TWI653753B - 感測元件 - Google Patents
感測元件 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI653753B TWI653753B TW106131287A TW106131287A TWI653753B TW I653753 B TWI653753 B TW I653753B TW 106131287 A TW106131287 A TW 106131287A TW 106131287 A TW106131287 A TW 106131287A TW I653753 B TWI653753 B TW I653753B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- zinc oxide
- layer
- sensing
- electric double
- sensing element
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
- G01N27/125—Composition of the body, e.g. the composition of its sensitive layer
- G01N27/126—Composition of the body, e.g. the composition of its sensitive layer comprising organic polymers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
- G01N27/125—Composition of the body, e.g. the composition of its sensitive layer
- G01N27/127—Composition of the body, e.g. the composition of its sensitive layer comprising nanoparticles
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
- G01N33/48—Biological material, e.g. blood, urine; Haemocytometers
- G01N33/483—Physical analysis of biological material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Biomedical Technology (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Hematology (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Urology & Nephrology (AREA)
- Food Science & Technology (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
一種感測元件包括導電基板、氧化鋅晶種層、複數根氧化鋅奈米柱、具電雙層膜及有機感測層。氧化鋅晶種層位於導電基板上。這些氧化鋅奈米柱自氧化鋅晶種層延伸出來。具電雙層膜覆蓋這些氧化鋅奈米柱。有機感測層位於具電雙層膜上。
Description
本發明係關於一種感測元件。本發明特別係關於一種包含具電雙層膜的感測元件。
近年來,奈米科技蓬勃發展,各式各樣的奈米材料已被廣泛地應用於各種技術領域中。舉例來說,奈米金屬氧化物材料可被用於製造氣體感測器。然而,利用奈米金屬氧化物材料製造氣體感測器的製程步驟通常較為複雜,難度也較高。並且,由奈米金屬氧化物材料所製得的氣體感測器的表面通常凹凸不平,而對於氣體感測器的使用壽命有不利的影響。
鑒於上述,需要一種新的感測器來解決上述的問題。
本揭示內容提供一種感測元件,其包括導電基板、氧化鋅晶種層、複數根氧化鋅奈米柱、具電雙層膜及有機感測層。氧化鋅晶種層位於導電基板上。這些氧化鋅奈米柱自氧化鋅晶種層延伸出來。具電雙層膜覆蓋這些氧化鋅奈
米柱。有機感測層位於具電雙層膜上。
在一些實施方式中,這些氧化鋅奈米柱埋設於具電雙層膜中。
在一些實施方式中,具電雙層膜填滿這些氧化鋅奈米柱間的間隙。
在一些實施方式中,這些氧化鋅奈米柱係藉由具電雙層膜與有機感測層分隔。
在一些實施方式中,感測元件進一步包括電阻測量元件(Resistance measuring element),其中電阻測量元件與導電基板電性連結。
在一些實施方式中,具電雙層膜與有機感測層間的界面為實質上平坦的。
在一些實施方式中,具電雙層膜具有實質上平坦的上表面。
在一些實施方式中,有機感測層具有實質上平坦的上表面。
在一些實施方式中,具電雙層膜的材料包括含氟聚合物。
在一些實施方式中,有機感測層包括至少一抗原。
應該理解的是,前述的一般性描述和下列具體說明僅僅是示例性和解釋性的,並旨在提供所要求的本發明的進一步說明。
100A、100B‧‧‧感測元件
110‧‧‧導電基板
120‧‧‧氧化鋅晶種層
122‧‧‧氧化鋅奈米柱
130‧‧‧具電雙層膜
140‧‧‧有機感測層
150‧‧‧電阻測量元件
160‧‧‧導線
170‧‧‧有機感測層
S1、S2‧‧‧上表面
Ag‧‧‧抗原
E‧‧‧電雙層
I‧‧‧界面
Ig‧‧‧抗體
G‧‧‧間隙
本發明上述和其他態樣、特徵及其他優點參照說明書內容並配合附加圖式得到更清楚的瞭解,其中:第1~4圖係根據各種實施方式之感測元件在各種製作階段的剖面圖;以及第5圖係根據一實施方式之感測元件在進行感測時的示意圖。
為了使本揭示內容之敘述更加詳盡與完備,可參照所附之圖式及以下所述各種實施例,圖式中相同之號碼代表相同或相似之元件。
以下將以圖式揭露本發明之複數個實施方式,為明確說明起見,許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而,應瞭解到,這些實務上的細節不應用以限制本發明。也就是說,在本發明部分實施方式中,這些實務上的細節是非必要的。此外,為簡化圖式起見,一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。
本揭示內容提供一種感測元件,第1~4圖係根據各種實施方式之感測元件在各種製作階段的剖面圖。
請參照第1圖,形成金屬氧化物晶種層例如是氧化鋅晶種層120於導電基板110上,氧化鋅晶種層120可利於後續的氧化鋅奈米柱之成長。在一些實施方式中,氧化鋅
晶種層120係直接接觸導電基板110。形成氧化鋅晶種層120的方法包括但不限於電化學沉積法(Electrophoretic deposition,EPD)、溶膠-凝膠法(Sol-Gel method)、旋轉塗佈法(Spin coating)、電子束蒸鍍法(E-gun evaporation)、化學氣相沉積法(Chemical vapor deposition,CVD)、脈衝雷射沉積法(Pulsed laser deposition,PLD)、原子層沉積法(Atomic layer deposition,ALD)或濺射(Sputtering)。CVD例如為有機金屬化學氣相沉積法(Metal-organic chemical vapor deposition,MOCVD)。
在一些實施方式中,導電基板110的材料包括金屬、合金、金屬氧化物或其組合。舉例來說,導電基板110的材料包括但不限於銦錫氧化物(Indium tin oxide,ITO)。在一些實施方式中,導電基板110為ITO基板,氧化鋅晶種層120可藉由電化學沉積法或溶膠-凝膠法而直接形成於ITO基板上。
請參照第2圖,形成金屬氧化物奈米柱例如是複數根氧化鋅奈米柱122於氧化鋅晶種層120上。形成這些氧化鋅奈米柱122的方法包括但不限於水熱法(Hydrothermal method)、化學氣相沉積法(例如:有機金屬化學氣相沉積法)、脈衝雷射沉積法、分子束磊晶(Molecular beam epitaxy,MBE)或電化學沉積法。舉例來說,藉由電化學沉積法,氧化鋅可於氧化鋅晶種層120上透過自組裝的方式形成氧化鋅奈米柱122。
第2圖所繪示之這些氧化鋅奈米柱122的排列僅為示例性的。根據不同的形成氧化鋅奈米柱122的方法,在一些實施方式中,這些氧化鋅奈米柱122係定向生長於氧化鋅晶種層120上,因此,這些氧化鋅奈米柱122會規則排列。在另一些實施方式中,這些氧化鋅奈米柱122係非定向生長於氧化鋅晶種層120上,因此,這些氧化鋅奈米柱122會隨機排列。
如第2圖所示,這些氧化鋅奈米柱122係成長於氧化鋅晶種層120上,因此,這些氧化鋅奈米柱122會自氧化鋅晶種層120延伸出來。在一些實施方式中,由這些氧化鋅奈米柱122所構成之結構可被稱之為氧化鋅奈米柱陣列(ZnO nanorod array)。在一些實施方式中,氧化鋅奈米柱122被稱之為氧化鋅奈米線,因此,由這些氧化鋅奈米柱122所構成之結構亦可被稱之為氧化鋅奈米線陣列(ZnO nanowire array)。在一些實施方式中,氧化鋅奈米柱122含有摻雜物,例如:鋰、鎂、銅、鋁、鎵、銦或鈷。
請參照第3圖,形成具電雙層(Electrical double layer)膜130於氧化鋅奈米柱122上以覆蓋這些氧化鋅奈米柱122。具電雙層膜130可預防氧化鋅奈米柱122劣化。在一些實施方式中,這些氧化鋅奈米柱122係埋設於具電雙層膜130中。
本揭示內容中所稱之「具電雙層膜」係指在膜的內部具有電雙層的膜。「具電雙層膜」亦可被稱之為「含電雙層膜」或「具電雙層結構膜」。詳細來說,具電雙層膜
130的內部具有可自由移動的離子,因此具電雙層膜130能夠產生包括一正電荷層及一負電荷層的電雙層,且具有高電容率。在一些實施方式中,具電雙層膜130的材料包括含氟聚合物。舉例來說,含氟聚合物包括但不限於聚偏二氟乙烯(Polyvinylidene difluoride,PVDF)、環狀透明光學聚合物(Cyclic transparent optical polymer,CYTOP)或其組合。
形成具電雙層膜130的方法包括但不限於液態製程(Liquid process)。舉例來說,具電雙層膜130可藉由塗佈(Coating)而直接包覆氧化鋅奈米柱122,因此,具電雙層膜130係直接接觸氧化鋅奈米柱122。在一些實施方式中,這些氧化鋅奈米柱122間的間隙G係被具電雙層膜130填滿。在一些實施方式中,具電雙層膜130的上表面S1為實質上平坦的。
請參照第4圖,形成有機感測層140於具電雙層膜130上以形成感測元件100A。形成有機感測層140的方法包括但不限於塗佈。有機感測層140具有吸附待測物的能力或具有與待測物反應的能力。當有機感測層140吸附待測物或與待測物反應時,會造成有機感測層140的能障及電位改變。有機感測層140的材料係由待測物的種類而決定。待測物的狀態可為氣態、液態或固態。舉例來說,待測物包括但不限於一氧化碳、氧氣、甲醛、臭氧、氫氣、乙炔、己烯或抗體。
在一些實施方式中,有機感測層140具有可與
待測物反應的官能基。在一些實施方式中,待測物為羧酸(Carboxylic acid),有機感測層具有羥基(-OH)。在一些實施方式中,待測物為醇(Alcohol),有機感測層具有羧基(-COOH)。在一些實施方式中,待測物為胺(Amine),有機感測層具有羧基。在一些實施方式中,待測物為羧酸,有機感測層具有胺基。在一些實施方式中,待測物為醯胺(Amide),有機感測層具有羧基。
如第4圖所示,感測元件100A包括導電基板110、氧化鋅晶種層120、複數根氧化鋅奈米柱122、具電雙層膜130及有機感測層140。氧化鋅晶種層120位於導電基板110上。這些氧化鋅奈米柱122自氧化鋅晶種層120延伸出來。具電雙層膜130覆蓋這些氧化鋅奈米柱122。有機感測層140位於具電雙層膜130上。在一些實施方式中,這些氧化鋅奈米柱122係藉由具電雙層膜130而與有機感測層140分隔。在一些實施方式中,由於具電雙層膜130的上表面S1為實質上平坦的,因此具電雙層膜130與有機感測層140間的界面I亦為實質上平坦的。在一些實施方式中,有機感測層140的上表面S2為實質上平坦的,因此感測元件100A不易在感測時受損,因此具有較長的使用壽命。
在一些實施方式中,感測元件100A進一步包括電阻測量元件150(Resistance measuring element),其中,電阻測量元件150與導電基板110電性連結。舉例來說,電阻測量元件150可為歐姆計(Ohmmeter)或三用電表(Multimeter)。
如第4圖所示,電阻測量元件150藉由導線160與導電基板110的兩端連接以測量導電基板110、氧化鋅晶種層120、氧化鋅奈米柱122、具電雙層膜130及有機感測層140的電阻。
當有機感測層140吸附待測物或與待測物反應時,會造成有機感測層140的能障及電位改變,而促使具電雙層膜130中的電荷分佈改變。因此,具電雙層膜130中的電位也會隨之改變,使得電阻測量元件150所測得之電阻值會發生變化,藉由電阻值的變化可得知待測物的數量。換言之,導電基板110、氧化鋅晶種層120、氧化鋅奈米柱122、具電雙層膜130及有機感測層140可被視為一可變電阻。由於氧化鋅奈米柱122具有高表面積,且具電雙層膜130具有高電容,本揭示內容之感測元件100A會具有相當良好的靈敏度。亦即,本發明藉由具有高表面積的氧化鋅奈米柱122與具電雙層膜130增加表面積的接觸而使感測元件100A會具有相當良好的靈敏度。在其他實施例中,氧化鋅奈米柱122亦可以其他材質替代來達到本發明之增加表面積接觸之目的。
請參照第5圖,第5圖係根據一實施方式之感測元件100B在進行感測時的示意圖。感測元件100B包括導電基板110、氧化鋅晶種層120、氧化鋅奈米柱122、具電雙層膜130及有機感測層170。有機感測層包括至少一抗原Ag,待測物包括至少一抗體Ig。
第5圖的感測元件100B與第4圖的感測元件
100A的不同之處在於第5圖進一步繪示出有機感測層170具有至少一可與抗體Ig結合之抗原Ag,以及具電雙層膜130中的電雙層E。應注意的是,第5圖所繪示之電雙層E僅僅是示例性和解釋性的。
當有機感測層170中的抗原Ag與抗體Ig結合時,會促使有機感測層170的電位發生變化,而使得具電雙層膜130中的電荷分佈改變,因此,具電雙層膜130中的電位也會隨之改變,使得電阻測量元件150所測得之電阻值會發生變化,藉由電阻值的變化可得知抗體Ig的數量。
綜上所述,本揭示內容提供一種包含具電雙層膜的感測元件,其具有高靈敏度、使用壽命長且可預防氧化鋅奈米柱劣化的優點。
雖然本發明已以實施方式揭露如上,以上所述僅為本發明之較佳實施例,並非用以限定本發明,任何熟習此技藝者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可作各種之均等變化與修飾,皆應屬本發明之涵蓋範圍,因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
Claims (9)
- 一種感測元件,包括:一導電基板;一氧化鋅晶種層,位於該導電基板上;複數根氧化鋅奈米柱,自該氧化鋅晶種層延伸出來;一具電雙層膜,覆蓋該些氧化鋅奈米柱,其中該具電雙層膜填入該些氧化鋅奈米柱間的間隙;以及一有機感測層,位於該具電雙層膜上。
- 如請求項1所述之感測元件,其中該些氧化鋅奈米柱埋設於該具電雙層膜中。
- 如請求項1所述之感測元件,其中該些氧化鋅奈米柱係藉由該具電雙層膜與該有機感測層分隔。
- 如請求項1所述之感測元件,進一步包括一電阻測量元件,其中該電阻測量元件與該導電基板電性連結。
- 如請求項1所述之感測元件,其中該具電雙層膜與該有機感測層間的一界面為實質上平坦的。
- 如請求項1所述之感測元件,其中該具電雙層膜具有一實質上平坦的上表面。
- 如請求項1所述之感測元件,其中該有機感測層具有一實質上平坦的上表面。
- 如請求項1所述之感測元件,其中該具電雙層膜的材料包括含氟聚合物。
- 如請求項1所述之感測元件,其中該有機感測層包括至少一抗原。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW106131287A TWI653753B (zh) | 2017-09-12 | 2017-09-12 | 感測元件 |
CN201710906697.2A CN109490370B (zh) | 2017-09-12 | 2017-09-29 | 感测元件 |
US16/109,733 US11041822B2 (en) | 2017-09-12 | 2018-08-22 | Sensing element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW106131287A TWI653753B (zh) | 2017-09-12 | 2017-09-12 | 感測元件 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TWI653753B true TWI653753B (zh) | 2019-03-11 |
TW201913994A TW201913994A (zh) | 2019-04-01 |
Family
ID=65630978
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW106131287A TWI653753B (zh) | 2017-09-12 | 2017-09-12 | 感測元件 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11041822B2 (zh) |
CN (1) | CN109490370B (zh) |
TW (1) | TWI653753B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112951956A (zh) * | 2021-03-12 | 2021-06-11 | 广东先导稀材股份有限公司 | 一种GaN基LED外延片及其制备方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW201602031A (zh) | 2014-07-02 | 2016-01-16 | 國立虎尾科技大學 | 氧化鋅奈米片構造層及其製造方法 |
TW201603143A (zh) | 2014-07-01 | 2016-01-16 | 國立交通大學 | 電晶體之製法 |
TW201708813A (zh) | 2014-10-31 | 2017-03-01 | 國立交通大學 | 垂直式感測器及其製造方法 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5339675A (en) * | 1992-10-08 | 1994-08-23 | Millipore Corporation | Apparatus for monitoring impurities in a gas stream |
US7081368B2 (en) * | 2000-09-01 | 2006-07-25 | Japan Science And Technology Corporation | Method for detecting gas with the use of photocurrent amplification and the like and gas sensor |
KR20030025037A (ko) * | 2001-09-19 | 2003-03-28 | 주식회사 기노리텍 | 박막형 전기 이중층 캐패시터 제조방법 |
DE102005020719B3 (de) * | 2005-05-04 | 2006-09-14 | Drägerwerk AG | Offner elektrochemischer Sensor |
US20070040165A1 (en) * | 2005-08-16 | 2007-02-22 | Klaus Dimmler | Method of fabricating organic FETs |
EP2281420B1 (en) * | 2008-04-09 | 2014-10-15 | Agency for Science, Technology And Research | Multilayer film for encapsulating oxygen and/or moisture sensitive electronic devices |
WO2010036289A2 (en) * | 2008-04-30 | 2010-04-01 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Nanorod materials and methods of making and using same |
US8421483B2 (en) * | 2008-06-13 | 2013-04-16 | Sony Ericsson Mobile Communications Ab | Touch and force sensing for input devices |
WO2010070544A1 (en) * | 2008-12-16 | 2010-06-24 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electronic sensor for nitric oxide |
IT1392576B1 (it) * | 2008-12-30 | 2012-03-09 | St Microelectronics Rousset | Dispositivo di rilevamento elettronico di materiali biologici e relativo processo di fabbricazione |
KR101761327B1 (ko) * | 2009-06-02 | 2017-07-25 | 에이전시 포 사이언스, 테크놀로지 앤드 리서치 | 다층 장벽 필름 |
EP2366994A1 (en) * | 2010-03-18 | 2011-09-21 | Wolfgang Knoll | Biosensor on thin-film transistors |
TWI427288B (zh) * | 2010-10-11 | 2014-02-21 | Univ Nat Chiao Tung | 垂直式感測器 |
TW201237411A (en) * | 2011-03-04 | 2012-09-16 | Univ Nat Chiao Tung | Biochemical matter sensor and manufacturing method thereof |
WO2012158914A1 (en) * | 2011-05-17 | 2012-11-22 | Georgia Tech Research Corporation | Nanogenerator for self-powered system with wireless data transmission |
KR20130066268A (ko) * | 2011-12-12 | 2013-06-20 | 한국전자통신연구원 | 산화아연 나노선의 패턴화된 성장 방법 |
KR20130117144A (ko) * | 2012-04-17 | 2013-10-25 | 삼성전자주식회사 | 인버티드 유기 태양전지 및 그 제조방법 |
US9444030B2 (en) * | 2013-05-10 | 2016-09-13 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Nanoporous piezoelectric polymer films for mechanical energy harvesting |
CN104849317B (zh) * | 2014-02-18 | 2018-09-18 | 元太科技工业股份有限公司 | 半导体感测装置及制作方法 |
US20160056324A1 (en) * | 2014-08-19 | 2016-02-25 | Melvin Feinstein | Light enhancement of light emitting diodes |
KR101573652B1 (ko) | 2014-10-23 | 2015-12-01 | 성균관대학교산학협력단 | 산화아연 나노시트 구조물 제조방법 및 이에 의해 제조된 산화아연 나노시트 구조물을 포함하는 전자장치와 터치센서장치 |
WO2019043495A1 (en) * | 2017-09-01 | 2019-03-07 | King Abdullah University Of Science And Technology | METHODS AND APPARATUSES FOR MANUFACTURING PEROVSKITE DEVICES ON FLEXIBLE CONDUCTIVE SUBSTRATES |
-
2017
- 2017-09-12 TW TW106131287A patent/TWI653753B/zh active
- 2017-09-29 CN CN201710906697.2A patent/CN109490370B/zh active Active
-
2018
- 2018-08-22 US US16/109,733 patent/US11041822B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW201603143A (zh) | 2014-07-01 | 2016-01-16 | 國立交通大學 | 電晶體之製法 |
TW201602031A (zh) | 2014-07-02 | 2016-01-16 | 國立虎尾科技大學 | 氧化鋅奈米片構造層及其製造方法 |
TW201708813A (zh) | 2014-10-31 | 2017-03-01 | 國立交通大學 | 垂直式感測器及其製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201913994A (zh) | 2019-04-01 |
US11041822B2 (en) | 2021-06-22 |
CN109490370A (zh) | 2019-03-19 |
CN109490370B (zh) | 2021-08-24 |
US20190079040A1 (en) | 2019-03-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104569061B (zh) | 金属氧化物半导体气体传感器及其制备方法 | |
Choi et al. | Dual functional sensing mechanism in SnO2–ZnO core–shell nanowires | |
Gupta et al. | A low temperature hydrogen sensor based on palladium nanoparticles | |
KR101027074B1 (ko) | 금속산화물층을 갖는 나노구조물 가스센서, 나노구조물 가스센서 어레이 및 그 제조 방법 | |
Jun et al. | Necked ZnO nanoparticle-based NO2 sensors with high and fast response | |
Namgung et al. | Diffusion-driven Al-doping of ZnO nanorods and stretchable gas sensors made of doped ZnO nanorods/Ag nanowires bilayers | |
Shim et al. | Nanogap-controlled Pd coating for hydrogen sensitive switches and hydrogen sensors | |
US20150021716A1 (en) | Low power micro semiconductor gas sensor and method of manufacturing the same | |
US20120255860A1 (en) | Carbon-based electrodes with graphene modification | |
Suh et al. | Synergetically selective toluene sensing in hematite‐decorated nickel oxide nanocorals | |
CN204389426U (zh) | 金属氧化物半导体气体传感器 | |
CN109084674B (zh) | 一种在复合材料表面制备石墨烯传感器的方法 | |
US10859450B2 (en) | Strain sensor and method of fabricating the same | |
Xie et al. | Pd nanoparticle film on a polymer substrate for transparent and flexible hydrogen sensors | |
Jumabekov et al. | Fabrication of back-contact electrodes using modified natural lithography | |
TW201142277A (en) | Gas sensor with a zinc-oxide nanostructure and method for producing the same | |
Haviar et al. | Micro-contacted self-assembled tungsten oxide nanorods for hydrogen gas sensing | |
TWI653753B (zh) | 感測元件 | |
CN107192744A (zh) | 气敏电阻的制造方法及使用该方法制造的气体传感器 | |
KR102125278B1 (ko) | 가스센서 및 그 제조방법 | |
US9034265B2 (en) | Biomolecular sensor with plural metal plates and manufacturing method thereof | |
KR20150026012A (ko) | 가스센서 및 그 제조방법 | |
Pan et al. | Synthesis of SnO2‐ZnO core‐shell nanowires and their optoelectronic properties | |
KR20180115920A (ko) | 나노구조물의 네트워크 구조를 갖는 가스센서 및 가스센서의 제조방법 | |
KR20180119151A (ko) | 수소가스센서 및 이의 제조방법 |