TWI693625B - 四極離子阱裝置及四極離子阱質譜儀 - Google Patents

Abstract

一種四極離子阱裝置包括一主要電極、一第一端蓋電極、一第二端蓋電極、以及一相控波形合成器。該相控波形合成器針對該主要電極而產生一主要RF波形。該主要RF波形包括複數個正弦波形段以及複數個相位銜接段，每一正弦波形段為一正弦波的一部份，每一相位銜接段為非正弦波形。該等正弦波形段之每一者係透過其中一個相位銜接段而橋接至另一個正弦波形段，以便執行由該等電極所捕獲的試樣離子的微幅運動之排序。

Description

四極離子阱裝置及四極離子阱質譜儀

本發明有關於質譜法(MS)，且更具體地是有關於一種四極離子阱裝置及四極離子阱質譜儀。

在用於游離分子、巨分子及生物分子的質譜法的成功中，四極離子阱(QIT)質譜儀扮演著中心角色。一般來說，傳統的QIT質譜儀包括由一個雙曲環形電極以及兩個雙曲端蓋電極所組成的一四極離子阱(QIT)，用以侷限離子化粒子於其中。該環形電極係饋以一主要射頻(RF)波形，且該等兩個端蓋電極係饋以一輔助波形，藉此以捕獲該等離子化粒子。

在傳統質譜法中，射頻場保持恆定頻率，因此在該QIT的中心周圍，被捕獲的離子化粒子的運動在徑向與軸向上皆大致滿足馬蒂厄方程式(Mathieu equation)。實際上，由於緩衝氣體冷卻程序可用來減緩離子化粒子的運動以實現更佳的運動控制，因此歸因於緩衝氣體冷卻程序的阻尼修正可加到馬蒂厄方程式之中，如下方程式(1)所示

2ξ(t)=∫^tΩ(x)dx

q_z=-2q_r；a_z=-2a_r

於方程式(1)中的個符號定義如下：u：試樣離子於徑向方向上的位移(r)或者z軸方向上的位移(z)；r₀：該QIT於徑向方向上的內部尺寸；z₀：該QIT於z軸方向上的內部尺寸；2ξ：該主要RF波形的相位；e：基本電荷；m/z：離子化/帶電粒子的質量電荷比(m：質量，z：電荷數)；V：該主要RF波形的振幅；Ω：該主要RF波形的頻率(角頻率)；U：該主要RF波形的DC偏壓；β：q、a值之函數，且β/2為離子化/帶電粒子的長週期運動的頻率對該主要RF波形的頻率之比率； γ：氣體碰撞導致的阻尼常數；κ：阻尼係數，其係與阻尼常數γ相關；

：長週期運動的頻率(角頻率)。

於方程式(1.1)中，Cn為表示離子位移的第n個分量的係數。

因此，如圖1中q-a圖的穩定區域中所描繪的，一閉軌道方程式(1.1)為多重週期(由一射頻場週期及一離子的長週期運動週期所組成)。當施加該主要RF波形而使得q值及a值落在穩定區域之外時，帶電粒子的運動會變得不穩定，且帶電粒子會從該四極離子阱射出。對於具有穩定的氣流及緩慢漸變(ramping)的RF振幅的一QIT中的少量分子試樣離子(數量上少於幾百，或基本電荷上少於幾百)，可以實現解析度超過一千的高靈敏度質譜法(MS)。

當分子試樣離子的數量增加至數千(例如MALDI試樣離子)且該等分子試樣離子的電荷亦增加(例如LIAD試樣離子)時，該等分子試樣離子之間的離子間交互作用變得不可忽略，且會干涉緩衝氣體冷卻程序的動力學，並且會導致隨機性。因此，質譜結果會變得相當散亂，除了會具有實質的偏差外，還會遠遠不符合馬蒂厄方程式所敘述的的理想狀態。

為了避免散亂的質譜結果與質譜的峰值理想位置有很大的偏差，會將離子間交互作用重整為隨機中斷(stochastic cut-off)至該碰撞阻尼之中。於是，被捕獲的離子的動態方程式以主要射頻場的既定相位(definite phase) 作為自變數，而因此可明確地表達出固有的色散。因此，為了維持對簡單的馬蒂厄方程式的解釋，針對這種「離子雲」質譜法已發展出進階調制程序及檢測技術。

不論以分子離子注入QIT或者在QIT內部將分子直接離子化，可以在幾個RF週期之內從離子運動的q、a值察知分子離子的不穩定性。恆定頻率捕獲使得離子的動態(亦即，該動態方程式)符合馬蒂厄方程式，且針對線性質譜法使用振幅漸變(ramping)於主要RF振幅。透過氣體碰撞的有效冷卻使得高解析度的質譜法能夠實現，猶如在準確性上的動態偏差可被校準或忽略。然而，主要RF波形的振幅的可調放大率具有物理上的限制，因而質量掃瞄(mass scan)會被限制在一個較小的範圍之內。

因此，本發明之目的，即在提供一種四極離子阱(QIT)裝置，能克服先前技術的至少一問題。

於是，本發明四極離子阱裝置包含一主要電極、一第一端蓋電極、一第二端蓋電極及一相控波形合成器。該主要電極圍繞著沿軸向延伸的一QIT軸。該等第一及第二端蓋電極係安裝於該主要電極於該軸向上的相反兩側，並且與該主要電極共同界定出用以捕集試樣離子的一捕集空間。該相控波形合成器電連接至該主要電極，並且被組配以產生用於該主要電極的一主要射頻(RF)波形。該主要RF波形包括複數個正弦波形段以及複數個相位銜接 段，每一正弦波形段為一正弦波的一部份，每一相位銜接段為非正弦波形。該等正弦波形段之每一者係透過其中一個相位銜接段而橋接至另一個正弦波形段，以執行該捕集空間中所捕獲的該等試樣離子的微幅運動之排序。

在一些實施態樣中，該等正弦波形段中由該相位銜接段所橋接的任兩個正弦波形段在相位上是連續的，因而使得該等相位銜接段之每一者的電壓是恆定的。

在一些實施態樣中，該等相位銜接段週期性地散佈於至少一個調制週期之中，因而使得該捕集空間中所捕獲的該等試樣離子為相位相關並且在局部零振幅的附近排序。

在一些實施態樣中，該等相位銜接段週期性地散佈於至少兩個調制週期，該主要RF波形在該等至少兩個調制週期中分別具有不同的頻率。該等相位銜接段的其中一者將該主要RF波形於該等調制週期其中一者之中的一部份，橋接至該主要RF波形於該等調制週期另一者之中的另一部份。

在一些實施態樣中，該相控波形合成器更電連接至該等第一和第二端蓋電極的其中至少一者，並且組配以產生用於該等第一和第二端蓋電極的其中該至少一者的一輔助波形。該輔助波形包括複數個配置於預定頻率的脈波，以便協助該捕集空間中所捕獲的該等試樣離子從該四極離子阱裝置射出。

在一些實施態樣中，該相控波形合成器更電連接至該等第一和第二端蓋電極的其中一者，並且組配以產生用於該等第一和第二端蓋電極的其中該者的一輔助波形。該輔助波形包括複數個脈波，該等脈波之每一者是位在該主要RF波形的幅度大小為零的時間，以便執行該捕集空間中所捕獲的該等試樣離子的長週期運動之排序。

在一些實施態樣中，更包含與該捕集空間連通的一氣體噴嘴，用以將緩衝氣體引進至該捕集空間之中而產生沿著該軸向流動的軸向噴射流，從而藉由該等試樣離子與該緩衝氣體之碰撞而減緩該等試樣離子在該捕集空間中的運動。

在一些實施態樣中，該緩衝氣體是在該等試樣離子進入該捕集空間之前被引進至該捕集空間之中。

在一些實施態樣中，該氣體噴嘴包括一氣體進口以及一管狀本體，該管狀本體圍繞該QIT軸並且形成有一氣流路徑於其中，該氣流路徑與該氣體進口連通。該管狀本體更形成有複數個氣體出口，該等氣體出口與該氣流路徑連通，且於該軸向上朝向該捕集空間，並且相對於該QIT軸而對稱地設置於該管狀本體上。該緩衝氣體從該氣體進口進入該氣體噴嘴，並且從該等氣體出口離開該氣體噴嘴而在該捕集空間內部形成該軸向噴射流。

在一些實施態樣中，該氣體噴嘴被夾在該第一端蓋電 極與該主要電極之間。

在一些實施態樣中，該四極離子阱裝置更包含一試樣探針，該試樣探針具有一托盤部，該托盤部形成有至少一個用來放置試樣的試樣托盤。且每一試樣托盤具有各自的一托盤開口。該托盤部是沿著一插入方向，以該托盤開口面向該捕集空間的方式被插入至該主要電極之中。該主要電極形成有一雷射進口，該雷射進口在該托盤部插入至該主要電極之中時會對齊該試樣托盤，如此可藉由將雷射脈波從該雷射進口引進至該四極離子阱裝置之中而從該試樣產生該試樣離子。

在一些實施態樣中，該試樣探針於該插入方向延伸，可繞著平行於該插入方向之該試樣探針的長度方向上的軸而旋轉，並且可於該插入方向上線性移動，如此可調整該試樣托盤對齊該雷射進口。

在一些實施態樣中，該主要電極具有與該等第一及第二端蓋電極共同界定該捕集空間的一內部電極表面。當該試樣探針的該托盤部插入至該主要電極之中時，該試樣托盤與該主要電極的該內部電極表面之間的距離不大於一毫米。

因此，本發明之另一目的，即在提供一種四極離子阱(QIT)質譜儀，能克服先前技術的至少一問題。

於是，本發明四極離子阱(QIT)質譜儀包含如前所述 的四極離子阱裝置及一電荷感應粒子檢測器(CSPD)，該電荷感應粒子檢測器安裝在該四極離子阱裝置的該第二端蓋電極，用來感應該從該四極離子阱裝置射出的該等試樣離子的電荷。

在一些實施態樣中，該四極離子阱質譜儀的該電荷感應離子檢測器包括一基體、一電荷檢測板、一積體電路單元、及一干擾屏蔽單元。該電荷檢測板設置於該基體的一第一側。該積體電路單元電連接至該電荷檢測板並且係設置於該基體的一第二側，該第二側與該第一側不共面。該干擾屏蔽單元以可使得位於該干擾屏蔽單元外部的該等試樣離子能夠衝擊該電荷檢測板之方式，而實質上圍住該電荷檢測板和該積體電路單元。設置於該第二側的該積體電路單元與設置於該第一側的該電荷檢測板不共面，以避免該等試樣離子干擾該積體電路單元。

在一些實施態樣中，該四極離子阱質譜儀的該干擾屏蔽單元包括一法拉第籠，該法拉第籠實質上覆蓋該基體的該等第一與第二側並且具有兩個開口，該等開口在位置上分別對應該電荷檢測板和該積體電路單元以分別暴露出該電荷檢測板和該積體電路單元。

在一些實施態樣中，該四極離子阱質譜儀的該電荷檢測板是在沒有電荷放大的情況下操作。

在一些實施態樣中，該四極離子阱質譜儀的該電荷檢 測板可在距離該電荷檢測板大約10至50mm的範圍之內，傳導來自該四極離子阱裝置的入射離子的鏡像電流。

本發明之功效在於：本發明的四極離子阱裝置及四極離子阱質譜儀可產生非散亂的質譜結果而且沒有顯著的偏差。針對分子、大分子和生物分子，該相位調制四極質譜儀系統的質譜結果可以提高質量解析度。

1:四極離子阱裝置

10:主要電極

101:雷射進口

102:探針進口

11:第一端蓋電極

12:第二端蓋電極

13:氣體噴嘴

131:氣體進口

132:管狀本體

133:氣體出口

14:氣體包圍體

15:試樣探針

151:試樣托盤

16:相控波形合成器

1:電荷感應粒子檢測器裝置

21:電荷感應離子檢測器

211:基體

212:電荷檢測板

213:積體電路單元

214:干擾屏蔽單元

215:法拉第籠

22:金屬屏蔽

I:QIT軸

本發明之其他的特徵及功效，將於參照圖式的實施方式中清楚地呈現，其中：圖1為傳統QIT質譜儀的q-a圖；圖2至圖4分別為立體圖、立體分解圖及側視圖，例示說明根據本發明的QIT質譜儀之實施例的QIT裝置及電荷感應粒子檢測器(CSPD)裝置；圖5為例示說明該相位調制四極質譜儀系統之實施例的一示意圖；圖6為例示說明該相位調制四極質譜儀系統之實施例的氣體噴嘴的一立體圖；圖7為例示說明該相位調制四極質譜儀系統之實施例的試樣探針及主要電極的一立體圖；圖8為對應圖7的一立體剖視圖； 圖9例示說明施加至該主要電極的主要RF波形；圖10為例示說明一離子的微幅運動(micro motion)及長週期運動(secular motion)的一示意圖；圖11例示說明該主要RF波形及輔助波形；圖12為例示說明該CSPD裝置的一立體圖；圖13為該CSPD裝置的一電荷感應粒子檢測器的一示意剖面圖；圖14為描述該電荷感應粒子檢測器的積體電路單元的一範例實施態樣的一電路圖；圖15A及15B例示說明電荷入射的事件寬度、與CSPD所產生之峰高和輸入電荷的比例之間的關係；圖16例示說明有無施加根據本發明之等相位銜接(constant-phase conjunction)所得到的質量掃瞄結果之間的比較；圖17例示說明利用本發明之實施例所得到之標稱質量與實驗質量的資料之間的關係；以及圖18例示說明該主要RF波形與該輔助波形的另一實施態樣。

在本發明被詳細描述之前，應當注意在以下的說明內容中，類似的元件是以相同的編號來表示。

參照圖2至圖5，QIT質譜儀的一實施例包括一QIT裝置1以及一電荷感應粒子檢測器(CSPD)裝置2。該QIT裝置1包括一主要電極10、一第一端蓋電極11、一第二端蓋電極12、一氣體噴嘴13、一氣體包圍體14、一試樣探針15、以及一相控波形合成器16。

於此實施例中，該主要電極10為一雙曲環形電極，其圍繞著沿軸向延伸的一QIT軸(I)，然而本發明並不限於此。該主要電極10具有一電極本體，該電極本體形成有一雷射進口101(參圖7)、以及兩個互相分離的探針進口102(參圖7)。其中一個探針進口102靠近該雷射進口101，而另一個探針進口102係遠離該雷射進口101。

該第一端蓋電極11和該第二端蓋電極12係安裝於該主要電極10於該軸向上的相反兩側，並且與該主要電極10的一內表面共同界定出用以捕集試樣離子的一捕集空間。於此實施例中，該第一端蓋電極11和該第二端蓋電極12為雙曲電極，然而本發明並不限於此。本文中所敘述的離子可以是游離分子，或者是較大型分子或結構的碎體(fragment)，選自巨分子、生物分子、有機聚合物、奈米粒子、蛋白質、抗體、蛋白質複合體、蛋白質綴合物、核酸、寡核苷酸、DNA、RNA、多醣、病毒、細胞、以及生物器官。

進一步參照圖6，該氣體噴嘴13係與該捕集空間連通， 用以將緩衝氣體引進至該捕集空間之中而產生沿著該軸向流動的軸向噴射流，從而藉由該等試樣離子與該緩衝氣體之碰撞而減少該等試樣離子的動能並且減緩該等試樣離子在該捕集空間中的運動，而因此能夠將該等試樣離子聚集在更靠近該捕集空間的中心之處。詳細而言，該氣體噴嘴13被夾在該第一端蓋電極11與該主要電極10之間，並且包括一氣體進口131、以及圍繞著該QIT軸(I)的一管狀本體132(參圖3)。該管狀本體132具有與該氣體進口131連通的一內部空間(氣流路徑)，並且形成有複數個與該管狀本體132的內部空間連通的氣體出口133。該等氣體出口133於該軸向上朝向該捕集空間，並且相對於該QIT軸(I)對稱地設置於該管狀本體132上。該緩衝氣體從該氣體進口131進入該氣體噴嘴13，並且從該等氣體出口133離開該氣體噴嘴13而在該捕集空間中形成該軸向噴射流。於某些實施例中，是在該等試樣離子進入該捕集空間之前，將該緩衝氣體引進至該捕集空間之中。

該氣體包圍體14被夾在該第二端蓋電極12與該主要電極10之間，而與該氣體噴嘴13共同形成實質上相對於該主要電極10的一對稱結構。

進一步參照圖7與圖8，該試樣探針15具有一托盤部，該托盤部形成有至少一個用來放置試樣(離子來源)的試樣托盤。於此實施例中，該試樣探針15為形成有複數個試樣托盤151的一維 探針，該等試樣托盤151沿著該試樣探針15的長度方向排列，且每一試樣托盤151具有各自的一托盤開口。該試樣是放置在該一維試樣探針15的試樣托盤151中，該一維試樣探針15被插入至該等探針進口102的其中一者，並且使用基質輔助雷射脫附電離(MALDI)來使該試樣離子化。可在該捕集空間中產生數千個單電荷或雙電荷試樣離子。這些試樣離子實際上是離子雲的形式，離子雲中有相同質量電荷比之離子將會從QIT中發射並且會被該電荷感應粒子檢測器裝置2檢測到。由於被捕獲的離子彼此之間靜電相關(亦即，被捕獲的離子彼此之間受到彼此的靜電影響)，因此離子運動的所有相位通常都是隨機的，無論微幅的或長週期的離子運動/振盪(參圖10)。

在使用上，該試樣探針15的托盤部是透過其中一個探針進口102，而沿著一插入方向(圖7中的垂直方向)，以其中一個試樣托盤151的托盤開口面向該捕集空間的方式被插入至該主要電極10之中。詳細來說，該試樣探針15於該插入方向延伸，可繞著平行於該插入方向之該試樣探針15的長度方向上的軸而旋轉，並且可於該插入方向上線性移動，因此藉由旋轉及/或線性移動該試樣探針15來調整該其中一個試樣托盤151，使得該其中一個試樣托盤151對齊該雷射進口101，且因此從該雷射進口101引進至該QIT裝置1的雷射脈波(laser pulse)能夠完全到達該試樣托盤151中 的該試樣離子。因此，藉由將雷射脈波從該雷射進口101引進至QIT裝置1，可使得該試樣托盤151中的該試樣離子化而產生試樣離子，接著試樣離子會進入該捕集空間。應注意的是，若該等試樣托盤151越靠近該主要電極10與該等第一及第二端蓋電極11、12共同界定該捕集空間的該內部電極表面，離子化的試樣則越容易進入該捕集空間。於此實施例中，當該試樣探針15的該托盤部插入至該主要電極10之中時，放置要被離子化的試樣的該試樣托盤151與該主要電極10的該內部電極表面之間的距離不大於一毫米。於一個實施例中，該試樣探針15被插入至遠離該雷射進口101的該探針進口102，因此雷射脈波可以直接打到對齊該雷射進口101的試樣托盤151中的試樣。於一個實施例中，該試樣探針15被插入至靠近該雷射進口101的該探針進口102，因此雷射脈波會打到該試樣探針15而將對齊該雷射進口101的該試樣托盤151中的試樣離子化。於一個實施例中，該試樣探針15是透明的，並且被插入至靠近該雷射進口101的該探針進口102，因此雷射脈波會在穿過透明的試樣探針15之後，打到對齊該雷射進口101的該試樣托盤151中的試樣。

該相控波形合成器16電連接至該主要電極10和該等第一與第二端蓋電極11、12，並且被程式化以產生用於該主要電極10的一主要射頻(RF)波形、以及用於該等第一與第二端蓋電極11、12其中至少一者的一輔助波形。

本說明書通篇所使用的該用語「主要RF波形」係指施加至該主要電極10的波形，且不限於任何特定的波形(形狀)。於此實施例中，為了達到本發明所想要的效果該相控波形合成器16係程式化，使得該主要RF波形類似正弦波但不是正規的正弦波。參圖9，該主要RF波形包括複數個正弦波形段(sinuous waveform segment)以及複數個相位銜接段(phase conjunction segment)，每一正弦波形段為一正弦波的一部份，每一相位銜接段為非正弦波形(亦即，不是一正弦波的一部份)。該等正弦波形段之每一者係透過其中一個相位銜接段而橋接(bridge)至另一個正弦波形段，以使得該捕集空間中所捕獲的該等試樣離子的微幅運動進行排序(參圖10)。本實施例的該主要RF波形可被視為一正弦波被分割成多個正弦波形段，並且藉由該等相位銜接段而相互連接。特別的是，對於每一個相位銜接段，由於該主要RF波形的相位在相位銜接段的週期的期間是恆定的，因此該主要RF波形的電壓會是恆定的。換言之，由相位銜接段所橋接的任何兩個正弦波形段在相位上是連續的。於本說明書中，此技術稱之為「等相位銜接」。

如同先前技術中所提到的，通常該主要RF波形的振幅的緩慢且平滑的漸變是用於線性質譜法。另一方面，在該主要RF波形的頻率中使用緩慢的跳頻(hopping)來進行線性質譜法會導 致不規則的不穩定性。較平滑的跳頻不一定會帶來準確的質譜。「頻率掃瞄」的梯度(亦即，掃瞄頻率的變化率)強烈地對離子運動產生影響，而因此會出現另一個動態偏差，且從優質因數(figure-of-merit)直方圖的角度來看，這種「頻率掃瞄」並不像QIT MS中的「幅度掃瞄」那麼簡單。

如同基本的馬蒂厄方程式所敘述的，自變數並非「時間」，而是取決於時間的「主要RF相位」。接著將作為動態方程式的基本馬蒂厄方程式歸納為一函數微分方程式(方程式(2))，該函數微分方程式包括所有較高階的射頻場調制以及顯式阻尼項，且顯式阻尼項表示色散和氣體碰撞的特徵。

於方程式(2)中，r表示該主要RF波形的模式之數(亦即，用於質量掃瞄的跳頻中所使用的該主要RF波形的頻率之數)。

因此，被捕獲的離子的動態遵循對時間有隱含相依性的一阻尼式希爾-馬蒂厄方程式(damped Hill-Mathieu equation)。不論被捕獲的離子的運動是否穩定，藉由合成該主要RF波形的相位函數，被捕獲的離子的動態現在可以完全由施加至該主要電極10的該主要RF波形所控制。

為了在質譜法中於相同的馬蒂厄穩定性q-a圖上維持 質量電荷比與時間的線性關係(LMZ)，可推導出閉合形式之主要RF相位的理想無阻尼LMZ包絡線(方程式(3))：

t

[T,...,T+τ]：從Ω₁到Ω₂的掃瞄期間。於方程式(3)中的各符號定義如下：Ω₁：該主要RF波形的初始掃瞄頻率；Ω₂：該主要RF波形的最終掃瞄頻率；T：頻率掃瞄從Ω₁到Ω₂開始的時間；及τ：頻率掃瞄從Ω₁到Ω₂的期間。

再者，若考慮阻礙的離子間交互作用，離子間交互作用會離散且隨機地中斷緩衝氣體碰撞，因此將其重整至離散的緩衝氣體碰撞的阻尼級數中(參見方程式(4))。由緩衝氣體所引起的近乎連續的冷卻程序會因為此離子間交互作用的強度遠大於氣體碰撞而突然終止。

於方程式(4)中的各符號定義如下：δ(t,t')：delta function； t_i：氣體碰撞事件的時間；R：分子離子(試樣離子)的半徑；η：緩衝氣體的黏度係數；及χion：中斷參數(離子間交互作用)，該參數為離子干預速率的期望值。

因此，係發展出一種針對離子雲的質譜方法的表達形式，且這種表達形式與用於少量的被捕獲的離子的簡單馬蒂厄方程式有很大不同。

由於該主要RF波形在相位上已經是正弦波形或著餘弦波形，因此週期性地擾動每一個被捕獲的離子的運動，以便觀察所有離子是否可以幾乎在相同的相位上移動。突破點是在該主要RF波形及/或該輔助波形上，施以相位度量上非常小的一段外部等相位銜接調制(參見方程式(5))。

於方程式(5)中的各符號定義如下：Con_j(ξ)：銜接乘數(multipilier)；t_j：氣體碰撞事件的時間；及O：可忽略階數(omittable order)。

對於每一個實施的等相位銜接，根據銜接的RF相位位置(方程式(5.1))，每一個被捕獲的離子的運動的位置幾乎未受到擾動，但是會即時地稍微調制離子運動的速度。

調制的基本原理是藉由類似朗道阻尼(Landau damping)的機制，將所有離子持續不斷調制成高度同步運動。對於微幅運動的調制，在對應該主要RF波形的波峰與波谷的相位，週期性地對該主要RF波形實施銜接，但本發明並不限於此。因此，每一個離子的微幅運動漸漸地被驅使至最大速度和零位移(亦即， 處於平衡)。對於長週期運動的調制，可於該主要RF波形的零振幅的相位(亦即，相位零)，引入偏共振(off-resonant)輔助RF脈波。於調制之後，相同質量電荷比的所有離子將會逐漸盡可能同調地運動。

在質譜法的阻尼方面，等相位銜接調制有兩個重要的含義。等相位銜接調制能夠穩定地使得隨機的離子間交互作用變成週期性且具有短期的週期性規律，因而使得緩衝氣體阻尼的中斷參數隨著時間而變得有限且固定。因此，在每一個銜接之後，緩衝氣體冷卻程序即變得僅對於有限的期間是有效的。此外，該等相位銜接調制實際上可以是無色散(dispersion-less)，並且將所有中介的事件(MS中的任何程序)連接在一起成為一個馬可夫鏈(Markov chain)，因而使得該主要RF波形在每一個銜接之後即可連接一任意的程序(例如，跳頻)而不會產生任何色散的結果。

換言之，憑藉著相位銜接，可藉由該主要RF波形的頻率漸變/跳頻代替傳統上主要RF波形的振幅漸變來執行質譜方法的質量掃瞄，其中頻率的可調放大率實際上會遠大於振幅的可調放大率。於質量掃瞄期間，該主要RF波形的施加程序可劃分為多個調制週期。在不同的調制週期中，該主要RF波形可具有不同的頻率；一相位銜接段可被使用於將該主要RF波形於一調制週期中的一部份，橋接至該主要RF波形於另一調制週期中的另一部份，該另一 調制週期中的該主要RF波形的頻率和該調制週期中的該主要RF波形的頻率不同。於此實施例中，對於每一個調制週期，該等相位銜接段週期性地散佈於該調制週期之中，因而使得該捕集空間中所捕獲的具有相同質量電荷比的該等試樣離子為相位相關，並且在局部零振幅的附近排序，但本發明並不限於此。應注意的是，一個正弦波週期中可以有一或多個相位銜接段，正弦波週期是一個當忽略相位銜接段時會像正弦波的週期。於一個實施例中，該等相位銜接段是配置於對應的正弦波的波峰及波谷。再者，每一相位銜接段的長度可短於該對應的正弦波的一個週期的5%，以得到該等離子的微幅運動的較佳排序；然而，因為本發明之技術在該相位銜接段的長度大於該對應的正弦波的一個週期的5%的時候仍然是可行的，因此本發明並不限於此。

透過等相位銜接調制的實施，基於本發明的該QIT質譜儀之離子的捕集和冷卻可以更加有效並且有效率，且質量掃瞄的範圍可以延伸得更寬並且有更佳的質譜線性。

參照圖11，於此實施例中，該相控波形合成器16進一步程式化而使得該輔助波形可包括複數個脈波。該輔助波形可以根據其功能分為兩個波形階段。於第一波形階段中，每一個脈波係配置在該主要RF波形的幅度大小為零的時間，以便執行該捕集空間中所捕獲的該等試樣離子的長週期運動之排序。在該第一波形階段 中所施加的每一脈波稱為偏共振輔助脈波。應注意的是，可同時或著分別實施離子的長週期運動之調制和離子的微幅運動之調制。在分別執行離子的長週期運動和微幅運動之調制的情況下，如圖18所示，該輔助波形在離子的微幅運動之調制期間可以是電壓恆定的；該主要RF波形在離子的長週期運動之調制期間會是一個純粹的正弦波。在該輔助波形的第二波形階段中，該等脈波是以一預定頻率來排列以便致使該等離子的共振，藉此來導致或協助該主要RF波形使該捕集空間中所捕獲的該等試樣離子從該QIT裝置1射出。

參照圖2至圖4以及圖12，該電荷感應粒子檢測器裝置2包括一電荷感應離子檢測器21以及兩個金屬屏蔽22。該電荷感應離子檢測器21是透過該等金屬屏蔽22而安裝在該QIT裝置1的該第二端蓋電極12，用來感應該從該QIT裝置1射出的該等試樣離子的電荷。參圖13所示，該電荷感應離子檢測器21包括一基體211、一電荷檢測板212、一積體電路單元213、以及一干擾屏蔽單元214。

該電荷檢測板212係設置於該基體211的一第一側。該電荷檢測板212可由導電材料所製成，例如金屬。於某些實施例中，該電荷檢測板212是由銅所製成。於某些實施例中，該電荷檢測板212的半徑大約為5mm~10mm、10mm~15mm或15mm~20mm。於某些實施例中，該電荷檢測板212的半徑大約為5mm。於 某些實施例中，該電荷檢測板212可在沒有電荷放大(charge amplification)的情況下操作。於某些實施例中，該電荷檢測板212可藉由傳導入射離子的鏡像電流來感應並檢測離子。於某些實施例中，在距離該電荷檢測板212大約10mm~20mm、10mm~30mm、10mm~40mm或10mm~50mm的範圍之內，該電荷檢測板212可被使用來傳導來自該QIT裝置1的入射離子的鏡像電流。

該積體電路單元213係電連接至該電荷檢測板212，並且係設置於該基體211的一第二側，該第二側與該第一側不共面。設置於該第二側的該積體電路單元213與設置於該第一側的該電荷檢測板212不共面，以避免試樣離子干擾該積體電路單元213。

於此實施例中，該積體電路單元213是印刷在一塑料電路板，且是針對帶有超過200個電荷的點狀粒子所臨場設計。該積體電路單元213的第一級將進入的電荷(感應電荷或收集的電荷)轉換成電壓。該積體電路單元213包括CR-RC-CR網路(參見圖14)，該CR-RC-CR網路是設計成在其轉移函數的漸近最快極點附近具有一個簡單零點，以便非線性地重塑該電荷進入的事件(亦即，離子衝擊至該電荷檢測板212上)而不會導致任何超調(overshooting)。參照圖15A及15B，短於10μs的電荷進入的事件寬度(離子雲衝擊該電荷檢測板212的時間長度)會導致急遽 且極性顯著的響應。

該干擾屏蔽單元214是以可使得位於該干擾屏蔽單元214外部的該QIT裝置1所射出的該等試樣離子能夠衝擊該電荷檢測板212之方式，而實質上圍住該電荷檢測板212和該積體電路單元213。詳細來說，該干擾屏蔽單元214包括一法拉第籠215，該法拉第籠215實質上覆蓋該基體211的第一側與第二側並且具有兩個開口，該等開口在位置上分別對應該電荷檢測板212和該積體電路單元213以分別暴露出該電荷檢測板212和該積體電路單元213。

可藉由分段調制該等主要及輔助電極10、11、12上的相位連續RF波形來達到高解析度的質譜法。所提出的做法包括但不限於下列三個程序：(1)當該等離子被引入該QIT裝置1之中時，對該等離子的有效的緩衝氣體冷卻；(2)於相位調制期間，對該等被捕獲的離子的相位相關之排序；以及(3)在質量掃瞄的每一個步驟中，對於該等被捕獲的離子之該主要RF波形的無阻尼頻率躍遷(frequency transition)。

對於該QIT裝置1內部的數千個離子，離子間交互作用之頻率即為主要RF諧波之頻率(main RF overtones)，而因此會強烈干擾該緩衝氣體冷卻程序。可藉由產生沿著至該電荷感應離子檢測器21的軸向路徑之快速的努特森氣流(Knudsen flow)，來達到冷卻的有效和效率，使得在一冷卻期中，幾個主要RF週期 內將會有穩定和充分的碰撞。一個有效的緩衝氣體冷卻是由許多在零相位由等相位銜接所橋接的冷卻期所組成。

於一個實施例中，在冷卻之後，一連串於該主要RF波形的波峰/波谷的銜接被使用來調制該等離子的微幅運動，使得微幅運動的各種相位的數量減少至兩個。接著，透過偏共振輔助RF脈波來調諧所有的長週期運動的自由度。這種相位相關的排序使得所有冷卻的離子在微幅運動和長週期運動中都會同步，以便在質量掃瞄中進行以下的頻率躍遷程序。

就在冷卻及排序之後，質量掃瞄中的所有離子即會受到一連串的頻率躍遷，該等頻率躍遷藉由等相位銜接而橋接，就好像沒有阻尼存在且所有離子都處於一致性。因此，不管是不穩定的還是共振的，要被射出的所有離子幾乎處於遵循馬蒂厄方程式的相同理想運動中，使得要被射出的離子會以高度聚集的方式抵達該電荷感應粒子檢測器21而形成一高度集中的第一級訊號，並將該第一級訊號非線性整形為高解析的脈波。

藉由上述三個程序的功效，該電荷感應離子檢測器21的解析能力可對應於20μs的檢測時間，其對應於在10kDa~100kDa的質量範圍內具有10Da的標稱解析度的質譜法。於某些實施例中，分析物的質量解析度可以在500Da~500kDa的質量範圍內增強至超過500~1000。

圖16顯示了針對細胞色素c的質量掃瞄結果的比較，其中上圖是在沒有實施等相位銜接的情況下而獲得的質量掃瞄結果，而下圖是在實施等相位銜接的情況下獲得的質量掃瞄結果。從圖中可以看出，在不實施等相位銜接的情況下，峰值偏離(標稱值為12327Da)並且峰寬相對較寬(即，解析度較低)。在實施了等相位銜接後，質量掃瞄結果更為準確，且具有較高的解析度。

圖17顯示了標稱質量和使用本發明的實施例所獲得的實驗質量之間的關係。從圖中可以看出，本發明的實施例可以導致質譜法的高準確度。

值得注意的是，在一些實施例中，該QIT裝置1的該主要電極10和該等端蓋電極11、12被製造成具有約3μm的標準差(SD)和小於100nm的粗糙度(Ra)，且該主要電極10和該等端蓋電極11、12是以小於5nm的組裝偏差而組裝在該QIT裝置1之中，以達到上述效果和預期性能。

在一些實務中，根據本發明的四極離子阱裝置1及四極離子阱質譜儀可用於檢測例如蛋白質、抗體、蛋白質複合物、蛋白質綴合物、核酸、寡核苷酸、DNA、RNA、多醣、等等的生物分子，以便以高檢測效率和高解析度來鑑別分子量、蛋白質消化產物、蛋白質體學分析、代謝體學和肽序列分析。

在一些實務中，根據本發明的四極離子阱裝置1及四極 離子阱質譜儀可用於獲得奈米粒子、病毒、以及其他大小在範圍為至多約50nm內或著更大的生物組成和細胞器官的質譜。

在一些變化態樣中，根據本發明的四極離子阱裝置1及四極離子阱質譜儀還可以提供小分子離子的質譜。

綜上所述，根據本發明的四極離子阱裝置1及四極離子阱質譜儀可產生非散亂的質譜結果而沒有顯著的偏差。針對分子、大分子和生物分子，該四極離子阱質譜儀的質譜結果可以提高質量解析度。

惟以上所述者，僅為本發明之實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍，凡是依本發明申請專利範圍及專利說明書內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。

10‧‧‧主要電極

11‧‧‧第一端蓋電極

12‧‧‧第二端蓋電極

13‧‧‧氣體噴嘴

14‧‧‧氣體包圍體

16‧‧‧相控波形合成器

Claims (18)

1. 一種四極離子阱(QIT)裝置，包含：一主要電極，其圍繞著沿軸向延伸的一QIT軸；一第一端蓋電極以及一第二端蓋電極，該等第一及第二端蓋電極係安裝於該主要電極於該軸向上的相反兩側，並且與該主要電極共同界定出用以捕集試樣離子的一捕集空間；以及一相控波形合成器，其電連接至該主要電極，並且被組配以產生用於該主要電極的一主要射頻(RF)波形；其中，該主要RF波形包括複數個正弦波形段以及複數個相位銜接段，每一正弦波形段為一正弦波的一部份，每一相位銜接段為非正弦波形；其中，該等正弦波形段之每一者係透過其中一個相位銜接段而橋接至另一個正弦波形段，以執行該捕集空間中所捕獲的該等試樣離子的微幅運動之排序，該等正弦波形段中由該相位銜接段所橋接的任兩個正弦波形段在相位上是連續的，且該等相位銜接段之每一者的電壓是恆定的。
2. 如請求項1之四極離子阱裝置，其中該等相位銜接段週期性地散佈於至少一個調制週期之中，因而使得該捕集空間中所捕獲的該等試樣離子為相位相關並且在局部零振幅的附近排序。
3. 如請求項2之四極離子阱裝置，其中該等相位銜接段週期性地散佈於至少兩個調制週期，該主要RF波形在該等至少 兩個調制週期中分別具有不同的頻率；其中該等相位銜接段的其中一者將該主要RF波形於該等調制週期其中一者之中的一部份，橋接至該主要RF波形於該等調制週期另一者之中的另一部份。
4. 如請求項3之四極離子阱裝置，其中該相控波形合成器更電連接至該等第一和第二端蓋電極的其中至少一者，並且組配以產生用於該等第一和第二端蓋電極的其中該至少一者的一輔助波形；其中該輔助波形包括複數個配置於預定頻率的脈波，以便協助該捕集空間中所捕獲的該等試樣離子從該四極離子阱裝置射出。
5. 如請求項2之四極離子阱裝置，其中該相控波形合成器更電連接至該等第一和第二端蓋電極的其中至少一者，並且組配以產生用於該等第一和第二端蓋電極的其中該至少一者一輔助波形；其中該輔助波形包括複數個配置於預定頻率的脈波，以便導致該捕集空間中所捕獲的該等試樣離子從該四極離子阱裝置射出。
6. 如請求項2之四極離子阱裝置，其中該相控波形合成器更電連接至該等第一和第二端蓋電極的其中一者，並且組配以產生用於該等第一和第二端蓋電極的其中該者的一輔助波形；其中該輔助波形包括複數個脈波，該等脈波之每一者是位在該主要RF波形的幅度大小為零的時間，以便執行該 捕集空間中所捕獲的該等試樣離子的長週期運動之排序。
7. 如請求項1之四極離子阱裝置，其更包含與該捕集空間連通的一氣體噴嘴，用以將緩衝氣體引進至該捕集空間之中而產生沿著該軸向流動的軸向噴射流，從而藉由該等試樣離子與該緩衝氣體之碰撞而減緩該等試樣離子在該捕集空間中的運動。
8. 如請求項7之四極離子阱裝置，其中該緩衝氣體是在該等試樣離子進入該捕集空間之前被引進至該捕集空間之中。
9. 如請求項7之四極離子阱裝置，其中該氣體噴嘴包括一氣體進口以及一管狀本體，該管狀本體圍繞該QIT軸並且形成有一氣流路徑於其中，該氣流路徑與該氣體進口連通；其中該管狀本體更形成有複數個氣體出口，該等氣體出口與該氣流路徑連通，且於該軸向上朝向該捕集空間，並且相對於該QIT軸而對稱地設置於該管狀本體上；其中該緩衝氣體從該氣體進口進入該氣體噴嘴，並且從該等氣體出口離開該氣體噴嘴而在該捕集空間內部形成該軸向噴射流。
10. 如請求項7之四極離子阱裝置，其中該氣體噴嘴被夾在該第一端蓋電極與該主要電極之間。
11. 如請求項1之四極離子阱裝置，其更包含一試樣探針，該試樣探針具有一托盤部，該托盤部形成有至少一個用來放置試樣的試樣托盤，該每一試樣托盤具有各自的一托盤開口；其中該托盤部是沿著一插入方向，以該托盤開口面向 該捕集空間的方式被插入至該主要電極之中；其中該主要電極形成有一雷射進口，該雷射進口在該托盤部插入至該主要電極之中時會對齊該試樣托盤，如此可藉由將雷射脈波從該雷射進口引進至該四極離子阱裝置之中而從該試樣產生該試樣離子。
12. 如請求項11之四極離子阱裝置，其中該試樣探針於該插入方向延伸，可繞著平行於該插入方向之該試樣探針的長度方向上的軸而旋轉，並且可於該插入方向上線性移動，如此可調整該試樣托盤對齊該雷射進口。
13. 如請求項11之四極離子阱裝置，其中該主要電極具有與該等第一及第二端蓋電極共同界定該捕集空間的一內部電極表面；其中，當該試樣探針的該托盤部插入至該主要電極之中時，該試樣托盤與該主要電極的該內部電極表面之間的距離不大於一毫米。
14. 一種四極離子阱(QIT)質譜儀，包含：如請求項1所界定的一四極離子阱裝置；以及一電荷感應粒子檢測器(CSPD)，其安裝在該四極離子阱裝置的該第二端蓋電極，用來感應該從該四極離子阱裝置射出的該等試樣離子的電荷。
15. 如請求項14之四極離子阱質譜儀，其中該電荷感應離子檢測器包括：一基體；一電荷檢測板，其設置於該基體的一第一側； 一積體電路單元，其電連接至該電荷檢測板並且係設置於該基體的一第二側，該第二側與該第一側不共面；以及一干擾屏蔽單元，其以可使得位於該干擾屏蔽單元外部的該等試樣離子能夠衝擊該電荷檢測板之方式，而實質上圍住該電荷檢測板和該積體電路單元；其中，設置於該第二側的該積體電路單元與設置於該第一側的該電荷檢測板不共面，以避免該等試樣離子干擾該積體電路單元。
16. 如請求項15之四極離子阱質譜儀，其中該干擾屏蔽單元包括一法拉第籠，該法拉第籠實質上覆蓋該基體的該等第一與第二側並且具有兩個開口，該等開口在位置上分別對應該電荷檢測板和該積體電路單元以分別暴露出該電荷檢測板和該積體電路單元。
17. 如請求項15之四極離子阱質譜儀，其中該電荷檢測板是在沒有電荷放大的情況下操作。
18. 如請求項15之四極離子阱質譜儀，其中該電荷檢測板可在距離該電荷檢測板大約10至50mm的範圍之內，傳導來自該QIT裝置的入射離子的鏡像電流。

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