TWI645742B - Linear light emitting diode driver and control method thereof - Google Patents

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李一惟
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Abstract

一種線性發光二極體驅動器，其包括一電晶體具有輸入端供連接發光二極體，該電晶體導通時該發光二極體被點亮。該線性發光二極體驅動器還包括一保護電路根據該電晶體的控制端的電壓及該電晶體的輸出端的電壓其中至少一個來判斷是否發生瞬間高電壓變化並觸發保護功能。

Description

線性發光二極體驅動器及其控制方法
本發明係有關一種線性發光二極體(LED)驅動器，特別是關於一種可防止因瞬間電壓變化過大而造成電路異常或不穩定的線性LED驅動器。
目前的LED驅動器可以分為隔離式(isolated)及非隔離式(non-isolated)，其中隔離式LED驅動器需要變壓器來分隔一次側及二次側，因此成本較為昂貴，而非隔離式LED驅動器由於無需變壓器，因此成本較低，但是非隔離式LED驅動器在遇到瞬間高電壓變化時，可能會引發電路異常或不穩定的問題。
圖1顯示傳統的非隔離式的線性LED驅動器10，其包括橋式整流器12用以整流交流電壓Vac產生直流電壓VIN給LED，以及積體電路14控制所要點亮的LED。在積體電路14中，開關18、20、22及24各自經接腳S1、S2、S3及S4與LED串聯，控制器16控制開關18、20、22及24的切換以決定要點亮的LED。導致線性LED驅動器12發生瞬間高電壓變化的情況有很多，例如雷擊、系統的靜電放電、多次快速開關交流電源或三端雙向矽控(Triode Alternating Current；TRIAC)調光等。
以TRIAC調光為例，圖2顯示傳統的TRIAC調光器，其包括電阻R1、電阻R2、電容C1、雙向觸發二極體26以及三端雙向矽控開關28， 其中電阻R1為可變電阻。三端雙向矽控開關28一開始為關閉(off)狀態，因此交流電壓Vac並未輸入負載，電阻R1及R2根據交流電壓Vac產生電流對電容C1充電，當電容C1上的電壓達到雙向觸發二極體26的轉折電壓時，雙向觸發二極體26導通進而使三端雙向矽控開關28導通。當三端雙向矽控開關28導通時，交流電壓Vac輸入負載而且電容C1開始放電，三端雙向矽控開關28會維持導通狀態直至交流電壓為零或通過三端雙向矽控開關28的電流I1小於一臨界值。簡單的說，TRIAC調光器會將交流電壓Vac轉換為具有一導通角的交流切相電壓Vtr。而交流切相電壓Vtr再經圖1中的橋式整流器12整流後將產生如圖2中波形30所示的直流電壓VIN。從圖2的波形34可知，TRIAC調光產生的直流電壓VIN會瞬間從0V的電壓衝上一高壓，造成瞬間高電壓變化。
圖3是圖1中開關18的示意圖，由於交流電壓Vac是高電壓， 因此開關18必需是高壓元件，一般可以使用金屬氧化物半導體場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor；MOSFET)或絶緣閘雙極電晶體(Insulated Gate Bipolar Transistor；IGBT)。圖4是直流電壓VIN發生瞬間高電壓變化時電壓的波形圖，其中波形32是接腳S1的電壓，波形34是開關18的控制端電壓。參照圖1、圖3及圖4，開關18的輸入端182連接至接腳S1，開關18的控制端184連接控制器16，開關18的輸出端連接至接地端，當輸入電壓VIN發生瞬間高電壓變化時，接腳S1上的電壓快速上升，如圖4的波形32所示，此時將產生一大電流對開關18的輸入端及控制端之間的寄生電容Cdg1充電，進而導致開關18的控制端的電壓快速上升，如圖4的波形34所示，當開關18的控制端的電壓超過一臨界值Vth時，可能造成不穩定，甚 至造成開關18燒毀。在一些應用中，開關18的輸出端上還可能連接一些低壓電路，當接腳S1上的電壓快速上升時，將產生一大電流通過開關18，造成開關18的輸出端上的電壓快速上升，導致連接開關18的輸出端的低壓電路無法承受瞬間高電壓變化而損毀。
美國專利公開號US 2010/0253245公開一種解決瞬間高電壓 變化的方式，其是在LED驅動器及LED之間增加一種類似過電壓保護電路的電流限制電路，該電流限制電路是偵測LED上的電壓來控制與LED串聯的開關。然而，該過電流限制電路是使用必須外掛在積體電路外面的大元件，因此具有較大的寄生電容，這導致該電流限制電路的反應較慢。此外，美國專利公開號US 2010/0253245的方式也只能解決電擊所造成的瞬間高電壓變化，無法解決系統的靜電放電、多次快速開關交流電源或三端雙向矽控(Triode Alternating Current；TRIAC)調光等造成的瞬間高電壓變化。
本發明的目的之一，在於提供一種可防止因瞬間電壓變化過大而造成電路異常或不穩定的線性LED驅動器及其控制方法。
本發明的目的之一，在於提供一種能夠解決各種情況造成的瞬間高電壓變化的線性LED驅動器及其控制方法。
本發明的目的之一，在於提供一種對瞬間高電壓變化快速反應的線性LED驅動器及其控制方法。
根據本發明，一種線性發光二極體驅動器，包括一電晶體、一電流源及一保護電路。該電晶體具有一輸入端供連接發光二極體，當該電晶體導通時，該發光二極體被點亮。該電流源連接該電晶體的輸出端， 用以調節通過該發光二極體的電流。該保護電路連接該電晶體，用以限制該電晶體的控制端的電壓及該電晶體的輸出端的電壓其中至少一個的最大值，以避免該線性發光二極體驅動器因該電晶體的輸入端的瞬間電壓變化而發生異常或不穩定。其中該保護電路可以與該電晶體整合在同一積體電路中，故該保護電路的寄生電容較小，反應較快。
根據本發明，一種線性發光二極體驅動器的控制方法，包括 導通一電晶體以點亮發光二極體；以及限制該電晶體的控制端的電壓及該電晶體的輸出端的電壓其中至少一個的最大值，以避免該線性發光二極體驅動器因該電晶體的輸入端的瞬間電壓變化而發生異常或不穩定。
本發明是藉由限制該電晶體的控制端的電壓及該電晶體的 輸出端的電壓其中至少一個的最大值來達成瞬間高電壓變化的保護，即本案是偵測該電晶體的控制端的電壓及該電晶體的輸出端的電壓其中至少一個，因此不論是何種情況引發瞬間高電壓變化，本案都能確實偵測並達成保護。
10‧‧‧線性LED驅動器
12‧‧‧橋式整流器
14‧‧‧積體電路
16‧‧‧控制器
18‧‧‧開關
20‧‧‧開關
22‧‧‧開關
24‧‧‧開關
26‧‧‧雙向觸發二極體
28‧‧‧三端雙向矽控開關
30‧‧‧輸入電壓VIN的波形
32‧‧‧接腳S1上的電壓波形
34‧‧‧開關18的控制端的電壓波形
36‧‧‧電晶體
362‧‧‧電晶體36的輸入端
364‧‧‧電晶體36的控制端
366‧‧‧電晶體36的輸出端
38‧‧‧電晶體
382‧‧‧電晶體38的輸入端
384‧‧‧電晶體38的控制端
386‧‧‧電晶體38的輸出端
40‧‧‧電流源
42‧‧‧電晶體
44‧‧‧電晶體
46‧‧‧保護電路
48‧‧‧箝制電路
50‧‧‧運算放大器
52‧‧‧開關
54‧‧‧稽納二極體
56‧‧‧箝制電路
58‧‧‧開關
60‧‧‧開關
62‧‧‧運算放大器
64‧‧‧箝制電路
66‧‧‧箝制電路
68‧‧‧稽納二極體
70‧‧‧稽納二極體
72‧‧‧開關
74‧‧‧運算放大器
76‧‧‧開關
78‧‧‧運算放大器
80‧‧‧接腳S1的電壓波形
82‧‧‧電晶體36的控制端364的電壓Vg1的波形
84‧‧‧電晶體36的輸出端366的電壓Vs的波形
圖1顯示傳統的非隔離式的線性LED驅動器；圖2顯示傳統的TRIAC調光器；圖3是圖1中開關的示意圖；圖4顯示直流電壓VIN發生瞬間高電壓變化時圖3中開關上的電壓波形；圖5顯示本發明的第一實施例；圖6顯示圖5中箝制電路的另一實施例； 圖7顯示本發明的第二實施例；圖8顯示本發明的第三實施例；圖9顯示圖8中箝制電路的另一實施例；圖10顯示本發明的第四實施例；以及圖11顯示圖10的電路發生瞬間高電壓變化時的電壓波形圖。
圖5顯示本發明的第一實施例，在圖5中僅揭示線性LED驅動器10中的積體電路14，線性LED驅動器10的其餘部分請參照圖1。在積體電路14中，電晶體36的輸入端362經接腳S1連接LED，當電晶體36導通時，與電晶體36串聯的LED將被點亮。電晶體38的輸入端382經接腳S2連接LED，當電晶體38導通時，與電晶體38串聯的LED將被點亮。電晶體36及38為高壓元件，且可以是MOSFET或IGBT。電晶體36及38的輸出端366及386連接電流源40，電流源40用以調節通過LED的電流使其等於預設的電流Iref，以控制LED的亮度。當電晶體36及38的輸出端的電流Is1及Is2之和小於電流源40的電流Iref時，電晶體36及38的輸出端的電壓Vs下降，因而使通過電晶體42及44的電流Ib1及Ib2下降，導致電晶體36及38的輸出端364及384的電壓上升，進而使電流Is1及Is2上升。相反的，當電流Is1及Is2之和大於電流源40的電流Iref時，電壓Vs上升使電流Ib1及Ib2上升，導致電晶體36及38的輸出端364及384的電壓下降，進而使電流Is1及Is2下降。保護電路46連接電晶體36及38以限制電晶體36及38上的電壓最大值，以避免該線性LED驅動器10因電晶體36或38的輸入端362或382的瞬間電壓變化而發生異常或不穩定。保護電路46包括一箝制電路48連接電晶體36及38的輸出端366及386，以限 制電晶體36及38的輸出端366及386的最大電壓。在此實施例中，箝制電路48為一主動式電路，其包括一運算放大器50及一開關52，其中開關52連接在該電晶體的輸出端及一接地端之間，運算放大器50的正輸入端連接電晶體36及38的輸出端366及386，運算放大器50的負輸入端接收一臨界值Vref1，運算放大器50的輸出端連接開關52的控制端。當接腳S1或S2上的電壓發生瞬間高電壓變化時，電晶體36及38的輸出端366及386上的電流Is1及Is2上升使電晶體36及38的輸出端366及386的電壓Vs上升，在電壓Vs大於臨界值Vref2時，運算放大器50控制開關52導通以形成一放電路徑以對電壓Vs放電，進而限制晶體36及38的輸出端366及386的最大電壓。
圖6顯示圖5中箝制電路48的另一實施例，在此實施例中，箝 制電路48為一被動式電路，其包括一稽納二極體(Zener diode)54用以限制電晶體36及38的輸出端366及386的最大電壓，稽納二極體54的陽極連接一接地端，而稽納二極體的陰極連接電晶體36及38的輸出端366及386。當接腳S1或S2上的電壓發生瞬間高電壓變化時，電晶體36及38的輸出端366及386的電壓Vs上升，在電壓Vs大於一臨界值(即稽納二極體54的崩潰電壓)時，稽納二極體54導通以形成一放電路徑對電壓Vs放電，進而限制晶體36及38的輸出端366及386的最大電壓。
在圖5及圖6的實施例中，電晶體36及38是共用一個電流源40 及一個箝制電路48，但在其他實施例中，電晶體36及38也可以各自配置不同的電流源40及箝制電路48。
圖7顯示本發明的第二實施例，其與圖5的電路同樣包括電晶 體36、38、42及44以及電流源40，但圖7的保護電路46包括一箝制電路56連 接電晶體36及38的控制端364及384以及電晶體36及38的輸出端366及386，箝制電路56偵測電晶體36及38的輸出端366及386的電壓Vs，在電壓Vs大於一臨界值Vref2時，關閉電晶體36及38以限制電晶體36及38的輸出端366及386的最大電壓。在圖7的實施例中，箝制電路56為一主動式電路，其包括開關58及60以及運算放大器62，其中開關58連接在電晶體36的控制端364及接地端之間，開關60連接在電晶體38的控制端384及接地端之間，運算放大器62的正輸入端連接電晶體36及38的輸出端366及386，運算放大器62的負輸入端接收一臨界值Vref2，運算放大器62的輸出端連接開關58及60的控制端。當接腳S1或S2上的電壓發生瞬間高電壓變化時，電晶體36及38的輸出端366及386的電壓Vs上升，在電壓Vs大於臨界值Vref2時，運算放大器62導通開關58及60以關閉電晶體36及38，進而限制電晶體36及38的輸出端366及386的最大電壓。在圖7的實施例中，電晶體36及38是共用一個電流源40及一個運算放大器62，但在其他實施例中，電晶體36及38也可以各自配置不同的電流源40及運算放大器62。此外，箝制電路56也可以是由被動元件組成的被動式電路。
圖8顯示本發明的第三實施例，其與圖5的電路同樣包括電晶 體36、38、42及44以及電流源40，但圖7的保護電路46包括箝制電路64及66分別連接電晶體36及38的控制端364及384，以限制電晶體36及38的控制端364及384的最大電壓。在圖8的實施例中，箝制電路64及66皆為被動式電路。箝制電路64包括一稽納二極體68用以限制電晶體36的控制端364的最大電壓，稽納二極體68的陽極連接接地端，稽納二極體的陰極連接電晶體36的控制端364。箝制電路66包括一稽納二極體70用以限制電晶體38的控制端 384的最大電壓，稽納二極體70的陽極連接接地端，稽納二極體的陰極連接電晶體38的控制端384。當接腳S1及S2上的電壓發生瞬間高電壓變化時，將產生電流Icp1及Icp2分別電晶體36的輸入端362及控制端364之間的寄生電容Cdg1以及電晶體38的輸入端382及控制端384之間的寄生電容Cdg2充電，進而導致電晶體36及38的控制端364及366的電壓Vg1及Vg2快速上升。在電壓Vg1大於臨界值(即稽納二極體68的崩潰電壓)時，稽納二極體68導通以形成放電路徑供放電電晶體36的控制端364的電壓Vg1，以限制電晶體36的控制端364的最大電壓。同樣的，在電壓Vg2大於臨界值(即稽納二極體70的崩潰電壓)時，稽納二極體70導通以形成放電路徑供放電電晶體38的控制端384的電壓Vg2，以限制電晶體38的控制端384的最大電壓。
圖9顯示圖8中箝制電路64及66的另一實施例，在此實施例 中，箝制電路64及66為主動式電路。在圖9中，箝制電路64包括開關72及運算放大器74，其中開關72連接在電晶體36的控制端364及接地端之間，運算放大器74的正輸入端連接電晶體36的控制端364，運算放大器74的負輸入端接收臨界值Vref3，運算放大器74的輸出端連接開關72的控制端。在該電晶體的控制端的電壓大於一臨界值時，導通該開關以限制該電晶體的控制端的最大電壓。箝制電路66包括開關76及運算放大器78，其中開關76連接在電晶體38的控制端384及接地端之間，運算放大器78的正輸入端連接電晶體38的控制端384，運算放大器78的負輸入端接收臨界值Vref3，運算放大器78的輸出端連接開關76的控制端。當接腳S1及S2上的電壓發生瞬間高電壓變化時，將產生電流Icp1及Icp2分別電晶體36的輸入端362及控制端364之間的寄生電容Cdg1以及電晶體38的輸入端382及控制端384之間的寄生電容Cdg2 充電，進而導致電晶體36及38的控制端364及366的電壓Vg1及Vg2快速上升，在電壓Vg1大於臨界值Vref3時，運算放大器74導通開關72以限制電晶體36的控制端364的最大電壓。同樣的，在電壓Vg2大於臨界值Vref3時，運算放大器78導通開關76以限制電晶體38的控制端384的最大電壓。
圖10顯示本發明的第四實施例，其與圖5的電路同樣包括電 晶體36、38、42及44以及電流源40，但圖10的保護電路46包括箝制電路48、56、64及66。圖10的箝制電路48的架構及操作與圖5的箝制電路48相同，圖10的箝制電路56的架構及操作與圖7的箝制電路56相同，圖10的箝制電路64及66的架構及操作與圖8的箝制電路64及66相同。在其他實施例中，圖10的箝制電路48及56也可以使用被動式電路，圖10的箝制電路64及66也可以使用主動式電路。
圖11顯示圖10的電路發生瞬間高電壓變化時的電壓波形 圖，其中波形80是接腳S1的電壓，波形82是電晶體36的控制端364的電壓Vg1，波形84是電晶體36的輸出端366的電壓Vs。參照圖10及圖11，當發生瞬間高電壓變化使接腳S1的電壓快速上升時，如圖11的時間t1所示，電壓Vg1及Vs都開始上升，在時間t2時，電壓Vg1已達到箝制電路64中的稽納二極體68的崩潰電壓，故稽納二極體68導通以限制電壓Vg1的最大值，以防止線性LED驅動器出現不穩定或燒毀，此時電壓Vs仍持續上升。當電壓Vs大於臨界值Vref1時，箝制電路48的開關52被導通以對電壓Vs放電，但由於接腳S1的電壓仍在劇烈變化，因此電晶體36的輸出端366仍持續產生大電流Is1，箝制電路48無法完全將電流Is1洩放至接地端，導致電壓Vs仍持續上升。在電壓Vs達到臨界值Vref2時，箝制電路56中的開關58被導通以使電晶 體36關閉，所以電晶體36的輸出端366不再輸出電流Is1，隨著箝制電路48持續放電，電壓Vs開始下降。當電壓Vs低於臨界值Vref2時，箝制電路56中的開關58被關閉，故電晶體36的控制端364的電壓Vg1開始上升，此時電壓Vg1還不足以導通電晶體36，所以電壓Vs仍持續下降。當電晶體36再次被導通後，若接腳S1的電壓仍在劇烈變化，如時間t4所示，電壓Vs將再次上升。 之後反覆前述操作，直到接腳S1的電壓穩定後，電壓Vs將穩定在正常操作範圍。

Claims (28)

  1. 一種線性發光二極體驅動器，包括：一電晶體，具有一輸入端供連接發光二極體，其中在該電晶體導通時，該發光二極體被點亮；一電流源，連接該電晶體的輸出端，用以調節通過該發光二極體的電流；以及一保護電路，連接該電晶體，用以限制該電晶體的控制端的電壓及該電晶體的輸出端的電壓其中至少一個的最大值，以避免該線性發光二極體驅動器因該電晶體的輸入端的瞬間電壓變化而發生異常或不穩定。
  2. 如請求項1之線性發光二極體驅動器，其中該保護電路包括一箝制電路連接該電晶體的輸出端，以限制該電晶體的輸出端的最大電壓。
  3. 如請求項2之線性發光二極體驅動器，其中該箝制電路包括：一開關，連接在該電晶體的輸出端及一接地端之間；以及一運算放大器，連接該電晶體的輸出端及該開關，在該電晶體的輸出端的電壓大於一臨界值時，導通該開關以限制該電晶體的輸出端的最大電壓。
  4. 如請求項2之線性發光二極體驅動器，其中該箝制電路包括一稽納二極體用以限制該電晶體的輸出端的最大電壓，該稽納二極體的陽極連接一接地端，該稽納二極體的陰極連接該電晶體的輸出端。
  5. 如請求項1之線性發光二極體驅動器，其中該保護電路包括一箝制電路連接該電晶體的控制端及該電晶體的輸出端，偵測該電晶體的輸出端的電壓，在該電晶體的輸出端的電壓大於一臨界值時，關閉該電晶體以限制該電晶體的輸出端的最大電壓。
  6. 如請求項5之線性發光二極體驅動器，其中該箝制電路包括：一開關，連接在該電晶體的控制端及一接地端之間；以及一運算放大器，連接該電晶體的輸出端及該開關，在該電晶體的輸出端的電壓大於該臨界值時，導通該開關以關閉該電晶體。
  7. 如請求項1之線性發光二極體驅動器，其中該保護電路包括一箝制電路連接該電晶體的控制端，以限制該電晶體的控制端的最大電壓。
  8. 如請求項7之線性發光二極體驅動器，其中該箝制電路包括一稽納二極體用以限制該電晶體的控制端的最大電壓，該稽納二極體的陽極連接一接地端，該稽納二極體的陰極連接該電晶體的控制端。
  9. 如請求項7之線性發光二極體驅動器，其中該箝制電路包括：一開關，連接在該電晶體的控制端及一接地端之間；以及一運算放大器，連接該電晶體的控制端及該開關，在該電晶體的控制端的電壓大於一臨界值時，導通該開關以限制該電晶體的控制端的最大電壓。
  10. 如請求項1之線性發光二極體驅動器，其中該保護電路包括：一第一箝制電路，連接該電晶體的輸出端，以限制該電晶體的輸出端的最大電壓；一第二箝制電路，連接該電晶體的控制端及該電晶體的輸出端，偵測該電晶體的輸出端的電壓，在該電晶體的輸出端的電壓大於一臨界值時，關閉該電晶體以限制該電晶體的輸出端的最大電壓；以及一第三箝制電路，連接該電晶體的控制端，以限制該電晶體的控制端的最大電壓。
  11. 如請求項10之線性發光二極體驅動器，其中該第一箝制電路包括：一開關，連接在該電晶體的輸出端及一接地端之間；以及一運算放大器，連接該電晶體的輸出端及該開關，在該電晶體的輸出端的電壓大於一第二臨界值時，導通該開關以限制該電晶體的輸出端的最大電壓。
  12. 如請求項10之線性發光二極體驅動器，其中該第一箝制電路包括一稽納二極體用以限制該電晶體的輸出端的最大電壓，該稽納二極體的陽極連接一接地端，該稽納二極體的陰極連接該電晶體的輸出端。
  13. 如請求項10之線性發光二極體驅動器，其中該第二箝制電路包括：一開關，連接在該電晶體的控制端及一接地端之間；以及一運算放大器，連接該電晶體的輸出端及該開關，在該電晶體的輸出端的電壓大於該臨界值時，導通該開關以關閉該電晶體。
  14. 如請求項10之線性發光二極體驅動器，其中該第三箝制電路包括一稽納二極體用以限制該電晶體的控制端的最大電壓，該稽納二極體的陽極連接一接地端，該稽納二極體的陰極連接該電晶體的控制端。
  15. 如請求項10之線性發光二極體驅動器，其中該第三箝制電路包括：一開關，連接在該電晶體的控制端及一接地端之間；以及一運算放大器，連接該電晶體的控制端及該開關，在該電晶體的控制端的電壓大於一臨界值時，導通該開關以限制該電晶體的控制端的最大電壓。
  16. 如請求項1之線性發光二極體驅動器，其中該電晶體是高壓元件。
  17. 如請求項1之線性發光二極體驅動器，其中該電晶體是金屬氧化物半導體場效電晶體。
  18. 如請求項1之線性發光二極體驅動器，其中該電晶體是絶緣閘雙極電晶體。
  19. 一種線性發光二極體驅動器的控制方法，該線性發光二極體驅動器包含一電晶體具有一與發光二極體連接的輸入端、一控制端及一輸出端，該控制方法包括下列步驟：導通該電晶體以點亮該發光二極體；以及限制該電晶體的控制端的電壓及該電晶體的輸出端的電壓其中至少一個的最大值，以避免該線性發光二極體驅動器因該電晶體的輸入端的瞬間電壓變化而發生異常或不穩定。
  20. 如請求項19之控制方法，其中該限制該電晶體上的電壓最大值的步驟包括限制該電晶體的輸出端的最大電壓。
  21. 如請求項20之控制方法，其中該限制該電晶體的輸出端的最大電壓的步驟包括在該電晶體的輸出端的電壓大於一臨界值時，形成一放電路徑供放電該電晶體的輸出端的電壓，以限制該電晶體的輸出端的最大電壓。
  22. 如請求項20之控制方法，其中該限制該電晶體的輸出端的最大電壓的步驟包括在該電晶體的輸出端的電壓大於一臨界值時，關閉該電晶體以限制該電晶體的輸出端的最大電壓。
  23. 如請求項19之控制方法，其中該限制該電晶體上的電壓最大值的步驟包括限制該電晶體的控制端的最大電壓。
  24. 如請求項23之控制方法，其中該限制該電晶體的控制端的最大電壓的步驟包括在該電晶體的控制端的電壓大於一臨界值時，形成一放電路徑供放電該電晶體的控制端的電壓，以限制該電晶體的控制端的最大電壓。
  25. 如請求項19之控制方法，其中該限制該電晶體上的電壓最大值的步驟包括：限制該電晶體的輸出端的最大電壓；以及限制該電晶體的控制端的最大電壓。
  26. 如請求項25之控制方法，其中該限制該電晶體的輸出端的最大電壓的步驟包括在該電晶體的輸出端的電壓大於一臨界值時，形成一放電路徑供放電該電晶體的輸出端的電壓，以限制該電晶體的輸出端的最大電壓。
  27. 如請求項25之控制方法，其中該限制該電晶體的輸出端的最大電壓的步驟包括在該電晶體的輸出端的電壓大於一臨界值時，關閉該電晶體以限制該電晶體的輸出端的最大電壓。
  28. 如請求項25之控制方法，其中該限制該電晶體的控制端的最大電壓的步驟包括在該電晶體的控制端的電壓大於一臨界值時，形成一放電路徑供放電該電晶體的控制端的電壓，以限制該電晶體的控制端的最大電壓。
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