TWI688832B

TWI688832B - 精細金屬遮罩的製法

Info

Publication number: TWI688832B
Application number: TW107129192A
Authority: TW
Inventors: 石清堉
Original assignee: 鋆洤科技股份有限公司
Priority date: 2018-08-22
Filing date: 2018-08-22
Publication date: 2020-03-21
Also published as: TW202009606A

Abstract

一種精細金屬遮罩的製法包括：濺鍍形成金屬層於玻璃基板上、形成第一圖案化光阻層於金屬層上、電鑄形成電鑄層於金屬層的第一金屬表面上、移除第一圖案化光阻層、形成第二圖案化光阻層於電鑄層的第一電鑄表面及金屬層的第二金屬表面上、蝕刻電鑄層的第二電鑄表面以得到經蝕刻的第二電鑄表面、以及移除第二圖案化光阻層、金屬層及玻璃基板以獲得精細金屬遮罩。一種精細金屬遮罩的製造系統包括鄰接的濺鍍設備、第一圖案化光阻成形設備、電鑄設備、第一去光阻機、第二圖案化光阻成形設備、蝕刻機以及末端處理設備。

Description

精細金屬遮罩的製法

本發明是關於一種精細金屬遮罩的製法及其製造系統。

有機發光二極體(Organic Light-Emitting Diode,OLED)因具有自發光、廣視角、省電、高效率、反應時間及輕薄等優點，而被廣泛的應用於電子書、行動電話及顯示器等商品中。OLED包括玻璃基板、有機發光材料層及電極層，有機發光材料層配置於玻璃基板上，電極層配置於有機發光材料層上。其中，有機發光材料層是以蒸鍍的方式形成於玻璃基板上，而蒸鍍時使用的精細金屬遮罩的遮罩圖案不僅決定了有機發光材料層於玻璃基板上的配置位置，還決定了有機發光材料層的尺寸、精細度等，進而影響到OLED顯示器的像素高低。

為提高OLED顯示器的像素，習知技術於蒸鍍製程中使用精細金屬遮罩(Fine Metal Mask,FMM)形成有機發光材料層。習知技術的精細金屬遮罩的製造方式分為蝕刻法及電鑄法。蝕刻法需選用可腐蝕的金屬材料作為遮罩材料，遮罩圖案的孔徑尺寸須注意不可小於遮罩厚度，孔徑精度僅能達到約10μm至20μm且形狀難以控制，遮罩厚度須配合孔徑尺寸而不可過薄，遮罩圖案的蒸鍍側開口部可具有較大的斜率但精度不佳(難以準確控制斜率)，且材料成本價格受限於少數供應商而昂貴。相較於蝕刻法而言，電鑄法不受限於使用可腐蝕的金屬材料作為遮罩材料，遮罩圖案的孔徑尺寸也可依需求調整而可達到奈米等級，孔徑精度亦可達到約1μm至2μm，遮罩厚度不受限於孔徑尺寸而可依需求選擇，且材料成本價格不受限於供應商而較為便宜，但遮罩圖案的蒸鍍側開口部根本無法具有較大的斜率。

由上述可見，就遮罩圖案的孔徑尺寸、孔徑精度、遮罩厚度及材料成本等方面之考量下，電鑄法雖然較蝕刻法較具有優勢，但就遮罩圖案的蒸鍍側開口部的斜率而言，電鑄法與蝕刻法兩者尚無法兼顧大斜率與精度。

本發明提供一種精細金屬遮罩的製法及其製造系統，目的在於同時達到於遮罩圖案的孔徑尺寸、遮罩厚度的選擇上較有彈性、孔徑精度高、材料成本低，以及兼顧蒸鍍側開口部的大斜率與高精度的特點。

本發明所提供的精細金屬遮罩的製法包括：濺鍍形成金屬層於玻璃基板上；形成第一圖案化光阻層於金屬層上，第一圖案化光阻層暴露出金屬層的第一金屬表面；電鑄形成電鑄層於第一金屬表面上，電鑄層具有第一電鑄表面、第二電鑄表面及第三電鑄表面，第二電鑄表面連接第一電鑄表面與第三電鑄表面，第三電鑄表面與第一金屬表面相接；移除第一圖案化光阻層；形成第二圖案化光阻層於第一電鑄表面及金屬層的第二金屬表面上，第二圖案化光阻層暴露出第二電鑄表面及金屬層的第三金屬表面，第三金屬表面連接第一金屬表面及第二金屬表面，且鄰接於第二電鑄表面；蝕刻第二電鑄表面，以得到經蝕刻的第二電鑄表面；以及移除第二圖案化光阻層、金屬層及玻璃基板，以獲得精細金屬遮罩，精細金屬遮罩包括第一電鑄表面、經蝕刻的第二電鑄表面、第三電鑄表面以及遮罩圖案，經蝕刻的第二電鑄表面連接遮罩圖案，且遮罩圖案具有鄰接於第一電鑄表面的第一開口部以及鄰接於第三電鑄表面的第二開口部。

在本發明的一實施例中，上述之形成第一圖案化光阻層於金屬層上的步驟更包括：配置第一光阻層於金屬層上；以及，以微影技術將第一光罩的第一遮罩圖案轉移至第一光阻層上，以獲得第一圖案化光阻層。

在本發明的一實施例中，上述之形成第二圖案化光阻層於第一電鑄表面及金屬層的第二金屬表面上的步驟更包括：配置第二光阻層於第一電鑄表面、第二電鑄表面、第二金屬表面及第三金屬表面上；以及，以微影技術將第二光罩的第二遮罩圖案轉移至第二光阻層上，以獲得第二圖案化光阻層。

在本發明的一實施例中，上述之形成第二圖案化光阻層於第一電鑄表面及金屬層的第二金屬表面上的步驟中，第二圖案化光阻層暴露出第一電鑄表面的端部、第二電鑄表面及金屬層的第三金屬表面，且端部連接第二電鑄表面。蝕刻第二電鑄表面，以得到經蝕刻的第二電鑄表面的步驟，更包括：蝕刻端部及第二電鑄表面，以得到經蝕刻的第一電鑄表面及經蝕刻的第二電鑄表面。於移除第二圖案化光阻層、金屬層及玻璃基板，以獲得精細金屬遮罩的步驟中，精細金屬遮罩包括經蝕刻的第一電鑄表面、經蝕刻的第二電鑄表面、第三電鑄表面以及遮罩圖案，遮罩圖案的第一開口部是鄰接於經蝕刻的第一電鑄表面，且第一開口部大於該第二開口部。

在本發明的一實施例中，上述之電鑄層的材料是選自於下列構成的群組：鐵、鈷、鎳及上述至少兩者的合金。

本發明所提供的精細金屬遮罩的製造系統包括濺鍍設備、第一圖案化光阻成形設備、電鑄設備、第一去光阻機、第二圖案化光阻成形設備、蝕刻機以及末端處理設備。濺鍍設備適於對玻璃基板濺鍍以形成金屬層於玻璃基板上。第一圖案化光阻成形設備鄰接於濺鍍設備，適於在金屬層上形成第一圖案化光阻。電鑄設備鄰接於該第一圖案化光阻成形設備，適於對第一金屬表面電鑄並形成電鑄層於第一金屬表面上。第一去光阻機鄰接於電鑄設備，適於從金屬層上移除第一圖案化光阻層。第二圖案化光阻成形設備鄰接於第一去光阻機，適於在第一電鑄表面及金屬層的第二金屬表面上形成第二圖案化光阻層。蝕刻機鄰接於第二圖案化光阻成形設備，適於對第二電鑄表面蝕刻，並得到經蝕刻的第二電鑄表面。末端處理設備鄰接於蝕刻機，適於由電鑄層及金屬層上移除第二圖案化光阻層，並將金屬層及玻璃基板移除，而獲得精細金屬遮罩。

在本發明的一實施例中，上述之第一圖案化光阻成形設備更包括第一光阻塗佈機及第一微影設備。第一光阻塗佈機適於配置第一光阻層於金屬層上。第一微影設備鄰接於第一光阻塗佈機，適於將第一光罩的第一遮罩圖案轉移至第一光阻層上，以獲得第一圖案化光阻層。且電鑄設備鄰接於第一微影設備。

在本發明的一實施例中，上述之第二圖案化光阻成形設備更包括第二光阻塗佈機及第二微影設備。第二光阻塗佈機適於配置第二光阻層於第一電鑄表面、第二電鑄表面、第二金屬表面及第三金屬表面上。第二微影設備鄰接於第二光阻塗佈機，適於將第二光罩的第二遮罩圖案轉移至第二光阻層上，以獲得第二圖案化光阻層，且蝕刻設備鄰接於第二微影設備。

在本發明的一實施例中，上述之第二圖案化光阻層暴露出第一電鑄表面的端部、第二電鑄表面及金屬層的第三金屬表面，且端部連接第二電鑄表面。蝕刻機適於蝕刻端部及第二電鑄表面，以得到經蝕刻的第一電鑄表面及經蝕刻的第二電鑄表面。精細金屬遮罩包括經蝕刻的第一電鑄表面、經蝕刻的第二電鑄表面、第三電鑄表面以及遮罩圖案，遮罩圖案的第一開口部是鄰接於經蝕刻的第一電鑄表面，且第一開口部大於第二開口部。

本發明的精細金屬遮罩的製法及製造系統中，由於是先形成電鑄層，再蝕刻電鑄層，來得到精細金屬遮罩，故本發明的精細金屬遮罩的製法及製造系統可同時達到於遮罩圖案的孔徑尺寸、遮罩厚度的選擇上較有彈性、孔徑精度高、材料成本低，以及兼顧蒸鍍側開口部(第一開口部)的大斜率與高精度的特點。

為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。

S100、S110、S111、S112、S120、S130、S140、S141、S142、S150、S160:步驟

100:金屬層

110:第一金屬表面

120:第二金屬表面

130:第三金屬表面

200:玻璃基板

300:第一圖案化光阻層

300a:第一光阻層

400:電鑄層

410:第一電鑄表面

411:端部

420:第二電鑄表面

420a:經蝕刻的第二電鑄表面

430:第三電鑄表面

500:第二圖案化光阻層

500a:第二光阻層

600:精細金屬遮罩

610:遮罩圖案

611:第一開口部

612:第二開口部

700:第一光罩

710:第一光罩圖案

720:第一曝光光束

800:第二光罩

810:第二光罩圖案

820:第二曝光光束

900:製造系統

910:濺鍍設備

920:第一圖案化光阻成形設備

921:第一光阻塗佈機

922:第一微影設備

930:電鑄設備

940:第一去光阻機

950:第二圖案化光阻成形設備

951:第二光阻塗佈機

952:第二微影設備

960:蝕刻機

970:末端處理設備

圖1為本發明一實施例的精細金屬遮罩的製法的流程圖；圖2A為對應於圖1中步驟S100的示意圖；圖2B為對應於圖1中步驟S110的示意圖；圖2C為對應於圖1中步驟S120的示意圖；圖2D為對應於圖1中步驟S130的示意圖；圖2E為對應於圖1中步驟S140的示意圖；圖2F為對應於圖1中步驟S150的示意圖；圖2G為對應於圖1中步驟S160的示意圖；圖3為圖1的精細金屬遮罩的製法的步驟S110的流程圖；圖4A為對應於圖3中步驟S111的示意圖；圖4B為對應於圖3中步驟S112的示意圖；圖5為圖1的精細金屬遮罩的製法的步驟S140的流程圖；圖6A為對應於圖5中步驟S141的示意圖；圖6B為對應於圖5中步驟S142的示意圖；以及圖7為本發明一實施例的精細金屬遮罩的製造系統的方塊示意圖。

圖1為本發明一實施例的精細金屬遮罩的製法的流程圖。請參考圖1，本實施例的精細金屬遮罩的製法包括：步驟S100：濺鍍形成金屬層於玻璃基板上；步驟S110：形成第一圖案化光阻層於金屬層上；步驟S120：電鑄形成電鑄層於金屬層的第一金屬表面上；步驟S130：移除第一圖案化光阻層；步驟S140：形成第二圖案化光阻層於電鑄層的第一電鑄表面及金屬層的第二金屬表面上；步驟S150：蝕刻電鑄層的第二電鑄表面，以得到經蝕刻的第二電鑄表面；以及步驟S160：移除第二圖案化光阻層、金屬層及玻璃基板，以獲得精細金屬遮罩。

圖2A至2G為對應於圖1中步驟S100至S160的示意圖。請參考圖1及圖2A，於步驟S100中，金屬層100以濺鍍的方式形成於玻璃基板200上，金屬層100的材料例如可為但不限於銅、鉑、金及銀等導電金屬，玻璃基板200之材料例如可為但不限於氟氧化錫、氧化銦錫或矽。其中，金屬層100可藉由直流濺鍍、射頻濺鍍或三極濺鍍等濺鍍方式形成於玻璃基板200上，本發明對濺鍍方式不予以限制。

請參考圖1及圖2B，於步驟S110中，第一圖案化光阻層300形成於金屬層100上，且第一圖案化光阻層300暴露出金屬層100的第一金屬表面110；於本實施例中，第一圖案化光阻層300為乾膜光阻，但不以此為限；於其他實施例中，第一圖案化光阻層300亦可為濕膜光阻。此外，於本實施例中，第一圖案化光阻層300為正光阻，但不以此為限，於其他實施例中，第一圖案化光阻層300也可以是負光阻。

請參考圖1及圖2C，於步驟S120中，電鑄層400以電鑄的方式形成於第一金屬表面110上，電鑄層400具有第一電鑄表面410、第二電鑄表面420及第三電鑄表面430，第二電鑄表面420連接第一電鑄表面410與第三電鑄表面430，且第三電鑄表面430與第一金屬表面110相接。電鑄層400的材料例如可為鐵、鈷、鎳或上述至少兩者的合金。

請參考圖1及圖2D，於步驟S130中，可使用相應的第一去光阻劑將第一圖案化光阻層300由金屬層100上移除。

請參考圖1及圖2E，於步驟S140中，第二圖案化光阻層500形成於第一電鑄表面410及金屬層100的第二金屬表面120上。第二圖案化光阻層500暴露出第二電鑄表面420及金屬層100的第三金屬表面130，第三金屬表面130連接第一金屬表面110及第二金屬表面120，且第三金屬表面130鄰接於第二電鑄表面420。於本實施例中，第二圖案化光阻層500為乾膜光阻，但不以此為限；於其他實施例中，第二圖案化光阻層500亦可為濕膜光阻。此外，於本實施例中，第二圖案化光阻層500為正光阻，但不以此為限，於其他實施例中，第二圖案化光阻層500也可以是負光阻。

請參考圖1及圖2F，於步驟S150中，第二電鑄表面420被蝕刻，並得到經蝕刻的第二電鑄表面420a。於本實施例中，可以濕式蝕刻的方式對第二電鑄表面420進行蝕刻，但不以此為限；於其他實施例中，也可以乾式蝕刻的方式得到經蝕刻的第二電鑄表面420a。

請參考圖1及圖2G，於步驟S160中，將第二圖案化光阻層500、金屬層100及玻璃基板200移除後，即獲得精細金屬遮罩600。精細金屬遮罩600包括第一電鑄表面410、經蝕刻的第二電鑄表面420a、第三電鑄表面430以及遮罩圖案610，遮罩圖案610之位置即對應第二金屬表面120及第三金屬表面130(請進一步參考圖2E)，經蝕刻的第二電鑄表面420a連接遮罩圖案610，遮罩圖案610具有鄰接於第一電鑄表面410的第一開口部611以及鄰接於第三電鑄表面430的第二開口部612。遮罩圖案610例如可為矩形、菱形、圓形、多邊形等規則形狀，但也可以為不規則形狀。

圖3為圖1的精細金屬遮罩的製法的步驟S110的流程圖。請參考圖1及3，步驟S110包括：步驟S111：配置第一光阻層於金屬層上；步驟S112：以微影技術將第一光罩的第一遮罩圖案轉移至第一光阻層上，以獲得第一圖案化光阻層。

圖4A至4B為對應於圖3中步驟S111至S112的示意圖。請參考圖3及圖4A，於步驟S111中，第一光阻層300a被配置於金屬層100上，第一光阻層300a為乾膜光阻，且第一光阻層300a為正光阻。但於其他實施例中，第一光阻層300a亦可為濕膜光阻，也可以是負光阻。請參考圖3及圖4B，於步驟S112中，具有第一光罩圖案710的第一光罩700被配置於第一光阻層300a上，第一曝光光束720由第一光罩700遠離第一光阻層300a的一側照射於第一光罩700上，且第一曝光光束720經由第一光罩圖案710照射於第一光阻層300a上；然後，將第一曝光光束720及第一光罩700移除並令經照射的第一光阻層300a顯影，而獲得如圖2B中所示的第一圖案化光阻層300。

圖5為圖1的精細金屬遮罩的製法的步驟S140的流程圖。請參考圖1及5，步驟S140包括：步驟S141：配置第二光阻層於第一電鑄表面及金屬層的第二金屬表面上；步驟S142：以微影技術將第二光罩的第二遮罩圖案轉移至第二光阻層上，以獲得第二圖案化光阻層。

圖6A至6B為對應於圖5中步驟S141至S142的示意圖。請參考圖5及圖6A，於步驟S141中，第二光阻層500a覆蓋於第一電鑄表面410、第二電鑄表面420、金屬層100的第二金屬表面120及金屬層100的第三金屬表面130上，第二光阻層500a為乾膜光阻，且第二光阻層500a為正光阻。但於其他實施例中，第二光阻層500a亦可為濕膜光阻，也可以是負光阻。請參考圖5及圖6B，於步驟S112中，具有第二光罩圖案810的第二光罩800被配置於第二光阻層500a上，第二曝光光束820由第二光罩800遠離第二光阻層500a的一側照射於第二光罩800上，且第二曝光光束820經由第二光罩圖案810照射於第二光阻層500a上；然後，將第二曝光光束820及第二光罩800移除並令經照射的第二光阻層500a顯影，而獲得如圖2E中所示的第二圖案化光阻層500。

請參考圖1、2E、2F及2G，於步驟S140中，第二圖案化光阻層500還可同時暴露出第一電鑄表面410的端部411、第二電鑄表面420及金屬層100的第三金屬表面130，其中，端部411連接第二電鑄表面420；於步驟S150中，端部411及第二電鑄表面420被蝕刻，得到經蝕刻的第一電鑄表面410a及經蝕刻的第二電鑄表面420a；於步驟S160中，精細金屬遮罩600包括經蝕刻的第一電鑄表面410a、經蝕刻的第二電鑄表面420a、第三電鑄表面430以及遮罩圖案610，且遮罩圖案610的第一開口部611是鄰接於經蝕刻的第一電鑄表面410a，且第一開口部611大於第二開口部612。

於本實施例的精細金屬遮罩的製法中，由於是先以S120形成電鑄層400，再配合步驟S150蝕刻電鑄層400，來得到本實施例的精細金屬遮罩600，即先以電鑄的方式獲得本實施例的精細金屬遮罩的雛形(電鑄層400)，再以步驟S150之蝕刻對所述雛形進行修飾，故本實施例的精細金屬遮罩的製法所得到的精細金屬遮罩600，其遮罩圖案610的第一開口部611不但能夠依需求具有大斜率還可具有高精度的特點。同時，本實施例的精細金屬遮罩的製法中，不但遮罩圖案610的孔徑尺寸及厚度可依需求調整而較有彈性，孔徑精度亦可達到約1μm至2μm，且材料成本價格不受限於供應商而較為便宜。

圖7為本發明一實施例的精細金屬遮罩的製造系統的方塊示意圖。請參考圖7，本實施例的精細金屬遮罩的製造系統900包括濺鍍設備910、第一圖案化光阻成形設備920、電鑄設備930、第一去光阻機940、第二圖案化光阻成形設備950、蝕刻機960，以及末端處理設備。請參考圖1、2A至2F及7，濺鍍設備910適於對玻璃基板200濺鍍以形成金屬層100於玻璃基板200上。第一圖案化光阻成形設備920鄰接於濺鍍設備910，適於在金屬層100上形成第一圖案化光阻層300。電鑄設備930鄰接於該第一圖案化光阻成形設備920，適於對第一金屬表面110電鑄並形成電鑄層400於第一金屬表面110上。第一去光阻機940鄰接於電鑄設備930，適於從金屬層100上移除第一圖案化光阻層300。第二圖案化光阻成形設備950鄰接於第一去光阻機940，適於在第一電鑄表面410及金屬層100的第二金屬表面120上形成第二圖案化光阻層500。蝕刻機960鄰接於第二圖案化光阻成形設備950，適於對第二電鑄表面420蝕刻，並得到經蝕刻的第二電鑄表面420a。末端處理設備鄰接於蝕刻機960，適於由電鑄層400及金屬層100上移除第二圖案化光阻層500，並將金屬層100及玻璃基板200移除，而獲得精細金屬遮罩600。

請參考圖1、3、4A、4B及7，上述的第一圖案化光阻成形設備920可包括第一光阻塗佈機921及第一微影設備922。第一光阻塗佈機921適於配置一第一光阻層300a於金屬層100上。第一微影設備922鄰接於第一光阻塗佈機921，適於移轉第一光罩700的第一光罩圖案710至第一光阻層300a上，而獲得圖2B中所示的第一圖案化光阻層300。於本實施例中，第一微影設備922可將具有第一光罩圖案710的第一光罩700配置於第一光阻層300a上，且可令第一曝光光束720由第一光罩700遠離第一光阻層300a的一側照射於第一光罩700上且經由第一光罩圖案710照射於第一光阻層300a上；然後，第一微影設備922可將第一曝光光束720及第一光罩700移除並令經照射的第一光阻層300a顯影，而獲得第一圖案化光阻層300。此外，電鑄設備930鄰接於第一微影設備922。

請參考圖1、5、6A、6B及7，上述的第二圖案化光阻成形設備950可包括第二光阻塗佈機951及第二微影設備952。第二光阻塗佈機951適於配置第二光阻層500a於第一電鑄表面410、第二電鑄表面420、第二金屬表面120及第三金屬表面130上。第二微影設備952鄰接於第二光阻塗佈機951，適於轉移第二光罩800的第二光罩圖案810至第二光阻層500a上，而獲得第二圖案化光阻層500。於本實施例中，第二微影設備952可將具有第二光罩圖案810的第二光罩800被配置於第二光阻層500a上，且可令第二曝光光束820由第二光罩800遠離第二光阻層500a的一側照射於第二光罩800上並經由第二光罩圖案810照射於第二光阻層500a上；然後，第二微影設備952可將第二曝光光束820及第二光罩800移除並令經照射的第二光阻層500a顯影，而獲得圖2E中所示的第二圖案化光阻層500。此外，蝕刻設備鄰接於第二微影設備952。

請參考圖1、2E、2F、2G及7，第二圖案化光阻層500可暴露出第一電鑄表面410的端部411、第二電鑄表面420及金屬層100的第三金屬表面130，且端部411連接該第二電鑄表面420。上述的蝕刻機960可適於蝕刻端部411及第二電鑄表面420，並得到經蝕刻的第一電鑄表面410a及經蝕刻的第二電鑄表面420a。精細金屬遮罩包括經蝕刻的第一電鑄表面410a、經蝕刻的第二電鑄表面420a、第三電鑄表面430以及遮罩圖案610，且遮罩圖案610的第一開口部611是鄰接於經蝕刻的第一電鑄表面410a，且第一開口部611大於第二開口部612。

綜上所述，本發明實施例的精細金屬遮罩的製法及製造系統中，由於是先形成電鑄層，再蝕刻電鑄層，來得到精細金屬遮罩，故所得到的精細金屬遮罩的遮罩圖案的第一開口部不但能夠依需求具有大斜率還可具有高精度的特點。此外，精細金屬遮罩的遮罩圖案的孔徑尺寸及厚度也可依需求調整而較有彈性、孔徑精度更可達到約1μm至2μm且精細金屬遮罩的材料成本價格可不受限於供應商而較為便宜。因此，本發明實施例的精細金屬遮罩的製法及製造系統可同時達到於遮罩圖案的孔徑尺寸、遮罩厚度的選擇上較有彈性、孔徑精度高、材料成本低，以及兼顧蒸鍍側開口部(第一開口部)的大斜率與高精度的特點。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。此外，本說明書或申請專利範圍中提及的「第一」、「第二」等用語僅用以命名元件(element)的名稱或區別不同實施例或範圍，而並非用來限制元件數量上的上限或下限。

S100、S110、S120、S130、S140、S150、S160:步驟

Claims

一種精細金屬遮罩的製法，包括：濺鍍形成一金屬層於一玻璃基板上；形成一第一圖案化光阻層於該金屬層上，其中，該第一圖案化光阻層暴露出該金屬層的一第一金屬表面；電鑄形成一電鑄層於該第一金屬表面上，其中，該電鑄層具有一第一電鑄表面、一第二電鑄表面及一第三電鑄表面，該第二電鑄表面連接該第一電鑄表面與該第三電鑄表面，該第三電鑄表面與該第一金屬表面相接；移除該第一圖案化光阻層；形成一第二圖案化光阻層於該第一電鑄表面及該金屬層的一第二金屬表面上，其中，該第二圖案化光阻層暴露出該第二電鑄表面及該金屬層的一第三金屬表面，該第三金屬表面連接該第一金屬表面及該第二金屬表面，且鄰接於該第二電鑄表面；蝕刻該第二電鑄表面，以得到一經蝕刻的第二電鑄表面；以及移除該第二圖案化光阻層、該金屬層及該玻璃基板，以獲得該精細金屬遮罩，其中，該精細金屬遮罩包括該第一電鑄表面、該經蝕刻的第二電鑄表面、該第三電鑄表面以及一遮罩圖案，該經蝕刻的第二電鑄表面連接該遮罩圖案，且該遮罩圖案具有一鄰接於該第一電鑄表面的第一開口部以及一鄰接於該第三電鑄表面的第二開口部。
如請求項1所述的精細金屬遮罩的製法，其中，形成該第一圖案化光阻層於該金屬層上的步驟，更包括：配置一第一光阻層於該金屬層上；以及以微影技術將一第一光罩的一第一遮罩圖案轉移至該第一光阻層上，以獲得該第一圖案化光阻層。
如請求項1所述的精細金屬遮罩的製法，其中，形成該第二圖案化光阻層於該第一電鑄表面及該金屬層的該第二金屬表面上的步驟，更包括：配置一第二光阻層於該第一電鑄表面、該第二電鑄表面、該第二金屬表面及該第三金屬表面上；以及以微影技術將一第二光罩的一第二遮罩圖案轉移至該第二光阻層上，以獲得該第二圖案化光阻層。
如請求項1所述的精細金屬遮罩的製法，其中，於形成該第二圖案化光阻層於該第一電鑄表面及該金屬層的該第二金屬表面上的步驟中，該第二圖案化光阻層暴露出該第一電鑄表面的一端部、該第二電鑄表面及該金屬層的該第三金屬表面，且該端部連接該第二電鑄表面；蝕刻該第二電鑄表面，以得到該經蝕刻的第二電鑄表面的步驟，包括：蝕刻該端部及該第二電鑄表面，以得到一經蝕刻的第一電鑄表面及該經蝕刻的第二電鑄表面；以及於移除該第二圖案化光阻層、該金屬層及該玻璃基板，以獲得該精細金屬遮罩的步驟中，該精細金屬遮罩包括該經蝕刻的第一電鑄表面、該經蝕刻的第二電鑄表面、該第三電鑄表面以及該遮罩圖案，該遮罩圖案的第一開口部是鄰接於該經蝕刻的第一電鑄表面，且該第一開口部大於該第二開口部。
如請求項1所述的精細金屬遮罩的製法，其中該電鑄層的材料是選自於下列構成的群組：鐵、鈷、鎳及上述至少兩者的合金。