TWI650759B - 過驅動電壓產生器 - Google Patents
過驅動電壓產生器 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI650759B TWI650759B TW107117070A TW107117070A TWI650759B TW I650759 B TWI650759 B TW I650759B TW 107117070 A TW107117070 A TW 107117070A TW 107117070 A TW107117070 A TW 107117070A TW I650759 B TWI650759 B TW I650759B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- voltage
- circuit
- transistor
- switch
- overdrive
- Prior art date
Links
Landscapes
- Dc-Dc Converters (AREA)
- Dram (AREA)
Abstract
一種過驅動電壓產生器,其包括第一開關電路、升壓電路、第二開關電路以及比較電路。第一開關電路耦接在第一電源與輸出端之間,用以受控於開關信號以提供過驅動電壓至輸出端。升壓電路耦接在第二電源與節點之間,用以對第二電源的電壓進行升壓,以提供泵電壓至節點。第二開關電路耦接在節點與輸出端之間,用以受控於開關信號以提供過驅動電壓至輸出端。比較電路耦接第一開關電路、第二開關電路以及輸出端,用以對過驅動電壓與第一參考電壓進行比較以產生開關信號。
Description
本發明是有關於一種電壓產生器,且特別是有關於一種過驅動電壓產生器。
一般來說,為了提升動態隨機存取記憶體(dynamic random access memory,DRAM)的感測放大器(sensing amplifier,SA)的感測速度,通常會在感測放大器的位元線最高準位電壓上使用過驅動(overdrive)的技術。詳細來說,以下請參照圖1,圖1是已知的動態隨機存取記憶體的感測放大器的電源供應示意圖。如圖1所示,電壓調節器630可根據第二電源VDD2產生位元線最高準位電壓VBLH,並透過開關650提供位元線最高準位電壓VBLH至感測放大電路660,致使感測放大電路660可感測位元線對BL、/BL的信號。另外,可在感測放大電路660的初始操作時間區段,藉由電壓調節器610與電壓泵電路620透過開關640共同提供過驅動電壓VOD至感測放大電路660,以提升感測放大電路660的感測速度,其中電壓調節器610是根據第一電源VDD1產生過驅動電壓VOD,而電壓泵電路620則根據第二電源VDD2產生過驅動電壓VOD。
然而,由於電壓調節器610與電壓泵電路620的驅動能力不同,反應速度也不同,使得第一電源VDD1所輸出的電流及第二電源VDD2所輸出的電流無法精確掌控。如此一來,在過驅動電壓VOD不同的壓降深度(voltage drop)的情況下,第一電源VDD1與第二電源VDD2的供電比例將會不同。除此之外,由於電壓泵電路620的反應速度較電壓調節器610的反應速度慢,一旦過驅動電壓VOD的瞬間負載過大而導致過驅動電壓VOD降低時,電壓泵電路620可能無法即時反應,致使過驅動電壓VOD的電壓位準無法迅速恢復。
為了避免上述過驅動電壓VOD因瞬間負載過大而導致其電壓位準無法迅速恢復的問題,可對動態隨機存取記憶體的每一個區(bank)設置其專屬的過驅動電壓產生器。然而,此設計將會限制區的板面配置設計(floor plan)以及去耦合電容(decoupling capacitor)的配置位置。
有鑑於此,本發明提供一種過驅動電壓產生器,其不僅可控制第一電源與第二電源的供電比例,更具備反應速度快以及預加壓的特點。
本發明的過驅動電壓產生器包括第一開關電路、升壓電路、第二開關電路以及比較電路。第一開關電路耦接在第一電源與輸出端之間,用以受控於開關信號以提供過驅動電壓至輸出端。升壓電路耦接在第二電源與節點之間,用以對第二電源的電壓進行升壓,以提供泵電壓至節點。第二開關電路耦接在節點與輸出端之間,用以受控於開關信號以提供過驅動電壓至輸出端。比較電路耦接第一開關電路、第二開關電路以及輸出端,用以對過驅動電壓與第一參考電壓進行比較以產生開關信號。
在本發明的一實施例中,上述的升壓電路更耦接比較電路以接收開關信號,且受控於開關信號而對第二電源的電壓進行升壓以提供泵電壓至節點。
在本發明的一實施例中,當過驅動電壓低於第一參考電壓時,比較電路產生開關信號以觸發升壓電路以及導通第一開關電路及第二開關電路,從而穩定泵電壓以及提升過驅動電壓。
在本發明的一實施例中,上述的第一開關電路包括至少一第一電晶體。此至少一第一電晶體的第一端耦接第一電源,此至少一第一電晶體的第二端耦接輸出端,且此至少一第一電晶體的控制端接收開關信號。上述的第二開關電路包括至少一第二電晶體。此至少一第二電晶體的第一端耦接節點,此至少一第二電晶體的第二端耦接輸出端,且此至少一第二電晶體的控制端接收開關信號。
基於上述,本發明實施例的過驅動電壓產生器實質上可視為數位式電壓調節器,其具有反應速度快的特點,因此可用來同時提供動態隨機存取記憶體的所有的感測放大電路運作所需的過驅動電壓。再者,過驅動電壓產生器可在過驅動電壓低於第一參考電壓時即預先對節點加壓以穩定泵電壓,以避免泵電壓被過度抽載而降至過低。另外,藉由調整過驅動電壓產生器的第一電晶體的導通數量以及第二電晶體的導通數量,即可調整第一電源與第二電源的供電比例。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,並配合所附圖式作詳細說明如下。
為了使本發明內容可以被更容易明瞭,以下特舉實施例做為本發明確實能夠據以實施的範例。另外,凡可能之處,在圖式及實施方式中使用相同標號的元件/構件/步驟,係代表相同或類似部件。
以下請參照圖2,圖2是依照本發明一實施例所繪示的過驅動電壓產生器的方塊及應用示意圖。過驅動電壓產生器100可用以提供動態隨機存取記憶體的一至多個區(bank)的感測放大電路900運作所需的過驅動電壓VOD,但本發明並不限於此。事實上,本發明的過驅動電壓產生器100也可應用在其他有過驅動需求的電路上。
如圖2所示,電壓調節器800可根據第二電源VDD2產生位元線最高準位電壓VBLH,並可在感測放大電路900的初始操作時間區段之後,透過開關SW92提供位元線最高準位電壓VBLH至感測放大電路900,致使感測放大電路900感測位元線對BL、/BL的信號,其中第二電源VDD2的電壓大於位元線最高準位電壓VBLH。詳細來說,電壓調節器800可包括開關SW81、比較器820以及電容器C3,但不限於此。開關SW81的第一端耦接第二電源VDD2。開關SW81的第二端輸出位元線最高準位電壓VBLH。比較器820的非反相輸入端接收參考電壓VREF_VBLH,比較器820的反相輸入端耦接開關SW81的第二端以接收位元線最高準位電壓VBLH,且比較器820的輸出端耦接開關SW81的控制端以控制開關SW81的啟閉。電容器C3耦接在開關SW81的第二端與接地端GND之間。
另一方面,過驅動電壓產生器100可根據第一電源VDD1及第二電源VDD2產生過驅動電壓VOD,以在感測放大電路900的初始操作時間區段,透過開關SW91將過驅動電壓VOD傳送至感測放大電路900,以提升感測放大電路900的感測速度,其中第一電源VDD1的電壓大於過驅動電壓VOD,且過驅動電壓VOD大於第二電源VDD2的電壓。
詳細來說,過驅動電壓產生器100可包括第一開關電路110、第二開關電路120、升壓電路130以及比較電路140,但本發明不限於此。第一開關電路110耦接在第一電源VDD1與輸出端OT之間,用以受控於開關信號SC以提供過驅動電壓VOD至輸出端OT。
升壓電路130耦接在第二電源VDD2與節點OD之間,用以對第二電源VDD2的電壓進行升壓,以提供泵電壓VODP至節點OD,其中泵電壓VODP小於第一電源VDD1的電壓且大於過驅動電壓VOD。
第二開關電路120耦接在節點OD與輸出端OT之間,用以受控於開關信號SC以提供過驅動電壓VOD至輸出端OT。
比較電路140耦接第一開關電路110、第二開關電路120以及輸出端OT,用以對過驅動電壓VOD與第一參考電壓VREF1進行比較以產生開關信號SC。可以理解的是,第一開關電路120與第二開關電路120受控於同一比較電路140所產生的開關信號SC以共同提供過驅動電壓VOD。
在本發明的一實施例中,過驅動電壓產生器100更可包括電容器C1及C2,其中電容器C1耦接在輸出端OT與接地端GND之間,電容器C1可儲存電能及穩定過驅動電壓VOD;而電容器C2耦接在節點OD與接地端GND之間,電容器C2可儲存電能及穩定泵電壓VODP。以下說明過驅動電壓產生器100的運作。
升壓電路130可將泵電壓VODP與第二參考電壓VREF2進行比較。當泵電壓VODP低於第二參考電壓VREF2時,升壓電路130可進行升壓運作以提升泵電壓VODP。相對地,當泵電壓VODP高於或等於第二參考電壓VREF2時,升壓電路130停止進行升壓運作,以將泵電壓VODP維持在第二參考電壓VREF2。在本發明的一實施例中,升壓電路130可例如採用已知的電壓泵電路來實現,但本發明不限於此。
另一方面,當過驅動電壓VOD低於第一參考電壓VREF1時,比較電路140可產生開關信號SC(例如為第一電壓位準)以導通第一開關電路110及第二開關電路120,以提升過驅動電壓VOD。相對地,當過驅動電壓VOD高於或等於第一參考電壓VREF1時,比較電路140可產生開關信號SC(例如為第二電壓位準)以關斷第一開關電路110及第二開關電路120,以將過驅動電壓VOD維持在第一參考電壓VREF1。
在本發明的一實施例中,比較電路140可包括單一比較器CMP1,其中比較器CMP1的非反相輸入端接收第一參考電壓VREF1,比較器CMP1的反相輸入端耦接輸出端OT以接收過驅動電壓VOD,且比較器CMP1的輸出端輸出開關信號SC。
在本發明的一實施例中,第一開關電路110可包括至少一第一電晶體SW1。此至少一第一電晶體SW1的第一端耦接第一電源VDD1,此至少一第一電晶體SW1的第二端耦接輸出端OT,且此至少一第一電晶體SW1的控制端接收開關信號SC,其中此至少一第一電晶體SW1可例如是P型金氧半場效電晶體,但不限於此。類似地,第二開關電路120可包括至少一第二電晶體SW2。此至少一第二電晶體SW2的第一端耦接節點OD,此至少一第二電晶體SW2的第二端耦接輸出端OT,且此至少一第二電晶體SW2的控制端接收開關信號SC,其中此至少一第二電晶體SW2可例如是P型金氧半場效電晶體,但不限於此。
值得一提的是,第一電晶體SW1以及第二電晶體SW2受控於單一比較器CMP的開關信號SC而被導通或關斷,以將過驅動電壓VOD維持在第一參考電壓VREF1,故本發明圖2實施例所示的過驅動電壓產生器100實質上可視為數位式電壓調節器。數位式電壓調節器具有反應速度快的特點,一旦過驅動電壓VOD的瞬間負載過大而導致過驅動電壓VOD的電壓位準降低時,數位式電壓調節器可迅速地恢復過驅動電壓VOD的電壓位準。因此,過驅動電壓產生器100可用來同時提供動態隨機存取記憶體的所有區的感測放大電路900運作所需的過驅動電壓VOD。
除此之外,由於第一電源VDD1的輸出電流及第二電源VDD2的輸出電流分別與第一電晶體SW1的數量以及第二電晶體SW2的數量有關,因此可根據實際應用或設計需求來控制第一電晶體SW1的導通數量以及第二電晶體SW2的導通數量,即可調整第一電源VDD1與第二電源VDD2的供電比例。
以下請參照圖3,圖3是依照本發明另一實施例所繪示的過驅動電壓產生器的方塊及應用示意圖。過驅動電壓產生器200可用以提供動態隨機存取記憶體的一至多個區的感測放大電路900運作所需的過驅動電壓VOD,但本發明並不限於此。事實上,本發明的過驅動電壓產生器200也可應用在其他有過驅動需求的電路上。另外,圖3所示的電壓調節器800、開關SW91、SW92以及感測放大電路900的實施方式及運作分別類似於圖2所示的電壓調節器800、開關SW91、SW92以及感測放大電路900,故可參酌上述圖2的相關說明,在此不再贅述。
過驅動電壓產生器200可包括第一開關電路210、第二開關電路220、升壓電路230、比較電路240、位準移位器(level shifter) 250,但本發明不限於此。比較電路240類似於圖2的比較電路140,故其運作及實施方式可參酌上述的相關說明,在此不再贅述。位準移位器250耦接比較電路240以接收開關信號SC,且位移開關信號SC的電壓擺動範圍以產生位準移位信號SC1。第一開關電路210及第二開關電路220分別類似於圖2的第一開關電路110及第二開關電路120,差異在於第一開關電路210及第二開關電路220乃是受控於位準移位信號SC1以共同提供過驅動電壓VOD至輸出端OT。升壓電路230耦接在第二電源VDD2與節點OD之間,且受控於開關信號SC而對第二電源VDD2的電壓進行升壓,以提供泵電壓VODP至節點OD,稍後會再詳細說明。
在本發明的一實施例中,第一開關電路210可包括至少一第一電晶體SW21。此至少一第一電晶體SW21的第一端耦接第一電源VDD1,此至少一第一電晶體SW21的第二端耦接輸出端OT,且此至少一第一電晶體SW21的控制端接收位準移位信號SC1,其中此至少一第一電晶體SW21可例如是N型金氧半場效電晶體,但不限於此。類似地,第二開關電路220可包括至少一第二電晶體SW22。此至少一第二電晶體SW22的第一端耦接節點OD,此至少一第二電晶體SW22的第二端耦接輸出端OT,且此至少一第二電晶體SW22的控制端接收位準移位信號SC1,其中此至少一第二電晶體SW22可例如是N型金氧半場效電晶體,但不限於此。值得一提的是,位準移位器250位移了開關信號SC的電壓擺動範圍以產生位準移位信號SC1,故可確保第一電晶體SW21及第二電晶體SW22(為N型金氧半場效電晶體)可被完全地導通或關斷。
類似於圖2實施例所示的過驅動電壓產生器100,圖3實施例所示的過驅動電壓產生器200實質上也可視為數位式電壓調節器,故具有反應速度快的特點。一旦過驅動電壓VOD的瞬間負載過大而導致過驅動電壓VOD的電壓位準降低時,過驅動電壓產生器200可迅速地恢復過驅動電壓VOD的電壓位準。因此,過驅動電壓產生器200可用來同時提供動態隨機存取記憶體的所有區的感測放大電路900運作所需的過驅動電壓VOD。
除此之外,由於第一電源VDD1的輸出電流及第二電源VDD2的輸出電流分別與第一電晶體SW21的數量以及第二電晶體SW22的數量有關,因此可根據實際應用或設計需求控制第一電晶體SW21的導通數量以及第二電晶體SW22的導通數量,可根據實際應用或設計需求來調整第一電源VDD1與第二電源VDD2的供電比例。
以下將說明升壓電路230的運作及實施方式。如同先前所述,比較電路240所產生的開關信號SC可控制升壓電路230的運作。詳細來說,當過驅動電壓VOD低於第一參考電壓VREF1時,比較電路240可產生開關信號SC(例如為第一電壓位準),並透過位準移位器250產生位準移位信號SC1以導通第一開關電路210及第二開關電路220,以提升過驅動電壓VOD。此時,比較電路240所產生的開關信號SC也將觸發升壓電路230,致使升壓電路230可在第二開關電路220導通時即預先對節點OD加壓以穩定泵電壓VODP,如此一來,可避免因第二開關電路220對泵電壓VODP抽載而導致泵電壓VODP降至過低。
相對地,當過驅動電壓VOD高於或等於第一參考電壓VREF1時,比較電路240產生開關信號SC(例如為第二電壓位準),並透過位準移位器250產生位準移位信號SC1以關斷第一開關電路210及第二開關電路220,以將過驅動電壓VOD維持在第一參考電壓VREF1。此時,開關信號SC停止觸發升壓電路230。
另外,類似於圖2的升壓電路130,圖3的升壓電路230也可將泵電壓VODP與第二參考電壓VREF2進行比較以決定是否提升泵電壓VODP,其詳細運作可參酌圖2的升壓電路130的相關說明,在此不再贅述。
在本發明的一實施例中,升壓電路230可包括預加壓控制電路231以及電壓泵電路232。預加壓控制電路231耦接比較電路240以接收開關信號SC,且反應於開關信號SC產生脈波SP。電壓泵電路232耦接預加壓控制電路231以接收脈波SP,且反應於脈波SP對第二電源VDD2的電壓進行升壓以產生並提供泵電壓VODP至節點OD。詳細來說,電壓泵電路232可反應於脈波SP而對第二電源VDD2的電壓進行升壓,以對節點OD預加壓,從而穩定泵電壓VODP。此外,電壓泵電路232更可對泵電壓VODP與第二參考電壓VREF2進行比較。當泵電壓VODP低於第二參考電壓VREF2時,電壓泵電路232對第二電源VDD2的電壓進行升壓以提升泵電壓VODP。
在本發明的一實施例中,預加壓控制電路231可包括單擊觸發電路(one-shot circuit),其可根據開關信號SC的邊緣(例如上升邊緣或下降邊緣)產生脈波SP。
在本發明的另一實施例中,如圖4所示,預加壓控制電路231可包括反閘INV1~INV4以及反或閘NR,但不限於此。反閘INV1的輸入端接收開關信號SC,且反閘INV1的輸出端耦接反或閘NR的第一輸入端。反閘INV2~INV4依序串接在反閘INV1的輸出端與反或閘NR的第二輸入端之間。反或閘NR的輸出端可輸出脈波SP。
在本發明的一實施例中,如圖5所示,電壓泵電路232可包括比較器CMP2、或閘ORG、泵時脈信號產生器2322以及泵電壓產生器2324。比較器CMP2的非反相輸入端接收第二參考電壓VREF2,比較器CMP2的反相輸入端耦接節點OD(示於圖3)以接收泵電壓VODP,且比較器CMP2的輸出端輸出偵測信號SDET。或閘ORG的第一輸入端耦接比較器CMP2的輸出端以接收偵測信號SDET,或閘ORG的第二輸入端耦接預加壓控制電路231(示於圖3)以接收脈波SP,且或閘ORG的輸出端輸出運轉信號SRUN。泵時脈信號產生器2322耦接或閘ORG的輸出端以接收運轉信號SRUN,並據以產生泵時脈信號P_CK。泵電壓產生器2324耦接泵時脈信號產生器2322以接收泵時脈信號P_CK,並據以產生泵電壓VODP。在本發明的一實施例中,泵時脈信號產生器2322以及泵電壓產生器2324可分別採用已知的泵時脈信號產生電路及泵電壓產生電路來實現。
以下請合併參照圖3~圖6,圖6是依照本發明一實施例所繪示的圖3的過驅動電壓產生器、圖4的預加壓控制電路以及圖5的電壓泵電路的信號時序示意圖。首先,於時間點T11,比較電路240判斷過驅動電壓VOD已低於第一參考電壓VREF1,故比較電路240可輸出例如邏輯高位準的開關信號SC,並透過位準移位器250導通第一開關電路210及第二開關電路220,以提升過驅動電壓VOD。此時,預加壓控制電路可反應於開關信號SC的上升邊緣產生脈波SP,並藉由電壓泵電路232的或閘ORG輸出運轉信號SRUN以讓泵時脈信號產生器2322及泵電壓產生器2324開始運作,使得泵電壓產生器2324可在第二開關電路220導通時即預先對節點OD加壓達一段時間(即脈波SP的寬度),以避免因第二開關電路220對泵電壓VODP抽載而導致泵電壓VODP降至過低。
隨著第二開關電路220持續地對泵電壓VODP抽載,使得泵電壓VODP開始降低,且過驅動電壓VOD開始上升。於時間點T12,電壓泵電路232的比較器CMP2(示於圖5)判斷泵電壓VODP已低於第二參考電壓VREF2,故比較器CMP2可輸出例如邏輯高位準的偵測信號SDET,並藉由電壓泵電路232的或閘ORG輸出邏輯高位準的運轉信號SRUN,以讓泵時脈信號產生器2322及泵電壓產生器2324維持運作以持續地對節點OD加壓。
於時間點T13,比較電路240判斷過驅動電壓VOD已上升至等於第一參考電壓VREF1,故比較電路240可輸出例如邏輯低位準的開關信號SC,並透過位準移位器250關斷第一開關電路210及第二開關電路220。此時,由於第二開關電路220被關斷而停止對泵電壓VODP抽載,使得泵電壓VODP開始上升。於時間點T14時,電壓泵電路232的比較器CMP2判斷泵電壓VODP已上升至等於第二參考電壓VREF2,故比較器CMP2可輸出例如邏輯低位準的偵測信號SDET,並藉由電壓泵電路232的或閘ORG輸出邏輯低位準的運轉信號SRUN,以讓泵電壓產生器2324停止對節點OD加壓。
另外,過驅動電壓產生器200於圖6的時間點T21~T24的運作分別類似於時間點T11~T14,故可參酌上述的相關說明,在此不再贅述。
綜上所述,本發明實施例的過驅動電壓產生器實質上可視為數位式電壓調節器,其具有反應速度快的特點,因此可用來同時提供動態隨機存取記憶體的所有的感測放大電路運作所需的過驅動電壓。再者,藉由調整過驅動電壓產生器的第一電晶體的導通數量以及第二電晶體的導通數量,即可調整第一電源與第二電源的供電比例。另外,過驅動電壓產生器可在過驅動電壓低於第一參考電壓時即預先對節點加壓以穩定泵電壓,以避免泵電壓被過度抽載而降至過低。
雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明的精神和範圍內,當可作些許的更動與潤飾,故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100、200‧‧‧過驅動電壓產生器
110、210‧‧‧第一開關電路
120、220‧‧‧第二開關電路
130、230‧‧‧升壓電路
140、240‧‧‧比較電路
231‧‧‧預加壓控制電路
232‧‧‧電壓泵電路
2322‧‧‧泵時脈信號產生器
2324‧‧‧泵電壓產生器
250‧‧‧位準移位器
610、630‧‧‧電壓調節器
620‧‧‧電壓泵電路
660、900‧‧‧感測放大電路
800‧‧‧電壓調節器
820‧‧‧比較器
BL、/BL‧‧‧位元線對
C1、C2、C3‧‧‧電容器
CMP1、CMP2‧‧‧比較器
GND‧‧‧接地端
INV1~INV4‧‧‧反閘
NR‧‧‧反或閘
OD‧‧‧節點
ORG‧‧‧或閘
OT‧‧‧輸出端
P_CK‧‧‧泵時脈信號
SC‧‧‧開關信號
SC1‧‧‧位準移位信號
SDET‧‧‧偵測信號
SRUN‧‧‧運轉信號
SP‧‧‧脈波
SW1、SW21‧‧‧第一電晶體
SW2、SW22‧‧‧第二電晶體
SW81、SW91、SW92、640、650‧‧‧開關
T11~T14、T21~T24‧‧‧時間點
VBLH‧‧‧位元線最高準位電壓
VDD1‧‧‧第一電源
VDD2‧‧‧第二電源
VOD‧‧‧過驅動電壓
VODP‧‧‧泵電壓
VREF1‧‧‧第一參考電壓
VREF2‧‧‧第二參考電壓
VREF_VBLH‧‧‧參考電壓
圖1是已知的動態隨機存取記憶體的感測放大器的電源供應示意圖。 圖2是依照本發明一實施例所繪示的過驅動電壓產生器的方塊及應用示意圖。 圖3是依照本發明另一實施例所繪示的過驅動電壓產生器的方塊及應用示意圖。 圖4是依照本發明一實施例所繪示的預加壓控制電路的方塊示意圖。 圖5是依照本發明一實施例所繪示的電壓泵電路的方塊示意圖。 圖6是依照本發明一實施例所繪示的信號時序示意圖。
Claims (14)
- 一種過驅動電壓產生器,包括: 一第一開關電路,耦接在一第一電源與一輸出端之間,用以受控於一開關信號以提供一過驅動電壓至該輸出端; 一升壓電路,耦接在一第二電源與一節點之間,用以對該第二電源的電壓進行升壓,以提供一泵電壓至該節點; 一第二開關電路,耦接在該節點與該輸出端之間,用以受控於該開關信號以提供該過驅動電壓至該輸出端;以及 一比較電路,耦接該第一開關電路、該第二開關電路以及該輸出端,用以對該過驅動電壓與一第一參考電壓進行比較以產生該開關信號。
- 如申請專利範圍第1項所述的過驅動電壓產生器,其中當該過驅動電壓低於該第一參考電壓時,該比較電路產生該開關信號以導通該第一開關電路及該第二開關電路;當該過驅動電壓高於或等於該第一參考電壓時,該比較電路產生該開關信號以關斷該第一開關電路及該第二開關電路。
- 如申請專利範圍第1項所述的過驅動電壓產生器,其中該升壓電路更耦接該比較電路以接收該開關信號,且受控於該開關信號而對該第二電源的電壓進行升壓以提供該泵電壓至該節點。
- 如申請專利範圍第3項所述的過驅動電壓產生器,其中當該過驅動電壓低於該第一參考電壓時,該比較電路產生該開關信號以觸發該升壓電路以及導通該第一開關電路及該第二開關電路;當該過驅動電壓高於或等於該第一參考電壓時,該比較電路產生該開關信號以停止觸發該升壓電路,並關斷該第一開關電路及該第二開關電路。
- 如申請專利範圍第1項所述的過驅動電壓產生器,其中該升壓電路將該泵電壓與一第二參考電壓進行比較,當該泵電壓低於該第二參考電壓時,該升壓電路進行升壓運作;當該泵電壓高於或等於該第二參考電壓,且該過驅動電壓高於或等於該第一參考電壓時,該升壓電路停止進行該升壓運作。
- 如申請專利範圍第5項所述的過驅動電壓產生器,其中該第二參考電壓高於該第一參考電壓。
- 如申請專利範圍第1項所述的過驅動電壓產生器, 其中該第一開關電路包括: 至少一第一電晶體,該至少一第一電晶體的第一端耦接該第一電源,該至少一第一電晶體的第二端耦接該輸出端,且該至少一第一電晶體的控制端接收該開關信號; 其中該第二開關電路包括: 至少一第二電晶體,該至少一第二電晶體的第一端耦接該節點,該至少一第二電晶體的第二端耦接該輸出端,且該至少一第二電晶體的控制端接收該開關信號。
- 如申請專利範圍第7項所述的過驅動電壓產生器,其中該至少一第一電晶體及該至少一第二電晶體為P型金氧半場效電晶體。
- 如申請專利範圍第1項所述的過驅動電壓產生器,更包括: 一位準移位器(level shifter),耦接該比較電路以接收該開關信號,且位移該開關信號的電壓擺動範圍以產生一位準移位信號, 其中該第一開關電路包括: 至少一第一電晶體,該至少一第一電晶體的第一端耦接該第一電源,該至少一第一電晶體的第二端耦接該輸出端,且該至少一第一電晶體的控制端接收該位準移位信號; 其中該第二開關電路包括: 至少一第二電晶體,該至少一第二電晶體的第一端耦接該節點,該至少一第二電晶體的第二端耦接該輸出端,且該至少一第二電晶體的控制端接收該位準移位信號。
- 如申請專利範圍第9項所述的過驅動電壓產生器,其中該至少一第一電晶體及該至少一第二電晶體為N型金氧半場效電晶體。
- 如申請專利範圍第1項所述的過驅動電壓產生器,其中該升壓電路包括: 一預加壓控制電路,耦接該比較電路以接收該開關信號,且反應於該開關信號產生一脈波;以及 一電壓泵電路,耦接該預加壓控制電路以接收該脈波,且反應於該脈波對該第二電源的電壓進行升壓以產生並提供該泵電壓至該節點。
- 如申請專利範圍第11項所述的過驅動電壓產生器,其中該預加壓控制電路包括: 一單擊觸發電路,用以根據該開關信號的邊緣產生該脈波。
- 如申請專利範圍第11項所述的過驅動電壓產生器,其中該電壓泵電路反應於該脈波而對該第二電源的電壓進行升壓以產生並穩定該泵電壓。
- 如申請專利範圍第11項所述的過驅動電壓產生器,其中: 該電壓泵電路更對該泵電壓與一第二參考電壓進行比較,當該泵電壓低於該第二參考電壓時,該電壓泵電路對該第二電源的電壓進行升壓以提升該泵電壓。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW107117070A TWI650759B (zh) | 2018-05-18 | 2018-05-18 | 過驅動電壓產生器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW107117070A TWI650759B (zh) | 2018-05-18 | 2018-05-18 | 過驅動電壓產生器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TWI650759B true TWI650759B (zh) | 2019-02-11 |
TW202004765A TW202004765A (zh) | 2020-01-16 |
Family
ID=66214012
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW107117070A TWI650759B (zh) | 2018-05-18 | 2018-05-18 | 過驅動電壓產生器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
TW (1) | TWI650759B (zh) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6356161B1 (en) * | 1998-03-19 | 2002-03-12 | Microchip Technology Inc. | Calibration techniques for a precision relaxation oscillator integrated circuit with temperature compensation |
TW201104230A (en) * | 2008-11-14 | 2011-02-01 | Seiko Instr Inc | Temperature sensor |
TW201505015A (zh) * | 2013-07-26 | 2015-02-01 | Giantplus Technology Co Ltd | 溫度感測電路及驅動電路 |
TW201724724A (zh) * | 2015-12-31 | 2017-07-01 | 研能科技股份有限公司 | 驅動電路及其所適用之壓電致動泵浦 |
-
2018
- 2018-05-18 TW TW107117070A patent/TWI650759B/zh active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6356161B1 (en) * | 1998-03-19 | 2002-03-12 | Microchip Technology Inc. | Calibration techniques for a precision relaxation oscillator integrated circuit with temperature compensation |
TW201104230A (en) * | 2008-11-14 | 2011-02-01 | Seiko Instr Inc | Temperature sensor |
TW201505015A (zh) * | 2013-07-26 | 2015-02-01 | Giantplus Technology Co Ltd | 溫度感測電路及驅動電路 |
TW201724724A (zh) * | 2015-12-31 | 2017-07-01 | 研能科技股份有限公司 | 驅動電路及其所適用之壓電致動泵浦 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202004765A (zh) | 2020-01-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5504452A (en) | Semiconductor integrated circuit operating at dropped external power voltage | |
US20190378547A1 (en) | Voltage generation circuit | |
US20070236278A1 (en) | Internal voltage generator for semiconductor integrated circuit capable of compensating for change in voltage level | |
US8125846B2 (en) | Internal voltage generating circuit of semiconductor memory device | |
KR20070024068A (ko) | 레벨 검출회로 및 방법과, 반도체 메모리 장치의 기판바이어스 전압 발생회로 및 방법 | |
JP2007129810A (ja) | 電源回路 | |
US7835198B2 (en) | Apparatus and method for detecting leakage current of semiconductor memory device, and internal voltage generating circuit using the same | |
TWI661294B (zh) | 電源開關、記憶體裝置和提供電源開關電壓輸出的方法 | |
TWI650759B (zh) | 過驅動電壓產生器 | |
US7511562B2 (en) | High voltage generating circuit preserving charge pumping efficiency | |
US20110309879A1 (en) | Internal Voltage Generation Circuit | |
JPH05114291A (ja) | 基準電圧発生回路 | |
US7315194B2 (en) | Booster circuit | |
US6751132B2 (en) | Semiconductor memory device and voltage generating method thereof | |
CN110556133B (zh) | 过驱动电压产生器 | |
US7102423B2 (en) | Voltage boosting circuit and method of generating boosting voltage, capable of alleviating effects of high voltage stress | |
US10177746B1 (en) | Overdrive Voltage Generator | |
US10250129B2 (en) | Charge pump circuit and internal voltage generation circuit including the same | |
US9601994B2 (en) | Internal voltage generation circuit | |
US6992905B2 (en) | High voltage generator having separate voltage supply circuit | |
KR100721899B1 (ko) | 승압 전압 발생회로 및 승압 전압 발생방법 | |
US5946229A (en) | Semiconductor device having device supplying voltage higher than power supply voltage | |
US8629697B2 (en) | Semiconductor integrated circuit and method of operating the same | |
KR100727441B1 (ko) | 컬럼 디코더 | |
US10044260B2 (en) | Charge pump circuit and voltage generating device including the same |