TWI660403B - 用於圖案保真度控制之方法與裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於一種構形判定之方法，該方法包括：獲得一第一聚焦值，該第一聚焦值係自使一未經圖案化基板之圖案化模型化的一運算微影模型導出或自一未經圖案化基板上之一經圖案化層之量測導出；獲得一第二聚焦值，該第二聚焦值係自具有一構形之一基板之量測導出；及自該第一聚焦值及該第二聚焦值判定該構形之一值。

Description

用於圖案保真度控制之方法與裝置
本文中之描述係關於一種藉由組合運算微影模型化與產品上量測而判定產品誘發之構形的方法及一種應用該方法之裝置。本文中之描述亦係關於一種識別熱點且對熱點進行分級之方法及裝置。
微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在此情況下，圖案化器件(例如，光罩)可含有或提供對應於IC之個別層的器件圖案(「設計佈局」)，且此圖案可轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含一或多個晶粒)上，該基板已藉由諸如經由圖案化器件之圖案輻照目標部分的方法而塗佈有輻射敏感材料(「抗蝕劑」)層。一般而言，單一基板含有複數個鄰近目標部分，圖案係由微影裝置順次地轉印至該複數個鄰近目標部分，一次一個目標部分。在一種類型之微影裝置中，將整個圖案化器件之圖案一次性轉印至一個目標部分上；此類裝置通常被稱作步進器。在通常被稱作步進掃描裝置(step-and-scan apparatus)之替代裝置中，投影光束在給定參考方向(「掃描」方向)上遍及圖案化器件進行掃描，同時平行或反平行於此參考方向而同步地移動基板。圖案化器件之圖案之不同部分漸進地轉印至一個目標部分。一般而言，由於微影裝置將具有放大因數 M(通常<1)，故基板被移動之速度F將為投影光束掃描圖案化器件之速度的因數M倍。
在將圖案自圖案化器件轉印至基板之前，基板可經歷各種工序，諸如上底漆、抗蝕劑塗佈，及軟烘烤。在曝光之後，基板可經受其他工序，諸如曝光後烘烤(PEB)、顯影、硬烘烤，及經轉印圖案之量測/檢測。此工序陣列係用作製造器件(例如，IC)之個別層的基礎。基板接著可經歷各種程序，諸如蝕刻、離子植入(摻雜)、金屬化、氧化、化學機械拋光等等，該等程序皆意欲精整器件之個別層。若在器件中需要若干層，則針對每一層重複整個工序或其變體。最終，在基板上之每一目標部分中將存在器件。接著藉由諸如切塊或鋸切之技術使此等器件彼此分離，據此，可將個別器件安裝於載體上、連接至銷釘等等。
因此，製作諸如半導體器件之器件通常涉及使用數個製造程序來處理基板(例如半導體晶圓)以形成該等器件之各種特徵及多個層。通常使用(例如)沈積、微影、蝕刻、化學機械拋光及離子植入來製造及處理此類層及特徵。可在基板上之複數個晶粒上製作多個器件，且接著將該等器件分離成個別器件。此器件製造程序可被視為圖案化程序。圖案化程序涉及使用微影裝置中之圖案化器件進行圖案化步驟(諸如光學及/或奈米壓印微影)以將圖案化器件之圖案轉印至基板，且圖案化程序通常但視情況涉及一或多個相關圖案處理步驟，諸如藉由顯影裝置進行抗蝕劑顯影、使用烘烤工具來烘烤基板、使用蝕刻裝置而使用圖案進行蝕刻等等。
產品基板通常含有呈極小(次毫米)解析度之圖案密度誘發之構形；此構形之量值通常以奈米為單位。但，相比於程序聚焦裕度，該量值可為相 當大的。裝備於微影裝置內之習知準位感測器無法以次毫米側向解析度量測基板之此產品構形。另外，曝光狹縫大小及形狀之實體限制使得此構形極難以由微影裝置聚焦控制系統使用準位感測器資料加以校正。
因此，需要(例如)能夠有效地量測此類構形且識別哪些圖案特徵至少部分地歸因於構形而傾向於有缺陷。
在一實施例中，提供一種構形判定之方法，該方法包含：獲得第一聚焦值，該第一聚焦值係自使未經圖案化基板之圖案化模型化的運算微影模型導出或自未經圖案化基板上之經圖案化層之量測導出；獲得第二聚焦值，該第二聚焦值係自具有構形之基板之量測導出；及自第一聚焦值及第二聚焦值判定構形之值。
在一實施例中，提供一種熱點評估之方法，該方法包含：針對第一熱點及第二熱點中之每一者獲得程序窗資料，該程序窗資料包含用於第一熱點及第二熱點中之每一者的聚焦資訊；及由硬體電腦基於基板之構形資料而評估程序窗資料之聚焦資訊，以識別或改變第一熱點及/或第二熱點之臨界性。
在一實施例中，提供一種電腦程式產品，其包含上面記錄有指令之一電腦非暫時性可讀媒體，該等指令在由一電腦執行時實施以上方法中之任一者。
1110‧‧‧圖表
1120‧‧‧步驟
1130‧‧‧步驟
1140‧‧‧運算程序
1150‧‧‧步驟
1160‧‧‧曲線
1165‧‧‧中心、平均值或峰值
1170‧‧‧曲線
1175‧‧‧中心、平均值或峰值
1190‧‧‧構形
1300‧‧‧第一曲線
1310‧‧‧第二曲線
1320‧‧‧CD臨限值
1330‧‧‧臨限值
1340‧‧‧臨限值
1350‧‧‧焦點分佈
1360‧‧‧焦點分佈
1370‧‧‧搜尋範圍
1380‧‧‧搜尋範圍
1390‧‧‧區
1601‧‧‧程序
1602‧‧‧程序
1604‧‧‧程序
1605‧‧‧程序
1700‧‧‧電腦系統
1702‧‧‧匯流排
1704‧‧‧處理器
1705‧‧‧處理器
1706‧‧‧主記憶體
1708‧‧‧唯讀記憶體ROM
1710‧‧‧儲存器件
1712‧‧‧顯示器
1714‧‧‧輸入器件
1716‧‧‧游標控制件
1718‧‧‧通信介面
1720‧‧‧網路鏈路
1722‧‧‧區域網路
1724‧‧‧主機電腦
1726‧‧‧網際網路服務提供者ISP
1728‧‧‧網際網路
1730‧‧‧伺服器
AD‧‧‧調整器
AS‧‧‧對準感測器
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束遞送系統
BK‧‧‧烘烤板
C‧‧‧目標部分
CH‧‧‧冷卻板
CO‧‧‧聚光器
DE‧‧‧顯影器
I/O1‧‧‧輸入/輸出通口
I/O2‧‧‧輸入/輸出通口
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明器
IN‧‧‧積光器
LA‧‧‧微影裝置
LACU‧‧‧微影控制單元
LB‧‧‧裝載匣
LC‧‧‧微影製造單元
LS‧‧‧準位感測器
M1‧‧‧圖案化器件對準標記
M2‧‧‧圖案化器件對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MT‧‧‧圖案化器件支撐件/支撐結構
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影光學系統
PW‧‧‧第二定位器
RF‧‧‧射頻
RO‧‧‧機器人
SC‧‧‧旋塗器
SCS‧‧‧監督控制系統
SO‧‧‧源
TCU‧‧‧塗佈顯影系統控制單元
W‧‧‧基板
WTa‧‧‧基板台
WTb‧‧‧基板台
X‧‧‧方向
Y‧‧‧方向
圖1說明微影裝置之示意圖；圖2描繪微影製造單元或叢集之一實施例；圖3說明對應於圖1中之子系統之模擬模型的方塊圖；圖4A說明四個圖案中之每一者之CD(CD-PW)的由焦點(水平軸線)及 劑量(垂直軸線)跨越之子程序窗；圖4B說明四個圖案之CD(CD-OPW)的由焦點(水平軸線)及劑量(垂直軸線)跨越之子程序窗(由點影線區域表示)；圖5說明示意性實例經量測微米解析度構形；圖6說明藉由準位感測器技術估計之示意性構形；圖7說明構形量測之例示性方法；圖8說明結合由構形資料調整之焦點分佈的第一熱點及第二熱點之柏桑(Bossung)曲線；圖9說明包括用於熱點之臨界性之識別及/或分級之構形的例示性方案；且圖10說明可輔助實施本文中所揭示之方法及流程中之任一者的電腦系統之實施例的方塊圖。
圖1示意性地描繪可與其相關聯地利用本文中所描述之技術的微影裝置LA。該裝置包括：經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或DUV輻射)之照明光學系統(照明器)IL，經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA且連接至第一定位器PM之圖案化器件支撐件或支撐結構(例如，光罩台)MT，該第一定位器PM經組態以根據某些參數準確地定位圖案化器件；經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W且連接至第二定位器PW之一或多個基板台(例如，晶圓台)WTa、WTb，該第二定位器PW經組態以根據某些參數準確地定位基板；及經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包括一或多個晶粒)上的投影光學系統(例如，折射、反射或反射折射光學系統)PS。
照明光學系統可包括用於導向、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。在此特定狀況下，照明系統亦包含輻射源SO。
圖案化器件支撐件以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件是否被固持於真空環境中)之方式來固持圖案化器件。圖案化器件支撐件可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件。圖案化器件支撐件可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動。圖案化器件支撐件可確保圖案化器件例如相對於投影系統處於所要位置。可認為本文中對術語「倍縮光罩」或「光罩」之任何使用與更一般術語「圖案化器件」同義。
本文中所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解譯為係指可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何器件。應注意，舉例而言，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵，則該圖案可不確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。一般而言，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所產生之器件(諸如積體電路)中的特定功能層。
圖案化器件可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。
如此處所描繪，裝置屬於透射類型(例如，使用透射圖案化器件)。然 而，裝置可屬於反射類型(例如，使用如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。裝置可使用與典型光罩不同種類之圖案化器件；實例包括可程式化鏡面陣列或LCD矩陣。
微影裝置亦可屬於如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對較高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間的空間。浸潤技術在此項技術中被熟知用於增大投影系統之數值孔徑。本文中所使用之術語「浸潤」並不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO(例如，水銀燈或準分子雷射、LPP(雷射產生電漿)EUV源)接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源與微影裝置可為分離實體。在此等狀況下，不認為源形成微影裝置之部分，且輻射光束係憑藉包括(例如)合適導向鏡面及/或擴束器之光束遞送系統BD而自源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，舉例而言，當源為水銀燈時，源可為微影裝置之整體部分。源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD在需要時可被稱作輻射系統。
照明器IL可包括用於調整輻射光束之空間強度分佈及/或角強度分佈的調整器AD。一般而言，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包括各種其他組件，諸如積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於圖案化器件(例如，光罩)MA上，圖案化器件MA固持於圖案化器件支撐件(例如，光罩台)MT上，且由圖案化器件圖案 化。在已橫穿圖案化器件(例如，光罩)MA之情況下，輻射光束B傳遞通過投影光學系統PS，投影光學系統PS將光束聚焦至基板W之目標部分C上，藉此將圖案之影像投影於目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF(例如，干涉量測器件、線性編碼器、2D編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以便將不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器(圖1中未明確描繪)可用以(例如)在自光罩庫進行機械檢索之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑準確地定位圖案化器件(例如，光罩)MA。
可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，光罩)MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等基板對準標記可位於目標部分之間的空間中(此等基板對準標記被稱為切割道對準標記)。相似地，在多於一個晶粒提供於圖案化器件(例如，光罩)MA上之情形中，圖案化器件對準標記可位於該等晶粒之間。小的對準標記物亦可包括於器件特徵當中之晶粒內，在此狀況下，需要使標記物儘可能地小且無需與鄰近特徵不同的任何成像或程序條件。下文進一步描述偵測對準標記物之對準系統。
此實例中之微影裝置LA屬於所謂的雙載物台類型，其具有兩個基板台WTa、WTb及兩個站-曝光站及量測站-在該兩個站之間可交換基板台。在曝光站處曝光一個基板台上之一個基板的同時，可在量測站處將另一基板裝載至另一基板台上且進行各種預備步驟。預備步驟可包括使用準位感測器IS來映射基板之表面控制，使用對準感測器AS來量測對準標記在基板上之位置，執行任何其他類型之度量衡或檢測等等。此情形實現裝置之產出率之實質性增加。更一般而言，微影裝置可屬於具有兩個或多於兩個 台(例如，兩個或多於兩個基板台、一基板台及一量測台、兩個或多於兩個圖案化器件台等等)之類型。在此等「多載物台」器件中，可並行地使用複數多個台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。舉例而言，在全文以引用之方式併入本文中之美國專利第5,969,441號中描述雙載物台微影裝置。
雖然準位感測器LS及對準感測器AS展示為鄰近基板台WTb，但將瞭解，另外或替代地，準位感測器LS及對準感測器AS可設置為鄰近投影系統PS以相對於基板台WTa進行量測。
所描繪裝置可在多種模式下使用，包括(例如)步進模式或掃描模式。微影裝置之構造及操作係為熟習此項技術者所熟知，且無需對其進一步描述以供理解本發明之實施例。
如圖2中所展示，微影裝置LA形成微影系統之部分，其被稱作微影製造單元LC或微影單元或叢集。微影製造單元LC亦可包括用以對基板執行曝光前及曝光後程序之裝置。通常，此等裝置包括用以沈積抗蝕劑層之旋塗器SC、用以顯影經曝光抗蝕劑之顯影器DE、冷卻板CH及烘烤板BK。基板處置器或機器人RO自輸入/輸出通口I/O1、I/O2拾取基板，在不同程序裝置之間移動基板，且接著將基板遞送至微影裝置之裝載匣LB。常常被集體地稱作塗佈顯影系統(track)之此等器件係在塗佈顯影系統控制單元TCU之控制下，塗佈顯影系統控制單元TCU自身受到監督控制系統SCS控制，監督控制系統SCS亦經由微影控制單元LACU來控制微影裝置。因此，不同裝置可經操作以最大化產出率及處理效率。
以上所提及之圖案化器件包含或可形成一或多個設計佈局或圖案(出於方便起見，下文為設計圖案)。可利用電腦輔助設計(computer-aided design；CAD)程式來產生設計圖案，此程序常常被稱作電子設計自動化(electronic design automation；EDA)。大多數CAD程式遵循一預定設計規則集合，以便產生功能設計圖案/圖案化器件。藉由處理及設計限制來設定此等規則。舉例而言，設計規則定義電路器件(諸如，閘、電容器等等)或互連線之間的空間容許度，以便確保電路器件或線不以不合乎需要的方式彼此相互作用。設計規則限制中之一或多者可被稱作「臨界尺寸」(CD)。可將電路之臨界尺寸定義為線或孔之最小寬度，或兩條線或兩個孔之間的最小空間。因此，CD判定經設計電路之總大小及密度。當然，積體電路製作中之目標中之一者係在基板上如實地再生原始電路設計(經由圖案化器件)。
因此，在微影裝置中，照明系統以照明模式形式向圖案化器件提供照明(亦即，輻射)，且經由圖案化器件，投影系統經由空中影像(AI)將照明導向且塑形至基板上。照明模式定義照明之特性，諸如角度或空間強度分佈(例如，習知、偶極、環形、四極等等)、照明均方偏差(σ)設定等等。空中影像(AI)為在基板位階處之輻射強度分佈。曝光基板上之抗蝕劑層，且將空中影像轉印至抗蝕劑層以在其中作為潛伏「抗蝕劑影像」(RI)。可將抗蝕劑影像(RI)定義為抗蝕劑層中之抗蝕劑之溶解度的空間分佈。
現在，為了實現圖案化程序設計、控制、監控等等，可在數學上使圖案化程序之一或多個部分模型化及/或對其進行模擬。舉例而言，微影程序可經模擬/模型化以分析輸入設計圖案佈局如何在特定條件下由微影裝置成像。因此將通常執行由微影裝置在數學上使成像模型化之模擬。
圖3中說明用於模擬微影裝置中之微影的例示性流程圖。照明模型301表示提供至圖案化器件之照明的光學特性(包括輻射強度分佈及/或相 位分佈)。投影系統模型302表示投影系統之光學特性(包括由投影系統引起的對輻射強度分佈及/或相位分佈之改變)。設計圖案模型303表示設計圖案佈局之光學特性(包括由給定設計圖案佈局303引起的輻射強度分佈及/或相位分佈之改變)，該設計圖案佈局為在圖案化器件上或由圖案化器件形成之特徵之配置的表示。可自設計圖案模型303、投影系統模型302及設計圖案模型303模擬空中影像304。可使用抗蝕劑模型305自空中影像304模擬抗蝕劑影像306。微影之模擬可(例如)預測抗蝕劑影像中之輪廓及CD。
更具體言之，應注意，照明模型301可表示照明模式及/或照明系統之光學特性，其包括但不限於數值孔徑設定、照明均方偏差(σ)設定、特定照明形狀(例如，離軸輻射照明，諸如環形、四極、偶極等等)，等等。投影系統模型302可表示投影系統之光學特性，包括像差、失真、一或多個折射率、一或多個實體大小、一或多個實體尺寸，等等。設計圖案模型303可表示實體圖案化器件之一或多個實體屬性，如例如以全文引用之方式併入本文中的美國專利第7,587,704號中所描述。可使用抗蝕劑模型以自空中影像計算抗蝕劑影像，可在全部揭示內容特此以引用之方式併入的美國專利申請公開案第US 2009-0157360號中發現此情形之實例。抗蝕劑模型僅有關於抗蝕劑層之屬性(例如，在曝光、PEB及顯影期間發生之化學程序之效應)。微影裝置之光學屬性(例如，照明模式、圖案化器件及投影系統之屬性)規定空中影像。由於可改變用於微影裝置中之圖案化器件，因此可能需要使圖案化器件之光學屬性與至少包括照明系統及投影系統的微影裝置之其餘部分之光學屬性分離。
因此，模擬之目標係準確地預測例如邊緣置放、空中影像強度斜率 及/或CD，可接著將該等邊緣置放、空中影像強度斜率及/或CD與預期設計進行比較。可針對各種條件執行此預測，該等條件諸如各種劑量、焦點等等條件。預期設計通常被定義為可以諸如GDSII或OASIS或其他檔案格式之標準化數位檔案格式而提供之預光學近接校正(OPC)設計圖案。
可識別設計佈局之一或多個部分，其被稱為片段(clip)、臨界特徵或熱點(出於方便起見，下文為熱點)。在一實施例中，自設計佈局提取熱點集合，且該集合表示設計佈局中之複雜圖案(例如，可由使用者提供約50至1000個熱點，但可提供、識別或使用任何數目個熱點)。此等熱點表示設計之較小部分(亦即，電路、單元、圖案或設計片段)，且尤其表示需要特別注意及/或檢驗之較小部分。可藉由經驗(包括由使用者提供之熱點)、藉由試誤法或藉由執行全晶片模擬來識別熱點。在一實施例中，熱點之成像屬性界定程序窗之邊界(例如，劑量及焦點程序窗，其內之經曝光特徵具有在圖案化程序之容許度範圍(例如，±5%、±10%))內的臨界尺寸值。熱點可含有一或多個測試圖案或量規圖案以在其評估中使用。
可由使用者基於設計圖案中要求特別注意之一或多個已知臨界特徵區域而先驗地提供初始較大熱點集合。或者，在一實施例中，可藉由使用識別一或多個臨界特徵區域之某種自動(諸如機器視覺)或手動演算法自整個設計圖案提取初始較大熱點集合。
可導向模擬以評估設計圖案中之圖案中之一些的程序窗。圖案之程序窗係處理參數之空間，將根據處理參數之空間而按規格產生圖案。根據數學觀點，程序窗為由所有處理參數跨越之向量空間中之區。在給定圖案化程序中，圖案之程序窗係由圖案之規格及圖案化程序中所涉及之物理學規定。
因此，將由所有處理參數跨越之向量空間中之區用作程序窗可能不方便。可使用子空間(亦即，由少於所有處理參數所跨越之空間)(「子PW」)之區，而非由所有處理參數所跨越之空間(「全PW」)之區。舉例而言，在具有許多處理參數之圖案化程序中，由焦點及劑量跨越之子空間之區可用作子PW。
處理參數係圖案化程序之參數。圖案化程序可包括在圖案之實際微影轉印上游及下游的程序。處理參數可屬於數個類別。第一類別可為微影裝置或用於圖案化程序中之任何其他裝置之參數。此類別之實例包括微影裝置之照明系統、投影系統、基板載物台等等之參數。第二類別可為在圖案化程序中執行之任何工序的參數。此類別之實例包括焦點、劑量、頻寬、曝光持續時間、顯影溫度、用於顯影中之化學組合物等等。第三類別可為設計圖案之參數。此類別之實例可包括解析度增強技術(RET)或光學近接校正調整，諸如輔助特徵之形狀及/或部位。第四類別可為基板之參數。實例包括抗蝕劑層下之結構的特性、抗蝕劑層之化學組合物及/或抗蝕劑層之實體尺寸。第五類別可為表示圖案化程序之一或多個參數之時間變化之特性的參數。此類別之實例可包括高頻載物台移動(例如，頻率、振幅，等等)、高頻雷射頻寬改變(例如，頻率、振幅，等等)及/或高頻雷射波長改變之特性。此等高頻改變或移動係高於用以調整基礎參數(例如，載物台位置、雷射強度等等)之機構之回應時間的高頻改變或移動。第六類別可為在曝光上游或下游之特性，諸如曝光後烘烤(PEB)、顯影、蝕刻、沈積、抗蝕劑塗覆、摻雜及/或封裝。
設計圖案中之各種圖案可具有不同程序窗。關於潛在系統性缺陷之圖案規格之實例包括檢查CD、頸縮、線拉回、線薄化、邊緣置放、重 疊、抗蝕劑頂部損耗、抗蝕劑底切及/或橋接。設計圖案中之所有圖案或其一部分之程序窗可藉由合併每一個別圖案之程序窗(例如，使該等程序窗重疊)來獲得。
在一實例中，當圖案之規格僅規定圖案之CD時，圖案之程序窗可被稱作CD程序窗(CD-PW)。當圖案之規格僅規定一組圖案之CD時，該組圖案之重疊程序窗可被稱作CD重疊程序窗(CD-OPW)。CD-PW或CD-OPW可具有子PW。圖4A展示四個圖案中之每一者之CD(CD-PW)的由焦點(水平軸線)及劑量(垂直軸線)跨越之子PW。圖4B展示四個圖案之CD(CD-PW)的由焦點(水平軸線)及劑量(垂直軸線)跨越之子PW(由點影線區域表示)。因此，CD-OPW為四個圖案之CD-PW的重疊區域。
如上文所提及，界定重疊程序窗之邊界的圖案之彼等程序窗可被視為熱點，此係由於在程序窗處理參數中之一或多者自彼等圖案之各別程序窗定義相對略微偏離的情況下，彼等圖案很可能有缺陷。因此，藉由例如識別熱點、在考量下縮減其數目及/或對其為圖案化程序中經受程序變化之缺陷的可能性進行分級而將考量聚焦於熱點上可為適用的。
現在，在基板之典型處理中，使器件結構之一或多個疊對層形成於基板上。因此，在一實施例中，第一層可藉由圖案化抗蝕劑而形成，該抗蝕劑接著用作用於層之蝕刻的光罩。接著，一或多種材料可沈積於該第一層上。舉例而言，可提供一或多種填充材料以「填充」滿任何剩餘凹部。隨後，在塗覆另一抗蝕劑層以圖案化下一層之前，可執行平坦化程序(例如，化學機械拋光(CMP))以使基板層平滑以供塗覆抗蝕劑層。提供平滑使得後續抗蝕劑層理想地係平滑的。
然而，構形可存在於基板之下伏於抗蝕劑層的層中，而不論是否已 存在彼層之平坦化程序。構形可由遍及基板上之多個層之局部圖案密度變化引入，即使在已對此等層中之一或多者使用平坦化程序的情況下亦如此。因此，圖案密度及對層0至N-1之平坦化之經組合效應因此形成在層N之曝光期間會遇到的構形。
因此，構形可尤其誘發晶粒內或場內效應，此係由於其由晶粒或場位階處之圖案密度變化引起(在下文中，論述將集中於晶粒位階，但相同考量適用於場位階處-在一實施例中，晶粒對應於物件之變成個別器件的一部分。亦即，在物件為半導體晶圓之情況下，物件被切割成對應於晶粒之件中，每一晶粒變成例如半導體裝置；而在一實施例中，場對應於用以圖案化基板之微影裝置之曝光場之大小，且因此場可包含複數個晶粒，其中例如圖案化器件提供包含多個晶粒之圖案)。此構形效應相異於橫越基板之晶粒間變化(例如，由基板翹曲等等引起)。此外，此晶粒內構形效應具高度系統性、相對可預測，且基於器件設計之一或多個功能區塊之空間頻率。此係因為為了在基板上製造特定器件，橫越用於特定圖案化程序之基板之每一晶粒中出現圖案密度變化之基本上相同組合。
圖5展示在基板上在X方向及Y方向上延伸之場(具有複數個晶粒，在此狀況下為30個晶粒)之次毫米(通常為次微米)解析度構形的示意性實例。可見構形中之相對系統性變化。可使用高解析度光學量測工具(諸如干擾法量測裝置)來獲得此類構形。然而，此程序具破壞性，此係因為其涉及特殊塗層，且該程序係在無圖案化程序堆疊(例如，抗蝕劑、抗反射塗層等等)之情況下執行。因此，無圖案化程序堆疊且存在不同於一般圖案化程序中之塗層的塗層使得此量測不表示圖案化程序中之構形。因此，用以量測趨向於慢的構形之典型工具可對基板器件圖案具破壞性，及/或 可不表示一般圖案化程序中之構形。因此，此類構形量測並不特別相容圖案化程序整合。
圖6展示使用藉由圖案輪廓來增強準位感測器量測之廻旋程序來估計與圖5中之場相同的由準位感測器(諸如準位感測器LS)量測之場之構形的示意性實例。此技術涉及藉由使用圖案佈局感知反廻旋對量測超取樣來估計構形。但，雖然準位感測器在圖案化程序中具有良好整合(其係快速、非破壞性的，且可在一般圖案化程序中量測構形)，但此技術為相對粗略(且相比於圖5較不準確)的估計，且歸因於相對較大準位感測器光點佔據面積之實體限制，該技術可能無法達成較佳解析度。實際上，如圖6中所見，準位感測器不會辨識構形中之許多(若存在)。因此，管理聚焦控制之基於準位感測器之控制系統不會校正構形中之許多(若存在)，此係由於其量測結果未展示構形中之許多(若存在)。
此微米解析度構形可產生聚焦控制及程序窗定中心之大量問題。因此，構形之知識可在熱點及其他圖案特徵之圖案保真度改良方面較為顯著。此外，圖案化熱點分級、CMP後熱點識別亦需要此構形資訊。
因此，合乎需要的是例如具有準確、可程序整合、高解析度構形量測技術。
因此，本文中提供新穎的構形量測技術。在一實施例中，此技術涉及使用對應於未經圖案化基板之資料(例如，CD資料)與具有構形之基板之非構形量測資料(例如，CD資料)的組合來達成構形。舉例而言，在一實施例中，此技術涉及使用運算微影程序模型化及相對較高解析度(相比於例如準位感測器)及相對較快、臨界尺寸量測的組合來判定構形。此技術可易於整合於圖案化程序及其控制系統中。因此，提供可程序整合、可 縮放、按需解析度構形量測技術。
技術流程之一實施例描繪於圖7中。圖7展示次微米解析度構形判定之程序。
在1110處，指定構形判定之解析度連同基板上構形經判定之部位。因此，1110處之圖表以點形式展示構形經判定之部位連同構形之解析度的實例。在此狀況下，選擇0.5毫米之解析度作為一實例，且以點之間隔展示該解析度。另外，在此實例中，根據特定晶粒指定部位及解析度。可替代地針對晶粒之一部分、針對包含複數個晶粒之場、針對基板之區等等來指定部位及解析度。
可由系統(例如，執行軟體以實施程序之至少部分的硬體處理器)自動地選擇或由使用者手動地控制解析度及/或部位之選擇。解析度及/或部位之選擇可由例如程序效率(例如，較高解析度、較多處理時間)、下文所描述之量測工具之能力、使用者之需要等等加以指定。因此，所要解析度可基於應用需要而變化。另外，可選擇部位及其分佈以便達成檢測裝置之最佳檢測速度(例如，使得多個部位處於檢測裝置之同一視野內)。視情況，可自構形之圖案密度映圖之功率頻譜密度之截止頻率(其係關於解析度)導出最小解析度。
藉由解析度及部位之規格，藉由經由1160之運算路線及經由1120及1130之量測路線處理經識別部位。
在1120處，微影裝置將抗蝕劑層曝光於具有藉由圖案評估之構形的基板上。在一實施例中，圖案為非器件測試圖案或器件圖案。
另外，圖案在複數個不同聚集條件(例如，圍繞最佳焦點之複數個聚集值)下曝光至基板上。因此，參看1110，可在處於、高於及低於最佳焦 點條件之複數個焦點條件中之每一者下曝光此處所描繪之晶粒。舉例而言，曝光可為通常用以藉由分析例如柏桑曲線而基於晶粒之所選部位之CD量測來識別最佳劑量及焦點(或程序窗)的焦點曝光矩陣(FEM)。雖然此技術並不需要來自FEM曝光之劑量資料，但可在此技術中使用特定劑量下之聚集資料以達成構形。
在1130處，量測且針對每一焦點條件量測對每一部位之焦點敏感的非構形參數(例如，CD)。亦即，量測非構形參數所針對之一或多個特徵為非構形參數之大小隨著焦點之大小改變而變化的特徵。理想地，選擇具有高敏感度(例如，在最高敏感度之20%內)之特徵。可使用電腦模擬來識別高焦點敏感度特徵。
因此，量測在不同焦點條件下曝光之複數個晶粒。另外，量測彼等晶粒中之每一者中之複數個部位。因此，返回參看1110中之晶粒，將針對例如複數個焦點條件中之每一者之晶粒中之左上部位獲得非構形參數(例如，CD)之量測。相似地，晶粒中之所有其他部位將具有在複數個焦點條件中之每一者下的非構形參數(例如，CD)量測之集合。因此，每一部位將具有針對複數個焦點條件之非構形參數(例如，CD)之值的資料集。此類資料集可接著提供至下文進一步詳細描述之1140處之運算程序。或者，可針對每一部位自彼等量測(例如，資料之分佈之中心、平均值或峰值，其中中心、平均值或峰值對應於最接近非構形參數之期望值的非構形參數值)判定最佳焦點，且將最佳焦點作為資料集提供至1140。
在一實施例中，用於檢測非構形參數(例如，CD)之度量衡工具具有顯著高於例如準位感測器之解析度，且可以例如0.5毫米解析度進行量測。在一實施例中，度量衡為電子束檢測工具。在一實施例中，在抗蝕劑 之顯影之後進行量測。在一實施例中，在蝕刻之後進行量測。在一實施例中，量測係非破壞性的(例如，電子束設定為致使不具破壞性)。
在一實施例中，在一部位處可存在待量測之一種圖案類型，或在一部位處僅量測一種圖案類型。因此，每一部位將具有一個非構形參數值。在一實施例中，在一部位處可存在多於一種圖案類型，且因此針對每一部位可存在複數個非構形參數量測。在針對每一部位獲得多於一個非構形參數量測之情況下，接著如下文進一步所論述，可針對每一部位進行多於一次構形判定。因此，可例如增大準確度。但，舉例而言，可能增加量測時間。
在1150處，使用運算微影模型來獲得資料以供與1130處之資料比較時使用。在一實施例中，可使用上文關於圖3所描述之模擬模型來獲取用於1120處之曝光的圖案且針對用於1120處之曝光之圖案之一或多個圖案特徵中之每一者預測在部位中之每一者處或附近的最佳焦點。亦即，模型在不存在構形之基礎上進行計算，且基板表面完全平坦。可接著輸出針對每一部位之最佳焦點之預測以供與1130、1140處之資料比較時使用。在一實施例中，資料可包含與在1130處所產生之資料相似的資料。舉例而言，可使用上文關於圖3所描述之模擬模型來獲取用於1120處之曝光的圖案且判定針對一系列焦點條件在部位中之每一者處之一或多個圖案特徵的經預測CD。因此，運算微影模型可產生與1130處之量測(例如，針對複數個焦點條件在每一部位處之CD量測的集合)相當的輸出。
另外或替代地，為了使用1150處之運算微影模型進行預測，可以相似於1120及1130中之方式曝光且量測覆蓋有抗蝕劑層之未經圖案化基板(亦即，不具有正考量之構形的基板)，以獲得針對複數個焦點條件在每一 部位處之CD量測的集合。可接著將資料供應至1140，或可針對每一部位自彼等量測判定最佳焦點且接著將最佳焦點供應至1140。
接著，在1140處，處理來自1130及1150之資料集(對應於各別部位之每一資料集)以判定部位中之每一者處之構形。在一實施例中，用於部位之每一資料集1130、1150之統計或其他代表性資訊之間的差提供該部位之構形之度量。舉例而言，在資料集1130、1150兩者包含最佳聚焦值之情況下，部位之最佳聚焦值之間的差表示該部位處之構形之度量。在資料集1130、1150兩者包含依據部位之焦點變化的非構形參數值之情況下，可針對資料集1130、1150而判定依據焦點變化的CD值之分佈之中心、平均值(例如，均值)或峰值。接著，彼等焦點中心、平均值或峰值(最佳焦點)之間的差產生彼部位處之構形之度量。當然，資料集1130、1150中之一者之最佳焦點可對照另一資料集1130、1150之經判定焦點中心、平均值或峰值進行比較。
參看圖7中之1140，描繪依據針對1110之晶粒中之特定部位且基於來自1150之資料(例如，來自未經圖案化基板之經預測資料或經量測資料)的焦點(在水平軸線中，其中0為標稱焦點，且其他值自標稱散焦)變化之CD值(在垂直軸線中)之分佈之實例曲線1160。另外，在1165處描繪焦點中心、平均值或峰值(最佳焦點)。相似地，在同一圖表中描繪依據針對1110之晶粒中之特定部位且基於來自1130之資料(例如，來自具有構形之基板之經量測資料)的焦點變化之CD值之分佈之實例曲線1170。另外，在1175處描繪焦點中心、平均值或峰值(最佳焦點)。根據此資料，部位處之構形可計算為中心、平均值或峰值1175與中心、平均值或峰值1165之間的差。在一實施例中，取決於在何處界定延伸穿過構形之標稱平面，差之正 負號可指示構形相對於平面為突起部抑或凹陷部。可接著在1140中針對部位中之每一者重複此分析以達成基板之區域之構形，如在1190處示意性地描繪。當然，無需產生曲線，且該等曲線僅僅出於方法之可視化而呈現。並且，點1165及/或點1175可表示自1150或自1130提供之各別最佳焦點。並且，雖然資料可為非連續的，但可藉由內插、外插、擬合等等來獲得資料點之間的資料。
以此技術量測之構形可藉由一或多個微影裝置度量衡系統解析之較大範圍構形加以補充。舉例而言，以此技術量測之構形可在微影裝置可產生相對準確構形資料所針對之彼等部分方面改變。
此外，以此技術量測之構形可藉由自一或多個微影裝置度量衡系統獲得之特定基板之構形資料加以補充。因此，可針對特定基板基於來自量測特定基板之一或多個微影裝置度量衡系統的構形資料而產生較訂製化的構形。因此，舉例而言，在一實施例中，可藉由組合來自此技術之構形且藉由來自量測特定基板之微影裝置之準位感測器之資料進行修改來產生「及時」構形，以獲得基板及基板上之特定部位的特定構形。
以此技術量測之構形可用以校準另一構形判定技術。舉例而言，另一技術可為自圖案周邊密度映圖(亦即，當前及所有底層中之結構之圖案密度資訊)產生之模型，該模型可提供構形之估計。因此，藉由本文中所描述之技術量測的構形可提供彼模型之校準。
使用本文中所描述之技術加以判定之構形可用作回饋或前饋資料，以用於控制圖案化程序中之裝置(例如，微影裝置)以便實現例如佈局/程序窗感知控制。
使用本文中所描述之技術加以判定之構形可用於熱點之臨界性的運 算熱點識別及/或經改良分級；下文描述構形感知熱點識別及分級之一實施例。因此，此技術可與由產品誘發之系統性構形輔助的圖案化熱點偵測及/或分級方法組合使用。
使用本文中所描述之技術加以判定之構形可用以識別圖案幾何形狀誘發之疊對問題。舉例而言，局部微構形誘發之散焦可在一個層中引入不同於其他層中之側壁角的側壁角。接著，蝕刻程序可相對於一個層中之此不同側壁角以不同於另一層之側壁角的方式起作用，從而導致CD自一個層移位至另一層，且因此導致疊對問題。因此，知曉此微構形可幫助控制此類疊對問題。
因此，此技術提供新穎的構形判定技術，其涉及使用對應於未經圖案化基板之資料(例如，CD資料)與具有構形之基板之非構形量測資料(例如，CD資料)的組合來達成構形。在一實施例中，技術涉及運算微影模型化與非構形參數量測之組合以達成構形。另外，此技術可易於整合至圖案化程序及其控制系統中。並且，在一實施例中，此技術相對較快，且可產生準確、相對較高解析度構形判定而不需要非破壞性量測。
如上文所提及，運算微影模型可用以識別及評估熱點。舉例而言，使用者可提供懷疑有故障之圖案特徵，且接著模型可基於例如程序窗分析及圖案化程序變化之考量而偵測彼等圖案特徵可能在圖案化程序期間抑或之後有缺陷。相似地，模型可評估圖案佈局中之特徵中之所有或許多，且基於例如程序窗分析而偵測任何圖案特徵可能在圖案化程序期間抑或之後有缺陷。
因此，運算熱點偵測可識別為程序窗(聚焦深度/曝光寬容度)限制且為潛在缺陷(熱點)之圖案特徵。但，運算熱點偵測可識別大量(例如，每 完整晶片數百萬個)熱點。此對於監控此等熱點之高量製造及關於其之控制呈現(若非不可能)相當大的挑戰。因此，通常，較小熱點子集(例如，數百或更小)被識別為最臨界熱點。此可通常涉及對熱點進行分級，使得自分級結束時識別最臨界熱點。
存在可用於評價熱點之臨界性且根據其臨界性程度對其進行分級的不同方法。舉例而言，基於最小重疊程序窗而對複數個程序窗PW邊界點(邊界參數，諸如最佳焦點之最左、最佳焦點之最右、最高曝光劑量及最低曝光劑量)上之熱點進行分級。
雖然此等方法藉由考量此等熱點之空中影像屬性來對熱點進行分級，但該等方法可能無法識別實際上在基板上之一或多個最臨界熱點。此可例如在基板具有構形(例如，通常橫越晶粒及基板為系統性的產品誘發之構形)時發生。在彼狀況下，重疊程序窗(或可用程序窗)不僅受每熱點聚焦深度及最佳焦點差影響，且亦受每熱點構形影響。
因此，需要例如用以對產品基板上之熱點特徵之臨界性進行識別及/或分級的方法，其中在特徵間存在構形差。
因此，提供用以基於熱點之空中影像屬性及基板之構形而對最臨界或更臨界熱點進行識別及/或分級的技術，其中產生對應於熱點之圖案。詳言之，揭示包括經模型化或經量測晶粒內或場內構形以用於熱點識別及/或分級的方法。因此，在一實施例中，提供由產品誘發之系統性構形輔助之圖案化熱點識別及/或分級方法。
如上文所提及，歸因於構形，習知熱點識別及分級方法可不考慮焦點分佈之移位(例如，系統性移位)。因此，提供將構形分解(factor)成熱點識別及/或分級之方法。
圖8展示兩個實例圖案特徵(在此狀況下為熱點)之實例柏桑曲線，其中曲線描述其依據散焦(在水平軸線上)變化之臨界尺寸(在左側之垂直軸線中)。第一曲線1300係針對第一特徵1305，且第二曲線1310係針對不同的第二特徵1315。進一步指定CD臨限值1320，CD臨限值1320界定第一特徵及第二特徵之可接受CD的下限。當然，不需要僅一個臨限值，例如，每一圖案特徵可具有其自身各別臨限值。此處為方便起見僅展示一個臨限值。
亦指示在處於CD臨限值內時界定此等特徵之焦點範圍之外限的另外兩個閾值。因此，臨限值1330指定第一特徵之曲線1300與臨限值1320交叉之處，且臨限值1340指定曲線1310與臨限值1320交叉之處。因此，在臨限值1330與1340之間且大於臨限值1320之區接著大體上提供用於偵測熱點之程序窗。此等外限之外的任何散焦將產生第一特徵及第二特徵兩者之缺陷的高可能性。
現在，圖8進一步展示第一特徵1305橫越經調整以用於與第一特徵相關聯之構形的基板之焦點分佈1350(呈直方圖形式)，及第二特徵1315橫越經調整以用於第二特徵之構形的基板之焦點分佈1360(呈直方圖形式)。如將瞭解，將不存在橫越基板之均勻焦點。因此，可使用描述橫越基板之焦點之此變化的焦點分佈。舉例而言，當橫越基板曝光特定特徵時，焦點分佈可有效地為特定特徵提供複數個聚焦值中之每一者之出現次數的計數。因此，所使用之特定焦點分佈可為例如自考量中之圖案化程序、不同圖案化程序等等之過去執行已知的焦點分佈。另外，其可特定針對裝置及/或程序步驟之特定組合。舉例而言，其可為常態(高斯)分佈。
另外或替代地，可使用自基板獲得之實際焦點分佈(具有變化界限)或 將其用於進一步調節分級。基板上之實際焦點分佈可能未必是高斯分佈，特別是在存在使分佈偏斜之系統性指紋的情況下。
為了獲得實際焦點分佈，例如在特定特徵之曝光處理期間，準位感測器可量測包括特定特徵之區中之基板之高度且因此給予聚焦值，亦即，其處於聚焦、正散焦抑或負散焦。但，準位感測器之量測解析度顯著低於上文所描述之構形(例如，相比於微米或次微米構形為數百微米)。此外，雖然準位控制系統將調整以使基板儘可能最佳地焦點對準，但將瞭解，並非曝光場中之所有區將通常最佳地焦點對準-當一些部分最佳地焦點對準時，其他部分將處於散焦。
因此，可針對其中曝光特定特徵之複數個區(例如，基板上之所有區)而獲得此等量測，該等區包括晶粒內之多個區，其中特定特徵在晶粒內重複。因此，舉例而言，若特徵僅在晶粒中出現一次且存在橫越基板之100個晶粒，則可針對特定特徵獲得100個聚焦值且因此可獲得分佈，如圖8中所展示。在一實施例中，在橫越基板之相同數目個部位中量測圖案特徵，使得不存在取樣偏置。
因此，焦點分佈給予散焦之範圍之度量，歸因於諸如調平誤差、歸因於基板台之翹曲、程序誘發之基板變形等等各種因素，特定特徵將很可能橫越基板經受該散焦。
在此狀況下，焦點分佈1350及1360大致為常態分佈。但，其無需為常態分佈。當分佈之極值通常將指示故障幾率時，該等極值係相當大的，此係因為圖案化程序將通常經設計以確保分佈之中心部分致使特徵正確地曝光且希望無缺陷。
在具有此等焦點分佈之情況下，接著藉由使用特定特徵之經模型化 或經量測構形來調整該等焦點分佈。實際上，構形致使分佈向左或向右移位。實際上，在一實施例中，第一特徵1305定位成低於延伸穿過構形(例如，構形之中部)之平面(例如，在凹陷部處)(例如，大於10奈米，且至多15nm，更低)，而第二特徵1315定位成高於平面(例如，在突起部處)(例如，大於5奈米，且小於10奈米，更高)。因此，第一特徵1305之構形致使其焦點分佈在一個方向上移位，而在此狀況下，第二特徵1315之構形致使其焦點分佈在相反方向上移位。各別第一特徵焦點分佈及第二特徵焦點分佈由其各別構形移位之結果說明為圖8中之焦點分佈1350及1360。
藉由圖8且不考量焦點分佈1350及1360，可見，在程序窗之正散焦側上，第一特徵1305之曲線1300在低於第二特徵1315之曲線1310的散焦絕對值處低於CD臨限值1320，且因此第一特徵1305被視為相比於第二特徵1315(其在第一特徵1305小於CD臨限值所處之散焦處將具有大於CD臨限值之CD)對正散焦側更具限制性。因此，第一特徵1305可被視為在程序窗之正散焦側處臨界。相似地，在程序窗之負散焦側處，第二特徵1315之曲線1310在低於第一特徵1305之曲線1300的散焦絕對值處低於CD臨限值1320，且因此第二特徵1315被視為相比於第一特徵1305(其在第二特徵1315小於CD臨限值所處之散焦處將具有大於CD臨限值之CD)對負散焦側更具限制性。因此，第二特徵1315可被視為在程序窗之負散焦側處臨界。為方便起見，結果如下列入表1中：
因此，在一實施例中，可基於針對第一特徵1305及第二特徵1315中之每一者的此分級而繼續進行圖案化程序設計、控制、修改等等。亦即，可對第一特徵1305及第二特徵1315兩者進行高度分級。
但，如上文所提及，在一實施例中，在識別圖案特徵是否為臨界熱點方面及/或在依據圖案特徵作為熱點之臨界性對圖案特徵進行分級方面考慮構形。舉例而言，圖案特徵之間的系統性構形差可導致臨界熱點之識別及/或分級相比於上文所論述之識別及/或分級而改變。
參看圖8，在一實施例中，可藉由使用經調整焦點分佈考量基板之構形來完成臨界熱點之識別及/或分級。舉例而言，在考量正散焦側之情況下，可見，第一特徵1305之焦點分佈1350幾乎完全在曲線1300之程序窗內(亦即，正散焦側處之焦點分佈1350值中之每一者將產生曲線1300上大於CD臨限值1320之CD值)。但相比之下，可見，第二特徵1315之焦點分佈1360不完全在曲線1310之程序窗內。亦即，在正散焦側處存在將產生曲線1310上小於CD臨限值1320之CD值的數個焦點分佈1360。此等者大體上表示於區1390處。因此，第二特徵1315應被視為在正散焦側處臨界。但回顧之前，第二特徵1315被視為在正散焦側處較不臨界。因此，鑒於此分析，第二特徵1315可被識別為在正散焦側處臨界，及/或可因此調整其分級。相似地，第一特徵1305可被識別為在正散焦側處較不臨界，及/或可因此調整其分級。
因此，在考慮構形之情況下，第二特徵1315更可能有缺陷(正散焦缺陷)，此係由於基板上之第二特徵1315部位處之焦點分佈(例如，橫越整個基板)與程序窗邊界充分重疊。因此，第二特徵1315可被視為在考量構形資料時較臨界。
在考量負散焦側之情況下，可見，第一特徵1305之焦點分佈1350幾乎完全在曲線1300之程序窗內(亦即，負散焦側處之焦點分佈1350值中之每一者將產生曲線1300上大於CD臨限值1320之CD值)。相似地，可見，第二特徵1315之焦點分佈1360幾乎完全在曲線1310之程序窗內(亦即，負散焦側處之焦點分佈1360值中之每一者將產生曲線1310上大於CD臨限值1320之CD值)。因此，在此狀況下，第一特徵1305及第二特徵1310可被視為相對同樣臨界或中立。但回顧之前，第一特徵1305被視為在負散焦側處較不臨界，而第二特徵1315被視為在負散焦側處臨界。因此，第二特徵1315可被識別為在負散焦側處同樣臨界或中立，及/或可因此調整其分級。相似地，第一特徵1305可被識別為在負散焦側處同樣臨界或中立，及/或可因此調整其分級。
為方便起見，此分析之結果如下列入表2中：
有趣的是，即使相比於第二特徵1315高於平面，第一特徵1305可相對低於延伸穿過構形之平面，第二特徵1315亦可被識別及/或分級為臨界或較臨界。
可施加適當的臨限值或函數以判定焦點分佈與程序窗之間的重疊程度。舉例而言，可存在焦點分佈之至少0.5%、1%、2%或5%必須超出可適用程序窗以導致熱點之臨界性之識別及/或分級改變的限制。在一實施例中，可存在對重疊或非重疊之相對考量，例如第一特徵相對於其程序窗 之焦點分佈之重疊(或非重疊)的比例對第二特徵相對於其程序窗之焦點分佈之重疊(或非重疊)的比例。舉例而言，可評估各別程序窗之外的出現之相對量(在特徵之間)。
如圖8中所展示，可存在用於判定圖案特徵應被識別為臨界抑或較不臨界熱點及/或是否應在熱點分級中加以調整之搜尋範圍。舉例而言，搜尋範圍1370可用以評估對負散焦側之此類識別及/或分級調整。由於第二特徵1315將被視為在不存在構形考量之負散焦側上臨界，因此將在搜尋範圍1370中存在第一特徵1305之焦點分佈的情況下至少調整第二特徵1315之臨界性及/或分級。相似地，搜尋範圍1380可用以評估對正散焦側之此類識別及/或分級調整。由於第一特徵1305將被視為在不存在構形考量之正散焦側上臨界，因此將在搜尋範圍1380中存在第二特徵1315之焦點分佈的情況下至少調整第一特徵1305之臨界性及/或分級。
雖然構形資料描述為自焦點分佈資料而添加/減去，但其可自經模擬程序窗曲線資料而添加/減去。並且，雖然論述已描述關於曲線及圖表之分析，但可僅僅關於資料執行所描述之技術而不必產生曲線、圖表等等。
圖9說明包括熱點識別或分級中之構形的例示性方案。在1601處，程序基於構形資料而對如上文所描述之熱點進行識別及/或分級。1601之程序獲得關於1602處之焦點分佈的資訊。在1602處，可如上文所描述而量測焦點分佈，或焦點分佈可為某一常態(例如，高斯)分佈。分佈可為類似的焦點分佈1350及1360。1601之程序進一步自圖案化程序之運算模型化獲得複數個圖案特徵(熱點)之程序窗結果。在1601處，可執行模擬以獲得結果類似曲線1300及1310。1601之程序獲得關於與1604及/或1605處之考量下之圖案特徵相關聯的構形之資訊。在1604處，構形資訊可為經模型 化構形，該經模型化構形可藉由使用模型執行計算以導出至少考量下之圖案特徵的構形來獲得。在1605處，構形資訊可為至少考量下之圖案特徵的經量測構形，該經量測構形可藉由使用上文關於圖5至圖7所描述之干涉計、SEM或模型化輔助量測技術的量測來獲得。程序1601接著基於關於圖8所描述之程序而產生熱點之臨界性之識別及/或分級(例如，再分級)。此等經識別/分級熱點接著反映圖案化程序且可實現較準確熱點臨界性判定，此接著產生較佳圖案化程序設計、控制、修改等等且因此產生較佳圖案化程序結果。
因此，在一實施例中，將經模型化或經量測晶粒內或場內構形用於臨界熱點識別或分級，此可產生優於習知技術之識別及/或分級結果。舉例而言，本發明技術可提供包括平坦化(例如，化學機械拋光)對熱點之影響的方式。因此，構形輔助熱點識別/分級可較準確地識別較具限制性或最具限制性的熱點，因此可能減少檢驗/監控度量衡時間。
在一實施例中，提供一種構形判定之方法，該方法包含：獲得第一聚焦值，該第一聚焦值係自使未經圖案化基板之圖案化模型化的運算微影模型導出或自未經圖案化基板上之經圖案化層之量測導出；獲得第二聚焦值，該第二聚焦值係自具有構形之基板之量測導出；及自第一聚焦值及第二聚焦值判定構形之值。
在一實施例中，判定包含第一聚焦值與第二聚焦值之間的差。在一實施例中，第一值及第二值對應於最佳聚焦值。在一實施例中，獲得第二值包含對複數個聚焦值中之每一者執行非構形參數之量測。在一實施例中，非構形參數包含臨界尺寸。在一實施例中，第二聚焦值係由具有構形之基板之電子束檢測裝置自量測導出。在一實施例中，第一聚焦值係自使 未經圖案化基板之圖案化模型化的運算微影模型導出。在一實施例中，第一聚焦值係自未經圖案化基板上之經圖案化層之量測導出。在一實施例中，構形之所有凹部及突起部係次微米級的。在一實施例中，構形之第一聚焦值、第二聚焦值及經判定值係在橫越基板之複數個部位處獲得，且構形之複數個值經組合以形成構形之映圖。在一實施例中，該方法進一步包含由使用者在基板上選擇部位之解析度及/或部位之位置配置。
在一實施例中，提供一種熱點評估之方法，該方法包含：針對第一熱點及第二熱點中之每一者獲得程序窗資料，該程序窗資料包含用於第一熱點及第二熱點中之每一者的聚焦資訊；及由硬體電腦基於基板之構形資料而評估程序窗資料之聚焦資訊，以識別或改變第一熱點及/或第二熱點之臨界性。
在一實施例中，評估包含對照橫越基板之焦點分佈而評估聚焦資訊，且其中使用構形資料來偏移焦點分佈或聚焦資訊。在一實施例中，焦點分佈係自橫越基板定位之複數個場或晶粒之量測而獲得。在一實施例中，評估包含焦點分佈與第一熱點之聚焦資訊的重疊或非重疊與焦點分佈與第二熱點之聚焦資訊的重疊或非重疊之間的相對考量。在一實施例中，評估包含調整第一熱點之臨界性相對於第二熱點之臨界性的分級。在一實施例中，程序窗資料係藉由運算微影模型化來獲得。在一實施例中，程序窗資料之負散焦端或正散焦端處之聚焦資訊經評估以識別或改變第一熱點及/或第二熱點之臨界性。在一實施例中，構形屬於次微米或奈米級。
如一般熟習此項技術者將瞭解，本申請案可體現為系統、方法或電腦程式產品。因此，本申請案之態樣可採取完全硬體實施例、完全軟體實施例(包括韌體、常駐軟體、微碼等等)或組合軟體與硬體態樣之實施例的 形式，該等實施例在本文中一般皆可被稱作「電路」、「模組」或「系統」。此外，本申請案之態樣可採取體現於任一或多個電腦可讀媒體中之電腦程式產品的形式，該任一或多個電腦可讀媒體具有體現於其上之電腦可用程式碼。
可利用一或多個電腦可讀媒體之任何組合。電腦可讀媒體可為電腦可讀信號媒體或電腦可讀資料儲存媒體。電腦可讀儲存媒體可為例如但不限於：電子、磁性、光學、電磁、紅外線或半導體系統，裝置、器件，或前述各者之任何合適組合。電腦可讀媒體之更特定實例(非詳盡清單)將包括以下各者：具有一或多個電線之電連接件、攜帶型電腦軟碟、硬碟、隨機存取記憶體(RAM)、唯讀記憶體(ROM)、可抹除可程式化唯讀記憶體(例如，EPROM或快閃記憶體)、光纖、攜帶型緊密光碟唯讀記憶體CDROM、光學儲存器件、磁性儲存器件、或前述各者之任何合適組合。在本文件之上下文中，電腦可讀儲存媒體可為可含有或儲存用於由指令執行系統、裝置或器件使用或者結合指令執行系統、裝置或器件使用之程式的任何有形媒體。
電腦可讀信號媒體可包括其中體現有電腦可讀程式碼之傳播資料信號，例如，在基頻中或作為載波的部分。此傳播信號可採用多種形式中之任一種，包括但不限於電磁性、光學或其任何合適組合。電腦可讀信號媒體可為並非電腦可讀儲存媒體且可傳達、傳播或輸送用於由指令執行系統、裝置或器件使用或者結合指令執行系統、裝置或器件使用之程式的任何電腦可讀媒體。
體現於電腦可讀媒體上之電腦碼可使用任何適當媒體來傳輸，該等媒體包括但不限於無線、有線、光纖纜線、射頻RF等等，或其任何合適 組合。
用於進行本申請案之態樣之操作的電腦程式碼可以一或多個程式設計語言之任何組合而寫入，該一或多個程式設計語言包括諸如JavaTM、SmalltalkTM、C++或其類似者之物件導向式程式設計語言，及諸如「C」程式設計語言或相似程式設計語言之習知程序性程式設計語言。程式碼可完全地在使用者之電腦上執行、部分地在使用者之電腦上執行、作為獨立軟體套件執行、部分地在使用者之電腦上且部分在遠端電腦上執行，或完全在遠端電腦或伺服器上執行。在後一情境中，遠端電腦可經由任何類型之網路(包括區域網路(LAN)或廣域網路(WAN))連接至使用者之電腦，或可(例如，經由使用網際網路服務提供者之網際網路)連接至外部電腦。
電腦程式指令亦可載入至電腦、其他可程式化資料處理裝置或其他器件上，以致使在該電腦、其他可程式化裝置或其他器件上執行一系列操作步驟以產生電腦實施之程序，使得在該電腦或其他可程式化裝置上執行之指令提供用於實施一或多個流程圖及/或方塊圖區塊中所指定之功能/動作的程序。
如上文所提及，應瞭解，說明性實施例可採取完全硬體實施例、完全軟體實施例或含有硬體元件及軟體元件兩者之實施例的形式。在一個實例實施例中，說明性實施例之機構可以軟體或程式碼來實施，軟體或程式碼包括但不限於韌體、常駐軟體、微碼等等。
適合於儲存及/或執行程式碼之資料處理系統將包括經由系統匯流排直接或間接地耦接至記憶體元件之至少一個處理器。記憶體元件可包括在實際執行程式碼期間使用之本端記憶體、大容量儲存器，及提供至少某一程式碼之暫時儲存以便縮減在執行期間必須自大容量儲存器擷取碼之次數 的快取記憶體。
輸入/輸出或I/O器件(包括但不限於鍵盤、顯示器、指標器件等等)可直接地或經由介入之I/O控制器耦接至系統。網路配接器亦可耦接至系統以使得資料處理系統能夠變成經由介入之私人網路或公用網路耦接至其他資料處理系統或遠端印表機或儲存器件。數據機、電纜數據機及乙太網路卡僅為少數當前可用類型之網路配接器。
已出於說明及描述之目的呈現本申請案之描述，且該描述並不意欲為詳盡的或將本發明限於所揭示之形式。對於一般熟習此項技術者而言，許多修改及變化將為顯而易見的。選擇並描述實施例以便最佳地解釋本發明之原理、實務應用，且使其他一般熟習此項技術者能夠關於具有適合於所預期之特定用途的各種修改之各種實施例來理解本發明。
圖10展示說明可輔助實施本文中所揭示之方法及流程中之任一者的電腦系統1700之實施例的方塊圖。電腦系統1700包括用於傳達資訊之匯流排1702或其他通信機構，及與匯流排1702耦接以用於處理資訊之處理器1704(或多個處理器1704及1705)。電腦系統1700亦包括耦接至匯流排1702以用於儲存待由處理器1704執行之資訊及指令的主記憶體1706，諸如隨機存取記憶體RAM或其他動態儲存器件。主記憶體1706亦可用於在待由處理器1704執行之指令之執行期間儲存暫時變數或其他中間資訊。電腦系統1700進一步包括耦接至匯流排1702以用於儲存用於處理器1704之靜態資訊及指令的唯讀記憶體ROM 1708或其他靜態儲存器件。提供諸如磁碟或光碟之儲存器件1710，且儲存器件1710耦接至匯流排1702以用於儲存資訊及指令。
電腦系統1700可經由匯流排1702耦接至用於向電腦使用者顯示資訊 之顯示器1712，諸如陰極射線管(CRT)或平板顯示器或觸控面板顯示器。包括文數字及其他鍵之輸入器件1714耦接至匯流排1702以將資訊及命令選擇傳達至處理器1704。另一類型之使用者輸入器件為用於將方向資訊及命令選擇傳達至處理器1704且用於控制顯示器1712上之游標移動的游標控制件1716，諸如滑鼠、軌跡球或游標方向鍵。此輸入器件通常具有兩個軸線(第一軸線(例如，x)及第二軸線(例如，y))上之兩個自由度，此允許器件指定平面中之位置。觸控面板(螢幕)顯示器亦可用作輸入器件。
根據一個實施例，可由電腦系統1700回應於處理器1704執行主記憶體1706中所含有的一或多個指令之一或多個序列而執行本文中所描述之程序之部分。可將此等指令自另一電腦可讀媒體(諸如儲存器件1710)讀取至主記憶體1706中。主記憶體1706中所含有之指令序列之執行致使處理器1704執行本文中所描述之程序步驟。亦可使用多處理配置中之一或多個處理器，以執行主記憶體1706中所含有之指令序列。在一替代實施例中，可代替或結合軟體指令來使用硬佈線電路系統。因此，本文中之描述不限於硬體電路系統與軟體之任何特定組合。
如本文中所使用之術語「電腦可讀媒體」係指參與將指令提供至處理器1704以供執行之任何媒體。此媒體可採取許多形式，包括但不限於非揮發性媒體、揮發性媒體及傳輸媒體。非揮發性媒體包括例如光碟或磁碟，諸如儲存器件1710。揮發性媒體包括動態記憶體，諸如主記憶體1706。傳輸媒體包括同軸電纜、銅線及光纖，包括包含匯流排1702之電線。傳輸媒體亦可採取聲波或光波之形式，諸如在射頻(RF)及紅外線(IR)資料通信期間產生之聲波或光波。電腦可讀媒體之常見形式包括例如軟性磁碟、可撓性磁碟、硬碟、磁帶、任何其他磁媒體、CD-ROM、DVD、 任何其他光學媒體、打孔卡、紙帶、具有孔圖案之任何其他實體媒體、RAM、PROM及EPROM、FLASH-EPROM、任何其他記憶體晶片或卡匣、如下文所描述之載波，或可供電腦讀取之任何其他媒體。
各種形式之電腦可讀媒體可涉及將一或多個指令之一或多個序列攜載至處理器1704以供執行。舉例而言，初始地可將該等指令承載於遠端電腦之磁碟上。遠端電腦可將指令載入至其動態記憶體中，且使用數據機經由電話線而發送指令。在電腦系統1700本端之數據機可接收電話線上之資料，且使用紅外線傳輸器將資料轉換成紅外線信號。耦接至匯流排1702之紅外線偵測器可接收紅外線信號中所攜載之資料且將資料置放於匯流排1702上。匯流排1702將資料攜載至主記憶體1706，處理器1704自主記憶體1706擷取且執行指令。由主記憶體1706接收之指令可視情況在供處理器1704執行之前或之後儲存於儲存器件1710上。
電腦系統1700亦可包括耦接至匯流排1702之通信介面1718。通信介面1718提供對網路鏈路1720之雙向資料通信耦合，網路鏈1720路連接至區域網路1722。舉例而言，通信介面1718可為整合式服務數位網路ISDN卡或數據機以提供對對應類型之電話線的資料通信連接。作為另一實例，通信介面1718可為區域網路LAN卡以提供對相容LAN之資料通信連接。亦可實施無線連結。在任何此實施中，通信介面1718發送且接收攜載表示各種類型之資訊之數位資料流的電信號、電磁信號或光學信號。
網路鏈路1720通常經由一或多個網路將資料通信提供至其他資料器件。舉例而言，網路鏈路1720可經由區域網路1722向主機電腦1724或向由網際網路服務提供者ISP 1726操作之資料設備提供連接。ISP 1726又經由全球封包資料通信網路(現通常被稱作「網際網路」1728)提供資料通信 服務。區域網路1722及網際網路1728皆使用攜載數位資料流之電、電磁或光學信號。經由各種網路之信號及在網路鏈路1720上且經由通信介面1718之信號為輸送資訊的例示性形式之載波，該等信號將數位資料攜載至電腦系統1700且自電腦系統1700攜載數位資料。
電腦系統1700可經由網路、網路鏈路1720及通信介面1718發送訊息且接收資料，包括程式碼。在網際網路實例中，伺服器1730可經由網際網路1728、ISP 1726、區域網路1722及通信介面1718傳輸應用程式之所請求碼。舉例而言，一個此類經下載應用程式可提供如本文中所描述之方法或其部分。所接收碼可在其被接收時由處理器1704執行，及/或儲存於儲存器件1710或其他非揮發性儲存器中以供稍後執行。以此方式，電腦系統1700可獲得呈載波形式之應用程式碼。
可使用以下條項來進一步描述實施例：
1.一種構形判定之方法，該方法包含：獲得一第一聚焦值，該第一聚焦值係自使一未經圖案化基板之圖案化模型化的一運算微影模型導出或自一未經圖案化基板上之一經圖案化層之量測導出；獲得一第二聚焦值，該第二聚焦值係自具有一構形之一基板之量測導出；及自該第一聚焦值及該第二聚焦值判定該構形之一值。
2.如條項1之方法，其中該判定包含該第一聚焦值與該第二聚焦值之間的一差。
3.如條項2之方法，其中該第一值及該第二值對應於一最佳聚焦值。
4.如條項1至3中任一項之方法，其中獲得該第二值包含對複數個聚焦值中之每一者執行一非構形參數之一量測。
5.如條項4之方法，其中該非構形參數包含臨界尺寸。
6.如條項1至5中任一項之方法，其中該第二聚焦值係由具有該構形之該基板之一電子束檢測裝置自量測導出。
7.如條項1至6中任一項之方法，其中該第一聚焦值係自使一未經圖案化基板之圖案化模型化的一運算微影模型導出。
8.如條項1至6中任一項之方法，其中該第一聚焦值係自一未經圖案化基板上之一經圖案化層之量測導出。
9.如條項1至8中任一項之方法，其中該構形之所有凹部及突起部係次微米級的。
10.如條項1至9中任一項之方法，其中該構形之該第一聚焦值、該第二聚焦值及該經判定值係在橫越該基板之複數個部位處獲得，且該構形之該複數個值經組合以形成該構形之一映圖。
11.如條項10之方法，其進一步包含由一使用者在該基板上選擇該等部位之一解析度及/或該等部位之位置配置。
12.一種熱點評估之方法，該方法包含：針對一第一熱點及一第二熱點中之每一者獲得程序窗資料，該程序窗資料包含用於該第一熱點及該第二熱點中之每一者的聚焦資訊；及由一硬體電腦基於一基板之構形資料而評估該程序窗資料之該聚焦資訊，以識別或改變該第一熱點及/或該第二熱點之一臨界性。
13.如條項12之方法，其中該評估包含對照橫越一基板之一焦點分佈而評估該聚焦資訊，且其中使用該構形資料來偏移該焦點分佈或該聚焦 資訊。
14.如條項13之方法，其中該焦點分佈係自橫越一基板定位之複數個場或晶粒之量測而獲得。
15.如條項13或條項14之方法，其中該評估包含該焦點分佈與該第一熱點之該聚焦資訊的重疊或非重疊與該焦點分佈與該第二熱點之該聚焦資訊的重疊或非重疊之間的一相對考量。
16.如條項12至15中任一項之方法，其中該評估包含調整該第一熱點之該臨界性相對於該第二熱點之該臨界性的一分級。
17.如條項12至16中任一項之方法，其中該程序窗資料係藉由運算微影模型化來獲得。
18.如條項12至17中任一項之方法，其中該程序窗資料之一負散焦端或一正散焦端處之該聚焦資訊經評估以識別或改變該第一熱點及/或該第二熱點之一臨界性。
19.如條項12至19中任一項之方法，其中該構形屬於一次微米或奈米級。
20.一種電腦程式產品，其包含上面記錄有指令之一電腦非暫時性可讀媒體，該等指令在由一電腦執行時實施如條項1至19中任一項之方法。
儘管在本文中可特定地參考IC之製造，但應明確地理解，本文中之描述具有許多其他可能的應用。舉例而言，其可用於整合式光學系統之製造、磁疇記憶體之導引及偵測圖案、液晶顯示面板、薄膜磁頭等等。熟習此項技術者將瞭解，在此類替代應用之內容背景中，本文中對術語「倍縮光罩」、「晶圓」或「晶粒」之任何使用應被視為分別與更一般術語「光 罩」、「基板」及「目標部分」可互換。
在本發明文件中，術語「輻射」及「光束」用以涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線輻射(例如，具有365、248、193、157或126奈米之波長)及EUV(極紫外線輻射，例如具有在約5至100奈米範圍內之波長)。
如本文中所使用之術語「最佳化(optimizing/optimization)」係指或意謂調整圖案化裝置(例如，微影裝置)、圖案化程序等等，使得結果及/或程序具有較理想的特性，諸如設計圖案投影於基板上之較高準確度、較大程序窗等等。因此，如本文中所使用之術語「最佳化」係指或意謂識別用於一或多個參數之一或多個值的程序，該一或多個值相比於用於彼一或多個參數之一或多個值之初始集合提供至少一個相關度量之改良，例如局部最佳。應相應地解釋「最佳」及其他相關術語。在一實施例中，可反覆應用最佳化步驟，以提供一或多個度量之進一步改良。
雖然本文中所揭示之概念可用於在諸如矽晶圓之基板上的成像，但應理解，所揭示之概念可與任何類型之微影成像系統一起使用，例如用於在不同於矽晶圓之基板上之成像的微影成像系統。
以上描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下如所描述進行修改。

Claims (15)

  1. 一種構形判定之方法，該方法包含： 獲得一第一聚焦值，該第一聚焦值係自使一未經圖案化基板之圖案化模型化的一運算微影模型導出或自一未經圖案化基板上之一經圖案化層之量測導出； 獲得一第二聚焦值，該第二聚焦值係自具有一構形之一基板之量測導出；及 自該第一聚焦值及該第二聚焦值判定該構形之一值。
  2. 如請求項1之方法，其中該判定包含該第一聚焦值與該第二聚焦值之間的一差。
  3. 如請求項2之方法，其中該第一值及該第二值對應於一最佳聚焦值。
  4. 如請求項1之方法，其中獲得該第二值包含對複數個聚焦值中之每一者執行一非構形參數之一量測。
  5. 如請求項4之方法，其中該非構形參數包含臨界尺寸。
  6. 如請求項1之方法，其中該第二聚焦值係由具有該構形之該基板之一電子束檢測裝置自量測導出。
  7. 如請求項1之方法，其中該第一聚焦值係自使一未經圖案化基板之圖案化模型化的一運算微影模型導出，或其中該第一聚焦值係自一未經圖案化基板上之一經圖案化層之量測導出。
  8. 如請求項1之方法，其中該構形之所有凹部及突起部係次微米級的。
  9. 如請求項1之方法，其中該構形之該第一聚焦值、該第二聚焦值及該經判定值係在橫越該基板之複數個部位處獲得，且該構形之該複數個值經組合以形成該構形之一映圖。
  10. 如請求項9之方法，其進一步包含由一使用者在該基板上選擇該等部位之一解析度及/或該等部位之位置配置。
  11. 一種熱點評估之方法，該方法包含： 針對一第一熱點及一第二熱點中之每一者獲得程序窗資料，該程序窗資料包含用於該第一熱點及該第二熱點中之每一者的聚焦資訊；及 由一硬體電腦基於一基板之構形資料而評估該程序窗資料之該聚焦資訊，以識別或改變該第一熱點及/或該第二熱點之一臨界性。
  12. 如請求項11之方法，其中該評估包含對照橫越一基板之一焦點分佈而評估該聚焦資訊，且其中使用該構形資料來偏移該焦點分佈或該聚焦資訊。
  13. 如請求項12之方法，其中該焦點分佈係自橫越一基板定位之複數個場或晶粒之量測而獲得。
  14. 如請求項12之方法，其中該評估包含該焦點分佈與該第一熱點之該聚焦資訊的重疊或非重疊與該焦點分佈與該第二熱點之該聚焦資訊的重疊或非重疊之間的一相對考量，及/或其中該評估包含調整該第一熱點之該臨界性相對於該第二熱點之該臨界性的一分級。
  15. 一種電腦程式產品，其包含上面記錄有指令之一電腦非暫時性可讀媒體，該等指令在由一電腦執行時實施如請求項1或11中任一項之方法。
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