TWI658901B - 修整器及其製法 - Google Patents

Abstract

本發明係關於一種修整器及其製法，修整器包括有：一基板、複數定 位凹槽、複數結合材料層及複數研磨顆粒。基板具有一工作面，複數定位凹槽形成於工作面上，每一結合材料層分別形成於每一定位凹槽內，每一研磨顆粒之研磨端突出於工作面，並分別設置於每一定位凹槽內，且藉由每一結合材料層與基板結合。藉此，研磨顆粒可以藉由定位凹槽獲得定位效果，定位凹槽有效控制研磨顆粒之研磨端尖點，提升修整器整體之切削率。

Description

修整器及其製法

本發明係關於一種修整器及其製法，尤指一種利用定位凹槽控制研磨顆粒之研磨端來提升修整器切削率之修整器及其製法。

日常生活中充斥著各種電子產品，每一種電子產品皆利用半導體元件來達到特定之功能，例如以發光二極體來照明，以溫度感應器及壓力感應器來測量外界環境變化等。

一般來說，半導體元件是在經過晶圓研磨、打線、射出成形、切割及取放至料盤等半導體封裝製程後而製得，其中，在晶圓研磨製程中，常以化學機械研磨(CMP：Chemical Mechanical Polishing)製程來進行研磨，在此製程中是利用研磨墊(Polishing Pad)來對晶圓進行研磨，並在研磨墊研磨晶圓的同時，以修整器(Conditioner)對研磨墊進行研磨，如此，研磨墊可以藉由修整器維持研磨能力而得以持續進行晶圓研磨作業。

在台灣專利申請號TW91101892的專利中，如圖1所示，其為習知修整器之結構示意圖，此專利揭露了一種具有最佳化方位之磨砂物件及其製造方法，其所製得之磨砂物件1包括有一基材11、一金屬箔12及複數磨粒13。

基材11包括複數凹部111，每一凹部111內具有一穿孔112，金屬箔12支撐基材11，在製作磨砂物件1時，是利用沉積方式將複數磨粒13分別設置複數凹部111上，詳細而言，是將基材11、金屬箔12及複數磨粒13置放於真空室中，降低基材11及金屬箔12疊層側的壓力，使複數磨粒13因壓力差而暫時固定於凹部111上，同時噴灑溶劑於含有結合劑之基材11上，待結合劑將複數磨粒13暫時結合於基材11上後，再將磨砂物件1進行燒結而製得磨砂物件1之成品，此方式雖然可以調整磨粒13之方位，但無法確實定位磨粒13經過表面加工處理後之研磨端位置，且需要以真空設備進行生產，提高了修整器之製造成本。

在台灣專利申請號TW97109052的專利中，如圖2所示，其為另一習知修整器之結構示意圖，此專利揭露了一種具有規則磨料轉向方法及產品，其所製得之修整器2包括有一平板21、複數定位單元22、一結合材料23及複數磨料24。

複數定位單元22形成於平板21上，複數磨料24分別設置於複數定位單元22內，並藉由結合材料23結合於平板21上，詳細而言，是利用多邊柱形或多邊錐形之定位單元22，藉由機械力擺置、來回移動或震動平板21來使磨料24落入定位單元22內，再以結合材料23固定結合平板21及磨料24，此專利雖以機械力擺置方式及定位單元22之形狀來調整磨料24之方位，但是在磨料24之研磨端經過表面加工處理的情況下，無法確實定位磨料24之研磨端突出於平板21之工作面，尚有不足之處。

在日本專利申請號JP2001071267的專利中，如圖3A及圖3B所示，其分別為再一習知修整器之結構示意圖及圖3A之部分結構示意圖，此專利揭露 了一種研磨墊之鑽石修整器及其製造方法，其所製得之修整器3包括有一台金31、複數溝槽32、鍍鎳層33及複數鑽石磨粒34。

複數溝槽32形成於台金31上，溝槽32之斜面與台金31之工作面之夾角A1為介於15度至40度之間，也就是說，溝槽32之二斜面所形成之角度為100度至150度之間，將鑽石磨粒34設置於溝槽32上後，利用鍍鎳層33將鑽石磨粒34結合於台金31上，藉由溝槽32之形狀使鑽石磨粒34之稜線或頂點可突出於台金31之工作面而成為研磨端，然而，此種結構設計適用於六八面體型態為主的鑽石磨粒34，並無特定之研磨端，在鑽石磨粒34之研磨端經過表面加工處理的情況下，無法確實定位鑽石磨粒34之研磨端突出於台金31之工作面。

因此，本發明人基於積極發明之精神，構思出一種修整器及其製法，利用定位溝槽之結構設計及研磨顆粒之佈植方式，改善研磨顆粒之研磨端之定位方式，進而強化修整器之切削率及平坦度，幾經研究實驗終至完成本發明。

本發明之主要目的在於解決上述問題，提供一種修整器及其製法，達到改善修整器之切削率及平坦度之目的。

為達成上述目的，本發明之修整器包括有：一基板、複數定位凹槽、複數結合材料層及複數研磨顆粒。基板具有一工作面，複數定位凹槽形成於工作面上，每一結合材料層分別形成於每一定位凹槽內，每一研磨顆粒之研 磨端突出於工作面，並分別設置於每一定位凹槽內，且藉由每一結合材料層與基板結合。

上述每一定位凹槽之剖面可形成二相交之第一斜面，二第一斜面之夾角為介於60度至100度之間，較佳為介於85度至100度之間，第一斜面可同時提供多種功能，包括有固定研磨顆粒、調整研磨顆粒尖端方向性及控制研磨顆粒埋入深度(即，研磨顆粒露出率)等功能。

上述每一定位凹槽之剖面可形成二相交第一斜面及二第二斜面，二第一斜面之夾角為介於60度至100度之間，較佳為介於85度至100度之間，二第二斜面之夾角大於二第一斜面之夾角，並介於90度至110度之間，除了藉由第一斜面提供前述功能外，第二斜面則是針對研磨顆粒(研磨顆粒尖端方向性、研磨顆粒露出率)再進行第二次調整，提供更精確的研磨顆粒控制結果。

在上述工作面之法線方向上，連續形成之每一第一斜面及每一第二斜面共同具有一第一高度，每一第二斜面具有一第二高度，第二高度可為第一高度之10%~40%。

在上述每一定位凹槽內，二第一斜面與二第二斜面相交處之間形成一第一寬度，二第二斜面與工作面相交處之間形成一第二寬度，第一寬度可為第二寬度之75%~95%。

在上述工作面之法線方向上，每一結合材料層之高度可為小於或等於每一定位凹槽之高度。

上述每一研磨顆粒之粒徑可為介於0.8mm至1.4mm之間。

上述每一研磨顆粒位於工作面處之粒徑可為介於0.4mm至1.0mm之間。

上述每一定位凹槽可形成為三角錐形、三角錐台錐形、四角錐形、四角錐台錐形、八角錐形及八角錐台錐形之其一。

上述研磨顆粒之研磨端可為已預先進行表面加工。

上述基板可由不鏽鋼、金屬材料、塑膠材料及陶瓷材料之其一所構成。

上述每一結合材料層可由電鍍材料、燒結粉末、樹脂材料、硬焊金屬材料及塑膠材料之至少其一所構成。

上述每一定位凹槽可由雷射切割工法、電腦數值控制(CNC：Computer Numerical Control)工法、濕式蝕刻工法及乾式蝕刻工法之其一所形成。

本發明之修整器之製法，包括有下列步驟：(A)提供一基板，基板具有一工作面；(B)形成複數定位凹槽於工作面上；(C)形成一結合材料層於每一定位凹槽內；(D)分別佈植複數研磨顆粒於該些定位凹槽內，使每一研磨顆粒之研磨端突出於工作面，並使每一結合材料層分別結合每一研磨顆粒於基板上而製得一修整器。

上述步驟(C)後更可包括一步驟(C1)：預先對該些研磨顆粒之研磨端進行表面加工。

在上述步驟(B)中，每一定位凹槽可由雷射切割工法、電腦數值控制工法、濕式蝕刻工法及乾式蝕刻工法之其一所形成。

上述每一定位凹槽之剖面可形成二相交之第一斜面，二第一斜面之夾角為介於60度至100度之間，較佳為介於85度至100度之間，第一斜面可同時提供多種功能，包括有固定研磨顆粒、調整研磨顆粒尖端方向性及控制研磨顆粒埋入深度(即，研磨顆粒露出率)等功能。

上述每一定位凹槽之剖面可形成二相交第一斜面及二第二斜面，二第一斜面之夾角為介於60度至100度之間，較佳為介於85度至100度之間，二第二斜面之夾角大於二第一斜面之夾角，並介於90度至110度之間，除了藉由第一斜面提供前述功能外，第二斜面則是針對研磨顆粒(研磨顆粒尖端方向性、研磨顆粒露出率)再進行第二次調整，提供更精確的研磨顆粒控制結果。

在上述工作面之法線方向上，連續形成之每一第一斜面及每一第二斜面共同具有一第一高度，每一第二斜面具有一第二高度，第二高度可為第一高度之10%~40%。

在每一定位凹槽內，二第一斜面與二第二斜面相交處之間形成一第一寬度，二第二斜面與工作面相交處之間形成一第二寬度，第一寬度可為第二寬度之75%~95%。

在製得上述修整器後，在工作面之法線方向上，每一結合材料層之高度可為小於或等於每一定位凹槽之高度。

上述每一研磨顆粒之粒徑可為介於0.8mm至1.4mm之間。

上述每一研磨顆粒位於工作面處之粒徑可為介於0.4mm至1.0mm之間。

上述每一定位凹槽可形成為三角錐形、三角錐台錐形、四角錐形、四角錐台錐形、八角錐形及八角錐台錐形之其一。

上述基板可由不鏽鋼、金屬材料、塑膠材料及陶瓷材料之其一所構成。

上述每一結合材料層可由電鍍材料、燒結粉末、樹脂材料、硬焊金屬材料及塑膠材料之至少其一所構成。

以上概述與接下來的詳細說明，皆為示範性質，是為了進一步說明本發明的申請專利範圍，為使本發明之上述目的、特性與優點能更淺顯易懂，將在後續的說明與圖示加以闡述。

1‧‧‧磨砂物件

11‧‧‧基材

111‧‧‧凹部

112‧‧‧穿孔

12‧‧‧金屬箔

13‧‧‧磨粒

2‧‧‧修整器

21‧‧‧平板

22‧‧‧定位單元

23‧‧‧結合材料

24‧‧‧磨料

3‧‧‧修整器

31‧‧‧台金

32‧‧‧溝槽

33‧‧‧鍍鎳層

34‧‧‧鑽石磨粒

4‧‧‧修整器

41‧‧‧基板

411‧‧‧工作面

42‧‧‧定位凹槽

421‧‧‧第一斜面

43‧‧‧結合材料層

44‧‧‧研磨顆粒

5‧‧‧修整器

51‧‧‧基板

511‧‧‧工作面

52‧‧‧定位凹槽

521‧‧‧第一斜面

522‧‧‧第二斜面

53‧‧‧結合材料層

54‧‧‧研磨顆粒

60‧‧‧未加工研磨顆粒

61‧‧‧已加工研磨顆粒

611‧‧‧加工面

A1~A4‧‧‧角度

D1~D4‧‧‧粒徑

E1,E2,E4‧‧‧頂端

E3‧‧‧加工端

H1‧‧‧第一高度

H2‧‧‧第二高度

W1‧‧‧第一寬度

W2‧‧‧第二寬度

SA~SD‧‧‧步驟

SC1‧‧‧步驟

圖1係習知修整器之結構示意圖。

圖2係另一習知修整器之結構示意圖。

圖3A係再一習知修整器之結構示意圖。

圖3B係圖3A之部分結構放大示意圖。

圖4A係本發明之修整器之第一實施例之結構示意圖。

圖4B係圖4A之部分結構放大示意圖。

圖5A係本發明之修整器之第二實施例之結構示意圖。

圖5B係圖5A之部分結構放大示意圖。

圖6係本發明之修整器之未加工研磨顆粒之立體結構示意圖。

圖7A係本發明之修整器之預先加工研磨顆粒之結構俯視示意圖。

圖7B係本發明之修整器之預先加工研磨顆粒之結構側視示意圖。

圖8係本發明之修整器之製法流程示意圖。

圖9A至圖9D係本發明之修整器之製作過程示意圖。

參閱圖4A及圖4B，其分別為本發明之修整器之第一實施例之結構示意圖及圖4A之部分結構放大示意圖。本發明之修整器之第一實施例包括有：一基板41、複數定位凹槽42、複數結合材料層43及複數研磨顆粒44。

基板41具有一工作面411，複數定位凹槽42形成於工作面411上，每一結合材料層43分別形成於每一定位凹槽42內，每一研磨顆粒44之研磨端突出於工作面411，並分別設置於每一定位凹槽42內，且藉由每一結合材料層43與基板41結合。

每一定位凹槽42之剖面形成二相交之第一斜面421，二第一斜面421之夾角A2為介於60度至100度之間，較佳為介於85度至100度之間，藉此，第一斜面421同時提供固定研磨顆粒44、調整研磨顆粒44尖端方向性及控制研磨顆粒44埋入深度(即，研磨顆粒44露出率)等功能，可以控制研磨顆粒44之尖點，使複數研磨顆粒44之排列方式及方向取向(Orientation)獲得一致性，在工作面411之法線方向上，每一結合材料層43之高度為小於或等於每一定位凹槽42之高度，也就是說，結合材料層43並未溢出工作面411，而每一研磨顆粒44之粒徑D1為介於0.8mm至1.4mm之間，且每一研磨顆粒44位於工作面411處之粒徑D2為介於0.4mm至1.0mm之間，藉此，可確保研磨顆粒44之穩固地結合於結合材料層43上。

每一定位凹槽42形成為三角錐形、四角錐形及八角錐形之其一，而基板41由不鏽鋼、金屬材料、塑膠材料及陶瓷材料之其一所構成，較佳為不鏽鋼或金屬材料所構成，藉此可使基板41具有較佳的平坦度，並增加定位凹槽42內對於側向力的抵抗來防止研磨顆粒44掉落，每一結合材料層43由電鍍材料、燒結粉末、樹脂材料、硬焊金屬材料及塑膠材料之至少其一所構成，較佳 為樹脂材料所構成，每一定位凹槽42由雷射切割工法、CNC工法、濕式蝕刻工法及乾式蝕刻工法之其一所形成，較佳為雷射切割工法或CNC工法所形成。

參閱圖5A及圖5B，其分別為本發明之修整器之第二實施例之結構示意圖及圖5A之部分結構放大示意圖。本發明之修整器之第二實施例包括有：一基板51、複數定位凹槽52、複數結合材料層53及複數研磨顆粒54。

基板51具有一工作面511，複數定位凹槽52形成於工作面511上，每一結合材料層53分別形成於每一定位凹槽52內，每一研磨顆粒54之研磨端突出於工作面511，並分別設置於每一定位凹槽52內，且藉由每一結合材料層53與基板51結合。

本發明之修整器之第二實施例與第一實施例相異之處在於，第二實施例之定位凹槽52與第一實施例之定位凹槽42在構造上並不相同，詳細而言，每一定位凹槽52之剖面形成二相交第一斜面521及二第二斜面522，二第一斜面521之夾角A3為介於60度至100度之間，較佳為介於85度至100度之間，二第二斜面522之夾角A4大於二第一斜面521之夾角A3，並介於90度至110度之間，藉此，第一斜面521提供固定研磨顆粒54、調整研磨顆粒54尖端方向性及控制研磨顆粒54埋入深度(即，研磨顆粒54露出率)等功能，第二斜面522則是針對研磨顆粒54(研磨顆粒54尖端方向性、研磨顆粒54露出率)再進行第二次調整，提供更精確的研磨顆粒54控制結果，除了利用二第二斜面522控制研磨顆粒54之尖點之外，二第二斜面522使研磨顆粒54更容易置入定位凹槽52內。

在工作面511之法線方向上，連續形成之每一第一斜面521及每一第二斜面522共同具有一第一高度H1，每一第二斜面522具有一第二高度H2，第二高度H2為第一高度H1之10%~40%，在每一定位凹槽52內，二第一斜面 521與二第二斜面522相交處之間形成一第一寬度W1，二第二斜面522與工作面511相交處之間形成一第二寬度W2，第一寬度W1為第二寬度W2之75%~95%，在工作面511之法線方向上，每一結合材料層53之高度為小於或等於每一定位凹槽52之高度，藉此，可使研磨顆粒54之更加穩固地結合於結合材料層53上。

每一研磨顆粒54之粒徑D3為介於0.8mm至1.4mm之間，而每一研磨顆粒54位於工作面511處之粒徑D4為介於0.4mm至1.0mm之間，藉此，可確保研磨顆粒44之穩固地結合於結合材料層43上，每一定位凹槽52形成為三角錐台錐形、四角錐台錐形及八角錐台錐形之其一，詳細而言，三角錐台錐形是由四個三角形及一個三個梯形所構成，而四角錐台錐形是由四個三角形、四個梯形及一個四邊形所構成，八角錐台錐形則是由八個三角形、八個梯形及一個八邊形所構成，利用梯形所產生的漸擴形狀，使研磨顆粒54更容易置入定位凹槽52內。

基板51由不鏽鋼、金屬材料、塑膠材料及陶瓷材料之其一所構成，較佳為不鏽鋼或金屬材料所構成，藉此可使基板51具有較佳的平坦度，並增加定位凹槽52內對於側向力的抵抗來防止研磨顆粒54掉落，每一結合材料層53由電鍍材料、燒結粉末、樹脂材料、硬焊金屬材料及塑膠材料之至少其一所構成，較佳為樹脂材料所構成，每一定位凹槽52由雷射切割工法、CNC工法、濕式蝕刻工法及乾式蝕刻工法之其一所形成，較佳為雷射切割工法或CNC工法所形成。

在本發明中，研磨顆粒44，54可為人造鑽石、天然鑽石、多晶鑽石(PCD：Polycrystalline Diamond)、立方氮化硼(CBN：Cubic Boron Nitride)或多晶立方氮化硼(PBCN)，較佳為人造鑽石，人造鑽石之晶形包括有六面體、八面體 及六八面體聚形等晶形，參閱圖6，其為本發明之修整器之未加工研磨顆粒之立體結構示意圖，未加工研磨顆粒60可視為八面體晶形，但不僅限於此晶形，未加工研磨顆粒60之八個三角形所形成之二頂端E1,E2可分別作為研磨端及置入定位凹槽42,52時定位用之尖點。

接下來，參閱圖7A及圖7B，其分別為本發明之修整器之預先加工研磨顆粒之結構俯視示意圖及結構側視示意圖，已加工研磨顆粒61可視為已預先加工之八面體晶形，已加工研磨顆粒61在利用雷射切割等方式加工後形成加工端E3，其為具有呈四邊形之加工面611，並以加工端E3作為研磨端，頂端E4則是作為置入定位凹槽42,52時定位用之尖點，藉由加工端E3之結構，可以大大提升修整器之切削率。

也就是說，研磨顆粒44，54可使用如圖6所示之未加工研磨顆粒60，或是圖7A及圖7B所示之已加工研磨顆粒61，未加工磨料可以為六面體、八面體、或六八面體(即，十四面體)等，並依據使用者的需求而任意變換，本發明並未侷限於圖6,7A,7B所示的八面體，可視實際需求選擇適合之研磨顆粒晶形及加工形狀。

參閱圖8、圖9A至圖9D，圖8為本發明之修整器之製法流程示意圖，圖9A至圖9D分別為本發明之修整器之製作過程示意圖。如圖8所示，本發明之修整器之製法包括有下列步驟：步驟(SA)提供一基板41，基板41具有一工作面411；步驟(SB)形成複數定位凹槽42於工作面411上；步驟(SC)形成一結合材料層43於每一定位凹槽42內；步驟(SC1)預先對複數研磨顆粒44之研磨端進行表面加工；步驟(SD)分別佈植該些研磨顆粒44於該些定位凹槽42內，使 每一研磨顆粒44之研磨端突出於工作面411，並使每一結合材料層43分別結合每一研磨顆粒44於基板41上而製得一修整器4。

在步驟(SB)中，每一定位凹槽42由雷射切割工法、CNC工法、濕式蝕刻工法及乾式蝕刻工法之其一所形成，較佳為利用雷射切割工法及CNC工法形成如圖9B之定位凹槽42，在步驟(SC)中之結合材料層43為電鍍材料、燒結粉末、樹脂材料、硬焊金屬材料及塑膠材料之至少其一所構成，較佳為透過點膠方式以樹脂材料在每一定位凹槽42內形成如圖9C所示之結合材料層43，需要注意的是，由於在製得修整器4後，在工作面411之法線方向上，每一結合材料層43之高度為小於或等於每一定位凹槽42之高度，因此需要根據定位凹槽42及研磨顆粒44之尺寸，調整適合之點膠量。

步驟(SC1)為選擇性步驟，本發明可使用未進行表面加工之研磨顆粒44，或是已預先進行表面加工之研磨顆粒44，在步驟(SD)中，佈植該些研磨顆粒44製得如圖9D之修整器4，研磨顆粒44之研磨端結構不論是呈現未加工研磨顆粒60之頂端E1(配合參閱圖6)，或是呈現已加工研磨顆粒61之加工端E3(配合參閱圖7A及圖7B)，皆能確實地使研磨顆粒44之研磨端朝向上方並突出於工作面411，因而有效發揮研磨顆粒44之研磨能力。

基板41由不鏽鋼、金屬材料、塑膠材料及陶瓷材料之其一所構成，較佳為不鏽鋼或金屬材料所構成，藉此可使基板41具有較佳的平坦度，並增加定位凹槽42內對於側向力的抵抗來防止研磨顆粒44掉落，每一定位凹槽42形成為三角錐形、三角錐台錐形、四角錐形、四角錐台錐形、八角錐形及八角錐台錐形之其一，也就是說，定位凹槽42之剖面可形成為如圖4B之二相交第一斜面421之結構，或是如圖5B之二相交第一斜面521及二第二斜面522之結構， 其結構差異及優點已於本發明之修整器之第一實施例及第二實施例中說明，在此不再贅述。

由上述內容可知，本發明之修整器及其製法，利用三角錐形、三角錐台錐形、四角錐形、四角錐台錐形、八角錐形或八角錐台錐形之定位凹槽42,52來控制研磨顆粒44,54之定位尖點，並以不鏽鋼或金屬材料之基板41,51來獲得較佳的平坦度，增加了定位凹槽42,52內對於側向力的抵抗來防止研磨顆粒44,54掉落，進而提升了修整器4,5整體之切削率及使用耐久性。

上述實施例僅係為了方便說明而舉例而已，本發明所主張之權利範圍自應以申請專利範圍所述為準，而非僅限於上述實施例。

Claims (22)

1. 一種修整器，包括有：一基板，係具有一工作面；複數定位凹槽，係形成於該工作面上，該每一定位凹槽之剖面係形成二相交第一斜面及二第二斜面，該二第一斜面之夾角係為介於60度至100度之間，該二第二斜面之夾角係大於該二第一斜面之夾角，並介於90度至110度之間；複數結合材料層，該每一結合材料層係分別形成於該每一定位凹槽內；以及複數研磨顆粒，該每一研磨顆粒之研磨端係突出於該工作面，並分別設置於該每一定位凹槽內，且藉由該每一結合材料層與該基板結合。
2. 如申請專利範圍第1項所述之修整器，其中，在該工作面之法線方向上，連續形成之該每一第一斜面及該每一第二斜面共同具有一第一高度，該每一第二斜面具有一第二高度，該第二高度係為該第一高度之10%~40%。
3. 如申請專利範圍第1項所述之修整器，其中，在該每一定位凹槽內，該二第一斜面與該二第二斜面相交處之間形成一第一寬度，該二第二斜面與該工作面相交處之間形成一第二寬度，該第一寬度係為該第二寬度之75%~95%。
4. 如申請專利範圍第1項所述之修整器，其中，在該工作面之法線方向上，該每一結合材料層之高度係為小於或等於該每一定位凹槽之高度。
5. 如申請專利範圍第1項所述之修整器，其中，該每一研磨顆粒之粒徑係為介於0.8mm至1.4mm之間。
6. 如申請專利範圍第1項所述之修整器，其中，該每一研磨顆粒位於該工作面處之粒徑係為介於0.4mm至1.0mm之間。
7. 如申請專利範圍第1項所述之修整器，其中，該每一定位凹槽係形成為三角錐形、三角錐台錐形、四角錐形、四角錐台錐形、八角錐形及八角錐台錐形之其一。
8. 如申請專利範圍第1項所述之修整器，其中，該些研磨顆粒之研磨端係已預先進行表面加工。
9. 如申請專利範圍第1項所述之修整器，其中，該基板係由不鏽鋼、金屬材料、塑膠材料及陶瓷材料之其一所構成。
10. 如申請專利範圍第1項所述之修整器，其中，該每一結合材料層係由電鍍材料、燒結粉末、樹脂材料、硬焊金屬材料及塑膠材料之至少其一所構成。
11. 如申請專利範圍第1項所述之修整器，其中，該每一定位凹槽係由雷射切割工法、電腦數值控制(CNC：Computer Numerical Control)工法、濕式蝕刻工法及乾式蝕刻工法之其一所形成。
12. 一種修整器之製法，包括有下列步驟：(A)提供一基板，該基板具有一工作面；(B)形成複數定位凹槽於該工作面上，該每一定位凹槽之剖面係形成二相交第一斜面及二第二斜面，該二第一斜面之夾角係為介於60度至100度之間，該二第二斜面之夾角係大於該二第一斜面之夾角，並介於90度至110度之間；(C)形成一結合材料層於每一定位凹槽內；以及(D)分別佈植複數研磨顆粒於該些定位凹槽內，使該每一研磨顆粒之研磨端突出於該工作面，並使該每一結合材料層分別結合該每一研磨顆粒於該基板上而製得一修整器。
13. 如申請專利範圍第12項所述之修整器之製法，其中，該步驟(C)後更包括一步驟(C1)：預先對該些研磨顆粒之研磨端進行表面加工。
14. 如申請專利範圍第12項所述之修整器之製法，其中，在該步驟(B)中，該每一定位凹槽係由雷射切割工法、電腦數值控制工法、濕式蝕刻工法及乾式蝕刻工法之其一所形成。
15. 如申請專利範圍第12項所述之修整器之製法，其中，在該工作面之法線方向上，連續形成之該每一第一斜面及該每一第二斜面共同具有一第一高度，該每一第二斜面具有一第二高度，該第二高度係為該第一高度之10%~40%。
16. 如申請專利範圍第12項所述之修整器之製法，其中，在該每一定位凹槽內，該二第一斜面與該二第二斜面相交處之間形成一第一寬度，該二第二斜面與該工作面相交處之間形成一第二寬度，該第一寬度係為該第二寬度之75%~95%。
17. 如申請專利範圍第12項所述之修整器之製法，其中，在製得該修整器後，在該工作面之法線方向上，該每一結合材料層之高度係為小於或等於該每一定位凹槽之高度。
18. 如申請專利範圍第12項所述之修整器之製法，其中，該每一研磨顆粒之粒徑係為介於0.8mm至1.4mm之間。
19. 如申請專利範圍第12項所述之修整器之製法，其中，該每一研磨顆粒位於該工作面處之粒徑係為介於0.4mm至1.0mm之間。
20. 如申請專利範圍第12項所述之修整器之製法，其中，該每一定位凹槽係形成為三角錐形、三角錐台錐形、四角錐形、四角錐台錐形、八角錐形及八角錐台錐形之其一。
21. 如申請專利範圍第12項所述之修整器之製法，其中，該基板係由不鏽鋼、金屬材料、塑膠材料及陶瓷材料之其一所構成。
22. 如申請專利範圍第12項所述之修整器之製法，其中，該每一結合材料層係由電鍍材料、燒結粉末、樹脂材料、硬焊金屬材料及塑膠材料之至少其一所構成。