TWI694237B - 結構光投射器及結構光深度感測器 - Google Patents

結構光投射器及結構光深度感測器 Download PDF

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Abstract

一種結構光投射器，其包括：光源，用於產生雷射；第一透鏡，設置在所述雷射的行進路徑上，用於准直所述雷射；及反射鏡，設置在所述第一透鏡遠離所述光源一側，所述反射鏡形成有反射圖案，用於反射經過所述第一透鏡後的雷射並將其轉換為具有反射圖案的結構光。本發明還提供一種包含上述結構光投射器的結構光深度感測器。本發明可在不受限於光源點排列方式的情況下提高深度感測精度。

Description

結構光投射器及結構光深度感測器
本發明涉及感測領域，尤其涉及一種結構光投射器以及包括該結構光投射器的結構光深度感測器。
結構光深度感測器主要分為時間域與空間域兩種辨識技術，可廣泛應用於3D人臉辨識、手勢辨識、3D掃描器與精密加工等。由於人臉辨識與手勢辨識需要快速辨識，並且受限於感測距離等因素，是故大多使用空間域結構光的深度感測技術。
結構光深度感測器利用結構光投射器主動對場景(投射物或投射空間)投射結構光(或者稱呈既定圖案的光輻射)進行特徵標定，再由相機拍攝場景，藉由比對投射器發出的結構光的圖像及相機拍攝的圖像得到投射空間中每一點的視差，從而計算其深度。由於比對時需先在投射器的圖像中確定一個區塊，然後在相機拍攝的圖像中匹配到一樣的區塊，是故區塊的匹配精度直接影響到深度感測計算解析度。區塊的匹配精度越低，深度感測計算解析度越低。
本發明提供一種結構光投射器，包括：光源，用於產生雷射；第一透鏡，設置在所述雷射的行進路徑上，用於准直所述雷射；及反射鏡，設置在所述第一透鏡遠離所述光源一側，所述反射鏡形成有反射圖案，用於反射經過所述第一透鏡後的雷射並將其轉換為具有反射圖案的結構光。
本發明還提供一種使用上述投射器的結構光深度感測器。
本發明提供的結構光投射器藉由在反射鏡的表面設置一反射圖案，以將經過所述第一透鏡後的雷射轉換為具有反射圖案的結構光。藉由衍射元件可形成具有衍射圖案的結構光，然衍射圖案為單純的點狀散斑，不同區域之間相似度高，造成深度感測計算解析度低。而本發明提供的結構光投射器可投射的結構光具有的反射圖案不同區域之間相似度低，可提高深度感測計算的解析度。
100:結構光深度感測器
10:結構光投射器
20:相機
30:處理器
40:記憶體
50:待檢測對象
11:光源
12:第一透鏡
13:反射鏡
14:第二透鏡
130:透明基體
131:金屬反射層
1311:開孔
132:光阻層
60:反射鏡單元
61:微反射鏡
62:扭臂梁
63:鉸鏈
631:鉸鏈支撐柱
64:第一定址電極
69:第二定址電極
65:軛
66:偏置復位電極
67:著陸平臺
68:靜態記憶體
71:第一基板
711:矽基板
712:有源顯示驅動矩陣
72:反射式電極層
73:液晶分子層
74:公共電極層
75:第二基板
76:畫素
圖1為本發明實施例所提供的結構光深度感測器的結構框圖。
圖2為圖1所示的結構光深度感測器的結構光投射器的結構示意圖。
圖3為圖2所示的結構光投射器的反射鏡的反射圖案的示意圖。
圖4為圖2所示的結構光投射器的反射鏡的第一實施例的剖面圖。
圖5為圖2所示的結構光投射器的反射鏡的第二實施例的剖面圖。
圖6為圖2所示的結構光投射器的反射鏡的第三實施例的反射鏡單元的結構示意圖。
圖7為圖2所示的結構光投射器的反射鏡的第四實施例的剖面圖。
請參閱圖1，結構光深度感測器100包括結構光投射器10、相機20、處理器30及記憶體40。處理器30分別與結構光投射器10、相機20、記憶體40電性連接。記憶體40記憶體有相機20的參數資訊、結構光投射器10與相機20的距離資訊。處理器30用於控制結構光投射器10向待檢測物件50投射結構光以及控制相機20拍攝由待檢測物件50反射的結構光，並根據記憶體40內的參數資訊、距離資訊、結構光投射器10投射的結構光資訊及相機20拍攝的反射的結構光資訊，計算待檢測物件50的深度。
請參閱圖2，結構光投射器10包括一光源11、第一透鏡12、反射鏡13及第二透鏡14。光源11與反射鏡13相對設置。第一透鏡12設置於光源11與反射鏡13之間，第二透鏡14與反射鏡13相對設置並位於雷射在反射鏡13反射後的行進路徑上。
光源11為雷射器且包括至少一個點光源，光源11所產生雷射傳播至第一透鏡12上。第一透鏡12為准直透鏡，用於准直光源11所產生的雷射。反射鏡13用於反射經第一透鏡12准直的雷射並將其轉換為圖案化的結構光。第二透鏡14為發散透鏡，用於調節結構光投射器10投射的結構光的發散角度。
於一實施例中，光源11可以為波長800-900nm的紅外光雷射器，根據實際需求可選用產生其他波長的雷射器。反射鏡13形成有反射圖案，以使 准直光柱經由反射鏡13的表面反射後，形成與反射圖案相同的結構光圖案，以對待檢測物件50進行特徵標定。
請參閱圖3，為反射鏡的反射圖案的示意圖。本實施例中，深色填充部分表示反射圖案，可設計為沿著第一方向D1或第二方向D2的一矩形區域P，並且不存在與其圖案相同且面積小於或等於的其它區域，以提高計算待檢測物件50深度時結構光的匹配精度，從而提高待檢測物件50深度資訊計算的精度。即，反射圖案存在複數區域矩形Pn，在複數區域矩形Pn可任意選取出區域P1、區域P2、區域P3，且區域P與區域P1、區域P2、區域P3之間的圖案均不相同。
在一些實施例中，反射鏡13為主動式反射鏡，在不同時間可反射不同圖案的結構光。
光源11產生雷射且經過第一透鏡12後，雷射形成一準直光柱，並投射至反射鏡13上，再經反射鏡13反射至第二透鏡14。由於反射鏡13具有預設的反射圖案，故准直光柱經反射鏡13反射後，形成的結構光的圖案與反射圖案相同，並在經過第二透鏡14後投射至待檢測對象50。具有反射圖案的結構光被投射至待檢測物件50後，可對待檢測物件50進行特徵標定。
藉由在結構光投射器10中的反射鏡13的表面設置一反射圖案，以將經過第一透鏡12後的雷射轉換為具有反射圖案的結構光。具有反射圖案的結構光與藉由衍射元件形成的具有衍射圖案的結構光相比較，避免了因衍射圖案為單純的點狀散斑，而導致結構光所具有的圖案不同區域之間相似度太高，造成結構光深度感測運算解析度下降。故以具有反射圖案的結構光對待檢測物件50進行特徵標定，可提高結構光深度感測運算解析度。
請參閱圖4，在第一實施例中的反射鏡13包括透明基體130、設置於透明基體130一側的圖案化的金屬反射層131及設置於透明基體130遠離金屬反射層131一側的光阻層132。金屬反射層131圖案化形成反射圖案。透明基體130可為但不限於透明玻璃。
金屬反射層131為在透明基體130上設置的一金屬層並圖案化所形成。金屬反射層131的尺寸等於或大於准直後的雷射的投影面積，以使准直後的雷射照射範圍均在金屬反射層131的範圍之內。光阻層132完全覆蓋了透明基體130遠離金屬反射層131的表面。金屬反射層131上形成有複數透光的開孔1311，照射至金屬反射層131除開孔1311以外的區域的雷射發生反射，照射至開孔1311的雷射透過開孔。光阻層132具有吸光及抗光反射的性能，透過開孔1311的雷射被光阻層132吸收。在本實施例中，光阻層132為黑矩陣。在其他實施例中，光阻層132可為其他具有吸光及抗光反射的性能的光阻材料所製作。
請參閱圖5，第二實施例的反射鏡13與第一實施例的反射鏡13，區別在於光阻層132設置的位置。在本實施例中，光阻層132設置於透明基體130一側，而金屬反射層131設置於光阻層132遠離透明基體130一側。
請參閱圖6，第三實施例中的反射鏡為數字微反射鏡(Digtial Micromirror Devices,DMD)。反射鏡為複數反射鏡單元形成的陣列。每一個反射鏡單元60包括一微反射鏡61、設置於微反射鏡61一側並與微反射鏡61相連的軛65、與軛65相連的鉸鏈63、與鉸鏈63一端相連的扭臂梁62、與扭臂梁62相連的鉸鏈支撐柱631，以及第一定址電極64。微反射鏡61處於懸浮狀態，形狀為正方形，由鋁合金製成，在偏轉時較為輕便。扭臂梁62藉由鉸鏈63懸置於鉸鏈支撐柱631上，微反射鏡61可以圍繞鉸鏈63的軸X進行旋轉。
在第一定址電極64遠離微反射鏡61一側設有一圖案化的金屬層，金屬層包括第二定址電極69、偏置復位電極66、以及微反射鏡61的著陸平臺67(限制鏡面偏轉+12度/-12度或+10度/-10度)。著陸平臺67遠離微反射鏡61一側設有一靜態記憶體68。
軛65藉由鉸鏈63、扭臂梁62及鉸鏈支撐柱631連接到偏置復位電極66。偏置復位電極66為軛65及微反射鏡61提供偏置電壓。由於微反射鏡61及軛65二者為固定連接，是故，微反射鏡61及軛65具有相同的偏置電壓。扭臂梁62的第二定址電極69及微反射鏡61的第一定址電極64均連接到底層的靜態記憶體68上。
每一個反射鏡單元60都為一個獨立的個體，並且微反射鏡61可以翻轉不同的角度，是故藉由微反射鏡61所反射的光線可以呈現不同的角度。即藉由調節各個微反射鏡61的反射角度，以調節反射鏡13反射至第二透鏡14的結構光的圖案。
工作時，微反射鏡61及軛65具有相同的偏置電壓。第二定址電極69及第一定址電極64具有不同個補償電壓。使微反射鏡61與第一定址電極64，軛65與第二定址電極69之間，由於電位不同而產生靜電效應。由於第一定址電極64及第二定址電極69為固定不動的，因而微反射鏡61及軛65的相對於軸X的兩側受到的靜電力不同，導致微反射鏡61及軛65相對於軸X旋轉。
每一個反射鏡單元60有三個穩態：+12度或+10度(開)、0度(無訊號)、-12度或-10度(關)。當供給反射鏡單元60一個訊號“1”，其微反射鏡61偏轉+12度或+10度，被反射的光沿光軸方向藉由照射至第二透鏡14上。當微反射鏡61偏離平衡位置-12度或-10度時(訊號“0”)，反射的光束將不 能藉由第二透鏡14。於一實施例中，控制訊號二進位的“1”、“0”狀態，分別對應微鏡的“開”、“關”二狀態。當給定的圖形資料控制訊號序列被寫入靜態記憶體68時，藉由數位微反射鏡對入射光進行調製，圖形就可以形成於出射光上。
本實施例中，反射鏡(數位微反射鏡)的結構光投射器10可藉由分別改變每一個反射鏡單元60的穩態，以對經過第一透鏡12後的雷射進行調製，以使結構光投射器10在不同時刻可投射具有不同的反射圖案的結構光。
請參閱圖7，第四實施例的反射鏡13為矽基反射式液晶(Liquid Crystal on Silicon，LCoS)元件。反射鏡13包括第一基板71、設置於第一基板71一側的反射式電極層72、設置於反射式電極層72遠離第一基板71一側的液晶分子層73、設置於液晶分子層73遠離反射式電極層72一側的公共電極層74以及設置公共電極層74遠離液晶分子層73一側的第二基板75。其中，第一基板71包括矽基板711以及設置於矽基板711靠近反射式電極層72一側的有源顯示驅動矩陣712。其中，反射式電極層72可以由有源顯示驅動矩陣712控制。
如圖7所示，反射鏡13定義有複數畫素76。其中，有源顯示驅動矩陣712對應每一個畫素76設置有一個開關管。藉此，有源顯示驅動矩陣712中的各個開關管可以藉由控制反射式電極層72，來控制每個畫素76所對應的液晶分子層73中的電場，從而調整每個畫素76所對應區域的光束的旋轉角度，進而控制各畫素76所對應區域出入光線的量，形成反射圖像。
於一實施例中，反射式電極層72可以為鋁鍍層。公共電極層74為透明的，例如為氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)。第二基板75為透明的，例如為玻璃。
採用本實施例反射鏡13(LCoS元件)的結構光投射器10可藉由控制每一個畫素76出入光線的量，以使結構光投射器10在不同時刻可投射具有不同的反射圖案的結構光。
以上實施方式僅用以說明本發明的技術方案而非限制，儘管參照較佳實施方式對本發明進行了詳細說明，本領域的普通技術人員應當理解，可以對本發明的技術方案進行修改或等同替換，而不脫離本發明技術方案的精神及範圍。
10:結構光投射器
11:光源
12:第一透鏡
13:反射鏡
14:第二透鏡

Claims (8)

  1. 一種結構光投射器，其改良在於，包括：光源，用於產生雷射；第一透鏡，設置在所述雷射的行進路徑上，用於准直所述雷射；及反射鏡，設置在所述第一透鏡遠離所述光源一側，所述反射鏡形成有反射圖案，用於反射經過所述第一透鏡後的雷射並將其轉換為具有反射圖案的結構光，其中，所述光源產生的雷射在所述反射鏡發生反射後的出射路徑上設有一發散透鏡，用於調節所述雷射在所述反射鏡反射後的發散角；所述反射圖案定義有一矩形區域，所述反射圖案上不存在與該矩形區域的圖案相同且面積小於或等於該矩形區域的其它區域。
  2. 如請求項1所述的結構光投射器，其中，所述反射鏡包括圖案化的金屬反射層，所述金屬反射層形成所述反射圖案，所述雷射在所述反射鏡的表面發生反射後形成與所述反射圖案相同的結構光圖案。
  3. 如請求項2所述的結構光投射器，其中，所述反射鏡包括一透明基體、設置於所述透明基體一側的所述金屬反射層以及設置於所述透明基體遠離所述金屬反射層一側的光阻層。
  4. 如請求項2所述的結構光投射器，其中，所述反射鏡包括一透明基體、設置於所述透明基體一側的所述金屬反射層以及設置於所述透明基體與所述金屬反射層之間的光阻層。
  5. 如請求項1所述的結構光投射器，其中，所述反射鏡為數位微型反射鏡，包括複數反射鏡單元，藉由調節各反射鏡單元的反射角度，以調節所述反射圖案。
  6. 如請求項1所述的結構光投射器，其中，所述反射鏡為矽基反射式液晶元件，包括複數畫素，藉由調節各畫素區域出入光線的量，以調節所述反射圖案。
  7. 如請求項1所述的結構光投射器，其中，所述光源包括至少一個點光源。
  8. 一種結構光深度感測器，用於感測待檢測物件的深度，其中，包括：如請求項1-7中任意一項所述的結構光投射器，用於向所述待檢測物件投射圖案化的結構光；相機，設於所述結構光投射器的一側，用於拍攝由所述結構光投射器投射至所述待檢測物件後被反射的結構光；記憶體，用於存儲所述相機的參數資訊、以及所述投射器與所述相機的距離資訊；及處理器，分別與所述投射器、所述相機及所述記憶體電性連接，所述處理器控制所述結構光投射器向所述待檢測物件投射結構光，控制所述相機拍攝由所述物件反射的結構光，並根據所述記憶體內的所述參數資訊、所述距離資訊、所述結構光投射器投射的結構光的資訊及所述相機拍攝的反射的結構光的資訊計算所述待檢測物件的深度。
TW108102775A 2019-01-14 2019-01-24 結構光投射器及結構光深度感測器 TWI694237B (zh)

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