TWI686996B - 天線結構 - Google Patents

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Abstract

一種天線結構，包括：一接地元件、一饋入輻射部、一第一輻射部，以及一第二輻射部。該饋入輻射部係耦接至一信號源。該第一輻射部係耦接至該接地元件，其中該第一輻射部係鄰近於該饋入輻射部。該饋入輻射部係經由該第二輻射部耦接至該接地元件。該饋入輻射部、該第一輻射部，以及該接地元件係共同形成一第一迴圈結構。該饋入輻射部、該第二輻射部，以及該接地元件係共同形成一第二迴圈結構。該第二迴圈結構不包括任何分支部份或突出部份。

Description

天線結構
本發明係關於一種天線結構(Antenna Structure)，特別係關於一種小型化、寬頻帶之天線結構。
隨著行動通訊技術的發達，行動裝置(Mobile Device)在近年日益普遍，常見的例如：手提式電腦、行動電話、多媒體播放器以及其他混合功能的攜帶型電子裝置。為了滿足人們的需求，行動裝置通常具有無線通訊的功能。有些涵蓋長距離的無線通訊範圍，例如：行動電話使用2G、3G、LTE(Long Term Evolution)系統及其所使用700MHz、850MHz、900MHz、1800MHz、1900MHz、2100MHz、2300MHz以及2500MHz的頻帶進行通訊，而有些則涵蓋短距離的無線通訊範圍，例如：Wi-Fi、Bluetooth系統使用2.4GHz、5.2GHz和5.8GHz的頻帶進行通訊。
天線(Antenna)為支援無線通訊之行動裝置中不可或缺之元件。然而，由於行動裝置之內部空間十分侷限，往往沒有足夠面積來配置所需之天線元件。因此，如何設計一種小尺寸、寬頻帶之全新天線，已成為現今設計者之一大挑戰。
在較佳實施例中，本發明提供一種天線結構，包 括：一接地元件；一饋入輻射部，耦接至一信號源；一第一輻射部，耦接至該接地元件，其中該第一輻射部係鄰近於該饋入輻射部；以及一第二輻射部，其中該饋入輻射部係經由該第二輻射部耦接至該接地元件；其中該饋入輻射部、該第一輻射部，以及該接地元件係共同形成一第一迴圈結構；其中該饋入輻射部、該第二輻射部，以及該接地元件係共同形成一第二迴圈結構，而該第二迴圈結構不包括任何分支部份或突出部份。
在一些實施例中，該饋入輻射部係介於該第一輻射部和該第二輻射部之間。
在一些實施例中，該饋入輻射部係呈現一直條形。
在一些實施例中，該第一輻射部係呈現一L字形。
在一些實施例中，該第二輻射部係呈現一L字形。
在一些實施例中，該第一輻射部和該饋入輻射部之間形成一耦合間隙。
在一些實施例中，該天線結構更包括：一第一電抗元件，耦接於該饋入輻射部和該第一輻射部之間。
在一些實施例中，該第一電抗元件為一電容器。
在一些實施例中，該電容器之電容值係介於0pF至5pF之間。
在一些實施例中，該天線結構更包括：一第二電抗元件，內嵌於該第一輻射部中。
在一些實施例中，該第二電抗元件為一電感器。
在一些實施例中，該電感器之電感值係介於0nH至 5nH之間。
在一些實施例中，該第一迴圈結構係激發產生一第一頻帶，而該第二迴圈結構係激發產生高於該第一頻帶之一第二頻帶。
在一些實施例中，該第一頻帶係介於2400MHz至2500MHz之間，而該第二頻帶係介於5150MHz至5850MHz之間。
在一些實施例中，該第一迴圈結構之長度係等於該第一頻帶之0.5倍波長，而該第二迴圈結構之長度係等於該第二頻帶之0.5倍波長。
在一些實施例中，該第一輻射部於該接地元件上具有一第一高度，該第二輻射部於該接地元件上具有一第二高度，而該第一高度係大於該第二高度。
在一些實施例中，該第一輻射部於該接地元件上具有一第一高度，該第二輻射部於該接地元件上具有一第二高度，而該第一高度係等於該第二高度。
在一些實施例中，該第一迴圈結構內具有一第一挖空區域，該第二迴圈結構內具有一第二挖空區域，而該第一挖空區域之寬度係大於該第二挖空區域之寬度。
在一些實施例中，該第一迴圈結構內具有一第一挖空區域，該第二迴圈結構內具有一第二挖空區域，而該第一挖空區域之寬度係小於該第二挖空區域之寬度。
100、200、500、600‧‧‧天線結構
105‧‧‧介質基板
110‧‧‧接地元件
111、112‧‧‧接地元件之邊緣
120‧‧‧饋入輻射部
121‧‧‧饋入輻射部之第一端
122‧‧‧饋入輻射部之第二端
130、230、530、630‧‧‧第一輻射部
131、231、531、631‧‧‧第一輻射部之第一端
132、232、532、632‧‧‧第一輻射部之第二端
136‧‧‧第一輻射部之側邊
140‧‧‧第二輻射部
141‧‧‧第二輻射部之第一端
142‧‧‧第二輻射部之第二端
150、650‧‧‧第一迴圈結構
155、655‧‧‧第一挖空區域
160‧‧‧第二迴圈結構
165‧‧‧第二挖空區域
190‧‧‧信號源
233、533、633‧‧‧第一輻射部之第一部份
234、534、634‧‧‧第一輻射部之第二部份
270‧‧‧第一電抗元件
280‧‧‧第二電抗元件
CC1‧‧‧第一曲線
CC2‧‧‧第二曲線
CC3‧‧‧第三曲線
CC4‧‧‧第四曲線
CC5‧‧‧第五曲線
CC6‧‧‧第六曲線
D1‧‧‧間距
GC1‧‧‧耦合間隙
H1、H3‧‧‧第一高度
H2‧‧‧第二高度
W1、W2、W3、W4、W5、WL1、WL2、WL3‧‧‧寬度
X‧‧‧X軸
Y‧‧‧Y軸
Z‧‧‧Z軸
第1圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之示意圖。
第2圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之示意圖。
第3圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之返回損失圖。
第4圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之返回損失圖。
第5圖係顯示根據本發明另一實施例所述之天線結構之示意圖。
第6圖係顯示根據本發明另一實施例所述之天線結構之示意圖。
為讓本發明之目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉出本發明之具體實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
在說明書及申請專利範圍當中使用了某些詞彙來指稱特定的元件。本領域技術人員應可理解，硬體製造商可能會用不同的名詞來稱呼同一個元件。本說明書及申請專利範圍並不以名稱的差異來作為區分元件的方式，而是以元件在功能上的差異來作為區分的準則。在通篇說明書及申請專利範圍當中所提及的「包含」及「包括」一詞為開放式的用語，故應解釋成「包含但不僅限定於」。「大致」一詞則是指在可接受的誤差範圍內，本領域技術人員能夠在一定誤差範圍內解決所述技 術問題，達到所述基本之技術效果。此外，「耦接」一詞在本說明書中包含任何直接及間接的電性連接手段。因此，若文中描述一第一裝置耦接至一第二裝置，則代表該第一裝置可直接電性連接至該第二裝置，或經由其它裝置或連接手段而間接地電性連接至該第二裝置。
第1圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構(Antenna Structure)100之示意圖。天線結構100可應用於一行動裝置(Mobile Device)當中，例如：一智慧型手機(Smart Phone)、一平板電腦(Tablet Computer)，或是一筆記型電腦(Notebook Computer)。在第1圖之實施例中，天線結構100至少包括一接地元件(Ground Element)110、一饋入輻射部(Feeding Radiation Element)120、一第一輻射部(Radiation Element)130，以及一第二輻射部140，其中接地元件110、饋入輻射部120、第一輻射部130，以及第二輻射部140皆可由金屬材質所製成，例如：銅、銀、鋁、鐵，或是其合金。在一些實施例中，天線結構100更包括一介質基板(Dielectric Substrate)105，例如：一FR4(Flame Retardant 4)基板、一印刷電路板(Printed Circuit Board，PCB)，或是一軟性電路板(Flexible Circuit Board，FCB)。接地元件110、饋入輻射部120、第一輻射部130，以及第二輻射部140皆可設置於此介質基板105之同一表面上，使得天線結構100可歸類為一平面化天線。
接地元件110可為一接地銅箔(Ground Copper Foil)，其可耦接至一接地電位(Ground Voltage)。例如，接地電位可由行動裝置之一系統接地面(System Ground Plane)所提供。在一 些實施例中，接地元件110係由系統接地面上延伸至介質基板105上。接地元件110位於介質基板105上之一部份可以大致呈現一直條形。
饋入輻射部120可以大致呈現一直條形，其可大致垂直於接地元件110。饋入輻射部120具有一第一端121和一第二端122，其中饋入輻射部120之第一端121係耦接至一信號源(Signal Source)190。例如，信號源190可以是一射頻(Radio Frequency)模組，其可用於激發天線結構100。饋入輻射部120之第二端122係朝遠離接地元件110之方向作延伸。
第一輻射部130可以大致呈現一L字形。第一輻射部130具有一第一端131和一第二端132，其中第一輻射部130之第一端131係耦接至接地元件110，而第一輻射部130之第二端132係鄰近於饋入輻射部120之第二端122。必須注意的是，本說明書中所謂「鄰近」或「相鄰」一詞可指對應之二元件間距小於一既定距離(例如：5mm或更短)，亦可包括對應之二元件彼此直接接觸之情況(亦即，前述間距縮短至0)。例如，第一輻射部130之第二端132和饋入輻射部120之第二端122之間可以形成一耦合間隙(Coupling Gap)GC1，抑或第一輻射部130之第二端132可以直接耦接至饋入輻射部120之第二端122。在一些實施例中，第一輻射部130具有一不等寬結構，以微調天線結構100之低頻阻抗匹配(Impedance Matching)。例如，第一輻射部130之第一端131之寬度W1可大於第一輻射部130之一中間部份之寬度W2，而第一輻射部130之中間部份之寬度W2可以大於第一輻射部130之第二端132之寬度W3。在另一些實施例中， 第一輻射部130亦可根據不同設計需求而改為一等寬結構。
第二輻射部140可以大致呈現一L字形。第二輻射部140具有一第一端141和一第二端142，其中第二輻射部140之第一端141係耦接至接地元件110，而第二輻射部140之第二端142係耦接至饋入輻射部120之第二端122，使得饋入輻射部120係經由第二輻射部140耦接至接地元件110。饋入輻射部120係介於第一輻射部130和第二輻射部140之間。亦即，第二輻射部140和第一輻射部130係分別位於饋入輻射部120之左右兩側。在一些實施例中，饋入輻射部120之寬度W4係大於第二輻射部140之寬度W5，以微調天線結構100之高頻阻抗匹配並降低製造困難度(若饋入輻射部120之寬度W4變大，則信號源190將更容易耦接至饋入輻射部120)。
饋入輻射部120、第一輻射部130，以及接地元件110之一邊緣111係共同形成一第一迴圈結構(Loop Structure)150，其中第一迴圈結構150內具有一第一挖空區域(Hollow Region)155。例如，第一挖空區域155可大致呈現一矩形。另外，饋入輻射部120、第二輻射部140，以及接地元件110之另一邊緣112係共同形成一第二迴圈結構160，其中第二迴圈結構160內具有一第二挖空區域165。例如，第二挖空區域165可大致呈現一矩形或一正方形。第一迴圈結構150之長度可以大於第二迴圈結構160之長度。第一挖空區域155之寬度WL1(亦即，第一挖空區域155於X軸方向上之總長度)可以大於第二挖空區域165之寬度WL2(亦即，第二挖空區域165於X軸方向上之總長度)。必須注意的是，第二迴圈結構160為一簡單迴 圈，其不包括任何分支部份或突出部份，故可微縮天線結構100之整體尺寸。
在一些實施例中，天線結構100之操作原理係如下列所述。第一迴圈結構150係激發產生一第一頻帶(Frequency Band)，而第二迴圈結構160係激發產生高於第一頻帶之一第二頻帶。例如，第一頻帶可介於2400MHz至2500MHz之間，而第二頻帶可介於5150MHz至5850MHz之間。因此，天線結構100至少可支援Bluetooth和WLAN(Wireless Local Area Networks)2.4GHz/5GHz之寬頻操作。根據實際量測結果，第一迴圈結構150可與第二迴圈結構160之間會產生交互耦合效應，使得對應於第二迴圈結構160之第二頻帶可以更往低頻之方向作移動。換言之，天線結構100可在第二迴圈結構160不包括任何分支部份或突出部份之情況下仍能涵蓋完整之高低頻操作。
在一些實施例中，天線結構100之元件尺寸係如下列所述。第一輻射部130之長度(亦即，由第一端131至第二端132之長度)係大於第二輻射部140之長度(亦即，由第一端141至第二端142之長度)。第一迴圈結構150之長度可以大致等於第一頻帶之0.5倍波長(λ/2)。第二迴圈結構160之長度可以大致等於第二頻帶之0.5倍波長(λ/2)。第一輻射部130於接地元件110上具有一第一高度H1(亦即，第一輻射部130與接地元件110於Y軸方向上之最遠距離)，而第二輻射部140於接地元件110上具有一第二高度H2(亦即，第二輻射部140與接地元件110於Y軸方向上之最遠距離)，其中第一高度H1可以大於第二高度H2。第一挖空區域155之寬度WL1和第二挖空區域165之寬度WL2， 此二者之比值可約為2(亦即：WL1/WL2=2)。第一輻射部130具有一側邊136，其係面向接地元件110且與接地元件110互相平行，而接地元件110之邊緣111與第一輻射部130之側邊136之間距D1係介於1mm至3mm之間。耦合間隙GC1之寬度約介於0.2mm至0.5mm之間。以上尺寸範圍係根據多次實驗結果得出，其有助於最佳化天線結構100之操作頻寬(Operation Bandwidth)與阻抗匹配。
第2圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構200之示意圖。第2圖和第1圖相似。在第2圖之實施例中，天線結構200更包括一第一電抗元件(Reactance Element)270或(且)一第二電抗元件280。詳細而言，天線結構200之一第一輻射部230具有一第一端231和一第二端232(第一端231係耦接至接地元件110)，並包括鄰近於第一端231之一第一部份233和鄰近於第二端232之一第二部份234，其中第一電抗元件270係耦接於饋入輻射部120之第二端122和第一輻射部230之第二端232之間，而第二電抗元件280係內嵌於第一輻射部230當中並串聯耦接於第一輻射部230之第一部份233和第二部份234之間。在一些實施例中，第一電抗元件270和第二電抗元件280之每一者係由一可調電路元件(Tunable Circuit Element)來實施。根據實際量測結果，第一電抗元件270和第二電抗元件280之加入有助於於增加天線結構200之操作頻寬，並微縮天線結構200之整體尺寸。第2圖之天線結構200之其餘特徵皆與第1圖之天線結構100類似，故此二實施例均可達成相似之操作效果。
第3圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結 構200之返回損失(Return Loss)圖。在第3圖之實施例中，第一電抗元件270為一電容器(Capacitor)，其電容值(Capacitance)可約介於0pF至5pF之間。第一電抗元件270可為一固定電容器(Fixed Capacitor)或一可變電容器(Variable Capacitor)。如第3圖所示，一第一曲線CC1係代表第一電抗元件270之電容值為0.1pF時天線結構200之操作特性，一第二曲線CC2係代表第一電抗元件270之電容值為0.3pF時天線結構200之操作特性，而一第三曲線CC3係代表第一電抗元件270之電容值為0.5pF時天線結構200之操作特性。根據第3圖之量測結果可知，若第一電抗元件270之電容值變高，則天線結構200之第二頻帶將會往低頻方向作移動；反之，若第一電抗元件270之電容值變低，則天線結構200之第二頻帶將會往高頻方向作移動。
第4圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構400之返回損失圖。在第4圖之實施例中，第二電抗元件280為一電感器(Inductor)，其電感值(Inductance)係可介於0nH至5nH之間。第二電抗元件280可為一固定電感器(Fixed Inductor)或一可變電感器(Variable Inductor)。如第4圖所示，一第四曲線CC4係代表第二電抗元件280之電感值為3.8nH時天線結構200之操作特性，一第五曲線CC5係代表第二電抗元件280之電感值為4nH時天線結構200之操作特性，而一第六曲線CC6係代表第二電抗元件280之電感值為4.2nH時天線結構200之操作特性。根據第4圖之量測結果可知，若第二電抗元件280之電感值變高，則天線結構200之第一頻帶將會往低頻方向作移動；反之，若第二電抗元件280之電感值變低，則天線結構200之第一 頻帶將會往高頻方向作移動。
第5圖係顯示根據本發明另一實施例所述之天線結構500之示意圖。第5圖和第2圖相似。在第5圖之實施例中，天線結構500之一第一輻射部530於接地元件110上具有一第一高度H3(亦即，第一輻射部530與接地元件110於Y軸方向上之最遠距離)，而第二輻射部140於接地元件110上具有一第二高度H2(亦即，第二輻射部140與接地元件110於Y軸方向上之最遠距離)，其中第一高度H3可以等於第二高度H2。在此設計下，天線結構500之整體高度(或天線結構500於Y軸方向上之總長度)可以進一步縮減。第5圖之天線結構500之其餘特徵皆與第2圖之天線結構200類似，故此二實施例均可達成相似之操作效果。
第6圖係顯示根據本發明另一實施例所述之天線結構600之示意圖。第6圖和第2圖相似。在第6圖之實施例中，天線結構600之饋入輻射部120、一第一輻射部630，以及接地元件110之邊緣111係共同形成一第一迴圈結構650，其中第一迴圈結構650內具有一第一挖空區域655。第一挖空區域655可以大致呈現一矩形。另外，饋入輻射部120、第二輻射部140，以及接地元件110之邊緣112係共同形成一第二迴圈結構160，其中第二迴圈結構160內具有一第二挖空區域165。第二挖空區域165可以大致呈現一矩形或一正方形。第一挖空區域655之寬度WL3(亦即，第一挖空區域655於X軸方向上之總長度)係小於第二挖空區域165之寬度WL2(亦即，第二挖空區域165於X軸方向上之總長度)。例如，第一挖空區域655之寬度WL3和第二挖 空區域165之寬度WL2兩者之比值可約為0.5(亦即：WL3/WL2=1/2)。在此設計下，天線結構600之整體寬度(或天線結構600於X軸方向上之總長度)可以進一步縮減。第6圖之天線結構600之其餘特徵皆與第2圖之天線結構200類似，故此二實施例均可達成相似之操作效果。
本發明提出一種新穎之天線結構，其包括雙迴圈之設計。由於前述迴圈結構之至少一者不包括任何分支部份或突出部份，所提之天線結構之整體尺寸將能有效地最小化，同時不影響天線結構之操作頻寬。總而言之，本發明可兼具有小尺寸和寬頻帶之雙重優勢，故其很適合應用於各種小型化之行動通訊裝置當中。
值得注意的是，以上所述之元件尺寸、元件形狀，以及頻率範圍皆非為本發明之限制條件。天線設計者可以根據不同需要調整這些設定值。本發明之天線結構並不僅限於第1-6圖所圖示之狀態。本發明可以僅包括第1-6圖之任何一或複數個實施例之任何一或複數項特徵。換言之，並非所有圖示之特徵均須同時實施於本發明之天線結構當中。
在本說明書以及申請專利範圍中的序數，例如「第一」、「第二」、「第三」等等，彼此之間並沒有順序上的先後關係，其僅用於標示區分兩個具有相同名字之不同元件。
本發明雖以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明的範圍，任何熟習此項技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可做些許的更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧天線結構
105‧‧‧介質基板
110‧‧‧接地元件
111、112‧‧‧接地元件之邊緣
120‧‧‧饋入輻射部
121‧‧‧饋入輻射部之第一端
122‧‧‧饋入輻射部之第二端
130‧‧‧第一輻射部
131‧‧‧第一輻射部之第一端
132‧‧‧第一輻射部之第二端
136‧‧‧第一輻射部之側邊
140‧‧‧第二輻射部
141‧‧‧第二輻射部之第一端
142‧‧‧第二輻射部之第二端
150‧‧‧第一迴圈結構
155‧‧‧第一挖空區域
160‧‧‧第二迴圈結構
165‧‧‧第二挖空區域
190‧‧‧信號源
D1‧‧‧間距
GC1‧‧‧耦合間隙
H1‧‧‧第一高度
H2‧‧‧第二高度
W1、W2、W3、W4、W5、WL1、WL2‧‧‧寬度
X‧‧‧X軸
Y‧‧‧Y軸
Z‧‧‧Z軸

Claims (19)

  1. 一種天線結構，包括：一接地元件；一饋入輻射部，耦接至一信號源；一第一輻射部，耦接至該接地元件，其中該第一輻射部係鄰近於該饋入輻射部；以及一第二輻射部，其中該饋入輻射部係經由該第二輻射部耦接至該接地元件；其中該饋入輻射部、該第一輻射部，以及該接地元件係共同形成一第一迴圈結構；其中該饋入輻射部、該第二輻射部，以及該接地元件係共同形成一第二迴圈結構，而該第二迴圈結構不包括任何分支部份或突出部份；其中該第二輻射部係呈現一L字形。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之天線結構，其中該饋入輻射部係介於該第一輻射部和該第二輻射部之間。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之天線結構，其中該饋入輻射部係呈現一直條形。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之天線結構，其中該第一輻射部係呈現一L字形。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之天線結構，其中該第一輻射部和該饋入輻射部之間形成一耦合間隙。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之天線結構，更包括：一第一電抗元件，耦接於該饋入輻射部和該第一輻射部 之間。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之天線結構，其中該第一電抗元件為一電容器。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之天線結構，其中該電容器之電容值係介於0pF至5pF之間。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之天線結構，更包括：一第二電抗元件，內嵌於該第一輻射部中。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之天線結構，其中該第二電抗元件為一電感器。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之天線結構，其中該電感器之電感值係介於0nH至5nH之間。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之天線結構，其中該第一迴圈結構係激發產生一第一頻帶，而該第二迴圈結構係激發產生高於該第一頻帶之一第二頻帶。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之天線結構，其中該第一頻帶係介於2400MHz至2500MHz之間，而該第二頻帶係介於5150MHz至5850MHz之間。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之天線結構，其中該第一迴圈結構之長度係等於該第一頻帶之0.5倍波長，而該第二迴圈結構之長度係等於該第二頻帶之0.5倍波長。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之天線結構，其中該第一輻射部於該接地元件上具有一第一高度，該第二輻射部於該接地元件上具有一第二高度，而該第一高度係大於該第二高度。
  16. 如申請專利範圍第1項所述之天線結構，其中該第一輻射部於該接地元件上具有一第一高度，該第二輻射部於該接地元件上具有一第二高度，而該第一高度係等於該第二高度。
  17. 如申請專利範圍第1項所述之天線結構，其中該第一迴圈結構內具有一第一挖空區域，該第二迴圈結構內具有一第二挖空區域，而該第一挖空區域之寬度係大於該第二挖空區域之寬度。
  18. 如申請專利範圍第1項所述之天線結構，其中該第一迴圈結構內具有一第一挖空區域，該第二迴圈結構內具有一第二挖空區域，而該第一挖空區域之寬度係小於該第二挖空區域之寬度。
  19. 一種天線結構，包括：一接地元件；一饋入輻射部，耦接至一信號源；一第一輻射部，耦接至該接地元件，其中該第一輻射部係鄰近於該饋入輻射部；以及一第二輻射部，其中該饋入輻射部係經由該第二輻射部耦接至該接地元件；其中該饋入輻射部、該第一輻射部，以及該接地元件係共同形成一第一迴圈結構；其中該饋入輻射部、該第二輻射部，以及該接地元件係共同形成一第二迴圈結構，而該第二迴圈結構不包括任何分支部份或突出部份； 其中該第一輻射部係呈現一L字形。
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