TWI640743B - 在散射疊對量測中校準光瞳中心之方法與系統 - Google Patents

在散射疊對量測中校準光瞳中心之方法與系統 Download PDF

Info

Publication number
TWI640743B
TWI640743B TW103108273A TW103108273A TWI640743B TW I640743 B TWI640743 B TW I640743B TW 103108273 A TW103108273 A TW 103108273A TW 103108273 A TW103108273 A TW 103108273A TW I640743 B TWI640743 B TW I640743B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
scol
pupil
target
measurements
fluctuations
Prior art date
Application number
TW103108273A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201447220A (zh
Inventor
巴瑞克 布蘭歐里茲
伊瑞娜 梵許婷
歐費爾 亞哈朗
蓋伊 班朵夫
茲維 波姆榮
Original Assignee
美商克萊譚克公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商克萊譚克公司 filed Critical 美商克萊譚克公司
Publication of TW201447220A publication Critical patent/TW201447220A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI640743B publication Critical patent/TWI640743B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
    • G01N21/4785—Standardising light scatter apparatus; Standards therefor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

本發明提供用於在散射疊對量測中校準一光瞳中心之方法及校準模組。該校準包括自一第一統計優值(諸如在該光瞳處之每像素之一疊對信號之一平均值)計算波動及相對於該等波動之一第二統計優值(諸如該等波動之一光瞳加權變異數)顯著降低(例如最小化)該等波動。

Description

在散射疊對量測中校準光瞳中心之方法與系統
本發明係關於計量學之領域，且更特定言之係關於散射疊對計量學。
光瞳平面之誤校準係散射疊對計量學中之一誤差源。一般方法藉由量測一類似鏡子之校準目標及藉由憑藉解各自馬克士威(Maxwell)方程式模型化經偵測之電磁信號而校準光瞳平面。
本發明之一態樣提供一種在散射疊對量測中校準一光瞳中心之方法，該方法包括自該光瞳處之每像素之一疊對信號之一平均值計算波動及相對於該等波動之一光瞳加權變異數最小化該等波動。
本發明之此等額外及/或其他態樣及/或優點係在隨後詳細描述中闡述；可能可自該詳細描述推論；及/或可藉由本發明之實踐學習。
100‧‧‧目標
100A‧‧‧標準SCOL目標/目標
100B‧‧‧並排SCOL目標/目標/實際目標/並排目標
105‧‧‧目標單元/光柵/非疊對目標單元/疊對目標單元
106‧‧‧目標層
115‧‧‧輻射光點
115A‧‧‧光點
115B‧‧‧光點
120‧‧‧經校準光瞳影像
125‧‧‧實際光瞳影像
200‧‧‧光瞳平面校準方法/方法
210‧‧‧階段
220‧‧‧階段
225‧‧‧階段
230‧‧‧階段
240‧‧‧階段
250‧‧‧階段
260‧‧‧階段
270‧‧‧階段
280‧‧‧階段
290‧‧‧階段
500‧‧‧方法
510‧‧‧階段
540‧‧‧階段
550‧‧‧階段
560‧‧‧階段
570‧‧‧階段
590‧‧‧階段
595‧‧‧階段
‧‧‧波向量座標
‧‧‧光瞳平面座標
‧‧‧座標系統中之偏移(光瞳偏心)
B‧‧‧2x2矩陣
‧‧‧波向量
‧‧‧光瞳座標
P‧‧‧光柵之節距
‧‧‧光柵向量
OVL real ‧‧‧目標之光柵之間之疊對
‧‧‧對光瞳偏心之疊對線性回應
⊿‧‧‧連接及之一向量
‧‧‧光瞳光點
‧‧‧兩個輻射光點之間之距離
‧‧‧相位
‧‧‧波向量
g(i)‧‧‧光柵
‧‧‧相對於之函數{}之梯度
‧‧‧方向
．．⊿‧‧‧剩餘疊對信號
VAR(()．)‧‧‧光瞳加權變異數
(d x 及d y )‧‧‧未對準向量
為了更佳理解本發明之實施例且展示其等可如何實施，現將僅藉由實例參考附圖，其中相同數字始終指定對應元件或部分。
在附圖中：圖1係根據本發明之一些實施例之目標，各自光瞳平面影像及各自校準變數之一高階示意圖解。
圖2係根據本發明之一些實施例之用於SCOL之一光瞳平面校準方法之一高階示意流程圖。
圖3A及圖3B示意性地繪示根據本發明之一些實施例之經量測疊對對於用於一並排SCOL目標之未對準向量之一模擬相關性。
圖4A至圖4C示意性地繪示根據本發明之一些實施例之經量測疊對對於用於一標準SCOL目標之未對準向量之一實驗上量測之相關性。
圖5係繪示根據本發明之一些實施例之一方法之一高階流程圖。
在闡述詳細描述之前，闡述下文中將使用之特定術語之定義可為有用的。
如此申請案所使用之術語「最小化」係指一顯著降低，即，可相對於一未校準量測在計量學結果中辨別之一降低。並不需要一絕對最小值且任何顯著降低係在本發明之範疇內。
如此申請案中所使用之術語「統計優值」分別係指應用於光瞳平面像素之任何統計函數或指代特定光瞳平面像素之任何資料或值(諸如一加權平均值及經計算之疊對值)，如一非限制性實例。
現特定詳細參考圖式，強調所展示之細節係藉由實例且僅出於本發明之較佳實施例之闡釋性論述之目的，且係為了提供被認為本發明之原理及概念態樣之最有用且易於理解之描述之內容而提出。就此點而言，未進行任何嘗試以展示本發明之結構細節比本發明之一基礎理解所需更詳細，該等圖式所採取之描述使熟習此項技術者明白可如何在實踐中體現本發明之若干形式。
在詳細解釋本發明之至少一個實施例之前，應理解，本發明並不使其應用受限於以下描述中所闡述或圖式中所繪示之組件之建構及配置之細節。本發明可應用於其他實施例或可依各種方式實踐或實 施。又，應理解，本文中所採用之語法及術語係出於描述之目的且不應視為限制性。
圖1係根據本發明之一些實施例之目標100，各自光瞳平面影像及各自校準變數之一高階示意圖解。圖1示意性地繪示兩種一般類型之散射疊對(SCOL)目標，亦即，具有在不同目標層106處之至少部分疊對之之目標單元105之一(標準)SCOL目標(100A、左側)及具有(在一或多個層中)至少部分非疊對之目標單元105之並排SCOL目標(100B、右側)。對於各目標100A、100B，一示意視圖繪示藉由各自目標產生之輻射光點115係經示意性地繪示(一光點115針對標準SCOL目標100A且藉由間隔之兩個光點115A、115B針對並排SCOL目標100B)。在底部，光瞳平面影像係示意性地繪示為包括繞射級-1、0、+1(在左下影像中自左至右，級0及+1在右下影像中放大)。在光瞳平面照明處之各級包括各自目標100A、100B之一實際光瞳影像125及各自經校準光瞳影像120。
本發明揭示用於校準放置於光瞳平面中之偵測器之座標之方法。此校準對於使用光學散射完成之量測而言重要的。該等方法在疊對散射量測技術中使用第一級繞射信號進行例證。該等方法可應用於不同SCOL目標設計(具有或不具有疊對目標單元)且提供光瞳平面之一精確校準(此改良任何類型之計量學量測，例如，臨界尺寸(CD)、層寬度、側壁角、光柵高度、疊對等)。
所揭示之方法克服由光瞳平面之誤校準引起之計量學誤差且防止計量學效能之一降級在工具誘發偏移(TIS)及其變異數(TIS3S(工具誘發偏移三標準差(tool induced shift 3-sigma))，此為與TIS有關之一可變性值)中放大。此外，所揭示方法係優於涉及量測常常為具有已知性質之一類似鏡子基板之一校準目標及藉由馬克士威方程式之一解而模型化經偵測電磁信號之校準方法。此模型化包含作為參數的校準 自由度且使模型擬合資料而修正該等校準參數，藉此完成光瞳平面之校準。然而，此等經實踐方法涉及模型化處理程序中之問題，該模型化處理程序之精確度及可重複性受限於信號對校準變數之敏感度且受限於常常受到計算資源限制之所使用之數值模型化引擎進行之近似化。相反地，所揭示方法並不涉及上文所描述之類型之電磁模型化且提供對校準參數之非常良好的敏感度。
未受理論所限制，光瞳平面影像之以下模型係用於例證所揭示之方法。該模型自身並不限制該等方法之實施方案但僅用於闡釋性目的。模型變數係以一示意方式示意性地繪示於圖1中。
首先，波向量座標與光瞳平面座標之間之一轉換係定義於方程式1中。
如方程式1展示，假定該波向量座標與該光瞳平面座標之間之一轉換係線性的。向量係座標系統中之偏移(光瞳偏心)且B係判定光瞳平面格柵之相對按比例調整及旋轉性質之一2x2矩陣。對於定向，應 注意，係對應於藉由法線照明到達目標且以第n個繞射級反射之光之一波向量。亦應注意，此假定係一闡釋性簡單化且對於此假定引入各自修正係所揭示方法之部分。
使用第一級散射疊對技術在一光瞳座標處獲得且自疊對目標100提取之疊對信號可如方程式2中撰寫。
在方程式2中，P係光柵之節距且係光柵向量。OVL real 係目標100之光柵105之間之疊對，向量係對光瞳偏心之疊對線性回應，且⊿係連接(該係假定為對應於第一繞射級之中心但歸 因於誤校準自其偏離之光瞳光點)及之一向量，如在方程式3中公式化(亦參見圖1)。
注意，「中心」下標繪示事實：在缺乏誤校準之情況下，對應於第一繞射級之中心。最後，係由目標單元105之非疊對引起之在並排技術之情況中之兩個輻射光點之間之距離(參見目標100B)且對於使用疊對目標之第一級散射疊對(SCOL)為零(參見目標100A)。因此，方程式2中之最後一個術語．．⊿係在使用具有非疊對目標單元105之目標100B(並排目標)時存在且在使用具有疊對目標單元105之目標100A(例如，如在光柵疊光柵之SCOL目標中)時不存在。
在並排SCOL量測中，對之線性回應遵守方程式4。
在方程式4中，係波向量在其以繞射級n自光柵g(i)反射時獲取之相位。表示相對於之函數{}之梯度。重要的是，模擬展示對於方向上之一光柵，向量()具有至垂直於之方向上之一非常小投射，如方程式5中所表達。
自方程式5遵循方程式2可藉由以下方程式6近似化。
注意，方程式2及方程式6中之術語．．⊿係獨立於且因此使零耦合至晶圓反射率。就此點而言，其係一完全可校準TIS源且並不促成TIS3S。此係與方程式2及方程式6中之術語(．)(()．)(其係光瞳相關的且透過其對(如方程式4中所表達之)之相關而耦合至晶圓反射率之性質)相反。確實，模擬展示此TIS原因係對於並排SCOL(目標100B)之小又非零之TIS3S之一重要促成者。明顯地，後者術語對光瞳座標及對晶圓反射比之相關亦係在使用具有疊對單元之 SCOL目標(目標100A)時存在。
圖2係根據本發明之一些實施例之用於SCOL之一光瞳平面校準方法200之一高階示意流程圖。遵循上文在方程式1至方程式6中所呈現之發展，方法200包括以下校準程序。
特定用於並排SCOL目標100B之一第一校準程序(階段210)包括使用一單一光柵校準及⊿(階段220)。該並排量測程序(例如，揭示於WIPO PCT申請案第PCT/US13/65527號中)係用於自一單一光柵而非實際目標100B獲得一信號(階段225)。在此情況中，如藉由設定方程式4中之g(1)=g(2)及OVL real =0為單一光柵目標而導出之()0並不清晰呈現任何疊對。因此，剩餘疊對信號係方程式6之術語．．⊿，其可如方程式7中所表示般進行量測(階段230)： 當吾人量測實際目標100B時，方程式7中所描述之疊對信號係經記錄且自疊對信號減去(階段240)。應注意，此最後步驟不可應用於標準(光柵疊光柵)SCOL目標，此係因為光瞳格柵之按比例調整及旋轉並不影響使用此等目標之經計算之OVL。
一第一校準程序，其可應用於校準並排SCOL目標100B(階段210，在240之後或之前)及/或SCOL目標100A(階段250)中之。當．．⊿獨立於光瞳座標(且在使用SCOL目標100A時為空)時，光瞳中心可依以下方式校準(階段260，在並排SCOL中，此並不需要吾人優先校準及⊿)。
首先，方法200包括計算藉由每像素疊對之光瞳平均值減去光瞳平均值給定之疊對信號之光瞳波動，如方程式8中所表達(階段270)。
藉由OVL3S表示此等波動之三標準差值且使用方程式6，OVL3S 可根據方程式9來表達及計算(階段280)。
在方程式9中，VAR(()-)係()．之光瞳加權變異數。方法200進一步包括找到依據對光瞳中心之一良好近似化最小化OVL3S()之|．|之值(階段290)。
實例
以下實例包括證明上文所提出之對於並排目標100B之假定之有效性之模擬結果，如方程式1至方程式6中所表達。
圖3A及圖3B示意性地繪示根據本發明之一些實施例之經量測疊對對於用於一並排SCOL目標之未對準向量之一模擬相關性。圖3A及圖3B示意性地繪示沿著x軸之對於一X光柵(=)之經量測疊對(及其相關聯OVL3S)對於用於一並排SCOL目標100B之未對準向量(d x 及d y )之X分量及Y分量之一模擬相關性。在所繪示之模擬中，頂部層係一光阻層且底部層係圖案矽。以一非限制性方式選取經模擬疊對值為零。此等結果集中於之校準，在不失一般性之情況下繪示為其中．．⊿=0。明顯地，疊對誤差在偏心中為線性的(圖3A)且相較於其中⊥之情況，對偏心之疊對敏感度在∥時更加明顯。顯而易見，當．0(即，d x =0)時OVL3S達到一最小值(圖3B)。來自方程式2及方程式5之模擬結果之偏離係歸因於有限目標尺寸效應及在方程式1及方程式2中完成之主要級近似化。
以下實例包括證明上文所提出之對於SCOL目標100A之假定之有效性之模擬結果，如方程式1至方程式6中所表達。
圖4A至圖4C示意性地繪示根據本發明之一些實施例之經量測疊對對於用於一標準SCOL目標之未對準向量之一實驗上量測之相關 性。經測試晶圓具有一圖案化光阻之一上部層及圖案化矽之一下部層。圖4A至圖4C繪示藉由誘發之變化對OVL(圖4A及圖4B)及OVL3S(圖4C)之影響。圖4A繪示自三個不同晶圓位址對d x 之疊對誤差。圖4B繪示自大量晶圓位址對d y 之疊對誤差。圖4C繪示自三個不同晶圓位址對d x 之OVL3S。對於光瞳校準之精確度之一指示係藉由憑藉其他方法之修正光瞳中心之一獨立量測給定，該獨立量測與藉由所揭示方法計算之結果一致。應注意，圖4A至圖4C中所量測之位址在不同圖式中並不相同。
圖5係繪示根據本發明之一些實施例之方法500之一高階流程圖。方法500之任何計算步驟可藉由至少一電腦處理器及/或藉由實施於軟體或硬體模組中而進行(階段595)。
方法500包括藉由自光瞳處之每像素之一疊對信號之第一統計優值(例如，一平均值、一加權平均值、一中值等)計算波動(階段570)及相對於一第二統計優值(諸如該等波動之一光瞳加權變異數)顯著降低(例如，最小化或實質上最小化)該等波動(階段590)而在散射疊對量測中校準一光瞳中心(階段560)。取決於特定校準及量測要求，可使用該等第一優值及第二優值之任何組合。
方法500可包括自包括在至少兩個疊對層處之目標單元之一散射疊對(SCOL)目標導出量測(階段550)。
方法500可包括自包括至少兩個非疊對目標單元之一並排SCOL目標導出量測(階段510)及自該等並排SCOL量測減去自一單一光柵目標量測之一疊對信號(階段540)。
方法500包括經組態以降低及/或消除疊對、TIS及TIS3S量測之光瞳校準敏感度之校準技術。方法500包括使用一單一光柵校準之第一級之中心之光瞳校準之第一校準程序及/或使用疊對光瞳資訊及一標準SCOL目標或並排目標之光瞳之中心之光瞳校準之第二校準程序。 該第二校準程序可獨立於該第一校準程序進行及/或可在該第一校準程序之前或之後進行。該第二校準程序可在計量學量測期間(以量測模式)或在實際計量學量測之前以訓練模式「高速(on the fly)」進行。
某些實施例包括一電腦程式產品，該電腦程式產品包括具有與其一起體現之電腦可讀程式之一電腦可讀儲存媒體，該電腦可讀程式經組態以實施方法200或500之階段之任一者。
某些實施例包括經組態以藉由自光瞳處之每像素之一疊對信號之一第一統計優值(例如，一平均值、一加權平均值、一中值等)計算波動及相對於該等波動之一第二統計優值(例如，該等波動之一光瞳加權變異數)顯著降低(例如，最小化)該等波動而在散射疊對量測中校準一光瞳中心之可能至少部分實施於電腦硬體中之一校準模組。該校準模組可進一步經配置以自包括至少兩個疊對層處之目標單元之一散射疊對(SCOL)目標導出量測。該校準模組可進一步經配置以自包括至少兩個非疊對目標單元之一並排SCOL目標導出量測。該校準模組可進一步經配置以自並排SCOL量測減去自一單一光柵目標量測之一疊對信號。
有利的是，所揭示方法顯著降低及/或消除疊對、TIS及TIS3S之任一者之量測對光瞳座標中之可能誤差(諸如源自光瞳誤校準之該等誤差)之敏感度。所揭示方法使用(依據定義)為疊對信號且對所需校準參數非常敏感之信號達成敏感度降低，藉此改良未對準修正之穩健性；使能夠提高光瞳校準相關之TIS及TIS3S之效能；且使能夠以可高速執行而無需額外模型化之一方式定位光瞳中心。
在以上描述中，一實施例係本發明之一實例或實施方案。「一個實施例」、「一實施例」、「某些實施例」或「一些實施例」之各種表示並不一定全部係指相同實施例。
儘管可在一單一實施例之背景內容中描述本發明之各種特徵， 然該等特徵亦可單獨提供或以任何合適組合提供。相反地，儘管為清晰起見在本文中可在分離實施例之背景內容中描述本發明，然本發明亦可實施於一單一實施例中。
本發明之某些實施例可包含來自上文所揭示之不同實施例之特徵且某些實施例可併入來自上文所揭示之其他實施例之元件。本發明之元件在一特定實施例之背景內容中之揭示內容不應視為將其等限制用於僅特定實施例中。
此外，應理解，可依各種方式執行或實踐本發明且本發明可實施於除上文在描述中概述之實施例以外之某些實施例中。
本發明並不限於該等圖式或限於對應描述。例如，流程並不需要移動通過各繪示框或狀態或以如所繪示及描述之確切相同順序。
應通常如本發明所屬於之技術之一般技術者般理解本文中所使用之技術及科學術語之意義，除非另有定義。
雖然已參考一有限數目個實施例描述本發明，但此等實施例不應解釋為限制本發明之範疇，而應作為一些較佳實施例之例證。其他可能變動、修改及應用亦係在本發明之範疇內。因此，本發明之範疇不應由迄今已描述之內容限制，但藉由隨附申請專利範圍及其等合法等效物限制。

Claims (18)

  1. 一種在散射疊對量測中校準一光瞳中心之方法，其包括：經由一疊對計量學工具以獲取一或多個散射疊對(SCOL)量測；藉由一或多個處理器基於該一或多個SCOL量測從在該疊對計量學工具之一光瞳平面處之一每像素疊對信號之一第一統計優值，計算一或多個波動；藉由該一或多個處理器基於在該光瞳平面處之該每像素疊對信號之一第二統計優值，調整該一或多個經計算之波動；藉由該一或多個處理器判定一光瞳校準值，其降低該一或多個經調整之波動；及提供該經判定之光瞳校準值以校準位於該疊對計量學工具之該光瞳平面之該光瞳中心處的一或多個偵測器之一或多個座標。
  2. 如請求項1之方法，其中該第一統計優值係一平均值且該第二統計優值係一光瞳加權變異數。
  3. 如請求項1之方法，其中該第一統計優值係一光瞳加權平均值。
  4. 如請求項1之方法，其中該第一統計優值係一中值。
  5. 如請求項1之方法，其中該判定該光瞳校準值，其降低該一或多個經調整之波動包括：判定該光瞳校準值，其最小化該一或多個經調整之波動。
  6. 如請求項1之方法，其中該獲取該一或多個SCOL量測包括：自一SCOL目標獲取該一或多個SCOL量測，該SCOL目標包含在兩個或多個疊對層處之一或多個目標單元。
  7. 如請求項1之方法，其中該獲取該一或多個SCOL量測包括：自一並排SCOL目標獲取該一或多個SCOL量測，該並排SCOL目標包含至少兩個非疊對目標單元。
  8. 如請求項7之方法，其進一步包括：自一單一光柵SCOL目標獲取一或多個SCOL量測；及從自該並排SCOL目標所獲取的該一或多個SCOL量測減去自該單一光柵SCOL目標所獲取的該一或多個SCOL量測。
  9. 一種在散射疊對量測中校準一光瞳中心之系統，其包含：一或多個處理器，其經配置以執行一組電腦可讀程式指令，該組電腦可讀程式指令經配置以使該一或多個處理器：從一疊對計量學工具接收一或多個散射疊對(SCOL)量測，其中該疊對計量學工具經配置以從一或多個SCOL目標獲取該一或多個SCOL量測；基於該經接收之一或多個SCOL量測從在該疊對計量學工具之一光瞳平面處之一每像素疊對信號之一第一統計優值，計算一或多個波動；基於在該光瞳平面處之該每像素疊對信號之一第二統計優值，調整該一或多個經計算之波動；及判定一光瞳校準值，其降低該一或多個經調整之波動，提供該經判定之光瞳校準值以校準位於該疊對計量學工具之該光瞳平面之該光瞳中心處的一或多個偵測器之一或多個座標。
  10. 一種在散射疊對量測中校準一光瞳中心之系統，其包含：一疊對計量學工具，其包括位於一光瞳平面之一光瞳中心處的一或多個偵測器，其中該疊對計量學工具經配置以從一或多個散射疊對(SCOL)目標獲取一或多個SCOL量測；一或多個處理器，其經配置以執行一組電腦可讀程式指令，該組電腦可讀程式指令經配置以使該一或多個處理器：從該疊對計量學工具接收該一或多個SCOL量測；基於該經接收之一或多個SCOL量測從在該疊對計量學工具之一光瞳平面處之一每像素疊對信號之一第一統計優值，計算一或多個波動；基於在該光瞳平面處之該每像素疊對信號之一第二統計優值，調整該一或多個經計算之波動；及判定一光瞳校準值，其降低該一或多個經調整之波動，提供該經判定之光瞳校準值以校準位於該疊對計量學工具之該光瞳平面之該光瞳中心處的該一或多個偵測器之一或多個座標。
  11. 如請求項10之系統，其中該第一統計優值係一平均值且該第二統計優值係一光瞳加權變異數。
  12. 如請求項10之系統，其中該第一統計優值係一光瞳加權平均值。
  13. 如請求項10之系統，其中該第一統計優值係一中值。
  14. 如請求項10之系統，其中該一或多個處理器進一步經配置以最小化該等波動。
  15. 如請求項10之系統，其中該疊對計量學工具進一步經配置以自該一或多個SCOL目標獲取該一或多個SCOL量測，其中該一或多個SCOL目標包含：包括在兩個或多個疊對層處之一或多個目標單元之一SCOL目標。
  16. 如請求項10之系統，其中該疊對計量學工具進一步經配置以自該一或多個SCOL目標獲取該一或多個SCOL量測，其中該一或多個SCOL目標包含：包括至少兩個非疊對目標單元之一並排SCOL目標。
  17. 如請求項16之系統，其中該疊對計量學工具進一步經配置以自一單一光柵SCOL目標獲取一或多個SCOL量測，其中該一或多個處理器進一步經配置以從自該並排SCOL目標所獲取的該一或多個SCOL量測減去自該單一光柵SCOL目標所獲取的該一或多個SCOL量測。
  18. 一種在散射疊對量測中校準一光瞳中心之方法，其包括：從一並排散射疊對(SCOL)目標獲取一或多個SCOL量測，該並排SCOL目標包括至少兩個非疊對目標單元；從一單一光柵SCOL目標獲取一或多個SCOL量測；藉由一或多個處理器從自該並排SCOL目標所獲取的該一或多個SCOL量測減去自該單一光柵SCOL目標所獲取的該一或多個SCOL量測；從包括在兩個或多個疊對層處之一或多個目標單元之一SCOL目標獲取一或多個SCOL量測；及判定一光瞳校準值；及提供該經判定之光瞳校準值以校準位於一疊對計量學工具之一光瞳平面之一光瞳中心處的一或多個偵測器之一或多個座標。
TW103108273A 2013-03-08 2014-03-10 在散射疊對量測中校準光瞳中心之方法與系統 TWI640743B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201361775230P 2013-03-08 2013-03-08
US61/775,230 2013-03-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201447220A TW201447220A (zh) 2014-12-16
TWI640743B true TWI640743B (zh) 2018-11-11

Family

ID=51491987

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103108273A TWI640743B (zh) 2013-03-08 2014-03-10 在散射疊對量測中校準光瞳中心之方法與系統

Country Status (2)

Country Link
TW (1) TWI640743B (zh)
WO (2) WO2014138522A1 (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10365230B1 (en) 2014-03-19 2019-07-30 Kla-Tencor Corporation Scatterometry overlay based on reflection peak locations
US9739719B2 (en) 2014-10-31 2017-08-22 Kla-Tencor Corporation Measurement systems having linked field and pupil signal detection
JP6770958B2 (ja) * 2014-11-25 2020-10-21 ケーエルエー コーポレイション ランドスケープの解析および利用
US10072921B2 (en) 2014-12-05 2018-09-11 Kla-Tencor Corporation Methods and systems for spectroscopic beam profile metrology having a first two dimensional detector to detect collected light transmitted by a first wavelength dispersive element
US10101676B2 (en) 2015-09-23 2018-10-16 KLA—Tencor Corporation Spectroscopic beam profile overlay metrology
US10691028B2 (en) 2016-02-02 2020-06-23 Kla-Tencor Corporation Overlay variance stabilization methods and systems
US10288408B2 (en) 2016-12-01 2019-05-14 Nanometrics Incorporated Scanning white-light interferometry system for characterization of patterned semiconductor features
US10732516B2 (en) * 2017-03-01 2020-08-04 Kla Tencor Corporation Process robust overlay metrology based on optical scatterometry
US11861824B1 (en) 2022-02-03 2024-01-02 Kla Corporation Reference image grouping in overlay metrology

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040233442A1 (en) * 2003-02-22 2004-11-25 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry
TW201106116A (en) * 2009-05-12 2011-02-16 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method
US20110128512A1 (en) * 2008-02-27 2011-06-02 Asml Netherlands B.V. Inspection Method and Apparatus, Lithographic Apparatus, Lithographic Processing Cell and Device Manufacturing Method
TW201229496A (en) * 2010-11-12 2012-07-16 Asml Netherlands Bv Metrology method and inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7616323B2 (en) * 2005-01-20 2009-11-10 Zygo Corporation Interferometer with multiple modes of operation for determining characteristics of an object surface
US7656518B2 (en) * 2007-03-30 2010-02-02 Asml Netherlands B.V. Method of measuring asymmetry in a scatterometer, a method of measuring an overlay error in a substrate and a metrology apparatus
NL1036245A1 (nl) * 2007-12-17 2009-06-18 Asml Netherlands Bv Diffraction based overlay metrology tool and method of diffraction based overlay metrology.
NL2005863A (en) * 2009-12-28 2011-06-29 Asml Netherlands Bv Calibration method and apparatus.
US8896832B2 (en) * 2010-06-17 2014-11-25 Kla-Tencor Corp. Discrete polarization scatterometry
KR101793538B1 (ko) * 2010-07-19 2017-11-03 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 오버레이 오차를 결정하는 장치 및 방법
US8582114B2 (en) * 2011-08-15 2013-11-12 Kla-Tencor Corporation Overlay metrology by pupil phase analysis

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040233442A1 (en) * 2003-02-22 2004-11-25 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry
US20110128512A1 (en) * 2008-02-27 2011-06-02 Asml Netherlands B.V. Inspection Method and Apparatus, Lithographic Apparatus, Lithographic Processing Cell and Device Manufacturing Method
TW201106116A (en) * 2009-05-12 2011-02-16 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method
TW201229496A (en) * 2010-11-12 2012-07-16 Asml Netherlands Bv Metrology method and inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
WO2014138741A1 (en) 2014-09-12
TW201447220A (zh) 2014-12-16
WO2014138522A1 (en) 2014-09-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI640743B (zh) 在散射疊對量測中校準光瞳中心之方法與系統
TWI798248B (zh) 在計量量測中之機器學習
TWI711096B (zh) 光學計量學之方法，電腦程式產品，及計量學模組
TWI634321B (zh) 用於量測微影程序之參數之方法、系統、度量衡裝置及相關電腦程式產品
US20210041236A1 (en) Method and system for calibration of structural parameters and construction of affine coordinate system of vision measurement system
TWI631431B (zh) 度量衡方法、電腦產品及系統
US8600147B2 (en) System and method for remote measurement of displacement and strain fields
TWI713703B (zh) 分析散射術計量中製程變異之根本原因
TWI639060B (zh) 自散射量測移除製程變化相關之不準確
US20160313653A1 (en) Method and Apparatus for Measuring a Structure on a Substrate, Models for Error Correction, Computer Program Products for Implementing such Methods and Apparatus
US9909982B2 (en) Pupil plane calibration for scatterometry overlay measurement
TW201702754A (zh) 用於檢測及度量衡的方法與設備
TW201702753A (zh) 用於檢測及度量衡的方法與設備
US10323938B2 (en) Method for calibrating a measuring device
EP3607264B1 (en) Machine vision system
WO2016123552A1 (en) Device metrology targets and methods
TW201935147A (zh) 反射對稱式散射量測之重疊目標及方法
CN113822920B (zh) 结构光相机获取深度信息的方法、电子设备及存储介质
TW202119134A (zh) 判定關於目標結構之資訊的方法及系統
Wang et al. Positioning error calibration for two-dimensional precision stages via globally optimized image registration
US20150015883A1 (en) Aperture alignment in scatterometry metrology systems
Weckenmann et al. Model and simulation of fringe projection measurements as part of an assistance system for multi-component fringe projection sensors
TWI621826B (zh) 量測方法及系統
US10365230B1 (en) Scatterometry overlay based on reflection peak locations
US11856180B1 (en) Systems and methods for performing temperature-dependent reference image correction for light projectors