TWI652658B - 晶片以及使用其的電子裝置 - Google Patents

Abstract

一種晶片，包含基板、第一金屬層、第一隔離層以及第二金屬層。第一金屬層設置於基板上，並包含第一線路部以及第一對位部，其中第一線路部與第一對位部彼此電性隔離。第一隔離層覆蓋第一金屬層。第二金屬層設置於第一隔離層上，並包含第二線路部以及第二對位部，其中第二線路部與第二對位部彼此電性隔離，第一金屬層的第一對位部於基板的垂直投影與第二金屬層的第二對位部於基板的垂直投影部分重疊，且第一金屬層的第一對位部於基板的垂直投影面積大於第二金屬層的第二對位部於基板的垂直投影面積。

Description

晶片以及使用其的電子裝置

本揭露內容是關於一種晶片以及使用其的電子裝置。

於現今科技的發展中，消費性電子產品已成為主流，例如像是家用顯示器、攜帶型電子裝置或是具互動功能的墊子看板。對於這些消費性電子產品而言，其大多具有顯示以及觸控功能，對此，為了達到此些功能，主流電子產品都以顯示面板或是觸控面板做為主要架構。除了設置有顯示面板或是觸控面板外，用以控制或驅動面板的晶片也會透過貼合的方式設置在面板上。若是在晶片接合面板的過程中發生偏移，將可能會使電子產品無法正常運作並進而面臨到報廢的問題。

另一方面，用來檢測晶片是否偏移的檢測方式也分為多種方式，然而，隨著晶片內的對位記號的設計方式不同，晶片可能僅適用於單一種檢測方式，這也使得當檢測條件趨向嚴苛時，晶片會有無法檢測出其對位狀態的問題。因此，如何能有效解决上述問題，實屬當前重要研發課題之一，亦成為當前相關領域亟需改進的目標。

本揭露內容之一實施方式提供一種電子裝置，包含面板以及貼合在面板上的晶片。晶片包含第一金屬層以及第二金屬層，其中第一金屬層以及第二金屬層分別包含位於晶片的對位區內的第一對位部以及第二對位部。第二對位部是由類似點狀圖案排列而成的陣列圖案，且第二對位部位於第一對位部的正上方並落於第一對位部的輪廓內。第一對位部以及第二對位部可分別做為穿透式對位檢測及反射式對位檢測的主要因子，從而使晶片可適用於穿透式對位檢測及反射式對位檢測。

本揭露內容之一實施方式提供一種晶片，包含基板、第一金屬層、第一隔離層以及第二金屬層。第一金屬層設置於基板上，並包含第一線路部以及第一對位部，其中第一線路部與第一對位部彼此電性隔離。第一隔離層覆蓋第一金屬層。第二金屬層設置於第一隔離層上，並包含第二線路部以及第二對位部，其中第二線路部與第二對位部彼此電性隔離，第一金屬層的第一對位部於基板的垂直投影與第二金屬層的第二對位部於基板的垂直投影部分重疊，且第一金屬層的第一對位部於基板的垂直投影面積大於第二金屬層的第二對位部於基板的垂直投影面積。

於部分實施方式中，第二金屬層的第二對位部於基板的垂直投影完全落於第一金屬層的第一對位部於基板的垂直投影內。

於部分實施方式中，第二金屬層的第二對位部係由複數個金屬圖案排列而成。

於部分實施方式中，第二對位部於基板的垂直投影的部分輪廓與第一對位部於基板的垂直投影的部分輪廓切齊。

於部分實施方式中，第一隔離層具有至少一通孔於其中，且第二金屬層的第二線路部透過第一隔離層的通孔連接至第一金屬層的第一線路部。

於部分實施方式中，晶片更包含第三金屬層，第三金屬層設置於第一隔離層上並位於第一金屬層的第一線路部與第二金屬層的第二線路部之間，其中第一隔離層具有至少一通孔於其中，且第三金屬層透過該第一隔離層的該通孔連接至該第一金屬層的第一線路部。

於部分實施方式中，第一金屬層的第一對位部與第二金屬層的第二對位部之間的層體皆具透光性。

於部分實施方式中，第一金屬層的第一線路部與第一對位部係由第一隔離層的一部份隔開。

於部分實施方式中，第一金屬層的第一對位部係為至少一第一金屬圖案層，第二金屬層的第二對位部係由複數個第二金屬圖案層排列而成，且至少兩個第二金屬圖案層於基板的垂直投影落於單個第一金屬圖案層於基板的垂直投影內。

本揭露內容之一實施方式提供一種電子裝置，包含面板以及晶片，其中晶片設置於面板上，且晶片的第一金屬層的第一線路部與面板電性連接。

100‧‧‧電子裝置

102‧‧‧面板

110A、110B‧‧‧晶片

112‧‧‧基板

114‧‧‧線路區

116、118‧‧‧對位區

120‧‧‧第一金屬層

122‧‧‧第一線路部

124‧‧‧第一對位部

130‧‧‧第二金屬層

132‧‧‧第二線路部

134‧‧‧第二對位部

140‧‧‧第一隔離層

142、154‧‧‧通孔

150‧‧‧第三金屬層

152‧‧‧第二隔離層

1C-1C‧‧‧線段

第1A圖為依據本揭露內容的第一實施方式繪示電子裝置的正視示意圖。

第1B圖繪示第1A圖的電子裝置的晶片的正視示意圖。

第1C圖繪示沿第1B圖的線段1C-1C的剖面示意圖。

第2圖為依據本揭露內容的第二實施方式繪示晶片的剖面示意圖，其剖面位置與第1C圖的剖面位置相同。

以下將以圖式揭露本揭露內容之複數個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本揭露內容。也就是說，在本揭露內容部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。

在本文中，使用第一、第二與第三等等之詞彙，是用於描述各種元件、組件、區域、層是可以被理解的。但是這些元件、組件、區域、層不應該被這些術語所限制。這些詞彙只限於用來辨別單一元件、組件、區域、層。因此，在下文中的一第一元件、組件、區域、層也可被稱為第二元件、組件、區域、層，而不脫離本揭露內容的本意。

請先看到第1A圖，第1A圖為依據本揭露內容的 第一實施方式繪示電子裝置100的正視示意圖。電子裝置100包含面板102以及晶片110A，其中晶片110A可與面板102電性連接，並做為面板102的驅動晶片。晶片110A可透過貼合的方式設置於面板102上，其中晶片110A可藉由其所具有的對位記號於貼合後進行座標對位，以檢測其貼合在面板102上的位置是否有發生偏移。對此，所進行的座標對位可以是穿透式對位檢測或是反射式對位檢測。本揭露內容中，藉由晶片110A所具有的對位記號，無論是使用穿透式對位檢測或是反射式對位檢測，皆可檢測出貼合在面板102上的晶片110A是否有發生偏移，請看到以下說明。

請同時看到第1B圖以及第1C圖，第1B圖繪示第1A圖的電子裝置100的晶片110A的正視示意圖。第1C圖繪示沿第1B圖的線段1C-1C的剖面示意圖。晶片110A可被分成線路區114以及一對對位區116及118，其中對位區116及118可分別位於晶片110A兩側的邊緣處。此外，晶片110A包含基板112、第一金屬層120、第二金屬層130以及第一隔離層140，為了不使圖式過於複雜，第1B圖的晶片110A的線路區114內所繪的線路樣式僅為示意，合先敘明。

第一金屬層120設置於基板112上，並包含彼此電性隔離的第一線路部122以及第一對位部124，其中第一線路部122及第一對位部124可以是透過將同一金屬膜材經圖案化後形成。第一線路部122位於線路區114內，且第一金屬層120的第一線路部122可與面板102(請見第1A圖)電性連接。

第一對位部124位於對位區116以及118內。對位 區116及118內的第一對位部124所呈現的圖案可為輪廓為封閉邊界的圖案。也就是說，在單一對位區116或118內，第一對位部124所呈現的圖案係為單一個輪廓為封閉邊界的圖案。例如，以第1B圖來說，對位區116及118內的第一對位部124係分別呈現輪廓為封閉邊界的十字形圖案，亦即第一對位部124可包含至少一個第一金屬圖案層，且第一金屬圖案層的數量係對應對位區116及118的數量。

本實施方式中，由於對位區116及118的數量為兩個，故第一對位部124的第一金屬圖案層數量也對應為兩個，且此些第一金屬圖案層的輪廓為封閉邊界的十字形圖案，然而，於其他實施方式中，第一對位部124所包含的第一金屬圖案層數量也可隨對位區的數量做調整，或是，第一對位部124所包含的第一金屬圖案層也可以是輪廓為封閉邊界的其他圖案，像是多邊形、圓形或是橢圓形。

第一隔離層140設置於基板112上，並覆蓋第一金屬層120。第一隔離層140可做為第一線路部122與第一對位部124之間的隔離特徵，舉例來說，第一線路部122與第一對位部124之間會存在間隙，而此間隙可由第一隔離層140的一部份填入並隔開第一線路部122與第一對位部124。

第二金屬層130設置於第一隔離層140上，並包含彼此電性隔離的第二線路部132以及第二對位部134，其中第二線路部132以及第二對位部134可以是透過將同一金屬膜材經圖案化後形成。第二線路部132位於線路區114內，且第一金屬層120的第一線路部122於基板112的垂直投影可與第二 金屬層130的第二線路部132於基板112的垂直投影部分重疊。第二金屬層130的第二線路部132可與第一金屬層120的第一線路部122電性連接，舉例來說，第一隔離層140具有至少一通孔142於其中，而第二線路部132可透過第一隔離層140的通孔142連接至第一金屬層120的第一線路部122。

第二對位部134位於對位區116以及118內，且第一金屬層120的第一對位部124於基板112的垂直投影也可與第二金屬層130的第二對位部134於基板112的垂直投影部分重疊，其中第一對位部124於基板112的垂直投影面積會大於第二對位部134於基板的垂直投影面積。對位區116及118內的第二對位部134所呈現的圖案可為類似點狀陣列的圖案。例如，以第1B圖來說，對位區116及118內的第二對位部134係分別呈現排列為十字形的點狀陣列圖案，亦即第二對位部134可包含複數個第二金屬圖案層，其中此些第二金屬圖案層會排列成陣列，且所成的陣列數量係對應對位區116及118的數量。此外，第一對位部124的每一個第一金屬圖案層的尺寸會大於第二對位部134的每一個第二金屬圖案層的尺寸。

除此之外，第二對位部134的第二金屬圖案層於基板112的垂直投影會完全落於第一對位部124的第一金屬圖案層於基板112的垂直投影內，且第二對位部134的第二金屬圖案層是以多對一的方式設置於第一對位部124的第一金屬圖案層的上方。另一方面，第二對位部134的第二金屬圖案層於基板112的垂直投影的部分輪廓也會與第一對位部124的第一金屬圖案層於基板112的垂直投影的部分輪廓切齊。舉例來 說，於第1B圖的對位區116內，以垂直晶片110A的視角觀之，第二對位部134的第二金屬圖案層所排列而成的十字形陣列圖案會落在第一對位部124的第一金屬圖案層內，且十字形陣列圖案的部分輪廓也會與第一金屬圖案層的部分輪廓切齊。

本實施方式中，由於第一金屬層120的第一對位部124與第二金屬層130的第二對位部134之間的層體僅有第一隔離層140，故其之間的層體係具有透光性，透過此種配置方式，當晶片110A貼合在面板102(請見第1A圖)上並進行座標對位的時候，無論所進行的座標對位是穿透式對位檢測或是反射式對位檢測，晶片110A皆可藉由其對位區116及118內的金屬圖案層來檢測其於面板102(請見第1A圖)上的位置是否有發生偏移。

以穿透式對位檢測來說，光源以及感光耦合元件(charge-coupled device；CCD)可設置在晶片110A的相對兩側(例如設置在晶片110A的上側以及下側)。透過光源發射光束至晶片110A，並藉由晶片110A的對位區116及118內的金屬圖案層將光束遮蔽，可使未被遮蔽的光束行進至感光耦合元件，從而形成影像。

藉由晶片110A的對位區116及118內的第一對位部124，由感光耦合元件所形成的影像會出現類似十字形的圖案，具體來說，此十字形的圖案是透過遮蔽光束形成，故此十字形的圖案與周遭環境在影像中的對比度會不相同，例如十字形的圖案為呈現黑色而周遭環境為呈現白色，從而做為晶片是否產生偏移的判斷依據。由於每一對位區116或118內的第一 對位部124是由單一個輪廓為封閉邊界的十字形的圖案形成，故可增進十字形的圖案在影像中的對比度。此外，由於每一對位區116或118內的第二對位部134係位於第一對位部124的正上方並落於第一對位部124的輪廓內，故第二對位部134不會對穿透式對位檢測的結果產生影響。

以反射式對位檢測來說，光源以及感光耦合元件可設置在晶片110A的同一側。透過光源發射光束至晶片110A，可使晶片110A的對位區116及118的金屬圖案層將光束反射至感光耦合元件，從而形成影像。

藉由晶片110A的對位區116及118內的第二對位部134，由感光耦合元件所形成的影像會出現類似十字形的圖案，其中此十字形的圖案是透過光束反射形成，故此十字形的圖案與周遭環境在影像中的對比度會不相同，例如十字形的圖案為呈現白色而周遭環境為呈現黑色，從而做為晶片是否產生偏移的判斷依據。在第二對位部134設計為由類似點狀圖案排列而成的樣式之下，感光耦合元件所形成的影像可呈現較好的對比度。此外，雖每一對位區116或118內的第一對位部124是呈現單一個圖案而非點狀陣列，然而，由於第一對位部124與第二對位部134之間至少存在第一隔離層140並相隔一段距離，故可降低第一對位部124對反射式對位檢測的結果造成影響。

也就是說，對位區116及118內的第一金屬層120的第一對位部124以及第二金屬層130的第二對位部134係可分別做為穿透式對位檢測及反射式對位檢測的主要因子，從而 使晶片110A可適用於穿透式對位檢測及反射式對位檢測，且在穿透式對位檢測中，可透過排列成點狀陣列的第二對位部提升檢測結果的精準度。

請再看到第2圖，第2圖為依據本揭露內容的第二實施方式繪示晶片110B的剖面示意圖，其剖面位置與第1C圖的剖面位置相同。本實施方式與第一實施方式的至少一個差異點在於，本實施方式的晶片110B更包含第三金屬層150以及第二隔離層152，其中第三金屬層150以及第二隔離層152設置於第一隔離層140與第二金屬層130之間。

第三金屬層150設置於第一隔離層140上並位於線路區114內，也就是說，第三金屬層150位於第一金屬層120的第一線路部122與第二金屬層130的第二線路部132之間，且未延伸至第一金屬層120的第一對位部124與第二金屬層130的第二對位部134之間。第三金屬層150可透過將金屬膜材經圖案化後形成，並做為線路使用，例如做為線路使用的第三金屬層150可透過第一隔離層140的通孔142連接至第一金屬層120的第一線路部122。第二隔離層152覆蓋第三金屬層150，並具有至少一通孔154，以使第二金屬層130的第二線路部132可透過第二隔離層152的通孔154連接至第三金屬層150。

本實施方式中，由於第一金屬層120的第一對位部124與第二金屬層130的第二對位部134之間的層體僅有第一隔離層140及第二隔離層152，故其之間的層體皆為具有透光性，於此配置下，當對晶片110B進行穿透式對位檢測或是反射式對位檢測時，仍可透過對位區116及118內的金屬圖案 層檢測其於面板102(請見第1A圖)上的位置是否有發生偏移。

此外，雖本實施方式中的第一金屬層120與第二金屬層130之間的金屬層數量只有一層，然而，本揭露內容所屬技術領域中具有通常知識者，可依實際需求調整第一金屬層120與第二金屬層130之間的金屬層數量。

綜上所述，本揭露內容的電子裝置包含面板以及貼合在面板上的晶片，其中晶片包含第一金屬層以及第二金屬層。第一金屬層以及第二金屬層分別包含位於晶片的對位區內的第一對位部以及第二對位部，其中第二對位部是由類似點狀圖案排列而成的陣列圖案，且第二對位部位於第一對位部的正上方並落於第一對位部的輪廓內。第一對位部以及第二對位部可分別做為穿透式對位檢測及反射式對位檢測的主要因子，從而使晶片可適用於穿透式對位檢測及反射式對位檢測，且在穿透式對位檢測中，可透過排列成點狀陣列的第二對位部提升檢測結果的精準度。

雖然本揭露內容已以多種實施方式揭露如上，然其並非用以限定本揭露內容，任何熟習此技藝者，在不脫離本揭露內容之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本揭露內容之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

Claims (10)

1. 一種晶片，包含：一基板；一第一金屬層，設置於該基板上，並包含一第一線路部以及至少一第一對位部，其中該第一線路部與該第一對位部彼此電性隔離；一第一隔離層，覆蓋該第一金屬層；以及一第二金屬層，設置於該第一隔離層上，並包含一第二線路部以及至少一第二對位部，其中該第二線路部與該第二對位部彼此電性隔離，該第一金屬層的該第一對位部於該基板的垂直投影與該第二金屬層的該第二對位部於該基板的垂直投影部分重疊，且該第一金屬層的該第一對位部於該基板的垂直投影面積大於該第二金屬層的該第二對位部於該基板的垂直投影面積。
2. 如申請專利範圍第1項所述的晶片，其中該第二金屬層的該第二對位部於該基板的垂直投影完全落於該第一金屬層的該第一對位部於該基板的垂直投影內。
3. 如申請專利範圍第2項所述的晶片，其中該第二金屬層的該第二對位部係由複數個金屬圖案排列而成。
4. 如申請專利範圍第3項所述的晶片，其中該第二對位部於該基板的垂直投影的部分輪廓與該第一對位部於該基板的垂直投影的部分輪廓切齊。
5. 如申請專利範圍第1項所述的晶片，其中該第一隔離層具有至少一通孔於其中，且該第二金屬層的該第二線路部透過該第一隔離層的該通孔連接至該第一金屬層的該第一線路部。
6. 如申請專利範圍第1項所述的晶片，更包含：一第三金屬層，設置於該第一隔離層上並位於該第一金屬層的該第一線路部與該第二金屬層的該第二線路部之間，其中該第一隔離層具有至少一通孔於其中，且該第三金屬層透過該第一隔離層的該通孔連接至該第一金屬層的該第一線路部。
7. 如申請專利範圍第6項所述的晶片，其中該第一金屬層的該第一對位部與該第二金屬層的該第二對位部之間的層體皆具透光性。
8. 如申請專利範圍第1項所述的晶片，其中該第一金屬層的該第一線路部與該第一對位部係由該第一隔離層的一部份隔開。
9. 如申請專利範圍第1項所述的晶片，其中該第一金屬層的該第一對位部係為至少一第一金屬圖案層，該第二金屬層的該第二對位部係由複數個第二金屬圖案層排列 而成，且至少兩個該些第二金屬圖案層於該基板的垂直投影落於單個該第一金屬圖案層於該基板的垂直投影內。
10. 一種電子裝置，包含：一面板；以及如請求項1至9任一項的晶片，設置於該面板上，其中該晶片的該第一金屬層的該第一線路部與該面板電性連接。