疲乏,平衡質量塊之此重量縮減亦將導致平衡質量塊為了跟隨載物台移動而需要較大衝程。較大衝程本身亦可導致較高應力及潛在疲乏問題。
本發明之一目標為提供一種定位裝置,該定位裝置具有在該定位裝置之載物台之移動方向上具有縮減之有效勁度的一平衡質量塊。
在一實施例中,提供一種經組態以使一物件位移之定位裝置,其包含:一載物台,其用以支撐該物件,一致動器,其用以使該載物台相對於一參考件在一移動方向上移動,一平衡質量塊,其配置於該致動器與該參考件之間以縮減自該致動
器至該參考件之反作用力之轉移,一支撐裝置,其配置於該參考件與該平衡質量塊之間以支撐該平衡質量塊,及一重力補償器,其在該參考件與該平衡質量塊之間起作用以在該平衡質量塊上施加一提昇力,從而縮減待由用以支撐該平衡質量塊之該支撐裝置提供之一重力支撐力。
根據本發明之一態樣,提供一種經組態以使一物件位移之定位裝置,其包含:一載物台,其用以支撐該物件,一致動器,其用以使該載物台相對於一參考件在一移動方向上移動,一平衡質量塊,其配置於該致動器與該參考件之間以縮減自該致動器至該參考件之反作用力之轉移,一支撐裝置,其配置於該參考件與該平衡質量塊之間,該支撐裝置在該移動方向上具有一第一勁度,及一勁度縮減裝置,其在該參考件與該平衡質量塊之間起作用,該勁度縮減裝置提供在該移動方向上之一第二勁度,其中該第二勁度為至少部分地抵消該第一勁度之一負勁度。
在另一實施例中,提供一種勁度縮減裝置,其用以縮減配置於一平衡質量塊與一參考件之間的一支撐裝置之一第一勁度,以允許在該平衡質量塊與該參考件之間在一移動方向上移動,其中該勁度縮減裝置提供在該移動方向上之一第二勁度,其中該第二勁度為至少部分地抵消該第一勁度之一負勁度。
在一實施例中,提供一種電子束設備,其包含:如請求項1至32中任一項所主張之定位裝置,其中該定位裝置經組態以使該物件相對於由電子光學系統產生之電子束位移。
在一實施例中,提供一種設備,其包含真空腔室及如請求項1至32中任一項所主張之定位裝置,其中該定位裝置配置於該真空腔室中。
10:參考件
20:機械重力補償器
21:彈簧
22:鉸鏈
23:鉸鏈
30:磁體總成
31:下部永久磁體
32:上部永久磁體
35:磁重力補償器
37:磁屏蔽件
38:另外磁屏蔽件
38.1:內部磁屏蔽件
38.2:外部磁屏蔽件
38.3:間隙
40:真空環境
60:勁度縮減裝置
61:永久磁體
62:磁性或可磁化材料板
63:板支撐件
64:開口
70:平衡質量致動器
70.1:永久磁體
80:磁重力補償器
81:第一元件
82:支撐件
83:永久磁體
84:第二元件
85:緣邊
86:凹部
100:電子束檢測系統
110:殼體
120:裝載埠
130:設備前端模組
140:處置器機器人
150:裝載鎖
160:真空腔室
170:電子光學系統
180:定位裝置
181:載物台
182:致動器
182.1:永久磁體
183:平衡質量塊
184:片彈簧
185:線性或平面軸承
190:物件
200:電子光學系統
202:電子束
210:電子槍
212:電子源
214:抑制器
216:陽極
218:孔徑
220:聚光器
240:成像系統
242:孔徑
244:偵測器
246:濾光片
248:消隱器
250:偏轉器
252:偏轉器
254:偏轉器
256:偏轉器
260:磁軛
262:線圈
270:電極
300:樣本
CSP:組合勁度剖面
Fy:力
Py:位置
SLS:第一勁度剖面
SRD:第二勁度剖面
藉由結合隨附圖式之以下詳細描述,將易於理解本發明,在該等圖式中類似元件符號指定類似結構元件,且在該等圖式中:圖1A及圖1B為根據本發明之一實施例之電子束檢測工具的示意性說明;圖2及圖3為如可應用於本發明之一實施例中的電子光學系統之示意性說明;圖4示意性地描繪已知定位裝置之實施例;圖5示意性地描繪根據本發明之一態樣之定位裝置的第一實施例;圖6示意性地描繪根據本發明之一態樣之磁重力補償器之實施例的磁體總成;圖7a示意性地描繪併有圖6之磁重力補償器的根據本發明之一態樣之定位裝置的第二實施例;圖7b示意性地描繪根據本發明之一態樣之定位裝置之第二實施例的變化;圖7c示意性地描繪磁屏蔽件之實施例;
圖8示意性地描繪根據本發明之一態樣之定位裝置的第三實施例;圖9示意性地描繪圖8之定位裝置之勁度縮減裝置的截面的俯視圖;圖10示意性地描繪圖8之定位裝置之勁度縮減裝置的截面的俯視圖;圖11示意性地描繪圖8之實施例之片彈簧及勁度縮減裝置的勁度剖面;圖12示意性地描繪根據本發明之一態樣之定位裝置的第四實施例;圖13示意性地描繪圖12之定位裝置之勁度縮減裝置及磁重力補償器的俯視圖;圖14示意性地描繪根據本發明之一態樣之定位裝置的第四實施例;圖15示意性地描繪圖14之磁重力補償器之實施例的細節;及圖16示意性地描繪圖14之磁重力補償器之替代實施例的細節。
雖然本發明易受各種修改及替代形式影響,但在圖式中作為實例展示其特定實施例,且可在本文中對其進行詳細描述。該等圖式可能並非按比例。然而,應理解,該等圖式及對其之詳細描述並不意欲將本發明限於所揭示之特定形式,而正相反,本發明意欲涵蓋屬於如由附加申請專利範圍所界定之本發明之精神及範疇的所有修改、等效者及替代方
案。
現在將參考隨附圖式來更全面地描述本發明之各種實例實施例,在該等圖式中,展示了本發明之一些實例實施例。出於描述本發明之實例實施例之目的,本文所揭示之特定結構及功能細節僅僅係代表性的。然而,本發明可以許多替代形式體現且不應被解釋為僅限於本文中所闡述之實施例。
因此,雖然本發明之實例實施例能夠具有各種修改及替代形式,但在圖式中作為實例展示且將在本文中詳細描述本發明之實施例。然而,應理解,不欲將本發明之實例實施例限於所揭示之特定形式,然而相反地,本發明之實例實施例用以涵蓋屬於本發明之範疇的所有修改、等效者及替代方案。貫穿圖之描述,類似編號係指類似元件。
如本文中所使用,術語「試樣」一般係指晶圓或可定位有所關注缺陷(DOI)之任何其他試樣。儘管術語「試樣」及「樣本」在本文中可互換使用,但應理解,可針對任何其他試樣(例如,倍縮光罩、光罩(mask/photomask))組態及/或使用本文中關於晶圓所描述之實施例。
如本文中所使用,術語「晶圓」一般係指由半導體材料或非半導體材料形成的基板。此半導體或非半導體材料之實例包括但不限於單晶矽、砷化鎵及磷化銦。通常可在半導體製造設施中發現及/或處理此等基板。
本發明中,「軸向」意謂「在設備、柱或裝置(諸如透鏡)之光軸方向上」,而「徑向」意謂「在垂直於光軸之方向上」。通常,光軸自陰極開始且在試樣處終止。光軸在所有圖式中始終係指z軸。
術語交越係指電子束聚焦之點。
術語虛擬源意謂自陰極發射之電子束可被追蹤回至「虛擬」源。
根據本發明之檢測工具係與帶電粒子源相關,尤其與可經應用至SEM、電子束檢測工具或電子束直寫器(進一步亦被稱作EBDW)之電子束源相關。在此技術中,電子束源亦可稱作電子槍(e-gun/Electron Gun)。
關於圖式,應注意,該等圖並不按比例繪製。詳言之,可能會極大地誇示該等之一些元件的比例以強調該等元件之特性。舉例而言,為了清楚起見可誇示層及區之厚度。亦應注意,該等圖未按相同尺度繪製。多於一個圖中展示之可以相似方式組態的元件已使用相同元件符號來指示。
在圖式中,為了清楚起見可誇示每一組件及每一組件之間的相對尺寸。在以下圖式描述內,相同或類似參考數字係指相同或類似組件或實體,且僅描述關於個別實施例之差異。
圖1A及圖1B示意性地描繪根據本發明之一實施例的電子束(electron beam/e-beam)檢測(進一步亦被稱作EBI)系統100之俯視圖及橫截面圖。如所展示之實施例包含殼體110、充當界面以收納待檢查之物件並輸出已被檢查之物件的一對裝載埠120。如所展示之實施例進一步包含被稱作設備前端模組130(進一步亦被稱作EFEM)之物件轉移系統,其經組態以處置物件及/或將物件輸送至裝載埠及自裝載埠輸送物件。在如所展示之實施例中,EFEM 130包含處置器機器人140,該處置器機器人經組態以在EBI系統100之裝載埠與裝載鎖150之間輸送物件。裝載鎖150
係在殼體110外部且在EFEM中存在的大氣條件與在EBI系統100之真空腔室160中存在的真空條件之間的界面。在如所展示之實施例中,真空腔室160包含電子光學系統170,該電子光學系統經組態以將電子束投影至待檢測之物件(例如半導體基板或晶圓)上。EBI系統100進一步包含定位裝置180,該定位裝置經組態以使物件190相對於由電子光學系統170產生之電子束位移。
在一實施例中,定位裝置可包含多個定位器之級聯式配置,諸如用於在大體上水平平面中在正常操作期間定位物件的XY載物台及用於在垂直方向上在正常操作期間定位物件的Z載物台。
在一實施例中,定位裝置可包含粗略定位器與精細定位器之組合,該粗略定位器經組態以遍及比較大距離提供物件之粗略定位,該精細定位器經組態以遍及比較小距離提供物件之精細定位。
在一實施例中,定位裝置180進一步包含物件台,該物件台用於在由EBI系統100執行之檢測製程期間固持物件。在此實施例中,藉助於諸如靜電夾具之夾具,可將物件190夾持至物件台上。此類夾具可整合於物件台中。
根據本發明,定位裝置180包含用於定位物件台之第一定位器及用於定位第一定位器及物件台之第二定位器。
圖2示意性地描繪如可應用於根據本發明之電子束檢測工具或系統中的電子光學系統200之實施例。該電子光學系統200包含亦被稱作電子槍210之電子束源,及成像系統240。
電子槍210包含電子源212、抑制器214、陽極216、一組孔徑218及聚光器220。電子源212可例如為肖特基(Schottky)發射器。更具
體言之,電子源212包括陶瓷基板、兩個電極、鎢絲及鎢銷。兩個電極並行地固定至陶瓷基板,且兩個電極之另一側分別連接至鎢絲之兩端。鎢稍微彎曲以形成供置放鎢銷之尖端。接下來,將ZrO2塗佈於鎢銷之表面上,且將其加熱至1300℃從而熔融並覆蓋鎢銷,但露出鎢銷之銷尖。熔融ZrO2可縮減鎢之功函數且減低發射電子之能量障壁,且因此使能夠更高效地發射電子束202。接著,藉由向抑制器214施加負電壓,電子束202被抑制。因此,具有大散佈角之電子束被抑制成初級電子束202,且因此,電子束202之亮度得以增強。藉由陽極216之正電荷,可提取電子束202,且接著藉由使用具有不同孔徑大小之可調孔徑218以消除在孔徑外部的不必要的電子束,可控制電子束202之庫侖強迫力。為了聚集電子束202,將聚光器220應用至電子束202,此亦提供放大率。圖2中所展示之聚光器220可例如為靜電透鏡,其可聚集電子束202。另一方面,聚光器220亦可為磁透鏡。
如圖3中所展示之成像系統240包含:消隱器248;一組孔徑242;偵測器244;四組偏轉器250、252、254及256;一對線圈262;磁軛260;濾光片246;及電極270。電極270用以延遲及偏轉電子束202,且歸因於上部磁極片及樣本300之組合而進一步具有靜電透鏡功能。此外,線圈262及磁軛260構成磁物鏡。
為了產生相對穩定電子束202,通常在相對較長時段期間加熱電子源。為了避免電子在此穩定時段期間撞擊任何樣本,將消隱器248應用至電子束202以使電子束202暫時遠離樣本偏轉。
應用偏轉器250及256以使電子束202進行掃描以獲得相對較大視場,且使用偏轉器252及254以使電子束202進行掃描以獲得相對較
小視場。所有偏轉器250、252、254及256皆可控制電子束202之掃描方向。偏轉器250、252、254及256可為靜電偏轉器或磁偏轉器。在正常操作期間,磁軛260之開口面向樣本300,從而將磁場浸潤至樣本300中。
歸因於運用電子束202照明樣本300,二次電子自樣本300之表面出現,其可由濾光片246導向至偵測器244。
圖4示意性地描繪定位裝置180之實施例。此定位裝置180包含經配置以支撐物件190(例如基板或晶圓)之載物台181。提供致動器182以在水平移動方向y上相對於參考件10移動載物台181,且於是移動物件190。
載物台181係由線性或平面軸承185支撐,例如具有永久磁體或電磁體之磁軸承、空氣軸承或滾柱軸承。平面軸承185在垂直方向(z方向)上支撐載物台181,其在移動方向y上不具有勁度或具有相對極低勁度。
平衡質量塊183配置於致動器182與參考件10之間以縮減自致動器182至參考件10之反作用力之轉移。參考件10例如為框架,諸如電子束檢測工具100之基座框架或度量衡框架。
當由致動器182致動載物台181以使載物台181在正y方向上(例如在圖4中向右)移動時,歸因於致動器182之反作用力,平衡質量塊183將在負y方向上(例如在圖4中向左)移動。通常,平衡質量塊183之重量實質上大於載物台181之重量,例如,其中重量比為5:1。由於此重量差,平衡質量塊183在負y方向上之位移將實質上小於載物台181在正y方向上之位移。舉例而言,在平衡質量塊183之重量與載物台181之重量之間具有5:1之重量比的情況下,平衡質量塊183之位移與載物台181之位移之間
的位移比率將為1:5。
平衡質量塊183係由在參考件10與平衡質量塊183之間包含多個片彈簧184的支撐系統支撐。該多個片彈簧184係經建構以在垂直z方向上支撐平衡質量塊50之彈性導引裝置,亦即,該多個片彈簧184提供重力支撐力以抵消施加於平衡質量塊183上之重力。為了在垂直z方向上在正常操作期間提供提昇力,片彈簧184在垂直方向上具有合適的勁度。
為了適應平衡質量塊183在移動方向y上之移動,片彈簧184應允許平衡質量塊183在移動方向y上位移。片彈簧184經進一步設計為在平衡質量塊183之移動方向y上具有相對較低勁度。片彈簧184在水平移動方向上之此相對較低勁度經提供以將致動器182在移動方向上之最小反作用力轉移至框架10。然而,為了承載平衡質量塊183之重量,片彈簧184在移動方向y上必須具有一些勁度以便穩定地支撐平衡質量塊183。
在y方向上之勁度乘以在移動方向y上之位移在平衡質量塊183上產生靜態干擾力。可提供平衡質量致動器70以在需要時將平衡質量塊183保持處於移動範圍內之位置,尤其以防止平衡質量塊183由於片彈簧184之此靜態干擾力而返回至中心位置。平衡質量致動器70通常為在平衡質量塊183之移動方向y上不具有或具有極低勁度的致動器,例如勞侖茲(Lorentz)致動器。
當平衡質量塊183之重量縮減時,片彈簧184在y方向上之勁度可降低。然而,平衡質量塊183之此縮減之重量將需要對載物台181之位移作出反應而進行較大位移。藉此,較大衝程亦將導致片彈簧184中之較高應力及潛在疲乏。
鑒於上述內容,希望在不需要縮減平衡質量塊183之重量
的情況下縮減平衡質量塊183之支撐裝置在平衡質量塊183之移動方向上的有效勁度。
圖5展示根據本發明之一實施例之定位裝置180的第一實施例。在圖5之定位裝置180中,提供兩個重力補償器20。該等重力補償器20經組態以縮減必須由片彈簧184支撐之平衡質量塊183之重量。圖5之定位裝置180之重力補償器20為包含配置於參考件10與平衡質量塊183之間的彈簧21之機械重力補償器20。彈簧21在垂直方向上延伸。彈簧21中之每一者之上端在鉸鏈22處連接至參考件10,特別是定位於比平衡質量塊183更高層級處的參考件10之部分。彈簧21中之每一者之下端在鉸鏈23處連接至平衡質量塊183。彈簧21經預先張緊以在垂直向上方向上(亦即在正z方向上)拉動平衡質量塊183。歸因於由彈簧21施加的在向上垂直方向上之拉力,提昇力被施加於平衡質量塊上,結果為必須由片彈簧184承載的平衡質量塊183之重量實質上縮減,同時維持平衡質量塊183之總質量。
結果,穩定支撐平衡質量塊183的片彈簧184之最小所需垂直勁度實質上低於在圖4之實施例中所需之垂直勁度,且因而,片彈簧184可經設計為提供在垂直方向上之較低勁度。因此,片彈簧184在平衡質量塊183之移動方向y上之勁度亦可較低。片彈簧184在平衡質量塊183之移動方向上之此較低勁度提供對載物台181之致動作出反應的平衡質量塊183之移動的較大靈活性,及自致動器182至參考件10之反作用力的較小轉移。因為平衡質量塊183之重量可與圖4之實施例相同,所以並不必須增加跟隨載物台181之移動之最大位移。
歸因於使用鉸鏈22、23,彈簧21之水平勁度縮減至大體上為零。彈簧21之長度亦相對較大。彈簧21因此在平衡質量塊183之移動範
圍內並不引入任何相當大的水平勁度。
由彈簧21之組合提供之提昇力可與由平衡質量塊183之重量產生的重力大體上相同,使得平衡質量塊183之重量主要由彈簧21支撐。然而,彈簧21之提昇力並不確切地等於施加於平衡質量塊183上之重力,此係因為作為施加於平衡質量塊183上之重力與由彈簧21提供之提昇力之間的差的殘餘力可由由片彈簧184施加之重力支撐力抵消。然而,此殘餘力將實質上低於施加於平衡質量塊183上之重力。
舉例而言,當由彈簧21之組合提供之提昇力為施加於平衡質量塊183上之重力的90%至110%時,片彈簧184必須僅吸收最大10%的重力。在彈簧21提供之提昇力小於施加於平衡質量塊183上之重力之100%的狀況下,待由片彈簧184吸收之此力可為向上力,或在彈簧21提供之提昇力大於施加於平衡質量塊183上之重力之100%的狀況下,待由片彈簧184吸收之此力可為向下力。
在一實施例中,必須由多個片彈簧184組合地提供之最大推力/拉力不到歸因於平衡質量塊183之重量而施加於平衡質量塊183上的重力的0.5倍,例如在歸因於平衡質量塊183之重量而在施加於平衡質量塊183上之重力的0.05至0.4倍之範圍內,諸如為歸因於平衡質量塊183之重量而施加於平衡質量塊183上之重力的0.08至0.2倍。
在替代實施例中,可使用其他類型之機械重力補償器以在平衡質量塊183上提供提昇力。舉例而言,在圖5之實施例中,提供將平衡質量塊183向上拉動以在平衡質量塊183上提供提昇力的彈簧21。替代地,可提供向上推動平衡質量塊183以在平衡質量塊183上提供提昇力的彈簧或其他機械重力補償器。
圖6展示可用作磁重力補償器之部分的磁體總成30之實施例。該磁體總成30包含彼此緊鄰地配置之三個下部永久磁體31及三個上部永久磁體32。每一上部永久磁體32配置於下部永久磁體31中之一者上方。下部永久磁體31及上部永久磁體32之鄰近磁體在垂直方向(亦即z方向)上具有相反的磁化。磁體總成30中之個別磁體31、32之磁化方向係由圖6中之個別磁體31、32中之箭頭指示。
圖7a展示用於定位裝置180之兩個磁重力補償器35,其中該等磁重力補償器35中之每一者包含如圖6中所展示之磁體總成30。該等磁重力補償器35各自包含安裝於參考件10上之下部永久磁體31及安裝於平衡質量塊183上之上部永久磁體32。在上部永久磁體32與平衡質量塊183之間,提供磁屏蔽件37以屏蔽磁重力補償器35之磁場使其免受定位裝置180中之其他磁場(例如致動器182之磁場)影響。磁屏蔽件37亦可用以至少部分地屏蔽磁重力補償器35之磁場使其免受其他元件,諸如電子光學系統200(參看圖2)之電子束202影響。在需要時,可提供另外磁屏蔽件以屏蔽磁重力補償器免受其他磁場影響,且反之亦然。可將磁屏蔽件安裝於載物台181、平衡質量塊183、參考件10或任何其他合適部位上。
可提供另外磁屏蔽件以屏蔽由重力補償器及/或任何磁性組件(例如致動器182、平衡質量致動器70)產生的磁場,以避免或縮減磁場至周圍空間之洩漏,尤其在對磁場敏感之區中(例如,物件190上方或周圍之區,在該等區中,運動對磁場敏感的電子束被輻照;電子光學系統170周圍之區;或電子光學系統170與物件190之間的區,電子束移動通過該區)。圖7b展示此另外磁屏蔽件38之實施例。該另外磁屏蔽件38包圍重力補償器35之永久磁體31、32,及/或配置於平衡質量塊183中/上的致動器
182及平衡質量致動器70之永久磁體182.1、70.1。該另外磁屏蔽件38可配備有允許平衡質量塊183移動所必需之隙縫及/或開口(例如,該另外磁屏蔽件38中之隙縫或開口可經配置於片彈簧184周圍以允許平衡質量塊183運動及片彈簧184變形)。該另外磁屏蔽件38之材料可經選擇使得該材料在該另外磁屏蔽件38內之磁通量密度位準(=該另外磁屏蔽件38之部位處之磁通量密度位準)下具有高的相對磁導率。當時,該另外磁屏蔽件之磁導率高時,該另外磁屏蔽件38阻擋更多磁場。取決於另外磁屏蔽件38內之磁通量密度位準,可使用不同的材料及/或材料成份。在一實施例中,材料可為鐵鎳合金。對於熟習此項技術者應清楚的是,提供此類另外磁屏蔽件之概念同樣適用於其他組態,諸如圖7a中之組態,其中重力補償器35配置於平衡質量塊下方。
另外磁屏蔽件38可包含一或多個磁屏蔽件。在一實施例中,另外磁屏蔽件38包含內部磁屏蔽件38.1及外部磁屏蔽件38.2。內部磁屏蔽件38.1包圍重力補償器35之永久磁體31、32,及/或配置於平衡質量塊183中/上的致動器182及平衡質量致動器70之永久磁體182.1、70.1。外部磁屏蔽件38.2包圍內部磁屏蔽件38.1,在其之間具有間隙38.3(圖7c)。永久磁體31、32、182.1、70.1之大多數磁場係由內部磁屏蔽件38.1朝向內部磁屏蔽件38.1之外部屏蔽。歸因於間隙38.3之高電阻率(例如,本文件之實施例中之真空,或另一可能實施例中之空氣),洩漏磁場接著朝向外部磁屏蔽件38.2被吸引且因此由外部磁屏蔽件38.2屏蔽。間隙38.3亦可由非鐵磁性材料、具有低的相對磁導率之任何材料(例如,低於內部磁屏蔽件38.1及外部磁屏蔽件38.2之磁導率),或具有接近於或實質上等於1之相對磁導率的任何材料佔據。可為內部磁屏蔽件38.1及外部磁屏蔽件38.2
選擇不同材料。用於內部磁屏蔽件38.1或外部磁屏蔽件38.2之材料可經選擇為使得材料分別在內部磁屏蔽件38.1或外部磁屏蔽件38.2之部位之磁通量密度位準下具有高的相對磁導率。用於內部屏蔽件38.1之材料可經選擇為在內部磁屏蔽件38.1內之磁通量密度位準(=內部磁屏蔽件38.1之部位處之磁通量密度)下具有高的相對磁導率之材料。用於外部磁屏蔽件38.2之材料可經選擇為與用於內部磁屏蔽件38.1之材料不同的材料。用於外部磁屏蔽件38.2之材料可經選擇為在外部磁屏蔽件38.2內之磁通量密度位準(=外部磁屏蔽件38.2之部位處之磁通量密度位準)下具有高的相對磁導率之材料。內部磁屏蔽件38.1及外部磁屏蔽件38.2之材料可為具有不同成份比率之相同合金,例如,具有不同成份比率之鐵鎳合金。
磁體總成30經設計為在下部永久磁體31與上部永久磁體32之間施加排斥力使得此排斥力充當平衡質量塊183上之提昇力,以抵消施加於平衡質量塊183上之重力。在正常操作中,磁體總成30經設計為在垂直方向(z方向)上在平衡質量塊183上施加提昇力,而在水平方向(包括平衡質量塊183之移動方向y)上不施加任何相當大的力。於是,磁體總成30充當磁重力補償器35,其可提供在垂直方向上之高(磁性)勁度,而在水平方向上大體上無勁度。因為施加於平衡質量塊183上之重力之相當大的部分可由磁重力補償器35承載,所以片彈簧184可經設計成具有實質上較低垂直及水平勁度。
舉例而言,由磁重力補償器35之組合提供之提昇力可為施加於平衡質量塊183上之重力的90%至110%。在此狀況下,片彈簧184必須僅吸收最大10%的重力。在磁體總成30之組合提供之提昇力小於施加於平衡質量塊183上之重力之100%的狀況下,待由片彈簧184吸收之此力可
為向上力,或在磁體總成30之組合提供之提昇力大於施加於平衡質量塊183上之重力之100%的狀況下,待由片彈簧184吸收之此力可為向下力。
在一實施例中,必須由多個片彈簧184組合地提供之最大力可不到施加於平衡質量塊183上之重力的0.5倍,例如在施加於平衡質量塊183上之重力的0.05至0.4倍之範圍內,諸如施加於平衡質量塊183上之重力的0.08至0.2倍。
多個片彈簧184之較低水平勁度之額外益處為:平衡質量致動器70需要的抵消由平衡質量塊183之偏心位置所產生的干擾力之致動力亦可實質上較低。結果,此平衡質量致動器70之熱耗散亦可實質上較低。
歸因於使用磁重力補償器35,有可能設計允許相對於長度存在相對較大位移的片彈簧;舉例而言,在移動方向y上自平衡質量塊183之中心位置之最大可允許的位移可為片彈簧184之有效長度的至少0.15倍,例如片彈簧之有效長度的0.2倍。片彈簧之有效長度在y-z平面中被視為相對於平衡質量塊183固定之片彈簧之點與相對於參考件10固定之片彈簧之點之間的距離。
如上文所解釋,平衡質量塊183經建構以對載物台181之移動作出反應而在與載物台181之移動方向相反的方向上移動,以防止或至少縮減自致動器182至參考件10之反作用力之轉移。由於平衡質量塊在移動方向上之移動,上部永久磁體32可相對於下部永久磁體31在移動方向(y方向)上定位於不同的水平位置中。下部永久磁體32在移動方向y上之長度大於上部永久磁體在移動方向y上之長度,使得圖7a中所展示之實施例之磁重力補償器35在平衡質量塊183上施加提昇力,而實質上獨立於在平衡
質量塊183之移動範圍內平衡質量塊183相對於參考件10之位置的水平位置。當由磁重力補償器35提供之提昇力在平衡質量塊183之移動範圍內具有20%之最大偏差,例如10%之最大偏差時,該提昇力可例如被視為實質上獨立於平衡質量塊183相對於參考件10在y方向上之位置。
在一實施例中,平衡質量塊183在垂直於移動方向之水平方向上(在當前實例中在x方向上)可存在某位移。在此狀況下,圖7a中所展示之實施例之磁重力補償器35亦可經設計為在平衡質量塊183上施加提昇力,而實質上獨立於在垂直於移動方向之此水平方向上(在x方向上)在此方向上之移動範圍內平衡質量塊183相對於參考件10之位置的水平位置。當由磁重力補償器35提供之提昇力在平衡質量塊183在x方向上之移動範圍內具有20%之最大偏差,例如10%之最大偏差時,該提昇力可例如被視為實質上獨立於平衡質量塊183相對於參考件10在x方向上之位置。
圖7a之定位裝置180可例如配置於真空環境40(例如真空腔室)中,在該真空腔室中存在相對較低壓力,此係因為磁重力補償器35之效應係基於磁力。
圖7a之磁重力補償器35經設計為在平衡質量塊183上施加排斥力,該排斥力向上推動平衡質量塊183。在一替代實施例中,可提供一或多個磁重力補償器以在平衡質量塊上施加吸引力以向上拉動平衡質量塊。在此實施例中,磁重力補償器35可例如取代如圖5中所展示之鉸鏈22、23及彈簧21。
圖8揭示根據本發明之一態樣的根據另一實施例之定位裝置180。該定位裝置包含載物台181、致動器182、由參考件10上之片彈簧184支撐之平衡質量塊183。如關於圖4之定位裝置所解釋,平衡質量塊
183之重量需要片彈簧184在垂直方向上具有最小勁度以便在平衡質量塊183施加提昇力,以抵消施加於平衡質量塊183上之重力。平衡質量塊183之重量與載物台181之重量之間的重量比以及載物台181之所要位移判定片彈簧184應在平衡質量塊183與參考件10之間允許的最大位移。片彈簧184之設計經最佳化以在垂直及水平方向上具有最小勁度。如上文所解釋,片彈簧184仍將在平衡質量塊183之水平移動方向(y方向)上需要一些勁度,以便提供對平衡質量塊183之穩定支撐。當平衡質量塊183自中心位置移動時,片彈簧184在水平移動方向(y方向)上之此勁度通常將產生將平衡質量塊183推回至平衡質量塊183之中心位置之力。
在圖8中所展示之實施例中,提供勁度縮減裝置60,其在參考件10與平衡質量塊183之間起作用以提供在水平方向上之負勁度以抵消片彈簧184之水平勁度。
勁度縮減裝置60包含安裝於參考件10上之永久磁體61,及磁性或可磁化材料板62,該磁性或可磁化材料板與板支撐件63一起被安裝於平衡質量塊183上。在一替代實施例中,永久磁體可被安裝於參考件10上,且磁性或可磁化材料板可例如與板支撐件一起被安裝於平衡質量塊183上。
圖9展示勁度縮減裝置60之永久磁體61及板62之截面上的俯視圖A-A。作為由磁性或可磁化材料(諸如鐵磁性材料)製成的板形體之板62包含配置有永久磁體61的開口64。永久磁體61可在開口64內在移動方向(y方向)上及在垂直於移動方向之水平方向(x方向)上移動。永久磁體61在開口64內之移動範圍與由平衡質量塊183由於在由致動器182致動時載物台181移動而進行的移動一致。
在圖8及圖9中,平衡質量塊183處於其移動範圍之中心位置中,其中永久磁體61亦配置於開口64之中心位置中。開口64經設計及經定位而使得在永久磁體61於開口64內之此中心位置中,永久磁體61與板62之間的磁力在移動方向y之正及負方向上將實質上相等。換言之,在永久磁體61與板62之間起作用之磁力互相補償。
圖10展示在自板62之開口64內之中心位置移動(例如在正y方向上,如圖10中所展示)之後的永久磁體61。此移動係由平衡質量塊183自其中心位置移動而造成。在永久磁體61相對於開口64之此非中心位置中,永久磁體61與板62之間的磁力將不再互相補償。舉例而言,在永久磁體61之一側(例如圖10中之右側),永久磁體61與板62之間的距離減低,從而導致永久磁體61與板62之間的吸引磁力增加,而在永久磁體61之相對側(例如圖10中之左側),永久磁體61與板62之間的距離增加,從而導致永久磁體61與板62之間的吸引磁力減低。作為圖10中所展示之位置中的永久磁體61與板62之間的吸引磁力之此不平衡之結果,永久磁體61將有效地由在正y方向上(在圖10中向右)在永久磁體61與板62之間的磁力拉動。永久磁體61上之此拉力起負勁度之作用,該負勁度可用以抵消片彈簧184中在y方向上之水平勁度,此將在移動方向y之相反負方向上(在圖10中向左)將平衡質量塊183推回至永久磁體61在開口64中之中心位置。
在當前實施例中,由勁度縮減裝置60提供之負勁度經組態以抵消片彈簧184之勁度。該負勁度未必由材料之勁度產生。
片彈簧184之勁度及由勁度縮減裝置60提供之負勁度提供平衡質量塊183之支撐件之組合勁度。此組合勁度的勁度低於片彈簧184之水平勁度。結果,可實質上縮減片彈簧184之水平勁度之干擾效應。
圖11展示片彈簧184之第一勁度剖面SLS、勁度縮減裝置60之第二勁度剖面SRD,及組合第一勁度剖面SLS及第二勁度剖面SRD之勁度的組合勁度剖面CSP。該等勁度剖面展示平衡質量塊183在移動方向y上相對於中心位置(Py=0)的位置Py與在移動方向y上作用於平衡質量塊183之所得力Fy之間的關係。對於熟習此項技術者應清楚的是,當Fy在此內容背景中,尤其鑒於先前段落具有正值時,所得力Fy為拉力。在一實施例中,組合勁度剖面CSP提供小的正勁度,使得片彈簧184之正勁度及勁度縮減裝置60之負勁度之組合產生穩定的系統。
片彈簧184之第一勁度剖面SLS及勁度縮減裝置60之第二勁度剖面SRD係線性勁度剖面。將清楚的是,勁度縮減裝置60之第二勁度剖面SRD適應於片彈簧184之第一勁度剖面SLS以便獲得預定組合勁度剖面CSP。勁度縮減裝置60之第二勁度剖面SRD可經設計為線性或非線性的以便獲得所要組合勁度剖面CSP。勁度縮減裝置60之第二勁度剖面SRD係藉由板62之開口64之形狀及大小、永久磁體61之形狀及大小以及永久磁體61之磁化予以判定。
舉例而言,第一勁度剖面SLS可為非線性勁度剖面,例如具有自平衡質量塊183之中心位置漸進增加之勁度的勁度剖面。第二勁度剖面SRD可提供在相反方向上之對應的非線性勁度剖面以獲得線性組合勁度剖面CSP。在另一實施例中,組合勁度剖面CSP可為非線性勁度剖面。
為了抵消片彈簧184在x方向(亦即,垂直於(主)移動方向y之水平方向)上的正勁度,勁度縮減裝置60亦可經組態以提供在x方向上之負勁度。當平衡質量塊183處於其在x方向上之移動範圍之中心位置時,如圖8及圖9中所展示,永久磁體61亦將處於開口64在x方向上之中心位
置。開口64可經設計及經定位而使得在永久磁體61於開口64內之此中心位置中,在永久磁體61與板62之間在x方向之正及負方向上的磁吸引力將相同或至少大體上相似。換言之,當在x方向上查看,永久磁體61定位於開口64中之中心位置時,在x方向上在永久磁體61與板62之間起作用之磁力相互補償。
當開口64中之永久磁體61在x方向上自中心位置移動時,此將導致在永久磁體61與板62之間起作用之磁力之間的不平衡,此將有效地將永久磁體61拉離中心位置。因此,當永久磁體61將在正x方向上自圖9中所展示之中心位置移動(至圖10之頂部)時,在永久磁體61與板62之間起作用之磁力將一起在正x方向上在永久磁體61上施加拉力。永久磁體61上之此拉力起負勁度之作用,該負勁度抵消片彈簧184中在x方向上之水平勁度,此將在x方向之相反方向上(至圖10之底側)將平衡質量塊183推回至永久磁體61在開口64中之中心位置。因此,亦可由勁度縮減裝置60提供在x方向上之負勁度。
永久磁體61之形狀及其磁化,以及板62及其中之開口64之形狀經選擇以提供負勁度之所要剖面。在一實施例中,負勁度之此所要剖面可適應於平衡質量塊183之寄生移動,使得勁度縮減裝置60至少部分地補償由該寄生移動產生的在x方向上之水平勁度。
在勁度縮減裝置60之設計中,勁度縮減裝置60所允許之移動範圍,亦即永久磁體61在開口64中之移動範圍,將適應於平衡質量塊183在一個或兩個水平方向上之所要移動範圍。
在圖8中所展示之實施例中,定位裝置180配置於真空環境40(例如真空腔室)中,在該真空腔室中存在相對較低壓力。因為勁度縮減
裝置60之效應係基於磁力,所以勁度縮減裝置60可有效地應用於該真空環境40中。此外,勁度縮減裝置60之實施例可進一步包含磁屏蔽件(圖中未繪示,但與圖7a之磁屏蔽件37相似)以用於屏蔽勁度縮減裝置60之磁場免受其周圍環境影響或縮減勁度縮減裝置60之磁場。
在圖8中,展示平衡質量致動器70。可提供此平衡質量致動器70以在需要時將平衡質量塊183保持處於移動範圍內之位置,尤其以防止平衡質量塊183由於片彈簧184之水平勁度而返回至平衡質量塊183之中心位置。在一實施例中,平衡質量致動器70可經設計為亦充當勁度縮減裝置,其中該平衡質量致動器經配置以積極地提供致動力,該致動力抵消由片彈簧184在移動方向上之勁度產生的靜態干擾力。
圖12展示根據本發明之一態樣的定位裝置180之實施例,其中磁重力補償器35之磁體總成30之上部永久磁體32亦用作勁度縮減裝置之永久磁體,以縮減平衡質量塊183在移動方向y上之水平勁度。磁體總成30對應於圖6中所展示之磁體總成。
圖13展示定位裝置180在磁體總成30之上部永久磁體32之高度下的截面B-B。
磁體總成30之下部永久磁體31安裝於參考件10上,且上部永久磁體32安裝於平衡質量塊183上。磁體總成30配置於磁屏蔽件37下方。下部永久磁體31將在上部永久磁體32上施加提昇力且於是在平衡質量塊183上施加提昇力,從而在使用中導致在片彈簧184上在垂直方向上由平衡質量塊183施加的重力縮減。因為平衡質量塊183之重量之相當大的部分將由由磁體總成30形成之磁重力補償器支撐,所以片彈簧184可經設計成具有實質上縮減之垂直勁度。結果,片彈簧184在平衡質量塊183
之移動方向y上之水平勁度亦可得以縮減。此將有效地縮減由片彈簧184之水平勁度產生的干擾力。又,待由致動器70提供以抵消干擾力的致動力可較低,從而導致致動器70中熱耗散較少。
為了進一步縮減片彈簧184之水平勁度之效應,可將上部永久磁體32配置於板62之開口64中,該板62藉由板支撐件63安裝於參考件10上。上部永久磁體32及板62充當勁度縮減裝置。板62之開口64經設計使得在上部永久磁體32(附接至平衡質量塊183)之中心位置中,如圖12及圖13中所展示,在永久磁體32與板62之間不施加有效磁力。換言之,在上部永久磁體32與板62之間起作用之磁力相互補償。
若開口64中之上部永久磁體32例如在正y方向上自中心位置移出,則上部永久磁體32將更接近開口64之一個邊緣且更遠離開口64之相對邊緣。此導致在上部永久磁體32之一側與板62之邊緣之間起作用的磁力與在上部永久磁體32之相對側與在板62之開口64之相對側的板62之邊緣之間起作用的磁力之間不平衡。此不平衡將導致上部永久磁體32將被在永久磁體32與板62之間起作用的磁力有效地拉離中心位置,例如在朝向開口64之最近邊緣之正y方向上。上部永久磁體32上之此拉力起負勁度作用,該負勁度至少部分地抵消片彈簧184中在y方向上之水平勁度,此將在移動方向之相反方向上(在圖13中向左)將平衡質量塊183推回至平衡質量塊183之中心位置。
對應於圖8中所展示之實施例,由磁體總成30之永久磁體32以及板62(尤其是板62中之開口64)所形成的勁度縮減裝置所產生的勁度剖面可相對於片彈簧184之勁度剖面而調適以便產生平衡質量塊183之所要組合勁度剖面。
圖14示意性地描繪根據本發明之一態樣的定位裝置180之第四實施例。該定位裝置180包含一個磁重力補償器80。實務上,可提供多個磁重力補償器。該磁重力補償器80包含藉由支撐件82安裝至平衡質量塊183之可磁化材料之第一元件81。磁重力補償器80進一步包含配置於可磁化材料之第二元件84中之永久磁體83,此兩者皆安裝於參考件10(例如經由第一元件81中之孔,或藉由其他方式、圖中未繪示之支撐件)上。提供第一元件81及第二元件84以導引由永久磁體83提供之磁場。
磁重力補償器80經建構使得磁體83在第一元件81上施加吸引力。磁重力補償器80之此吸引力將平衡質量塊183向上拉動。如上文關於重力補償器之其他實施例所描述,此具有如下優點:待由片彈簧184支撐之力可實質上縮減。結果,片彈簧184可經設計成具有較少水平勁度,從而導致在移動方向y上之干擾力較低,及平衡質量致動器70中之熱耗散較少。
在當前實施例中,磁重力補償器80經建構以允許平衡質量塊183在移動方向y上移動,且在需要時在x方向上移動,同時維持第一元件81與永久磁體83及第二元件84之組合之間的大體上相同的吸引磁力。
另外,磁重力補償器80經組態以在第一元件81與永久磁體83之間提供大於施加於平衡質量塊183上之重力的吸引磁力。此具有如下優點:重力由第一元件81與永久磁體83之間的吸引磁力完全補償,結果為,當片彈簧184例如歸因於疲乏而發生故障時,平衡質量塊183將由磁重力補償器80提昇。因為第一元件81與磁體83之間的間隙相對較小,所以片彈簧183之故障因此將僅導致平衡質量塊184小幅度向上移動,從而封閉第一元件81與磁體83之間的間隙,來代替平衡質量塊184下降至參考
件10上。磁重力補償器80之此實施例可防止損壞定位裝置180之部件,諸如致動器182、平衡質量致動器70或磁屏蔽件。
圖15展示包含第一元件81、永久磁體83及第二元件84之圖14之定位裝置的細節。緣邊85提供於第二元件84之面向第一元件81之表面上。緣邊85防止第一元件81將在片彈簧184發生故障之狀況下相對於永久磁體83移動。該緣邊於是可防止損壞永久磁體83。作為替代方案,可將諸如球形體之其他突起部提供於第二元件84之面向第一元件81之表面上以保護磁體83。
圖16展示第一元件81、永久磁體83及第二元件84之替代實施例,其中保護永久磁體83免受可由在片彈簧184發生故障之狀況下第一元件81向上移動所造成的損壞。在此實施例中,第二元件84包含凹部86,永久磁體83置放於該凹部中,其中該凹部86之深度大於永久磁體83在相同方向上之高度。結果,永久磁體83完全配置於凹部86中。當第一元件81將在片彈簧184發生故障之後向上移動時,第二元件84之包圍凹部86且面向第一元件81的表面將防止第一元件81將與永久磁體83形成接觸。
在圖14之實施例中,第一元件81被安裝於平衡質量塊183上,且永久磁體83及第二元件84被安裝於參考件10上。在一替代實施例中,第一元件81可被安裝於參考件10上,且永久磁體83及第二元件84可被安裝於平衡質量塊183上。此外,第一元件81及永久磁體83亦可經設計為在第一元件81與永久磁體83之間提供排斥力,該排斥力用以在平衡質量塊183上施加提昇力。
在上文中,描述了定位裝置之不同實施例,其中在平衡質
量塊之移動方向上支撐平衡質量塊的片彈簧之勁度之干擾效應係由重力補償器及/或勁度縮減裝置至少部分地補償。此定位裝置可應用於任何電子束設備中,諸如電子束檢測設備、電子束微影設備,或使用電子束之任何其他設備。
在上述實施例中,平衡質量塊183意欲在一個水平方向上移動以跟隨載物台181之移動。在其他實施例中,平衡質量塊183可在兩個垂直水平方向上移動。重力補償器及/或勁度縮減裝置可經設計為允許在兩個水平方向上在平衡質量塊之移動範圍內移動。
上文所描述之重力補償器及/或勁度縮減裝置使用永久磁體。在一替代實施例中,磁體亦可為可藉由電能磁化之電磁體。
此外,在上文所描述實施例中之一些實施例中,永久磁體被安裝於參考件上,而與磁體磁性合作的計數元件被安裝於平衡質量塊上。在替代實施例中,磁體可被安裝於平衡質量塊上,而計數元件可被安裝於參考件上。
重力補償器及/或勁度縮減裝置亦可經應用於電子束設備之定位裝置中,以縮減支撐平衡質量塊的在平衡質量塊之水平移動方向上具有勁度的另一支撐裝置之干擾效應。
可使用以下條項進一步描述實施例:
1.一種經組態以使一物件位移之定位裝置,其包含:一載物台,其用以支撐該物件,一致動器,其用以使該載物台相對於一參考件在一移動方向上移動,一平衡質量塊,其配置於該致動器與該參考件之間以縮減自該致動
器至該參考件之反作用力之轉移,一支撐裝置,其配置於該參考件與該平衡質量塊之間以支撐該平衡質量塊,及一重力補償器,其在該參考件與該平衡質量塊之間起作用以在該平衡質量塊上施加一提昇力,從而縮減待由用以支撐該平衡質量塊之該支撐裝置提供之一重力支撐力。
2.如條項1之定位裝置,其中該重力補償器係一磁重力補償器。
3.如條項2之定位裝置,其中該定位裝置包含用以屏蔽該磁重力補償器之磁場之一磁屏蔽件。
4.如條項1之定位裝置,其中該重力補償器係一機械重力補償器。
5.如前述條項中任一項之定位裝置,其中該重力補償器經配置以在該平衡質量塊上施加一吸引力,或其中該重力補償器經配置以在該平衡質量塊上施加一排斥力。
6.如條項1至5中任一項之定位裝置,其中該重力補償器在該移動方向上之一勁度實質上小於該支撐裝置在該移動方向上之一勁度。
7.如條項1至6中任一項之定位裝置,其中該重力補償器提供為施加於該平衡質量塊上之重力0.8至1.2倍的一提昇力。
8.如條項1至6中任一項之定位裝置,其中該定位裝置包含多個重力補償器,其中該多個重力補償器一起提供為施加於該平衡質量塊上之重力0.8至1.2倍的一提昇力。
9.如前述條項中任一項之定位裝置,其中該支撐裝置包含一或多個彈性導引裝置。
10.如條項9之定位裝置,其中該一或多個彈性導引裝置為一或多個片彈簧,其中該一或多個片彈簧允許在該移動方向上自該平衡質量塊之一中心位置的一最大位移,且其中該一或多個片彈簧各自具有一有效彈簧長度,其中該最大位移為該有效彈簧長度的至少0.15倍。
11.如前述條項中任一項之定位裝置,其中待由該支撐裝置提供之一最大提昇力不到施加於該平衡質量塊上之一重力的0.5倍。
12.如前述條項中任一項之定位裝置,其中該重力補償器經配置以在該平衡質量塊相對於該參考件在該移動方向上的一移動範圍內在該平衡質量塊上施加該提昇力。
13.如條項12之定位裝置,其中該重力補償器經進一步配置以在該平衡質量塊相對於該參考件在垂直於該移動方向之一水平方向上的一移動範圍內在該平衡質量塊上施加該提昇力。
14.如前述條項中任一項之定位裝置,其中該移動方向係一水平方向。
15.如前述條項中任一項之定位裝置,其中該重力補償器經配置以提供在該移動方向上之一負勁度,該負勁度至少部分地抵消該支撐裝置在該移動方向上之一正勁度。
16.如條項15之定位裝置,其中該重力補償器經配置以依賴於該平衡質量塊相對於該參考件在該移動方向上之位置來提供該負勁度。
17.如條項15或16之定位裝置,其中該正勁度及該負勁度導致在該移動方向上在該參考件與該平衡質量塊之間的一組合勁度,其中該重力補償器經設計為提供沿著該移動方向之一預定組合勁度剖面。
18.一種經組態以使一物件位移之定位裝置,其包含:
一載物台,其用以支撐該物件,一致動器,其用以使該載物台相對於一參考件在一移動方向上移動,一平衡質量塊,其配置於該致動器與該參考件之間以縮減自該致動器至該參考件之反作用力之轉移,一支撐裝置,其配置於該參考件與該平衡質量塊之間,該支撐裝置在該移動方向上具有一第一勁度,及一勁度縮減裝置,其在該參考件與該平衡質量塊之間起作用,該勁度縮減裝置提供在該移動方向上之一第二勁度,其中該第二勁度為至少部分地抵消該第一勁度之一負勁度。
19.如條項18之定位裝置,其中該勁度縮減裝置經配置以依賴於該平衡質量塊相對於該參考件在該移動方向上之位置來提供一第二勁度。
20.如條項19之定位裝置,其中該勁度縮減裝置之該第二勁度線性地取決於該平衡質量塊相對於該參考件在該移動方向上的該位置。
21.如條項19之定位裝置,其中該勁度縮減裝置之該第二勁度非線性地取決於該平衡質量塊相對於該參考件在該移動方向上的該位置。
22.如條項19至21中任一項之定位裝置,其中該第一勁度及該第二勁度導致在該第一移動方向上在該參考件與該平衡質量塊之間的一組合勁度,其中該勁度縮減裝置經設計為提供沿著該移動方向之一預定組合勁度剖面。
23.如條項22之定位裝置,其中該預定組合勁度剖面係一線性剖面。
24.如條項22之定位裝置,其中該預定組合勁度剖面係一非線性剖
面。
25.如條項22至24中任一項之定位裝置,其中該勁度縮減裝置經配置以提供該組合勁度剖面,其中在該平衡質量塊相對於該參考件之一位置處的該組合勁度為不到該第一勁度0.2倍的一正勁度。
26.如條項18至25中任一項之定位裝置,其中該勁度縮減裝置經組態以在該平衡質量塊相對於該參考件處於一中心位置時提供實質上等於零之一第二勁度。
27.如條項24或26之定位裝置,其中該預定組合勁度剖面具有在該移動方向上自該平衡質量塊之該中心位置增加的一漸進增加之組合勁度。
28.如條項18至27中任一項之定位裝置,其中該勁度縮減裝置包含一或多個磁體,該一或多個磁體安裝於該參考件及該平衡質量塊中之一者上,且在該移動方向上對安裝於該參考件及該平衡質量塊中之另一者上之一磁性或可磁化結構起作用。
29.如條項18至28中任一項之定位裝置,其中該勁度縮減裝置包含一磁性或可磁化結構,該磁性或可磁化結構具有一開口及配置於該開口中之一或多個磁體,其中該開口及/或該一或多個磁體之尺寸經選擇為依賴於在該移動方向上該一或多個磁體相對於該開口的位置來提供一預定第二勁度。
30.如條項28或29之定位裝置,其中該一或多個磁體係永久磁體或電磁體。
31.如條項18至30中任一項之定位裝置,其中一平衡質量致動器經配置以積極地提供一致動力,該致動力至少部分地抵消由該支撐裝置在該移動方向上之該勁度產生的一干擾力。
32.如條項18至31中任一項之定位裝置,其中該支撐裝置包含配置於該平衡質量塊與該參考件之間的一或多個彈性導引裝置。
33.如條項1至32中任一項之定位裝置,其包含一磁屏蔽件,該磁屏蔽件經配置以實質上圍封該平衡質量塊以及該磁重力補償器至少部分以屏蔽該磁重力補償器之磁場,其中該磁屏蔽件包含一開口以允許該平衡質量塊回應於該反作用力而移動。
34.如條項33之定位裝置,其中該磁屏蔽件之一材料係基於在該磁屏蔽內之一磁通量密度位準下該材料之一相對磁導率來選擇,以達成對該等磁場之高效屏蔽。
35.如條項33或34之定位裝置,其中在該致動器及/或該平衡質量致動器之一操作期間產生磁場的該致動器及/或該平衡質量致動器之至少部分配置於該平衡質量塊中、之上、周圍或與其連接,且其中該磁屏蔽件實質上圍封該致動器及/或該平衡質量致動器之該至少部分。
36.如條項33至35中任一項之定位裝置,其中該磁屏蔽件包含一第一磁屏蔽件及一第二磁屏蔽件,其中該第一磁屏蔽件實質上圍封該平衡質量塊、該磁重力補償器以及該致動器及/或該平衡質量致動器之該至少部分中之一或多者,且其中該第二磁屏蔽件實質上圍封該第一磁屏蔽件。
37.如條項36之定位裝置,其中該磁屏蔽件包含該第一磁屏蔽件與該第二磁屏蔽件之間的一空間,或非鐵磁性材料、一相對磁導率小於該第一磁屏蔽件及該第二磁屏蔽件的一材料,及一相對磁導率在該第一磁屏蔽件與該第二磁屏蔽件之間接近於或實質上等於1的一材料中之一或多者。
38.如條項36或37之定位裝置,其中該第一磁屏蔽件之一第一材料
係基於在該第一磁屏蔽件內之一第一磁通量密度位準下之該第一材料的一第一相對磁導率來選擇,且該第二磁屏蔽件之作為與該第一材料不同之材料的一第二材料係基於在該第二磁屏蔽件內之一第二磁通量密度位準下之該第二材料的一第二相對磁導率來選擇,以達成該等磁場之高效屏蔽。
39.一種勁度縮減裝置,其用以縮減配置於一參考件與一平衡質量塊之間的一支撐裝置之一第一勁度,以允許在該平衡質量塊與該參考件之間在一移動方向上移動,其中該勁度縮減裝置提供在該移動方向上之一第二勁度,其中該第二勁度為至少部分地抵消該第一勁度之一負勁度。
40.如條項39之勁度縮減裝置,其中該勁度縮減裝置包含一或多個磁體,該一或多個磁體安裝於該參考件及該平衡質量塊中之一者上,且在該移動方向上對安裝於該參考件及該平衡質量塊中之另一者上之一磁性或可磁化結構起作用。
41.如條項39至40中任一項之勁度縮減裝置,其中該勁度縮減裝置經配置以依賴於該平衡質量塊相對於該參考件在該移動方向上之位置來提供一第二勁度。
42.如條項39至41中任一項之勁度縮減裝置,其中該第一勁度及該第二勁度導致在該第一移動方向上在該參考件與該平衡質量塊之間的一組合勁度,其中該勁度縮減裝置經配置以提供沿著該移動方向之一預定組合勁度剖面。
43.一種電子束設備,其包含:如條項1至38中任一項之定位裝置,其中該定位裝置經組態以使該物件相對於由電子光學系統產生之電子束位移。
44.如條項43之電子束設備,其中該電子束設備係一電子束檢測設
備、電子束微影設備或使用一電子束之任何其他設備。
45.一種設備,其具有一真空腔室,該設備包含如條項1至38中任一項之定位裝置,其中該定位裝置配置於該真空腔室中。
46.一種設備,其包含如條項1至38中任一項之定位裝置,其中該設備係一微影設備。
儘管已關於本發明之較佳實施例解釋本發明,但應理解,可以在不背離本發明之如下文所主張之精神及範疇的情況下作出其他修改及變化。可能的其他應用包括用於將圖案轉印(例如藉由曝光製程)至包含本發明之定位裝置之半導體晶圓上的微影設備。
10 參考件
30 磁體總成
31 下部永久磁體
32 上部永久磁體
35 磁重力補償器
37 磁屏蔽件
40 真空環境
70 平衡質量致動器
180 定位裝置
181 載物台
182 致動器
183 平衡質量塊
184 片彈簧
185 線性或平面軸承
190 物件
Claims (16)
- 一種經組態以使一物件位移之定位裝置,其包含:一載物台(stage),其用以支撐該物件,一致動器(actuator),其用以使該載物台相對於一參考件在一移動方向上移動,一平衡質量塊(balance mass),其配置於該致動器與該參考件之間以縮減自該致動器至該參考件之反作用力(reaction forces)之轉移,一支撐裝置,其配置於該參考件與該平衡質量塊之間以支撐該平衡質量塊,及一重力補償器(gravity compensator),其在該參考件與該平衡質量塊之間起作用以在該平衡質量塊上施加一提昇力(lifting force),從而縮減待由用以支撐該平衡質量塊之該支撐裝置提供之一重力支撐力(gravitational support force)。
- 如請求項1之定位裝置,其中該重力補償器係一磁重力補償器(magnetic gravity compensator)。
- 如請求項2之定位裝置,其中該定位裝置包含用以屏蔽該磁重力補償器之磁場之一磁屏蔽件(magnetic shield)。
- 如請求項1之定位裝置,其中該重力補償器經配置以在該平衡質量塊上施加一吸引力(attracting force),或其中該重力補償器經配置以在該平 衡質量塊上施加一排斥力(repelling force)。
- 如請求項1之定位裝置,其中該重力補償器在該移動方向上之一勁度(stiffness)實質上小於該支撐裝置在該移動方向上之一勁度。
- 如請求項1之定位裝置,其中該重力補償器提供在施加於該平衡質量塊上之重力0.8倍與1.2倍之間的一範圍內的一提昇力。
- 如請求項1之定位裝置,其中該定位裝置包含多個重力補償器,其中該多個重力補償器一起提供在施加於該平衡質量塊上之重力0.8倍與1.2倍之間的範圍內的一提昇力。
- 如請求項1之定位裝置,其中該支撐裝置包含一或多個彈性導引裝置(elastic guiding devices)。
- 如請求項8之定位裝置,其中該一或多個彈性導引裝置為一或多個片彈簧(leaf springs),其中該一或多個片彈簧允許在該移動方向上自該平衡質量塊之一中心位置的一最大位移(maximum displacement),且其中該一或多個片彈簧各自具有一有效彈簧長度(effective spring length),其中該最大位移為該有效彈簧長度的至少0.15倍。
- 如請求項1之定位裝置,其中如由該支撐裝置提供之一最大推力/拉力不到施加於該平衡質量塊上之一重力的0.5倍。
- 如請求項1之定位裝置,其中該重力補償器經配置以在該平衡質量塊相對於該參考件在該移動方向上的一移動範圍內在該平衡質量塊上施加該提昇力。
- 如請求項1之定位裝置,其中該重力補償器經配置以提供在該移動方向上之一負勁度(negative stiffness),該負勁度至少部分地抵消(counteract)該支撐裝置在該移動方向上之一正勁度(positive stiffness)。
- 如請求項1之定位裝置,其中該重力補償器係一機械重力補償器(mechanical gravity compensator)。
- 一種電子束(E-beam)設備,其包含:如請求項1之定位裝置,其中該定位裝置經組態以使該物件相對於由電子光學系統產生之電子束位移(displace),其中該電子束設備係一電子束檢測設備(e-beam inspection apparatus)、電子束微影設備(e-beam lithography apparatus)或使用一電子束之任何其他設備。
- 一種設備,其具有一真空腔室,該設備包含如請求項1之定位裝置,其中該定位裝置配置於該真空腔室中。
- 一種設備,其包含如請求項1之定位裝置,其中該設備係一微影設備。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6987558B2 (en) * | 2001-01-16 | 2006-01-17 | Nikon Corporation | Reaction mass for a stage device |
WO2013004278A1 (en) * | 2011-07-01 | 2013-01-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optical imaging arrangement with individually actively supported components |
WO2014012729A1 (en) * | 2012-07-18 | 2014-01-23 | Asml Netherlands B.V. | Magnetic device and lithographic apparatus |
CN104698766A (zh) * | 2013-12-10 | 2015-06-10 | 上海微电子装备有限公司 | 重力补偿装置 |
CN104981891A (zh) * | 2013-07-02 | 2015-10-14 | 日本精工株式会社 | 工作台装置及输送装置 |
TW201643552A (zh) * | 2015-02-28 | 2016-12-16 | Shanghai Microelectronics Equi | 一種可調磁浮力重力補償器 |
WO2017089214A1 (en) * | 2015-11-23 | 2017-06-01 | Asml Netherlands B.V. | Positioning device, lithographic apparatus and device manufacturing method |
TW201839520A (zh) * | 2017-03-16 | 2018-11-01 | 荷蘭商Asml荷蘭公司 | 承載裝置、磁重力補償器、振動隔離系統、微影設備、控制具有負剛性的重力補償器的方法及彈簧 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW466542B (en) * | 1999-02-26 | 2001-12-01 | Nippon Kogaku Kk | A stage device and a method of manufacturing same, a position controlling method, an exposure device and a method of manufacturing same, and a device and a method of manufacturing same |
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KR100522885B1 (ko) * | 2002-06-07 | 2005-10-20 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피장치 및 디바이스제조방법 |
JP3895319B2 (ja) * | 2002-09-30 | 2007-03-22 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
CN101206410A (zh) * | 2007-12-17 | 2008-06-25 | 上海微电子装备有限公司 | 工件台平衡质量定位系统 |
US8144310B2 (en) * | 2008-04-14 | 2012-03-27 | Asml Netherlands B.V. | Positioning system, lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN101571675B (zh) * | 2009-06-09 | 2011-02-02 | 上海微电子装备有限公司 | 光刻机工件台平衡定位系统 |
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CN105629673A (zh) * | 2016-01-14 | 2016-06-01 | 哈尔滨工业大学 | 基于干涉仪测量的气磁结合气浮双工件台矢量圆弧回转换台方法及装置 |
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6987558B2 (en) * | 2001-01-16 | 2006-01-17 | Nikon Corporation | Reaction mass for a stage device |
WO2013004278A1 (en) * | 2011-07-01 | 2013-01-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optical imaging arrangement with individually actively supported components |
WO2014012729A1 (en) * | 2012-07-18 | 2014-01-23 | Asml Netherlands B.V. | Magnetic device and lithographic apparatus |
CN104981891A (zh) * | 2013-07-02 | 2015-10-14 | 日本精工株式会社 | 工作台装置及输送装置 |
CN104698766A (zh) * | 2013-12-10 | 2015-06-10 | 上海微电子装备有限公司 | 重力补偿装置 |
TW201643552A (zh) * | 2015-02-28 | 2016-12-16 | Shanghai Microelectronics Equi | 一種可調磁浮力重力補償器 |
WO2017089214A1 (en) * | 2015-11-23 | 2017-06-01 | Asml Netherlands B.V. | Positioning device, lithographic apparatus and device manufacturing method |
TW201839520A (zh) * | 2017-03-16 | 2018-11-01 | 荷蘭商Asml荷蘭公司 | 承載裝置、磁重力補償器、振動隔離系統、微影設備、控制具有負剛性的重力補償器的方法及彈簧 |
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