TWI680373B - 固態硬碟及其運作方法 - Google Patents

固態硬碟及其運作方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI680373B
TWI680373B TW107111047A TW107111047A TWI680373B TW I680373 B TWI680373 B TW I680373B TW 107111047 A TW107111047 A TW 107111047A TW 107111047 A TW107111047 A TW 107111047A TW I680373 B TWI680373 B TW I680373B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
memory units
memory
memory unit
threshold range
control unit
Prior art date
Application number
TW107111047A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201942753A (zh
Inventor
陳彥仲
Yen Chung Chen
簡志清
Chih Ching Chien
黃莉君
Li Chun Huang
蔡函庭
Han Ting Tsai
許維仁
Wei Ren Hsu
Original Assignee
大陸商合肥沛睿微電子股份有限公司
Raymx Microelectronics Corp.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 大陸商合肥沛睿微電子股份有限公司, Raymx Microelectronics Corp. filed Critical 大陸商合肥沛睿微電子股份有限公司
Priority to TW107111047A priority Critical patent/TWI680373B/zh
Priority to US16/366,051 priority patent/US10802961B2/en
Publication of TW201942753A publication Critical patent/TW201942753A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI680373B publication Critical patent/TWI680373B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0628—Interfaces specially adapted for storage systems making use of a particular technique
    • G06F3/0638—Organizing or formatting or addressing of data
    • G06F3/064—Management of blocks
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
    • G06F12/0223—User address space allocation, e.g. contiguous or non contiguous base addressing
    • G06F12/023—Free address space management
    • G06F12/0238—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory
    • G06F12/0246—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory in block erasable memory, e.g. flash memory
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0602—Interfaces specially adapted for storage systems specifically adapted to achieve a particular effect
    • G06F3/0604—Improving or facilitating administration, e.g. storage management
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0602—Interfaces specially adapted for storage systems specifically adapted to achieve a particular effect
    • G06F3/0614—Improving the reliability of storage systems
    • G06F3/0616—Improving the reliability of storage systems in relation to life time, e.g. increasing Mean Time Between Failures [MTBF]
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0628—Interfaces specially adapted for storage systems making use of a particular technique
    • G06F3/0655—Vertical data movement, i.e. input-output transfer; data movement between one or more hosts and one or more storage devices
    • G06F3/0658—Controller construction arrangements
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0668—Interfaces specially adapted for storage systems adopting a particular infrastructure
    • G06F3/0671—In-line storage system
    • G06F3/0673—Single storage device
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0668—Interfaces specially adapted for storage systems adopting a particular infrastructure
    • G06F3/0671—In-line storage system
    • G06F3/0673—Single storage device
    • G06F3/0679—Non-volatile semiconductor memory device, e.g. flash memory, one time programmable memory [OTP]
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2212/00—Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
    • G06F2212/10—Providing a specific technical effect
    • G06F2212/1032—Reliability improvement, data loss prevention, degraded operation etc
    • G06F2212/1036—Life time enhancement
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2212/00—Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
    • G06F2212/72—Details relating to flash memory management
    • G06F2212/7211—Wear leveling

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Debugging And Monitoring (AREA)

Abstract

一種固態硬碟運作方法，包括：使固態硬碟之控制單元將固態硬碟的複數個記憶單元區分為複數個第一記憶單元以及複數個第二記憶單元，其中第一記憶單元之運作參數位於第一門檻範圍，第二記憶單元之運作參數不位於第一門檻範圍；使控制單元致能以允許存取第一記憶單元，並抑能以不允許存取第二記憶單元；使控制單元於第一記憶單元運作時，繼續判斷第一記憶單元之運作參數是否不位於第一門檻範圍；以及當等第一記憶單元之運作參數不位於第一門檻範圍時，使控制單元致能以允許存取第二記憶單元。

Description

固態硬碟及其運作方法
本發明是有關於資料儲存技術，且特別是有關於一種固態硬碟及其運作方法。
固態硬碟(Solid-state hard disk)不需要機械式的轉軸以及讀取頭，因此不會因為運轉期間的劇烈震動而導致壞損，資料讀取的速度亦可以大幅提升。然而，主要影響固態硬碟的壽命的就是讀寫次數。其中，讀寫次數將逐漸使固態硬碟的讀取錯誤率上升，進而造成固態硬碟的品質下降。
此外，固態硬碟在製造時，往往因為製程差異而造成內部記憶單元的品質不一。部分技術往往直接抑能記憶單元品質較差的部分，而在實際進行存取避開這些記憶單元。然而這樣的設計將造成這些記憶單元的浪費。
因此，如何設計一個新的固態硬碟及其運作方法，以兼顧固態硬碟的存取效能及使用率，乃為此一業界亟待解決的問題。
本發明之目的在於提供一種固態硬碟運作方法，包括：使固態硬碟之控制單元將固態硬碟的複數個記憶單元區分為複數個第一記憶單元以及複數個第二記憶單元，其中第一記憶單元之運作參數位於第一門檻範圍，第二記憶單元之運作參數不位於第一門檻範圍；使控制單元致能以允許存取第一記憶單元，並抑能以不允許存取第二記憶單元；使控制單元於第一記憶單元運作時，判斷第一記憶單元之運作參數是否不位於第一門檻範圍；以及當等第一記憶單元之運作參數不位於第一門檻範圍時，使控制單元致能以允許存取第二記憶單元。
本發明之另一目的在於提供一種固態硬碟，包括：複數個記憶單元以及控制單元。控制單元電性耦接於記憶單元，配置以將記憶單元區分為複數個第一記憶單元以及複數個第二記憶單元，其中第一記憶單元之運作參數位於第一門檻範圍，第二記憶單元之運作參數不位於第一門檻範圍，以致能以允許存取第一記憶單元，並抑能以不允許存取第二記憶單元；其中，控制單元於第一記憶單元運作時，判斷第一記憶單元之運作參數是否不位於第一門檻範圍，以在當第一記憶單元之運作參數不位於第一門檻範圍時，使控制單元致能以允許存取第二記憶單元。
應用本發明之優點在於藉由在固態硬碟初始運作時，先使品質較差的第二記憶單元抑能，以存取品質較高的第一記憶單元，達到最佳的存取效能。進一步地，在第一 記憶單元長時間使用下損耗而使品質下降至與第二記憶單元相當後，再致能第二記憶單元，以達到最佳的使用率。
1‧‧‧固態硬碟
100‧‧‧第一記憶單元
12‧‧‧控制單元
14‧‧‧儲存單元
2‧‧‧固態硬碟
301-304‧‧‧步驟
10‧‧‧記憶單元
110‧‧‧第二記憶單元
120‧‧‧第三記憶單元
140‧‧‧紀錄表
300‧‧‧固態硬碟運作方法
第1圖為本發明一實施例中，一種固態硬碟的方塊圖；第2圖為本發明一實施例中，一種固態硬碟的方塊圖；以及第3圖為本發明一實施例中，固態硬碟運作方法的流程圖。
請同時參照第1圖。第1圖為本發明一實施例中，一種固態硬碟1的方塊圖。固態硬碟1於一實施例中，為例如，但不限於快閃記憶體。固態硬碟1包括複數個記憶單元10、控制單元12以及儲存單元14。
記憶單元10分別具有實體位址，並配置以儲存資料。控制單元12電性耦接於記憶單元10。於一實施例中，固態硬碟1可設置於具有處理模組的電腦系統(未繪示)中。處理模組可透過電腦系統的匯流排存取固態硬碟1，以傳送指令至控制單元12，並由控制單元12經由內部的匯流排存取記憶單元10後，經由電腦系統的匯流排傳送給處理模組，完成固態硬碟1的存取。
控制單元12將記憶單元10區分為複數個第一記憶單元100以及複數個第二記憶單元110。於第1圖中，第一記憶單元100是以點狀區域繪示，第二記憶單元110是以斜線狀區域繪示。
第一記憶單元100和第二記憶單元110在運作的情形下具有運作參數。於一實施例中，運作參數是平均讀取錯誤率。於一實施例中，是以每個記憶單元10的運作參數的數值大小，來將記憶單元10區分為第一記憶單元100以及第二記憶單元110。
舉例而言，運作參數位於門檻範圍的記憶單元10將被區分為第一記憶單元100，而運作參數不位於門檻範圍的記憶單元10將被區分為第二記憶單元110。以平均讀取錯誤率為例，上述的位於門檻範圍，是指第一記憶單元100之平均讀取錯誤率小於一個門檻值。而不位於門檻範圍，是指第二記憶單元110之運作參數不小於此門檻值。
於一實施例中，固態硬碟1可在測試階段進行讀取測試，以獲得運作參數，進一步區分出第一記憶單元100以及第二記憶單元110。於另一實施例中，固態硬碟1可在實際運作的初期進行記憶單元10的讀取，以獲得運作參數，進一步區分出第一記憶單元100以及第二記憶單元110。
由於在固態硬碟1的製造過程中，記憶單元10的品質將有所差異，而使其運作參數有不同的數值。以平均讀取錯誤率做為範例，平均讀取錯誤率較低的第一記憶單元 100的品質，將優於平均讀取錯誤率較高的第二記憶單元110的品質。
因此，控制單元12配置以致能以允許存取第一記憶單元100，並抑能以不允許存取第二記憶單元110。
於一實施例中，儲存單元14配置以儲存紀錄表140，配置以記錄各第二記憶單元110之實體位址。控制單元12在進行存取的時候，是依據紀錄表140，而允許存取第一記憶單元100，且不允許存取第二記憶單元110，分別達到致能以及抑能之功效。
進一步地，控制單元12於第一記憶單元100運作時，繼續判斷第一記憶單元100的運作參數是否不位於門檻範圍。
於一實施例中，以平均讀取錯誤率做為範例，在第一記憶單元100運作時，控制單元12將在讀取第一記憶單元100時記錄總錯誤位元數，並對一段時間內的總錯誤位元數，相對該段時間內讀取第一記憶單元100的次數取平均，以計算平均讀取錯誤率。
由於在第一記憶單元100長時間運作下，將會耗損而使平均讀取錯誤率上升。當第一記憶單元100之平均讀取錯誤率不小於門檻值時(亦即運作參數不位於門檻範圍時)，其品質將接近第二記憶單元110。因此，控制單元12將致能以允許存取第二記憶單元110。此時，控制單元12在進行存取時，將可任意對第一記憶單元100以及第二記憶單元110進行存取。
於一實施例中，控制單元12是將各第二記憶單元110的實體位址自儲存單元14所儲存的紀錄表140移除，以允許存取第二記憶單元110。
因此，本發明的固態硬碟1可在初始運作時，先使品質較差的第二記憶單元110抑能，以存取品質較高的第一記憶單元100，達到最佳的存取效能。進一步地，在第一記憶單元100長時間使用下損耗而使品質下降至與第二記憶單元110相當後，再致能第二記憶單元110，以達到最佳的使用率。
請參照第2圖。第2圖為本發明一實施例中，一種固態硬碟2的方塊圖。類似於第1圖的固態硬碟1，固態硬碟2包括複數個記憶單元10、控制單元12以及儲存單元14。因此，於本實施例中不再對相同的元件及其功能贅述。
於本實施例中，控制單元12將記憶單元10區分為複數個第一記憶單元100、複數個第二記憶單元110以及複數個第三記憶單元120。於第2圖中，第一記憶單元100是以點狀區域繪示，第二記憶單元110是以斜線狀區域繪示，第三記憶單元120是以反斜線狀區域繪示。
因此，控制單元12可進一步以運作參數的兩個門檻範圍區分品質最佳的第一記憶單元100、品質次佳的第二記憶單元110及品質最差的第三記憶單元120。
控制單元12可先抑能第二記憶單元110及第三記憶單元120，並在第一記憶單元100長時間運作，品質下降至與第二記憶單元110相當後，致能第二記憶單元110。 進一步地，控制單元12在第一記憶單元100及第二記憶單元110長時間運作，品質下降至與第三記憶單元120相當後，致能第三記憶單元120。
於其他實施例中，控制單元12亦可選擇性地將記憶單元10區分為其他數目的群組，以由多個門檻範圍進行多組記憶單元的抑能與致能，達到最佳的存取效能及使用率。
請參照第3圖。第3圖為本發明一實施例中，固態硬碟運作方法300的流程圖。固態硬碟運作方法300可應用於第1圖的固態硬碟1中。固態硬碟運作方法300包含下列步驟(應瞭解到，在本實施方式中所提及的步驟，除特別敘明其順序者外，均可依實際需要調整其前後順序，甚至可同時或部分同時執行)。
於步驟301，將固態硬碟1的記憶單元10區分為第一記憶單元100以及第二記憶單元110。其中第一記憶單元100之運作參數位於門檻範圍，第二記憶單元110之運作參數不位於門檻範圍。
於步驟302，使固態硬碟1之控制單元12致能以允許存取第一記憶單元100，並抑能以不允許存取第二記憶單元110。
於步驟303，使控制單元12於第一記憶單元100運作時，繼續判斷第一記憶單元100之運作參數是否不位於門檻範圍。
當第一記憶單元100之運作參數位於門檻範圍時，流程回至步驟302，以使控制單元12繼續致能以允許存取第一記憶單元100，並抑能以不允許存取第二記憶單元110。
當第一記憶單元100之運作參數不位於門檻範圍時，於步驟304，使控制單元12致能以允許存取第二記憶單元110。
需注意的是，上述的實施例均是以平均讀取錯誤率做為運作參數的範例。於其他實施例中，運作參數亦可為抹除時間、寫入時間、讀取時間或資料保存時間。於部分實施例中，亦可同時採用上述的參數的組合，做為評斷記憶單元的品質的依據。
以上所述僅為本發明的較佳實施例而已，並不用以限制本發明，凡在本發明的原則之內所作的任何修改，等同替換和改進等均應包含本發明的保護範圍之內。

Claims (8)

  1. 一種固態硬碟運作方法，包括：使一固態硬碟之一控制單元將該固態硬碟的複數個記憶單元區分為複數個第一記憶單元以及複數個第二記憶單元，其中該等第一記憶單元之一運作參數位於一第一門檻範圍，該等第二記憶單元之該運作參數不位於該第一門檻範圍；使該控制單元致能以允許存取該第一記憶單元，並抑能以不允許存取該等第二記憶單元；於該固態硬碟中的一儲存單元儲存一紀錄表，以記錄各該等第二記憶單元之一實體位址；使該控制單元依該紀錄表，允許存取該等第一記憶單元，且不允許存取該等第二記憶單元使該控制單元於該等第一記憶單元運作時，繼續判斷該等第一記憶單元之該運作參數是否不位於該第一門檻範圍；以及當該等第一記憶單元之該運作參數不位於該第一門檻範圍時，使該控制單元致能以允許存取該等第二記憶單元。
  2. 如請求項1所述的固態硬碟運作方法，更包含：使該控制單元於該等第一記憶單元之該運作參數不位於該第一門檻範圍時，將各該等第二記憶單元之該實體位址自該紀錄表移除，以允許存取該等第二記憶單元。
  3. 如請求項1所述的固態硬碟運作方法，其中該運作參數包括一平均讀取錯誤率、一抹除時間(erase time)、一寫入時間(program time)、一讀取時間(read time)、一資料保存時間或其組合，當該運作參數包含該平均讀取錯誤率時，該固態硬碟運作方法更包含：使該控制單元於讀取該等第一記憶單元時，記錄一總錯誤位元數；以及使該控制單元對一段時間內的該總錯誤位元數，相對該段時間內讀取該等第一記憶單元的次數取平均，以計算該運作參數。
  4. 如請求項1所述的固態硬碟運作方法，其中該等記憶單元更包含複數個第三記憶單元，該等第一記憶單元及該等第二記憶單元之該運作參數位於一第二門檻範圍，且該等第三記憶單元之該運作參數不位於該第二門檻範圍，該固態硬碟運作方法更包含：使該控制單元於該等第一及第二記憶單元運作時，判斷該等第一及第二記憶單元之該運作參數是否不位於該第二門檻範圍；以及當該等第一及第二記憶單元之該運作參數不位於該第二門檻範圍時，使該控制單元致能以允許存取該等第三記憶單元。
  5. 一種固態硬碟，包括：複數個記憶單元；一控制單元，電性耦接於該等記憶單元，配置以將該等記憶單元區分為複數個第一記憶單元以及複數個第二記憶單元，其中該等第一記憶單元之一運作參數位於一第一門檻範圍，該等第二記憶單元之該運作參數不位於該第一門檻範圍，以致能以允許存取該第一記憶單元，並抑能以不允許存取該等第二記憶單元；以及一儲存單元，配置以儲存一紀錄表，該紀錄表配置以記錄各該等第二記憶單元之一實體位址，該控制單元配置以依該紀錄表，允許存取該等第一記憶單元，且不允許存取該等第二記憶單元；其中，該控制單元於該等第一記憶單元運作時，繼續判斷該等第一記憶單元之該運作參數是否不位於該第一門檻範圍，以在當該等第一記憶單元之該運作參數不位於該第一門檻範圍時，使該控制單元致能以允許存取該等第二記憶單元。
  6. 如請求項5所述的固態硬碟，其中該控制單元配置以於該等第一記憶單元之該運作參數不位於該第一門檻範圍時，將各該等第二記憶單元之該實體位址自該紀錄表移除，以允許存取該等第二記憶單元。
  7. 如請求項5所述的固態硬碟，其中該運作參數包括一平均讀取錯誤率、一抹除時間、一寫入時間、一讀取時間、一資料保存時間或其組合，其中當該運作參數包含該平均讀取錯誤率時，該控制單元配置以於讀取該等第一記憶單元時，記錄一總錯誤位元數，並對一段時間內的該總錯誤位元數，相對該段時間內讀取該等第一記憶單元的次數取平均，以計算該平均讀取錯誤率。
  8. 如請求項5所述的固態硬碟，其中該等記憶單元更包含複數個第三記憶單元，該等第一記憶單元及該等第二記憶單元之該運作參數位於一第二門檻範圍，且該等第三記憶單元之該運作參數不位於該第二門檻範圍；該控制單元更配置以於該等第一及第二記憶單元運作時，判斷該等第一及第二記憶單元之該運作參數是否不位於該第二門檻範圍，以在當該等第一及第二記憶單元之該運作參數不位於該第二門檻範圍時，致能以允許存取該等第三記憶單元。
TW107111047A 2018-03-29 2018-03-29 固態硬碟及其運作方法 TWI680373B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW107111047A TWI680373B (zh) 2018-03-29 2018-03-29 固態硬碟及其運作方法
US16/366,051 US10802961B2 (en) 2018-03-29 2019-03-27 Data storage device and operation method of the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW107111047A TWI680373B (zh) 2018-03-29 2018-03-29 固態硬碟及其運作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201942753A TW201942753A (zh) 2019-11-01
TWI680373B true TWI680373B (zh) 2019-12-21

Family

ID=68054356

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107111047A TWI680373B (zh) 2018-03-29 2018-03-29 固態硬碟及其運作方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10802961B2 (zh)
TW (1) TWI680373B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11183266B2 (en) * 2019-06-26 2021-11-23 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for repairing defective memory cells based on a specified error rate for certain memory cells

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200937192A (en) * 2008-02-29 2009-09-01 Marvell World Trade Ltd Fatigue management system and method for hybrid nonvolatile solid state memory system
TW201222256A (en) * 2010-11-22 2012-06-01 Phison Electronics Corp Memory storage device, memory controller thereof, and method for responding instruction sent from host thereof
TW201541459A (zh) * 2014-04-21 2015-11-01 Phison Electronics Corp 資料寫入方法、記憶體控制電路單元與記憶體儲存裝置
TW201608375A (zh) * 2014-08-25 2016-03-01 群聯電子股份有限公司 記憶體管理方法、記憶體儲存裝置及記憶體控制電路單元
TW201624298A (zh) * 2014-12-29 2016-07-01 宏碁股份有限公司 儲存裝置及計算機系統

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9734919B2 (en) * 2013-05-23 2017-08-15 Seagate Technology Llc Recovery of interfacial defects in memory cells
US9576671B2 (en) * 2014-11-20 2017-02-21 Western Digital Technologies, Inc. Calibrating optimal read levels
TWI584291B (zh) * 2015-12-28 2017-05-21 群聯電子股份有限公司 記憶體管理方法、記憶體控制電路單元及記憶體儲存裝置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200937192A (en) * 2008-02-29 2009-09-01 Marvell World Trade Ltd Fatigue management system and method for hybrid nonvolatile solid state memory system
TW201222256A (en) * 2010-11-22 2012-06-01 Phison Electronics Corp Memory storage device, memory controller thereof, and method for responding instruction sent from host thereof
TW201541459A (zh) * 2014-04-21 2015-11-01 Phison Electronics Corp 資料寫入方法、記憶體控制電路單元與記憶體儲存裝置
TW201608375A (zh) * 2014-08-25 2016-03-01 群聯電子股份有限公司 記憶體管理方法、記憶體儲存裝置及記憶體控制電路單元
TW201624298A (zh) * 2014-12-29 2016-07-01 宏碁股份有限公司 儲存裝置及計算機系統

Also Published As

Publication number Publication date
US10802961B2 (en) 2020-10-13
TW201942753A (zh) 2019-11-01
US20190303286A1 (en) 2019-10-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9875027B2 (en) Data transmitting method, memory control circuit unit and memory storage device
US10109352B2 (en) Data retention flags in solid-state drives
JP5031849B2 (ja) フラッシュメモリのブロック管理方法
CN110335635B (zh) 用来管理一记忆装置的方法以及记忆装置与控制器
US8296504B2 (en) Data management method and flash memory storage system and controller using the same
KR101431205B1 (ko) 캐시 메모리 장치 및 캐시 메모리 장치의 데이터 처리 방법
CN101165659A (zh) 用于在存储装置中再分配可寻址空间的方法和设备
US9123443B2 (en) Memory device, memory management device, and memory management method
CN102298543A (zh) 一种存储器管理方法和装置
US9823844B2 (en) Memory management method, memory control circuit unit, and memory storage apparatus
US9639441B2 (en) Solid-state storage system, apparatus and method of writing data
TWI437569B (zh) 用來管理一快閃記憶體的複數個區塊之方法以及相關之記憶裝置及其控制器
TWI680373B (zh) 固態硬碟及其運作方法
CN102880432B (zh) 利用数据有限寿命提高闪存芯片写入速度的方法、系统及其控制器
TWI648739B (zh) 記憶體管理方法與儲存控制器
TWI705333B (zh) 控制電路及控制方法
JP6237202B2 (ja) 半導体記憶装置およびその制御方法
KR102527925B1 (ko) 메모리 시스템 및 그것의 동작 방법
CN110364216B (zh) 固态硬盘及其运行方法
US11086546B1 (en) Preserve write for solid-state drives
US11513722B2 (en) Memory system allowing operation during suspensions
US20110010580A1 (en) Memory apparatus, memory controlling method and program
TW202034172A (zh) 非對稱型平面管理方法以及資料儲存裝置及其控制器
CN109411000A (zh) 一种固态存储器的控制方法、固态存储器及存储介质
US11604592B2 (en) Data management for efficient low power mode handling in a storage device