TWI661608B - 天線結構及具有該天線結構之無線通訊裝置 - Google Patents

Abstract

一種天線結構，包括金屬殼體、第一饋入部、第一接地部以及內輻射體，所述金屬殼體上設置有耦合部及耦合段，所述第一饋入部、所述第一接地部及所述內輻射體均設置於所述金屬殼體內，當電流自第一饋入點饋入後，所述電流流過所述第一饋入部及所述內輻射體，並藉由所述內輻射體耦合至所述耦合部及所述耦合段之其中之一，所述耦合部及所述耦合段之其中之一再將電流二次耦合至所述耦合部及所述耦合段之另外之一，以共同激發三個不同之模態以產生三個不同之輻射頻段。

Description

天線結構及具有該天線結構之無線通訊裝置

本發明涉及一種天線結構及具有該天線結構之無線通訊裝置。

隨著無線通訊技術之進步，無線通訊裝置不斷朝向輕薄趨勢發展，消費者對於產品外觀之要求亦越來越高。由於金屬殼體於外觀、機構強度、散熱效果等方面具有優勢，因此越來越多之廠商設計出具有金屬殼體，例如金屬背板之無線通訊裝置來滿足消費者之需求。然，金屬殼體容易干擾遮蔽設置於其內之天線所輻射之頻率，不容易達到寬頻設計，導致內置天線之輻射性能不佳。

有鑑於此，有必要提供一種天線結構及具有該天線結構之無線通訊裝置。

一種天線結構，包括金屬殼體、第一饋入部、第一接地部以及內輻射體，所述金屬殼體上設置有耦合部及耦合段，所述耦合部與所述耦合段間隔耦合設置，所述第一饋入部、所述第一接地部及所述內輻射體均設置於所述金屬殼體內，所述第一饋入部之一端電連接至一第一饋入點，另一端電連接至所述內輻射體，所述第一接地部之一端電連接至所述耦合部，另一端接地，所述內輻射體與所述耦合部及所述耦合段間隔耦合設置，當電流自所述第一饋入點饋入後，所述電流流過所述第一饋入部及所述內 輻射體，並藉由所述內輻射體耦合至所述耦合部及所述耦合段之其中之一，所述耦合部及所述耦合段之其中之一再將電流二次耦合至所述耦合部及所述耦合段之另外之一，以使得所述內輻射體、所述耦合部及所述耦合段共同激發三個不同之模態以產生三個不同之輻射頻段。

一種無線通訊裝置，包括上述項所述之天線結構。

上述天線結構及具有該天線結構之無線通訊裝置藉由設置所述金屬殼體，且藉由使得所述內輻射體、耦合部及耦合段間隔耦合設置，進而藉由二次耦合來共同控制所述天線結構之低、中、高頻，同時使其符合長期演進技術升級版(LTE-Advanced)之載波聚合(Carrier Aggregation，CA)之需求。

100‧‧‧天線結構

10‧‧‧金屬殼體

101‧‧‧金屬背板

102‧‧‧金屬邊框

103‧‧‧容置空間

104‧‧‧末端部

105‧‧‧第一側部

106‧‧‧第二側部

107‧‧‧開孔

108‧‧‧開槽

109‧‧‧第一斷點

110‧‧‧第二斷點

111‧‧‧第三斷點

A1‧‧‧耦合部

A2‧‧‧輻射部

A3‧‧‧接地部

A21‧‧‧耦合段

A22‧‧‧輻射段

11‧‧‧第一饋入部

13、13a、13b、13c、13d、13e、13f‧‧‧內輻射體

15‧‧‧第一接地部

16‧‧‧第二饋入部

17‧‧‧第二接地部

18‧‧‧切換電路

181‧‧‧切換開關

183‧‧‧切換元件

19‧‧‧切換單元

A11、A23‧‧‧延伸段

200‧‧‧無線通訊裝置

21‧‧‧基板

211‧‧‧第一饋入點

212‧‧‧第一接地點

213‧‧‧第二饋入點

215‧‧‧第二接地點

23‧‧‧電子元件

圖1為本發明較佳實施例之天線結構應用至無線通訊裝置之示意圖。

圖2為圖1所示無線通訊裝置另一角度下之示意圖。

圖3為圖1所示天線結構之電路圖。

圖4為圖1所示天線結構中切換電路之電路圖。

圖5A至圖5F為圖3所示天線結構之平面示意圖。

圖6為圖1所示天線結構工作於低頻模態時之S參數(散射參數)曲線圖。

圖7為圖1所示天線結構工作於低頻模態時之總輻射效率曲線圖。

圖8為圖1所示天線結構工作於中高頻模態時之S參數(散射參數)曲線圖。

圖9為圖1所示天線結構工作於中高頻模態時之總輻射效率曲線圖。

下面將結合本發明實施例中之附圖，對本發明實施例中之技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述之實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部之實施例。基於本發明中之實施例，所屬領域具有通常知識者於沒有做出創造性勞動前提下所獲得之所有其他實施例，均屬於本發明保護之範圍。

需要說明的是，當一個元件被稱為“電連接”另一個元件，它可直接於另一個元件上或者亦可存在居中之元件。當一個元件被認為是“電連接”另一個元件，它可是接觸連接，例如，可是導線連接之方式，亦可是非接觸式連接，例如，可是非接觸式耦合之方式。

除非另有定義，本文所使用之所有之技術與科學術語與屬於所屬領域具有通常知識者通常理解之含義相同。本文中於本發明之說明書中所使用之術語僅是為描述具體之實施例之目不是旨在於限制本發明。本文所使用之術語“及/或”包括一個或多個相關之所列項目的任意之與所有之組合。

下面結合附圖，對本發明之一些實施方式作詳細說明。於不衝突之情況下，下述之實施例及實施例中之特徵可相互組合。

請參閱圖1，本發明較佳實施方式提供一種天線結構100，其可應用於行動電話、個人數位助理等無線通訊裝置200中，用以發射、接收無線電波以傳遞、交換無線訊號。

該無線通訊裝置200還包括基板21及電子元件23。該基板21可採用環氧樹脂玻璃纖維(FR4)等介電材質製成。所述基板21上設置有第一饋入點211、第一接地點212、第二饋入點213及第二接地點215。所述第一饋入點211及第二饋入點213用以為所述天線結構100饋入電流。該第一接地點212及第二接地點215用以為所述天線結構100提供接地。所述電子元 件23為一通用序列匯流排(Universal Serial Bus，USB)介面模組，其設置於所述基板21上，且位於所述第一饋入點211與第二接地點215之間。

所述天線結構100包括金屬殼體10、第一饋入部11、內輻射體13、第一接地部15、第二饋入部16及第二接地部17。所述金屬殼體10可為所述無線通訊裝置200之外殼。於本實施例中，所述金屬殼體10為金屬材料製成。所述金屬殼體10包括金屬背板101及金屬邊框102。所述金屬背板101及金屬邊框102可是一體成型。所述金屬邊框102環繞所述金屬背板101之周緣設置，以與所述金屬背板101共同圍成一容置空間103。所述容置空間103用以容置所述無線通訊裝置200之基板21、處理單元等電子元件或電路模組於其內。

於本實施例中，所述金屬邊框102至少包括末端部104、第一側部105以及第二側部106。所述第一側部105與所述第二側部106相對設置，兩者分別設置於所述末端部104之兩端，優選垂直設置。所述末端部104可是無線通訊裝置200之頂端或底端。

所述金屬殼體10上開設有開孔107、開槽108(參圖2)、第一斷點109、第二斷點110以及第三斷點111。於本實施例中，所述開孔107開設於所述末端部104上，且與所述電子元件23相對應，以使得所述電子元件23從所述開孔107部分露出。如此使用者可將一USB設備藉由所述開孔107插入，進而與所述電子元件23建立電性連接。

請一併參閱圖2及圖3，所述開槽108大致呈倒U型，其佈設於所述金屬背板101上，且靠近所述末端部104設置。所述第一斷點109、第二斷點110以及第三斷點111均開設於所述金屬邊框102上。其中，所述第一斷點109開設於所述末端部104鄰近所述第一側部105之一側。所述第二斷點110及第三斷點111分別開設於所述第一側部105及第二側部106上。所述 第一斷點109、第二斷點110以及第三斷點111均與所述開槽108連通，並延伸至隔斷所述金屬邊框102。如此，所述第一斷點109、第二斷點110以及第三斷點111共同將所述金屬殼體10分隔成相互間隔設置之耦合部A1、輻射部A2及接地部A3。其中所述第一斷點109與所述第二斷點110之間之所述金屬邊框102構成所述耦合部A1。所述第一斷點109與所述第三斷點111之間之所述金屬邊框102構成所述輻射部A2。所述金屬邊框102之其餘部分構成所述接地部A3。所述接地部A3接地。

可理解，於本實施例中，除了所述開孔107之位置以外，所述開槽108、第一斷點109、第二斷點110以及第三斷點111內均填充有絕緣材料(例如塑膠、橡膠、玻璃、木材、陶瓷等，但不以此為限)。

可理解，於其他實施例中，所述開槽108之形狀不局限於上述項所述之U型，其還可根據具體需求進行調整，例如還可為直條狀、斜線狀、曲折狀等等。

可理解，於本實施例中，所述開槽108開設於所述金屬背板101靠近所述末端部104之一端，並延伸至所述末端部104之邊緣，以使得所述耦合部A1及所述輻射部A2完全由所述末端部104、部分第一側部105及部分第二側部106構成，即由部分所述金屬邊框102構成。當然，於其他實施例中，所述開槽108之開設位置亦可根據具體需求進行調整。例如，所述開槽108可開設於所述金屬背板101之中部位置，以使得所述耦合部A1及輻射部A2由部分金屬邊框102及部分金屬背板101構成。

可理解，於其他實施例中，所述開槽108之位置不局限於開設於所述金屬背板101，例如可開設於所述末端部104。

於本實施例中，所述第一饋入部11及所述內輻射體13均設置於所述容置空間103內，且位於開始於所述耦合部A1並結束於所述第一斷 點109與第二斷點110之收容空間(圖未標)內。所述第一饋入部11可為彈片、螺絲、微帶線、探針等連接結構。所述第一饋入部11之一端電連接至所述內輻射體13，另一端電連接至所述第一饋入點211，進而為所述內輻射體13饋入電流訊號。

於本實施例中，所述內輻射體13大致呈L型，其整體佈設於與所述金屬背板101大致平行之平面內。所述內輻射體13之一端垂直連接至所述第一饋入部11遠離所述第一饋入點211之一端，並沿平行所述第一側部105且靠近所述末端部104之方向延伸，接著彎折一直角，以沿平行所述末端部104且靠近所述第一側部105之方向延伸，進而構成所述L型結構。

所述第一接地部15設置於所述容置空間103內。所述第一接地部15可為彈片、螺絲、微帶線、探針等結構。所述第一接地部15之一端電連接至所述耦合部A1靠近所述第二斷點110之一端，另一端則電連接所述第一接地點212，即接地。

所述第二饋入部16設置於所述容置空間103內。所述第二饋入部16可為彈片、螺絲、微帶線、探針等連接結構。所述第二饋入部16之一端電連接至所述輻射部A2靠近所述第一斷點109之一側，以將所述輻射部A2進一步劃分為耦合段A21及輻射段A22。其中，所述金屬邊框102連接至所述第二饋入部16之位置至所述金屬邊框102設置有所述第一斷點109之部分形成所述耦合段A21。所述金屬邊框102連接至所述第二饋入部16之位置至所述金屬邊框102設置有第三斷點111之部分形成所述輻射段A22。

可理解，於本實施例中，所述第二饋入部16連接至所述輻射部A2之位置並非對應到所述輻射部A2之中間，因此所述耦合段A21之長度小於所述輻射段A22之長度。所述第二饋入部16之另一端則電連接至所述第二饋入點213，進而為所述輻射部A2中之輻射段A22饋入電流。

所述第二接地部17設置於所述容置空間103內。所述第二接地部17可為彈片、螺絲、微帶線、探針等結構。所述第二接地部17之一端電連接至所述輻射段A22靠近所述第三斷點111之一端，另一端則電連接所述第二接地點215，即接地。

可理解，當電流自所述第一饋入點211進入後，電流將流經所述第一饋入部11及所述內輻射體13，並藉由所述內輻射體13耦合至所述耦合部A1。所述耦合部A1再藉由所述第一斷點109二次耦合至所述耦合段A21，以使得所述內輻射體13、耦合部A1及所述耦合段A21共同激發三個不同之模態以產生三個不同之輻射頻段。其中，所述耦合部A1激發第一模態以產生第一頻段之輻射訊號。所述內輻射體13激發第二模態以產生第二頻段之輻射訊號。所述耦合段A21耦合激發第三模態以產生第三頻段之輻射訊號。

於本實施例中，所述第一模態及第二模態均為長期演進技術升級版(LTE-Advanced)中頻模態。所述第三模態為LTE-A高頻模態。所述第三頻段之頻率高於第二頻段之頻率，所述第二頻段之頻率高於第一頻段之頻率。所述第一頻段為1710-1880MHz，所述第二頻段為2000-2300MHz，所述第三頻段為2496-2690MHz，即所述第一頻段至第三頻段之頻率範圍為1710-2690MHz。

可理解，當電流自所述第二饋入點213進入後，電流將流經所述第二饋入部16及所述輻射段A22，並藉由所述第二接地部17接地，進而使得所述第二饋入點213、第二饋入部16、輻射段A22及所述第二接地部17構成倒F型天線，從而激發第四模態以產生第四頻段之輻射訊號。於本實施例中，所述第四模態為LTE-A低頻模態。所述第一頻段之頻率高於第四頻段之頻率。所述第四頻段為700-960MHz。

可理解，請一併參閱圖1及圖3，於其他實施例中，所述天線結構100還包括切換電路18。所述切換電路18之一端電連接至所述第二接地部17，以藉由所述第二接地部17電連接至所述輻射部A2之輻射段A22。所述切換電路18之另一端電連接至所述第二接地點215，即接地，進而調整所述第四頻段，即所述天線結構100之低頻段。

請一併參閱圖4，於本實施例中，所述切換電路18包括切換開關181及至少一切換元件183。所述切換開關181電連接至所述第二接地部17，以藉由所述第二接地部17電連接至所述輻射部A2之輻射段A22。所述切換元件183可為電感、電容、或者電感與電容之組合。所述切換元件183之間相互並聯，且其一端電連接至所述切換開關181，另一端電連接至所述第二接地點215，即接地。如此，藉由控制所述切換開關181之切換，可使得所述輻射段A22切換至不同之切換元件183。由於每一個切換元件183具有不同之阻抗，因此藉由所述切換開關181之切換，可有效調整所述天線結構100之低頻頻率，即第四頻段。

例如，於本實施例中，所述切換電路18包括四個切換元件183。該四個切換元件183為電感值分別為2nH、10nH、15nH、27nH之電感。其中，當所述切換開關181切換至電感值為2nH之切換元件183時，所述天線結構100可工作於LTE-A band8頻段(880-960MHz)。當所述切換開關181切換至電感值為10nH之切換元件183時，所述天線結構100可工作於LTE-A band5頻段(824-894MHz)。當所述切換開關181切換至電感值為15nH之切換元件183時，所述天線結構100可工作於LTE-A band20頻段(791-862MHz)。當所述切換開關181切換至電感值為27nH之切換元件183時，所述天線結構100可工作於LTE-A band17頻段(704-746MHz)。即藉由所述切換開關181之切換，可使得所述天線結構100之低頻涵蓋至700-960MHz。

可理解，請再次參閱圖3，於其他實施例中，所述天線結構100還包括切換單元19。所述切換單元19之一端電連接至所述第一接地部15，以藉由所述第一接地部15電連接至所述耦合部A1。所述切換單元19之另一端電連接至所述第一接地點212，即接地，進而調整所述第一頻段及第二頻段，即調整所述天線結構100之中頻段。所述切換單元19之結構及工作原理與所述切換電路18類似，具體可參閱切換電路18之描述，於此不再贅述。

可理解，請一併參閱圖5A至圖5F，於其他實施例中，所述內輻射體13、耦合部A1及輻射部A2之耦合段A21不局限於上述所述配置，其還可採用其他配置，僅需確保所述內輻射體13、耦合部A1以及所述耦合段A21之間彼此間隔設置，所述內輻射體13電連接至所述第一饋入點211，所述耦合部A1電連接至所述第一接地點212，即接地。另外，當電流自所述內輻射體13饋入後，所述電流耦合至所述耦合部A1與耦合段A21之其中之一。所述耦合部A1與耦合段A21之其中之一再藉由二次耦合至所述耦合部A1與耦合段A21之另外之一。

請一併參閱圖5A，於其中一個實施例中，所述內輻射體13a大致呈倒T型。所述內輻射體13a之一端電連接至所述第一饋入部11遠離所述第一饋入點211之一端，並沿平行所述第一側部105且靠近所述末端部104之方向延伸，接著彎折一直角，以沿平行所述末端部104且分別靠近所述第一側部105及第二側部106之方向延伸，進而越過所述第一斷點109，使得所述內輻射體13a構成所述T型結構，並使得所述內輻射體13a之兩端分別與所述耦合部A1及耦合段A21間隔耦合設置。

請一併參閱圖5B，於其中一個實施例中，所述內輻射體13b大致呈環狀，其一端電連接至所述第一饋入點211，另一端接地，進而使 得所述內輻射體13b構成環形(loop)天線。

請一併參閱圖5C，於其中一個實施例中，所述內輻射體13c大致L型，其一端電連接至所述第一饋入部11遠離所述第一饋入點211之一端，並沿平行所述第一側部105且靠近所述末端部104之方向延伸，接著彎折一直角，以沿平行所述末端部104且靠近所述第二側部106之方向延伸，進而使得所述內輻射體13c構成所述L型結構。

請一併參閱圖5D，於其中一個實施例中，所述內輻射體13d大致呈環狀，其一端電連接至所述第一饋入點211，另一端接地，進而使得所述內輻射體13d構成倒F型天線。

請一併參閱圖5E，於其中一個實施例中，所述內輻射體13e之結構與所述內輻射體13之結構相同，且所述天線結構100還包括延伸段A23。所述延伸段A23大致呈L型，其一端電連接至所述耦合段A21，並沿平行所述第一側部105且遠離所述末端部104之方向延伸。接著彎折一直角，以沿平行所述末端部104且靠近所述第一側部105之方向延伸，直至越過所述第一斷點109，且與所述內輻射體13e間隔設置。如此，當電流自所述第一饋入點211進入後，所述電流將流過所述內輻射體13e，並藉由所述內輻射體13e耦合至所述延伸段A23，再流過所述耦合段A21。接著所述耦合段A21再藉由所述第一斷點109二次耦合至所述耦合部A1。

請一併參閱圖5F，於其中一個實施例中，所述內輻射體13f之結構與所述內輻射體13之結構一致，且所述天線結構100還包括延伸段A11。所述延伸段A11大致呈L型，其一端電連接至所述耦合部A1，並沿平行所述第一側部105且遠離所述末端部104之方向延伸。接著彎折一直角，以沿平行所述末端部104且靠近所述第二側部106之方向延伸，直至越過所述第一斷點109，且與所述耦合段A21間隔耦合設置。如此，當電流自所述第一 饋入點211進入後，所述電流將流過所述內輻射體13f，並藉由所述內輻射體13f耦合至所述耦合部A1，再流過所述延伸段A11。接著所述延伸段A11再藉由二次耦合至所述耦合段A21。

如上述所述，所述天線結構100可激發第一模態及第二模態以產生中頻段之輻射訊號，激發第三模態以產生高頻段之輻射訊號，並激發第四模態以產生低頻段之輻射訊號。因此無線通訊裝置200可使用長期演進技術升級版(LTE-Advanced)之載波聚合(CA，Carrier Aggregation)技術同時於多個不同頻段接收或發送無線訊號以增加傳輸頻寬。即所述無線通訊裝置200可使用所述載波聚合技術並使用所述內輻射體13、耦合部A1及輻射部A2同時於多個不同頻段接收或發送無線訊號，即同時實現2CA或3CA。

圖6為所述天線結構100工作於低頻模態時之S參數(散射參數)曲線圖。其中曲線S61為當所述切換開關181切換至電感值為2nH之切換元件183時所述天線結構100之S11值。曲線S62為所述切換開關181切換至電感值為10nH之切換元件183，所述天線結構100之S11值。曲線S63為當所述切換開關181切換至電感值為15nH之切換元件183時，所述天線結構100之S11值。曲線S64為當所述切換開關181切換至電感值為27nH之切換元件183時，所述天線結構100之S11值。

圖7為所述天線結構100工作於低頻模態時之總輻射效率曲線圖。其中曲線S71為當所述切換開關181切換至電感值為2nH之切換元件183時所述天線結構100之總輻射效率。曲線S72為所述切換開關181切換至電感值為10nH之切換元件183，所述天線結構100之總輻射效率。曲線S73為當所述切換開關181切換至電感值為15nH之切換元件183時，所述天線結構100之總輻射效率。曲線S74為當所述切換開關181切換至電感值為27nH之 切換元件183時，所述天線結構100之總輻射效率。

顯然，由圖6及圖7可知，藉由所述切換開關181之切換，可有效調整所述天線結構100於低頻段之頻率。同時，於切換低頻之不同頻段時，可使得所述天線結構100之中高頻段不受影響。

圖8為所述天線結構100工作於中高頻模態時之S參數(散射參數)曲線圖。圖9為所述天線結構100工作於中高頻模態時之總輻射效率曲線圖。顯然，所述天線結構100可完整涵蓋目前常用之通訊系統所需要之系統頻寬。例如，所述天線結構100之低頻可涵蓋至700-960MHz，且天線效率大於-6dB。而所述天線結構100之中高頻可涵蓋至1710-2690MHz，且天線效率大於-5dB，符合天線設計需求。

顯然，所述天線結構100藉由設置所述金屬殼體10，且藉由使得所述內輻射體13、耦合部A1及耦合段A21間隔耦合設置，進而藉由二次耦合來共同控制所述天線結構100之低、中、高頻之頻段，同時使其符合長期演進技術升級版(LTE-Advanced)之載波聚合(Carrier Aggregation，CA)之需求。

以上所述，僅為本發明的較佳實施例，並非是對本發明作任何形式上的限定。另外，本領域技術人員還可在本發明精神內做其它變化，當然，這些依據本發明精神所做的變化，都應包含在本發明所要求保護的範圍之內。

Claims (15)

1. 一種天線結構，包括金屬殼體、第一饋入部、第二饋入部、第一接地部以及內輻射體，所述金屬殼體上設置有耦合部及耦合段，所述耦合部與所述耦合段間隔耦合設置，所述第一饋入部、所述第一接地部及所述內輻射體均設置於所述金屬殼體內，所述第一饋入部之一端電連接至一第一饋入點，另一端電連接至所述內輻射體，所述第一接地部之一端電連接至所述耦合部，另一端接地，所述內輻射體與所述耦合部及所述耦合段間隔耦合設置，當電流自所述第一饋入點饋入後，所述電流流過所述第一饋入部及所述內輻射體，並藉由所述內輻射體耦合至所述耦合部及所述耦合段之其中之一，所述耦合部及所述耦合段之其中之一再將電流二次耦合至所述耦合部及所述耦合段之另外之一，以使得所述內輻射體、所述耦合部及所述耦合段共同激發三個不同之模態以產生三個不同之輻射頻段；所述金屬殼體包括金屬邊框，所述金屬邊框上開設有第一斷點及第三斷點，所述第一斷點與所述第三斷點之間之所述金屬邊框構成輻射部，所述第二饋入部之一端電連接至所述輻射部靠近所述第一斷點之一側，以將所述輻射部進一步劃分為耦合段及輻射段，所述耦合段之長度小於所述輻射段之長度。
2. 如申請專利範圍第1項所述之天線結構，其中所述耦合部激發第一模態以產生第一頻段之輻射訊號，所述內輻射體激發第二模態以產生第二頻段之輻射訊號，所述耦合段耦合激發第三模態以產生第三頻段之輻射訊號，所述第三頻段之頻率高於第二頻段之頻率，所述第二頻段之頻率高於第一頻段之頻率。
3. 如申請專利範圍第2項所述之天線結構，其中所述金屬殼體還包括金屬背板，所述金屬邊框環繞所述金屬背板之周緣設置，所述金屬背板上設置有開槽，所述金屬邊框上還開設有第二斷點，所述第一斷點、第二斷點及第三斷點均與所述開槽連通並延伸至隔斷所述金屬邊框，所述第一斷點與所述第二斷點之間之所述金屬邊框構成所述耦合部，所述金屬邊框之其餘部分構成接地部，所述接地部接地。
4. 如申請專利範圍第3項所述之天線結構，其中所述金屬邊框連接至所述第二饋入部之位置至所述金屬邊框設置有所述第一斷點之部分形成所述耦合段。
5. 如申請專利範圍第4項所述之天線結構，其中所述天線結構還包括第二接地部，所述金屬邊框連接至所述第二饋入部之位置至所述金屬邊框設置有第三斷點之部分形成所述輻射段，所述第二饋入部之另一端電連接至一第二饋入點，所述接地部之一端電連接至所述輻射段，另一端接地，當電流自所述第二饋入點進入後，所述電流流經所述輻射段，並藉由所述第二接地部接地，以激發出第四模態以產生第四頻段之輻射訊號，所述第一頻段之頻率高於所述第四頻段之頻率。
6. 如申請專利範圍第5項所述之天線結構，其中所述天線結構還包括切換電路，所述切換電路包括切換開關及至少一切換元件，所述切換開關電連接至所述第二接地部，以藉由所述第二接地部電連接至所述輻射段，所述至少一切換元件之間相互並聯，且所述至少一切換元件之一端均電連接至所述切換開關，所述至少一切換元件之另一端均接地，藉由控制所述切換開關之切換，使得所述輻射段切換至不同之切換元件，進而調整所述第四頻段。
7. 如申請專利範圍第2項所述之天線結構，其中所述天線結構還包括切換單元，所述切換單元之一端電連接至所述第一接地部，以藉由所述第一接地部電連接至所述耦合部，另一端接地，用以調整所述第一頻段及第二頻段。
8. 如申請專利範圍第3項所述之天線結構，其中所述金屬邊框至少包括末端部、第一側部及第二側部，所述第一側部與所述第二側部分別連接所述末端部之兩端，所述第一斷點開設於所述末端部，所述第二斷點及第三斷點分別開設於所述第一側部及第二側部上，所述內輻射體位於開始於所述耦合部並結束於所述第一斷點與第二斷點之收容空間內。
9. 如申請專利範圍第8項所述之天線結構，其中所述內輻射體呈L型，所述內輻射體之一端垂直連接至所述第一饋入部遠離所述第一饋入點之一端，並沿平行所述第一側部且靠近所述末端部之方向延伸，接著彎折一直角，以沿平行所述末端部且靠近所述第一側部之方向延伸或者沿平行所述末端部且靠近所述第二側部之方向延伸，進而構成所述L型結構。
10. 如申請專利範圍第9項所述之天線結構，其中所述天線結構還包括延伸段，所述延伸段呈L型，所述延伸段之一端電連接至所述耦合段，並沿平行所述第一側部且遠離所述末端部之方向延伸，接著彎折一直角，以沿平行所述末端部且靠近所述第一側部之方向延伸，直至越過所述第一斷點，且與所述內輻射體間隔設置。
11. 如申請專利範圍第9項所述之天線結構，其中所述天線結構還包括延伸段，所述延伸段呈L型，所述延伸段之一端電連接至所述耦合部，並沿平行所述第一側部且遠離所述末端部之方向延伸，接著彎折一直角，以沿平行所述末端部且靠近所述第二側部之方向延伸，直至越過所述第一斷點，且與所述耦合段間隔設置。
12. 如申請專利範圍第8項所述之天線結構，其中所述內輻射體呈倒T型，所述內輻射體之一端垂直連接至所述第一饋入部遠離所述第一饋入點之一端，並沿平行所述第一側部且靠近所述末端部之方向延伸，接著彎折一直角，以沿平行所述末端部且分別靠近所述第一側部及第二側部之方向延伸，進而越過所述第一斷點，使得所述內輻射體構成所述T型結構。
13. 如申請專利範圍第8項所述之天線結構，其中所述內輻射體呈環狀，所述內輻射體之一端電連接至所述第一饋入點，另一端接地，進而使得所述內輻射體構成環形天線；或者所述內輻射體呈環狀，所述內輻射體之一端電連接至所述第一饋入點，另一端接地，進而使得所述內輻射體構成倒F型天線。
14. 如申請專利範圍第3項所述之天線結構，其中無線通訊裝置使用載波聚合技術並使用所述內輻射體、耦合部以及所述輻射部同時於多個不同頻段接收或發送無線訊號。
15. 一種無線通訊裝置，包括如申請專利範圍第1-14項中任一項所述之天線結構。