TWI721933B - 高脈衝重複率拉曼雷射之優化條件 - Google Patents

高脈衝重複率拉曼雷射之優化條件 Download PDF

Info

Publication number
TWI721933B
TWI721933B TW109135385A TW109135385A TWI721933B TW I721933 B TWI721933 B TW I721933B TW 109135385 A TW109135385 A TW 109135385A TW 109135385 A TW109135385 A TW 109135385A TW I721933 B TWI721933 B TW I721933B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
wavelength
light
laser light
crystal
optical element
Prior art date
Application number
TW109135385A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202215731A (zh
Inventor
陳永富
梁興弛
鄒家翰
Original Assignee
國立交通大學
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 國立交通大學 filed Critical 國立交通大學
Priority to TW109135385A priority Critical patent/TWI721933B/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI721933B publication Critical patent/TWI721933B/zh
Priority to US17/201,476 priority patent/US11522333B2/en
Publication of TW202215731A publication Critical patent/TW202215731A/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/30—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range using scattering effects, e.g. stimulated Brillouin or Raman effects
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/106—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
    • H01S3/1068—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using an acousto-optical device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/106—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
    • H01S3/108—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using non-linear optical devices, e.g. exhibiting Brillouin or Raman scattering
    • H01S3/1086—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using non-linear optical devices, e.g. exhibiting Brillouin or Raman scattering using scattering effects, e.g. Raman or Brillouin effect
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/11—Mode locking; Q-switching; Other giant-pulse techniques, e.g. cavity dumping
    • H01S3/1123—Q-switching
    • H01S3/117—Q-switching using intracavity acousto-optic devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16—Solid materials
    • H01S3/163—Solid materials characterised by a crystal matrix
    • H01S3/1671—Solid materials characterised by a crystal matrix vanadate, niobate, tantalate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
    • H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
    • H01S3/094076—Pulsed or modulated pumping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
    • H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
    • H01S3/094084—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light with pump light recycling, i.e. with reinjection of the unused pump light, e.g. by reflectors or circulators
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
    • H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
    • H01S3/0941—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode
    • H01S3/09415—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode the pumping beam being parallel to the lasing mode of the pumped medium, e.g. end-pumping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/102—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation
    • H01S3/1022—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation by controlling the optical pumping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/106—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
    • H01S3/108—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using non-linear optical devices, e.g. exhibiting Brillouin or Raman scattering
    • H01S3/109—Frequency multiplication, e.g. harmonic generation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16—Solid materials
    • H01S3/1601—Solid materials characterised by an active (lasing) ion
    • H01S3/1603—Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth
    • H01S3/1611—Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth neodymium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16—Solid materials
    • H01S3/163—Solid materials characterised by a crystal matrix
    • H01S3/1671—Solid materials characterised by a crystal matrix vanadate, niobate, tantalate
    • H01S3/1673—YVO4 [YVO]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

一種高脈衝重複率雷射裝置，具有一直線型腔體，該直線型腔體具一第一方向和相反於該第一方向的一第二方向，且沿該第一方向配置有：一第一光學元件、一增益與拉曼介質、一聲光晶體、一第一三硼酸鋰(LBO)晶體、以及一第二光學元件。該第一光學元件接收沿該第一方向入射的一泵浦光；該增益與拉曼介質接收來自該第一光學元件的該泵浦光，並產生具有一第一波長的一第一紅外基礎雷射光和具有一第二波長的一第二紅外基礎雷射光；該聲光晶體接收來自一射頻控制器的一射頻控制信號，其中具有一高脈衝重複率的該射頻控制信號具有一信號週期，該信號週期包含一低位準期間及一高位準期間，且該聲光晶體依據該低位準期間，經歷相應的開通時間，俾使任何光線通過；該第一三硼酸鋰(LBO)晶體，接收來自該增益與拉曼介質的該第一和該第二紅外基礎雷射光，並產生具有一第三波長的一可見雷射光。

Description

高脈衝重複率拉曼雷射之優化條件
本發明係關於一種高脈衝重複率雷射裝置，特別是一種用以產生具有高功率高脈衝重複率之雷射。
高脈衝重複率的脈衝雷射光具有高度的實用價值，目前也陸續出現在材料加工、微機械加工、微顯影學、乃至於醫療科技的應用方面。一種習知用以產生可見光波長雷射光的雷射裝置10如第1圖所示，由圖中最左方的二極體雷射源1提供波長為808奈米的泵浦光Lpump通過第一光學元件130而進入由第一光學元件130和第二光學元件150所形成的直線型腔體110，該腔體110中依序配置有增益與拉曼介質120、三硼酸鋰(LBO)晶體180以及LBO晶體160。第一光學元件130可具備一層光學膜131，在該第一方向對來自二極體雷射源1沿該第一方向入射的泵浦光Lpump(波長為808奈米)具有高穿透性(反射率低到小於0.2%)，適合用以讓泵浦光Lpump通過並且沿該第一方向入射。
增益與拉曼介質120接收來自第一光學元件130的泵浦光Lpump，並產生具有第一波長的第一紅外基礎雷射光Lbase1和具有一第二波長的第二紅外基礎雷射光Lbase2。例如，二極體雷射源提供入射的泵浦光Lpump波長為808奈米，增益與拉曼介質120包含摻雜釹的釩酸鹽(例如摻雜釹的釩酸釔Nd：YVO4)，除了可以透過摻雜物質吸收泵浦光Lpump能量而轉換為波 長約為1064奈米的第一紅外基礎雷射光Lbase1之外，當直線型腔體110的第一光學元件130和第二光學元件150對第一紅外基礎雷射光Lbase1的反射率達到99.8%以上，也就是第一紅外基礎雷射光Lbase1可以被有效的鎖在直線型腔體110形成駐波時，增益與拉曼介質120還可以依靠自激拉曼散射(Self-Stimulated Raman Scattering)來產生具有波長約為1176的第二紅外基礎雷射光Lbase2。這兩道存在於直線型腔體110之內的基礎雷射光將可以運用作為形成不同可見光波長的雷射光的工具。從另一角度來看，第一紅外基礎雷射光Lbase1和第二紅外基礎雷射光Lbase2在直線型腔體110之中來回的反射，第一光學元件130和第二光學元件150之間的距離使得這兩束基礎雷射光形成駐波而維持一定的功率。當泵浦光Lpump不斷的注入直線型腔體110，這兩道基礎雷射光的能量就不斷提升。
三硼酸鋰(LBO)晶體180可以是一種以特別的切割角度來形成的和頻晶體，接收來自增益與拉曼介質120的第一和第二紅外基礎雷射光Lbase1/Lbase2，並產生具有一第三波長的第一可見雷射光L1。以前段所述的實施例為例，當第一和第二紅外基礎雷射光Lbase1/Lbase2的波長分別為1064和1176奈米時，經和頻之後產生的第一可見雷射光L1所具有的波長約為559奈米。
LBO晶體160是以不同於和頻晶體180的特別切割角度來形成的倍頻晶體，接收通過LBO晶體180的第一紅外基礎雷射光Lbase1，並產生具有一第四波長的第二可見雷射光L2。承上例，第一紅外基礎雷射光Lbase1波長約為1064奈米時，經LBO晶體160倍頻之後產生的第二可見雷射光L2所具有的波長約為532奈米。波長532和559奈米的雷射光同屬於可見光範圍的 不同色光，在醫療的應用(例如視網膜光凝手術)具有重要的價值。
第二光學元件150的薄膜堆疊151是一種半導體飽和吸收體，其穿透率有一初始值，當雷射光L1/L2的強度超過一門檻值的時候，會以一特定關係疊加產生脈衝，薄膜堆疊151這時候就會形成高穿透的狀態，而讓一個脈衝式的輸出雷射光L1ext/L2ext通過第二光學元件150而釋出。然而，上述的元件配置難以產生高脈衝重複率且高功率的脈衝雷射光。
因此，如何能夠避免上述裝置的缺點，是需要解決的技術問題。
本發明提出一種具有直線型腔體可產生高脈衝重複率的高功率脈衝的雷射，可以有效克服先前技藝的不足，同時可以提供兩種以上的可見光雷射，並且可提供紅外光雷射或紫外光雷射，大幅減少功率損耗和成本的問題。
依據本發明一實施例，提出一種高脈衝重複率雷射裝置，具有一直線型腔體，該直線型腔體具一第一方向和相反於該第一方向的一第二方向，且沿該第一方向配置有：一第一光學元件、一增益與拉曼介質、一聲光晶體、一第一三硼酸鋰(LBO)晶體、以及一第二光學元件。該第一光學元件接收沿該第一方向入射的一泵浦光；該增益與拉曼介質接收來自該第一光學元件的該泵浦光，並產生具有一第一波長的一第一紅外基礎雷射光和具有一第二波長的一第二紅外基礎雷射光；該聲光晶體接收來自一射頻控制器的一射頻控制信號，其中具有一高脈衝重複率的該射頻控制信號具有一信號週期，該信號週期包含一低位準期間及一高位準期間，且該聲光晶體依據該低位準期間，經歷相應的開通時間，俾使任何光線通過；該第一三硼酸鋰(LBO)晶體，接收來自該增益與拉曼介質的該第一和該第二紅外基礎雷射光，並產生具有一第三波長的一可見雷射光。其中該第一光學元件於和該第一方向相反的一第二方向上對包含該第一波長和該第二波長之一第一波段之光波具一第一高反射性、以及對包括該第三波長的一第二波段具一第二高反射性；該增益與拉曼介質於該第二方向上對該第一波段之光波具一第一高穿透性、以及對該第二波段之光波具一第三高反射性；該第二光學元件對該第一波段具一第四高反射性，具有一初始穿透率，且當該可見雷射光的一強度達到一門檻值時，該第二光學元件於該第一方向上對該第二波段之光波具一第二高穿透性，從而沿該第一方向釋出一輸出雷射脈衝；且該可見雷射光的該強度在該聲光晶體的該開通時間裡，達到該門檻值。
依據本發明另一實施例，提出一種用於產生高脈衝重複率雷射光之直線型腔體，該直線型腔體沿一第一方向包含：一第一光學元件、一增益與拉曼介質、一聲光晶體、一第一三硼酸鋰(LBO)晶體、一第二LBO晶體、以及一第二光學元件。該第一光學元件接收沿該第一方向入射的一泵浦光；該增益與拉曼介質接收來自該第一光學元件的該泵浦光，並產生具有一第一波長的一第一紅外基礎雷射光和具有一第二波長的一第二紅外基礎雷射光；該聲光晶體接收來自一射頻控制器的一射頻控制信號，其中具有一高脈衝重複率的該射頻控制信號具有一信號週期，該信號週期包含一低位準期間及一高位準期間，且該聲光晶體依據該低位準期間，經歷相應的開通時間，俾使任何光線通過；該第一三硼酸鋰(LBO)晶體接收來自該 增益與拉曼介質的該第一和該第二紅外基礎雷射光，並產生具有一第三波長的一可見雷射光；該第二LBO晶體接收通過該第一LBO晶體的該第一和該第二紅外基礎雷射光，並產生具有一第四波長的一紫外雷射光。其中該第一光學元件於和該第一方向相反的一第二方向上對包含該第一波長和該第二波長之一第一波段之光波具一第一高反射性、以及對包括該第三波長和第四波長的一第二波段之光波具一第二高反射性；該增益與拉曼介質於該第二方向上對該第一波段具一第一高穿透性、以及對該第二波段之光波具一第三高反射性；該第二光學元件對該第一波段之光波具一第四高反射性，具有一初始穿透率，且當該紫外雷射光的一強度達到一門檻值時，該第二光學元件於該第一方向上對該第二波段之光波具一第二高穿透性，從而沿該第一方向釋出一輸出雷射脈衝。該可見雷射光的該強度在該聲光晶體的該開通時間裡，達到該門檻值。
依據本發明另一實施例，提出一種高脈衝重複率雷射裝置，具有一直線型腔體，該直線型腔體具一第一方向和相反於該第一方向的一第二方向，且沿該第一方向配置有：一第一光學元件、一增益介質、一聲光晶體、以及一第二光學元件。該第一光學元件接收沿該第一方向入射的一泵浦光；該增益介質接收來自該第一光學元件的該泵浦光，並產生具有一第一波長的一基礎雷射光；該聲光晶體接收來自該增益介質的該基礎雷射光，並接收一射頻控制信號而由之決定是否處於一光通透狀態或一光非通透狀態；該第二光學元件與該第一光學元件在其間構成一雷射共振腔。其中該基礎雷射光相對於該第二光學元件具有得以穿透其中之一光強度門檻值，俾該基礎雷射光的一強度在該聲光晶體的該光通透狀態裡，達到該光強度門檻值。
本發明所提出的高脈衝重複率雷射，適合應用於醫療手術或是工業生產中，具有產業利用性。
1:二極體雷射源
100/200:雷射裝置
110/210:腔體
120:增益與拉曼介質
121/131:光學膜
130:第一光學元件
140:聲光晶體
150:第二光學元件
151:薄膜堆疊
160/170/180:LBO晶體
220:射頻控制器
L1/L2/L3:雷射光
L1ext/L2ext:輸出雷射光
Lbase1/Lbase2:紅外基礎雷射光
Lpump:泵浦光
本案得藉由下列圖式之詳細說明，俾得更深入之瞭解：
圖1係習知用以產生可見光波長雷射脈衝光的一種雷射裝置的示意圖；
圖2係本發明高脈衝重複率雷射一些實施例的示意圖；
圖3是依據本發明一實施例的控制信號與輸出脈衝光週期的示意圖；
圖4顯示依本發明一實施例所製作的雷射裝置在脈衝重複率200KHz下輸出功率方面的示意圖；
圖5顯示依本發明一實施例所製作的雷射裝置在脈衝重複率300KHz下輸出功率方面的示意圖；
圖6顯示依本發明一實施例所製作的雷射裝置在脈衝重複率400KHz下輸出功率方面的示意圖；
圖7顯示依本發明一實施例所製作的雷射裝置在脈衝重複率500KHz下輸出功率方面的示意圖；
圖8顯示本發明依本發明一實施例所製作的雷射裝置在各種高脈衝重複率下的開通時間與功率門檻之間的關聯示意圖。
本發明將可由下列實施例說明而得到充分瞭解，使熟習本技藝之人士可以據以完成之，然本發明之實施並非可由下列實施例而被限制其實施型態。
請參閱圖2，其顯示依據本發明高脈衝重複率雷射一些實施例。本發明高脈衝重複率雷射200具有直線型腔體210。直線型腔體210沿第一方向配置有下列元件：第一光學元件130、增益與拉曼介質120、聲光晶體140、第一三硼酸鋰(LBO)晶體160、第二LBO晶體170、第三LBO晶體180、以及第二光學元件150。如圖，第一光學元件130接收由二極體雷射源1提供，沿該第一方向入射的波長為808奈米的泵浦光Lpump。增益與拉曼介質120具有釹摻雜的釔鋁石榴石(Nd：YAG)晶體，可以將波長為808奈米的泵浦光Lpump轉換為波長約為1064奈米的第一紅外基礎雷射光Lbase1，如果需要波長落在紅外光範圍的雷射脈衝光，依據一實施例，可以直接將第一紅外基礎雷射光Lbase1在直線型腔體210中操作為具高脈衝重複率的脈衝雷射。
在另一實施例，增益與拉曼介質120包含摻雜釹的釩酸鹽(例如摻雜釹的釩酸釔Nd：YVO4)，除了可以透過摻雜物質吸收泵浦光Lpump能量而轉換為波長約為1064奈米的第一紅外基礎雷射光Lbase1之外，當直線型腔體210的第一光學元件130和第二光學元件150對第一紅外基礎雷射光Lbase1的反射率達到99.8%以上，也就是第一紅外基礎雷射光Lbase1可以被有效的鎖在直線型腔體210形成駐波時，增益與拉曼介質120還可以依靠自激拉曼散射(Self-Stimulated Raman Scattering)來產生具有波長約為1176的第二紅外基礎雷射光Lbase2。這兩道存在於直線型腔體210之內的基礎雷射光將可以運用作為形成不同可見光波長的雷射光的工具。在一實施例中，增益與拉曼介質120在遠離第一光學元件130的一側具有光學膜121，對第一紅外基礎雷射光Lbase1和第二紅外基礎雷射光Lbase2的反射率達到0.03%以下。
在適當的配置下，第一紅外基礎雷射光Lbase1和第二紅外基礎雷射光Lbase2可以在直線型腔體210之中來回的反射。依據本發明一實施例，第二光學元件150是一透鏡，在面向第一方向的表面具有一層薄膜堆疊151，對第一和第二紅外基礎雷射光Lbase1/Lbase2的波長範圍(例如1060-1180奈米)時的反射率達到99.9%的高反射率，第一光學元件130和第二光學元件150之間的距離使得這兩束基礎雷射光形成駐波而維持一定的功率。當泵浦光Lpump不斷的被注入於增益與拉曼介質120中，則直線型腔體210內的紅外基礎雷射光Lbase1/Lbase2的功率就會不斷的提升。
圖2同時顯示本發明高脈衝重複率雷射不同的實施例。請同時參閱圖3，為了克服先前技術難以達成高功率的高脈衝重複率雷射脈衝光的問題，如圖所示，本發明高脈衝重複率雷射200的直線型腔體210沿第一方向的光路徑上在增益與拉曼介質120之後配置的聲光晶體140可以當作一個開關，依據依實施例，聲光晶體140接收來自射頻控制器220的射頻控制信號Scontrol，射頻控制信號Scontrol具有高脈衝重複率(例如100-500kHz)的信號週期Tp，各信號週期Tp包含一低位準期間及一高位準期間。聲光晶體140的特性就是會受到特定頻率的射頻控制信號Scontrol所控制(無論是有線或無線的方式)，當射頻控制信號Scontrol於低位準或接近零的狀態，聲光晶體140是維持通透的狀態而讓任何光線通過；當射頻控制信號Scontrol於高位準狀態時，聲光晶體140會形成光柵而阻絕任何光線。
所以當聲光晶體140接收到射頻控制信號Scontrol時，可以依據信號週期Tp的低位準期間，經歷相應的開通時間Tgo，俾使任何光線通過，而在第一光學元件130和第二光學元件150之間所形成的腔體來回往返；而當射頻控制信號Scontrol位於信號週期Tp中的高位準狀態期間，聲光晶體140 阻絕第一紅外基礎雷射光Lbase1或第二紅外基礎雷射光Lbase2朝向的第一方向的投射，因而不斷由二極體雷射源1注入泵浦光Lpump的光能就被累積於圖中直線型腔體210的左側，致使第一紅外基礎雷射光Lbase1或第二紅外基礎雷射光Lbase2的能量不斷的提昇。所以按照圖3所示，當射頻控制信號Scontrol位於高位準狀態的期間，可以視為雷射腔體累積能量的階段，給予雷射腔體足夠的時間來儲能，之後當射頻控制信號Scontrol切換為低位準狀態時，聲光晶體140成為通透狀態而讓具備高能量的第一紅外基礎雷射光Lbase1或第二紅外基礎雷射光Lbase2在直線型腔體210中形成駐波並且不斷輸入位於腔體右半段的第一LBO晶體160、第二LBO晶體170或第三LBO晶體180。
依據一實施例，直線型腔體210中只有配置第一LBO晶體160，接收來自增益與拉曼介質120的第一和第二紅外基礎雷射光Lbase1/Lbase2，並產生具有第三波長(例如588奈米、559奈米或532奈米)的可見雷射光L1。LBO晶體經過不同的切割角度可形成倍頻晶體或和頻晶體，當第一LBO晶體160被安排作為倍頻晶體，可以產生波長為588奈米(將波長約為1176的第二紅外基礎雷射光Lbase2倍頻)或532奈米(將波長約為1064的第一紅外基礎雷射光Lbase1倍頻)的可見雷射光L1；當第一LBO晶體160被用作為和頻晶體，可以產生波長為549奈米(將波長約為1064的第一紅外基礎雷射光Lbase1和波長約為1176的第二紅外基礎雷射光Lbase2和頻)的可見雷射光L1。當可見雷射光L1能量累積的強度超過一門檻值的時候，會以一特定關係疊加產生脈衝，第二光學元件150的薄膜堆疊151這時候就會形成高穿透(例如0.3%或更低的反射率)的狀態，而讓一個輸出雷射脈衝光L1ext通過第二光學元件150而釋出直線型腔體210。在一實施例中，增益與拉曼介質120的光學膜121上述可見雷射光L1的反射率達到0.98%以以上以避免增益與拉曼介質120吸收可見雷射光L1。
再參閱圖3，圖中以虛線表示射頻控制信號Scontrol的多個信號週期Tp以及高低位準，並以實線表示輸出脈衝光L1ext的強度。當射頻控制信號Scontrol自高位準狀態切換為低位準狀態後，由第一LBO晶體160產生的可見雷射光L1在直線型腔體210逐漸增強而經歷一段發展期間Tbu而強度達到該門檻值，最終通過第二光學元件150而釋出成為輸出雷射脈衝光L1ext。如圖所示，由於直線型腔體210受到射頻控制信號Scontrol的控制，輸出脈衝光L1ext也具有相同於信號週期Tp的脈衝週期。值得一提的是，為了能讓可見雷射光L1在直線型腔體210中有足夠的時間來形成共振並且強度達到該門檻值，射頻控制信號Scontrol信號週期Tp中的低位準期間，也就是聲光晶體140的開通時間Tgo必須至少大於可見雷射光L1的發展期間Tbu，這樣才會有輸出脈衝光L1ext的出現。此外，為了達到高脈衝重複率(例如100-500KHz)的功效，必須能讓直線型腔體210中用以激發可見雷射光L1的第一或第二紅外基礎雷射光Lbase1/Lbase2具備更充分的光能，所以射頻控制信號Scontrol信號週期Tp中的高位準期間(亦即Tp減去Tgo的期間)也必須適當的安排。本發明用以實現高脈衝重複率雷射的概念之一就是要優化聲光晶體140的開通時間Tgo而讓每個信號週期Tp中雷射腔體累積能量的階段(亦即Tp減去Tgo的期間)更長。如此一來，也可以獲得功率較高的輸出雷射脈衝光。
請參閱圖4，其顯示依據本發明所製作的輸出光波長約為588奈米雷射裝置在脈衝重複率200KHz下，嘗試不同開通時間Tgo(0.2/0.3/0.5/0.7微秒)的入射泵浦光Lpump功率與脈衝光輸出功率方面的實 驗數據。同樣利用功率約為26瓦的入射泵浦光Lpump，當開通時間Tgo為0.7微秒時，所得到的脈衝光輸出功率比開通時間Tgo為0.2微秒所得到的脈衝光輸出功率要差20%以上。如前開所述，在相同的脈衝重複率下，較短的開通時間Tgo意味著較長的雷射腔體累積能量期間。因此，本發明的雷射裝置可以透過控制聲光晶體140的開通時間Tgo來達成200KHz的脈衝重複率並起提高脈衝光輸出功率。如圖所示，若是不需要較高的脈衝光輸出功率(例如只需要2瓦以下的輸出功率)，則可以利用低功率的入射泵浦光Lpump來實現200KHz的脈衝重複率。
圖5-7顯示依據本發明所製作的輸出光波長約為588奈米雷射裝置分別在脈衝重複率300/400/500KHz下，嘗試不同開通時間Tgo的入射泵浦光Lpump功率與脈衝光輸出功率方面的實驗數據。比較以不同開通時間Tgo所取得的數據可以得到與前一段相同的觀察與結論。本發明透過控制聲光晶體140的開通時間Tgo可以利用低功率的入射泵浦光Lpump來產生高脈衝重複率的雷射脈衝光，而且需要時可以提昇脈衝光輸出功率。
之前提到的實施例是直線型腔體210中只有配置第一LBO晶體160，接收來自增益與拉曼介質120的第一和第二紅外基礎雷射光Lbase1/Lbase2，並產生具有第三波長(例如588奈米、559奈米或532奈米)的可見雷射光L1。請再參閱圖2，為了實現多波長的雷射脈衝光，也可以在直線型腔體210中增加第二LBO晶體170或再增加第三LBO晶體180，這兩個或三個LBO晶體160/170/180能夠接收第一或第二紅外基礎雷射光Lbase1/Lbase2來分別進行倍頻或和頻以產生不同波長(例如588奈米、559奈米或532奈米)的可見雷射光L1/L2/L3，在聲光晶體140開通時間Tgo可以分別產生輸出雷射脈衝光L1ext/L2ext/L3ext。
之前所述的實施方式基本上是為了獲得波長為可見光範圍內的輸出雷射脈衝光。依據不同的實施例，只要將圖2中的第一LBO晶體160、第二LBO晶體170和第三LBO晶體180的其中之二配置為適當的倍頻晶體，本發明也可以配置以獲得波長為紫外光範圍內的輸出雷射脈衝光。例如，在直線型腔體210中配置第二LBO晶體170以將波長約1064奈米的第一紅外基礎雷射光Lbase1倍頻為波長約532奈米的可見雷射光L2，在將第一LBO晶體160配置以將可見雷射光L2倍頻為波長約266奈米的紫外雷射光L1。第一光學元件130於第二方向上對第一和第二紅外基礎雷射光Lbase1/Lbase2的波長範圍(例如1060-1180奈米)的第一波段光波具高反射性，對包括L1和L2波長的波長範圍(例如260-560奈米)的第二波段光波也具高反射性。第二光學元件150的薄膜堆疊151具有較低的初始穿透率，當紫外雷射光L1或可見雷射光L2的強度達到一門檻值時，第二光學元件150的薄膜堆疊151第一方向上對該第二波段之光波具高穿透性，從而沿該第一方向釋出一輸出雷射脈衝L1ext或L2ext。依據一實施例，紫外雷射光L1或可見雷射光L2的強度在該聲光晶體140的開通時間Tgo裡，達到該門檻值。根據又一實施例，也可以LBO晶體將和頻之後的可見雷射光再進行倍頻，或者倍頻後再和頻，形成不同波長的紫外雷射光。
綜上所述，本發明高脈衝重複率雷射200具有直線型腔體210可以靈活的配置零或一乃至多個LBO晶體160/170/180以獲得包含紅外光、可見光或紫外光等波段的高脈衝重複率輸出雷射光。由於直線型腔體210中的聲光晶體140的通透狀態可以即時的被特定頻率的射頻控制信號Scontrol所 控制，聲光晶體140可以運用成為光閘，只要設定適當信號週期Tp和信號週期Tp中對應於聲光晶體140的開通時間Tgo的低位準期間，就可以讓直線型腔體210在信號週期Tp的高位準期間進行能量累積，即使入射泵浦光Lpump的功率不高，也可以成功的導致高脈衝重複率的雷射脈衝光的產生。
請參閱圖8，其顯示本發明依本發明一實施例所製作的輸出光波長約為588奈米的雷射裝置在各種高脈衝重複率下的開通時間與功率門檻之間的關聯，圖中以單點圖形顯示實驗的數據，各曲線則是依據本領域理論的數學模型所做的推測。圖中的數據基本上符合理論模型的推測，然而對於相對較高頻的脈衝重複率400KHz或500KHz而言，可實現輸出脈衝光的數據顯示其存在有最低的光閘開通時間(500KHz的數據約為0.5微秒；400KHz的數據約為0.4微秒)，換句話說，數據印證了上述關於開通時間Tgo必須至少大於可見雷射光L1的發展期間Tbu這樣的概念。本領域業者常用的泵浦光源強度通常為26瓦，而圖8顯示本發明可以使用低於15瓦甚至更低的泵浦光源來實現高脈衝重複率的雷射脈衝光，可以說是技術的一大創新。
本案雖以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本案的範圍，任何熟習此項技藝者，在不脫離本案之精神和範圍內所作之變動與修飾，皆應屬本案之涵蓋範圍。
1:二極體雷射源
200:雷射裝置
210:腔體
120:增益與拉曼介質
121/131:光學膜
130:第一光學元件
140:聲光晶體
150:第二光學元件
151:薄膜堆疊
160/170/180:LBO晶體
220:射頻控制器
L1/L2/L3:雷射光
L1ext/L2ext:輸出雷射光
Lbase1/Lbase2:紅外基礎雷射光
Lpump:泵浦光

Claims (10)

  1. 一種高脈衝重複率雷射裝置，具有一直線型腔體，該直線型腔體具一第一方向和相反於該第一方向的一第二方向，且沿該第一方向配置有：一第一光學元件，接收沿該第一方向入射的一泵浦光；一增益與拉曼介質，接收來自該第一光學元件的該泵浦光，並產生具有一第一波長的一第一紅外基礎雷射光和具有一第二波長的一第二紅外基礎雷射光；一聲光晶體，接收來自一射頻控制器的一射頻控制信號，其中具有一高脈衝重複率的該射頻控制信號具有一信號週期，該信號週期包含一低位準期間及一高位準期間，且該聲光晶體依據該低位準期間，經歷相應的開通時間，俾使任何光線通過；一第一三硼酸鋰(LBO)晶體，接收來自該增益與拉曼介質的該第一和該第二紅外基礎雷射光，並產生具有一第三波長的一可見雷射光；以及一第二光學元件，其中：該第一光學元件於和該第一方向相反的一第二方向上對包含該第一波長和該第二波長之一第一波段之光波具一第一高反射性、以及對包括該第三波長的一第二波段具一第二高反射性；該增益與拉曼介質於該第二方向上對該第一波段之光波具一第一高穿透性、以及對該第二波段之光波具一第三高反射性；該第二光學元件對該第一波段具一第四高反射性，具有一初始穿透率，且當該可見雷射光的一強度達到一門檻值時，該第二光學元件於該第一方向上對該第二波段之光波具一第二高穿透性，從而沿該第一方向釋出 一輸出雷射脈衝；以及該可見雷射光的該強度在該聲光晶體的該開通時間裡，達到該門檻值。
  2. 如請求項1所述的裝置，其中該增益與拉曼介質包含摻雜釹的釩酸鹽。
  3. 如請求項1所述的裝置，其中該直線型腔體還包含：一第二LBO晶體，配置於該聲光晶體與該第一LBO晶體之間。
  4. 如請求項3所述的裝置，其中該直線型腔體還包含：一第三LBO晶體，配置於該聲光晶體與該第一LBO晶體之間。
  5. 一種用於產生高脈衝重複率雷射光之直線型腔體，該直線型腔體沿一第一方向包含：一第一光學元件，接收沿該第一方向入射的一泵浦光；一增益與拉曼介質，接收來自該第一光學元件的該泵浦光，並產生具有一第一波長的一第一紅外基礎雷射光和具有一第二波長的一第二紅外基礎雷射光；一聲光晶體，接收來自一射頻控制器的一射頻控制信號，其中具有一高脈衝重複率的該射頻控制信號具有一信號週期，該信號週期包含一低位準期間及一高位準期間，且該聲光晶體依據該低位準期間，經歷相應的開通時間，俾使任何光線通過；一第一三硼酸鋰(LBO)晶體，接收來自該增益與拉曼介質的該第一和該第二紅外基礎雷射光，並產生具有一第三波長的一可見雷射光；一第二LBO晶體，接收通過該第一LBO晶體的該第一和該第二紅外基礎雷射光，並產生具有一第四波長的一紫外雷射光；以及 一第二光學元件，其中：該第一光學元件於和該第一方向相反的一第二方向上對包含該第一波長和該第二波長之一第一波段之光波具一第一高反射性、以及對包括該第三波長和第四波長的一第二波段之光波具一第二高反射性；該增益與拉曼介質於該第二方向上對該第一波段具一第一高穿透性、以及對該第二波段之光波具一第三高反射性；以及該第二光學元件對該第一波段之光波具一第四高反射性，具有一初始穿透率，且當該紫外雷射光的一強度達到一門檻值時，該第二光學元件於該第一方向上對該第二波段之光波具一第二高穿透性，從而沿該第一方向釋出一輸出雷射脈衝；以及該可見雷射光的該強度在該聲光晶體的該開通時間裡，達到該門檻值。
  6. 如請求項5所述的直線型腔體，其中該增益與拉曼介質包含摻雜釹的釩酸鹽，且該第二紅外基礎雷射光係依靠一自激拉曼散射來產生。
  7. 如請求項6所述的直線型腔體，其中：當該第一波長為該第三波長的兩倍時，該第一LBO晶體為一和頻晶體，且該第二LBO晶體為一倍頻晶體；以及當該第二波長為該第三波長的兩倍時，該第一LBO晶體為一倍頻晶體，且該第二LBO晶體為一和頻晶體。
  8. 如請求項5所述的直線型腔體，還包含一第三LBO晶體，其中該第三LBO晶體配置於該增益與拉曼介質與該第一LBO晶體之間，且該第三LBO晶體接收通過該第一和該第二LBO晶體的該第一和該第二紅外基礎雷射光，並產生具有一第五波長的一第三可見雷射光，其中該第二波段包含該第五波長。
  9. 一種高脈衝重複率雷射裝置，具有一直線型腔體，該直線型腔體具一第一方向和相反於該第一方向的一第二方向，且沿該第一方向配置有：
    一第一光學元件，接收沿該第一方向入射的一泵浦光；
    一增益介質，接收來自該第一光學元件的該泵浦光，並產生具有一第一波長的一基礎雷射光；
    一聲光晶體，接收來自該增益介質的該基礎雷射光，並接收一射頻控制信號而由之決定是否處於一光通透狀態或一光非通透狀態；以及
    一第二光學元件，與該第一光學元件在其間構成一雷射共振腔，其中該基礎雷射光相對於該第二光學元件具有得以穿透其中之一光強度門檻值，俾該基礎雷射光的一強度在該聲光晶體的該光通透狀態裡，達到該光強度門檻值。
  10. 如請求項9所述的裝置，其中：
    該增益介質包含摻雜釹的釩酸鹽，且該基礎雷射光為一紅外線雷射光；
    該射頻控制信號具有相應於該高脈衝重複率的一信號週期，該信號週期包含一低位準期間及一高位準期間，且該聲光晶體依據該高位準期間及該低位準期間其中之一，產生相應的一第二高穿透率的開通時間；
    該第一光學元件於該第二方向上對包括該第一波長之一第一波段之光波具一第一高反射率；
    該增益介質於該第二方向上對該第一波段之光波具一第一高穿透率；
    該第二光學元件於該第一方向上對該第一波段之光波具一第二高反 射率，該第二光學元件具有一初始穿透率，且當該基礎雷射光的一強度達到一門檻值時，該第二光學元件具有一第三高穿透率，從而沿該第一方向釋出一輸出雷射脈衝；以及
    該基礎雷射光的該強度在該聲光晶體的該開通時間裡，達到該門檻值。
TW109135385A 2020-10-13 2020-10-13 高脈衝重複率拉曼雷射之優化條件 TWI721933B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW109135385A TWI721933B (zh) 2020-10-13 2020-10-13 高脈衝重複率拉曼雷射之優化條件
US17/201,476 US11522333B2 (en) 2020-10-13 2021-03-15 Optimization for high repetition rate pulse Raman laser

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW109135385A TWI721933B (zh) 2020-10-13 2020-10-13 高脈衝重複率拉曼雷射之優化條件

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TWI721933B true TWI721933B (zh) 2021-03-11
TW202215731A TW202215731A (zh) 2022-04-16

Family

ID=76036080

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109135385A TWI721933B (zh) 2020-10-13 2020-10-13 高脈衝重複率拉曼雷射之優化條件

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11522333B2 (zh)
TW (1) TWI721933B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7214056B1 (ja) * 2022-04-21 2023-01-27 三菱電機株式会社 レーザ装置およびレーザ加工機
CN117947563A (zh) 2022-10-18 2024-04-30 霍尼韦尔国际公司 三维针织间隔织物的芯吸结构

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWM588911U (zh) * 2019-05-16 2020-01-01 承賢科技股份有限公司 高功率多波長可見光之拉曼雷射

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2800522B1 (fr) * 1999-11-02 2002-01-25 Automa Tech Sa Dispositif d'elaboration d'une pluralite de faisceaux laser
US6587487B2 (en) * 2000-12-19 2003-07-01 Photonics Industries International, Inc. Harmonic laser
US7016389B2 (en) * 2003-01-24 2006-03-21 Spectra Physics, Inc. Diode pumped laser with intracavity harmonics
US7463657B2 (en) * 2003-10-09 2008-12-09 Coherent, Inc. Intracavity frequency-tripled CW laser
US8559471B2 (en) * 2009-11-23 2013-10-15 Guilin Mao High-power diode end-pumped solid-state UV laser

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWM588911U (zh) * 2019-05-16 2020-01-01 承賢科技股份有限公司 高功率多波長可見光之拉曼雷射

Also Published As

Publication number Publication date
US11522333B2 (en) 2022-12-06
TW202215731A (zh) 2022-04-16
US20220115831A1 (en) 2022-04-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5181211A (en) Eye-safe laser system
US7529281B2 (en) Light source with precisely controlled wavelength-converted average power
EP0744089B1 (en) Passively q-switched picosecond microlaser
US7443903B2 (en) Laser apparatus having multiple synchronous amplifiers tied to one master oscillator
TWI721933B (zh) 高脈衝重複率拉曼雷射之優化條件
CN102709797B (zh) 一种中红外级联脉冲光纤激光器
CN103618205A (zh) 一种全固态单纵模黄光激光器
US5608744A (en) Compact laser apparatus and method
TW201338319A (zh) 光放大器系統及具有受限的脈衝能量之脈衝雷射
CN106058632B (zh) 一种基于键合晶体的脉冲能量可调的被动调q拉曼激光系统
US5420876A (en) Gadolinium vanadate laser
CN103545706B (zh) 一种全固态355nm激光器
WO2017060967A1 (ja) 波長変換装置
TWI763995B (zh) 高功率多波長可見光之拉曼雷射
US7974318B2 (en) Infra-red multi-wavelength laser source
US6512630B1 (en) Miniature laser/amplifier system
KR20080005862A (ko) 고조파 빔 발생용 레이저 장치 및 방법
JP7079953B2 (ja) 波長変換方法、波長変換装置及びレーザ光源装置
US20190393671A1 (en) Tunable nonlinear solid state raman laser source
TWM588911U (zh) 高功率多波長可見光之拉曼雷射
TWI700870B (zh) 高功率奈秒級鎖模固態雷射裝置及方法
CN111916987A (zh) 高效率的固体紫外激光器
CN103618206A (zh) 一种全固态单纵模黄光激光器
CN220401096U (zh) 高功率单频腔内五倍频激光器
US20030039293A1 (en) Eye safe monolithic compact laser