TWI657715B

TWI657715B - 低頻閃之發光二極體驅動電路及其驅動方法

Info

Publication number: TWI657715B
Application number: TW107114789A
Authority: TW
Inventors: 吳俊昌; 邢陳震崙
Original assignee: 葳天科技股份有限公司
Priority date: 2018-05-01
Filing date: 2018-05-01
Publication date: 2019-04-21
Also published as: TW201946494A

Abstract

本發明提供一種低頻閃之發光二極體驅動電路，其包含發光二極體串列、第一二極體、第一電容、第二二極體、第一電流控制器以及第二電流控制器。直流電源、發光二極體串列及第一電流控制器形成發光二極體供電路徑。直流電源、發光二極體串列、第一二極體、第一電容及第二電流控制器形成電容蓄電路徑。第一電容、第二二極體、發光二極體串列及第一電流控制器形成電容放電路徑。藉此，利用發光二極體供電路徑、電容蓄電路徑及電容放電路徑上的元件交互作用，可有效控制發光二極體串列，以實現低頻閃、高LED利用率及LED區域低電壓之效。

Description

低頻閃之發光二極體驅動電路及其驅動方法

本發明是關於一種發光二極體驅動電路及其驅動方法，特別是關於一種低頻閃之發光二極體驅動電路及其驅動方法。

在整流交流(Alternative-Current；AC)電壓直接驅動的照明應用中，由於發光二極體(Light Emitting Diode；LED)係為一電流驅動元件，其發光亮度與驅動電流之大小成正比。為了達到高亮度和亮度均勻的要求，往往需要使用許多串接之發光二極體來提供足夠光源。發光二極體驅動電路在運作時會調變光通量(luminous flux)和光強度。此外，頻閃(flicker)是一種光源強度隨著時間有明暗變化的現象，無論人眼是否能夠辨識，頻閃會對人體造成不同程度的影響，例如頭痛、眼花、眼睛疲勞、心神不安等反應。因此，需要一種能夠改善頻閃現象之發光二極體驅動電路及其驅動方法，而相關業者均在尋求其解決之道。

因此，本發明之目的在於提供一種低頻閃之發光二極體驅動電路及其驅動方法，其利用發光二極體供電路徑、電容蓄電路徑及電容放電路徑上的元件作動及交互作用可有效控制發光二極體串列，以實現低頻閃、高LED利用率以及LED區域低電壓之效。

依據本發明的結構態樣之一實施方式提供一種低頻閃之發光二極體驅動電路，其受交流電源驅動，低頻閃之發光二極體驅動電路包含橋式整流器、發光二極體串列、第一二極體、第一電容、第二二極體、第一電流控制器以及第二電流控制器。其中橋式整流器連接交流電源，橋式整流器用以整流交流電源而輸出一直流電源，直流電源具有一直流電源正極與一直流電源負極。第一二極體串聯地連接發光二極體串列之負極。第一電容串聯地連接第一二極體之負極，第一電容具有一電容正極與一電容負極。第二二極體串聯地連接第一二極體之負極，並耦接電容正極。第一電流控制器串聯地連接發光二極體串列之負極，並耦接第一二極體之正極。直流電源、發光二極體串列及第一電流控制器形成一發光二極體供電路徑，且此發光二極體供電路徑依序經過直流電源正極、發光二極體串列、第一電流控制器及直流電源負極。此外，直流電源、發光二極體串列、第一二極體、第一電容及第二電流控制器形成一電容蓄電路徑。第一電容、第二二極體、發光二極體串列及第一電流控制器形成一電容放電路徑，且此電容放電路徑依序經過電容正極、第二二極體、發光二極體串列、第一電流控制器及電容負極。

藉此，本發明的低頻閃之發光二極體驅動電路透過特殊之發光二極體供電路徑、電容蓄電路徑及電容放電路徑的元件作動及交互作用，可有效控制發光二極體串列，以實現低頻閃、高LED利用率以及LED區域低電壓之效。

依據前述實施方式之低頻閃之發光二極體驅動電路的其他實施例，其中前述電容蓄電路徑可依序經過直流電源正極、發光二極體串列、第一二極體、第一電容、第二電流控制器及直流電源負極。

依據前述實施方式之低頻閃之發光二極體驅動電路的其他實施例，其中前述電容蓄電路徑可依序經過直流電源正極、第二電流控制器、發光二極體串列、第一二極體、第一電容及直流電源負極。

依據前述實施方式之低頻閃之發光二極體驅動電路的其他實施例，其中前述低頻閃之發光二極體驅動電路可包含第二電容，此第二電容並聯地連接發光二極體串列。

依據前述實施方式之低頻閃之發光二極體驅動電路的其他實施例，其中前述低頻閃之發光二極體驅動電路可包含電阻，電阻設於電容放電路徑之中，且位於第二二極體與發光二極體串列之間，電阻用以降低電容放電路徑之浪湧電流。

依據前述實施方式之低頻閃之發光二極體驅動電路的其他實施例，其中前述低頻閃之發光二極體驅動電路可包含第三電流控制器，此第三電流控制器設於電容放電路徑之中，且位於第二二極體與發光二極體串列之間。第三電流控制器用以控制電容放電路徑之一放電電流。

依據前述實施方式之低頻閃之發光二極體驅動電路的其他實施例，其中前述第一電流控制器具有一電流控制器正極與一電流控制器負極，第一電流控制器包含N型電晶體、控制單元以及控制電阻。其中N型電晶體具有閘極、汲極及源極，汲極連接於電流控制器正極，並耦接發光二極體串列之負極。控制單元具有參考電位、輸入電位及輸出電位，輸出電位連接N型電晶體之閘極以控制N型電晶體之啟閉。當輸入電位高於參考電位時，輸出電位關閉N型電晶體。此外，控制電阻之一端連接於N型電晶體之源極且耦接控制單元之輸入電位，控制電阻之另一端連接電流控制器負極。

依據前述實施方式之低頻閃之發光二極體驅動電路的其他實施例，其中前述電容蓄電路徑經過控制電阻，以提升輸入電位而將N型電晶體關閉。

依據前述實施方式之低頻閃之發光二極體驅動電路的其他實施例，其中前述低頻閃之發光二極體驅動電路可包含第三二極體與第四二極體，其中第三二極體串連地連接於電容蓄電路徑之中，並位於電容負極與第一電流控制器之間。第四二極體串連地連接於電容放電路徑之中，並位於電流控制器負極與電容負極之間。

依據本發明的結構態樣之另一實施方式提供一種低頻閃之發光二極體驅動電路，其受交流電源驅動，低頻閃之發光二極體驅動電路包含橋式整流器、發光二極體串列、第一二極體、第一電容、第二二極體、第一電流控制器以及第二電流控制器。其中橋式整流器連接交流電源，橋式整流器用以整流交流電源而輸出一直流電源，直流電源具有一直流電源正極與一直流電源負極。第一二極體串聯地連接發光二極體串列之正極。第一電容串聯地連接第一二極體之正極，第一電容具有一電容正極與一電容負極。第二二極體串聯地連接第一二極體之正極，並耦接電容負極。第一電流控制器串聯地連接發光二極體串列之正極，並耦接第一二極體之負極。再者，直流電源、第一電流控制器及發光二極體串列形成一發光二極體供電路徑，且此發光二極體供電路徑依序經過直流電源正極、第一電流控制器、發光二極體串列及直流電源負極。直流電源、第二電流控制器、第一電容、第一二極體及發光二極體串列形成電容蓄電路徑。第一電容、第一電流控制器、發光二極體串列及第二二極體形成一電容放電路徑，且此電容放電路徑依序經過電容正極、第一電流控制器、發光二極體串列、第二二極體及電容負極。

藉此，本發明的低頻閃之發光二極體驅動電路透過另一種特殊之發光二極體供電路徑、電容蓄電路徑及電容放電路徑的元件作動及交互作用，可有效控制發光二極體串列，以實現低頻閃、高LED利用率以及LED區域低電壓之效。

依據前述實施方式之低頻閃之發光二極體驅動電路的其他實施例，其中前述電容蓄電路徑可依序經過直流電源正極、第二電流控制器、第一電容、第一二極體、發光二極體串列及直流電源負極。

依據前述實施方式之低頻閃之發光二極體驅動電路的其他實施例，其中前述電容蓄電路徑可依序經過直流電源正極、第一電容、第一二極體、發光二極體串列、第二電流控制器及直流電源負極。

依據前述實施方式之低頻閃之發光二極體驅動電路的其他實施例，其中前述低頻閃之發光二極體驅動電路可包含電阻，此電阻設於電容放電路徑之中，且位於發光二極體串列與第二二極體之間，電阻用以降低電容放電路徑之浪湧電流。

依據前述實施方式之低頻閃之發光二極體驅動電路的其他實施例，其中前述低頻閃之發光二極體驅動電路可包含第三電流控制器，此第三電流控制器設於電容放電路徑之中，且位於發光二極體串列與第二二極體之間。第三電流控制器用以控制電容放電路徑之放電電流。

依據前述實施方式之低頻閃之發光二極體驅動電路的其他實施例，其中前述第一電流控制器具有一電流控制器正極與一電流控制器負極，第一電流控制器包含P型電晶體、控制單元以及控制電阻。其中P型電晶體具有閘極、汲極及源極，汲極連接於電流控制器負極，並耦接發光二極體串列之正極。控制單元具有參考電位、輸入電位及輸出電位，輸出電位連接P型電晶體之閘極以控制P型電晶體之啟閉。當輸入電位低於參考電位時，輸出電位關閉P型電晶體。控制電阻之一端連接於P型電晶體之源極且耦接控制單元之輸入電位，而控制電阻之另一端連接電流控制器正極。

依據前述實施方式之低頻閃之發光二極體驅動電路的其他實施例，其中前述電容蓄電路徑可經過控制電阻，以降低輸入電位而將P型電晶體關閉。

依據前述實施方式之低頻閃之發光二極體驅動電路的其他實施例，其中前述低頻閃之發光二極體驅動電路可包含第三二極體與第四二極體，其中第三二極體串連地連接於電容蓄電路徑之中，並位於第一電流控制器與電容正極之間。第四二極體串連地連接於電容放電路徑之中，並位於電容正極與電流控制器正極之間。

依據本發明的方法態樣之一實施方式提供一種低頻閃之發光二極體驅動方法，其用以驅動一低頻閃之發光二極體驅動電路。低頻閃之發光二極體驅動電路包含發光二極體串列、橋式整流器、第一二極體、第二二極體、第一電容、第一電流控制器及第二電流控制器。低頻閃之發光二極體驅動方法包含第一驅動步驟、第二驅動步驟、第三驅動步驟以及第四驅動步驟。其中第一驅動步驟係驅動一交流電源並透過橋式整流器產生一直流電源。當直流電源大於等於發光二極體串列之一發光二極體串聯啟動電壓時，第一電流控制器導通。第二驅動步驟係驅動交流電源而改變直流電源。當直流電源大於等於發光二極體串聯啟動電壓加上一電容電壓時，第二電流控制器導通。再者，第三驅動步驟係驅動交流電源而改變直流電源。當直流電源小於發光二極體串聯啟動電壓加上電容電壓時，第一電流控制器導通。至於第四驅動步驟係驅動交流電源而改變直流電源。當第一電容之一電容正極電壓大於發光二極體串列之一發光二極體正極電壓時，第二二極體導通，藉以令第一電容放電至發光二極體串列。

藉此，本發明的低頻閃之發光二極體驅動方法結合特定的低頻閃之發光二極體驅動電路，可以實現低頻閃、高LED利用率以及達成LED區域低電壓之效。

100a、100b、100c、100d、100e、100f、100g、100h、100i、100j、100k、100l、100m、100n、100o、100p‧‧‧低頻閃之發光二極體驅動電路

110‧‧‧交流電源

120‧‧‧N型電晶體

130‧‧‧控制單元

140‧‧‧P型電晶體

BD‧‧‧橋式整流器

CH1‧‧‧發光二極體串列

D1‧‧‧第一二極體

Vref‧‧‧參考電位

Vsense‧‧‧輸入電位

200‧‧‧低頻閃之發光二極體驅動方法

S2‧‧‧第一驅動步驟

S4‧‧‧第二驅動步驟

S6‧‧‧第三驅動步驟

S8‧‧‧第四驅動步驟

Iac、ICC1、ICC2、ICC3、ICH1、ID1、ID2‧‧‧電流

T1、T2、T3、T4‧‧‧時間區塊

D2‧‧‧第二二極體

D3‧‧‧第三二極體

D4‧‧‧第四二極體

CC1‧‧‧第一電流控制器

CC2‧‧‧第二電流控制器

CC3‧‧‧第三電流控制器

CR‧‧‧控制電阻

EC1‧‧‧第一電容

EC2‧‧‧第二電容

P1‧‧‧發光二極體供電路徑

P2‧‧‧電容蓄電路徑

P3‧‧‧電容放電路徑

R1‧‧‧電阻

Vac‧‧‧電壓

VCH1‧‧‧發光二極體串聯啟動電壓

第1圖係繪示本發明一實施方式之第一實施例的低頻閃之發光二極體驅動電路的示意圖。

第2圖係繪示本發明一實施方式之第二實施例的低頻閃之發光二極體驅動電路的示意圖。

第3圖係繪示本發明一實施方式之第三實施例的低頻閃之發光二極體驅動電路的示意圖。

第4圖係繪示本發明一實施方式之第四實施例的低頻閃之發光二極體驅動電路的示意圖。

第5圖係繪示本發明一實施方式之第五實施例的低頻閃之發光二極體驅動電路的示意圖。

第6圖係繪示本發明一實施方式之第六實施例的低頻閃之發光二極體驅動電路的示意圖。

第7圖係繪示本發明一實施方式之第七實施例的低頻閃之發光二極體驅動電路的示意圖。

第8圖係繪示本發明一實施方式之第八實施例的低頻閃之發光二極體驅動電路的示意圖。

第9圖係繪示本發明另一實施方式之第一實施例的低頻閃之發光二極體驅動電路的示意圖。

第10圖係繪示本發明另一實施方式之第二實施例的低頻閃之發光二極體驅動電路的示意圖。

第11圖係繪示本發明另一實施方式之第三實施例的低頻閃之發光二極體驅動電路的示意圖。

第12圖係繪示本發明另一實施方式之第四實施例的低頻閃之發光二極體驅動電路的示意圖。

第13圖係繪示本發明另一實施方式之第五實施例的低頻閃之發光二極體驅動電路的示意圖。

第14圖係繪示本發明另一實施方式之第六實施例的低頻閃之發光二極體驅動電路的示意圖。

第15圖係繪示本發明另一實施方式之第七實施例的低頻閃之發光二極體驅動電路的示意圖。

第16圖係繪示本發明另一實施方式之第八實施例的低頻閃之發光二極體驅動電路的示意圖。

第17圖係繪示本發明一實施例的低頻閃之發光二極體驅動方法的流程示意圖。

第18A圖係繪示第1圖之交流電源的時序波形圖。

第18B圖係繪示第17圖的低頻閃之發光二極體驅動方法使用於第1圖的低頻閃之發光二極體驅動電路的時序波形圖。

第19A圖係繪示第5圖之交流電源的時序波形圖。

第19B圖係繪示第17圖的低頻閃之發光二極體驅動方法使用於第5圖的低頻閃之發光二極體驅動電路的時序波形圖。

以下將參照圖式說明本發明之複數個實施例。為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本發明。也就是說，在本發明部分實施例中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之；並且重複之元件將可能使用相同的編號表示之。

請參閱第1圖，第1圖係繪示本發明一實施方式之第一實施例的低頻閃之發光二極體驅動電路100a的示意圖。此低頻閃之發光二極體驅動電路100a受交流電源110驅動，且低頻閃之發光二極體驅動電路100a包含橋式整流器BD、發光二極體串列CH1、第一二極體D1、第一電容EC1、第二二極體D2、第一電流控制器CC1以及第二電流控制器CC2。

橋式整流器BD連接於交流電源110與發光二極體串列CH1之間，橋式整流器BD用以整流交流電源110而輸出一直流電源至發光二極體串列CH1。直流電源具有一直流電源正極與一直流電源負極。發光二極體串列CH1具有正極與負極，正極連接橋式整流器BD，而負極連接第一二極體D1。第一二極體D1串聯地連接發光二極體串列CH1之負極。再者，第一電容EC1串聯地連接第一二極體D1之負極，第一電容EC1具有一電容正極與一電容負極。第二二極體D2串聯地連接第一二極體D1之負極，並耦接電容正極。第一電流控制器CC1串聯地連接發光二極體串列CH1之負極，並耦接第一二極體D1之正極。第二電流控制器CC2串聯地連接電容負極，並耦接直流電源負極及第一電流控制器CC1。

此外，直流電源、發光二極體串列CH1及第一電流控制器CC1形成一發光二極體供電路徑P1，且此發光二極體供電路徑P1依序經過直流電源正極、發光二極體串列CH1、第一電流控制器CC1及直流電源負極。另外，直流電源、發光二極體串列CH1、第一二極體D1、第一電容EC1及第二電流控制器CC2形成一電容蓄電路徑P2，且此電容蓄電路徑P2依序經過直流電源正極、發光二極體串列CH1、第一二極體D1、第一電容EC1、第二電流控制器CC2及直流電源負極。再者，第一電容EC1、第二二極體D2、發光二極體串列CH1及第一電流控制器CC1形成一電容放電路徑P3，且此電容放電路徑P3依序經過電容正極、第二二極體D2、發光二極體串列CH1、第一電流控制器CC1、第二電流控制器CC2及電容負極。藉此，本發明利用發光二極體供電路徑P1、電容蓄電路徑P2及電容放電路徑P3上的元件作動及交互作用可有效控制發光二極體串列CH1，以實現低頻閃、高LED利用率以及LED區域低電壓之效。

請一併參閱第1圖與第2圖，第2圖係繪示本發明一實施方式之第二實施例的低頻閃之發光二極體驅動電路100b的示意圖。此低頻閃之發光二極體驅動電路100b受交流電源110驅動且包含橋式整流器BD、發光二極體串列CH1、第一二極體D1、第一電容EC1、第二二極體D2、第一電流控制器CC1以及第二電流控制器CC2。

在第2圖的實施例中，橋式整流器BD、發光二極體串列CH1、第一二極體D1、第一電容EC1、第二二極體D2及第一電流控制器CC1均分別與第1圖中的橋式整流器BD、發光二極體串列CH1、第一二極體D1、第一電容EC1、第二二極體D2及第一電流控制器CC1相同，不再贅述。特別的是，第2圖實施例的第二電流控制器CC2是耦接於直流電源正極與發光二極體串列CH1之間；換句話說，電容蓄電路徑P2係依序經過直流電源正極、第二電流控制器CC2、發光二極體串列CH1、第一二極體D1、第一電容EC1及直流電源負極。藉此，本發明透過第二電流控制器CC2的耦接位置變換，亦可對發光二極體串列CH1實現低頻閃、高LED利用率以及LED區域低電壓之效。

請一併參閱第1圖與第3圖，第3圖係繪示本發明一實施方式之第三實施例的低頻閃之發光二極體驅動電路100c的示意圖。此低頻閃之發光二極體驅動電路100c受交流電源110驅動且包含橋式整流器BD、發光二極體串列CH1、第一二極體D1、第一電容EC1、第二二極體D2、第二電容EC2、第一電流控制器CC1以及第二電流控制器CC2。

在第3圖的實施例中，橋式整流器BD、發光二極體串列CH1、第一二極體D1、第一電容EC1、第二二極體D2、第一電流控制器CC1及第二電流控制器CC2均分別與第1圖中的橋式整流器BD、發光二極體串列CH1、第一二極體D1、第一電容EC1、第二二極體D2、第一電流控制器CC1及第二電流控制器CC2相同，不再贅述。特別的是，第3圖實施例的低頻閃之發光二極體驅動電路100c更包含一第二電容EC2，此第二電容EC2並聯地連接發光二極體串列CH1。藉此，本發明透過第二電容EC2的設置，可進一步降低發光二極體串列CH1的頻閃現象。

請一併參閱第1圖與第4圖，第4圖係繪示本發明一實施方式之第四實施例的低頻閃之發光二極體驅動電路100d的示意圖。低頻閃之發光二極體驅動電路100d受交流電源110驅動且包含橋式整流器BD、發光二極體串列CH1、第一二極體D1、第一電容EC1、第二二極體D2、電阻R1、第一電流控制器CC1以及第二電流控制器CC2。

在第4圖的實施例中，橋式整流器BD、發光二極體串列CH1、第一二極體D1、第一電容EC1、第二二極體D2、第一電流控制器CC1及第二電流控制器CC2均分別與第1圖中的橋式整流器BD、發光二極體串列CH1、第一二極體D1、第一電容EC1、第二二極體D2、第一電流控制器CC1及第二電流控制器CC2相同，不再贅述。特別的是，第4圖實施例的低頻閃之發光二極體驅動電路100d更包含電阻R1，此電阻R1設於電容放電路徑P3之中，且位於第二二極體D2與發光二極體串列CH1之間。電阻R1的一端耦接發光二極體串列CH1的正極及直流電源正極，電阻R1的另一端則耦接第二二極體D2的負極，電阻R1用以降低電容放電路徑P3之浪湧電流。藉此，本發明透過電阻R1的設置，可進一步增加電路的穩定度與安全性。

請一併參閱第1圖與第5圖，第5圖係繪示本發明一實施方式之第五實施例的低頻閃之發光二極體驅動電路100e的示意圖。低頻閃之發光二極體驅動電路100e受交流電源110驅動且包含橋式整流器BD、發光二極體串列CH1、第一二極體D1、第一電容EC1、第二二極體D2、第一電流控制器CC1、第二電流控制器CC2以及第三電流控制器CC3。

在第5圖的實施例中，橋式整流器BD、發光二極體串列CH1、第一二極體D1、第一電容EC1、第二二極體D2、第一電流控制器CC1及第二電流控制器CC2均分別與第1圖中的橋式整流器BD、發光二極體串列CH1、第一二極體D1、第一電容EC1、第二二極體D2、第一電流控制器CC1及第二電流控制器CC2相同，不再贅述。特別的是，第5圖實施例的低頻閃之發光二極體驅動電路100e更包含一第三電流控制器CC3，此第三電流控制器CC3設於電容放電路徑P3之中，且位於第二二極體D2與發光二極體串列CH1之間。第三電流控制器CC3具有電流控制正極與電流控制負極。第三電流控制器CC3的電流控制正極耦接第二二極體D2的負極，第三電流控制器CC3的電流控制負極則耦接發光二極體串列CH1的正極及直流電源正極，第三電流控制器CC3用以控制電容放電路徑P3之放電電流。藉此，本發明透過第三電流控制器CC3，可限制第一電容EC1放電時的電流，並進一步降低發光二極體串列CH1的頻閃現象。

請一併參閱第1圖與第6圖，第6圖係繪示本發明一實施方式之第六實施例的低頻閃之發光二極體驅動電路100f的示意圖。低頻閃之發光二極體驅動電路100f受交流電源110驅動且包含橋式整流器BD、發光二極體串列CH1、第一二極體D1、第一電容EC1、第二二極體D2、第一電流控制器CC1以及第二電流控制器CC2。

在第6圖的實施例中，橋式整流器BD、發光二極體串列CH1、第一二極體D1、第一電容EC1、第二二極體D2及第二電流控制器CC2均分別與第1圖中的橋式整流器BD、發光二極體串列CH1、第一二極體D1、第一電容EC1、第二二極體D2及第二電流控制器CC2相同，不再贅述。特別的是，低頻閃之發光二極體驅動電路100f的第一電流控制器CC1具有一電流控制器正極與一電流控制器負極，且第一電流控制器CC1包含N型電晶體120、控制單元130及控制電阻CR。其中N型電晶體120具有一閘極、一汲極及一源極，汲極連接於電流控制器正極，並耦接發光二極體串列CH1之負極及第一二極體D1的正極。控制單元130具有參考電位Vref、輸入電位Vsense及輸出電位，輸出電位連接N型電晶體120之閘極以控制N型電晶體120之啟閉。當輸入電位Vsense高於參考電位Vref時，輸出電位關閉N型電晶體120。控制電阻CR之一端連接於N型電晶體120之源極且耦接控制單元130之輸入電位Vsense，控制電阻CR之另一端連接電流控制器負極與直流電源負極。本實施例之控制單元130為電壓比較器。藉此，本發明利用特殊的電壓比較器回授控制N型電晶體120來實現第一電流控制器CC1，其可有效控制發光二極體串列CH1，以實現低頻閃、高LED利用率以及LED區域低電壓之效。另外值得一提的是，第二電流控制器CC2的結構可與第一電流控制器CC1的結構相同，亦即第二電流控制器CC2可透過此種N型電晶體120、控制單元130及控制電阻CR之電路連結及交互作用來實現。

請一併參閱第6圖與第7圖，第7圖係繪示本發明一實施方式之第七實施例的低頻閃之發光二極體驅動電路100g的示意圖。低頻閃之發光二極體驅動電路100g受交流電源110驅動且包含橋式整流器BD、發光二極體串列CH1、第一二極體D1、第一電容EC1、第二二極體D2、第一電流控制器CC1以及第二電流控制器CC2。

在第7圖的實施例中，橋式整流器BD、發光二極體串列CH1、第一二極體D1、第一電容EC1、第二二極體D2及第一電流控制器CC1均分別與第6圖中的橋式整流器BD、發光二極體串列CH1、第一二極體D1、第一電容EC1、第二二極體D2及第一電流控制器CC1相同，不再贅述。特別的是，低頻閃之發光二極體驅動電路100g的第二電流控制器CC2連接於第一電容EC1與輸入電位Vsense之間，致使電容蓄電路徑P2經過控制電阻CR。換句話說，電容蓄電路徑P2可依序經過直流電源正極、發光二極體串列CH1、第一二極體D1、第一電容EC1、第二電流控制器CC2、控制電阻CR及直流電源負極。藉此，本發明的低頻閃之發光二極體驅動電路100g透過第二電流控制器CC2與控制電阻CR之特殊連接方式，能有效地提升輸入電位Vsense，進而將N型電晶體120關閉。

請一併參閱第7圖與第8圖，第8圖係繪示本發明一實施方式之第八實施例的低頻閃之發光二極體驅動電路100h的示意圖。低頻閃之發光二極體驅動電路100h受交流電源110驅動且包含橋式整流器BD、發光二極體串列CH1、第一二極體D1、第一電容EC1、第二二極體D2、第一電流控制器CC1、第二電流控制器CC2、第三二極體D3以及第四二極體D4。

在第8圖的實施例中，橋式整流器BD、發光二極體串列CH1、第一二極體D1、第一電容EC1、第二二極體D2、第一電流控制器CC1及第二電流控制器CC2均分別與第7圖中的橋式整流器BD、發光二極體串列CH1、第一二極體D1、第一電容EC1、第二二極體D2、第一電流控制器CC1及第二電流控制器CC2相同，不再贅述。特別的是，低頻閃之發光二極體驅動電路100h更包含第三二極體D3與第四二極體D4，其中第三二極體D3串連地連接於電容蓄電路徑P2之中，並位於電容負極與輸入電位Vsense之間。而第四二極體D4串連地連接於電容放電路徑P3之中，並位於電流控制器負極與電容負極之間。詳細地說，第三二極體D3的正極耦接第二電流控制器CC2，第三二極體D3的負極耦接第一電流控制器CC1的輸入電位Vsense。第四二極體D4的正極耦接第一電流控制器CC1的電流控制器負極及直流電源負極，第四二極體D4的負極則耦接第一電容EC1的電容負極。藉此，本發明透過第三二極體D3與第四二極體D4之設置來限制第一電容EC1放電時的電流，可進一步降低發光二極體串列CH1的頻閃現象。

請參閱第9圖，第9圖係繪示本發明另一實施方式之第一實施例的低頻閃之發光二極體驅動電路100i的示意圖。此低頻閃之發光二極體驅動電路100i受交流電源110驅動且包含橋式整流器BD、發光二極體串列CH1、第一二極體D1、第一電容EC1、第二二極體D2、第一電流控制器CC1以及第二電流控制器CC2。

橋式整流器BD連接於交流電源110與發光二極體串列CH1之間，橋式整流器BD用以整流交流電源110而輸出一直流電源，直流電源具有一直流電源正極與一直流電源負極。發光二極體串列CH1具有正極與負極，負極連接橋式整流器BD。第一二極體D1串聯地連接發光二極體串列CH1之正極。第一電容EC1串聯地連接第一二極體D1之正極，第一電容EC1具有電容正極與電容負極。第二二極體D2串聯地連接第一二極體D1之正極，並耦接電容負極。第一電流控制器CC1串聯地連接發光二極體串列CH1之正極，並耦接第一二極體D1之負極。第二電流控制器CC2串聯地連接電容正極，並耦接直流電源正極及第一電流控制器CC1。

此外，直流電源、第一電流控制器CC1及發光二極體串列CH1形成一發光二極體供電路徑P1，且此發光二極體供電路徑P1依序經過直流電源正極、第一電流控制器CC1、發光二極體串列CH1及直流電源負極。另外，直流電源、第二電流控制器CC2、第一電容EC1、第一二極體D1及發光二極體串列CH1形成一電容蓄電路徑P2，且此電容蓄電路徑P2依序經過直流電源正極、第二電流控制器CC2、第一電容EC1、第一二極體D1、發光二極體串列CH1及直流電源負極。再者，第一電容EC1、第一電流控制器CC1、發光二極體串列CH1及第二二極體D2形成一電容放電路徑P3，且此電容放電路徑P3依序經過電容正極、第二電流控制器CC2、第一電流控制器CC1、發光二極體串列CH1、第二二極體D2及電容負極。藉此，本發明利用發光二極體供電路徑P1、電容蓄電路徑P2及電容放電路徑P3上的元件作動及交互作用可有效控制發光二極體串列CH1，以實現低頻閃、高LED利用率以及LED區域低電壓之效。

請一併參閱第9圖與第10圖，第10圖係繪示本發明另一實施方式之第二實施例的低頻閃之發光二極體驅動電路100j的示意圖。低頻閃之發光二極體驅動電路100j受交流電源110驅動且包含橋式整流器BD、發光二極體串列CH1、第一二極體D1、第一電容EC1、第二二極體D2、第一電流控制器CC1以及第二電流控制器CC2。

在第10圖的實施例中，橋式整流器BD、發光二極體串列CH1、第一二極體D1、第一電容EC1、第二二極體D2及第一電流控制器CC1均分別與第9圖中的橋式整流器BD、發光二極體串列CH1、第一二極體D1、第一電容EC1、第二二極體D2及第一電流控制器CC1相同，不再贅述。特別的是，第10圖實施例的第二電流控制器CC2是耦接於發光二極體串列CH1與直流電源負極之間；換句話說，電容蓄電路徑P2係依序經過直流電源正極、第一電容EC1、第一二極體D1、發光二極體串列CH1、第二電流控制器CC2及直流電源負極。藉此，本發明透過第二電流控制器CC2的耦接位置變換，亦可對發光二極體串列CH1實現低頻閃、高LED利用率以及LED區域低電壓之效。

請一併參閱第9圖與第11圖，第11圖係繪示本發明一實施方式之第三實施例的低頻閃之發光二極體驅動電路100k的示意圖。此低頻閃之發光二極體驅動電路100k受交流電源110驅動且包含橋式整流器BD、發光二極體串列CH1、第一二極體D1、第一電容EC1、第二二極體D2、第二電容EC2、第一電流控制器CC1以及第二電流控制器CC2。

在第11圖的實施例中，橋式整流器BD、發光二極體串列CH1、第一二極體D1、第一電容EC1、第二二極體D2、第一電流控制器CC1及第二電流控制器CC2均分別與第9圖中的橋式整流器BD、發光二極體串列CH1、第一二極體D1、第一電容EC1、第二二極體D2、第一電流控制器CC1及第二電流控制器CC2相同，不再贅述。特別的是，第11圖實施例的低頻閃之發光二極體驅動電路100k更包含一第二電容EC2，此第二電容EC2並聯地連接發光二極體串列CH1。藉此，本發明透過第二電容EC2的設置，可進一步降低發光二極體串列CH1的頻閃現象。

請一併參閱第9圖與第12圖，第12圖係繪示本發明另一實施方式之第四實施例的低頻閃之發光二極體驅動電路100l的示意圖。低頻閃之發光二極體驅動電路100l受交流電源110驅動且包含橋式整流器BD、發光二極體串列CH1、第一二極體D1、第一電容EC1、第二二極體D2、電阻R1、第一電流控制器CC1以及第二電流控制器CC2。

在第12圖的實施例中，橋式整流器BD、發光二極體串列CH1、第一二極體D1、第一電容EC1、第二二極體D2、第一電流控制器CC1及第二電流控制器CC2均分別與第9圖中的橋式整流器BD、發光二極體串列CH1、第一二極體D1、第一電容EC1、第二二極體D2、第一電流控制器CC1及第二電流控制器CC2相同，不再贅述。特別的是，第12圖實施例的低頻閃之發光二極體驅動電路100l更包含電阻R1，此電阻R1設於電容放電路徑P3之中，且位於發光二極體串列CH1與第二二極體D2之間。電阻R1的一端耦接發光二極體串列CH1的負極及直流電源負極，電阻R1的另一端則耦接第二二極體D2的正極，電阻R1用以降低電容放電路徑P3之浪湧電流。藉此，本發明透過電阻R1的設置，可進一步增加電路的穩定度與安全性。

請一併參閱第9圖與第13圖，第13圖係繪示本發明另一實施方式之第五實施例的低頻閃之發光二極體驅動電路100m的示意圖。低頻閃之發光二極體驅動電路100m受交流電源110驅動且包含橋式整流器BD、發光二極體串列CH1、第一二極體D1、第一電容EC1、第二二極體D2、第一電流控制器CC1、第二電流控制器CC2以及第三電流控制器CC3。

在第13圖的實施例中，橋式整流器BD、發光二極體串列CH1、第一二極體D1、第一電容EC1、第二二極體D2、第一電流控制器CC1及第二電流控制器CC2均分別與第9圖中的橋式整流器BD、發光二極體串列CH1、第一二極體D1、第一電容EC1、第二二極體D2、第一電流控制器CC1及第二電流控制器CC2相同，不再贅述。特別的是，第13圖實施例的低頻閃之發光二極體驅動電路100m更包含一第三電流控制器CC3，此第三電流控制器CC3設於電容放電路徑P3之中，且位於發光二極體串列CH1與第二二極體D2之間。第三電流控制器CC3具有電流控制正極與電流控制負極。第三電流控制器CC3的電流控制正極耦接發光二極體串列CH1的負極及直流電源負極，第三電流控制器CC3的電流控制負極則耦接第二二極體D2的正極，第三電流控制器CC3用以控制電容放電路徑P3之放電電流。藉此，透過第三電流控制器CC3，可限制第一電容EC1放電時的電流，並進一步降低發光二極體串列CH1的頻閃現象。

請一併參閱第9圖與第14圖，第14圖係繪示本發明另一實施方式之第六實施例的低頻閃之發光二極體驅動電路100n的示意圖。低頻閃之發光二極體驅動電路100n受交流電源110驅動且包含橋式整流器BD、發光二極體串列CH1、第一二極體D1、第一電容EC1、第二二極體D2、第一電流控制器CC1以及第二電流控制器CC2。

在第14圖的實施例中，橋式整流器BD、發光二極體串列CH1、第一二極體D1、第一電容EC1、第二二極體D2及第二電流控制器CC2均分別與第1圖中的橋式整流器BD、發光二極體串列CH1、第一二極體D1、第一電容EC1、第二二極體D2及第二電流控制器CC2相同，不再贅述。特別的是，低頻閃之發光二極體驅動電路100n的第一電流控制器CC1具有一電流控制器正極與一電流控制器負極，且第一電流控制器CC1包含P型電晶體140、控制單元130及控制電阻CR。其中P型電晶體140具有一閘極、一汲極及一源極，汲極連接於電流控制器負極，並耦接發光二極體串列CH1之正極以及第一二極體D1的負極。控制單元130具有參考電位Vref、輸入電位Vsense及輸出電位，輸出電位連接P型電晶體140之閘極以控制P型電晶體140之啟閉。當輸入電位低於參考電位Vref時，輸出電位關閉P型電晶體140。控制電阻CR之一端連接於P型電晶體140之源極且耦接控制單元130之輸入電位Vsense，控制電阻CR之另一端連接電流控制器正極與直流電源正極。本實施例之控制單元130為電壓比較器。藉此，本發明利用特殊的電壓比較器回授控制P型電晶體140來實現第一電流控制器CC1，其可有效控制發光二極體串列CH1，以實現低頻閃、高LED利用率以及LED區域低電壓之效。另外值得一提的是，第二電流控制器CC2的結構可與第一電流控制器 CC1的結構相同，亦即第二電流控制器CC2可透過此種P型電晶體140、控制單元130及控制電阻CR之電路連結及交互作用來實現。

請一併參閱第14圖與第15圖，第15圖係繪示本發明另一實施方式之第七實施例的低頻閃之發光二極體驅動電路100o的示意圖。低頻閃之發光二極體驅動電路100o受交流電源110驅動且包含橋式整流器BD、發光二極體串列CH1、第一二極體D1、第一電容EC1、第二二極體D2、第一電流控制器CC1以及第二電流控制器CC2。

在第15圖的實施例中，橋式整流器BD、發光二極體串列CH1、第一二極體D1、第一電容EC1、第二二極體D2及第一電流控制器CC1均分別與第14圖中的橋式整流器BD、發光二極體串列CH1、第一二極體D1、第一電容EC1、第二二極體D2及第一電流控制器CC1相同，不再贅述。特別的是，低頻閃之發光二極體驅動電路100o的第二電流控制器CC2連接於輸入電位Vsense與第一電容EC1之間，致使電容蓄電路徑P2經過控制電阻CR。換句話說，電容蓄電路徑P2可依序經過直流電源正極、控制電阻CR、第二電流控制器CC2、第一電容EC1、第一二極體D1、發光二極體串列CH1及直流電源負極。藉此，本發明的低頻閃之發光二極體驅動電路100o透過第二電流控制器CC2與控制電阻CR之特殊連接方式有效地提升輸入電位Vsense，進而將N型電晶體120關閉。

請一併參閱第15圖與第16圖，第16圖係繪示本發明另一實施方式之第八實施例的低頻閃之發光二極體驅動電路100p的示意圖。低頻閃之發光二極體驅動電路100p受交流電源110驅動且包含橋式整流器BD、發光二極體串列CH1、第一二極體D1、第一電容EC1、第二二極體D2、第一電流控制器CC1、第二電流控制器CC2、第三二極體D3以及第四二極體D4。

在第16圖的實施例中，橋式整流器BD、發光二極體串列CH1、第一二極體D1、第一電容EC1、第二二極體D2、第一電流控制器CC1及第二電流控制器CC2均分別與第15圖中的橋式整流器BD、發光二極體串列CH1、第一二極體D1、第一電容EC1、第二二極體D2、第一電流控制器CC1及第二電流控制器CC2相同，不再贅述。特別的是，低頻閃之發光二極體驅動電路100p更包含第三二極體D3與第四二極體D4，其中第三二極體D3串連地連接於電容蓄電路徑P2之中，並位於輸入電位Vsense與電容正極之間。而第四二極體D4串連地連接於電容放電路徑P3之中，並位於電容正極與電流控制器正極之間。詳細地說，第三二極體D3的正極耦接第一電流控制器CC1的輸入電位Vsense，第三二極體D3的負極耦接第二電流控制器CC2。第四二極體D4的正極耦接第一電容EC1的電容正極，第四二極體D4的負極則耦接第一電流控制器CC1的電流控制器正極及直流電源正極。藉此，本發明透過第三二極體D3與第四二極體D4之設置來限制第一電容EC1放電時的電流，可進一步降低發光二極體串列CH1的頻閃現象。

請一併參閱第1、17、18A及18B圖，第17圖係繪示本發明一實施例的低頻閃之發光二極體驅動方法200的流程示意圖。第18A圖係繪示第1圖之交流電源110的時序波形圖。第18B圖係繪示第17圖的低頻閃之發光二極體驅動方法200使用於第1圖的低頻閃之發光二極體驅動電路100a的時序波形圖。如圖所示，低頻閃之發光二極體驅動方法200用以驅動低頻閃之發光二極體驅動電路100a，且低頻閃之發光二極體驅動方法200包含第一驅動步驟S2、第二驅動步驟S4、第三驅動步驟S6以及第四驅動步驟S8。在第18A圖中，實線代表交流電源110的電流Iac，虛線代表交流電源110的電壓Vac。在第18B圖中，波形由上而下分別顯示第一二極體D1、第一電流控制器CC1、第二二極體D2、第二電流控制器CC2以及發光二極體串列CH1的電流ID1、ICC1、ID2、ICC2、ICH1，而且波形可分為四個時間區塊T1、T2、T3、T4。這四個時間區塊T1、T2、T3、T4分別對應第一驅動步驟S2、第二驅動步驟S4、第三驅動步驟S6及第四驅動步驟S8。

第一驅動步驟S2係驅動交流電源110並透過橋式整流器BD產生直流電源，當直流電源的電壓大於等於發光二極體串列CH1之發光二極體串聯啟動電壓VCH1時，第一電流控制器CC1導通，而且第一電流控制器CC1會限制通過第一電容EC1的最高電流。

第二驅動步驟S4係驅動交流電源110而改變直流電源。當直流電源的電壓大於等於發光二極體串聯啟動電壓VCH1加上電容電壓VEC1時，第二電流控制器CC2導通且第一電容EC1被充電。

第三驅動步驟S6係驅動交流電源110而改變直流電源。當直流電源的電壓小於發光二極體串聯啟動電壓VCH1加上電容電壓VEC1時，第一電流控制器CC1導通。

第四驅動步驟S8係驅動交流電源110而改變直流電源。當第一電容EC1之電容正極電壓大於發光二極體串列CH1之發光二極體正極電壓時，第二二極體D2導通，藉以令第一電容EC1放電至發光二極體串列CH1。第二二極體D2令第二電容EC2之放電電流不受限制。此外，由第18B圖可知，發光二極體串列CH1的電流ICH1在時間區塊T1、T2、T3、T4均為穩定數值，因此，本發明的低頻閃之發光二極體驅動方法200結合低頻閃之發光二極體驅動電路100a的確可以實現低頻閃、高LED利用率以及達成LED區域低電壓之效。

請一併參閱第5、17、19A及19B圖，第19A圖係繪示第5圖之交流電源110的時序波形圖。第19B圖係繪示第17圖的低頻閃之發光二極體驅動方法200使用於第5圖的低頻閃之發光二極體驅動電路100e的時序波形圖。如圖所示，低頻閃之發光二極體驅動方法200用以驅動低頻閃之發光二極體驅動電路100e，且低頻閃之發光二極體驅動方法200包含第一驅動步驟S2、第二驅動步驟S4、第三驅動步驟S6以及第四驅動步驟S8。在第19A圖中，實線代表交流電源110的電流Iac，虛線代表交流電源110的交流電壓Vac。在第19B圖中，波形由上而下分別顯示第一二極體D1、第一電流控制器CC1、第三電流控制器CC3、第二電流控制器CC2以及發光二極體串列CH1的電流ID1、ICC1、ICC3、ICC2、ICH1，而且波形可分為四個時間區塊T1、T2、T3、T4。這四個時間區塊T1、T2、T3、T4分別對應第一驅動步驟S2、第二驅動步驟S4、第三驅動步驟S6及第四驅動步驟S8。藉此，本發明之第二電容EC2之放電電流受第三電流控制器CC3所限制，可以降低發光二極體串列CH1放電時的電流突波，進而進一步降低頻閃發生的機率。

由上述實施方式可知，本發明具有下列優點：其一，利用發光二極體供電路徑、電容蓄電路徑及電容放電路徑上的元件作動及交互作用可有效控制發光二極體串列，以實現低頻閃、高LED利用率以及LED區域低電壓之效。其二，透過第二電流控制器的耦接位置變換，亦可對發光二極體串列實現低頻閃、高LED利用率以及LED區域低電壓之效。其三，利用第二電容的設置，可進一步降低發光二極體串列的頻閃現象。其四，透過電阻的設置，可進一步增加電路的穩定度與安全性。其五，藉由第三電流控制器，可限制第一電容放電時的電流，並進一步降低發光二極體串列的頻閃現象。其六，利用特殊的電壓比較器回授控制來實現第一電流控制器，其可有效控制發光二極體串列，以實現低頻閃、高LED利用率以及LED區域低電壓之效。其七，透過第二電流控制器與控制電阻之特殊連接方式，能有效地提升輸入電位，進而將N型電晶體關閉。其八，利用第三二極體與第四二極體之設置來限制第一電容放電時的電流，可進一步降低發光二極體串列的頻閃現象。

雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

Claims

一種低頻閃之發光二極體驅動電路，受一交流電源驅動，該低頻閃之發光二極體驅動電路包含：一橋式整流器，連接該交流電源，該橋式整流器用以整流該交流電源而輸出一直流電源，該直流電源具有一直流電源正極與一直流電源負極；一發光二極體串列；一第一二極體，串聯地連接該發光二極體串列之負極；一第一電容，串聯地連接該第一二極體之負極，該第一電容具有一電容正極與一電容負極；一第二二極體，串聯地連接該第一二極體之負極，並耦接該電容正極；一第一電流控制器，串聯地連接該發光二極體串列之負極，並耦接該第一二極體之正極；以及一第二電流控制器；其中，該直流電源、該發光二極體串列及該第一電流控制器形成一發光二極體供電路徑，且該發光二極體供電路徑依序經過該直流電源正極、該發光二極體串列、該第一電流控制器及該直流電源負極；其中，該直流電源、該發光二極體串列、該第一二極體、該第一電容及該第二電流控制器形成一電容蓄電路徑；其中，該第一電容、該第二二極體、該發光二極體串列及該第一電流控制器形成一電容放電路徑，且該電容放電路徑依序經過該電容正極、該第二二極體、該發光二極體串列、該第一電流控制器及該電容負極。
如申請專利範圍第1項所述之低頻閃之發光二極體驅動電路，其中該電容蓄電路徑依序經過該直流電源正極、該發光二極體串列、該第一二極體、該第一電容、該第二電流控制器及該直流電源負極。
如申請專利範圍第1項所述之低頻閃之發光二極體驅動電路，其中該電容蓄電路徑依序經過該直流電源正極、該第二電流控制器、該發光二極體串列、該第一二極體、該第一電容及該直流電源負極。
如申請專利範圍第1項所述之低頻閃之發光二極體驅動電路，更包含：一第二電容，並聯地連接該發光二極體串列。
如申請專利範圍第1項所述之低頻閃之發光二極體驅動電路，更包含：一電阻，設於該電容放電路徑之中，且位於該第二二極體與該發光二極體串列之間，該電阻用以降低該電容放電路徑之一浪湧電流。
如申請專利範圍第1項所述之低頻閃之發光二極體驅動電路，更包含：一第三電流控制器，設於該電容放電路徑之中，且位於該第二二極體與該發光二極體串列之間，該第三電流控制器用以控制該電容放電路徑之一放電電流。
如申請專利範圍第1項所述之低頻閃之發光二極體驅動電路，其中該第一電流控制器具有一電流控制器正極與一電流控制器負極，該第一電流控制器包含：一N型電晶體，具有一閘極、一汲極及一源極，該汲極連接於該電流控制器正極，並耦接該發光二極體串列之負極；一控制單元，具有一參考電位、一輸入電位及一輸出電位，該輸出電位連接該N型電晶體之該閘極以控制該N型電晶體之啟閉，當該輸入電位高於該參考電位時，該輸出電位關閉該N型電晶體；及一控制電阻，其一端連接於該N型電晶體之該源極且耦接該控制單元之該輸入電位，該控制電阻之另一端連接該電流控制器負極。
如申請專利範圍第7項所述之低頻閃之發光二極體驅動電路，其中該電容蓄電路徑經過該控制電阻，以提升該輸入電位而將該N型電晶體關閉。
如申請專利範圍第1、7或8項所述之低頻閃之發光二極體驅動電路，更包含：一第三二極體，串連地連接於該電容蓄電路徑之中，並位於該電容負極與該第一電流控制器之間；及一第四二極體，串連地連接於該電容放電路徑之中，並位於該電流控制器負極與該電容負極之間。
一種低頻閃之發光二極體驅動電路，受一交流電源驅動，該低頻閃之發光二極體驅動電路包含：一橋式整流器，連接該交流電源，該橋式整流器用以整流該交流電源而輸出一直流電源，該直流電源具有一直流電源正極與一直流電源負極；一發光二極體串列；一第一二極體，串聯地連接該發光二極體串列之正極；一第一電容，串聯地連接該第一二極體之正極，該第一電容具有一電容正極與一電容負極；一第二二極體，串聯地連接該第一二極體之正極，並耦接該電容負極；一第一電流控制器，串聯地連接該發光二極體串列之正極，並耦接該第一二極體之負極；以及一第二電流控制器；其中，該直流電源、該第一電流控制器及該發光二極體串列形成一發光二極體供電路徑，且該發光二極體供電路徑依序經過該直流電源正極、該第一電流控制器、該發光二極體串列及該直流電源負極；其中，該直流電源、該第二電流控制器、該第一電容、該第一二極體及該發光二極體串列形成一電容蓄電路徑；其中，該第一電容、該第一電流控制器、該發光二極體串列及該第二二極體形成一電容放電路徑，且該電容放電路徑依序經過該電容正極、該第一電流控制器、該發光二極體串列、該第二二極體及該電容負極。
如申請專利範圍第10項所述之低頻閃之發光二極體驅動電路，其中該電容蓄電路徑依序經過該直流電源正極、該第二電流控制器、該第一電容、該第一二極體、該發光二極體串列及該直流電源負極。
如申請專利範圍第10項所述之低頻閃之發光二極體驅動電路，其中該電容蓄電路徑依序經過該直流電源正極、該第一電容、該第一二極體、該發光二極體串列、該第二電流控制器及該直流電源負極。
如申請專利範圍第10項所述之低頻閃之發光二極體驅動電路，更包含：一第二電容，並聯地連接該發光二極體串列。
如申請專利範圍第10項所述之低頻閃之發光二極體驅動電路，更包含：一電阻，設於該電容放電路徑之中，且位於該發光二極體串列與該第二二極體之間，該電阻用以降低該電容放電路徑之一浪湧電流。
如申請專利範圍第10項所述之低頻閃之發光二極體驅動電路，更包含：一第三電流控制器，設於該電容放電路徑之中，且位於該發光二極體串列與該第二二極體之間，該第三電流控制器用以控制該電容放電路徑之一放電電流。
如申請專利範圍第10項所述之低頻閃之發光二極體驅動電路，其中該第一電流控制器具有一電流控制器正極與一電流控制器負極，該第一電流控制器包含：一P型電晶體，具有一閘極、一汲極及一源極，該汲極連接於該電流控制器負極，並耦接該發光二極體串列之正極；一控制單元，具有一參考電位、一輸入電位及一輸出電位，該輸出電位連接該P型電晶體之該閘極以控制該P型電晶體之啟閉，當該輸入電位低於該參考電位時，該輸出電位關閉該P型電晶體；及一控制電阻，其一端連接於該P型電晶體之源極且耦接該控制單元之該輸入電位，該控制電阻之另一端連接該電流控制器正極。
如申請專利範圍第16項所述之低頻閃之發光二極體驅動電路，其中該電容蓄電路徑經過該控制電阻，以降低該輸入電位而將該P型電晶體關閉。
如申請專利範圍第10、16或17項所述之低頻閃之發光二極體驅動電路，更包含：一第三二極體，串連地連接於該電容蓄電路徑之中，並位於該第一電流控制器與該電容正極之間；及一第四二極體，串連地連接於該電容放電路徑之中，並位於該電容正極與該電流控制器正極之間。
一種低頻閃之發光二極體驅動方法，用以驅動一低頻閃之發光二極體驅動電路，該低頻閃之發光二極體驅動電路包含一發光二極體串列、一橋式整流器、一第一二極體、一第二二極體、一第一電容、一第一電流控制器及一第二電流控制器，該低頻閃之發光二極體驅動方法包含以下步驟：一第一驅動步驟，係驅動一交流電源並透過該橋式整流器產生一直流電源，當該直流電源大於等於該發光二極體串列之一發光二極體串聯啟動電壓時，該第一電流控制器導通；一第二驅動步驟，係驅動該交流電源而改變該直流電源，當該直流電源大於等於該發光二極體串聯啟動電壓加上一電容電壓時，該第二電流控制器導通；一第三驅動步驟，係驅動該交流電源而改變該直流電源，當該直流電源小於該發光二極體串聯啟動電壓加上該電容電壓時，該第一電流控制器導通；以及一第四驅動步驟，係驅動該交流電源而改變該直流電源，當該第一電容之一電容正極電壓大於該發光二極體串列之一發光二極體正極電壓時，該第二二極體導通，藉以令該第一電容放電至該發光二極體串列。