TWI671420B - 植體電漿鍍膜與分子交聯流程及結構 - Google Patents

Abstract

一種植體電漿鍍膜與分子交聯流程及結構，該植體電漿鍍膜與分子交聯流程包含以下步驟：提供一植體成品；將含有矽氧類分子之單體分解為離子狀態(電漿)，並其於植體表面形成鍍膜；於植體表面沾附一可與矽氧烷鍍膜產生共價鍵結合之交聯劑；於交聯劑外塗佈功能性分子，使其產生化學鍵結而保留於植體表面，藉此完成植體電漿鍍膜與分子交聯結構。

Description

植體電漿鍍膜與分子交聯流程及結構

本發明係與植牙有關，特別是指一種植體電漿鍍膜與分子交聯流程及結構。

一般骨內植入物如人工牙根(植體)，於手術後將需要數個月的恢復期，使骨骼重新生長並與植體結合，或是稱為骨整合。而骨整合的效率與植體的穩固度有直接關係，當植體搖動時，骨整合無法進行，因此醫師通常於手術時，會使植體尺寸略大於骨骼上的孔洞尺寸，透過骨骼壓迫植體而產生較佳的初期穩定度。

由於植牙手術後的兩週內，受損骨骼會被人體分解吸收，此時植體會產生鬆動。

但是植體因受力而搖動時，會使骨細胞無法生長，進而導致骨整合失敗，也正因為如此，習見的植牙成功率通常較低。

此外，植體於骨整合期間除了可能發生上述問題外，又由於植體並不像自然骨骼有血管網絡，故植體對於病菌的抑制力較差，因此容易引發「植體周圍炎」等併發症，若患者於口腔清潔上並不確實，進而引發植體周圍炎時，則植牙失敗率高達20~30%。

從上述可知，患者於植牙手術並植入植體時，植體將立即暴 露於口腔的惡劣環境中，且須要承受患者咀嚼時的機械力及病菌的滋生，將大幅降低植牙成功率。

由此可見，上述習見植牙方法仍有諸多缺失，實非一良善之設計，而亟待加以改良。

本案發明人鑑於上述習用植牙方法所衍生的各項缺點，乃亟思加以改良創新，並經多年苦心孤詣潛心研究後，終於成功研發完成本件植體電漿鍍膜與分子交聯流程及結構。

本發明之目的係提供一種植體電漿鍍膜與分子交聯流程及結構，係於將含有矽氧類分子之單體分解為電漿狀態後鍍膜於植體表面，再於植體表面沾附交聯劑，而後將功能性分子與交聯劑鍵結，使得功能性分子保留於植體表面，藉此提高植牙手術成功率。

為了達到上述目的，本發明植體電漿鍍膜與分子交聯流程，包含以下步驟：提供一植體成品；將含有矽氧類分子之單體分解為離子狀態(電漿)，並其於植體表面形成鍍膜，該含有矽氧類分子之單體為矽氧烷；於植體表面沾附或塗佈或浸泡一可與矽氧烷鍍膜產生共價鍵結合之交聯劑，該交聯劑為京尼平或原花青素；於交聯劑外塗佈功能性分子，使其產生化學鍵結而保留於植體表面，藉此完成植體電漿鍍膜與分子交聯流程，該交聯劑為京尼平或原 花青素。

為了達到上述目的，本發明植體電漿鍍膜與分子交聯結構，包含有：一植體，係用來嵌入齒槽骨內並支撐一假牙，其包含有一人工牙根及設置於該人工牙根上之基座；含有矽氧類分子之單體，係鍍膜於植體表面，該含有矽氧類分子之單體分解為離子狀態後鍍膜於植體表面，該含有矽氧類分子之單體為矽氧烷；交聯劑，係沾附或塗佈或浸泡於該鍍膜後之植體表面，該交聯劑係為化學交聯劑或天然交聯劑或其組合，例如：京尼平或原花青素；功能性分子，係塗佈於該交聯劑外並產生化學鍵結，使該功能性分子保留於該植體表面，該功能性分子係為骨生長促進分子或抗菌高分子。

為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖，然而所附圖式僅提供參考與說明用，並非用來對本發明加以限制。

1‧‧‧植體

11‧‧‧人工牙根

12‧‧‧基座

2‧‧‧含有矽氧類分子之單體

3‧‧‧交聯劑

4‧‧‧功能性分子

第一圖 係本發明植體電漿鍍膜與分子交聯流程示意圖。

第二圖 係本發明植體電漿鍍膜與分子交聯結構示意圖。

第三圖 係本發明植體電漿鍍膜與分子交聯結構之局部放大結構示意圖。

為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉出較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。

請參閱第一圖所示，本發明提供一種植體電漿鍍膜與分子交聯流程，其包含以下步驟：步驟一10：提供一植體1成品，且該植體1包含有一人工牙根11及設置於該人工牙根上之基座12；步驟二20：將含有矽氧類分子之單體2分解為離子狀態(電漿)，並其於植體1表面形成奈米鍍膜，該含有矽氧類分子之單體為矽氧烷；步驟三30：於植體1表面沾附或塗佈或浸泡交聯劑3，該交聯劑3為化學交聯劑或天然交聯劑或其組合，且類似分子黏膠，例如：京尼平、原花青素等，當交聯劑3接觸到含有矽氧類分子之單體2(矽氧烷)鍍膜時，將會產生共價鍵結合，使其具備與其他功能性分子結合之能力；步驟四40：於交聯劑3外塗佈功能性分子，使其產生化學鍵結而保留於植體1表面；該功能性分子係為骨生長促進分子，係用以縮短骨整合時間而縮短療程；或可為抗菌分子，用以減少植體1周圍炎的發生率，藉此提升手術成功率；透過上述步驟完成植體電漿鍍膜與分子交聯流程。

請參閱第二圖及第三圖所示，本發明提供一種植體電漿鍍膜與分子交聯結構，其包含有：一植體1，係用來嵌入齒槽骨內並支撐一假牙，其包含有一 人工牙根11及設置於該人工牙根11上之基座12，其中該人工牙根11係用以嵌入齒槽骨內，而基座12則用以支撐假牙；一含有矽氧類分子之單體2，係鍍膜於植體1表面，該含有矽氧類分子之單體2係分解為離子狀態後鍍膜於植體1表面，該含有矽氧類分子之單體為矽氧烷；交聯劑3，係沾附或塗佈或浸泡於該鍍膜後之植體1表面，該交聯劑3係為化學交聯劑或天然交聯劑或其組合，如：京尼平或原花青素；功能性分子4，係塗佈於該交聯劑3外並產生化學鍵結，使該功能性分子4保留於該植體1表面，該功能性分子4係為骨生長促進分子或抗菌分子。

透過上述結構可知，本發明係於植體1上透過鍍膜與分子交聯，依據不同的功能性分子4提供植體1相對應的功能，例如骨生長促進分子係用以縮短骨整合時間而縮短療程，而抗菌分子則用以減少植體周圍炎的發生率，藉此提升植牙手術成功率。

上列詳細說明係針對本發明之一可行實施例之具體說明，惟該實施例並非用以限制本發明之專利範圍，凡未脫離本發明技藝精神所為之等效實施或變更，均應包含於本案之專利範圍中。本發明之權利保護範圍應如後述之申請專利範圍所述。

Claims (6)

1. 一種植體電漿鍍膜與分子交聯流程，包含以下步驟：(1)提供一植體成品；(2)將含有矽氧類分子之單體分解為離子狀態(電漿)，並其於植體表面形成鍍膜，該含有矽氧分子之單體為矽氧烷；(3)於植體表面沾附或塗布或浸泡一可與矽氧烷鍍膜產生共價鍵結合之交聯劑，該交聯劑為京尼平或原花青素；(4)於交聯劑外塗佈功能性分子，使其產生化學鍵結而保留於植體表面，該功能性分子為抗菌分子或骨生長促進分子。
2. 如申請專利範圍第1項所述之植體電漿鍍膜與分子交聯流程，其中該植體成品包含有一人工牙根及設置於該人工牙根上之基座。
3. 如申請專利範圍第1項所述之植體電漿鍍膜與分子交聯流程，其中該交聯劑為化學交聯劑或天然交聯劑或其組合，且為分子黏膠。
4. 一種植體電漿鍍膜與分子交聯結構，包含：一植體，係用來嵌入齒槽骨內並支撐一假牙，其包含有一人工牙根及設置於該人工牙根上之基座；含有矽氧類分子之單體，係鍍膜於植體表面，該含有矽氧類分子之單體為矽氧烷；交聯劑，係沾附於該鍍膜後之植體表面，該交聯劑為京尼平或原花青素；功能性分子，係沾附或塗布或浸泡於該交聯劑外並產生化學鍵結，使該功能性分子保留於該植體表面，該功能性分子為抗菌分子或骨生長促進分子。
5. 如申請專利範圍第4項所述之植體電漿鍍膜與分子交聯結構，其中該含有矽氧類分子之單體係分解為離子狀態後鍍膜於植體表面。
6. 如申請專利範圍第4項所述之植體電漿鍍膜與分子交聯結構，其中該交聯劑係為化學交聯劑或天然交聯劑或其組合，且為分子黏膠。