TWI719885B - 具有均溫散熱結構之晶片裝置 - Google Patents

Abstract

本發明係關於具有均溫散熱結構之晶片裝置，該晶片裝置包括：一基座、一外封件及一熱傳空間。該基座具有一工作表面，該工作表面設置一熱源部，該熱源部設置至少一晶片，該晶片相對於一水平基準面具有一熱產生區域。該外封件與該基座之該工作表面相對，該外封件及該基座共同遮蓋該熱源部。該熱傳空間設置於該熱產生區域上，該熱傳空間內具有一工作液。藉此，可有效針對該晶片進行散熱，確保該晶片之正常運作。

Description

具有均溫散熱結構之晶片裝置

本發明係有關於一種晶片裝置，特別是一種具有均溫散熱結構之晶片裝置。

目前常見之各式電子元件均朝向微型化方向研發設計，惟各式電子元件因縮小化及效能大幅提升等諸多因素，亦伴隨著容易於實際運作過程中產生高熱，影響整體運作效能。因此，必需利用習知微均溫板進行散熱。

又，習知導熱板設置於一晶片上方做為散熱器使用。然而，習知導熱板與該晶片的接觸面積相當有限，造成整體散熱效果相當有限，故有加以改善之必要。

本發明提供具有均溫散熱結構之晶片裝置。在一實施例中，該晶片裝置包括：具有一基座、一外封件及一熱傳空間。該基座具有一工作表面，該工作表面設置一熱源部，該熱源部設置至少一晶片，該晶片相對於一水平基準面具有一熱產生區域。該外封件與該基座之該工作表面相對，該外封件及該基座共同遮蓋該熱源部。該熱傳空間設置於該熱產生區域上，該熱傳空間內具有一工作液。

本發明具有均溫散熱結構之晶片裝置可控制該工作液進行以相變化循環回流的熱交換作用，以有效針對該熱源部之該晶片進行散熱，達到提升散熱效能之功效。

圖1顯示本發明第一實施例具有均溫散熱結構之晶片裝置之立體分解圖。配合參閱圖1，本發明具有均溫散熱結構之晶片裝置1包括一基座10、一外封件20及一熱傳空間30。本發明之晶片裝置1可用以針對各式微型化電子元件（如半導體晶片等）進行散熱，但不以上述為限。

圖2顯示本發明第一實施例具有均溫散熱結構之晶片裝置之組合剖視圖。配合參閱圖1及圖2，在一實施例中，本發明之晶片裝置1具有一基座10、一外封件20及一熱傳空間30。該基座10具有一工作表面11，該工作表面11可設置一熱源部12，該熱源部12設置至少一晶片121，該基座10可為一電路板，以供該晶片10設置，但不以上述為限。又，該晶片121相對於一水平基準面F具有一熱產生區域R1，如圖所示之實施例中，該熱產生區域R1可位於該基座10之該工作表面11及該外封件20之間，且熱產生區域R1可為該晶片121所涵蓋之區域。該外封件20與該基座10之該工作表面11相對，使該外封件20及該基座10可共同遮蓋該熱源部12。該熱傳空間30設置於該熱產生區域R1上，該熱傳空間30相對於該水平基準面F具有一熱傳區域R2，該熱傳空間30內具有一工作液31；其中該工作液31為可以相變化進行熱交換之低沸點液體，但不以上述為限，且該工作液31設置於該晶片121之周邊，令該工作液31可覆蓋該晶片121。

本發明具有均溫散熱結構之晶片裝置1於實際使用時，該外封件20之外側面可設置如散熱鰭片或散熱風扇等各式散熱元件（未繪示）。藉此，該晶片121於實際運作中會產生高熱，由於該熱傳區域R2設置於該晶片121之周邊，故位於該晶片121之上方及周邊的該工作液31受熱蒸發後會產生一蒸氣至該外封件20之內側面；此時，可利用設置於該外封件20之外側面的各式散熱元件降低其溫度，使該蒸氣進一步冷卻凝結為該工作液31後重新回流於該晶片121之上方及周邊。整體而言，重覆上述該工作液31之以相變化循環回流的熱交換作用，即可有效針對該熱源部12之該晶片121進行散熱，以有效提升該晶片121之散熱效能。

本發明具有均溫散熱結構之晶片裝置之該熱傳區域R2可大於該熱源部12之該熱產生區域R1。藉此，利用該熱傳區域R2大於該熱產生區域R1之結構設計，使該熱傳空間30之熱傳導面積可大幅增加，以提升其熱交換效果。又，該工作液31可選擇未填滿該熱傳空間30，以確保該工作液31可更有效率地進行以相變化循環回流之熱交換作業；或者，其中該工作液31可選擇為不導電工作液，以避免該工作液31影響該晶片121之運作。

配合參閱圖1及圖2，在第一實施例中，該外封件20具有一殼體21a及一外環體22a，該外環體22a設置於該基座10之該工作表面11且環繞該熱源部12，該外環體22a與該熱源部12之間具有一水平間距D，該殼體21a結合該外環體22a且與該基座10之該工作表面11相對，該熱傳空間30設置於該殼體21a、該外環體22a與該基座10之間；其中該外環體22a可為一黏膠或一矽膠，使該殼體21a與該外環體22a易於快速完成組裝作業，以提升組裝便利性。或者，亦可省略該外環體22a，直接將該殼體21a設置於該基座10之該工作表面11，該熱傳空間30設置於該殼體21a與該基座10之間，且該殼體21a可利用焊接（如雷焊等）固定設置於該基座10之該工作表面11。藉此，確保該熱傳空間30之該工作液131可有效覆蓋於該晶片121之周邊，使該工作液131可充分地接觸該晶片121。再者，利用該外環體22a更可穩定支撐固定該殼體21a，使該殼體21a、該外環體22a與該基座10之間確實形成足夠供該工作液31填充之該熱傳空間30，以有效降低該晶片121實際運作所產生之高熱，進而提升該晶片121之工作效能。

圖3顯示本發明第二實施例具有均溫散熱結構之晶片裝置之立體分解圖。圖4顯示本發明第二實施例具有均溫散熱結構之晶片裝置之組合剖視圖。配合參閱圖3及圖4，在第二實施例中，該外封件20具有一第一殼體21b及一第二殼體22b，該第一殼體21b結合於該基座10之該工作表面11，該第二殼體22b結合該第一殼體21b，且該第二殼體22b位於該第一殼體21b及該基座10之間，該熱傳空間30形成於該第一殼體21b與該第二殼體22b之間。藉此，利用該第一殼體21b及該第二殼體22b之結構設計，使該熱傳空間30可與該熱源部12相對，該晶片121於實際運作中所產生之高熱同樣可令該工作液31受熱蒸發產生一蒸氣至該第一殼體21b之內側面；此時，亦可利用設置於該外封件20之該第一殼體21b之外側面的各式散熱元件（未繪示）進一步降低其溫度，重覆上述該工作液31之以相變化循環回流的熱交換作用，可有效針對該晶片121進行散熱。

配合參閱圖3及圖4，在第二實施例中，該外封件20之該第一殼體21b具有一第一表面211b，該第一表面211b朝向該基座10之該工作表面11，該第二殼體22b具有一第二表面221b，該第二表面221b朝向該第一殼體21b之該第一表面211b，該第一表面211b設置一第一凹槽212b，及該第二表面221b設置一第二凹槽222b，該第二殼體22b結合於該第一凹槽212b，該熱傳空間30形成於該第二凹槽222b。藉此，利用該第一凹槽212b之設計，可確保該第二殼體22b與該第一殼體21b穩固結合，使該第二殼體22b之該第二凹槽222b可形成密封效果較佳之該熱傳空間30。

配合參閱圖3及圖4，在第二實施例中，該外封件20之該第一殼體21b自該第一凹槽212b之外周緣形成一定位凸緣213b，該定位凸緣213b結合於該基座10之該工作表面11。藉此，利用該定位凸緣213b之設計，可確保該第一殼體21b穩固結合於該基座10之該工作表面11。

配合參閱圖3及圖4，在第二實施例中，該第二殼體22b貼接該晶片121。藉此，以有效提升該熱傳空間30之熱傳導效果；其中該第二殼體22b及該晶片121之間可設置一導熱介質，該導熱介質可為導熱膠片或散熱膏等介質，用以確保該第二殼體22b確實貼接於該晶片121之表面。又，該外封件20之該第一殼體21b及該第二殼體22b之間可設置一毛細結構223b，該毛細結構223b可利用銅粉燒結所形成或選用毛細薄片；舉例而言，當選用銅粉燒結所形成時，毛細結構223b可形成於該第一殼體21b或該第二殼體22b之內側面，當選用毛細薄片時，毛細結構可設置於該第一殼體21b及該第二殼體22b之間。使該蒸氣冷卻凝結為該工作液31後更容易重新回流至該晶片121之上方及周邊，以提升整體熱交換效果。

配合參閱圖3及圖4，在第二實施例中，該第一殼體21b與該熱源部12之間具有一水平間距D，該第二殼體22b及該基座10之間可通過該水平間距D形成一散熱空間40。藉此，該散熱空間40可位於該晶片121之周邊，基於該熱傳區域R2大於該熱產生區域R1之基礎下，該散熱空間40可用以搭配該熱傳空間30提供一輔助散熱作用，以更進一步降低該晶片121實際運作所產生之高熱，進而提升該晶片121之工作效能。

配合參閱圖3及圖4，在第二實施例中，該外封件20之該第一殼體21b可設置至少一排氣孔214b，該排氣孔214b連通至該散熱空間40。藉此，利用該排氣孔214b之設計，可提供該散熱空間40與外界空間之對流效果，以有效提升該散熱空間40之輔助散熱效果；另外，該排氣孔214b兼可提供一洩壓作用，以避免該散熱空間40之內部壓力過大。

圖5顯示本發明第三實施例具有均溫散熱結構之晶片裝置之立體分解圖。圖6顯示本發明第三實施例具有均溫散熱結構之晶片裝置之組合剖視圖。配合參閱圖5及圖6，在第三實施例中，該外封件20具有一固定座21c及一均溫模組22c，該固定座21c結合於該基座10之該工作表面11，該均溫模組22c結合該固定座21c，該熱傳空間30形成於該均溫模組22c之內部。藉此，利用該均溫模組22c之模組化設計，該均溫模組22c於該固定座21c上可快速進行拆裝作業，以提升組裝便利性；再者，該均溫模組22c更容易對接至該熱源部12之較佳散熱位置，使該熱傳空間30與該晶片121可確實相對，其中該晶片121於實際運作中所產生之高熱同樣可致使該工作液31受熱蒸發產生一蒸氣至該均溫模組22c之上半部內側面（以圖式方向為主）；此時，亦可利用設置於該外封件20該均溫模組22c之外側面的各式散熱元件（未繪示）進一步降低其溫度，用以重覆上述該工作液31之以相變化循環回流的熱交換作用，以有效針對該晶片121進行散熱。

配合參閱圖5及圖6，在第三實施例中，該均溫模組22c由一上殼部221c及一下殼部222c相對對合後形成一中空殼件，用以於該均溫模組22c之內部形成該熱傳空間30；其中該上殼部221c及該下殼部222c可以焊接（如雷焊等）方式結合為一體，但不以上述為限。藉此，利用該上殼部221c及該下殼部222c相互對合以構成該均溫模組22c之設計，可形成密封效果佳之該熱傳空間30。並且，該均溫模組22c之該上殼部221c及該下殼部222c之間可設置一毛細結構，該毛細結構可利用銅粉燒結所形成或選用毛細薄片；舉例而言，當選用銅粉燒結所形成時，毛細結構可形成於該上殼部221c或該下殼部222c之內側面，當選用毛細薄片時，毛細結構可設置於該上殼部221c及該下殼部222c之間。使該蒸氣冷卻凝結為該工作液31後更容易重新回流至該晶片121之上方及周邊，以提升整體熱交換效果。

配合參閱圖5及圖6，在第三實施例中，該均溫模組22c貼接該晶片121。藉此，以有效提升該熱傳空間30之熱傳導效果；其中該均溫模組22c及該晶片121之間可設置一導熱介質，該導熱介質可為導熱膠片或散熱膏等介質，用以確保該均溫模組22c確實貼接於該晶片121之表面。

配合參閱圖5及圖6，在第三實施例中，該固定座21c設置呈貫穿狀之一定位孔211c，該均溫模組22c對應嵌合於該定位孔211c。藉此，以提升該均溫模組22c之組裝便利性及組裝穩固性。又，該均溫模組22c可以焊接（如雷焊等）方式結合於該定位孔211c之周壁，確保該均溫模組22c可更穩固結合於該定位孔211c，以防止該均溫模組22c鬆脫。

配合參閱圖5及圖6，在第三實施例中，該外封件20之該固定座21c之外周形成一定位凸緣212c，該定位凸緣212c結合於該基座10之該工作表面11。藉此，利用該定位凸緣212c之設計，可確保該固定座21c穩固結合於該基座10之該工作表面11。

配合參閱圖5及圖6，在第三實施例中，該固定座21c與該熱源部12之間具有一水平間距D，該均溫模組22c及該基座10之間可通過該水平間距D形成一散熱空間40。藉此，該散熱空間40可位於該熱源部12之周邊，基於該熱傳區域R2大於該熱產生區域R1之基礎下，該散熱空間40可用以搭配該熱傳空間30提供一輔助散熱作用，以更進一步降低該晶片121實際運作所產生之高熱，進而提升該晶片121之工作效能。

配合參閱圖5及圖6，在第三實施例中，該外封件20之該固定座21c可設置至少一排氣孔213c，該排氣孔213c連通至該散熱空間40。藉此，利用該排氣孔213c之設計，可提供該散熱空間40與外界空間之對流效果，以有效提升該散熱空間40之輔助散熱效果；另外，該排氣孔213c兼可提供一洩壓作用，以避免該散熱空間40內部壓力過大。

圖7顯示本發明第四實施例具有均溫散熱結構之晶片裝置之立體分解圖。圖8顯示本發明第四實施例具有均溫散熱結構之晶片裝置之組合剖視圖。配合參閱圖7及圖8，在第四實施例中，該外封件20具有一殼蓋21d及一均溫模組22d，該殼蓋21d結合於該基座10之該工作表面11，該均溫模組22d設置於該殼蓋21d與該基座10之間，該熱傳空間30形成於該均溫模組22d之內部。本實施例中之該均溫模組22d與上述第三實施例之該均溫模組22c作用相同，在此不再敘述。本實施例中，可利用該殼蓋21d進一步固定該均溫模組

配合參閱圖7及圖8，在第四實施例中，該均溫模組22d由一上殼部221d及一下殼部222d相對對合後形成一中空殼件，用以於該均溫模組22d之內部形成該熱傳空間30；其中該上殼部221d及該下殼部222d可以焊接（如雷焊等）方式結合為一體，但不以上述為限。藉此，利用該上殼部221d及該下殼部222d相互對合以構成該均溫模組22d之設計，可形成密封效果佳之該熱傳空間30。並且，該均溫模組22d之該上殼部221d及該下殼部222d之間可設置一毛細結構，該毛細結構可利用銅粉燒結所形成或選用毛細薄片；舉例而言，當選用銅粉燒結所形成時，毛細結構可形成於該上殼部221d或該下殼部222d之內側面，當選用毛細薄片時，毛細結構可設置於該上殼部221d及該下殼部222d之間。使該蒸氣冷卻凝結為該工作液31後更容易重新回流至該晶片121之上方及周邊，以提升整體熱交換效果。

配合參閱圖7及圖8，在第四實施例中，該殼蓋21d具有一基部211d及一側周部212d，該側周部212d環繞連接於該基部211d之周邊，該側周部212d結合於該基座10之該工作表面11。藉此，利用該側周部212d之設計，可確保該殼蓋21d穩固結合於該基座10之該工作表面11。

配合參閱圖7及圖8，在第四實施例中，該殼蓋21d之該側周部212d可形成一定位凸緣213d，該定位凸緣213d結合於該基座10之該工作表面11。藉此，利用該定位凸緣213d之設計，可有效增加該殼蓋21d與該基座10之結合面積，以提升兩者之間的結合穩固性。

配合參閱圖7及圖8，在第四實施例中，該均溫模組22d貼接該晶片121，該基部211d及該晶片121夾持固定該均溫模組22d。藉此，以有效提升該熱傳空間30之熱傳導效果；其中該均溫模組22d及該晶片121之間可設置一導熱介質，該導熱介質可為導熱膠片或散熱膏等介質，用以確保該均溫模組22d確實貼接於該晶片121之表面。

配合參閱圖7及圖8，在第四實施例中，該殼蓋21d與該熱源部12之間具有一水平間距D，該殼蓋21d及該基座10之間可通過該水平間距D形成一散熱空間40。藉此，該散熱空間40可位於該晶片121之周邊，基於該熱傳區域R2大於該熱產生區域R1之基礎下，該散熱空間40用以搭配該熱傳空間30提供一輔助散熱作用，以更進一步降低該晶片121實際運作所產生之高熱，進而提升該晶片121之工作效能。

配合參閱圖7及圖8，在第四實施例中，該外封件20之該殼蓋21d設置至少一排氣孔214d，該排氣孔214d連通至該殼蓋21d之內部。藉此，利用該排氣孔214d之設計，可提供該散熱空間40與外界空間之對流效果，以有效提升該散熱空間40之輔助散熱效果；另外，該排氣孔214d兼可提供一洩壓作用，以避免該散熱空間40內部壓力過大。

圖9顯示本發明第五實施例具有均溫散熱結構之晶片裝置之組合剖視圖。配合參閱圖9，在第五實施例中，該均溫模組22d設置一延伸部223d，該延伸部223d填設該水平間距D。藉此，使該均溫模組22d可利用該延伸部223d包覆且更大面積地接觸該晶片121，以提升整體散熱效果。

本發明具有均溫散熱結構之晶片裝置可控制該工作液31進行以相變化循環回流的熱交換作用，以有效針對該熱源部12之該晶片121進行散熱，確保該晶片121能夠維持效能正常運作。

上述實施例僅為說明本發明之原理及其功效，而非限制本發明。習於此技術之人士對上述實施例所做之修改及變化仍不違背本發明之精神。本發明之權利範圍應如後述之申請專利範圍所列。

1:晶片裝置

10:基座

11:工作表面

12:熱源部

20:外封件

21a:殼體

21b:第一殼體

21c:固定座

21d:殼蓋

22a:外環體

22b:第二殼體

22c:均溫模組

22d:均溫模組

30:熱傳空間

31:工作液

40:散熱空間

121:晶片

211b:第一表面

211c:定位孔

211d:基部

212b:第一凹槽

212c:定位凸緣

212d:側周部

213b:定位凸緣

213c:排氣孔

213d:定位凸緣

214b:排氣孔

214d:排氣孔

221b:第二表面

221c:上殼部

221d:上殼部

222b:第二凹槽

222c:下殼部

222d:下殼部

223b:毛細結構

223d:延伸部

D:水平間距

F:水平基準面

R1:熱產生區域

R2:熱傳區域

圖1顯示本發明第一實施例具有均溫散熱結構之晶片裝置之立體分解圖；

圖2顯示本發明第一實施例具有均溫散熱結構之晶片裝置之組合剖視圖；

圖3顯示本發明第二實施例具有均溫散熱結構之晶片裝置之立體分解圖；

圖4顯示本發明第二實施例具有均溫散熱結構之晶片裝置之組合剖視圖；

圖5顯示本發明第三實施例具有均溫散熱結構之晶片裝置之立體分解圖；

圖6顯示本發明第三實施例具有均溫散熱結構之晶片裝置之組合剖視圖；

圖7顯示本發明第四實施例具有均溫散熱結構之晶片裝置之立體分解圖；

圖8顯示本發明第四實施例具有均溫散熱結構之晶片裝置之組合剖視圖；

圖9顯示本發明第五實施例具有均溫散熱結構之晶片裝置之組合剖視。

1:晶片裝置

10:基座

11:工作表面

12:熱源部

20:外封件

21a:殼體

22a:外環體

30:熱傳空間

31:工作液

121:晶片

D:水平間距

F:水平基準面

R1:熱產生區域

R2:熱傳區域

Claims (31)

1. 一種具有均溫散熱結構之晶片裝置，包括：一基座，具有一工作表面，該工作表面設置一熱源部，該熱源部設置至少一晶片，該晶片相對於一水平基準面具有一熱產生區域；一外封件，與該基座之該工作表面相對，該外封件及該基座共同遮蓋該熱源部；及一熱傳空間，設置於該熱產生區域上，該熱傳空間內具有一工作液；其中該外封件具有一第一殼體及一第二殼體，該第一殼體結合於該基座之該工作表面，該第二殼體結合該第一殼體，且該第二殼體位於該第一殼體及該基座之間，該熱傳空間形成於該第一殼體與該第二殼體之間，該第一殼體與該熱源部之間具有一水平間距，該第二殼體及該基座之間通過該水平間距形成一散熱空間。
2. 如請求項1之具有均溫散熱結構之晶片裝置，其中該熱傳空間相對於該水平基準面具有一熱傳區域。
3. 如請求項2之具有均溫散熱結構之晶片裝置，其中該熱傳區域大於該熱源部之該熱產生區域。
4. 如請求項1之具有均溫散熱結構之晶片裝置，其中該外封件之該第一殼體設置至少一排氣孔，該排氣孔連通至該散熱空間。
5. 如請求項1之具有均溫散熱結構之晶片裝置，其中該外封件之該第一殼體具有一第一表面，該第一表面朝向該基座之該工作表面，該第二殼體具有一第二表面，該第二表面朝向該第一殼體之該第一表面，該第一表面及該第二表面分別設置一第一凹槽及一第二凹槽，該第二殼體結合於該第一凹槽，該熱傳空間形成於該第二凹槽。
6. 如請求項5之具有均溫散熱結構之晶片裝置，其中該外封件之該第一殼體自該第一凹槽之外周緣形成一定位凸緣，該定位凸緣結合於該基座之該工作表面。
7. 如請求項1之具有均溫散熱結構之晶片裝置，其中該第二殼體貼接該晶片。
8. 如請求項7之具有均溫散熱結構之晶片裝置，其中該第二殼體及該晶片之間設置一導熱介質。
9. 如請求項1之具有均溫散熱結構之晶片裝置，其中該外封件之該第一殼體及該第二殼體之間設置一毛細結構。
10. 一種具有均溫散熱結構之晶片裝置，包括：一基座，具有一工作表面，該工作表面設置一熱源部，該熱源部設置至少一晶片，該晶片相對於一水平基準面具有一熱產生區域； 一外封件，與該基座之該工作表面相對，該外封件及該基座共同遮蓋該熱源部；及一熱傳空間，設置於該熱產生區域上，該熱傳空間內具有一工作液；其中該外封件具有一固定座及一均溫模組，該固定座結合於該基座之該工作表面，該均溫模組結合該固定座，該熱傳空間形成於該均溫模組之內部。
11. 如請求項10之具有均溫散熱結構之晶片裝置，其中該均溫模組由一上殼部及一下殼部相對對合後形成一中空殼件，用以於該均溫模組之內部形成該熱傳空間。
12. 如請求項11之具有均溫散熱結構之晶片裝置，其中該均溫模組之該上殼部及該下殼部之間設置一毛細結構。
13. 如請求項10之具有均溫散熱結構之晶片裝置，其中該均溫模組貼接該晶片。
14. 如請求項13之具有均溫散熱結構之晶片裝置，其中該均溫模組及該晶片之間設置一導熱介質。
15. 如請求項10之具有均溫散熱結構之晶片裝置，其中該固定座設置呈貫穿狀之一定位孔，該均溫模組對應嵌合於該定位孔。
16. 如請求項15之具有均溫散熱結構之晶片裝置，其中該均溫模組以焊接方式結合於該定位孔之周壁。
17. 如請求項10之具有均溫散熱結構之晶片裝置，其中該外封件之該固定座之外周形成一定位凸緣，該定位凸緣結合於該基座之該工作表面。
18. 如請求項10之具有均溫散熱結構之晶片裝置，其中該固定座與該熱源部之間具有一水平間距，該均溫模組及該基座之間通過該水平間距形成一散熱空間。
19. 如請求項18之具有均溫散熱結構之晶片裝置，其中該外封件之該固定座設置至少一排氣孔，該排氣孔連通至該散熱空間。
20. 一種具有均溫散熱結構之晶片裝置，包括：一基座，具有一工作表面，該工作表面設置一熱源部，該熱源部設置至少一晶片，該晶片相對於一水平基準面具有一熱產生區域；一外封件，與該基座之該工作表面相對，該外封件及該基座共同遮蓋該熱源部；及一熱傳空間，設置於該熱產生區域上，該熱傳空間內具有一工作液；其中該外封件具有一殼蓋及一均溫模組，該殼蓋結合於該基座之該工作表面，該均溫模組設置於該殼蓋與該基座之間，該熱傳空間形成於該 均溫模組之內部，該殼蓋具有一基部及一側周部，該側周部環繞連接於該基部之周邊，該側周部結合於該基座之該工作表面。
21. 如請求項20之具有均溫散熱結構之晶片裝置，其中該均溫模組由一上殼部及一下殼部相對對合後形成一中空殼件，用以於該均溫模組之內部形成該熱傳空間。
22. 如請求項21之具有均溫散熱結構之晶片裝置，其中該均溫模組之該上殼部及該下殼部之間設置一毛細結構。
23. 如請求項20之具有均溫散熱結構之晶片裝置，其中該殼蓋之該側周部形成一定位凸緣，該定位凸緣結合於該基座之該工作表面。
24. 如請求項20之具有均溫散熱結構之晶片裝置，其中該均溫模組貼接該晶片，該基部及該晶片夾持固定該均溫模組。
25. 如請求項24之具有均溫散熱結構之晶片裝置，其中該均溫模組及該晶片之間設置一導熱介質。
26. 如請求項20之具有均溫散熱結構之晶片裝置，其中該殼蓋與該熱源部之間具有一水平間距，該殼蓋及該基座之間通過該水平間距形成一散熱空間。
27. 如請求項26之具有均溫散熱結構之晶片裝置，其中該外封件之該殼蓋設置至少一排氣孔，該排氣孔連通至該殼蓋之內部。
28. 如請求項26之具有均溫散熱結構之晶片裝置，其中該均溫模組設置一延伸部，該延伸部填設該水平間距。
29. 如請求項1、10或20之具有均溫散熱結構之晶片裝置，其中該工作液未填滿該熱傳空間。
30. 如請求項1、10或20之具有均溫散熱結構之晶片裝置，其中該工作液為不導電工作液。
31. 如請求項1、10或20之具有均溫散熱結構之晶片裝置，其中該基座為一電路板。

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