TWI653510B - 控制圖案化製程的方法、微影設備、度量衡設備微影單元及相關電腦程式 - Google Patents

Abstract

本發明揭示一種用以判定對一圖案化製程之諸如臨界尺寸之一所關注參數之校正的方法以及相關設備及電腦程式。該方法包括基於一結構之該所關注參數之一量測以及一曝光控制關係及一製程控制關係而判定對一曝光控制參數之一曝光控制校正及視情況判定對一製程控制參數之一製程控制校正。該曝光控制關係描述該所關注參數對該曝光控制參數之相依性，且該製程控制關係描述該所關注參數對該製程控制參數之相依性。該曝光控制校正及該製程控制校正可經共同最佳化以最小化後續經曝光及處理之結構之該所關注參數相對於一所關注目標參數的變化。

Description

控制圖案化製程的方法、微影設備、度量衡設備微影單元及相關電腦程式

本發明係關於可用於(例如)藉由微影技術來製造裝置之微影的方法及設備，且係關於使用微影技術來製造裝置之方法。

微影設備為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影設備可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化裝置(其被替代地稱作光罩或倍縮光罩)可用於產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。此圖案可轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經連續圖案化之鄰近目標部分的網路。在圖案化製程中，需要頻繁地對所形成結構進行量測(例如)以用於製程控制及驗證。用於進行此等量測之各種工具為吾人所知，包括常常用以量測臨界尺寸(CD)之掃描電子顯微鏡，及用以量測疊對(裝置中兩個層之對準準確度之量度)之特殊化工具。可依據兩個層之間的未對準程度來描述疊對，例如，對為1 nm之經量測疊對之參考可描述兩個層未對準達1 nm之情形。 已開發供微影領域中使用之各種形式之散射計。此等裝置將輻射光束引導至目標上且量測散射輻射之一或多個性質--例如，依據波長而變化的在單一反射角下之強度；依據反射角而變化的在一或多個波長下之強度；或依據反射角而變化的偏振--以獲得可供判定目標之所關注性質之「光譜」。可藉由各種技術來執行所關注性質之判定：例如，藉由諸如嚴密耦合波分析或有限元素方法之反覆途徑而重建構目標；庫搜尋；及主成份分析。

所關注顯著性質為臨界尺寸(CD)。重要的是，結構跨越整個基板(例如，晶圓)形成有準確臨界尺寸控制。此可藉由基於CD之量測判定對微影或蝕刻製程之控制參數的空間解析校正來達成。然而，並非所有類型之結構皆對控制參數之變化作出相同反應。 在一態樣中，提供一種控制用於圖案化製程之所關注參數的方法，該方法包含：基於在製程條件下自至少一個結構判定所關注參數且基於曝光控制關係及製程控制關係而判定對曝光控制參數之曝光控制校正，其中曝光控制關係描述所關注參數對曝光控制參數之相依性，且製程控制關係描述所關注參數對製程控制參數之相依性。 在一態樣中，提供一種可操作以執行如本文中所描述之方法的微影設備、度量衡設備或微影單元。 在一態樣中，提供一種電腦程式，其包含處理器可讀指令，在於適合的處理器控制之設備上執行時，該等處理器可讀指令致使處理器控制之設備執行如本文中所描述之方法，且提供一種包含此類電腦程式之電腦程式載體。處理器控制之設備可包含前述微影設備、度量衡設備或微影單元。 下文中參看隨附圖式詳細地描述其他特徵及優點以及各種實施例之結構及操作。應注意，本發明不限於本文中所描述之特定實施例。本文中僅出於說明性目的而呈現此等實施例。基於本文中所含有之教示，額外實施例對於熟習相關技術者而言將為顯而易見的。

在詳細地描述實施例之前，呈現可供實施實施例之實例環境具指導性。 圖1在200處將微影設備LA展示為實施高容量微影製造製程之工業設施之部分。在本實例中，製造製程經調適以用於在諸如半導體晶圓之基板上製造半導體產品(積體電路)。熟習此項技術者將瞭解，可藉由以此製程之變體處理不同類型之基板來製造廣泛多種產品。半導體產品之生產僅僅用作現今具有巨大商業意義之實例。 在微影設備(或簡稱為「微影工具」200)內，在202處展示量測站MEA且在204處展示曝光站EXP。在206處展示控制單元LACU。在此實例中，每一基板訪問量測站及曝光站以具有經施加圖案。舉例而言，在光學微影設備中，投影系統用於使用經調節輻射及投影系統將產品圖案自圖案化裝置MA轉印至基板上。此轉印藉由在輻射敏感抗蝕劑材料層中形成圖案之影像而完成。 本文中所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解譯為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。圖案化裝置MA可為將圖案賦予至由圖案化裝置透射或反射之輻射光束的光罩或倍縮光罩。熟知操作模式包括步進模式及掃描模式。眾所周知，投影系統可以多種方式與用於基板及圖案化裝置之支撐件及定位系統合作，以跨越基板將所要圖案施加至許多目標部分。可使用可程式化圖案化裝置而非具有固定圖案之倍縮光罩。輻射(例如)可包括深紫外線(DUV)或極紫外線(EUV)波帶中之電磁輻射。本發明亦適用於(例如)藉由電子束進行之其他類型的微影製程，例如壓印微影及直寫微影。 微影設備控制單元LACU控制用以接納基板W及倍縮光罩MA且實施圖案化操作的各種致動器及感測器之所有移動及量測。控制單元LACU亦包括用以實施與設備之操作相關之所要計算的信號處理及資料處理能力。實務上，控制單元LACU將被實現為許多子單元之系統，該等子單元各自處置設備內之子系統或組件的即時資料獲取、處理及控制。 在於曝光站EXP處將圖案施加至基板之前，在量測站MEA處處理基板，使得可進行各種預備步驟。該等預備步驟可包括使用位準感測器來映射基板之表面高度及/或使用對準感測器來量測基板上之對準標記的位置。對準標記係以規則柵格圖案標稱地配置。然而，歸因於創建標記之不準確度且亦歸因於基板之貫穿其處理而發生的變形，標記可與理想柵格偏離。因此，除了量測基板之位置及定向以外，對準感測器在實踐中亦必須詳細地量測跨越基板區域之許多標記的位置(在設備將以極高準確度印刷處於正確部位之產品特徵的情況下)。微影設備LA可(例如)屬於所謂雙載物台類型，其具有兩個台及兩個或多於兩個站(一曝光站及一或多個量測站)，該等台可在該等站之間交換。該設備可具有至少一個基板台及至少一個量測台(其不固持基板)。當使用基板台來曝光基板時，可藉由量測台進行量測。該設備可具有兩個基板台，每一基板台具有由控制單元LACU控制之定位系統。在於曝光站EXP處曝光一個基板台上之一個基板的同時，可在量測站MEA處將另一基板裝載至另一基板台上，使得可進行各種預備步驟。對準標記之量測因此極耗時，且提供兩個基板台實現設備之產出率的相當大增加。 在生產設施內，設備200形成「微影製造單元」或「微影叢集」之部分，該部分亦含有經組態以將感光抗蝕劑及/或一或多個其他塗層施加至基板W以供設備200圖案化之塗佈設備208。在設備200之輸出側處，提供烘烤設備210及顯影設備212以用於將經曝光圖案顯影成實體抗蝕劑圖案。在所有此等設備之間，基板處置系統負責支撐基板且將基板自設備之一個片件轉移至下一片件。通常被集體地稱作塗佈顯影系統(track)之此等設備係在塗佈顯影系統控制單元之控制下，塗佈顯影系統控制單元自身受監督控制系統SCS控制(266)，監督控制系統SCS亦經由微影設備控制單元LACU控制(266)微影設備且可自控制單元LACU接收(252)資訊。因此，不同設備可經操作以最大化產出率及處理效率。監督控制系統SCS接收配方資訊R，配方資訊R非常詳細地提供待執行以產生每一經圖案化基板之步驟的定義。 一旦已在微影製造單元中施加及顯影圖案，即將經圖案化基板220轉移至諸如在222、224、226處所說明之其他處理設備。廣泛範圍之處理步驟係由典型製造設施中之各種設備來實施。出於實例起見，此實施例中之設備222為蝕刻站，且設備224執行蝕刻後退火步驟。在其他設備226等中應用其他物理及/或化學處理步驟。可需要眾多類型之操作以製造實際裝置，諸如材料之沈積、表面材料特性之改質(氧化、摻雜、離子植入等)、化學機械拋光(CMP)、蝕刻(藉由反應性離子蝕刻或濕式蝕刻選擇性移除材料)等等。實務上，設備226可表示在一或多個設備中執行之一系列不同處理步驟。 如所熟知，半導體裝置之製造涉及此處理之許多重複，以在基板上逐層地建置具有適當材料及圖案之裝置結構。因此，到達微影叢集之基板230可為新近製備之基板，或其可為先前已在此叢集中或在另一設備中完全地被處理之基板。相似地，取決於所需處理，離開設備226之基板232可返回以用於同一微影叢集中之後續圖案化操作，其可被預定234以用於不同叢集中之圖案化操作，或其可為成品而待發送以用於分割及封裝234。 產品結構之每一層通常需要一組不同的製程步驟，且用於每一層處之設備226可在類型方面完全不同。另外，即使在待由設備226應用之處理步驟在大設施中標稱地相同的情況下，亦可存在並行地工作以對不同基板執行步驟226之若干假設相同的機器。此等機器之間的設定之小差異或故障可意謂其以不同方式影響不同基板。即使為每一層相對共同之步驟(諸如，蝕刻(設備222))亦可藉由標稱地相同但並行地工作以最大化產出率之若干蝕刻設備來實施。實務上，此外，不同層根據待蝕刻之材料的細節需要不同蝕刻製程，例如，化學蝕刻、電漿蝕刻，且需要特殊要求需要(例如)各向異性蝕刻。 可在其他微影設備中執行先前及/或後續製程(如剛才所提及)，且可甚至在不同類型之微影設備中執行先前及/或後續製程。舉例而言，裝置製造製程中之在諸如解析度及疊對之參數方面要求極高的一些層相比於要求較不高之其他層可在更先進微影工具中予以執行。因此，一些層可曝光於浸潤類型微影工具中，而其他層曝光於「乾式」工具中。一些層可曝光於在DUV波長下工作之工具中，而其他層係使用EUV波長輻射予以曝光。 為了正確地且一致地曝光由微影設備曝光之基板，需要檢測經曝光基板以量測一或多個性質，諸如後續層之間的疊對誤差、線厚度、臨界尺寸(CD)等。因此，經定位有微影製造單元LC之製造設施亦可包括一或多個度量衡系統。度量衡系統可包括單機度量衡設備MET 240及/或整合式度量衡設備IM 207。單機度量衡設備MET 240接納已在微影製造單元中處理之基板W中的一些或全部以用於離線執行量測。整合式度量衡設備IM 207執行線內量測且整合(例如)至塗佈顯影系統中以緊接在曝光之後接納及量測基板W中之一些或全部。將度量衡結果242、245直接地或間接地提供至監督控制系統SCS。若偵測到誤差，則可對後續基板之曝光進行調整，尤其是在度量衡可足夠迅速地且快速地完成而使得同一批量之其他基板仍待曝光的情況下。 現代微影生產設施中之度量衡設備的常見實例為散射計，例如，角解析散射計或光譜散射計，且其可通常應用於在設備222中之蝕刻之前量測220處之經顯影基板的性質。在使用單機度量衡設備240及/或整合式度量衡設備207之情況下，可判定(例如)諸如疊對或臨界尺寸(CD)之效能參數不滿足經顯影抗蝕劑之一或多個經指定準確度要求。在蝕刻步驟之前，存在經由微影叢集剝離經顯影抗蝕劑且重新處理基板220之機會。因此，可使用來自設備240、207之度量衡結果242、245藉由監督控制系統SCS及/或控制單元LACU 206隨時間進行小調整來維持微影叢集中之圖案化操作之準確效能，藉此最小化使產品不符合規範且需要重工之風險。當然，可應用度量衡設備240及/或其他度量衡設備(未圖示)以量測經處理基板232、234及引入基板230之性質。 圖2A中展示度量衡設備。單機度量衡設備240及/或整合式度量衡設備207可包含(例如)此度量衡設備或任何其他合適的度量衡設備。圖2B中更詳細地說明目標T及用於照明該目標之量測輻射之繞射射線。所說明之度量衡設備屬於被稱為暗場度量衡設備之類型。度量衡設備可為單機裝置，或併入於(例如)量測站處之微影設備LA中抑或微影單元LC中。具有貫穿設備之若干分支的光軸係由點線O表示。在此設備中，由源11 (例如，氙氣燈)發射之輻射由包含透鏡12、14及物鏡16之光學系統經由光學元件15引導至基板W上。此等透鏡係以4F配置之雙重序列進行配置。可使用不同透鏡配置，其限制條件為：該透鏡配置仍將基板影像提供至偵測器上，且同時允許進入中間光瞳平面以用於空間頻率濾波。因此，可藉由定義在呈現基板平面之空間光譜之平面(在此處被稱作(共軛)光瞳平面)中的空間強度分佈來選擇輻射入射於基板上之角度範圍。詳言之，可藉由在為物鏡光瞳平面之背向投影式影像之平面中在透鏡12與14之間插入合適形式之孔徑板13來完成此選擇。在所說明之實例中，孔徑板13具有不同形式(被標註為13N及13S)，從而允許選擇不同照明模式。本實例中之照明系統形成離軸照明模式。在第一照明模式中，孔徑板13N提供來自僅出於描述起見指定為「北」之方向的離軸照明。在第二照明模式中，孔徑板13S用於提供類似照明，但該類似照明來自被標註為「南」之相反方向。藉由使用不同孔隙，其他照明模式係可能的。光瞳平面之其餘部分理想地暗，此係因為所要照明模式以外之任何不必要輻射會干擾所要量測信號。 如圖2B中所展示，目標T被置放成基板W垂直於物鏡16之光軸O。基板W可由支撐件(未圖示)來支撐。與軸線O偏離一角度而照射於目標T上之量測輻射射線I產生零階射線(實線0)及兩個一階射線(點鏈線+1及雙點鏈點線-1)。應記住，在藉由填充過度之小目標的情況下，此等射線僅僅為覆蓋包括度量衡目標T及其他特徵之基板區域的許多平行射線中之一者。由於板13中之孔隙具有有限寬度(為導納有用量之輻射所必要)，因此入射射線I實際上將佔據一角度範圍，且繞射射線0及+1/-1將稍微擴散開。根據小目標之點擴散函數，每一階+1及-1將跨越角度範圍進一步擴散，而非如所展示之單一理想射線。應注意，可設計或調整目標之光柵間距及照明角度，使得進入物鏡之一階射線與中心光軸緊密對準。圖2A及圖2B中所說明之射線被展示為稍微離軸，此純粹為了使其能夠在圖中較容易地被區分。 由基板W上之目標T繞射之至少0階及+1階係由物鏡16收集，且被引導回並穿過光學元件15。返回至圖2A，藉由指明被標註為北(N)及南(S)之完全相反孔隙來說明第一照明模式及第二照明模式兩者。當量測輻射之入射射線I來自光軸之北側時，亦即，當使用孔徑板13N來應用第一照明模式時，被標註為+1(N)之+1繞射射線進入物鏡16。相比之下，當使用孔徑板13S來應用第二照明模式時，-1繞射射線(被標註為-1(S))為進入透鏡16之繞射射線。 光束分光器17將繞射光束劃分成兩個量測分支。在第一量測分支中，光學系統18使用零階繞射光束及一階繞射光束在第一感測器19 (例如，CCD或CMOS感測器)上形成目標之繞射光譜(光瞳平面影像)。每一繞射階射中感測器上之不同點，使得影像處理可比較及對比階。由感測器19俘獲之光瞳平面影像可用於聚焦度量衡設備及/或正規化一階光束之強度量測值。光瞳平面影像亦可用於諸如重建構之許多量測目的。 在第二量測分支中，光學系統20、22在感測器23 (例如，CCD或CMOS感測器)上形成目標T之影像。在第二量測分支中，在與光瞳平面共軛之平面中提供孔徑光闌21。孔徑光闌21用以阻擋零階繞射光束，使得形成於感測器23上之目標之影像係僅自-1或+1一階光束形成。由感測器19及23俘獲之影像輸出至處理影像之處理器PU，處理器PU之功能將取決於所執行之量測之特定類型。應注意，此處在廣泛意義上使用術語「影像」。若僅存在-1階及+1階中之一者，則將不形成如此的光柵線之影像。 圖2中所展示之孔徑板13及場光闌21之特定形式純粹為實例。在另一實施例中，使用目標之同軸照明，且使用具有離軸孔隙之孔徑光闌以將實質上僅一個一階繞射輻射傳遞至感測器。在其他實施例中，代替一階光束或除了一階光束以外，二階、三階及高階光束(圖2中未展示)亦可用於量測中。 為了使量測輻射可適於此等不同類型之量測，孔徑板13可包含圍繞圓盤而形成之數個孔隙圖案，該圓盤旋轉以使所要圖案處於適當部位。應注意，孔徑板13N或13S可僅用於量測在一個方向(取決於設定而為X或Y)上定向之光柵。為了量測正交光柵，可能實施目標之90°及270°之旋轉。上文所提及之先前已公開申請案中描述此等孔徑板之使用及設備之眾多其他變化及應用。 合乎需要的是藉由圖案化製程(其可包括用於圖案化之任何製程，包括微影製程及/或蝕刻製程)形成之某些性質(諸如，特徵之尺寸)被維持在某些規範內。做不到此點可能導致許多裝置有缺陷，進而降低良率。一個所關注性質為臨界尺寸(CD)。一或多個特徵之CD為被定義為相對於尺寸控制為重要的尺寸度量。CD控制之一個度量為臨界尺寸均勻性(CDU)，或CD跨越整個基板自結構至結構之均勻程度。對CD之較佳控制將改良最終電氣裝置之CDU及因此良率。蝕刻後CDU通常被視為對於最終裝置均勻性具代表性。 可藉由量測CD (在一個或許多基板上之不同位置處)及判定並應用適當校正以改良回饋迴路中之CDU (藉由使CD更接近預定義值)來最佳化蝕刻後CDU。存在可用於達成此CD控制之兩個主控制迴路。第一控制迴路可為曝光控制迴路。在該曝光控制迴路中，在製程條件下量測CD，例如，緊接在成像及蝕刻步驟之後的蝕刻後CD，且判定曝光控制校正。曝光控制校正可包含對使CD更接近目標CD之相關(例如，空間解析)曝光控制參數(諸如，劑量(在曝光期間抗蝕劑經受之每單位面積曝光能量之度量)或聚焦(在曝光期間經圖案化光束之聚焦))的一或多個校正。隨後在後續曝光中由微影設備應用校正，蝕刻製程保持不變。第二控制迴路可為製程控制迴路(例如，蝕刻控制迴路)，其中量測蝕刻後CD且判定製程控制校正。製程控制校正可包含對使CD更接近目標CD之相關(例如，空間解析)製程控制參數(例如，蝕刻製程之控制參數，諸如溫度)的一或多個校正。隨後由蝕刻設備將校正應用於後續基板之蝕刻處理，微影曝光製程保持不變。此等兩種方法皆能夠達成單一特徵之良好蝕刻後CDU。 然而，單一特徵最佳化可能未必足以最佳化裝置效能。在裝置上存在許多不同特徵，該等特徵皆應在關於CD之規範內。然而，不同結構類別可對控制參數且因此對經判定校正表現不同性能。在基礎層級上，可展示此不同性能之兩種不同結構類別為密集陣列結構(例如，記憶體裝置之密集陣列結構)及隔離結構。 通常，由圖案化裝置偏置及/或子解析度輔助特徵(SRAF)補償預期尺寸與實際經圖案化尺寸(曝光後及蝕刻後)之間的系統性偏移，此在蝕刻之後將密集結構及隔離結構兩者保持在規範內。圖案化裝置偏置/SRAF係由光學近接校正(OPC)模型判定。 理想地，OPC模型將目標上之密集結構及隔離結構兩者之平均CD保持在規範內。可藉由判定如所描述之曝光製程或蝕刻製程之適當參數校正來補償與如本說明書所定義之目標CD的小偏離。然而，對於密集結構及隔離結構需要不同校正之情形，OPC模型被視為不準確的。對於不符合規範之偏離，此將導致效能損耗，且將需要新的OPC模型(以及隨後新的圖案化裝置，等)來解決此問題。在某些情況下，可調整曝光步驟處之照明設定以補償系統性偏移。類似方法可應用於蝕刻製程，此係因為歸因於裝載量，密集結構及隔離結構對許多蝕刻參數之敏感度不同。 此外，密集結構與隔離結構之CD之間的偏移並不跨越基板而恆定，而是展示與位置相關的變化。由此，與隔離結構之CD基板映射相比，密集結構之CD基板映射展示跨越基板的不同指紋。不同指紋之大部分原因為各種影響因素，諸如沈積、旋塗及/或化學-機械拋光相關堆疊變化，此以不同方式影響不同結構類別。 由於指紋不同，可能難以僅使用單一校正(例如，劑量校正或蝕刻校正)來完全補償兩種指紋。舉例而言，應用校正(其使密集結構CD在規範內)可趨向於致使隔離結構CD不符合規範及/或進一步與目標偏離(或反之亦然)。圖3說明此事實。在圖3A及圖3B中之每一者中，線表示目標CD，且點表示三個不同部位L1、L2、L3及隔離結構I (頂部)及密集結構D (底部)之實際CD。在此表示中，點展示得距離線愈遠，該CD距離彼部位處之目標CD就愈遠。圖3A展示可能僅藉由劑量校正(對於為簡單起見在兩個結構之間假設1:1轉印的蝕刻後CD抑或曝光後CD (其為在曝光之後但在蝕刻之前在曝光條件下量測之CD))或僅藉由蝕刻校正(對於蝕刻後CD)的最佳折衷校正。圖3B展示進一步補償以使密集結構CD更接近目標之影響；此致使隔離結構CD進一步與目標偏離。亦將瞭解，繼而可成立：進一步補償以使隔離結構CD更接近目標將致使密集結構CD進一步與目標偏離。 為了解決以上問題，提議基於在製程條件下(例如，處理後，且特定而言蝕刻後)自至少一個結構判定所關注參數且基於曝光控制關係及製程控制關係而判定至少一曝光校正(例如，以最佳化所關注基板內參數，諸如CD)。曝光控制關係描述所關注參數對曝光控制參數(例如，聚焦及/或劑量)之相依性，且製程控制關係描述所關注參數對製程控制參數(例如，蝕刻溫度)之相依性。 在一特定實施例中，提議執行曝光校正與製程(例如，蝕刻)校正之組合以最佳化基板內CD指紋。歸因於目前可用於蝕刻校正之空間解析度，本文中所描述之方法最適合於校正場間效應，但其在經改良解析度蝕刻校正變得可用之情況下不限於此。在一實施例中，該方法可用於僅單一結構類別之CD的最佳化。此可提供優於先前方法之一些優點，諸如擴展可用的校正範圍。在此實例中，可能的是，CD指紋展示基板上之某些區處(諸如，在基板邊緣區中)的大偏移，此導致與目標CD之偏離相對較大。此類大指紋偏移可能超出單一校正之校正能力。舉例而言，可能的是，在僅製程校正或僅曝光校正中不存在足以恰當地補償此類區處之指紋的校正能力。本文中所描述之概念允許使用製程校正與曝光校正之組合進行完全(或至少經改良)校正，藉此擴展可能的校正範圍。舉簡化實例而言，若曝光校正可僅校正特定部位處之5 nm中之3 nm指紋，且類似地製程校正可僅校正彼部位處之5 nm中之3 nm指紋，則可能的是經組合(例如，總計)製程校正及曝光校正可校正整個5 nm指紋。 然而，在一實施例中，本文中所描述之方法可包含執行曝光校正與製程校正之組合以最佳化展示不同CD指紋之兩個或多於兩個結構類別的基板內CD指紋。給定實例為密集結構及隔離結構，但概念不限於此。概念同樣適用於可由CD指紋及/或對特定控制參數之敏感度大體上分類的任何結構類別。在一實施例中，曝光校正及製程校正各自為高階校正，且經共同最佳化以達成兩個或多於兩個不同結構類別之CD指紋最佳化。製程校正可(例如)包含高階基板指紋(例如，15階(或更高階) 2D多項式)以描述基板CDU指紋。 曝光校正包括曝光控制關係之知識，在一實施例中，曝光控制關係描述曝光敏感度，例如，CD如何隨著每一結構類別之相關曝光控制參數(例如，劑量及/或聚焦)變化。製程校正包括製程控制關係之知識，在一實施例中，製程控制關係描述製程敏感度，例如，CD如何隨著每一結構類別之相關製程控制參數(例如，蝕刻溫度)變化。另外，在一實施例中，密集結構之此等敏感度相對於隔離結構之敏感度針對曝光校正及製程校正而理想地不同。換言之，密集結構CD及隔離結構CD之敏感度對相關曝光控制參數的比率應不同於密集結構CD及隔離結構CD對相關製程控制參數之敏感度的比率。不論如何，此等比率將通常為不同的，但在情況並非如此時，提議應藉由調整其他曝光及製程參數來調整此等比率中之一者(或兩者)，以確保相對敏感度不同。 可使用不同敏感度之知識在基板上之任何部位處將密集結構CD及隔離結構CD調整成在目標上。舉例而言，藉由對於每一基板部位偏置曝光後CD以使得製程校正將用以校正兩個結構類別之CD從而使其皆在目標上，可針對兩個結構類別最佳化蝕刻後CD。曝光校正包括用於調節校正之相關製程控制參數之密集結構及隔離結構之製程敏感度的知識；而製程校正包括所應用之曝光校正(在曝光之後的所應用CD偏置)的知識。以此方式，共同最佳化曝光校正及製程校正。 圖4說明此概念。在圖中，線表示目標CD，且點及十字表示三個不同部位L1、L2、L3及隔離結構I (頂部)及密集結構D (底部)之實際曝光後CD (點)及蝕刻後CD (十字)。對於此特定簡化實例，假定隔離結構之CD對相關蝕刻控制參數(例如，溫度)的敏感度比密集結構之CD大三倍。因此，在此實施例中，設計用於曝光控制參數之校正旨在將隔離結構之隨後曝光後CD偏置成與密集結構(y)之曝光後CD相比距離目標CD值(由隔離結構及密集結構之線I、D表示)三倍遠(3y)。此偏置之結果為，後續應用適當蝕刻校正將針對隔離結構及密集結構兩者將CD校正成目標CD值，如十字所展示。 用於判定控制參數校正之特定方法可包含：對於兩個結構類別中之每一者，將CD (曝光後或蝕刻後，其中兩者之間的差應跨越基板而實質上恆定且因此應抵消)與曝光控制參數之關係及蝕刻後CD與製程控制參數之關係組合(後一關係將具有曝光後CD作為其起始點)，藉此發現蝕刻後CD與每一結構類別之曝光控制參數及製程控制參數兩者之間的關係。基於適當的CD量測，此等操作可隨後(對於每一基板部位)被解析為聯立方程式，其中曝光控制參數及製程控制參數之適當校正值被解析為兩個未知數以發現蝕刻後CD調整從而使CD在目標上。 本文中所描述之方法實現取決於可用的校正參數之數目而對展示不同CD指紋之兩個或多於兩個不同結構類別之CD進行理論上理想的校正。特定實例展示使用兩個校正參數(一個為曝光參數且一個為製程參數)來校正之兩個結構類別，且因此實現對此等兩個結構類別之CD進行理論上理想的校正。密集結構及隔離結構僅為兩個結構類別之非限制性實例。可另外存在用以判定用於量測經選擇以供量測之結構類別之結構是否對於整個產品具代表性的步驟。 另外，亦可使用如所描述之一個曝光參數及一個製程參數在本發明之範疇內校正多於兩個結構類別之CD，儘管此未必會導致理論上理想的校正，僅優於當前技術的經改良校正。為了獲得x個不同結構類別(x＞2)之理論上理想的CD校正，需要可受控且與CD之敏感度關係已知且適合的至少x個不同的參數(包括至少一個曝光參數及一個製程參數)。可能的曝光參數包括聚焦及劑量，而可能的製程(例如，蝕刻)參數包括溫度及氣體混合。此實施例將包括更為深入地理解其他相關曝光參數及製程參數與所得影響之互動。舉實例而言，將微影設備聚焦用作曝光控制參數將需要理解對抗蝕劑側壁角之所得影響及繼而其對蝕刻後CD之影響。 圖5為根據一例示性實施例之在具有多個結構類別之曝光製程期間控制尺寸度量之方法的流程圖。步驟如下，且接著此後對其進行更詳細地描述： 500 -開始校準； 502 -隨著曝光控制參數(例如，劑量或聚焦)變化曝光曝光校準基板； 504 -蝕刻曝光校準基板； 506 -量測曝光校準基板； 508 -判定曝光控制參數與所關注參數(例如，CD)之間的曝光控制關係； 510 -曝光製程校準基板； 512 -隨著製程控制參數(例如，溫度)變化蝕刻製程校準基板； 514 -量測製程校準基板； 516 -判定製程控制參數與所關注參數之間的製程控制關係； 518 -曝光參考基板； 520 -蝕刻參考基板； 522 -量測參考基板； 530 -判定對參考基板之曝光控制校正及(視情況)製程控制校正； 540 -使用經判定之曝光控制校正執行曝光步驟； 550 -視情況，使用經判定之製程控制校正執行處理步驟； 560 -量測基板。 步驟500指示開始(並行、部分並行或依序地)曝光、處理及量測一或多個曝光校準基板、一或多個製程校準基板及一或多個參考基板之校準步驟502至522。步驟502至508提及曝光校準基板。在步驟502處，曝光曝光校準基板。在曝光期間，曝光控制參數跨越基板而變化，使得不同部位經受不同的曝光控制參數值。在此等部位中之每一者處，形成每一結構類別之一或多個結構。曝光控制參數可為劑量及/或聚焦(應注意，曝光控制參數可包含使用(例如)聚焦曝光矩陣的聚焦與劑量之組合)。在步驟504處，藉由跨越基板經最佳化之製程控制參數處理基板以最小化所關注參數(例如，CD)隨著製程控制參數之變化。此處理可包含藉由針對基板上之每一點處之恆定蝕刻速率而最佳化之蝕刻(電子夾盤(e-chuck))溫度進行蝕刻(電子夾盤溫度已用於補償(例如)磁場不均勻性或氣體混合變化)。此最佳化通常包含對電子夾盤之徑向溫度調節。在步驟506處，量測基板。在步驟508處，對於每一結構類別，自步驟506之量測判定CD與曝光控制參數之間的曝光控制關係。作為以上方法之替代方案，可在步驟502與504之間執行額外曝光後CD量測以量測抗蝕劑中之基板，其中該關係係自此等量測判定。蝕刻最佳化提供判定曝光蝕刻CD偏置(曝光後CD量測與蝕刻後CD量測之間的差)及使用此而非直接地使用蝕刻後CD量測之選項。 步驟510至516提及製程校準基板。在步驟510處，藉由跨越基板而恆定的曝光控制參數(例如，恆定劑量)曝光製程校準基板。在步驟512處，藉由跨越基板而變化之製程控制參數處理基板，使得不同部位經受不同的製程控制參數值。此等部位中之每一者包含每一結構類別之一或多個結構。此處理可包含藉由跨越基板變化之蝕刻溫度進行蝕刻。舉例而言，對溫度之控制可使得蝕刻速率跨越基板而變化。在步驟514處，量測基板，且在步驟516處，對於每一結構類別，自步驟514之量測判定CD與製程控制參數之間的製程控制關係。實際上，蝕刻校準需要多於一個製程校準基板經歷步驟510至516。 在存在兩個結構類別(例如，密集結構及隔離結構)之情況下，步驟508及516判定：描述CD對結構類別中之第一者之曝光控制參數之相依性的第一曝光控制關係、描述CD對結構類別中之第二者之曝光控制參數之相依性的第二曝光控制關係、描述CD對結構類別中之第一者之製程控制參數之相依性的第一製程控制關係，及描述CD對結構類別中之第二者之製程控制參數之相依性的第二製程控制關係。 在步驟518處，藉由包括來自兩個結構類別之一或多個結構的結構曝光參考基板。在步驟520處，處理(例如，蝕刻)參考基板；且在步驟522處，對參考基板執行CD量測以獲得CD之蝕刻後量測(視情況，亦可在出於監視目的之處理之前進行曝光後CD量測)。 在步驟530處，使用如本文中所揭示之方法基於參考基板量測(及其與目標值之偏離)及上文所判定之關係而對曝光控制參數判定曝光控制校正。在一實施例中，此步驟可包含判定對曝光控制參數及製程控制參數之共同最佳化校正(對於每一部位)。此等校正應用以針對每一量測部位處之所有結構類別使參考基板之蝕刻後CD朝向目標CD。 分別在步驟540及步驟550處，使用對在步驟530處判定之曝光控制參數及(在適用情況下)製程控制參數之共同最佳化校正來曝光及處理後續基板。在步驟560處，量測此等後續基板中之一或多者，且可判定其他校正以校正此等量測之偏離(使用已判定之關係)作為控制迴路之部分。 本文中所描述之概念將有助於改良多個結構類別CD之CDU，且因此將有助於增大電良率。考慮到當前所要CDU效能級別及現代化技術效能，預期對5 nm節點及以下之影響顯著。 雖然以上概念係針對CD之控制而描述，但該等概念同樣適用於可經由控制曝光控制參數及製程控制參數而可預測地控制之其他所關注參數。詳言之，該等概念同樣適用於針對不同結構類別展示與此等控制參數之不同關係的其他此類所關注參數。 雖然上文所描述之度量衡目標為出於量測之目的而具體地設計及形成之度量衡目標，但在其他實施例中，可在為形成於基板上之裝置之功能部分的度量衡目標上量測性質。許多裝置具有規則的類光柵結構。如本文中所使用之度量衡目標光柵及度量衡目標不需要針對所執行在量測具體地提供結構。 一實施例可包括含有機器可讀指令之一或多個序列的電腦程式，該等機器可讀指令經組態以導致執行本文中所描述之方法或其他操作。一實施例可包括含有機器可讀指令之一或多個序列的電腦程式，該等機器可讀指令描述量測基板上之目標及/或分析量測以獲得關於圖案化製程之資訊的方法。亦可提供儲存有此電腦程式之資料儲存媒體(例如，半導體記憶體，磁碟或光碟)。在現有微影或度量衡設備已在生產中及/或在使用中之情況下，一實施例可藉由佈建經更新電腦程式產品來實施，以致使處理器執行本文中所描述之方法。 儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對實施例之使用，但將瞭解，實施例可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許之情況下不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化裝置中之構形界定產生於基板上之圖案。可將圖案化裝置之構形壓入至被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化設備移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。 本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365 nm、355 nm、248 nm、193 nm、157 nm或126 nm之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在5 nm至20 nm之範圍內之波長)；以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。 術語「透鏡」在內容背景允許時可指各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。 可使用以下條項進一步描述本發明： 1. 一種控制用於一圖案化製程之一所關注參數的方法，該方法包含：基於在一製程條件下自一結構進行之該所關注參數之一判定且基於一曝光控制關係及一製程控制關係而判定對一曝光控制參數之一曝光控制校正， 其中該曝光控制關係描述該所關注參數對該曝光控制參數之相依性，且該製程控制關係描述該所關注參數對一製程控制參數之相依性。 2. 如條項1之方法，其中該所關注參數包含一臨界尺寸。 3. 如條項1或條項2之方法，其中針對該基板上之複數個部位判定該曝光控制校正。 4. 如前述條項中任一項之方法，其中判定該曝光控制校正係進一步基於在一曝光條件下自一結構進行之該所關注參數之一判定。 5. 如前述條項中任一項之方法，其進一步包含基於自該結構進行之該所關注參數之該判定、該曝光控制關係及該製程控制關係而判定對一製程控制參數之一製程控制校正。 6. 如條項5之方法，其包含將該曝光控制校正與該製程控制校正組合以相對於可能僅藉由該曝光控制校正或該製程控制校正之情況增大校正範圍。 7. 如條項5或條項6之方法，其包含共同最佳化該曝光控制校正及製程控制校正以最小化一後續結構之該所關注參數相對於一所關注目標參數的變化。 8. 如條項5至7中任一項之方法，其中該製程控制參數為一蝕刻控制參數，且該製程控制校正為一蝕刻控制校正。 9. 如條項8之方法，其中該蝕刻控制參數包含溫度或蝕刻氣體混合，或此兩者。 10. 如條項5至9中任一項之方法，其包含執行一製程步驟以使用對該製程控制參數之該製程控制校正來處理該結構。 11. 如條項5至10中任一項之方法，其中該製程控制校正為跨越該基板之一高階校正，該高階校正包含描述該所關注參數跨越該基板之均勻性的一指紋，該指紋由一10階或更高階2D多項式描述。 12. 如條項11之方法，其中該2D多項式包含一15階或更高階多項式。 13. 如條項5至12中任一項之方法，其中該結構包含複數個結構，且該曝光控制校正及該製程控制校正經共同最佳化，使得該曝光控制校正在該製程步驟之前偏置該等結構之該所得所關注參數，使得在該製程步驟期間該製程控制校正之應用用以最小化後續經曝光及處理之結構之該所關注參數相對於該等結構之一所關注目標參數的變化。 14. 如前述條項中任一項之方法，其中該結構包含可劃分成兩個或多於兩個結構類別之複數個結構，每一結構類別具有一不同曝光控制關係及/或不同製程控制關係。 15. 如條項14之方法，其中該結構類別包含密集結構之一第一結構類別及隔離結構之一第二結構類別。 16. 如條項14或條項15之方法，其中結構類別之數目為二。 17. 如條項14或條項15之方法，其中結構類別之數目大於二。 18. 如條項14至17中任一項之方法，其中該曝光控制校正係自以下各項予以判定：描述該所關注參數對該等結構類別中之一第一者之該曝光控制參數之相依性的一第一曝光控制關係、描述該所關注參數對該等結構類別中之一第二者之該曝光控制參數之相依性的一第二曝光控制關係、描述該所關注參數對該等結構類別中之該第一者之該製程控制參數之相依性的一第一製程控制關係，及描述該所關注參數對該等結構類別中之該第二者之該製程控制參數之相依性的一第二製程控制關係。 19. 如條項14至18中任一項之方法，其中判定包括該等曝光控制校正之校正所針對之參數的總數目至少與結構類別之數目相同，其中該等參數包含曝光控制參數及製程控制參數。 20. 如前述條項中任一項之方法，其中該曝光控制校正為跨越該基板之一高階校正，該高階校正包含描述該所關注參數跨越該基板之均勻性的一指紋，該指紋由一10階或更高階2D多項式描述。 21. 如條項20之方法，其中該2D多項式包含一15階或更高階多項式。 22. 如前述條項中任一項之方法，其中該曝光控制參數包含劑量或聚焦，或此兩者。 23. 如前述條項中任一項之方法，其包含執行一基本步驟以判定該曝光控制關係及該製程控制關係，該基本步驟包含： 隨著該曝光控制參數變化將包含複數個結構類別中之每一者中之一結構的結構曝光於一或多個曝光校準基板上，及量測關於該等所得結構之該所關注參數； 處理一或多個製程校準基板，其包含每一結構類別中之具有不同製程控制參數設定的一結構，及量測關於該等所得結構之該所關注參數； 自該(該等)曝光校準基板之量測判定該曝光控制關係；及 自該(該等)製程校準基板之量測判定該製程控制關係。 24. 如條項23之方法，其中該基本步驟進一步包含將每一結構類別中之一結構曝光於一參考基板上，量測該參考基板及判定該曝光控制校正且在適用情況下判定該製程控制校正以用於量測該參考基板。 25. 如前述條項中任一項之方法，其包含執行一曝光步驟以使用對該曝光控制參數之該曝光控制校正在一基板上形成一結構。 26. 如前述條項中任一項之方法，其包含執行對一基板上之複數個經曝光及處理之結構之一所關注參數的量測。 27. 一種包含處理器可讀指令之電腦程式，該等處理器可讀指令在於合適的處理器控制之設備上運行時，致使該處理器控制之設備執行如前述條項中任一項之方法。 28. 一種電腦程式載體，其包含如條項27之電腦程式。 29. 一種微影設備，其可操作以使用在如條項1至26中任一項之方法中所判定的一曝光控制參數之該曝光控制校正來執行一圖案化製程。 30. 如條項29之微影設備，其可操作以執行如條項1至26中任一項之方法。 31. 如條項29或條項30之微影設備，其包含： 一照明光學系統，其經配置以照明一圖案；及 一投影光學系統，其經配置以將該圖案之一影像投影至一基板上。 32. 一種度量衡設備，其可操作以執行如條項1至24中任一項之方法。 33. 如條項32之度量衡設備，其進一步可操作以執行一基板上之複數個經曝光及處理之結構之一所關注參數的量測。 34. 如條項32或條項33之度量衡設備，其包含： 一照明系統，其經組態以照明一基板上之一結構；及 一偵測系統，其經組態以偵測由該結構之照明產生的散射輻射。 35. 一種微影單元，其包含如條項29至31中任一項之微影設備及/或如條項32至34中任一項之度量衡設備。 36. 一種處理設備，其可操作以使用在如條項5至13中任一項之方法中所判定的一製程控制參數之該製程控制校正對一經曝光基板執行一或多個處理步驟。 37. 如條項36之處理設備，其包含一蝕刻設備。 38. 一種判定對一圖案化製程之一所關注參數之校正的方法，該方法包含： 基於對一基板上之複數個經曝光及處理之結構之一所關注參數之一量測且進一步基於一曝光控制關係及一製程控制關係而判定對一曝光控制參數之一曝光控制校正且判定對一製程控制參數之一製程控制校正，該量測已在已執行一曝光步驟及一製程步驟以形成該等結構之後執行， 其中該曝光控制關係描述該所關注參數對該曝光控制參數之相依性，且該製程控制關係描述該所關注參數對該製程控制參數之相依性。 39. 如條項38之方法，其中該曝光控制校正及製程控制校正經共同最佳化以最小化後續經曝光及處理之結構之該所關注參數相對於一所關注目標參數的變化。 對特定實施例之前述說明將因此充分地揭露本發明之一般性質：在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用此項技術之技能範圍內之知識、根據各種應用而容易修改及/或調適此等特定實施例，而無需進行不當實驗。因此，基於本文中所呈現之教示及導引，此等調適及修改意欲在所揭示之實施例之等效者的涵義及範圍內。應理解，本文中之措辭或術語係出於(例如)描述而非限制之目的，使得本說明書之術語或措辭待由熟習此項技術者按照該等教示及該指導進行解譯。 本發明之廣度及範疇不應由上述例示性實施例中任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效者進行界定。

0‧‧‧零階射線/繞射射線

+1‧‧‧一階射線/繞射射線

-1‧‧‧一階射線/繞射射線

+1(N)‧‧‧+1繞射射線

-1(S)‧‧‧-1繞射射線

11‧‧‧源

12‧‧‧透鏡

13‧‧‧孔徑板

13N‧‧‧孔徑板

13S‧‧‧孔徑板

14‧‧‧透鏡

15‧‧‧光學元件

16‧‧‧物鏡

17‧‧‧光束分光器

18‧‧‧光學系統

19‧‧‧第一感測器

20‧‧‧光學系統

21‧‧‧孔徑光闌

22‧‧‧光學系統

23‧‧‧感測器

200‧‧‧微影設備LA/微影工具

202‧‧‧量測站/MEA

204‧‧‧曝光站/EXP

206‧‧‧控制單元LACU

207‧‧‧整合式度量衡設備IM

208‧‧‧塗佈設備

210‧‧‧烘烤設備

212‧‧‧顯影設備

220‧‧‧基板

222‧‧‧設備

224‧‧‧設備

226‧‧‧設備

230‧‧‧基板

232‧‧‧基板

234‧‧‧基板

240‧‧‧單機度量衡設備MET

242‧‧‧度量衡結果

245‧‧‧度量衡結果

500‧‧‧步驟

502‧‧‧步驟

504‧‧‧步驟

506‧‧‧步驟

508‧‧‧步驟

510‧‧‧步驟

512‧‧‧步驟

514‧‧‧步驟

516‧‧‧步驟

518‧‧‧步驟

520‧‧‧步驟

522‧‧‧步驟

530‧‧‧步驟

540‧‧‧步驟

550‧‧‧步驟

560‧‧‧步驟

D‧‧‧密集結構

EXP‧‧‧曝光站

I‧‧‧隔離結構/量測輻射射線/入射射線

IM‧‧‧整合式度量衡設備

L1‧‧‧部位

L2‧‧‧部位

L3‧‧‧部位

MA‧‧‧圖案化裝置/倍縮光罩

O‧‧‧光軸

PU‧‧‧處理器

R‧‧‧配方資訊

SCS‧‧‧監督控制系統

T‧‧‧度量衡目標

W‧‧‧基板

現在將參看隨附圖式而僅舉實例而言來描述實施例，在該等圖式中： 圖1描繪微影設備連同形成用於半導體裝置之生產設施的其他設備； 圖2A為供用於使用第一對照明孔隙量測目標之暗場散射計之示意圖； 圖2B為針對給定照明方向之目標光柵之繞射光譜的細節； 圖3A示意性地說明(例如)對兩個結構類別之CD量測的最佳可能校正； 圖3B示意性地說明校正另一個結構類別之CD的影響及其對其他結構類別之CD的影響； 圖4示意性地說明根據一實施例之校正步驟；且 圖5為描述根據一實施例之方法的流程圖。

Claims (13)

1. 一種控制用於一圖案化製程之一所關注參數(parameter of interest)之方法，該方法包含：基於在一製程條件下自一結構進行之該所關注參數之一判定且基於一曝光控制關係及一製程控制關係而判定對一曝光控制參數之一曝光控制校正，其中該曝光控制關係描述該所關注參數對該曝光控制參數之相依性(dependence)，且該製程控制關係描述該所關注參數對一製程控制參數之相依性；及基於自該結構進行之該所關注參數之該判定、該曝光控制關係及該製程控制關係而判定對一製程控制參數之一製程控制校正，及共同最佳化該曝光控制校正及該製程控制校正以最小化一後續結構之該所關注參數相對於一所關注目標參數的變化。
2. 如請求項1之方法，其中該所關注參數包含一臨界尺寸。
3. 如請求項1之方法，其中針對該基板上之複數個部位判定該曝光控制校正。
4. 如請求項1之方法，其包含將該曝光控制校正與該製程控制校正組合以相對於可能僅藉由該曝光控制校正或該製程控制校正之情況增大校正範圍。
5. 如請求項1之方法，其中該製程控制參數為一蝕刻控制參數，且該製程控制校正為一蝕刻控制校正。
6. 如請求項1之方法，其包含執行一製程步驟以使用對該製程控制參數之該製程控制校正來處理該結構。
7. 如請求項1之方法，其中該結構包含複數個結構，且該曝光控制校正及該製程控制校正經共同最佳化，使得該曝光控制校正在該製程步驟之前偏置該等結構之該所得所關注參數，使得在該製程步驟期間該製程控制校正之應用用以最小化後續經曝光及處理之結構之該所關注參數相對於該等結構之一所關注目標參數的變化。
8. 如請求項1之方法，其中該曝光控制校正為跨越該基板之一高階校正，該高階校正包含描述該所關注參數跨越該基板之均勻性的一指紋，該指紋由一10階或更高階2D多項式描述。
9. 如請求項1之方法，其包含執行一基本步驟以判定該曝光控制關係及該製程控制關係，該基本步驟包含：隨著該曝光控制參數變化將包含複數個結構類別中之每一者中之一結構的結構曝光於一或多個曝光校準基板上，及量測關於該等所得結構之該所關注參數；處理一或多個製程校準基板，其包含每一結構類別中之具有不同製程控制參數設定的一結構，及量測關於該等所得結構之該所關注參數；自該(該等)曝光校準基板之量測判定該曝光控制關係；及自該(該等)製程校準基板之量測判定該製程控制關係。
10. 一種包含處理器可讀指令之電腦程式，該等處理器可讀指令在於合適的處理器控制之設備上運行時，致使該處理器控制之設備執行如請求項1之方法。
11. 一種微影設備，其可操作以使用在如請求項1之方法中所判定的一曝光控制參數之該曝光控制校正來執行一圖案化製程。
12. 一種度量衡設備，其可操作以執行如請求項1之方法，且其進一步可操作以執行一基板上之複數個經曝光及處理之結構之一所關注參數的量測。
13. 一種處理設備，其可操作以使用在如請求項1之方法中所判定的一製程控制參數之該製程控制校正對一經曝光基板執行一或多個處理步驟。