TWI692680B - 標記、疊對目標及對準與疊對之方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種標記，其包含經組態以散射入射輻射之一週期性結構，其中該週期性結構具有沿著一週期性方向劃分成鄰近的第一部分及第二部分之一重複單位單元，該第一部分具有一第一有效折射率及沿著該週期性方向之一第一長度，該第二部分具有相較於該第一有效折射率在其光學路徑上較低之一第二有效折射率及沿著該週期性方向之一第二長度，其中該等部分之該等有效折射率及長度經組態以提供：該單位單元在該週期性方向上之一光學路徑長度，其等於存在於該入射輻射之頻譜中的一波長之一整數倍；以及該第二部分在該週期性方向上之一光學路徑長度，其等於該波長之一整數倍的一半。

Description

標記、疊對目標及對準與疊對之方法
本發明係關於標記、疊對目標以及相關聯對準方法與判定可用於例如藉由微影技術製造裝置之疊對誤差的方法。
微影設備為經建構以將所要圖案施加至基板上之機器。微影設備可用於例如積體電路(IC)之製造中。微影設備可例如在圖案化裝置(例如，光罩)處將圖案(亦常常稱為「設計佈局」或「設計」)投影至提供於基板(例如，晶圓)上的一層輻射敏感材料(抗蝕劑)上。
為了將圖案投影於基板上，微影設備可使用電磁輻射。此輻射之波長判定可形成於基板上之特徵之最小大小。當前在使用中之典型波長為365 nm (i線)、248 nm、193 nm及13.5 nm。相比於使用例如具有193 nm之波長之輻射的微影設備，使用具有在4至20 nm之範圍內之波長(例如6.7 nm或13.5 nm)之極紫外(EUV)輻射的微影設備可用以在基板上形成較小特徵。
低k1微影可用以處理尺寸小於微影設備之經典解析度極限的特徵。在此製程中，可將解析度公式表達為CD = k1×λ/NA，其中λ為所使用輻射之波長，NA為微影設備中之投影光學件之數值孔徑，CD為「臨界尺寸」(通常為所印刷之最小特徵大小，但在此情況下為半間距)，且k1為經驗解析度因數。一般而言，k1愈小，在基板上再生類似於由電路設計者規劃之形狀及尺寸以便達成特定電功能性及效能的圖案變得愈困難。為了克服此等困難，可將複雜微調步驟應用於微影投影設備及/或設計佈局。此等步驟包括例如但不限於：NA之最佳化、自訂照射方案、使用相移圖案化裝置、設計佈局之各種最佳化，諸如設計佈局中之光學近接校正(optical proximity correction，OPC，有時亦被稱作「光學及製程校正」)，或通常被定義為「解析度增強技術」(resolution enhancement technique，RET)之其他方法。或者，用於控制微影設備之穩定性之嚴格控制迴路可用以改良在低k1下之圖案之再生。
圖案於基板上之準確置放為用於減小電路組件及可藉由微影產生之其他產品之大小的主要挑戰。詳言之，準確地量測基板上已經被放置之特徵的挑戰為能夠足夠準確地對準處於疊加之特徵之順次層而以高產率產生工作裝置的關鍵步驟。一般而言，在如今之亞微米半導體裝置中應在數十奈米內下至最臨界層中之幾奈米來達成疊對。
在微影製程中，需要頻繁地對所產生結構進行量測(例如)以用於製程控制及驗證。用於進行此等量測之各種工具為吾人所知，包括常常用以量測臨界尺寸(CD)之掃描電子顯微鏡，及用以量測疊對(量測裝置中之兩個層的對準準確度)之特殊化工具。最近，已開發用於微影領域中的各種形式之散射計。此等裝置將電磁輻射束引導至目標上，且量測所散射電磁輻射之一或多個特性(例如：單一反射角下隨波長而變之強度；一或多個波長下隨反射角而變之強度；或隨反射角而變之偏振)，以獲得可藉以判定目標之所關心特性的繞射「頻譜」。
習知對準標記由使入射輻射繞射之二元相位光柵組成。其依賴於在最佳光柵深度下藉由光柵之頂部與光柵之底部繞射之輻射的相長干涉。此光接著由對準感測器俘獲，且用以在晶圓上界定標記位置。在對準標記完全對稱的理想情形中，假定無晶圓變形，則對準位置偏差(APD)為零，從而導致最佳疊對。然而，由於諸如蝕刻、化學機械拋光(CMP)、退火、沈積、氧化等處理，真實對準標記以各種方式變形，從而常常導致預先並不知曉的不對稱性。所觀察到的典型不對稱性包括底板傾斜(FT)、頂部傾斜(TT)及側壁角度(SWA)。另外，由於處理之波動，對準標記之深度亦可圍繞標稱值改變。
在來自對準感測器之輻射與對準標記相互作用且繞射時，此類繞射輻射亦含有關於標記幾何形狀之資訊。因此，對於不對稱(變形)對準標記，感測器在晶圓上偵測到不同於真實位置之位置，即APD為非零。此引起疊對誤差，其取決於標記中誘發的不對稱性之類型及量值且亦取決於標記深度而為強的。
若預先或在考察研究之後知曉關於特定製程的效果之細節，則可使用對該製程期間之變形不太敏感之對準標記。然而，此類標記對於特定製程及半導體製造商為高度特異性的。標準方法包括藉由使用不同顏色執行對準，此係由於關於標記輪廓之資訊(含於繞射輻射中)在很大程度上取決於顏色，因此有可能識別針對特定標記變形最小化APD之顏色或顏色組合。然而，此類標記變形之波動橫越晶圓而存在，且在晶圓間改變。結果，甚至在使用多個顏色之情形中，疊對效能亦非最佳。另外，一些對準系統限於僅兩種顏色。
用來量測疊對誤差之疊對目標亦遭受相同的變形問題。此可導致經量測疊對誤差之不準確性。
需要具有對起因於製程誘發的變形的標記不對稱性不太敏感的標記及疊對目標。
根據本發明之第一態樣，提供一種形成於一平面基板上之標記，該標記包含經組態以散射入射於該標記之一表面平面上之輻射的一週期性結構，該表面平面平行於該基板之平面，其中該週期性結構具有沿著一週期性方向劃分成鄰近的第一部分及第二部分之一重複單位單元，該第一部分具有一第一有效折射率及沿著該週期性方向之一第一長度，該第二部分具有相較於該第一有效折射率在其光學路徑上較低之一第二有效折射率及沿著該週期性方向之一第二長度，其中該等部分之該等有效折射率及長度經組態以提供：該單位單元在該週期性方向上之一光學路徑長度，其等於存在於該輻射之頻譜中的一波長之一整數倍；以及該第二部分在該週期性方向上之一光學路徑長度，其等於存在於該輻射之該頻譜中的該波長之一整數倍的一半。
根據本發明之第二態樣，提供一種包含該第一態樣之該標記之基板。
根據本發明之第三態樣，提供一種包含根據該第一態樣之一下部標記的疊對目標，該下部標記與具有與該下部標記相同之一間距的一上部標記疊對。
根據本發明之第四態樣，提供一種包含該第三態樣之該疊對目標之基板。
根據本發明之第五態樣，提供一種對準方法，其包含以下步驟：提供形成於一平面基板上之一對準標記，該對準標記係根據該第一態樣；用輻射照射該對準標記；偵測起因於該照射而由該對準標記散射之該輻射；以及使用該所偵測輻射判定該對準標記之一位置。
根據本發明之第六態樣，提供一種判定一疊對誤差之方法，其包含以下步驟：提供形成於一平面基板上之一疊對目標，該疊對目標係根據該第三態樣；用輻射照射該疊對目標；偵測起因於該照射而由該對準標記散射之輻射；以及使用該所偵測輻射判定該上部標記與該下部標記之間的一疊對誤差。
根據本發明之第七態樣，提供一種用於設計一標記之方法，該標記包含經組態以散射入射於該標記之一表面平面上之輻射的一週期性結構，該表面平面平行於一基板之平面，其中該週期性結構具有沿著一週期性方向劃分成鄰近的第一部分及第二部分之一重複單位單元，該方法包含：判定該第一部分之一第一有效折射率及沿著該週期性方向之一第一長度；判定該第二部分之一第二有效折射率及沿著該週期性方向之一第二長度，其中該等部分之該等所判定之有效折射率及長度係基於：該單位單元在該週期性方向上之一光學路徑長度，其等於存在於該輻射之頻譜中的一波長之一整數倍；以及該第二部分在該週期性方向上之一光學路徑長度，其等於存在於該輻射之該頻譜中的該波長之一整數倍的一半。
根據本發明之第八態樣，提供一種用於選擇存在於入射至一基板上的一標記之一表面平面上的輻射之頻譜中的一波長之方法，該表面平面平行於該基板之平面，該標記包含具有沿著一週期性方向劃分成鄰近的第一部分及第二部分之一重複單位單元的一週期性結構，該方法包含：針對複數個波長獲得該單位單元在該週期性方向上之一光學路徑長度；針對複數個波長獲得該第二部分在該週期性方向上之一光學路徑長度；以及選擇使得該單位單元在該週期性方向上之該光學路徑長度等於該波長之一整數倍且該第二部分在該週期性方向上之該光學路徑長度等於該波長之一整數倍的一半之該波長。
相關申請案之交叉參考
本申請案主張2017年10月24日申請之EP申請案17197914.9及2018年5月2日申請之EP申請案18170352.1之優先權，該兩個EP申請案以全文引用之方式併入本文中。
1示意性地描繪微影設備LA。微影設備LA包括經組態以調節輻射束B (例如，UV輻射、DUV輻射或EUV輻射)之照射系統(亦稱為照射器) IL、經建構以支撐圖案化裝置(例如，光罩) MA且連接至經組態以根據特定參數準確地定位圖案化裝置MA之第一定位器PM的支撐結構(例如，光罩台) T、經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓) W且連接至經組態以根據特定參數準確地定位基板之第二定位器PW的基板台(例如，晶圓台) WT，及經組態以將藉由圖案化裝置MA賦予輻射束B之圖案投影至基板W之目標部分C (例如，包含一或多個晶粒)上之投影系統(例如，折射投影透鏡系統) PS。
在操作中，照射器IL例如經由射束遞送系統BD自輻射源SO接收輻射束。照射系統IL可包括用於導向、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件或其任何組合。照射器IL可用以調節輻射束B，以在圖案化裝置MA之平面處在其橫截面中具有所要空間及角強度分佈。
本文中所使用之術語「投影系統」PS應被廣泛地解譯為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的各種類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、合成、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用均與更一般術語「投影系統」PS同義。
微影設備可為以下類型：基板之至少一部分可由例如水之具有相對較高折射率之液體覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間，其亦稱為浸潤微影。以引用方式併入本文中之美國專利第6,952,253號及PCT公開案第WO99-49504號中給出關於浸潤技術之更多資訊。
微影設備LA亦可屬於具有兩個(雙載物台)或多於兩個基板台WT及例如兩個或更多個支撐結構T (未展示)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台/結構，或可對一或多個台進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於將圖案化裝置MA之設計佈局曝光至基板W上。
在操作中，輻射束B入射於固持在支撐結構(例如，光罩台T)上的圖案化裝置(例如，光罩MA)上，且由圖案化裝置MA圖案化。已遍歷光罩MA後，輻射束B通過投影系統PS，該投影系統PS將射束聚焦至基板W之目標部分C上。藉助於第二定位器PW及位置感測器IF (例如，干涉量測裝置、線性編碼器、2D編碼器或電容式感測器)，基板台WT可準確地移動，以便例如將不同目標部分C定位在輻射束B之路徑中。類似地，第一定位器PM及可能另一位置感測器(其未在圖1中明確地描繪)可用以相對於輻射束B之路徑準確地定位光罩MA。光罩MA與基板W可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2對準。儘管如所說明之基板對準標記佔用專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間中(此等基板對準標記被稱為切割道對準標記)。
本發明之實施例提供製作為二元光柵之新穎標記。此等使用表面模式之耦接及洩漏。提供對不對稱性不敏感之標記設計之通用框架。亦提供對深度變化不敏感之標記設計之通用框架。新穎標記設計僅需要一個單一波長以緩解製程誘發之標記不對稱性效應。另外，對準信號強度(晶圓品質WQ)可藉由調整標記之間距來簡單地調諧。標記簡化參考晶圓製造，從而提供晶圓間錯誤校正之「金」參考晶圓，此係由於其對製程誘發之標記不對稱性不敏感。
諸實施例提供對大多數類型之不對稱性(FT、SWA)不敏感的新穎類型的二元標記設計。其對深度變化不敏感，且因此對任何不對稱性(FT、SWA、TT)之處理波動不敏感。
在考慮新穎標記之前，將描述習知相位光柵(圖2)，且將描述振幅光柵之原理(圖3)及諧振之產生(圖4)。
圖2描繪習知相位光柵引起之繞射。波長λ之輻射200照射形成於平面基板212上之週期性結構210，其在此實例中為以橫截面展示之光柵。隆脊210之間的間隙形成向下延伸至基板212之深度d之溝槽。此(d)為標記深度。分別在光柵210之頂部與底部反射的經散射輻射204、206之間的干涉有助於實現最佳厚度d以產生經散射輻射202。因此經由調變反射波之相位而發生繞射。光柵引入波前之週期性調變。
圖3描繪振幅光柵引起之繞射。波長λ之輻射300照射光柵310。藉由在反射膜中具有週期性孔隙之光柵繞射的輻射302僅取決於週期Λ。反射膜等效於一組點源304。與相位光柵相比，經由調變反射波之振幅而非相位來發生繞射。與相位光柵相同，振幅光柵引入波前之週期性調變。
圖4描繪處於諧振範圍中之光柵。波長λ之輻射400照射光柵510。入射輻射400諧振地激發光柵平面中之逆向傳播波408。光柵本身引入所需之動量。
圖5描繪根據本發明之實施例之諧振振幅標記。標記形成於平面基板512上。該標記具有經組態以散射入射500於對準標記之表面平面506上的波長λ之輻射502的週期性結構。該表面平面506平行於基板之平面。散射主要由平行於該表面平面之週期性結構中的諧振模式508之激發引起。
該週期性結構具有沿著週期性方向(圖5之橫截面中自左至右)劃分成鄰近的第一部分510及第二部分504之重複單位單元。
第一部分510具有第一有效折射率(ns )及沿著週期性方向之第一長度(L1 )。第二部分504具有相較於第一有效折射率在其光學路徑上較低之第二有效折射率(nd )及沿著該週期性方向之第二長度(L2 )。
該等部分之有效折射率(ns 、nd )及長度(L1 、L2 )經組態以在週期性方向上提供單位單元之光學路徑長度(ns L1 +nd L2 )，其等於存在於輻射之頻譜中的波長之整數倍(mλ)。
入射輻射之波長可預先判定，使得其匹配諧振設計規則。或者，寬頻帶輻射可入射於標記上，且對準感測器頻率濾波器可隨後經調諧以選擇諧振模式波長。
該等部分之有效折射率(ns 、nd )及長度(L1 、L2 )亦經組態以在週期性方向上提供第二部分之光學路徑長度(nd L2 )，其等於存在於輻射之頻譜中的波長之整數倍的一半(kλ/2)。此等為使輻射波長匹配光柵材料邊界條件以便支援諧振之條件。
在此實例中，第二部分在週期性方向上之光學路徑長度(nd L2 )等於存在於輻射之頻譜中的波長之一半(λ/2)，因此在第二部分504中僅存在諧振模式之一個波腹，即k=1。在k＞1時，存在奇數個波腹，但偶數個波腹抵消，從而僅留下一個波腹，其促成散射，但效率降低。
標記形成於諸如晶圓W之平面基板上，如圖1中之P1 及P2 所描繪。
藉由標記繞射之輻射不含關於標記輪廓之資訊，而僅含關於標記在晶圓上之位置的資訊。該標記可稱為諧振振幅標記(RAM)。已選擇術語以強調此類RAM相對於基於相位光柵之傳統對準標記(如參考圖2所描述)之不同工作原理。「標記」與「光柵」可互換使用。光柵可為1維(1-D)光柵，如參考圖5之實例所描述，但本發明不限於1-D光柵。其可適用於具有有效折射率且在經組態以支援諧振之兩個週期性方向上皆具有長度之2-D光柵。
在此標記設計中，來自對準感測器之輻射在光柵平面中激發兩個逆向傳播波。此等兩個波在光柵平面中形成所謂的「駐波」，即諧振模式。如參考圖4所描述，此等兩個逆向傳播波並不經由標記深度傳播，而保持在標記表面處，且因此並不受標記深度影響。
此諧振模式有效地將光洩漏至光柵級中，如同任何其他類型之標記，且可以與習知標記相同之方式俘獲，且因此不需要新感測器設計。實際上，感測器不能夠辨別光來自RAM抑或習知標記，其優點為來自RAM之光不含關於標記輪廓之資訊，而僅含關於標記位置之資訊，此係由於諧振模式處於光柵平面中。有效地，在光柵級中繞射的光以週期性方式來自光柵表面上的局部點源(其輻射特性不取決於標記深度)的意義上，此標記充當振幅標記。此類似於在反射不透明膜中開出週期性狹縫之情形，如參考圖3所描述。
在適當設計的情況下，此使得標記對其下方之層堆疊的存在的敏感性小得多，且其亦可用作疊對目標(見圖17)或用於標記堆疊中(見圖16)。
為組態RAM，需要具有至諧振模式之高效耦接及模式在感測器平面中之高效洩漏。
此等可藉由使用以下設計規則來提供： 光柵單位單元之光學路徑等於波長之整數倍： nS L1 +nd L2 =mλ (1) 且低折射率材料(空間)之光學路徑等於波長之一半： nd L2 =kλ/2, (2) 其中L1 +L2 = Λ (間距)，且k為整數，較佳k=1。自此等兩個簡單設計規則，根據感測器規格(數值孔徑，NA)，不同間距可用於特定顏色。因此，對於固定波長λ，標記間距Λ之增大將導致較大工作循環。
圖6描繪類似於圖2中所展示之相位光柵的相位光柵之電場的模擬。光陰影表示較高電場強度(見圖右側之條)。
光柵之週期性結構內的場之最高強度見於Z位置(縱軸)處約0.2 µm之溝槽中。此模擬使用標記深度為0.3 µm、週期為2000 nm且遠紅外波長為850 nm之光柵。
圖7描繪類似於圖3中所展示之諧振振幅光柵的諧振振幅光柵之電場的模擬。光柵平面中激發的諧振模式(其為駐波)獨立於標記之深度而將經散射輻射洩漏至光柵級中。此係因為與光柵之週期性結構相關聯的場之最高強度見於Z位置(縱軸)處約0.4 µm之溝槽外部。該場對標記深度及溝槽不對稱性不敏感。此模擬使用標記深度為0.3 µm、週期為1942 nm且遠紅外波長為850 nm之光柵。
圖8描繪+1繞射級隨正規化光柵標記深度d/λ (縱軸)及光學路徑(水平軸線)而變的繞射效率圖。
在滿足條件(1)及(2)時，繞射效率(晶圓品質，WQ)獨立於標記之標記深度。m = ns L1 + L2 /λ = 4處之豎直光帶說明此點。在此實例中，nd = 1。
圖9描繪各別習知相位光柵與兩個諧振振幅光柵的在底板傾斜(FT)不對稱性存在下隨對準標記深度而變的對準位置偏差(APD)。圖9中之插圖說明底板傾斜不對稱性之形狀。在此情況下，底板傾斜自溝槽之一側至另一側為1 nm深度差。習知相位光柵具有3.2 µm間距，且其曲線圖具有正方形標記。諧振振幅光柵分別具有1.94及3.11 µm間距，且其曲線圖分別具有圓及三角形標記。波長為850 nm。
圖10描繪各別習知相位光柵與兩個諧振振幅光柵的在底板傾斜不對稱性存在下隨對準標記深度而變的晶圓品質(WQ)。
自圖9及圖10可看出，較之於習知相位光柵(具有正方形標記之曲線圖)，FT對APD之影響對於諧振振幅光柵(具有圓及三角形標記之曲線圖)為較小量值級。對於諧振振幅光柵(具有圓及三角形標記之曲線圖)，WQ仍足夠高以可容易地偵測(＞20%)。注意，在必要時，可藉由在方程式1中使用較小m來進一步增大WQ。此可藉由減小標記間距Λ及/或深入地對標記之隆脊(L1 )進行子波長子分段來進行，如參考圖15所描述。又，使用較小間距將允許使用較小標記，從而有利地節省切割道實際面積。
另外，對於APD及WQ兩者，如自工作原理所預期，在標記深度波動時未觀察到相依性。圖9中所展示之RAM之APD基本上為零(＜0.05 nm)，其獨立於標記深度。用於圖9及圖10之RAM經設計以在850 nm (遠紅外，FIR)下最佳地工作，但標記可經設計以用於諸如635 nm (紅色)之其他波長。
圖11描繪各別習知相位光柵與兩個諧振振幅光柵的在側壁角度不對稱性存在下隨對準標記深度而變的對準位置偏差(APD)。圖11中之插圖說明側壁角度不對稱性之形狀。在此情況下，側壁角度為1.1°。習知相位光柵具有3.2 µm間距，且其曲線圖具有正方形標記。諧振振幅光柵分別具有1.94及3.11 µm間距，且其曲線圖分別具有圓及三角形標記。波長為850 nm。
圖12說明各別習知相位光柵與兩個諧振振幅光柵的在側壁角度不對稱性存在下隨對準標記深度而變的晶圓品質(WQ)。
自圖11及圖12可看出，在相較於習知標記時，SWA對APD之影響對於RAM亦較小。儘管對於小標記深度，SWA之影響通常有限，對於RAM，APD隨標記深度而變之波動小得多。此在處理標記拓樸中誘發的波動之情境中變得至關重要。因此，亦在此情境中，RAM效能大於習知標記。
圖13描繪各別習知相位光柵與兩個諧振振幅光柵的在頂部傾斜不對稱性存在下隨對準標記深度而變的對準位置偏差(APD)。圖13中之插圖說明頂部傾斜不對稱性之形狀。在此情況下，頂部傾斜自溝槽之一側至另一側為1 nm高度差。習知相位光柵具有3.2 µm間距，且其曲線圖具有正方形標記。諧振振幅光柵分別具有1.94及3.11 µm間距，且其曲線圖分別具有圓及三角形標記。波長為850 nm。
圖14描繪各別習知相位光柵與兩個諧振振幅光柵的在頂部傾斜不對稱性存在下隨對準標記深度而變的晶圓品質(WQ)。
自圖13可看出，頂部傾斜之效應對於RAM為恆定、非零之APD。儘管效能不似FT及SWA之情形中那般清楚，但值得注意的是，不同於習知標記，APD不隨標記之深度而波動，且因此可容易地加以校正。
圖15描繪根據本發明之實施例之具有單位單元之子分段部分之諧振振幅光柵。與參考圖5描述之特徵相同的特徵具有相同附圖標號。第一部分1510經子分段以產生第一有效折射率ns 。在此實例中，第一部分藉由週期性子結構1511進行子分段，該週期性子結構具有經選擇以產生第一有效折射率ns 之工作循環。
在另一實施例(未展示)中，第二部分可經子分段以產生第二有效折射率nd 。第二部分可藉由週期性子結構進行子分段，該週期性子結構具有經選擇以產生第二有效折射率之工作循環。
圖16描繪根據本發明之實施例之在頂部與諧振振幅標記堆疊之標記。與參考圖5描述之特徵相同的特徵具有相同附圖標號。諧振振幅光柵510、504形成於平面基板512上的光柵1614、1616、1618之堆疊上的間層1612上。對於如參考圖16所描述的標記堆疊，RAM對位於下方的層中之其他對準標記之存在不太敏感，此係由於模式在光柵平面中傳播。此減小串擾，因此允許更穩健的讀出。此可節省切割道中之空間。
圖17描繪根據本發明之實施例之具有底部諧振振幅標記之疊對目標。與參考圖2描述之特徵相同的特徵具有相同附圖標號。
疊對目標具有諧振振幅標記，如具有形成於基板1712上之週期性結構1710、1704的下部標記，諸如參考圖5所描述。該標記具有經組態以散射入射200在對準標記之表面平面上的波長λ之輻射1702之週期性結構。
下部標記與上部標記疊對，該上部標記具有與下部標記相同之間距且包含在間層1704上之相位光柵週期性結構210。週期性結構210經組態以散射輻射202，而不在平行於輻射入射至之其表面平面的週期性結構中激發諧振模式。自此上部光柵之散射主要由自光柵之頂部與底部反射的輻射之間的干涉引起。上部相位光柵之附圖標記表示與參考圖2描述之相同特徵。
疊對目標形成於諸如晶圓W之平面基板上，如圖1中所描繪。此疊對目標對底部光柵不對稱性不敏感，此係因為其使用諧振振幅標記作為底部光柵。
圖18為根據本發明之實施例的對準方法之流程圖。該對準方法具有以下步驟。
1802 (MRK)：提供形成於平面基板上之對準標記。
1804 (ILL)：用預定波長之輻射照射對準標記。
1806 (DET)：偵測起因於照射而由對準標記散射之輻射。
1808 (APD)：使用該所偵測輻射判定對準標記(APD)之位置。
該對準標記具有經組態以散射入射於對準標記之表面平面上的輻射之週期性結構。該表面平面平行於基板之平面。散射主要由平行於該表面平面之鄰近週期性結構中的諧振模式之激發引起。
圖19為根據本發明之實施例之疊對誤差量測方法之流程圖。判定疊對誤差之方法具有以下步驟。
1802 (TGT)：提供形成於平面基板上之疊對目標。該疊對目標具有與具有與下部標記相同的間距之上部標記疊對之下部標記。該下部標記具有經組態以散射入射於下部標記之表面平面上的輻射之週期性結構。該表面平面平行於基板之平面。散射主要由其平行於其表面平面之鄰近週期性結構中的諧振模式之激發引起。該上部標記具有經組態以散射預定波長之輻射，而不在平行於輻射入射至之其表面平面的其鄰近週期性結構中激發諧振模式的週期性結構。
1904 (ILL)：用預定波長之輻射照射疊對目標。
1906 (DET)：偵測起因於照射而由疊對目標散射之輻射。
1908 (OV)：使用該所偵測輻射判定上部標記與下部標記之間的疊對誤差OV。
參看圖18及圖19，週期性結構具有沿著週期性方向劃分成鄰近的第一部分及第二部分之重複單位單元。第一部分具有第一有效折射率及沿著週期性方向之第一長度。第二部分具有相較於第一有效折射率在其光學路徑上較低之第二有效折射率及沿著該週期性方向之第二長度。該等部分之有效折射率及長度經組態以在週期性方向上提供單位單元之光學路徑長度，其等於存在於輻射之頻譜中的波長之整數倍。該等部分之有效折射率及長度經組態以在週期性方向上提供第二部分之光學路徑長度，其等於存在於輻射之頻譜中的波長之整數倍之一半。
較佳地，第二部分在週期性方向上之光學路徑長度等於存在於輻射之頻譜中的波長之一半。
第一部分可經子分段以產生第一有效折射率。 舉例而言，第一部分可藉由週期性子結構進行子分段，該週期性子結構具有經選擇以產生第一有效折射率之工作循環。
第二部分可經子分段以產生第二有效折射率。舉例而言，該第二部分可藉由週期性子結構進行子分段，該週期性子結構具有經選擇以產生第二有效折射率之工作循環。
如參考下文圖20至圖23所描述，該週期性結構可具有沿著週期性方向與重複單位單元序列交錯之第三部分，其中該第三部分具有第三有效折射率及沿著週期性方向長於第一長度之第三長度。在此情況下，該等部分之有效折射率及長度經組態以在週期性方向上提供為以下各者之總和的光學路徑長度：複數個第一部分；複數個第二部分；以及第三部分，其等於存在於輻射之頻譜中的波長之整數倍。
第三有效折射率通常等於第一有效折射率。第三部分可經子分段以產生第三有效折射率。第三部分可藉由週期性子結構進行子分段，該週期性子結構具有經選擇以產生第三有效折射率之工作循環。
如關於圖5所描述，對於RAM (諧振振幅標記)滿足以下條件。
單位單元之光學路徑等於波長之整數倍以高效耦接至諧振模式；且低折射率材料(溝槽)之光學路徑等於波長之一半以將模式高效洩漏至感測器平面中，其藉由兩個方程式界定： nS L1 +nd L2 =mλ nd L2 =λ/2
其中 L1 (L2 ) 為隆脊(溝槽)之寬度，ns (nd )為隆脊(溝槽)材料之繞射率，且m為整數(≥2)。標記之主間距為Λ = L1 +L2 。
結果，標記間距Λ與標記工作循環(DC)相關，其對於固定波長λ界定為L1 /Λ。然而，在實際對準標記應用中，RAM之DC高於75%。
可藉由減小標記間距Λ來增大RAM之DC。然而，減小的間距可能不與所利用的對準感測器之光學特性(例如，數值孔徑)相容。
大DC限制在標記設計期間使用RAM，此係由於諸如DC、間距及臨界尺寸(CD)之標記參數由於半導體製造過程容差及變化而受到限制。此外，經子分段之標記由半導體製造商廣泛地用以減小標記至裝置偏移。RAM之隆脊(L1)或溝槽(L2)之子分段將導致甚至更大之DC值。
在此實施例中，參考圖20至圖23，使用諧振振幅超波長子分段標記(RASSM)設計來解決上述工作循環相關問題，以擴展諧振振幅標記(RAM)(如參考圖5及圖15所描述)之使用，同時保持優點。超波長意謂沿著穿過單位單元之光學路徑(沿著L1 +L2 )的有效長度等於或大於波長。本文中使用超波長以與諸如參考圖15所描述的子波長子分段加以區分，其中子波長(及子解析度)子分段具有穿過經子分段單位單元的小於波長的光學路徑。
圖20中展示一實例。在此實例中，設計規則包括： 1) 超波長子分段溝槽之有效寬度等於波長之一半： nd L2 =λ/2； 2) 超波長子分段間距之有效寬度等於波長之整數倍： nS L1 +nd L2 =m1 λ，其中m1 ≥2；且 3) 主間距之有效寬度等於波長之整數倍： (Ng -1)nS L1 +Ng nd L2 +nS L3 =m2 λ，其中Ng -1≥1，Ng ≥2，且ns L3 ≥4.5λ， 其中Ng 為重複單位單元光柵中溝槽之數目，m2 為整數。標記之主間距Λ_m = (Ng -1)L1 + Ng L2 +L3 。主工作循環DC_m = L3 / Λ_m。超波長子分段間距Λ_swsubseg = L1 +L2 ，且超波長子分段工作循環為DC_swsubseg = L1 / Λ_swsubseg。
規則2)及3)導致高效耦接至諧振模式，而規則1)導致將模式高效洩漏於光柵平面中，類似於參考圖5及圖15描述之實施例。
圖20描繪根據本發明之實施例之諧振振幅標記。
標記形成於平面基板2012上。與圖5之標記相同，該標記具有經組態以散射入射於對準標記之表面平面上的波長λ之輻射的週期性結構。該表面平面平行於基板之平面。散射主要由平行於該表面平面之週期性結構中的諧振模式2008之激發引起。
該週期性結構具有沿著週期性方向(圖20之橫截面中自左至右)劃分成鄰近的第一部分2010及第二部分2004之重複單位單元。
第一部分2010具有第一有效折射率(ns )及沿著週期性方向之第一長度(L1 )。第二部分2004具有相較於第一有效折射率在沿著週期性方向之其光學路徑上較低之第二有效折射率(nd )及沿著週期性方向之第二長度(L2 )。
週期性結構亦具有沿著週期性方向與重複單位單元序列交錯之第三部分2014。該第三部分具有第三有效折射率及沿著週期性方向之長於第一長度(L1 )之第三長度(L3 )。在此實例中，第三有效折射率等於第一有效折射率(ns )。
第一部分及第二部分之有效折射率(ns 、nd )及長度(L1 、L2 )經組態以在週期性方向上提供單位單元之光學路徑長度(ns L1 +nd L2 )，其等於存在於輻射之頻譜中的波長之整數倍(m1 λ)。在此實例中，m1 = 2。該等部分之有效折射率(ns 、nd )及長度(L1 、L2 、L3 )進一步經組態以在週期性方向上提供為以下各者之總和的光學路徑長度：複數個第一部分；複數個第二部分；以及第三部分，其等於存在於輻射之頻譜中的波長之整數倍(m2 λ)。在此實例中，如下文展示，m2 =10。
因此，在圖20中所展示之實例中： Λ_m = (Ng -1)L1 + Ng L2 +L3 = 2 L1 + 3 L2 +L3 且代入Ng 3 (包含複數個重複單位單元之三個溝槽)且在ns L1 =3λ/2、nd L2 =λ/2且ns L3 =11λ/2的情況下，第三設計規則 (Ng -1)nS L1 +Ng nd L2 +nS L3 =m2 λ，變為 2 ns L1 + 3 nd L2 +ns L3 = 2x3λ/2+ 3xλ/2+11λ/2 = 10λ。 因此，m2 = 10。
入射輻射之波長可預先判定，使得其匹配諧振設計規則。或者，寬頻帶輻射可入射於標記上，且對準感測器頻率濾波器可隨後經調諧以選擇諧振模式波長。
在一實例中，入射輻射之波長可藉由調諧提供輻射之光源或組態光源與用於偵測輻射(在由標記散射之後)的感測器之間的光學路徑中之頻率濾波器來加以選擇。較佳波長可基於標記對製程誘發的標記變形之回應的預期不敏感性。在一實施例中，判定存在於入射至一基板上的一標記之一表面平面上的輻射之頻譜中的波長，該表面平面平行於該基板之平面，該標記包含具有沿著一週期性方向劃分成鄰近的第一部分及第二部分之一重複單位單元的一週期性結構，該判定係基於：針對該頻譜包含的波長之至少部分獲得該單位單元在該週期性方向上之一光學路徑長度；針對該頻譜包含的波長之至少部分獲得該第二部分在該週期性方向上之一光學路徑長度；以及選擇使得該單位單元在該週期性方向上之該光學路徑長度等於該波長之整數倍且該第二部分在該週期性方向上之該光學路徑長度等於該波長之整數倍的一半之該頻譜內包含的波長。
第一部分及第二部分之有效折射率(ns 、nd )及長度(L1 、L2 )亦經組態以在週期性方向上提供第二部分之光學路徑長度(nd L2 )，其等於存在於輻射之頻譜中的波長之整數倍的一半(kλ/2)。此等為使輻射波長匹配光柵材料邊界條件以便支援諧振之條件。
在此實例中，第二部分在週期性方向上之光學路徑長度(nd L2 )等於存在於輻射之頻譜中的波長之一半(λ/2)，因此在第二部分504中僅存在諧振模式之一個波腹，即k=1。在k＞1時，存在奇數個波腹，但偶數個波腹抵消，從而僅留下一個波腹，其促成散射，但效率降低。
以與參考圖15描述的相同方式，e部分可經子波長子分段以產生第三有效折射率。該第三部分可藉由週期性子結構進行子波長子分段，該週期性子結構具有經選擇以產生第三有效折射率之工作循環。
圖21描繪用於與圖20之諧振振幅標記進行比較之子波長子分段相位標記。標記形成於平面基板2112上。圖21中的各別隆脊2110及溝槽2104長度L1 及L2 小於圖20之彼等(2010及2004)。子分段具有穿過經子分段單位單元之小於波長之光學路徑，因此溝槽中不存在足夠空間以允許諧振。如同參考圖20描述之RASSM，圖21之週期性結構亦具有沿著週期性方向與重複單位單元序列交錯之具有長度L3 之第三部分2114。
圖22描繪圖20之諧振振幅超波長子分段標記(RASSM)及圖21之子波長子分段相位標記之隨對準標記深度而變的模擬對準位置偏差(APD)。分別對於RASSM 2202 (Λ_swsubseg = 0.773 µm)及具有標準子分段間距2204 (Λ_subseg = 0.246 µm)之標記展示在2 nm底板傾斜存在下隨標記之深度而變的APD。兩個標記之主間距(Λ_m = 3.25 μm)、主DC (DC_m = 39.31%)及子分段DC (DC_subseg = 45.04%)相同。波長對於TE偏振為850 nm。
圖23描繪圖20之諧振振幅超波長子分段標記(RASSM)及圖21之子波長子分段相位標記的隨對準標記深度而變的模擬晶圓品質(WQ)。分別對於RASSM 2302 (Λ_swsubseg = 0.773 µm)及具有標準子分段間距2304 (Λ_subseg = 0.246 µm)之標記展示在2 nm底板傾斜存在下隨標記之深度而變的WQ。兩個標記之主間距(Λ_m = 3.25 μm)、主DC (DC_m = 39.31%)及子分段DC (DC_subseg = DC_swsubseg = 45.04%)相同。波長對於TE偏振為850 nm。
如自圖22及圖23中所展示之模擬結果可看出，分別用於RASSM超波長子分段標記2202、2302之APD及WQ與具有相同主間距(Λ_m)、主DC (DC_m)及子分段DC (DC_subseg = DC_swsubseg)之標準子波長子分段標記2204、2304之APD及WQ進行比較。RASSM之APD較之於標準標記更穩定、變化較小，同時RASSM之晶圓品質(WQ)高得多。
圖20之RASSM已與具有較小超波長子分段DC但具有相同主間距、主DC及超波長子分段間距之另一標記進行比較。此意謂，對於另一標記，L2 增大，則L1 減小相同量。在此情況下，發現RASSM之APD及WQ兩者相較於具有較小超波長子分段DC之另一標記更穩定，且具有較小變化。此係因為並未達成設計規則，如nd L2 ＞λ/2。
基於標記之所提及設計規則，為確保對製程誘發的標記變形之標記回應的相對不敏感性，揭示設計此類標記之方法。在一實施例中，揭示一種用於設計一標記之方法，該標記包含經組態以散射入射於該標記之一表面平面上之輻射的一週期性結構，該表面平面平行於一基板之平面，其中該週期性結構具有沿著一週期性方向劃分成鄰近的第一部分及第二部分之一重複單位單元，該方法包含：判定該第一部分之一第一有效折射率及沿著該週期性方向之一第一長度；判定該第二部分之一第二有效折射率及沿著該週期性方向之一第二長度，其中該等部分之該等所判定之有效折射率及長度係基於：該單位單元在該週期性方向上之一光學路徑長度，其等於存在於該輻射之頻譜中的一波長之一整數倍；以及該第二部分在該週期性方向上之一光學路徑長度，其等於存在於該輻射之該頻譜中的該波長之一整數倍的一半。
先前實施例之方法可考慮到週期性結構之第一部分及第二部分之有效折射率取決於輻射之波長。舉例而言，在眾所周知，該第一部分及/或該第二部分中使用的特定材料之折射率明顯取決於橫越輻射頻譜內包含的波長之波長時，可能需要週期性結構之第一部分及第二部分之有效折射率取決於輻射之波長。
在另一實施例中，揭示一種電腦程式，該電腦程式經組態以根據先前實施例至少基於第一部分及第二部分之有效折射率以及用以照射標記之輻射之波長來提供標記之設計。該標記之設計包含週期性結構之第一部分之長度及第二部分之長度。
在另一實施例中，揭示一種電腦系統，該電腦系統經組態以執行先前實施例之電腦程式。
在此考察期間，亦已發現只要L2 不大於波長之一半，APD及WQ變化即為小的，但WQ隨L2 減小而減小。因此，設計規則1對於最佳RASSM設計仍有效。對於具有較大子分段DC之標記，APD效能與最佳化RASSM一樣好，而其WQ穩定但較低。原因在於，在L2 等於或小於波長之一半時，溝槽寬度對於入射電場進入而言亦為小的。此外，模式(mode或modi)自相鄰隆脊之洩漏並不耦接。結果，電場僅存在於溝槽外部，且對標記深度及標記不對稱性兩者皆不敏感。在子分段DC較大時，光柵材料之有效折射率對比度較小，結果，WQ減小。
圖20之RASSM可以與分別參考圖16及圖17所描述之相同方式分別用於堆疊光柵及疊對目標中。
本發明之實施例具有若干優點。對準及疊對量測方法較不複雜；僅需要一個單一波長用於對準目的，此係由於WQ及APD對於RAM並不隨標記深度而改變。
對準及疊對量測方法較為準確；在製程誘發不對稱性的情況下，尤其對於FT，為RAM獲得之APD極小；對於FT = 1 nm之典型值，APD小於0.5埃。
對準及疊對量測方法較快，在一時間僅可提供一種顏色的可調諧光源的情況下尤其如此。
標記及目標可用在用於晶圓間錯誤校正之金參考晶圓中，此係由於其對不對稱性不敏感。
存在對銅雙金屬鑲嵌類型結構之改良；RAM標記下方的層之存在對信號具有有限影響，因此允許更穩健的APD或OV讀出。
如參考圖17所描述，RAM可用作疊對目標之底部光柵，以減小標記下方之層影響疊對讀出信號之效應。
另外，本發明之實施例與較小標記相容。
參考圖20至圖23描述之RASSM實施例增大RAM標記設計之工作循環、間距及子分段之選擇性。與習知子分段標記相比，其亦提供更穩定的APD及WQ。與習知子分段標記相比，其對變化的標記深度較不敏感。此對於對準感測器設計引入更大自由度及選擇性。RASSM實施例擴展RAM之使用以適合於實際半導體製造過程容差及變化。
在以下編號實施例之清單中揭示其他實施例： 1. 一種形成於一平面基板上之標記，該標記包含經組態以散射入射於對準標記之一表面平面上之輻射的一週期性結構，該表面平面平行於該基板之平面，該散射主要由平行於該表面平面之該週期性結構中的一諧振模式之激發引起。 2. 如實施例1之標記，其中該週期性結構具有沿著一週期性方向劃分成鄰近的第一部分及第二部分之一重複單位單元， - 該第一部分具有一第一有效折射率及沿著該週期性方向之一第一長度， - 該第二部分具有相較於該第一有效折射率在其光學路徑上較低之一第二有效折射率及沿著該週期性方向之一第二長度， 其中該等部分之該等有效折射率及長度經組態以提供： - 該單位單元在該週期性方向上之一光學路徑長度，其等於存在於該輻射之頻譜中的一波長之一整數倍；以及 - 該第二部分在該週期性方向上之一光學路徑長度，其等於存在於該輻射之該頻譜中的該波長之一整數倍的一半。 3. 如實施例2之標記，其中該第二部分在該週期性方向上之該光學路徑長度等於存在於該輻射之該頻譜中的該波長之一半。 4. 如實施例2或3之標記，其中該第一部分經子分段以產生該第一有效折射率。 5. 如實施例4之標記，其中該第一部分藉由一週期性子結構進行子分段，該週期性子結構具有經選擇以產生該第一有效折射率之一工作循環。 6. 如實施例2至5中任一項之標記，其中該第二部分經子分段以產生該第二有效折射率。 7. 如實施例6之標記，其中該第二部分藉由一週期性子結構進行子分段，該週期性子結構具有經選擇以產生該第二有效折射率之一工作循環。 8. 如實施例2至7中任一項之標記，其中該週期性結構具有沿著該週期性方向與該等重複單位單元之序列交錯之一第三部分，其中 - 該第三部分具有一第三有效折射率及沿著該週期性方向之長於該第一長度之一第三長度，且 其中該等部分之該等有效折射率及長度經組態以提供： - 在該週期性方向上為以下各者之一總和的一光學路徑長度：複數個該第一部分；複數個該第二部分；以及該第三部分，其等於存在於該輻射之該頻譜中的一波長之一整數倍。 9. 如實施例8之標記，其中該第三有效折射率等於該第一有效折射率。 10. 如實施例8或實施例9之標記，其中該第三部分經子分段以產生該第三有效折射率。 11. 如實施例10之標記，其中該第三部分藉由一週期性子結構進行子分段，該週期性子結構具有經選擇以產生該第三有效折射率之一工作循環。 12. 一種基板，其包含任一先前實施例之標記。 13. 一種疊對目標，其包含根據實施例1至12中任一項之下部標記，該下部標記與一上部標記疊對，該上部標記具有與該下部標記相同之一間距且包含經組態以散射輻射而不在平行於該輻射入射至之其表面平面的一週期性結構中激發一諧振模式的該週期性結構。 14. 一種基板，其包含如實施例13之疊對目標。 15. 一種對準方法，其包含以下步驟： - 提供形成於一平面基板上之一對準標記，該對準標記包含經組態以散射入射於該對準標記之一表面平面上的輻射之一週期性結構，該表面平面平行於該基板之平面，該散射主要由平行於該表面平面之該週期性結構中之一諧振模式之激發引起。 - 用輻射照射該對準標記； - 偵測起因於該照射而由該對準標記散射之該輻射；以及 - 使用該所偵測輻射判定該對準標記之一位置。 16. 如實施例15之方法，其中該週期性結構具有沿著一週期性方向劃分成鄰近的第一部分及第二部分之一重複單位單元， - 該第一部分具有一第一有效折射率及沿著該週期性方向之一第一長度， - 該第二部分具有相較於該第一有效折射率在其光學路徑上較低之一第二有效折射率及沿著該週期性方向之一第二長度， 其中該等部分之該等有效折射率及長度經組態以提供： - 該單位單元在該週期性方向上之一光學路徑長度，其等於存在於該輻射之頻譜中的一波長之一整數倍，以及 - 該第二部分在該週期性方向上之一光學路徑長度，其等於存在於該輻射之該頻譜中的該波長之一整數倍的一半。 17. 如實施例15或實施例16之方法，其中該第二部分在該週期性方向上之該光學路徑長度等於存在於該輻射之該頻譜中的該波長之一半。 18. 如實施例15至17中任一項之方法，其中該第一部分經子分段以產生該第一有效折射率。 19. 如實施例18之方法，其中該第一部分藉由一週期性子結構進行子分段，該週期性子結構具有經選擇以產生該第一有效折射率之一工作循環。 20. 如實施例15至19中任一項之方法，其中該第二部分經子分段以產生該第二有效折射率。 21. 如實施例20之方法，其中該第二部分藉由一週期性子結構進行子分段，該週期性子結構具有經選擇以產生該第二有效折射率之一工作循環。 22. 如實施例15至21中任一項之方法，其中該週期性結構具有沿著該週期性方向與該等重複單位單元之序列交錯之一第三部分，其中 - 該第三部分具有一第三有效折射率及沿著該週期性方向之長於該第一長度之一第三長度，且 其中該等部分之該等有效折射率及長度經組態以提供： - 在該週期性方向上為以下各者之一總和的一光學路徑長度：複數個該第一部分；複數個該第二部分；以及該第三部分，其等於存在於該輻射之該頻譜中的一波長之一整數倍。 23. 如實施例22之方法，其中該第三有效折射率等於該第一有效折射率。 24. 如實施例22或實施例23之方法，其中該第三部分經子分段以產生該第三有效折射率。 25. 如實施例24之方法，其中該第三部分藉由一週期性子結構進行子分段，該週期性子結構具有經選擇以產生該第三有效折射率之一工作循環。 26. 一種判定一疊對誤差之方法，其包含以下步驟： - 提供形成於一平面基板上之一疊對目標，該疊對目標包含一下部標記，該下部標記與具有與該下部標記相同之一間距的一上部標記疊對，其中： - 該下部標記包含經組態以散射入射於該下部標記之一表面平面上的輻射之一週期性結構，該表面平面平行於該基板之平面，該散射主要由其平行於其表面平面之週期性結構中的一諧振模式之激發引起；且 - 該上部標記包含經組態以散射輻射，而不在平行於該輻射入射至之其表面平面的其週期性結構中激發一諧振模式的一週期性結構； - 用輻射照射該疊對目標； - 偵測起因於該照射而由該疊對目標散射之輻射；以及 - 使用該所偵測輻射判定該上部標記與該下部標記之間的一疊對誤差。 27. 如實施例26之方法，其中該週期性結構具有沿著一週期性方向劃分成鄰近的第一部分及第二部分之一重複單位單元， - 該第一部分具有一第一有效折射率及沿著該週期性方向之一第一長度， - 該第二部分具有相較於該第一有效折射率在其光學路徑上較低之一第二有效折射率及沿著該週期性方向之一第二長度， 其中該等部分之該等有效折射率及長度經組態以提供： - 該單位單元在該週期性方向上之一光學路徑長度，其等於存在於該輻射之頻譜中的一波長之一整數倍，以及 - 該第二部分在該週期性方向上之一光學路徑長度，其等於存在於該輻射之該頻譜中的該波長之一整數倍的一半。 28. 如實施例26或實施例27之方法，其中該第二部分在該週期性方向上之該光學路徑長度等於存在於該輻射之該頻譜中的該波長之一半。 29. 如實施例26至28中任一項之方法，其中該第一部分經子分段以產生該第一有效折射率。 30. 如實施例29之方法，其中該第一部分藉由一週期性子結構進行子分段，該週期性子結構具有經選擇以產生該第一有效折射率之一工作循環。 31. 如實施例26至30中任一項之方法，其中該第二部分經子分段以產生該第二有效折射率。 32. 如實施例31之方法，其中該第二部分藉由一週期性子結構進行子分段，該週期性子結構具有經選擇以產生該第二有效折射率之一工作循環。 33. 如實施例26至32中任一項之方法，其中該週期性結構具有沿著該週期性方向與該等重複單位單元之序列交錯之一第三部分，其中 - 該第三部分具有一第三有效折射率及沿著該週期性方向之長於該第一長度之一第三長度，且 其中該等部分之該等有效折射率及長度經組態以提供： - 在該週期性方向上為以下各者之一總和的一光學路徑長度：複數個該第一部分；複數個該第二部分；以及該第三部分，其等於存在於該輻射之該頻譜中的一波長之一整數倍。 34. 如實施例33之方法，其中該第三有效折射率等於該第一有效折射率。 35. 如實施例33或實施例34之方法，其中該第三部分經子分段以產生該第三有效折射率。 36. 如實施例35之方法，其中該第三部分藉由一週期性子結構進行子分段，該週期性子結構具有經選擇以產生該第三有效折射率之一工作循環。 37. 一種在一基板上之標記，其包含經組態以散射入射於該標記之一表面平面上的輻射之一結構，該散射主要由在平行於該表面平面之該結構中的一諧振模式之激發引起。 38. 一種基板，其包含任一先前實施例之標記。 39. 一種對準方法，其包含以下步驟： - 用輻射照射如實施例38之基板； - 偵測起因於該照射而由該標記散射之該輻射；以及 - 使用該所偵測輻射判定該標記之一位置。 40. 一種判定一疊對誤差之方法，其包含以下步驟： - 用輻射照射如實施例13之疊對目標； - 偵測起因於該照射而由該疊對目標散射之輻射；以及 - 使用該所偵測輻射判定該上部標記與該下部標記之間的一疊對誤差。 41. 一種形成於一平面基板上之標記，該標記包含經組態以散射入射於該標記之一表面平面上之輻射的一週期性結構，該表面平面平行於該基板之平面，其中該週期性結構具有沿著一週期性方向劃分成鄰近的第一部分及第二部分之一重複單位單元， - 該第一部分具有一第一有效折射率及沿著該週期性方向之一第一長度， - 該第二部分具有相較於該第一有效折射率在其光學路徑上較低之一第二有效折射率及沿著該週期性方向之一第二長度， 其中該等部分之該等有效折射率及長度經組態以提供： - 該單位單元在該週期性方向上之一光學路徑長度，其等於存在於該輻射之頻譜中的一波長之一整數倍；以及 - 該第二部分在該週期性方向上之一光學路徑長度，其等於存在於該輻射之該頻譜中的該波長之一整數倍的一半。 42. 一種形成於一平面基板上之標記，該標記包含經組態以散射入射於該標記之一表面平面上之輻射的一週期性結構，該表面平面平行於該基板之平面，其中該週期性結構具有沿著一週期性方向劃分成鄰近的第一部分及第二部分之一重複單位單元，其中： - 該單位單元在該週期性方向上之一光學路徑長度等於存在於該輻射之頻譜中的一波長之一整數倍；且 - 該第二部分在該週期性方向上之一光學路徑長度等於存在於該輻射之該頻譜中的該波長之一整數倍的一半。 43. 如實施例41之標記，其中該第二部分在該週期性方向上之該光學路徑長度等於存在於該輻射之該頻譜中的該波長之一半。 44. 如實施例41之標記，其中該第一部分經子分段以產生該第一有效折射率。 45. 如實施例41之標記，其中該第一部分藉由一週期性子結構進行子分段，該週期性子結構具有經選擇以產生該第一有效折射率之一工作循環。 46. 如實施例41之標記，其中該第二部分經子分段以產生該第二有效折射率。 47. 如實施例46之標記，其中該第二部分藉由一週期性子結構進行子分段，該週期性子結構具有經選擇以產生該第二有效折射率之一工作循環。 48. 如實施例41之標記，其中該週期性結構具有沿著該週期性方向與該等重複單位單元之序列交錯之一第三部分，其中 - 該第三部分具有一第三有效折射率及沿著該週期性方向之長於該第一長度之一第三長度，且 其中該等部分之該等有效折射率及長度經組態以提供： - 在該週期性方向上為以下各者之一總和的一光學路徑長度：複數個該第一部分；複數個該第二部分；以及該第三部分，其等於存在於該輻射之該頻譜中的一波長之一整數倍。 49. 一種疊對目標，其包含如實施例41之一下部標記，該下部標記與具有與該下部標記相同之一間距的一上部標記疊對。 50. 一種對準方法，其包含以下步驟： - 提供形成於一平面基板上之一對準標記，該對準標記係如實施例41； - 用輻射照射該對準標記； - 偵測起因於該照射而由該對準標記散射之該輻射；以及 - 使用該所偵測輻射判定該對準標記之一位置。 51. 一種判定一疊對誤差之方法，其包含以下步驟： - 提供形成於一平面基板上之一疊對目標，該疊對目標係如實施例49； - 用輻射照射該疊對目標； - 偵測起因於該照射而由該疊對目標散射之輻射；以及 - 使用該所偵測輻射判定該上部標記與該下部標記之間的一疊對誤差。 52. 一種基板，其包含任如實施例41或49之標記。 53. 一種用於設計一標記之方法，該標記包含經組態以散射入射於該標記之一表面平面上之輻射的一週期性結構，該表面平面平行於一基板之平面，其中該週期性結構具有沿著一週期性方向劃分成鄰近的第一部分及第二部分之一重複單位單元，該方法包含： - 判定該單位單元在該週期性方向上之一光學路徑長度，其等於存在於該輻射之頻譜中的一波長之一整數倍；以及 - 判定該第二部分在該週期性方向上之一光學路徑長度，其等於存在於該輻射之該頻譜中的該波長之一整數倍的一半。 54. 一種用於設計一標記之方法，該標記包含經組態以散射入射於該標記之一表面平面上之輻射的一週期性結構，該表面平面平行於一基板之平面，其中該週期性結構具有沿著一週期性方向劃分成鄰近的第一部分及第二部分之一重複單位單元，該方法包含： - 判定該第一部分之一第一有效折射率及沿著該週期性方向之一第一長度； - 判定該第二部分之一第二有效折射率及沿著該週期性方向之一第二長度， 其中該等部分之該等所判定有效折射率及長度係基於： - 該單位單元在該週期性方向上之一光學路徑長度，其等於存在於該輻射之頻譜中的一波長之一整數倍；以及 - 該第二部分在該週期性方向上之一光學路徑長度，其等於存在於該輻射之該頻譜中的該波長之一整數倍的一半。 55. 一種用於判定存在於入射於一基板上的一標記之一表面平面上的輻射之頻譜中的一波長之方法，該表面平面平行於該基板之平面，該標記包含具有沿著一週期性方向劃分成鄰近的第一部分及第二部分之一重複單位單元的一週期性結構，該方法包含： - 獲得該單位單元在該週期性方向上之一光學路徑長度； - 獲得該第二部分在該週期性方向上之一光學路徑長度；以及 - 判定使得該單位單元在該週期性方向上之該光學路徑長度等於該波長之一整數倍且該第二部分在該週期性方向上之該光學路徑長度等於該波長之一整數倍的一半之該波長。
儘管在本文中可特定地參考微影設備在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影設備可具有其他應用，諸如製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等。熟習此項技術者將瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文中對術語「晶圓」或「場」/「晶粒」之任何使用分別與更一般術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文中所提及之基板。在適用情況下，可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。此外，可將基板處理多於一次，(例如)以便產生多層IC，使得本文所使用之術語「基板」亦可指已經含有多個經處理層之基板。
儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例之使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如壓印微影)中，且在內容背景允許之情況下不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化裝置中之構形(topography)界定產生於基板上之圖案。可將圖案化裝置之構形壓入至被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑被固化之後，將圖案化裝置移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
本文中所使用的術語「輻射」及「束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外(UV)輻射(例如，具有為或約為365、248、193、157或126 nm之波長)及極紫外(EUV)輻射(例如，具有在5至20 nm的範圍內之波長)，以及粒子束，諸如離子束或電子束。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述方式不同之其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可呈含有描述如上文所揭示之方法的一或多個機器可讀指令序列的電腦程式或其中儲存有此類電腦程式之數據存儲媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)之形式。
以上描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。另外，應瞭解，本文中之任一實施例中所展示或描述的結構特徵或方法步驟亦可用於其他實施例中。
200‧‧‧輻射 202‧‧‧經散射輻射 204‧‧‧經散射輻射 206‧‧‧經散射輻射 210‧‧‧週期性結構/隆脊/光柵 212‧‧‧平面基板 300‧‧‧輻射 302‧‧‧輻射 304‧‧‧點源 310‧‧‧光柵 400‧‧‧輻射 408‧‧‧逆向傳播波 500‧‧‧入射 502‧‧‧輻射 504‧‧‧第二部分 506‧‧‧表面平面 508‧‧‧諧振模式 510‧‧‧光柵/第一部分 512‧‧‧平面基板 1510‧‧‧第一部分 1511‧‧‧週期性子結構 1612‧‧‧間層 1614‧‧‧光柵 1616‧‧‧光柵 1618‧‧‧光柵 1702‧‧‧輻射 1704‧‧‧週期性結構 1710‧‧‧週期性結構 1712‧‧‧基板 1802‧‧‧步驟 1804‧‧‧步驟 1806‧‧‧步驟 1808‧‧‧步驟 1902‧‧‧步驟 1904‧‧‧步驟 1906‧‧‧步驟 1908‧‧‧步驟 2004‧‧‧第二部分 2008‧‧‧諧振模式 2010‧‧‧第一部分 2012‧‧‧平面基板 2014‧‧‧第三部分 2104‧‧‧溝槽 2110‧‧‧隆脊 2112‧‧‧平面基板 2114‧‧‧第三部分 2202‧‧‧RASSM 2204‧‧‧標準子分段間距 2302‧‧‧RASSM 2304‧‧‧標準子分段間距 B‧‧‧輻射束 BD‧‧‧射束遞送系統 C‧‧‧目標部分 d‧‧‧深度 IF‧‧‧位置感測器 IL‧‧‧照射系統/照射器 L1‧‧‧第一長度 L2‧‧‧第二長度 L3‧‧‧第三長度 LA‧‧‧微影設備 MA‧‧‧圖案化裝置/光罩 M1‧‧‧光罩對準標記 M2‧‧‧光罩對準標記 ns‧‧‧第一有效折射率 nd‧‧‧第二有效折射率 P1‧‧‧基板對準標記 P2‧‧‧基板對準標記 PM‧‧‧第一定位器 PS‧‧‧投影系統 PW‧‧‧第二定位器 SO‧‧‧輻射源 T‧‧‧支撐結構/光罩台 W‧‧‧基板 WT‧‧‧基板台 λ‧‧‧波長 Λ‧‧‧週期
現將參看隨附示意性圖式僅藉助於實例來描述本發明之實施例，在隨附示意性圖式中： - 圖1描繪微影設備之示意性概述； - 圖2描繪習知相位光柵引起之繞射； - 圖3描繪振幅光柵引起之繞射； - 圖4描繪處於諧振範圍中之光柵； - 圖5描繪根據本發明之實施例之諧振振幅標記； - 圖6描繪類似於圖2中所展示之相位光柵的相位光柵之電場的模擬； 圖7描繪類似於圖5中所展示之諧振振幅光柵的諧振振幅光柵之電場的模擬； - 圖8描繪+1繞射級隨光柵標記深度及光學路徑而變的繞射效率圖； - 圖9描繪各別習知相位光柵與兩個諧振振幅光柵的在底板傾斜不對稱性存在下隨對準標記深度而變的對準位置偏差(APD)； - 圖10描繪各別習知相位光柵與兩個諧振振幅光柵的在底板傾斜不對稱性存在下隨對準標記深度而變的晶圓品質(WQ)； - 圖11描繪各別習知相位光柵與兩個諧振振幅光柵的在側壁角度不對稱性存在下隨對準標記深度而變的對準位置偏差(APD)； - 圖12描繪各別習知相位光柵與兩個諧振振幅光柵的在側壁角度不對稱性存在下隨對準標記深度而變的晶圓品質(WQ)； - 圖13描繪各別習知相位光柵與兩個諧振振幅光柵的在頂部傾斜不對稱性存在下隨對準標記深度而變的對準位置偏差(APD)； - 圖14描繪各別習知相位光柵與兩個諧振振幅光柵的在頂部傾斜不對稱性存在下隨對準標記深度而變的晶圓品質(WQ)； - 圖15描繪根據本發明之實施例之具有單位單元之子分段部分之諧振振幅光柵； - 圖16描繪根據本發明之實施例之在頂部與諧振振幅標記堆疊之標記； - 圖17描繪根據本發明之實施例之具有底部諧振振幅標記之疊對目標； - 圖18為根據本發明之實施例的對準方法之流程圖； - 圖19為根據本發明之實施例之疊對誤差量測方法之流程圖； - 圖20描繪根據本發明之實施例之超波長子分段諧振振幅標記； - 圖21描繪用於與圖20之超波長子分段諧振振幅標記進行比較之子波長子分段相位標記； - 圖22描繪圖20之超波長子分段諧振振幅標記及圖21之子波長子分段相位標記之隨對準標記深度而變的對準位置偏差(APD)；以及 - 圖23描繪圖20之超波長子分段諧振振幅標記及圖21之子波長子分段相位標記的隨對準標記深度而變的晶圓品質(WQ)。
500‧‧‧入射
502‧‧‧輻射
504‧‧‧第二部分
506‧‧‧表面平面
508‧‧‧諧振模式
510‧‧‧光柵/第一部分
512‧‧‧平面基板
L1‧‧‧第一長度
L2‧‧‧第二長度
ns‧‧‧第一有效折射率
nd‧‧‧第二有效折射率
λ‧‧‧波長
Λ‧‧‧週期

Claims (13)

  1. 一種形成於一平面基板上之標記，該標記包含經組態以散射入射於該標記之一表面平面上之輻射的一週期性結構，該表面平面平行於該基板之平面，其中該週期性結構具有沿著一週期性方向劃分成鄰近的第一部分及第二部分之一重複單位單元(unit cell)，該第一部分具有一第一有效折射率及沿著該週期性方向之一第一長度，該第二部分具有相較於該第一有效折射率在其光學路徑上較低之一第二有效折射率及沿著該週期性方向之一第二長度，其中該等部分之該等有效折射率及長度經組態以提供：該重複單位單元在該週期性方向上之一光學路徑長度，其等於存在於該輻射之頻譜(spectrum)中的一波長之一整數倍；以及該第二部分在該週期性方向上之一光學路徑長度，其等於存在於該輻射之該頻譜中的該波長之一整數倍的一半。
  2. 如請求項1之標記，其中該第二部分在該週期性方向上之一光學路徑長度等於存在於該輻射之該頻譜中的該波長之一半。
  3. 如請求項1之標記，其中該第一部分經子分段以產生該第一有效折射率。
  4. 如請求項1之標記，其中該第一部分藉由一週期性子結構進行子分 段，該週期性子結構具有經選擇以產生該第一有效折射率之一工作循環。
  5. 如請求項1之標記，其中該第二部分經子分段以產生該第二有效折射率。
  6. 如請求項5之標記，其中該第二部分藉由一週期性子結構進行子分段，該週期性子結構具有經選擇以產生該第二有效折射率之一工作循環。
  7. 如請求項1之標記，其中該週期性結構具有沿著該週期性方向與該等重複單位單元之序列交錯之一第三部分，其中該第三部分具有一第三有效折射率及沿著該週期性方向之長於該第一長度之一第三長度，且其中該等部分之該等有效折射率及長度經組態以提供：在該週期性方向上為以下各者之一總和的一光學路徑長度：複數個該第一部分；複數個該第二部分；以及該第三部分，其等於存在於該輻射之該頻譜中的一波長之一整數倍。
  8. 一種疊對目標，其包含如請求項1之標記之一下部標記，該下部標記與具有與該下部標記相同之一間距的該標記之一上部標記疊對。
  9. 一種對準方法，其包含以下步驟：提供形成於一平面基板上之一對準標記，該對準標記係如請求項1所述之標記； 用輻射照射該對準標記；偵測起因於該照射而由該對準標記散射之該輻射；以及使用該所偵測輻射判定該對準標記之一位置。
  10. 一種判定一疊對誤差之方法，其包含以下步驟：提供形成於一平面基板上之一如請求項8之疊對目標；用輻射照射該疊對目標；偵測起因於該照射而由該疊對目標散射之輻射；以及使用該所偵測輻射判定該上部標記與該下部標記之間的一疊對誤差。
  11. 一種基板，其包含如請求項1之標記或如請求項8之疊對目標。
  12. 一種用於設計一標記之方法，該標記包含經組態以散射入射於該標記之一表面平面上之輻射的一週期性結構，該表面平面平行於一基板之平面，其中該週期性結構具有沿著一週期性方向劃分成鄰近的第一部分及第二部分之一重複單位單元，該方法包含：判定該第一部分之一第一有效折射率及沿著該週期性方向之一第一長度；判定該第二部分之一第二有效折射率及沿著該週期性方向之一第二長度，其中該標記之該設計包含該等部分之該等所判定有效折射率及長度，其中該判定係基於： 朝向存在於該輻射之頻譜中的一波長之一整數倍調諧(tuning)該重複單位單元在該週期性方向上之一光學路徑長度；以及朝向存在於該輻射之該頻譜中的該波長之一整數倍的一半調諧該第二部分在該週期性方向上之一光學路徑長度。
  13. 一種用於選擇存在於入射至一基板上的一標記之一表面平面上的輻射之頻譜中的一波長之方法，該表面平面平行於該基板之平面，該標記包含具有沿著一週期性方向劃分成鄰近的第一部分及第二部分之一重複單位單元的一週期性結構，該方法包含：獲得該重複單位單元在該週期性方向上之一光學路徑長度；獲得該第二部分在該週期性方向上之一光學路徑長度；以及選擇該頻譜內包含之一波長，該波長使得該重複單位單元在該週期性方向上之該光學路徑長度等於該波長之一整數倍且該第二部分在該週期性方向上之該光學路徑長度等於該波長之一整數倍的一半。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220342315A1 (en) * 2019-07-08 2022-10-27 Asml Netherlands B.V. A lithographic apparatus
WO2021008794A1 (en) 2019-07-15 2021-01-21 Asml Netherlands B.V. Methods of alignment, overlay, configuration of marks, manufacturing of patterning devices and patterning the marks
EP3767394A1 (en) 2019-07-18 2021-01-20 ASML Netherlands B.V. Mark, overlay target, and methods of alignment and overlay
CN112612190B (zh) * 2020-12-16 2022-10-28 华虹半导体(无锡)有限公司 改善光刻工艺对位失败的方法
US11854854B2 (en) * 2021-07-23 2023-12-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for calibrating alignment of wafer and lithography system

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200617372A (en) * 2004-08-16 2006-06-01 Asml Netherlands Bv Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization
US20090310113A1 (en) * 2008-06-11 2009-12-17 Asml Netherlands B.V. Sub-segmented alignment mark arrangement

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6034378A (en) * 1995-02-01 2000-03-07 Nikon Corporation Method of detecting position of mark on substrate, position detection apparatus using this method, and exposure apparatus using this position detection apparatus
AU2747999A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
TWI232357B (en) 2002-11-12 2005-05-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20040228236A1 (en) * 2003-05-13 2004-11-18 Sharp Kabushiki Kaisha Optical pickup device
EP1496521A1 (en) * 2003-07-09 2005-01-12 ASML Netherlands B.V. Mirror and lithographic apparatus with mirror
US7863763B2 (en) * 2005-11-22 2011-01-04 Asml Netherlands B.V. Binary sinusoidal sub-wavelength gratings as alignment marks
CN108027313B (zh) * 2015-08-26 2021-01-29 光子系统有限责任公司 谐振周期性结构以及使用它们作为滤光器和传感器的方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200617372A (en) * 2004-08-16 2006-06-01 Asml Netherlands Bv Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization
US20090310113A1 (en) * 2008-06-11 2009-12-17 Asml Netherlands B.V. Sub-segmented alignment mark arrangement

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