TWI670356B - 波長轉換元件、投影裝置及波長轉換元件的製作方法 - Google Patents

波長轉換元件、投影裝置及波長轉換元件的製作方法 Download PDF

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Abstract

一種波長轉換元件，包括基板及波長轉換層。波長轉換層配置於基板上。波長轉換層包括第一無機接著劑及波長轉換材料，波長轉換材料混合於第一無機接著劑，第一無機接著劑包括第一醇溶性無機接著劑或第一水溶性無機接著劑。本發明另提供一種使用上述的波長轉換元件的投影裝置，以及提供一種上述的波長轉換元件的製造方法。

Description

波長轉換元件、投影裝置及波長轉換元件的製作方法
本發明是關於一種顯示裝置，特別是關於一種波長轉換元件、使用此波長轉換元件的投影裝置以及波長轉換元件的製作方法。
投影裝置所使用的光源種類隨著市場對投影裝置亮度、色彩飽和度、使用壽命、無毒環保等等要求，從超高壓汞燈（UHP lamp）、發光二極體（light emitting diode, LED）進化到雷射二極體（laser diode, LD）。
目前高亮度的紅色雷射二極體及綠色雷射二極體的成本過高，為了降低成本，通常採用藍色雷射二極體激發螢光粉轉輪上的螢光粉來產生黃光、綠光，再經由色輪（filter wheel）將所需的紅光過濾出來，再搭配藍色雷射二極體發出的藍光，而構成投影畫面所需的紅、綠、藍三原色。
螢光粉轉輪為目前採用雷射二極體為光源的投影裝置中極為重要的元件。然而，習知螢光粉轉輪的螢光粉層為使用高透光矽膠混合螢光粉，由於高透光矽膠導熱性差且耐溫性低，故無法因應高功率的雷射投影裝置的需求。此外，習知螢光粉轉輪中，漫反射材料需經大於400℃的高溫固化而形成漫反射層，固化後的漫反射層具有較多孔隙，會造成螢光粉轉輪反射率的下降。
本「先前技術」段落只是用來幫助瞭解本發明內容，因此在「先前技術」中所揭露的內容可能包含一些沒有構成所屬技術領域中具有通常知識者所知道的習知技術。此外，在「先前技術」中所揭露的內容並不代表該內容或者本發明一個或多個實施例所要解決的問題，也不代表在本發明申請前已被所屬技術領域中具有通常知識者所知曉或認知。
本發明提供一種波長轉換元件，可提升耐溫性，並能提升能量耐承受度。
本發明提供一種波長轉換元件的製作方法，可提升波長轉換元件的耐溫性與能量耐承受度。
本發明提供一種投影裝置，可改善影像亮度下降的情況。
本發明的其他目的和優點可以從本發明所揭露的技術特徵中得到進一步的了解。
為達上述之一或部分或全部目的或是其他目的，本發明一實施例所提供的波長轉換元件包括基板及波長轉換層。波長轉換層配置於基板上。波長轉換層包括第一無機接著劑及波長轉換材料，波長轉換材料混合於第一無機接著劑，第一無機接著劑包括第一醇溶性無機接著劑或第一水溶性無機接著劑。
為達上述之一或部分或全部目的或是其他目的，本發明一實施例所提供的投影裝置包括照明系統、光閥及投影鏡頭。照明系統適於提供照明光束。光閥配置於照明光束的傳遞路徑上，以將照明光束轉換成影像光束。投影鏡頭配置於影像光束的傳遞路徑上。其中照明系統包括激發光源及上述之波長轉換元件。激發光源適於提供激發光束。波長轉換元件配置於激發光束的傳遞路徑上，波長轉換元件的波長轉換層適於將激發光束轉換成轉換光束，而照明光束包括轉換光束。
為達上述之一或部分或全部目的或是其他目的，本發明一實施例所提供的波長轉換元件的製作方法包括：提供基板，以及將波長轉換層形成於基板上，波長轉換層包括第一無機接著劑及波長轉換材料，波長轉換材料混合於第一無機接著劑，第一無機接著劑包括第一醇溶性無機接著劑或第一水溶性無機接著劑。
本發明實施例的波長轉換元件中，波長轉換層包括第一無機接著劑及波長轉換材料，第一無機接著劑包括第一醇溶性無機接著劑或第一水溶性無機接著劑，使用上述的第一無機接著劑所製成的波長轉換層，由於可直接配置而不需再經由中間介質層黏接，相較於習知的波長轉換層，可提升影像亮度。此外，使用上述的第一無機接著劑所製成的波長轉換層可進而改善高溫燒結造成的基板軟化變形或者高反射材料鍍膜脫膜或膜失效的問題，並且可提升耐溫性，還可提升能量耐承受度，因此可運用於高功率的投影裝置。本發明實施例的波長轉換元件的製作方法由於使用上述的第一無機接著劑，因此可以製作出上述的波長轉換元件。本發明實施例的投影裝置因使用上述的波長轉換元件，因此可改善影像亮度下降的情況。
為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
有關本發明之前述及其他技術內容、特點與功效，在以下配合參考圖式之一較佳實施例的詳細說明中，將可清楚的呈現。以下實施例中所提到的方向用語，例如：上、下、左、右、前或後等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用來說明並非用來限制本發明。
圖1是本發明一實施例的波長轉換元件的示意圖。請參考圖1，本實施例的波長轉換元件100包括基板110及波長轉換層120。波長轉換元件100例如為片狀元件，但不以此為限，在其他實施例中，波長轉換元件100也可以是波長轉換輪，而基板110例如為轉盤。波長轉換層120配置於基板110上。波長轉換層120包括第一無機接著劑及波長轉換材料，波長轉換材料混合於第一無機接著劑，第一無機接著劑包括第一醇溶性無機接著劑或第一水溶性無機接著劑，且第一無機接著劑的固化溫度為200℃～300℃。波長轉換材料例如為螢光粉或量子點（Quantum dot），但不以此為限。上述的基板110材料例如為金屬，但不以此為限，金屬例如包括鋁、鋁合金、銅、銅合金、氮化鋁、碳化矽等。
上述的第一醇溶性無機接著劑的成分例如包含矽氧烷以及金屬氧化物。金屬氧化物中所使用的金屬例如為鋁、鈦、鋯等。
上述的第一水溶性無機接著劑的成分例如包含矽溶膠、磷酸鹽、玻璃膠、以及水玻璃至少其中之一。此類第一水溶性無機接著劑的性質例如為在固化前呈現透明液態，黏度小於1000cps，光線的穿透率大於90％。
本實施例的波長轉換元件100中使用第一無機接著劑來製作波長轉換層120，第一無機接著劑包括醇溶性無機接著劑或水溶性無機接著劑，上述配方的第一無機接著劑中具有羥基（-OH），在固化升溫的過程中，約在200℃～300℃的情況下，相鄰的羥基會脫水並形成鍵結。舉例而言，水溶性無機接著劑中的矽溶膠的膠體粒子表面具有大量的矽醇基（Si-OH），在升溫的過程中，膠體粒子會互相靠近，矽醇基中相鄰的羥基會脫水而形成-Si-O-Si-鍵，達到固化的效果。此種方式的固化溫度僅為200℃～300℃，相較於習知材料的固化溫度需大於400℃，本發明實施例的波長轉換層120可改善高溫（＞400℃）燒結產生的細小孔隙及易吸附液體的特性。此外，相較於習知的波長轉換層，本實施例的波長轉換層120可提升耐溫性，以及在相同厚度下，可以提升能量耐承受度。以習知材料為磷矽膠的波長轉換層為例，本實施例的波長轉換層120c的耐溫性可達400℃～600℃，而習知的磷矽膠波長轉換層的耐溫性僅約為200℃。而本實施例的波長轉換層120c所能承受的激發光束能量，約為習知的磷矽膠波長轉換層的150％～180％。
為達到上述效果，本實施例的波長轉換層120在垂直於基板110的方向C上的厚度範圍例如為0.10mm～0.25mm。第一無機接著劑佔波長轉換層120的體積比例如為5％～50％，重量百分比例如為5％～50％。
圖2A、2B是本發明另兩實施例的波長轉換元件的示意圖。請參考圖2A、2B，波長轉換元件100a、100b與上述波長轉換元件100的功能及優點相似，差異在於波長轉換元件100a、100b例如更包括反射層。
在圖2A之實施例的波長轉換元件100a中，反射層例如為高反射層130，配置於基板110及波長轉換層120之間。高反射層130的材料例如包括銀、銀合金、鋁、鋁合金或介電質。當高反射層130的材料為上述所舉例的金屬時，可再額外加上介電質層及保護層至少其中之一，保護層可以保護金屬以避免被氧化。
在圖2B之實施例的波長轉換元件100b中，反射層例如為漫反射層140，配置於基板110及波長轉換層120之間，漫反射層140包括第二無機接著劑以及混合於其中的漫反射粒子，第二無機接著劑包括第二醇溶性無機接著劑或第二水溶性無機接著劑。其中第二無機接著劑可以是上述任一實施例的無機接著劑。
上述的漫反射粒子的材料例如為白色粒子，並包括二氧化鈦、二氧化矽、氧化鋁、氮化硼及二氧化鋯至少其中之一，但不以此為限。
本實施例的波長轉換元件100b中使用第二無機接著劑來製作漫反射層140，由於第二無機接著劑可以是上述任一實施例的無機接著劑，因此第二無機接著劑的固化溫度僅為200℃～300℃，相較於習知材料的固化溫度需大於400℃，本發明實施例的漫反射層140可改善高溫（＞400℃）燒結產生的細小孔隙及易吸附液體的特性，使光線入射至漫反射層140時較易被反射，因此可提升波長轉換元件100b的反射率。以本發明實施例而言，漫反射層140對於波長為400nm～700nm的光線的反射率為大於或等於92％。
為達到上述的漫反射效果，上述的漫反射層140在垂直於基板110的方向C上的厚度例如為0.03mm～0.15mm，漫反射粒子的粒徑例如為5nm～500nm。此外，上述的無機接著劑佔漫反射層140的體積比例如為10％～80％，重量百分比例如為30％～70％。
圖3是本發明一實施例的光線於波長轉換元件上所形成的光斑的示意圖。請參考圖1、2及圖3，在將上述的波長轉換層120及反射層(高反射層130或漫反射層140)配置於基板110上時，波長轉換層120及反射層(高反射層130或漫反射層140)在平行於基板110的方向A上的寬度D（本實施例中兩層的寬度相同，因此僅以D代表兩層的寬度）皆需大於光線於波長轉換元件100、100a、100b上形成的光斑S的長軸B（圖3中以最上層的波長轉換層120示意），使得光線能照射於波長轉換元件100、100a、100b上，以提升光的利用率。
圖4A是本發明一實施例的波長轉換元件的製造方法的流程示意圖。請參考圖1及圖4A，本實施例之波長轉換元件100的製造方法包括以下步驟：進行步驟S101：提供基板110，接著，進行步驟S103：將波長轉換層120形成於基板110上。
圖4B是本發明另一實施例的波長轉換元件的製造方法的流程示意圖。請參考圖2A、2B及圖4B，本實施例之波長轉換元件100a、100b的製造方法包括以下步驟：進行步驟S201，提供基板110，接著，進行步驟S202，將反射層形成於基板110上，之後再執行步驟S203，將波長轉換層120形成於反射層上。在圖4B的實施例中，反射層位於基板110及波長轉換層120之間。
在圖4B的製造方法中，以圖2A的實施例為例，具體而言，反射層為高反射層130，在進行步驟201後，接著在步驟S202例如是將高反射層130以蒸鍍或濺鍍的方式鍍膜於基板110的第一表面111，接著，步驟S203例如是將波長轉換層120塗布或印刷於高反射層130之遠離基板110的第二表面131，再使波長轉換層120在200℃～300℃的溫度下進行固化。
在圖4B的製造方法中，若以圖2B的實施例為例，具體而言，反射層為漫反射層140，在進行步驟201後，接著在步驟S202例如是將漫反射層140塗布或印刷於基板110的第一表面111，再使漫反射層140在200℃～300℃的溫度下進行固化，接著，步驟S203例如是將波長轉換層120塗布或印刷於漫反射層140之遠離基板110的第二表面141，再使波長轉換層120在200℃～300℃的溫度下進行固化。
以圖2B為例，在製造上述的波長轉換元件100b時，漫反射層140與波長轉換層120在平行於基板110的方向A上的寬度D可以是相同或不同，然而為達到較佳的漫反射效果，漫反射層140與波長轉換層120兩者的寬度比範圍例如為0.7～1.5。以下將舉例說明不同實施例中的塗布情況。
圖2B的實施例中漫反射層140與波長轉換層120在平行於基板110的方向A上的寬度D（以下簡稱為寬度）為相同。圖5A為本發明另一實施例的波長轉換元件100c的示意圖。圖5B是本發明另一實施例的波長轉換元件100d的示意圖。請參考圖5A及圖5B，在漫反射層140c的寬度D1小於波長轉換層120c的寬度D2的實施例中（圖5A），將波長轉換層120c塗布於漫反射層140c時，波長轉換層120c的周邊例如可覆蓋過漫反射層140c的兩側邊並直接塗布於基板110，使得波長轉換層120c能更穩固的黏接於基板110，讓波長轉換元件100c的整體結構更穩定。此外，亦可使漫反射層140的寬度D3大於波長轉換層120d的寬度D4（如圖5B所示）。
圖6是本發明一實施例的投影裝置的方塊示意圖。請參考圖6，在本實施例中，上述的波長轉換元件100例如為波長轉換輪，其中的基板110例如為轉盤。本實施例的投影裝置1包括照明系統10、光閥20及投影鏡頭30。照明系統10適於提供照明光束L1。照明系統10包括激發光源11及上述的波長轉換元件100（波長轉換輪）。激發光源11適於提供激發光束Le。波長轉換元件100配置於激發光束Le的傳遞路徑上，且包括波長轉換區（圖未示）。波長轉換區包括上述的波長轉換層120及反射層(可為高反射層130或漫反射層140)，波長轉換元件100的波長轉換區適於將激發光束Le轉換成轉換光束Lp，而照明光束L1即包括轉換光束Lp，但不限於此。照明系統10可更包括其他光學元件，例如：合光元件、色輪、光均勻化元件及聚光透鏡，以使照明光束L1傳遞至光閥20。光閥20配置於照明光束L1的傳遞路徑上，以將照明光束L1轉換成影像光束L2。光閥20可以是穿透式光閥或反射式光閥，其中穿透式光閥可以是液晶顯示面板，而反射式光閥可以是數位微鏡元件（digital micro-mirror device, DMD）或矽基液晶面板（liquid crystal on silicon panel, LCoS panel）。依不同的設計架構，光閥的數量可為一個或多個。投影鏡頭30配置於影像光束L2的傳遞路徑上，且用於使影像光束L2投射出投影裝置1。
圖6中是以圖1的波長轉換元件100為例，但波長轉換元件100可替換成上述任一實施例的波長轉換元件。
而當本實施例的投影裝置1使用上述的波長轉換元件100、100a、100b、100c、100d時，由於波長轉換層120、120c、120d使用上述的無機接著劑，在製程方法上，波長轉換層120可直接塗布於基板110上，或者，高反射層130、漫反射層140、140c可直接塗布於基板110上，波長轉換層120、120c、120d再塗布於高反射層130、漫反射層140、140c上，因此不須再經由中間介質層黏接至基板110，而由於中間介質層可能會影響波長轉換元件的導熱及反射效果，因此上述的波長轉換元件100、100a、100b、100c相較於習知的波長轉換元件可以改善激發光束Le入射時因為經過中間介質層而影響反射效果的情形，進而改善影像亮度下降的情況。此外，以鋁製基板為例，在超過300℃的溫度下可能會產生基板軟化變形的情況，再者，一般前述鍍膜的高反射層材料在超過300℃的溫度下可能會產生脫膜或膜失效的情況，若使用上述製程方法，波長轉換層120直接塗布於基板110上進行固化時，或者漫反射層140、140c直接塗布於基板上進行固化時，或者波長轉換層120塗布於高反射層130上進行固化時，由於固化溫度為200℃～300℃，因此可改善固化溫度大於400℃的習知材料直接塗布於基板上所造成的基板軟化變形問題，或者可改善固化溫度大於400℃的習知材料塗布於高反射材料上所造成的脫膜或膜失效問題。再者，相較於習知的波長轉換層，上述的波長轉換層120、120c、120d可提升耐溫性，並且能提升能量耐承受度。
本實施例的投影裝置1由於使用上述的可提升反射率的波長轉換元件100b、100c、100d，因此可提升影像亮度。舉例而言，將使用材料為磷玻璃的波長轉換層加本發明實施例的漫反射層140的波長轉換元件100b以及使用材料為磷玻璃的波長轉換層加習知漫反射層的波長轉換元件進行積分球亮度量測，本發明實施例的波長轉換元件100b相較於使用習知漫反射層的波長轉換元件，亮度可以提升約3％。
綜上所述，本發明實施例的波長轉換元件中，波長轉換層包括第一無機接著劑及波長轉換材料，第一無機接著劑包括第一醇溶性無機接著劑或第一水溶性無機接著劑，使用上述的第一無機接著劑所製成的波長轉換層，由於可直接塗布而不需再經由中間介質層黏接，相較於習知的波長轉換層，可提升影像亮度。此外，使用上述的第一無機接著劑所製成的波長轉換層可進而改善高溫燒結造成的基板軟化變形或者高反射材料鍍膜脫膜或膜失效的問題，並且可提升耐溫性，還可提升能量耐承受度，因此可運用於高功率的投影裝置。本發明實施例的波長轉換元件的製作方法由於使用上述的第一無機接著劑，因此可以製作出上述的波長轉換元件。本發明實施例的投影裝置因使用上述的波長轉換元件，因此可改善影像亮度下降的情況。
惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍，即大凡依本發明申請專利範圍及發明說明內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。另外，本發明的任一實施例或申請專利範圍不須達成本發明所揭露之全部目的或優點或特點。此外，摘要部分和標題僅是用來輔助專利文件搜尋之用，並非用來限制本發明之權利範圍。此外，本說明書或申請專利範圍中提及的「第一」、「第二」等用語僅用以命名元件（element）的名稱或區別不同實施例或範圍，而並非用來限制元件數量上的上限或下限。
1‧‧‧投影裝置
10‧‧‧照明系統
11‧‧‧激發光源
20‧‧‧光閥
30‧‧‧投影鏡頭
100、100a、100b、100c、100d‧‧‧波長轉換元件
110‧‧‧基板
111‧‧‧第一表面
120、120c、120d‧‧‧波長轉換層
140、140c‧‧‧漫反射層
131、141‧‧‧第二表面
A‧‧‧平行方向
C‧‧‧垂直方向
B‧‧‧長軸
D、D1、D2、D3、D4‧‧‧寬度
L1‧‧‧照明光束
L2‧‧‧影像光束
Le‧‧‧激發光束
Lp‧‧‧轉換光束
S‧‧‧光斑
S101、S103、S201、S202、S203‧‧‧步驟
圖1是本發明一實施例的波長轉換元件的示意圖。 圖2A是本發明另一實施例的波長轉換元件的示意圖。 圖2B是本發明另一實施例的波長轉換元件的示意圖。 圖3是本發明一實施例的光線於波長轉換元件上所形成的光斑的示意圖。 圖4A是本發明一實施例的波長轉換元件的製造方法的流程示意圖。 圖4B是本發明另一實施例的波長轉換元件的製造方法的流程示意圖。 圖5A是本發明另一實施例的波長轉換元件的示意圖。 圖5B是本發明另一實施例的波長轉換元件的示意圖。 圖6是本發明一實施例的投影裝置的方塊示意圖。

Claims (26)

  1. 一種波長轉換元件，包括： 一基板；以及 一波長轉換層，配置於該基板上，該波長轉換層包括一第一無機接著劑及一波長轉換材料，該波長轉換材料混合於該第一無機接著劑，該第一無機接著劑包括第一醇溶性無機接著劑或第一水溶性無機接著劑。
  2. 如請求項1所述之波長轉換元件，其中該波長轉換層的該第一無機接著劑為該第一醇溶性無機接著劑，該第一醇溶性無機接著劑的成分包含矽氧烷以及金屬氧化物。
  3. 如請求項1所述之波長轉換元件，其中該波長轉換層的該第一無機接著劑為該第一水溶性無機接著劑，該第一水溶性無機接著劑的成分包括矽溶膠、磷酸鹽、玻璃膠及水玻璃至少其中之一。
  4. 如請求項1所述之波長轉換元件，其中該波長轉換元件還包括一反射層，該反射層配置於該基板及該波長轉換層之間。
  5. 如請求項4所述之波長轉換元件，其中該波長轉換元件的該反射層為高反射層，該高反射層的材料包括銀、銀合金、鋁、鋁合金及介電質至少其中之一。
  6. 如請求項4所述之波長轉換元件，其中該波長轉換元件的該反射層為漫反射層，該漫反射層包括一第二無機接著劑以及混合於其中的多個漫反射粒子，該第二無機接著劑包括第二醇溶性無機接著劑或第二水溶性無機接著劑。
  7. 如請求項6所述之波長轉換元件，其中該漫反射層的該第二無機接著劑為該第二醇溶性無機接著劑，該第二醇溶性無機接著劑的成分包含矽氧烷以及金屬氧化物。
  8. 如請求項6所述之波長轉換元件，其中該漫反射層的該第二無機接著劑為該第二水溶性無機接著劑，該第二水溶性無機接著劑的成分包括矽溶膠、磷酸鹽、玻璃膠及水玻璃至少其中之一。
  9. 如請求項6所述之波長轉換元件，其中該多個漫反射粒子的材料包括二氧化鈦、二氧化矽、氧化鋁、氮化硼及二氧化鋯至少其中之一。
  10. 如請求項6所述之波長轉換元件，其中該漫反射層與該波長轉換層在平行於該基板的一方向上的寬度比為0.7～1.5。
  11. 如請求項1所述之波長轉換元件，其中該波長轉換層的該第一無機接著劑的固化溫度為200℃～300℃。
  12. 如請求項6所述之波長轉換元件，其中該漫反射層的該第二無機接著劑的固化溫度為200℃～300℃。
  13. 如請求項1所述之波長轉換元件，其中該波長轉換元件為一波長轉換輪，該基板為一轉盤。
  14. 一種投影裝置，包括一照明系統、一光閥及一投影鏡頭， 該照明系統適於提供一照明光束， 該光閥配置於該照明光束的傳遞路徑上，以將該照明光束轉換成一影像光束， 該投影鏡頭配置於該影像光束的傳遞路徑上， 其中該照明系統包括： 一激發光源，適於提供一激發光束；以及 一波長轉換元件，配置於該激發光束的傳遞路徑上，該波長轉換元件的該波長轉換層適於將該激發光束轉換成一轉換光束，而該照明光束包括該轉換光束，且其中該波長轉換元件包括： 一基板；以及 一波長轉換層，配置於該基板上，該波長轉換層包括一第一無機接著劑及一波長轉換材料，該波長轉換材料混合於該第一無機接著劑，該第一無機接著劑包括第一醇溶性無機接著劑或第一水溶性無機接著劑。
  15. 一種波長轉換元件的製作方法，包括： 提供一基板；以及 將一波長轉換層形成於該基板上，該波長轉換層包括一第一無機接著劑及一波長轉換材料，該波長轉換材料混合於該第一無機接著劑，該第一無機接著劑包括第一醇溶性無機接著劑或第一水溶性無機接著劑。
  16. 如請求項15所述之波長轉換元件的製作方法，其中該波長轉換層的該第一無機接著劑為該第一醇溶性無機接著劑，該第一醇溶性無機接著劑的成分包含矽氧烷以及金屬氧化物。
  17. 如請求項15所述之波長轉換元件的製作方法，其中該波長轉換層的該第一無機接著劑為該第一水溶性無機接著劑，該第一水溶性無機接著劑的成分包括矽溶膠、磷酸鹽、玻璃膠及水玻璃至少其中之一。
  18. 如請求項15所述之波長轉換元件的製作方法，其中在提供一基板的步驟之後，將一反射層形成於該基板上，其中該反射層位於該基板及該波長轉換層之間。
  19. 如請求項18所述之波長轉換元件的製作方法，其中該反射層為一高反射層，該高反射層的材料包括銀、銀合金、鋁、鋁合金及介電質至少其中之一。
  20. 如請求項19所述之波長轉換元件的製作方法，其中將該高反射層形成於該基板上的方法包括： 將該高反射層以蒸鍍或濺鍍的方式鍍膜於該基板的一第一表面。
  21. 如請求項18所述之波長轉換元件的製作方法，其中該反射層為一漫反射層，該漫反射層包括一第二無機接著劑以及混合於其中的多個漫反射粒子，該漫反射層的該第二無機接著劑包括第二醇溶性無機接著劑或第二水溶性無機接著劑。
  22. 如請求項21所述之波長轉換元件的製作方法，其中該漫反射層的該第二無機接著劑為該第二醇溶性無機接著劑，該第二醇溶性無機接著劑的成分包含矽氧烷以及金屬氧化物。
  23. 如請求項21所述之波長轉換元件的製作方法，其中該漫反射層的該第二無機接著劑為該第二水溶性無機接著劑，該第二水溶性無機接著劑的成分包括矽溶膠、磷酸鹽、玻璃膠及水玻璃至少其中之一。
  24. 如請求項21所述之波長轉換元件的製作方法，其中將該漫反射層形成於該基板上的方法包括： 將該漫反射層塗布或印刷於該基板的一第一表面；以及 使該漫反射層進行固化。
  25. 如請求項24所述之波長轉換元件的製作方法，其中使該漫反射層進行固化的方法包括使該漫反射層在200℃～300℃的溫度下進行固化。
  26. 如請求項18所述之波長轉換元件的製作方法，其中將該波長轉換層形成於該基板上的方法為將該波長轉換層形成於該反射層上，包括： 將該波長轉換層塗布或印刷於該反射層之遠離該基板的一第二表面；以及 使該波長轉換層在200℃～300℃的溫度下進行固化。
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