TWI679682B - 多管道流量比例控制器與處理腔室 - Google Patents
多管道流量比例控制器與處理腔室 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI679682B TWI679682B TW106130085A TW106130085A TWI679682B TW I679682 B TWI679682 B TW I679682B TW 106130085 A TW106130085 A TW 106130085A TW 106130085 A TW106130085 A TW 106130085A TW I679682 B TWI679682 B TW I679682B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- pipes
- flow
- gas
- flow controllers
- gas lines
- Prior art date
Links
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 63
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 63
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 228
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 description 22
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000927 Ge alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002144 chemical decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical group [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical group C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D11/00—Control of flow ratio
- G05D11/02—Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material
- G05D11/13—Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material characterised by the use of electric means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4408—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber by purging residual gases from the reaction chamber or gas lines
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45574—Nozzles for more than one gas
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D7/00—Control of flow
- G05D7/06—Control of flow characterised by the use of electric means
- G05D7/0617—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials
- G05D7/0629—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means
- G05D7/0635—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means by action on throttling means
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D7/00—Control of flow
- G05D7/06—Control of flow characterised by the use of electric means
- G05D7/0617—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials
- G05D7/0629—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means
- G05D7/0635—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means by action on throttling means
- G05D7/0641—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means by action on throttling means using a plurality of throttling means
- G05D7/0652—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means by action on throttling means using a plurality of throttling means the plurality of throttling means being arranged in parallel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/0254—Nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/02546—Arsenides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本揭示內容之實施例一般而言相關於半導體處理腔室中的一或更多個流量比例控制器與一或更多個氣體注入插入件。在一個實施例中,設備包含第一流量比例控制器、第二流量比例控制器以及氣體注入插入件,第一流量比例控制器包含第一複數個流量控制器,第二流量比例控制器包含第二複數個流量控制器,氣體注入插入件包含第一部分與第二部分。第一部分包含第一複數個管道,且第二部分包含第二複數個管道。設備進一步包含複數個氣體線,複數個氣體線將第一與第二複數個流量控制器連接至第一與第二複數個管道。複數個氣體線的一或更多個氣體線之每一者連接至第一複數個管道的一管道以及第二複數個管道的一管道。
Description
本揭示內容之實施例一般而言相關於半導體處理腔室,且更特定而言,相關於半導體處理腔室中的一或更多個流量比例控制器與一或更多個氣體注入插入件。
對廣泛的各種應用處理半導體基板,包含積體裝置與微型裝置的生產。一種基板處理方法包含沉積材料(諸如介電性材料或半導體材料)於基板的上表面上。藉由使處理氣體平行於放置在支座上的基板的表面流動,並使處理氣體熱解離而將來自氣體的材料沉積至基板表面上,可在橫向流動腔室中沉積材料。然而,沉積在基板表面上的材料的厚度時常不均勻,且合金或摻雜成分時常不均勻,且因此對最終生產裝置的效能產生負面的影響。
因此需要改良腔室,以沉積厚度均勻且合金或摻雜成分均勻的材料。
本揭示內容之實施例一般而言相關於半導體處理腔室,且更特定而言,相關於半導體處理腔室中的一或更多個流量比例控制器與一或更多個氣體注入插入件。在一個實施例中,設備包含第一流量比例控制器、第二流量比例控制器以及氣體注入插入件,第一流量比例控制器包含第一複數個流量控制器,第二流量比例控制器包含第二複數個流量控制器,氣體注入插入件包含第一部分與第二部分。第一部分包含第一複數個管道,且第二部分包含第二複數個管道。設備進一步包含複數個氣體線,複數個氣體線將第一與第二複數個流量控制器連接至第一與第二複數個管道,其中複數個氣體線的一或更多個氣體線之每一者連接至第一複數個管道的一管道以及第二複數個管道的一管道。
在另一實施例中,一種設備包含第一流量比例控制器、第二流量比例控制器以及氣體注入插入件,第一流量比例控制器包含第一複數個流量控制器與第一流量控制器,第二流量比例控制器包含第二複數個流量控制器與第二流量控制器,氣體注入插入件包含第一部分與第二部分。第一部分包含第一複數個管道與第一內側管道,且第二部分包含第二複數個管道與第二內側管道。設備進一步包含複數個氣體線,複數個氣體線將第一與第二複數個流量控制器連接至第一與第二複數個管道,第一氣體線將第一流量控制器連接至第一內側管道,且第二氣體線將第二流量控制器連接至第二內側管道。
在另一實施例中,一種設備包含腔室,腔室包含上圓頂、下圓頂、設置在上圓頂與下圓頂之間的基座環以及位於基座環內的氣體注入插入件。氣體注入插入件包含第一部分與第二部分。第一部分包含第一複數個管道,且第二部分包含第二複數個管道。設備進一步包含第一流量比例控制器、第二流量比例控制器以及複數個氣體線,第一流量比例控制器包含第一複數個流量控制器,第二流量比例控制器包含第二複數個流量控制器,複數個氣體線將第一與第二複數個流量控制器連接至第一與第二複數個管道。複數個氣體線的一或更多個氣體線之每一者連接至第一複數個管道的一管道以及第二複數個管道的一管道。
本揭示內容之實施例一般而言相關於對半導體處理腔室使用一或更多個流量比例控制器與一或更多個氣體注入插入件。在一個實施例中,設備包含第一流量比例控制器、第二流量比例控制器以及氣體注入插入件,第一流量比例控制器包含第一複數個流量控制器,第二流量比例控制器包含第二複數個流量控制器,氣體注入插入件包含第一部分與第二部分。氣體注入插入件的第一部分包含第一複數個管道,且氣體注入插入件的第二部分包含第二複數個管道。設備進一步包含複數個氣體線,複數個氣體線將第一與第二複數個流量控制器連接至第一與第二複數個管道。複數個氣體線的一或更多個氣體線之每一者,連接至第一複數個管道的一管道以及第二複數個管道的一管道。
第1圖為根據本文所述實施例的腔室100的示意側截面圖。腔室100可用於處理一或更多個基板,包含將材料沉積至基板108的上表面上。腔室100可包含輻射加熱燈陣列102,以加熱設置在腔室100內的基板支座106的背側104以及其他部件。在一些實施例中,可將輻射加熱燈陣列102設置在上圓頂128上。基板支座106可為如圖示的碟形基板支座106,或可為不具有中心開口的環形基板支座,基板支座從基板邊緣支撐基板,以協助將基板暴露至燈102的熱輻射。在一些實施例中,基板支座106可包含多個臂以支撐基板108。
基板支座106位於腔室100內,在上圓頂128與下圓頂114之間。上圓頂128、下圓頂114以及設置在上圓頂128與下圓頂114之間的基座環136,大抵界定出處理腔室100的內部區域。可透過裝載通口(未圖示)將基板108帶入腔室100並放置到基板支座106上。
將基板支座106圖示於升高的處理位置中,但可由致動器(未圖示)垂直移至處理位置下方的裝載位置,而允許升舉銷105接觸下圓頂114以將基板108從基板支座106提高。隨後,機器人(未圖示)可透過裝載通口進入腔室100以接合並移除基板108。
在位於處理位置時,基板支座106將腔室100的內部容積分割成基板支座106上方的處理氣體區域156,以及基板支座106下方的淨化氣體區域158。在處理期間內,可由中心軸132旋轉基板支座106,以最小化腔室100內熱與處理氣體流空間性異常的效應,且因此使基板108的處理均勻。由中心軸132支撐基板支座106,在裝載與卸載期間內(且在一些實例中為在基板108的處理期間內),中心軸132沿著往上與往下方向134移動基板108。可由碳化矽或以碳化矽塗佈的石墨形成基板支座106,以吸收來自燈102的輻射能量,並將輻射能量傳導至基板108。
上圓頂128的中央視窗部分以及下圓頂114的底部,係由光學通透的材料製成,諸如石英。可將一或更多個燈(諸如燈陣列102)設置為鄰接下圓頂114且在下圓頂114下方,以經指定的方式圍繞中心軸132,以在處理氣體通過時獨立控制基板108各區域的溫度,從而協助將材料沉積至基板108的上表面上。儘管本文未詳細論述,但所沉積的材料可包含矽、矽鍺、砷化鎵、氮化鎵或氮化鎵鋁。
燈102可包含燈泡141,以將基板102加熱至約攝氏200度至約攝氏1600度的溫度範圍。每一燈102耦合至電力分配板(未圖示),透過電力分配板供應電力至每一燈102。將燈102放置在燈頭145內,在(例如)將冷卻流體引入位於燈102之間的管道149的處理期間內(或之後),燈頭145可被冷卻。燈頭145冷卻下圓頂114,此部分係由於燈頭145緊密接近下圓頂114。燈頭145亦可冷卻燈102周圍的燈壁以及反射器壁(未圖示)。
環形遮罩167可可選地設置於基板支座106周圍,並由襯墊組件163環繞。環形遮罩167防止或最小化來自燈102的熱/光雜訊洩漏至基板108的裝置側116,同時對處理氣體提供了預熱分區。環形遮罩167可以由CVD SiC、塗佈有SiC的燒結石墨、生長的SiC、不透明石英、經塗佈的石英或任何類似的合適的材料製成,此種材料能耐受藉由處理和淨化氣體的化學分解。
將襯墊組件163的尺寸設置為槽式層疊於基座環136的內側圓周之內,或由基座環136的內側圓周圍繞。襯墊組件163遮蔽處理容積(亦即處理氣體區域156以及淨化氣體區域158)使其不受處理腔室100金屬壁的影響。金屬壁可與前驅物反應,且在處理容積中產生污染物。儘管將襯墊組件163圖示為單一主體,但襯墊組件163可包含具有不同配置的一或更多個襯墊。
由於來自基板支座106的基板108背側加熱,可執行使用光學高溫計118以在基板支座上進行溫度量測/控制。光學高溫計118所進行的此溫度量測,亦可在具有未知發射率的基板裝置側116上完成,因為以此方式加熱基板前側110是無關於發射率的。因此,光學高溫計118僅可感測從基板支座106傳導的來自熱基板108的輻射,而將來自燈102的直接到達光學高溫計118的背景輻射最小化。
可選地,可在上圓頂128的外側放置反射器122,以將射離基板108的紅外光反射回基板108上。可使用夾持環130將反射器122固持至上圓頂128。可由諸如鋁或不銹鋼的金屬製成反射器122。藉由以高反射性塗層(諸如金)塗佈反射器面積,可提升反射的效率。反射器122可具有連接至冷卻源(未圖示)的一或更多個管道126。每一管道126連接至形成在反射器122的一側上的通道(未圖示)。通道經配置以承載流體流(諸如水),並可由覆蓋反射器122的部分或整體表面的任何圖案,沿著反射器122側水平延伸,以冷卻反射器122。
將供應自處理氣體供應源177、179的處理氣體透過氣體注入插入件174引入處理氣體區域156,氣體注入插入件174位於基座環136的側壁中。在進入氣體注入插入件174之前,處理氣體可流入一或更多個流量比例控制器171、172。氣體注入插入件174經配置以由大抵徑向向內的方向引導處理氣體。一或更多個流量比例控制器171、172以及氣體注入插入件174,調諧處理氣體的流動速率以及流動速率比例,此致能了調節交叉流動腔室100中的徑向氣流速率輪廓,同時將注入點處的總和氣流以及氣體分壓保持固定。此外,一或更多個流量比例控制器171、172以及氣體注入插入件174,提供了對合金成分、摻雜濃度或選擇性的調諧。第3圖與第4圖詳細說明了一或更多個流量比例控制器171、172以及氣體注入插入件174。在薄膜形成處理中,基板支座106可位於處理位置(鄰接於氣體注入插入件174且高度約與氣體注入插入件174相同),允許處理氣體沿著流動路徑173以層流(laminar flow)方式流動跨越基板108的上表面。處理氣體經由氣體出口178退出處理氣體區域156(沿著流動路徑175),氣體出口178位於與氣體注入插入件174相對的腔室100側上。可由耦合至氣體口178的真空幫浦180,協助經由氣體出口178移除處理氣體。
可從淨化氣體源162經由可選的淨化氣體入口164(或經由氣體注入插入件174),供應淨化氣體至淨化氣體區域158,淨化氣體入口164形成於基座環136的側壁中。將淨化氣體入口164設置在低於氣體注入插入件174的高度。在薄膜形成處理期間內,基板支座106可位於一位置,使得淨化氣體沿著流動路徑165以層流方式流動跨越基板支座106的背側104。在不受任何特定理論的束縛的前提之下,咸信淨化氣體的流動防止(或實質避免)處理氣體流進入淨化氣體區域158,或減少處理氣體擴散進入淨化氣體區域158(亦即在基板支座106之下的區域)。淨化氣體沿著流動路徑166退出淨化氣體區域158,並經由氣體出口178排氣出腔室100,氣體出口178位於與淨化氣體口164相對的腔室100側上。
類似的,在淨化處理期間內,基板支座106可位於升高的位置,以允許淨化氣體橫向流動跨越基板支座106的背側104。在本發明領域中具有通常知識者應理解到,處理氣體入口、淨化氣體入口以及氣體入口係為了說明目的而圖示,因為可調整氣體入口或出口等等的位置、尺寸或數量,以進一步協助在基板108上均勻沉積材料。
第2圖為根據本文所述實施例的可用於替換第1圖的襯墊組件163的襯墊組件的透視圖。襯墊組件200經配置以襯墊處理腔室內的處理區域,諸如第1圖的腔室100。襯墊組件200一般而言提供氣體入口通口202、氣體出口通口204以及裝載通口206。可將襯墊組件200槽式層疊於設置在腔室中的基座環(例如第1圖的基座環136)內,或由基座環圍繞。可使襯墊組件200一體成形,或可包含可組裝在一起的多個部件。在一個範例中,襯墊組件200包含模組化的多個部件(或襯墊),此等部件經調適而被個別或協同替換,以提供模組化設計所帶來的額外彈性與成本節省。襯墊組件200的模組化設計致能了輕易的操作性以及提升的功能性(亦即改變不同的注入器)。在一個實施例中,襯墊組件200包含至少一上襯墊208與下襯墊210,上襯墊208與下襯墊210垂直堆疊。排氣襯墊212可由部分的上襯墊208結合,以提升定位穩定性。
上襯墊208與排氣襯墊212可具有切口,以接收注入器襯墊214。注入器襯墊214耦合至一或更多個氣體注入插入件218。一或更多個氣體注入插入件218可為第1圖圖示的氣體注入插入件174。在一個實施例中,一個氣體注入插入件218包含第一部分222與第二部分224,第一部分222具有複數個管道220,第二部分224具有複數個管道226。在一個實施例中,氣體注入插入件218的第一部分222與第二部分224為兩個個別的氣體注入插入件218。經由管道220、226將一或更多個處理氣體引入腔室。
第3圖為根據本文所述實施例的可用於第1圖腔室100中的襯墊組件200與一或更多個流量比例控制器304、306的透視圖。一或更多個流量比例控制器304、306可為第1圖圖示的一或更多個流量比例控制器171、172。如第3圖圖示,襯墊組件200包含注入器襯墊214以及耦合至注入器襯墊214的一或更多個氣體注入插入件218。一或更多個氣體注入插入件218耦合至岐管302。岐管302包含第一表面303以及相對於第一表面303的第二表面305。第一流量比例控制器304耦合至岐管302的第一表面303,且第二流量控制器306耦合至岐管302的第二表面305。在氣體注入插入件218中設置複數個管308,每一管308可位於對應的管道220、226內(見第2圖)。複數個管308可連接至岐管302,且處理氣體可經由複數個管308,流動通過岐管302進入腔室100。
第4圖示意圖示說明根據本文所述實施例的可用於第1圖腔室100中的一或更多個氣體注入插入件218與一或更多個流量比例控制器304、306之間的連結。如第4圖圖示,氣體注入插入件218包含第一部分222與第二部分224。在一個實施例中,第一部分222與第二部分224為個別的氣體注入插入件。每一部分222、224包含形成於其中的複數個管道220、226,且第一部分222中的管道220數量等於第二部分226中的管道226數量。在一個實施例中,每一部分222、224包含九個管道220a-220i或226a-226i,如第4圖圖示。在另一實施例中,每一部分222、224包含11個管道。第一部分222與第二部分224可為相對於中心軸401彼此鏡射的映像。第一部分222中的管道220a-220i的位置,以及管道226a-226i的位置,可相對於中心軸401對稱。例如,第一部分222中的內側管道220i的位置,以及第二部分224中的內側管道226i的位置,相對於中心軸401對稱。如第4圖圖示,內側管道220i鄰接於內側管道226i。
一或更多個流量比例控制器304、306藉由複數個氣體線連接至氣體注入插入件218。氣體線可為任何適合的線,諸如導管或管,以讓氣體或流體流過其中。在一個實施例中,兩個流量比例控制器304、306藉由複數個氣體線連接至氣體注入插入件218,如第4圖圖示。每一流量比例控制器304、306包含複數個流量控制器,諸如質量流量控制器(mass flow controllers, MFCs)。在一個實施例中,流量比例控制器304包含五個流量控制器402、404、406、408、410,且流量比例控制器306包含五個流量控制器412、414、416、418、420。每一流量比例控制器304、306中的流量控制器數量,可多於或少於五個。在一個實施例中,有22個管道形成於氣體注入插入件218中(第一與第二部分222、224之每一者中各有11個管道),且每一流量比例控制器304、306中有六個流量控制器。
流量控制器402、404、406、408、410、412、414、416、418、420藉由複數個氣體線連接至管道220a-220i、226a-226i(或位於管道中的管,諸如第3圖圖示的管308)。第一部分222的內側管道220i藉由氣體線422連接至流量比例控制器304中的流量控制器410,且第二部分224的內側管道226i藉由氣體線424連接至流量比例控制器306中的流量控制器412。流量比例控制器304中剩餘的流量控制器402、404、406、408之每一者連接至兩個管道,一個管道在氣體注入插入件218的第一部分222中,而另一管道在氣體注入插入件218的第二部分224中。流量比例控制器306中剩餘的流量控制器414、416、418、420之每一者連接至兩個管道,一個管道在氣體注入插入件218的第一部分222中,而另一管道在氣體注入插入件218的第二部分224中。氣體注入插入件218中沒有管道連接至多於一個流量控制器。
例如,流量比例控制器304中的流量控制器402連接至第一氣體線426,第一氣體線426分成兩個氣體線426a、426b。氣體線426a連接至第一部分222中的管道220a,且氣體線426b連接至第二部分224中的管道226b。流量比例控制器304中的流量控制器404連接至第二氣體線428,第二氣體線428分成兩個氣體線428a、428b。氣體線428a連接至第一部分222中的管道220c,且氣體線428b連接至第二部分224中的管道226d。流量比例控制器304中的流量控制器406連接至第三氣體線430,第三氣體線430分成兩個氣體線430a、430b。氣體線430a連接至第一部分222中的管道220e,且氣體線430b連接至第二部分224中的管道226f。流量比例控制器304中的流量控制器408連接至第四氣體線432,第四氣體線432分成兩個氣體線432a、432b。氣體線432a連接至第一部分222中的管道220g,且氣體線432b連接至第二部分224中的管道226h。流量比例控制器304中的流量控制器410連接至第五氣體線422,第五氣體線422連接至第一部分222中的內側管道220i。流量比例控制器306中的流量控制器412連接至第六氣體線424,第六氣體線424連接至第二部分224中的內側管道226i。流量比例控制器306中的流量控制器414連接至第七氣體線434,第七氣體線434分成兩個氣體線434a、434b。氣體線434a連接至第一部分222中的管道220h,且氣體線434b連接至第二部分224中的管道226g。流量比例控制器306中的流量控制器416連接至第八氣體線436,第八氣體線436分成兩個氣體線436a、436b。氣體線436a連接至第一部分222中的管道220f,且氣體線436b連接至第二部分224中的管道226e。流量比例控制器306中的流量控制器418連接至第九氣體線438,第九氣體線438分成兩個氣體線438a、438b。氣體線438a連接至第一部分222中的管道220d,且氣體線438b連接至第二部分224中的管道226c。流量比例控制器306中的流量控制器420連接至第十氣體線440,第十氣體線440分成兩個氣體線440a、440b。氣體線440a連接至第一部分222中的管道220b,且氣體線440b連接至第二部分224中的管道226a。
流量比例控制器304連接至第一氣體源(諸如氣體源177,第1圖),且流量比例控制器306連接至第二氣體源(諸如氣體源179,第1圖)。第一氣體源提供第一氣體(或氣體混合物)A至流量比例控制器304的流量控制器402、404、406、408、410,且第二氣體源提供第二氣體(或氣體混合物)B至流量比例控制器306的流量控制器412、414、416、418、420。由氣體線426、428、430、432、422、424、434、436、438、440將第一氣體A與第二氣體B引導至管道220a-220i與226a-226i(或放置在管道內的管)。使第一氣體A與第二氣體B交替流動通過管道220a-220i與226a-226i。例如,第一氣體A流動通過第一部分222中的管道220a,且管道220a為最外側的管道。第二氣體B流動通過在第一部分222中的管道220b(鄰接於管道220a)。換言之,流動通過鄰接管道的氣體,係由不同的氣體源提供,或者不同的氣體流動通過鄰接的管道。由於兩個流量控制器定位在岐管302的相對表面上,可由交替方式使A與B氣體流交插進入管道220。
一或更多個流量比例控制器304、306、一或更多個氣體注入插入件218以及將流量控制器304、306連接至氣體注入插入件218的複數個氣體線(如第4圖圖示),致能使用兩個不同的氣體或氣體混合物(A與B)並使用交替的注入點A-B-A-B-A-B-A-B-A=B-A-B-A-B-A-B-A-B(等號「=」表示中心軸,諸如第4圖圖示的中心軸401)。將對於一個氣體或氣體混合物的所有注入點分組成對,除了內側注入點(諸如內側管道220i或226i)未與另一管道成對以外。藉由將注入點分成兩組(A與B),可利用兩個獨立的氣流輪廓以調諧合金成分(例如矽對鍺、矽對碳、鍺對錫)或電阻率/摻雜濃度或選擇性(沉積前驅物與蝕刻前驅物)。例如在一個實施例中,第一處理氣體A為含矽前驅物,且第二處理氣體B為含鍺前驅物。可藉由調整流量控制器402、404、406、408、418相對於流量控制器412、414、416、418、420,來調諧所沉積的矽鍺層中的矽與鍺合金成分。在另一實施例中,第一處理氣體A為含矽前驅物,且第二處理氣體B為摻雜物(諸如含砷摻雜物)。可藉由調整流量控制器402、404、406、408、418相對於流量控制器412、414、416、418、420,調諧所沉積的矽摻雜層的摻雜濃度。此外,改良了沉積層的厚度不均勻性。使用包含多個流量控制器的流量比例控制器,允許輕易調諧各個流量控制器中的流量。
儘管前述內容係關於特定實施例,但可發想其他與進一步的實施例而不脫離前述內容的基本範疇,且前述內容的範疇係由下列申請專利範圍判定。
100‧‧‧腔室
102‧‧‧燈
104‧‧‧背側
105‧‧‧升舉銷
106‧‧‧碟形基板支座
108‧‧‧熱基板
110‧‧‧正側
114‧‧‧下基板
116‧‧‧裝置側
118‧‧‧光學高溫計
122‧‧‧反射器
126‧‧‧管道
128‧‧‧上圓頂
130‧‧‧夾持環
132‧‧‧中心軸
134‧‧‧方向
136‧‧‧基座環
141‧‧‧燈泡
145‧‧‧燈頭
149‧‧‧管道
156‧‧‧處理氣體區域
158‧‧‧淨化氣體區域
162‧‧‧淨化氣體源
163‧‧‧襯墊組件
164‧‧‧可選的淨化氣體入口
165‧‧‧流動路徑
166‧‧‧流動路徑
167‧‧‧環形遮罩
171‧‧‧流量比例控制器
172‧‧‧流量比例控制器
173‧‧‧流動路徑
174‧‧‧氣體注入插入件
175‧‧‧流動路徑
177‧‧‧氣體源
178‧‧‧氣體出口
179‧‧‧氣體源
180‧‧‧真空幫浦
200‧‧‧襯墊組件
202‧‧‧氣體入口通口
204‧‧‧氣體出口通口
206‧‧‧裝載通口
208‧‧‧上襯墊
210‧‧‧下襯墊
212‧‧‧排氣襯墊
214‧‧‧注入器襯墊
218‧‧‧氣體注入插入件
220‧‧‧管道
220a‧‧‧管道
220b‧‧‧管道
220c‧‧‧管道
220d‧‧‧管道
220e‧‧‧管道
220f‧‧‧管道
220g‧‧‧管道
220h‧‧‧管道
220i‧‧‧內側管道
222‧‧‧第一部分
224‧‧‧部分
226‧‧‧管道
226a‧‧‧管道
226b‧‧‧管道
226c‧‧‧管道
226d‧‧‧管道
226e‧‧‧管道
226f‧‧‧管道
226g‧‧‧管道
226h‧‧‧管道
226i‧‧‧內側管道
302‧‧‧岐管
303‧‧‧第一表面
304‧‧‧第一流量比例控制器
305‧‧‧第二表面
306‧‧‧流量比例控制器
308‧‧‧管
401‧‧‧中心軸
402‧‧‧五個流量控制器
404‧‧‧五個流量控制器
406‧‧‧五個流量控制器
408‧‧‧五個流量控制器
410‧‧‧流量控制器
412‧‧‧五個流量控制器
414‧‧‧五個流量控制器
416‧‧‧五個流量控制器
418‧‧‧五個流量控制器
420‧‧‧五個流量控制器
422‧‧‧第五氣體線
424‧‧‧氣體線
426‧‧‧第一氣體線
426a‧‧‧氣體線
426b‧‧‧氣體線
428‧‧‧氣體線
428a‧‧‧氣體線
428b‧‧‧氣體線
430‧‧‧氣體線
430a‧‧‧氣體線
430b‧‧‧氣體線
432‧‧‧第四氣體線
432a‧‧‧氣體線
432b‧‧‧氣體線
434‧‧‧第七氣體線
434a‧‧‧氣體線
434b‧‧‧氣體線
436‧‧‧第八氣體線
436a‧‧‧氣體線
436b‧‧‧氣體線
438‧‧‧第九氣體線
438a‧‧‧氣體線
438b‧‧‧氣體線
440‧‧‧第十氣體線
440a‧‧‧氣體線
440b‧‧‧氣體線
第1圖為根據本文所述實施例的腔室的示意側截面圖。
第2圖為根據本文所述實施例的可用於第1圖腔室中的襯墊組件的透視圖。
第3圖為根據本文所述實施例的可用於第1圖腔室中的襯墊組件與一或更多個流量比例控制器的透視圖。
第4圖示意圖示說明根據本文所述實施例的可用於第1圖腔室中的一或更多個氣體注入插入件與一或更多個流量比例控制器之間的連結。
為了協助瞭解,已儘可能使用相同的元件符號標定圖式中共有的相同元件。已思及到,揭示於一個實施例中的要素,可無需進一步的敘述即可被有益地併入其他實施例中。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
Claims (20)
- 一種半導體處理設備,包含:一第一流量比例控制器,該第一流量比例控制器包含第一複數個流量控制器;一第二流量比例控制器,該第二流量比例控制器包含第二複數個流量控制器;一氣體注入插入件,該氣體注入插入件包含一第一部分與一第二部分,其中該第一部分包含第一複數個管道,且該第二部分包含第二複數個管道;以及複數個氣體線,該複數個氣體線將該第一與第二複數個流量控制器連接至該第一與第二複數個管道,其中該複數個氣體線的一或更多個氣體線之每一者各自連接在該第一與第二複數個流量控制器中的一流量控制器與兩個管道之間,其中該兩個管道中的一個管道是來自該第一複數個管道,且該兩個管道中的另一個管道是來自該第二複數個管道。
- 如請求項1所述之設備,其中該第一複數個管道包含九個管道,且該第二複數個管道包含九個管道。
- 如請求項2所述之設備,其中該第一複數個流量控制器包含五個流量控制器且該第二複數個流量控制器包含五個流量控制器。
- 如請求項3所述之設備,其中該複數個氣體線的該一或更多個氣體線包含八個氣體線,且該八個氣體線之每一者連接至該第一與第二複數個流量控制器的一分異的流量控制器。
- 如請求項1所述之設備,其中該第一複數個管道包含十一個管道,且該第二複數個管道包含十一個管道。
- 如請求項5所述之設備,其中該第一複數個流量控制器包含六個流量控制器且該第二複數個流量控制器包含六個流量控制器。
- 如請求項6所述之設備,其中該複數個氣體線的該一或更多個氣體線包含十個氣體線,且該十個氣體線之每一者連接至該第一與第二複數個流量控制器的一分異的流量控制器。
- 一種半導體處理設備,包含:一第一流量比例控制器,該第一流量比例控制器包含第一複數個流量控制器以及一第一流量控制器;一第二流量比例控制器,該第二流量比例控制器包含第二複數個流量控制器以及一第二流量控制器;一氣體注入插入件,該氣體注入插入件包含一第一部分與一第二部分,其中該第一部分包含第一複數個管道與一第一內側管道,且該第二部分包含第二複數個管道與一第二內側管道;複數個氣體線,該複數個氣體線將該第一與第二複數個流量控制器連接至該第一與第二複數個管道;一第一氣體線,該第一氣體線將該第一流量控制器連接至該第一內側管道;以及一第二氣體線,該第二氣體線將該第二流量控制器連接至該第二內側管道。
- 如請求項8所述之設備,其中該複數個氣體線之每一者連接至該第一複數個管道的一管道以及該第二複數個管道的一管道。
- 如請求項8所述之設備,其中該第一複數個流量控制器之每一者連接至該第一複數個管道的一管道以及該第二複數個管道的一管道,且該第二複數個流量控制器之每一者連接至該第一複數個管道的一管道以及該第二複數個管道的一管道。
- 如請求項8所述之設備,其中該第一複數個管道包含八個管道,且該第二複數個管道包含八個管道。
- 如請求項11所述之設備,其中該第一複數個流量控制器包含四個流量控制器且該第二複數個流量控制器包含四個流量控制器。
- 如請求項8所述之設備,其中該第一複數個管道包含十個管道,且該第二複數個管道包含十個管道。
- 如請求項13所述之設備,其中該第一複數個流量控制器包含五個流量控制器且該第二複數個流量控制器包含五個流量控制器。
- 一種半導體處理設備,包含:一腔室,包含:一上圓頂;一下圓頂;一基座環,該基座環設置在該上圓頂與該下圓頂之間;以及一氣體注入插入件,該氣體注入插入件位於該基座環內,其中該氣體注入插入件包含一第一部分與一第二部分,其中該第一部分包含第一複數個管道,且該第二部分包含第二複數個管道;一第一流量比例控制器,該第一流量比例控制器包含第一複數個流量控制器;一第二流量比例控制器,該第二流量比例控制器包含第二複數個流量控制器;複數個氣體線,該複數個氣體線將該第一與第二複數個流量控制器連接至該第一與第二複數個管道,其中該複數個氣體線的一或更多個氣體線之每一者各自連接在該第一與第二複數個流量控制器中的一流量控制器與兩個管道之間,其中該兩個管道中的一個管道是來自該第一複數個管道的一管道,且該兩個管道中的另一個管道是來自該第二複數個管道。
- 如請求項15所述之設備,其中該第一複數個管道包含九個管道,該第二複數個管道包含九個管道,該第一複數個流量控制器包含五個流量控制器,且該第二複數個流量控制器包含五個流量控制器。
- 如請求項16所述之設備,其中該複數個氣體線的該一或更多個氣體線包含八個氣體線,且該八個氣體線之每一者連接至該第一與第二複數個流量控制器的一分異的流量控制器。
- 如請求項15所述之設備,其中該第一複數個管道包含十一個管道,且該第二複數個管道包含十一個管道。
- 如請求項18所述之設備,其中該第一複數個流量控制器包含六個流量控制器且該第二複數個流量控制器包含六個流量控制器。
- 如請求項19所述之設備,其中該複數個氣體線的該一或更多個氣體線包含十個氣體線,且該十個氣體線之每一者連接至該第一與第二複數個流量控制器的一分異的流量控制器。
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201662403583P | 2016-10-03 | 2016-10-03 | |
US62/403,583 | 2016-10-03 | ||
US15/418,489 US10691145B2 (en) | 2016-10-03 | 2017-01-27 | Multi-channel flow ratio controller and processing chamber |
PCT/US2017/015475 WO2018067191A1 (en) | 2016-10-03 | 2017-01-27 | Multi-channel flow ratio controller and processing chamber |
??PCT/US17/15475 | 2017-01-27 | ||
US15/418,489 | 2017-01-27 | ||
WOPCT/US17/15475 | 2017-01-27 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201814772A TW201814772A (zh) | 2018-04-16 |
TWI679682B true TWI679682B (zh) | 2019-12-11 |
Family
ID=61758788
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW106130085A TWI679682B (zh) | 2016-10-03 | 2017-09-04 | 多管道流量比例控制器與處理腔室 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10691145B2 (zh) |
KR (2) | KR102369071B1 (zh) |
CN (3) | CN118073179A (zh) |
TW (1) | TWI679682B (zh) |
WO (1) | WO2018067191A1 (zh) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN118073179A (zh) | 2016-10-03 | 2024-05-24 | 应用材料公司 | 多通道流量比例控制器与处理腔室 |
JP6602332B2 (ja) * | 2017-03-28 | 2019-11-06 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
US11784109B2 (en) | 2018-08-10 | 2023-10-10 | Frore Systems Inc. | Method and system for driving piezoelectric MEMS-based active cooling devices |
US11464140B2 (en) | 2019-12-06 | 2022-10-04 | Frore Systems Inc. | Centrally anchored MEMS-based active cooling systems |
US12089374B2 (en) | 2018-08-10 | 2024-09-10 | Frore Systems Inc. | MEMS-based active cooling systems |
CN214848503U (zh) | 2018-08-29 | 2021-11-23 | 应用材料公司 | 注入器设备、基板处理设备及在机器可读介质中实现的结构 |
US10995419B2 (en) * | 2019-04-16 | 2021-05-04 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for gallium nitride deposition |
TWI833954B (zh) * | 2019-05-28 | 2024-03-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於改善處理腔室中的流動控制的設備 |
US11032945B2 (en) * | 2019-07-12 | 2021-06-08 | Applied Materials, Inc. | Heat shield assembly for an epitaxy chamber |
CN111455458B (zh) * | 2019-09-18 | 2021-11-16 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 外延装置及应用于外延装置的进气结构 |
US11802554B2 (en) | 2019-10-30 | 2023-10-31 | Frore Systems Inc. | MEMS-based airflow system having a vibrating fan element arrangement |
US11796262B2 (en) | 2019-12-06 | 2023-10-24 | Frore Systems Inc. | Top chamber cavities for center-pinned actuators |
US11510341B2 (en) | 2019-12-06 | 2022-11-22 | Frore Systems Inc. | Engineered actuators usable in MEMs active cooling devices |
WO2021126791A1 (en) | 2019-12-17 | 2021-06-24 | Frore Systems Inc. | Mems-based cooling systems for closed and open devices |
US12033917B2 (en) | 2019-12-17 | 2024-07-09 | Frore Systems Inc. | Airflow control in active cooling systems |
WO2022072286A1 (en) | 2020-10-02 | 2022-04-07 | Frore Systems Inc. | Active heat sink |
US20220367216A1 (en) * | 2021-05-11 | 2022-11-17 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone lamp heating and temperature monitoring in epitaxy process chamber |
EP4114160A1 (en) * | 2021-07-02 | 2023-01-04 | Frore Systems Inc. | Top chamber cavities for center-pinned actuators |
KR20230083880A (ko) | 2021-12-03 | 2023-06-12 | 한국전자통신연구원 | 멀티 포트 가스 유량 제어 장치 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20030000924A1 (en) * | 2001-06-29 | 2003-01-02 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method of gas injection sequencing |
TW201348505A (zh) * | 2012-03-30 | 2013-12-01 | Applied Materials Inc | 氣體輸送系統與氣體輸送系統的使用方法 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU2002306436A1 (en) | 2001-02-12 | 2002-10-15 | Asm America, Inc. | Improved process for deposition of semiconductor films |
US6902624B2 (en) * | 2001-10-29 | 2005-06-07 | Genus, Inc. | Massively parallel atomic layer deposition/chemical vapor deposition system |
US20050223985A1 (en) * | 2004-04-08 | 2005-10-13 | Blomiley Eric R | Deposition apparatuses, methods of assessing the temperature of semiconductor wafer substrates within deposition apparatuses, and methods for deposition of epitaxial semiconductive material |
US7289865B2 (en) | 2004-07-14 | 2007-10-30 | Asm America, Inc. | Optimization algorithm to optimize within substrate uniformities |
KR100706243B1 (ko) * | 2005-02-22 | 2007-04-11 | 삼성전자주식회사 | 질화 텅스텐 증착 장치 및 증착 방법 |
JP2006253696A (ja) | 2005-03-10 | 2006-09-21 | Asm America Inc | ガスインジェクタ制御システム |
JP5069424B2 (ja) * | 2006-05-31 | 2012-11-07 | Sumco Techxiv株式会社 | 成膜反応装置及び同方法 |
TW200809926A (en) * | 2006-05-31 | 2008-02-16 | Sumco Techxiv Corp | Apparatus and method for depositing layer on substrate |
US8067061B2 (en) | 2007-10-25 | 2011-11-29 | Asm America, Inc. | Reaction apparatus having multiple adjustable exhaust ports |
US7939447B2 (en) | 2007-10-26 | 2011-05-10 | Asm America, Inc. | Inhibitors for selective deposition of silicon containing films |
US8486191B2 (en) | 2009-04-07 | 2013-07-16 | Asm America, Inc. | Substrate reactor with adjustable injectors for mixing gases within reaction chamber |
US20110073039A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-03-31 | Ron Colvin | Semiconductor deposition system and method |
US20110265883A1 (en) * | 2010-04-30 | 2011-11-03 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for reducing flow splitting errors using orifice ratio conductance control |
US9499905B2 (en) | 2011-07-22 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for the deposition of materials on a substrate |
US8728239B2 (en) * | 2011-07-29 | 2014-05-20 | Asm America, Inc. | Methods and apparatus for a gas panel with constant gas flow |
US20130143415A1 (en) | 2011-12-01 | 2013-06-06 | Applied Materials, Inc. | Multi-Component Film Deposition |
US9322097B2 (en) | 2013-03-13 | 2016-04-26 | Applied Materials, Inc. | EPI base ring |
US9117670B2 (en) | 2013-03-14 | 2015-08-25 | Sunedison Semiconductor Limited (Uen201334164H) | Inject insert liner assemblies for chemical vapor deposition systems and methods of using same |
WO2014179014A1 (en) * | 2013-05-01 | 2014-11-06 | Applied Materials, Inc. | Inject and exhaust design for epi chamber flow manipulation |
JP6157942B2 (ja) * | 2013-06-13 | 2017-07-05 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 気相成長装置および気相成長方法 |
US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
CN118073179A (zh) | 2016-10-03 | 2024-05-24 | 应用材料公司 | 多通道流量比例控制器与处理腔室 |
-
2017
- 2017-01-27 CN CN202410243282.1A patent/CN118073179A/zh active Pending
- 2017-01-27 CN CN201780061308.9A patent/CN109923644B/zh active Active
- 2017-01-27 WO PCT/US2017/015475 patent/WO2018067191A1/en active Application Filing
- 2017-01-27 KR KR1020217011058A patent/KR102369071B1/ko active IP Right Grant
- 2017-01-27 US US15/418,489 patent/US10691145B2/en active Active
- 2017-01-27 CN CN202310055940.XA patent/CN116190216A/zh active Pending
- 2017-01-27 KR KR1020197012921A patent/KR102242336B1/ko active IP Right Grant
- 2017-09-04 TW TW106130085A patent/TWI679682B/zh active
-
2020
- 2020-04-14 US US16/848,594 patent/US11537151B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20030000924A1 (en) * | 2001-06-29 | 2003-01-02 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method of gas injection sequencing |
TW201348505A (zh) * | 2012-03-30 | 2013-12-01 | Applied Materials Inc | 氣體輸送系統與氣體輸送系統的使用方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20200241580A1 (en) | 2020-07-30 |
CN109923644A (zh) | 2019-06-21 |
US10691145B2 (en) | 2020-06-23 |
WO2018067191A1 (en) | 2018-04-12 |
KR20190051088A (ko) | 2019-05-14 |
US11537151B2 (en) | 2022-12-27 |
KR20210043754A (ko) | 2021-04-21 |
KR102369071B1 (ko) | 2022-03-02 |
KR102242336B1 (ko) | 2021-04-20 |
CN118073179A (zh) | 2024-05-24 |
CN116190216A (zh) | 2023-05-30 |
TW201814772A (zh) | 2018-04-16 |
US20180095480A1 (en) | 2018-04-05 |
CN109923644B (zh) | 2024-03-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI679682B (zh) | 多管道流量比例控制器與處理腔室 | |
TWI687966B (zh) | 處理基板的方法及真空處理系統與設備 | |
KR101931541B1 (ko) | Epi 베이스 링 | |
TWI638070B (zh) | 石英的上部及下部圓頂 | |
CN103890911B (zh) | 气体分散设备 | |
US20160010208A1 (en) | Design of susceptor in chemical vapor deposition reactor | |
TWI649465B (zh) | 用於雜質分層磊晶法的設備 | |
TW201913739A (zh) | 整合式磊晶與預清洗系統 | |
TWI697364B (zh) | 一體的噴嘴組件、下襯裡,及包括此之用於基板處理的設備 | |
KR20160016696A (ko) | 재귀 펌핑 부재 | |
TW201943899A (zh) | 用於磊晶腔室的襯墊 | |
WO2024158602A1 (en) | Injectors, liners, process kits, processing chambers, and related methods for gas flow in batch processing of semiconductor manufacturing | |
US20240018658A1 (en) | Flow guide structures and heat shield structures, and related methods, for deposition uniformity and process adjustability | |
US20240112931A1 (en) | Cassette structures and related methods for batch processing in epitaxial deposition operations | |
US20240110278A1 (en) | Dog bone exhaust slit tunnel for processing chambers | |
TW202430734A (zh) | 用於半導體製造的批量處理中的氣體流動的注射器、襯套、處理套件、處理腔室及相關方法 | |
TW202431352A (zh) | 用於磊晶沉積操作之批次處理的盒結構與相關方法 |