TWI693613B - 轉換器電路、電力配接器及用於共用模式雜訊減少之系統 - Google Patents

轉換器電路、電力配接器及用於共用模式雜訊減少之系統 Download PDF

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Abstract

在一項一般態樣中，一種轉換器電路包含一磁芯及一線圈總成。該線圈總成包含一初級繞組總成、一次級繞組總成及一輔助繞組總成。該初級繞組總成包含配置於至少一個初級繞組層中之一傳導介質。該次級繞組總成包含配置於至少一個次級繞組層中之一傳導介質。該輔助繞組總成包含配置於至少一個輔助繞組層中之一傳導介質。該至少一個輔助繞組層包含毗鄰於該至少一個初級繞組層中之一層且毗鄰於該至少一個次級繞組層中之一層而安置之一輔助繞組層。

Description

轉換器電路、電力配接器及用於共用模式雜訊減少之系統
本發明一般而言係關於電路中之共用模式雜訊之減少。特定而言，本發明闡述轉換器及變壓器中之共用模式雜訊減少。
電力配接器用於將電力自一電源(諸如一電力網)提供至電子裝置(諸如膝上型電腦、智慧型電話及平板電腦)。電力配接器可將由電源提供之電力轉換成電子裝置所需之一形式。舉例而言，一電力配接器可將120V交流(AC)電力轉換成5V直流(DC)電力。
電力配接器可包含一變壓器以將電源與變換電壓電隔離。變壓器係透過電磁感應將一個電路中之電能變換成一第二電路中之電能之電裝置。電力配接器亦可包含一整流器，諸如用以將一AC電流轉換成一DC電流之一個二極體電橋。
在一項一般態樣中，一種轉換器電路包含一磁芯及一線圈總成。該線圈總成包含一初級繞組總成、一次級繞組總成及一輔助繞組總成。該初級繞組總成包含配置於至少一個初級繞組層中之一傳導介質。該次級繞組總成包含配置於至少一個次級繞組層中之一傳導介質。該輔助繞組總成包含配置於至少一個輔助繞組層中之一傳導介質。該至少一個輔助繞組層包 含毗鄰於該至少一個初級繞組層中之一層且毗鄰於該至少一個次級繞組層中之一層而安置之一輔助繞組層。
在另一一般態樣中，一電力配接器包含一整流器電路及一轉換器電路。該轉換器電路包含一磁芯及一線圈總成。該線圈總成包含一初級繞組總成、一次級繞組總成及一輔助繞組總成。該初級繞組總成包含配置於多個初級繞組層中之一傳導介質，該多個初級繞組層包含一第一初級繞組層、一第二初級繞組層及一第三初級繞組層。該次級繞組總成包含配置於多個次級繞組層中之一傳導介質，該多個次級繞組層包含一第一次級繞組層及一第二次級繞組層。該輔助繞組總成包含配置於至少一個輔助繞組層中之一傳導介質，該至少一個輔助繞組層包含毗鄰於該等初級繞組層中之一者且毗鄰於該等次級繞組層中之一者而安置之一輔助繞組層。
在又一一般態樣中，一種系統包括一運算裝置及一電力配接器。該可攜式運算裝置包含一處理裝置、一記憶體裝置及一顯示裝置。該電力配接器包含一整流器電路及一轉換器電路。該轉換器電路包含一磁芯及一線圈總成。該線圈總成包含一初級繞組總成、一次級繞組總成、一輔助繞組總成、一額外輔助繞組總成。該初級繞組總成包含配置於一多個初級繞組層中之一傳導介質，該多個初級繞組層包含一第一初級繞組層、一第二初級繞組層及一第三初級繞組層。該次級繞組總成包含配置於一多個次級繞組層中之一傳導介質，該多個次級繞組層包含一第一次級繞組層及一第二次級繞組層。該輔助繞組總成包含配置於至少一個輔助繞組層中之一傳導介質。該至少一個輔助繞組層包括毗鄰於該等初級繞組層中之一層且毗鄰於該等次級繞組層中之一層而安置之一輔助繞組層。該額外輔助繞組總成包含配置於至少一個額外輔助繞組層中之一傳導介質。該至少一個額外輔 助繞組層安置於該線圈總成之外側。
在附圖及下文說明中陳述一或多項實施方案之細節。自說明及圖式且自申請專利範圍，其他特徵將顯而易見。
100:系統
102:電力配接器
104:電子裝置
106:整流器電路
108:共用模式雜訊減少轉換器電路
200:系統
202:電力配接器
204:第一纜線
206:第二纜線
208:插頭
210:埠
212:第一連接器
214:第二連接器
300:共用模式雜訊減少轉換器電路
350:返馳式轉換器總成
352:磁芯
354:捲線軸
356:線圈總成
370:初級部分
372:次級部分
374:初級繞組總成
376:輔助繞組總成
378:直流電容器
380:第一初級端子連接器
382:第二初級端子連接器
384:第一輔助端子連接器
386:第二輔助端子連接器
388:第三輔助端子連接器
390:次級繞組總成
392:第一次級端子連接器
394:第二次級端子連接器
410:第一初級繞組層
412:第二初級繞組層
414:第三初級繞組層
420:第一次級繞組層
422:第二次級繞組層
430:輔助繞組層
450:返馳式轉換器總成
452:額外輔助繞組總成
454:額外輔助端子連接器
460:線圈總成
462:額外輔助層
510:返馳式轉換器電路總成/返馳式轉換器總成
512:屏蔽結構
550:返馳式轉換器總成
552:平衡電容器
800:泛用電腦裝置/電腦裝置/運算裝置
802:處理器/組件
804:記憶體/組件
806:儲存裝置/組件
808:高速介面/組件/高速控制器
810:高速擴充埠/組件
812:低速介面/組件/低速控制器
814:低速匯流排/低速擴充埠
816:顯示器
820:標準伺服器
822:膝上型電腦
824:機架式伺服器系統
850:泛用行動電腦裝置/行動電腦裝置/運算裝置/裝置/組件
852:處理器/組件
854:顯示器/組件/顯示介面
856:顯示介面
858:控制介面
860:音訊編解碼器
862:外部介面
864:記憶體/組件
866:通信介面/組件
868:收發器/射頻收發器/組件
870:全球定位系統接收器模組
872:擴充介面
874:擴充記憶體
880:蜂巢式電話
882:智慧型電話
圖1係用於減少共用模式雜訊之一實例性系統之一示意圖。
圖2係圖解說明用於實施一實例性電力配接器(電源供應器)之一實例性系統之一示意圖，該實例性系統可包含圖1之CM-雜訊減少轉換器電路之一實施例。
圖3A展示圖1之CM-雜訊減少轉換器電路之一實例之一示意性電路圖。
圖3B展示圖1之CM-雜訊減少轉換器電路之一實例性返馳式轉換器總成之繞組的一示意性圖式。
圖4A展示圖3A之返馳式轉換器總成之一實例之線圈的一示意性電路圖。
圖4B展示圖3A之實例性返馳式轉換器總成之一部分之剖面圖中之一示意圖。
圖5A展示圖3A之返馳式轉換器總成之一實例之線圈的一示意性電路圖。
圖5B展示圖3A之實例性返馳式轉換器總成之一部分之剖面圖中之一示意圖。
圖6係圖3A之一返馳式轉換器電路總成之另一實施例之一示意性電路圖。
圖7展示圖3A之一實例性返馳式轉換器總成之一示意性電路圖。
圖8展示可用於實施此處所闡述之技術之一電腦裝置及一行動電腦裝置之一實例。
在各圖式中，相似元件符號指示相似元件。
相關申請案交叉參考
本申請案主張於2017年3月24日提出申請之美國臨時申請案第62/476,650號標題為COMMON-MODE NOISE REDUCTION之優先權，該美國臨時申請案第62/476,650號之全部內容據此以引用方式併入本文中。
電子裝置之電力配接器將一第一形式之電力(例如，一壁式插口處提供之電源電力)調適成可被電子裝置安全地使用之一第二形式電力。彼電力可然後用於操作電子裝置及對電子裝置中之一電池進行充電中之一者或兩者。
電力配接器通常包含至少一整流器電路及一轉換器電路(例如，一返馳式轉換器電路)。整流器電路將週期性地反轉其電流流動之方向之一交流(AC)電力轉換成沿僅一個方向流動之一直流(DC)電力。轉換器電路轉換輸入電力之電壓及或電流中之一或多者。舉例而言，轉換器可將輸入電力之電壓位準增加或減小至一目標輸出電壓位準。
轉換器電路可在輸出電力中產生共用模式雜訊(CM-雜訊)。若未減輕，則此CM-雜訊可致使電力配接器或連接至該電力配接器之一裝置產生處於不可接受高位準下之電磁干擾(EMI)，該電磁干擾干擾其他電子裝置及/或無法遵從與電磁干擾(EMI)有關之規章或工業標準。另外，CM-雜訊可干擾經連接電子裝置之操作。可用一EMI濾波器至少部分地減輕CM-雜 訊。
本文中所闡述之實施例包含一CM-雜訊減少轉換器電路。CM-雜訊減少轉換器電路經組態以轉換輸入電壓同時減少所產生之CM-雜訊之量。在某些實施例中，CM-雜訊減少轉換器電路減少至一電力配接器之CM-雜訊且不需要包含具有一CM-雜訊抑制之一EMI濾波器以遵從可適用規章調節及工業標準。藉由移除EMI濾波器或減少EMI濾波器之大小(藉由消除CM-雜訊抑制)，可將電力配接器製成為較小、較輕及較緊湊。
CM-雜訊減少轉換器電路之實施例包含一磁芯、一線圈總成及連接至線圈總成之一多個引線。磁芯係由諸如鐵氧體之一磁性材料形成之一結構，用於修改轉換器中之一感應產生之磁場。在某些實施例中，該芯具有一「EE」形狀。儘管可能存在替代方案，但線圈通常纏繞圍繞芯之一部分安置之一捲線軸(例如，圍繞EE芯之一中心極桿)。
線圈總成包含配置於繞組總成(一初級繞組總成及一第二繞組總成)中之至少兩個導體之繞組。初級繞組總成包含一第一初級端子連接及一第二初級端子連接，且次級繞組總成包含一第一次級端子連接及一第二端子連接。初級繞組總成經由初級端子連接直接或間接電連接至電源(亦即，由輸入電源驅動初級繞組總成)，且次級繞組總成經由次級端子連接直接或間接電連接至負載電子裝置(亦即，負載裝置接收來自次級繞組總成之電力)。
導體係導電材料之伸長股線。導體之實例包含各種規號(gauge)之導線。儘管可能存在替代方案，旦導體中之至少某些包含絕緣導線。
經由初級繞組總成之端子施加至初級繞組總成之一電壓在次級繞組總成中與初級繞組總成中之匝數(亦即，初級導體纏繞芯之次數)與次級繞 組總成中之匝數之比率成比例地步升或步降。初級繞組總成及次級繞組總成中之每一者可包含一或多個繞組層。
另外，線圈之某些實施例包含一或多個輔助繞組總成，該一或多個輔助繞組總成包括一輔助導體之一或多個繞組層。輔助繞組總成中之每一者包含一第一輔助端子連接及一第二輔助端子連接。輔助繞組總成之某些實施例亦包含一第三輔助端子連接。舉例而言，一輔助繞組總成可將電力提供至電力配接器之一組件，諸如一控制晶片。另外，某些實施例包含斷開或浮動之一輔助繞組總成(例如，未連接至任何事物之一端子連接)。
在某些實施例中，初級繞組總成之層、次級繞組總成之層及輔助繞組總成之層係交錯的。舉例而言，層可係交錯的以減少或最小化洩漏電感。
在至少某些實施例中，該等層按以下次序配置(自線圈之外側開始)：次級繞組總成之一第一次級層(Sec1)、初級繞組總成之一第一初級層(Pri1)、次級繞組總成之一第二次級層(Sec2)、輔助繞組總成之一輔助層(Aux)、初級繞組總成之一第二初級層(Pri2)及初級繞組總成之一第三初級層(Pri3)(亦即，Sec1、Pri1、Sec2、Aux、Pri2、Pri3)。某些實施例亦包含一額外輔助繞組總成，該額外輔助繞組總成包含安置於次級繞組總成之第一次級層(Sec1)外側之一額外輔助層(AdAux)(亦即，AdAux、Sec1、Pri1、Sec2、Aux、Pri2、Pri3)。與諸多其他繞組配置相比，繞組總成之層之此配置(舉例而言)藉由配置該等層使得減少或最小化初級繞組總成之層與次級繞組總成之毗鄰層之間的電壓差來減少CM-雜訊。
在某些實施例中，初級繞組總成、次級繞組總成及一或多個輔助繞組總成之端子連接亦經配置以減少CM-雜訊。舉例而言，端子連接之放置 可進一步減少初級繞組總成之層與次級繞組總成之毗鄰層之間的電壓差。
出於說明性目的，以下實例闡述端子連接器相對於繞組總成之一頂部及繞組總成之一底部之配置。然而，應理解，在某些實施例中，交換定向(亦即，將闡述為安置於頂部處之端子連接安置於底部處且反之亦然)。
在至少某些實施例中，初級層串聯連接。儘管可能存在替代方案，但第一初級端子連接附接至第一初級繞組層之一頂部端，第一初級繞組層之底部端連接至第二初級繞組層之底部端，第二初級繞組層之頂部端連接至第三初級繞組層之頂部端，且第三初級繞組層之底部端連接至第二初級端子連接。次級層並聯連接，使一第一次級端子連接至第一次級層及第二次級層兩者之底部且第二次級端子連接至第一次級層及第二次級層兩者之頂部。另外，第一輔助端子連接至輔助層之頂部，第二輔助端子在輔助層之頂部與底部之間的一位置處連接至輔助層(例如，在輔助層之中間、在輔助層之中間10%內、在輔助層之中間20%內、在輔助層之中間50%內)，且一第三輔助端子連接至輔助層之底部。有益地，端子連接之此配置進一步減少初級繞組總成及次級繞組總成之毗鄰層之間的電壓差以便減少CM-雜訊。
在包含額外輔助繞組總成之至少某些實施例中，額外輔助繞組層之頂部連接至第二輔助端子連接器且額外輔助繞組層之底部係浮動的(亦即，未連接)。應注意，AdAux與Sec1之間的電壓差係負的，因此存在自Sec1流動至AdAux繞組且然後返回至初級側之位移CM電流。此幫助消除歸因於Pri1層與Sec1層之間的、Pri1層與Sec2層之間的及Aux層與Sec2層之間的正電壓差而自Pri1流動至Sec1及Sec2以及自Aux流動至Sec2之位移CM電流(此乃因Aux及Pri1在每一層上具有比Sec1層及Sec2層更多之匝 數)。由於AdAux係在繞組之外側上，因此易於做出調整。由於上述原因，此技術比習用屏蔽層方法更高效。AdAux繞組之位置亦可經調整以進行一高效消除。在AdAux繞組自線圈之頂部開始之情況下，AdAux層與Sec1層之間的電壓差最高，此意指當AdAux繞組位於底部上時較少匝數可具有與較多匝數相同之消除效應。
在某些實施例中，CM-雜訊減少電路亦包含圍繞芯安置之一屏蔽結構。舉例而言，屏蔽結構之某些實施例包含由諸如銅箔之一傳導箔形成之一屏蔽層。在某些實施例中，屏蔽結構連接至一初級接地(例如，透過第二輔助端子連接器)。
另外，一CM-雜訊減少電路之某些實施例包含連接於初級繞組總成與次級繞組總成之間的一平衡電容器。在某些實施例中，平衡電容器連接於第一初級端子連接器與第一次級端子連接器之間。另一選擇係，平衡電容器連接於第二初級端子連接器與第二次級端子連接器之間。本文中所闡述之技術可用於判定平衡電容器之位置及電容。
圖1係用於減少共用模式雜訊之一實例性系統100之一示意圖。在此實例中，系統100包含一電力配接器102及一電子裝置104。電力配接器102包含一整流器電路106及一共用模式雜訊減少轉換器電路108。圖1中亦展示一AC電源。
電力配接器102連接至AC電源且轉換自AC電源接收之電力以供電子裝置104使用。在某些實施例中，電力配接器102將電力自AC轉換成DC且將電壓(舉例而言)自120伏特或240伏特步降至5伏特與20伏特之間。可提供電力配接器102以用於操作電子裝置104及/或對電子裝置104之一電池進行充電。
電子裝置104可係任何類型之電子裝置。一電子裝置之一實例係一運算裝置。運算裝置可包含但不限於，膝上型電腦電腦、筆記型電腦、平板電腦、小筆電電腦、智慧型電話、個人數位助理、桌上型電腦、行動電話、遊戲控制台及行動運算裝置。電子裝置之其他非限制性實例包含電視、無線電或其他類型之音訊播放系統、電器及其他類型之電子裝置。
在某些實施例中，電力配接器102與電子裝置104分離且經由一纜線連接至電子裝置。纜線可經組態來以可移除方式附接至電子裝置104上之一埠。纜線亦可固定至電子裝置104。類似地，在某些實施例中，纜線經組態來以可移除方式附接至電力配接器102上之一埠，而在其他實施例中纜線固定至電力配接器。另一選擇係，電力配接器102併入於電子裝置104中。
AC電源可係(舉例而言)電源電力。電力配接器102可經由一纜線利用一插頭連接至AC電源，該插頭經組態以配合連接至AC電源之一插口。
整流器電路106對自AC源接收之電力信號進行整流以將交流轉換成一直流。在某些實施例中，整流器電路106包含一個二極體電橋。
CM-雜訊減少轉換器電路108係將自整流器電路106接收之電力之電壓轉換成一不同電壓位準之一電路。CM-雜訊減少轉換器電路108併入本文中所闡述之用以減少CM-雜訊之一或多項技術，諸如最佳化繞組配置、包含一屏蔽結構及/或包含使用一平衡電容器。
電力配接器102可亦包含其他組件。舉例而言，某些實施例包含一電磁干擾(EMI)濾波器。EMI濾波器可用於減少CM-雜訊。然而，本文中所闡述之CM-雜訊減少轉換器電路108之某些實施例充分減少CM-雜訊使得不需要一EMI濾波器。
圖2係圖解說明用於實施包含一CM-雜訊減少轉換器電路之一實例性電力配接器202(電源供應器)之一實例性系統200的一示意圖。電力配接器202係電力配接器102之一實例。
參考圖1，在某些實施方案中，電子裝置104可使用電力配接器202來將一交流(AC)電力信號轉換成一直流(DC)電力信號以供電子裝置104使用。舉例而言，電力配接器202可包含一或多個埠(例如，埠210)。
系統200可包含可將電力自電力配接器202供應至一電子裝置之一第一纜線204。第一纜線204可包含一第一連接器212及一第二連接器214。在圖2中所展示之實例中，第二連接器214可連接至包含於電力配接器202上之埠210(與埠210介接)。參考圖1，在某些實施方案中，第一連接器212可連接至電子裝置104之一埠(與埠介接)。
電力配接器202可經由一第二纜線206自一AC電源接收一AC電力信號。第二纜線206可包含用於電連接至AC電源之一插頭208(例如，一家用電器插口插孔)。在某些實施方案中，一插頭(例如，插頭208)可包含電力配接器202(與電力配接器202整合)。在此等實施方式中，不需要第二纜線206且使用插頭208之電力配接器202可電連接至AC電源(例如，一家用電器插口插孔)。在某些實施方案中，電力配接器202可將充電電力供應至包含於一電子裝置中之一電力儲存組件(例如，一電池)。電力配接器202可藉由第一纜線204將充電電力供應至電力儲存組件。
圖3A及圖3B係一實例性CM-雜訊減少轉換器電路300之示意圖。圖3A展示CM-雜訊減少轉換器電路300之一實例之一示意性電路圖。CM-雜訊減少轉換器電路300係一CM-雜訊減少轉換器電路108之一實例。
CM-雜訊減少轉換器電路300包含一返馳式轉換器總成350。返馳式 轉換器總成350增加或減小整流線路與中性形式整流器電路106之間的電壓差。圖4A中圖解說明且關於圖4A闡述返馳式轉換器總成350之線圈之一實例。
返馳式轉換器總成350之一關斷階段或關斷狀態期間之一電壓可經變換下降至由變壓器之匝數之比率判定之一值。一返馳式轉換器總成350之使用可使用最小數目個組件來提供多個電壓輸出。舉例而言，每一額外輸出電壓可包含一額外變壓器繞組、一額外二極體及一額外電容器。返馳式轉換器總成350之一接通階段或接通狀態期間之一電壓可係電壓之一近似直流(DC)分量之值。亦可藉由調整返馳式轉換器之工作循環來變更輸出電壓。以此方式，即使在僅存在一單個輸出之情況下，亦可在不修改匝數之情況下調整輸出電壓。
圖3B展示CM-雜訊減少轉換器電路300之一實例性返馳式轉換器總成350之繞組之一示意性圖式。返馳式轉換器總成350包含一磁芯352、一捲線軸354及一線圈總成356。
磁芯352係由諸如鐵氧體之一磁性材料形成之一結構，用於修改由線圈總成356中之一電流產生之一磁場。儘管可能存在替代方案，但在此實例中磁芯352具有一矩形環形狀。磁芯之其他形狀亦係可能的，諸如一橢圓形狀、一「E」形狀、一棒形狀或其他形狀。
在此實例中，線圈總成356纏繞圍繞磁芯352之一部分安置之一捲線軸354(例如，圍繞矩形環之一側)。捲線軸354通常由一絕緣材料形成且具有纏繞有線圈總成356之導體之一圓柱形部分。
線圈總成356包含多個繞組總成。線圈總成包含電連接至CM-雜訊減少轉換器電路300之一初級部分之至少一個繞組總成及連接至CM-雜訊減 少轉換器電路300之一次級部分之至少一個繞組總成。線圈總成356亦可包含一或多個輔助繞組總成。繞組總成可包含包裹捲線軸354之導體層。繞組總成之層可係交錯的。基於繞組總成中之導體包裹磁芯352之次數之間的比率，施加至繞組總成中之一者之一電壓將誘發其他繞組總成中之一步升或步降電壓。在線圈總成356中，繞組總成之層經配置以減少CM-雜訊。圖4B中圖解說明且關於圖4B闡述線圈總成356之繞組總成之一實例性配置。
圖4A及圖4B係CM-雜訊減少轉換器電路300之返馳式轉換器總成350之一實例之示意圖。圖4A展示返馳式轉換器總成350之一實例之線圈之一示意性電路圖。
返馳式轉換器總成350包含一初級部分370及一次級部分372。初級部分370與AC電源(例如，經由整流器電路106)電連接。次級部分372與AC電源電隔離且與諸如電子裝置104之一負載裝置電連接。初級部分370接地至一初級接地，而次級部分372接地至一次級接地。
初級部分370包含多個線圈繞組總成，多個線圈繞組總成包含一初級繞組總成374及一輔助繞組總成376。初級部分亦包含一DC電容器378。
初級繞組總成374包含一第一初級端子連接器380及一第二初級端子連接器382。第一初級端子連接器380連接至來自整流器電路106之線路信號。第二初級端子連接器382連接至一電晶體之一汲極。
輔助繞組總成376包含一第一輔助端子連接器384、一第二輔助端子連接器386及一第三輔助端子連接器388。輔助繞組總成376可用於將電力提供至電力配接器102之一或多個組件(例如，一控制電路、燈等)。在各種實施例中，介於第一輔助端子連接器384與第二輔助端子連接器386之 間的及介於第二輔助端子連接器386與第三輔助端子連接器388之間的導體或輔助繞組總成376之匝數變化(例如，基於輔助繞組總成376所連接至之組件之電力需要)。DC電容器378連接於來自整流器電路106之線路信號與初級接地之間。
次級繞組總成390包含一第一次級端子連接器392及一第二次級端子連接器394。第一次級端子連接器392為負載(例如，電子裝置104)提供正電力信號且第二次級端子連接器394為負載提供中性電力信號(亦即，次級接地)。
圖4B展示實例性返馳式轉換器總成350之一部分之剖面圖中之一示意圖。在圖中，在左側展示線圈之外側且在右側展示線圈之內側。
如上文所論述，線圈總成356包含初級繞組總成374、次級繞組總成390及輔助繞組總成376。線圈總成356之繞組纏繞圍繞磁芯352安置之捲線軸354。
繞組總成中之每一者包含至少一個繞組層。繞組自捲線軸之任一端不同地開始(例如，自頂部至底部，或自底部至頂部)，如下文進一步闡述。繞組由伸長傳導材料(例如，銅導線)之一或多個股線形成，伸長傳導材料可覆蓋有一絕緣外殼(例如，一導線絕緣體)或塗佈有一絕緣層。
在此實例中，初級繞組總成374包含一第一初級繞組層410、一第二初級繞組層412及一第三初級繞組層414。次級繞組總成390包含一第一次級繞組層420及一第二次級繞組層422。輔助繞組總成376包括一輔助繞組層430。
在圖4B之實例中，初級繞組總成374之層、次級繞組總成390之層及輔助繞組總成376之層係交錯的。舉例而言，層可係交錯的以減少或最小 化洩漏電感。在某些實施例中，繞組總成之層由諸如絕緣膠帶或紙之一絕緣體分離。
舉例而言，在圖4B中各層按以下次序配置(自線圈之外側開始)：第一次級繞組層420、第一初級繞組層410、第二次級繞組層422、輔助繞組層430、第二初級繞組層412及第三初級繞組層414。
與諸多其他繞組配置相比，繞組總成之層之此配置(舉例而言)藉由配置該等層使得減少或最小化初級繞組總成之層與次級繞組總成之毗鄰層之間的電壓差來減少CM-雜訊。
在某些實施例中，初級繞組總成374之端子連接器、次級繞組總成390之端子連接器及輔助繞組總成376之端子連接器經配置以減少CM-雜訊。舉例而言，端子連接器之放置可進一步減少初級繞組總成374之層與次級繞組總成390之毗鄰層之間的電壓差。
在至少某些實施例中，初級繞組總成374之層串聯連接。第一初級繞組層410包含在線圈總成356之一第一端(在圖4B中展示為頂部)處開始且延續至線圈總成356之一第二端(在圖4B中展示為頂部)之繞組，第二初級繞組層412包含在線圈總成356之第二端處開始且延續至線圈總成356之第一端之繞組，第三初級繞組層414包含在線圈總成356之第一端處開始且延續至線圈總成356之第二端之繞組。第一初級端子連接器380在繞組之一開頭處附接至第一初級繞組層410且第二初級端子連接器382在繞組之一末尾處附接至第三初級繞組層414。
在至少某些實施例中，次級繞組總成390之層並聯連接。第一次級繞組層420包含在線圈總成356之第一端處開始且延續至線圈總成356之第二端之繞組，第二次級繞組層422包含在線圈總成356之第一端處開始且延 續至線圈總成356之第二端之繞組。第一次級端子連接器392在繞組之一開頭處附接至第一次級繞組層420且在繞組之一開頭處附接至第二次級繞組層422，且第二次級端子連接器394不僅在繞組之一末尾處附接至第一次級繞組層420且亦在繞組之一末尾處附接至第二次級繞組層422。
另外，輔助繞組層430包括在線圈總成356之第一端處開始且延續至線圈總成356之一第二端之繞組。第一輔助端子連接器384在繞組之一開頭處附接至輔助繞組層430，第二輔助端子連接器386在繞組之開頭與繞組之一末尾之間附接至輔助繞組層430，且第三輔助端子連接器388在繞組之末尾處附接至輔助繞組層430。第二輔助端子連接器386可在輔助繞組層430之頂部與底部之間的一位置處(例如，輔助繞組層430之中間處、輔助繞組層430之中間10%內、輔助繞組層430之中間20%內、輔助繞組層430之中間50%內)連接至輔助繞組層430。有益地，端子連接之此配置進一步減少初級繞組總成與次級繞組總成之毗鄰層之間的電壓差以便減少CM-雜訊。
圖5A及圖5B係一返馳式轉換器總成450之另一實例之示意圖。返馳式轉換器總成450係返馳式轉換器總成350之一實例且可用於CM-雜訊減少轉換器電路300之實施例中。返馳式轉換器總成450類似於返馳式轉換器總成350，惟返馳式轉換器總成450包含一額外輔助繞組總成452除外。
圖5A展示返馳式轉換器總成450之線圈之一示意性電路圖。返馳式轉換器總成450包含初級繞組總成374、次級繞組總成390、輔助繞組總成376及額外輔助繞組總成452。
額外輔助繞組總成452包含一額外輔助端子連接器454。在某些實施例中，額外輔助端子連接器454在返馳式轉換器總成450之初級部分370上 連接至接地且額外輔助額外繞組總成之另一端係斷開的(亦即，未連接至任何事物)。
圖5B展示包含一線圈總成460之實例性返馳式轉換器總成450之一部分之剖面圖中的一示意圖。在圖中，在左側展示線圈之外側且在右側展示線圈之內側。
額外輔助繞組總成452包含一額外輔助層462。在此實例中，額外輔助層462安置於第一次級繞組層420之外側。整體而言，在圖5B中線圈總成460之各層按以下次序配置(自線圈之外側開始)：額外輔助層462、第一次級繞組層420、第一初級繞組層410、第二次級繞組層422、輔助繞組層430、第二初級繞組層412及第三初級繞組層414。
額外輔助層462與第一次級繞組層420之間的電壓差產生自第一次級繞組層420流動至額外輔助層462且然後返回至初級部分370之一位移CM電流。此位移CM電流可至少部分地消除歸因於第一初級繞組層410與第一次級繞組層420之間及第一初級繞組層410與第二次級繞組層422之間的正電壓差(例如，在第一初級繞組層410具有比第一次級繞組層420及第二次級繞組層422多之匝數之情況下)而自第一初級繞組層410流動至第一次級繞組層420及流動至第二次級繞組層422之位移CM電流。由額外輔助層462與第一次級繞組層420之間的此電壓差產生之CM電流亦可至少部分地抵消歸因於輔助繞組層430與第二次級繞組層422之間的正電壓差(例如，在輔助繞組層430具有比第二次級繞組層422多之匝數之情況下)之輔助繞組層430與第二次級繞組層422之間的一CM電流。
由於額外輔助層462安置於線圈總成460之外側上，因此與線圈總成460之其他層相比，額外輔助層462更易於調整繞組之數目。由於額外輔 助繞組位於線圈總成460之外側上，因此額外輔助繞組並不會產生渦流損失。此外，由於額外輔助繞組位於線圈總成460之外側上，因此與習用屏蔽技術相比，額外輔助繞組減少洩漏電感。在某些實施例中，可相對於線圈總成460之第一側及第二側調整額外輔助層462之位置以使消除更高效。舉例而言，額外輔助層462之繞組可在線圈總成460之第一端處開始且朝向線圈總成460之第二端行進。在此配置中，額外輔助層462與第一次級繞組層420之間的電壓差比在額外輔助層462繞組自第二端開始之情況下大，從而允許較少匝數具有一較大消除效應。由於上述原因，此技術比使用一屏蔽層更高效。且此技術可減少一變壓器之成本及大小。
圖6係一返馳式轉換器電路總成510之另一實施例之一示意性電路圖。返馳式轉換器總成510係返馳式轉換器總成350之一實例且可用於CM-雜訊減少轉換器電路300之實施例中。返馳式轉換器總成510類似於返馳式轉換器總成450，惟返馳式轉換器總成510包含一屏蔽結構512除外。屏蔽結構512由一導電材料形成。舉例而言，在某些實施例中，屏蔽結構512包括銅箔。在某些實施例中，屏蔽結構512與初級接地電接觸。在至少某些實施方案中，屏蔽結構512位於變壓器芯外面且消除或最小化返馳式轉換器總成350所附接至的一電路板上來自通往散熱器之路徑之CM雜訊。舉例而言，電路板可包含一初級散熱器及一次級散熱器，且屏蔽結構512可消除或最小化自初級散熱器、變壓器芯或繞組總成至次級散熱器之CM雜訊。
圖7展示一實例性返馳式轉換器總成550之一示意性電路圖。返馳式轉換器總成550係返馳式轉換器總成350之一實例且可用於CM-雜訊減少轉換器電路300之實施例中。返馳式轉換器總成550類似於返馳式轉換器 總成450，惟返馳式轉換器總成550包含一平衡電容器552除外。
平衡電容器552使初級部分370與次級部分372之間的電容平衡。平衡電容器552之電容可經選擇以抵消初級部分370與次級部分372之間的總電容(例如，如以經驗方式或使用模型化技術判定)。
儘管可能存在替代方案，但在圖7中，平衡電容器552展示為連接於第一初級端子連接器380與第一次級端子連接器392之間。另一選擇係，平衡電容器可連接於第二初級端子連接器382與第二次級端子連接器394之間。在某些實施例中，平衡電容器之電容等於初級繞組總成374與次級繞組總成390之間的匝數比率乘以第二初級端子連接器382與第二次級端子連接器394之間的電容之乘積。
圖8展示可與此處所闡述之技術一起使用之一泛用電腦裝置800及一泛用行動電腦裝置850之一實例。電腦裝置800及行動電腦裝置850係電子裝置104之實例。運算裝置800意欲表示各種形式之數位電腦，諸如膝上型電腦、桌上型電腦、平板電腦、工作站、個人數位助理、電視、伺服器、刀鋒伺服器、主機及其他適當運算裝置。運算裝置850意欲表示各種形式之行動裝置，諸如個人數位助理、蜂巢式電話、智慧型電話及其他類似運算裝置。此處所展示之組件、其連接及關係以及其功能意在僅係例示性的，且不意在限制本文檔中所闡述及/或所主張之本發明之實施方案。
運算裝置800包含一處理器802、記憶體804、一儲存裝置806、連接至記憶體804及高速擴充埠810之一高速介面808及連接至低速匯流排814及儲存裝置806之一低速介面812。處理器802可係一基於半導體之處理器。記憶體804可係一基於半導體之記憶體。組件802、804、806、808、810及812中之每一者使用各種匯流排互連，且可安裝於一共用主機板上 或視情況以其他方式安裝。處理器802可處理供在運算裝置800內執行之指令，包含儲存於記憶體804中或儲存裝置806上以在一外部輸入/輸出裝置(諸如耦合至高速介面808之顯示器816)上顯示用於一GUI之圖形資訊之指令。在其他實施方案中，視情況多個處理器及/或多個匯流排可連同多個記憶體及若干類型之記憶體一起使用。並且，可連接多個運算裝置800，其中每一裝置提供必要操作之若干部分(例如，作為一伺服器組、一刀鋒伺服器群組或一多處理器系統)。
記憶體804儲存運算裝置800內之資訊。在一項實施方案中，記憶體804係一或多個揮發性記憶體單元。在另一實施方案中，記憶體804係一或多個非揮發性記憶體單元。記憶體804亦可係另一形式之電腦可讀媒體，諸如一磁碟或光碟。
儲存裝置806能夠提供用於運算裝置800之大容量儲存裝置。在一項實施方案中，儲存裝置806可係或含有一電腦可讀媒體，諸如一軟碟裝置、一硬碟裝置、一光碟裝置或一磁帶裝置、一快閃記憶體或其他類似固態記憶體裝置，或包含一儲存區域網路或其他組態中之裝置之一裝置陣列。一電腦程式產品可有形地體現於一資訊載體中。電腦程式產品亦可含有在經執行時執行諸如上文所闡述之彼等方法之一或多個方法之指令。資訊載體係一電腦可讀媒體或機器可讀媒體，諸如記憶體804、儲存裝置806或處理器802上之記憶體。
高速控制器808管理運算裝置800之帶寬密集型操作，而低速控制器812管理較低帶寬密集型操作。此功能分配僅係例示性的。在一項實施方案中，高速控制器808耦合至記憶體804、顯示器816(例如，透過一圖形處理器或加速器)且耦合至可接受各種擴充卡(未展示)之高速擴充埠810。 在實施方案中，低速控制器812耦合至儲存裝置806及低速擴充埠814。可包含各種通信埠(例如，USB、藍芽、乙太網路、無線乙太網路)之低速擴充埠可(例如)透過一網路配接器耦合至一或多個輸入/輸出裝置，諸如一鍵盤、一指標裝置、掃描儀或網路裝置(例如交換機或路由器)。
如圖中所展示，可以若干種不同形式來實施運算裝置800。舉例而言，可將其實施為一標準伺服器820或在此類伺服器之一群組中多次實施。亦可將其實施為一機架式伺服器系統824之一部分。另外，可將其實施於一個人電腦(諸如一膝上型電腦822)中。另一選擇係，可將來自運算裝置800之組件與諸如裝置850之一行動裝置(未展示)中之其他組件組合。此類裝置中之每一者可含有運算裝置800、850中之一或多者，且整個系統可由彼此通信之多個運算裝置800、850組成。
運算裝置850包含一處理器852、記憶體864、一輸入/輸出裝置(諸如一顯示器854)、一通信介面866及一收發器868以及其他組件。裝置850亦可具備一儲存裝置(諸如一微型硬碟)或其他裝置以提供額外儲存。組件850、852、864、854、866及868中之每一者使用各種匯流排而互連，且該等組件中之數個組件可安裝於一共用主機板上或視情況以其他方式安裝。
處理器852可執行運算裝置850內之指令，其包含儲存於記憶體864中之指令。該處理器可實施為包含單獨及多個類比與數位處理器之若干晶片之一晶片集。該處理器可提供(舉例而言)裝置850之其他組件之協作，諸如對使用者介面、由裝置850運行之應用程式及由裝置850所做出之無線通信之控制。
處理器852可透過耦合至一顯示器854之控制介面858及顯示介面856 與一使用者通信。顯示器854可係(舉例而言)一TFT LCD(薄膜電晶體液晶顯示器)或一OLED(有機發光二極體)顯示器或者其他適當顯示技術。顯示介面856可包括用於驅動顯示器854以為一使用者呈現圖形及其他資訊之適當電路。控制介面858可接收來自一使用者之命令並對其進行轉換以供提交至處理器852。另外，可提供與處理器852通信之一外部介面862，以便達成裝置850與其他裝置之近區通信。外部介面862可在某些實施方案中提供(舉例而言)有線通信，或在其他實施方案中提供無線通信，且亦可使用多個介面。
記憶體864儲存運算裝置850內之資訊。記憶體864可實施為以下各項中之一或多者：一或多個電腦可讀媒體、一或多個揮發性記憶體單元或者一或多個非揮發性記憶體單元。亦可提供擴充記憶體874且其透過擴充介面872連接至裝置850，該擴充介面可包含(舉例而言)一SIMM(單列直插式記憶體模組)卡介面。此擴充記憶體874可為裝置850提供額外儲存空間，或亦可儲存裝置850之應用程式或其他資訊。具體而言，擴充記憶體874可包含用以實施或補充上文所闡述之程序之指令，且亦可包含安全資訊。因此，舉例而言，擴充記憶體874可提供為裝置850之一安全模組，且可程式化有准許對裝置850之安全使用之指令。另外，安全應用程式可連同額外資訊一起經由SIMM卡而提供，諸如以一非黑客方式將識別資訊放置於SIMM卡上。
記憶體可包含(舉例而言)如下文所論述之快閃記憶體及/或NVRAM記憶體。在一項實施方案中，一電腦程式產品有形地體現於一資訊載體中。該電腦程式產品含有在執行時執行諸如上文所闡述之方法之一或多個方法之指令。該資訊載體係一電腦可讀媒體或機器可讀媒體，諸如記憶體 864、擴充記憶體874或處理器852上之可(舉例而言)經由收發器868或外部介面862接收之記憶體。
裝置850可透過在必要之情況下可包含數位信號處理電路之通信介面866無線地通信。通信介面866可提供在各種模式或協議下之通信，諸如GSM語音呼叫，SMS、EMS或MMS訊息傳送、CDMA、TDMA、PDC、WCDMA、CDMA2000或GPRS以及其他。此通信可(舉例而言)透過射頻收發器868發生。另外，短程通信可(諸如)使用一藍芽、WiFi或其他此類收發器(未展示)而發生。另外，GPS(全球定位系統)接收器模組870可將額外導航及位置相關無線資料提供至裝置850，該等資料可視情況由在裝置850上運行之應用程式使用。
裝置850亦可使用音訊編解碼器860以音訊方式通信，該音訊編解碼器可自一使用者接收所說資訊並將其轉換為可用數位資訊。音訊編解碼器860同樣地可(例如)在裝置850之一手機中(諸如)透過一揚聲器為一使用者產生可聽聲音。此聲音可包含來自語音電話呼叫之聲音、可包含所記錄聲音(例如，語音訊息、音樂文件等)且亦可包含由在裝置850上操作之應用程式產生之聲音。
如圖中所展示，可以若干種不同形式來實施運算裝置850。舉例而言，其可實施為一蜂巢式電話880。其亦可實施為一智慧型電話882、個人數位助理或其他類似行動裝置之部分。
本文所闡述之系統及技術之各種實施方案可以數位電子電路、積體電路、特別設計之ASIC(特殊應用積體電路)、電腦硬體、韌體、軟體及/或其組合實現。此等各種實施方案可包含一或多個電腦程式中之實施方案，該一或多個電腦程式可在一可程式化系統上執行及/或解譯，該可程 式化系統包含經耦合以自一儲存系統接收資料及指令且將資料及指令傳輸至該儲存系統之可係特殊用途或一般用途之至少一個可程式化處理器、至少一個輸入裝置及至少一個輸出裝置。
此等電腦程式(亦稱為程式、軟體、軟體應用程式或程式碼)包含用於一可程式化處理器之機器指令且可以一高階程序及/或物件導向式之程式設計語言及/或以彙編/機器語言實施。如本文中所使用，術語「機器可讀媒體」、「電腦可讀媒體」係指用於將機器指令及/或資料提供至一可程式化處理器之任何電腦程式產品、設備及/或裝置(例如，磁碟、光碟、記憶體、可程式化邏輯裝置(PLD))，該可程式化處理器包含接收機器指令作為一機器可讀信號之一機器可讀媒體。術語「機器可讀信號」係指用於將機器指令及/或資料提供至一可程式化處理器之任何信號。
為提供與一使用者之互動，此處所闡述之系統及技術可實施於一電腦上，該電腦具有用於為使用者顯示資訊之一顯示裝置(例如，一CRT(陰極射線管)或LCD(液晶顯示器)監視器)及使用者可藉由其將輸入提供至電腦之一鍵盤及一指標裝置(例如，一滑鼠或一軌跡球)。亦可使用其他種類之裝置來提供與一使用者之互動；舉例而言，提供給使用者之回饋可係任何形式之感觀回饋(例如，視覺回饋、聽覺回饋或觸覺回饋)；且來自使用者之輸入可以任何形式來接收，包含聲音、語音或觸覺輸入。
此處所闡述之系統及技術可在包含一後端組件(例如，作為一資料伺服器)；或包含一中間件組件(例如，一應用程序伺服器)；或包含一前端組件(例如，具有一使用者可透過其來與此處所闡述之系統及技術之一實施方案互動之一圖形化使用者介面或一網頁瀏覽器之一用戶端電腦))或此等後端、中間件或前端組件之任何組合之一運算系統中實施。該系統之組 件可藉由任何數位資料通信形式或媒體(例如，一通信網路)互連。通信網路之實例包含一區域網路(「LAN」)、一廣域網路(「WAN」)及網際網路。
該運算系統可包含用戶端及伺服器。一用戶端與伺服器通常彼此遠離且通常透過一通信網路互動。用戶端與伺服器之關係係藉助於在各別電腦上運行且彼此之間具有一用戶端-伺服器關係之電腦程式而產生。
已闡述若干個實施例。然而，將理解，可在不背離本說明書之精神及範疇之情況下作出各種修改。
另外，圖中所繪示之任何邏輯流程未必需要所展示之特定次序或順序次序來達成所要結果。另外，可提供其他步驟，或可自所闡述流程消除若干步驟，且可將其他組件新增至所闡述系統或自所闡述系統移除其他組件。因此，其他實施例在以下申請專利範圍之範疇內。
350:返馳式轉換器總成
370:初級部分
372:次級部分
374:初級繞組總成
376:輔助繞組總成
378:直流電容器
380:第一初級端子連接器
382:第二初級端子連接器
384:第一輔助端子連接器
386:第二輔助端子連接器
388:第三輔助端子連接器
390:次級繞組總成
392:第一次級端子連接器
394:第二次級端子連接器

Claims (17)

  1. 一種轉換器電路，其包括：一磁芯；及一線圈總成，該線圈總成包含：一初級繞組總成，其包括配置於至少一個初級繞組層中之一傳導介質；一次級繞組總成，其包括配置於至少一個次級繞組層中之一傳導介質；及一輔助繞組總成，其包括配置於至少一個輔助繞組層中之一傳導介質，該至少一個輔助繞組層包括毗鄰於該至少一個初級繞組層中之一層且毗鄰於該至少一個次級繞組層中之一層而安置之一輔助繞組層，其中：該至少一個初級繞組層包括一第一初級繞組層、一第二初級繞組層及一第三初級繞組層；且該至少一個次級繞組層包括一第一次級繞組層及一第二次級繞組層，且其中：該第一次級繞組層毗鄰於該第一初級繞組層；該第一初級繞組層毗鄰於該第二次級繞組層；該第二次級繞組層毗鄰於該輔助繞組層；該輔助繞組層毗鄰於該第二初級繞組層；且該第二初級繞組層毗鄰於該第三初級繞組層。
  2. 如請求項1之轉換器電路，其進一步包括安置於該輔助繞組層與該毗鄰初級繞組層之間的一第一絕緣層及安置於該輔助繞組層與該毗鄰次級繞組層之間的一第二絕緣層。
  3. 如請求項2之轉換器電路，其中該第一絕緣層包括絕緣膠帶且該第二絕緣層包括絕緣膠帶。
  4. 如請求項1之轉換器電路，其中：該第一初級繞組層包括在該線圈總成之一第一端處開始且延續至該線圈總成之一第二端之繞組，該第二初級繞組層包括在該線圈總成之該第二端處開始且延續至該線圈總成之該第一端之繞組，該第三初級繞組層包括在該線圈總成之該第一端處開始且延續至該線圈總成之該第二端之繞組；該初級繞組總成進一步包括一第一初級端子連接器及一第二初級端子連接器；該第一初級端子連接器在該等繞組之一開頭處附接至該第一初級繞組層且該第二初級端子連接器在該等繞組之一末尾處附接至該第三初級繞組層；該第一次級繞組層包括在該線圈總成之該第一端處開始且延續至該線圈總成之該第二端之繞組，該第二次級繞組層包括在該線圈總成之該第一端處開始且延續至該線圈總成之該第二端之繞組；該次級繞組總成進一步包括一第一次級端子連接器及一第二次級端子連接器；且 該第一次級端子連接器在該等繞組之一開頭處附接至該第一次級繞組層且在該等繞組之一開頭處附接至該第二次級繞組層，並且該第二次級端子連接器不僅在該等繞組之一末尾處附接至該第一次級繞組層且亦在該等繞組之一末尾處附接至該第二次級繞組層。
  5. 如請求項4之轉換器電路，其中：該輔助繞組層包括在該線圈總成之該第一端處開始且延續至該線圈總成之該第二端之繞組；該輔助繞組總成進一步包括一第一輔助端子連接器、一第二輔助端子連接器及一第三輔助端子連接器；且該第一輔助端子連接器在該等繞組之一開頭處附接至該輔助繞組層，該第二輔助端子連接器在該等繞組之該開頭與該等繞組之一末尾之間附接至該輔助繞組層，且該第三輔助端子連接器在該等繞組之該末尾處附接至該輔助繞組層。
  6. 如請求項1之轉換器電路，其進一步包括安置於該初級繞組總成與該次級繞組總成之間的一平衡電容器。
  7. 如請求項6之轉換器電路，其中該平衡電容器在該平衡電容器之一第一側上連接至一初級接地且在該平衡電容器之一第二側上連接至一次級接地。
  8. 如請求項1之轉換器電路，其進一步包括一額外輔助繞組總成，該額 外輔助繞組總成包括配置於至少一個額外輔助繞組層中之一傳導介質，該至少一個額外輔助繞組層毗鄰於複數個初級繞組層中之一層且毗鄰於該第一次級繞組層而安置。
  9. 如請求項1之轉換器電路，其進一步包括圍繞該磁芯安置之一屏蔽結構。
  10. 如請求項9之轉換器電路，其中該屏蔽結構包括銅箔。
  11. 一種電力配接器，其包括：一整流器電路；及一轉換器電路，其包括：一磁芯；及一線圈總成，該線圈總成包含：一初級繞組總成，其包括配置於複數個初級繞組層中之一傳導介質，該複數個初級繞組層包括一第一初級繞組層、一第二初級繞組層及一第三初級繞組層；一次級繞組總成，其包括配置於複數個次級繞組層中之一傳導介質，該複數個次級繞組層包括一第一次級繞組層及一第二次級繞組層；及一輔助繞組總成，其包括配置於至少一個輔助繞組層中之一傳導介質，該至少一個輔助繞組層包括一輔助繞組層，該輔助繞組層毗鄰於該複數個初級繞組層中之一層且毗鄰於該複數 個次級繞組層中之一層而安置，其中：該第一次級繞組層毗鄰於該第一初級繞組層；該第一初級繞組層毗鄰於該第二次級繞組層；該第二次級繞組層毗鄰於該輔助繞組層；該輔助繞組層毗鄰於該第二初級繞組層；且該第二初級繞組層毗鄰於該第三初級繞組層。
  12. 如請求項11之電力配接器，其進一步包括安置於該輔助繞組層與該毗鄰初級繞組層之間的一第一絕緣層及安置於該輔助繞組層與該毗鄰次級繞組層之間的一第二絕緣層。
  13. 如請求項12之電力配接器，其中該第一絕緣層包括絕緣膠帶且該第二絕緣層包括絕緣膠帶。
  14. 如請求項11之電力配接器，其中：該第一初級繞組層包括在該線圈總成之一第一端處開始且延續至該線圈總成之一第二端之繞組，該第二初級繞組層包括在該線圈總成之該第二端處開始且延續至該線圈總成之該第一端之繞組，該第三初級繞組層包括在該線圈總成之該第一端處開始且延續至該線圈總成之該第二端之繞組；該初級繞組總成進一步包括一第一初級端子連接器及一第二初級端子連接器；該第一初級端子連接器在該等繞組之一開頭處附接至該第一初級繞 組層且該第二初級端子連接器在該等繞組之一末尾處附接至該第三初級繞組層；該第一次級繞組層包括在該線圈總成之該第一端處開始且延續至該線圈總成之該第二端之繞組，該第二次級繞組層包括在該線圈總成之該第一端處開始且延續至該線圈總成之該第二端之繞組；該次級繞組總成進一步包括一第一次級端子連接器及一第二次級端子連接器；該第一次級端子連接器在該等繞組之一開頭處附接至該第一次級繞組層且在該等繞組之一開頭處附接至該第二次級繞組層，並且該第二次級端子連接器不僅在該等繞組之一末尾處附接至該第一次級繞組層且亦在該等繞組之一末尾處附接至該第二次級繞組層；該輔助繞組層包括在該線圈總成之該第一端處開始且延續至該線圈總成之該第二端之繞組；該輔助繞組總成進一步包括一第一輔助端子連接器、一第二輔助端子連接器及一第三輔助端子連接器；且該第一輔助端子連接器在該等繞組之一開頭處附接至該輔助繞組層，該第二輔助端子連接器在該等繞組之該開頭與該等繞組之一末尾之間附接至該輔助繞組層，且該第三輔助端子連接器在該等繞組之該末尾處附接至該輔助繞組層。
  15. 如請求項11之電力配接器，其進一步包括一額外輔助繞組總成，該額外輔助繞組總成包括配置於至少一個額外輔助繞組層中之一傳導介質，該至少一個額外輔助繞組層毗鄰於該複數個初級繞組層中之一層且毗鄰於 該第一次級繞組層而安置。
  16. 一種用於共用模式雜訊減少之系統，該系統包括：一運算裝置，其包括：一處理裝置；一記憶體裝置；及一顯示裝置；以及一電力配接器，其包括：一整流器電路；及一轉換器電路，其包括：一磁芯；及一線圈總成，該線圈總成包含：一初級繞組總成，其包括配置於複數個初級繞組層中之一傳導介質，該複數個初級繞組層包括一第一初級繞組層、一第二初級繞組層及一第三初級繞組層；一次級繞組總成，其包括配置於複數個次級繞組層中之一傳導介質，該複數個次級繞組層包括一第一次級繞組層及一第二次級繞組層；一輔助繞組總成，其包括配置於至少一個輔助繞組層中之一傳導介質，該至少一個輔助繞組層包括一輔助繞組層，該輔助繞組層毗鄰於該複數個初級繞組層中之一層且毗鄰於該複數個次級繞組層中之一層而安置；及一額外輔助繞組總成，其包括配置於至少一個額外輔 助繞組層中之一傳導介質，該至少一個額外輔助繞組層安置於該線圈總成之外側處。
  17. 如請求項16之用於共用模式雜訊減少之系統，其中：該第一次級繞組層毗鄰於該第一初級繞組層；該第一初級繞組層毗鄰於該第二次級繞組層；該第二次級繞組層毗鄰於該輔助繞組層；該輔助繞組層毗鄰於該第二初級繞組層；且該第二初級繞組層毗鄰於該第三初級繞組層。
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