TWI637420B - 抗突波繞線低溫熔斷電阻器及其製造方法 - Google Patents

Abstract

一種熔斷電阻器，其包括一絕緣棒、一第一繞線、一第二繞線以及一連接導線。絕緣棒具有一第一端及一第二端。第一繞線自第一端纏繞絕緣棒，且第一繞線的一端電銲在一第一帽蓋上。第二繞線自第二端纏繞絕緣棒，且第二繞線的一端電銲在一第二帽蓋上。連接導線設置於第一繞線與第二繞線之間，其中連接導線的熔點低於第一繞線與第二繞線的熔點，且第一繞線與第二繞線彼此分離並經由連接導線電性連接。熔斷電阻器進一步包括一第一電覆蓋層將第一繞線的一端電連接至第一帽蓋，以及一第二電覆蓋層將第二繞線的一端電連接在第二帽蓋上，以加強固定第一繞線及第二繞線而增加抗突波效果。

Description

抗突波繞線低溫熔斷電阻器及其製造方法

本揭露涉及一種熔斷電阻器及其製造方法，尤指一種抗突波繞線低溫熔斷電阻器及其製造方法。

熔斷電阻器可以在電路正常工作時發揮固定電阻器作用，當其工作電流超過額定電流時，熔斷電阻器的熔斷溫度即為其將因為過熱而像熔斷器一樣熔斷以對電路進行保護。一般而言，繞線熔斷電阻器的熔斷溫度即為其繞線的熔點。然而，基於電阻值及其它電性考量，習知熔斷電阻器的繞線材料主要選用高熔點合金，其熔斷溫度過高，有發紅過程，而此一發紅過程有可能燒毀電路其他元件，故影響電路保護效果。

本揭露的目的之一在於提供一種抗突波繞線低溫熔斷電阻器。 本揭露的一實施例提供了一種熔斷電阻器，其包括一絕緣棒、一第一繞線、一第二繞線以及一連接導線。絕緣棒具有一第一端及一第二端。第一繞線自第一端纏繞絕緣棒。第二繞線自第二端纏繞絕緣棒。連接導線設置於第一繞線與第二繞線之間，其中連接導線的熔點低於第一繞線與第二繞線的熔點，且第一繞線與第二繞線彼此分離並經由連接導線電性連接。 根據本揭露的一些實施例，熔斷電阻器另包括一第一絕緣層覆蓋第一繞線以及第二繞線，其中第一絕緣層具有一開口暴露出部分的絕緣棒。 根據本揭露的一些實施例，第一絕緣層的材料包括環氧樹脂、矽膠不燃性漆或琺瑯漆。 根據本揭露的一些實施例，開口包括一縫隙開口，環繞絕緣棒並暴露出部分的絕緣棒。 根據本揭露的一些實施例，開口包括一點狀開口，暴露出部分的所述絕緣棒。 根據本揭露的一些實施例，連接導線經由第一絕緣層的開口與第一繞線及第二繞線接觸。 根據本揭露的一些實施例，熔斷電阻器另包括一第二絕緣層覆蓋第一絕緣層及連接導線並填入第一絕緣層的開口內。 根據本揭露的一些實施例，第二絕緣層的材料包括環氧樹脂、矽膠不燃性漆或琺瑯漆。 根據本揭露的一些實施例，熔斷電阻器另包括一第一帽蓋以及一第二帽蓋，其中第一帽蓋自絕緣棒的第一端蓋上並與第一繞線的一端電銲，第二帽蓋自絕緣棒的第二端蓋上並與第二繞線的一端電銲。 根據本揭露的一些實施例，熔斷電阻器另包括一第一電覆蓋層將第一繞線的一端電連接在第一帽蓋上，以及一第二電覆蓋層將第二繞線的一端電連接在第二帽蓋上。 根據本揭露的一些實施例，第一電覆蓋層與所述第二電覆蓋層的材料分別包括錫、銅、鐵、銀、鎳或其合金。 根據本揭露的一些實施例，所述第一電覆蓋層與所述第二電覆蓋層的厚度分別在1至20微米之間。 本揭露的另一實施例提供一種熔斷電阻器的製造方法，包括：提供一絕緣棒；在絕緣棒上纏繞一繞線；切斷繞線以形成彼此分離的一第一繞線與一第二繞線；以及形成一連接導線將第一繞線與第二繞線電連接，其中連接導線的熔點低於第一繞線與第二繞線的熔點。 根據本揭露的一些實施例，熔斷電阻器的製造方法另包括在切斷繞線之前先在絕緣棒及繞線上形成一第一絕緣層；以及在第一絕緣層形成一開口並切斷繞線。 根據本揭露的一些實施例，開口包括一縫隙開口，環繞絕緣棒並暴露出部分的絕緣棒。 根據本揭露的一些實施例，開口包括一點狀開口，暴露出部分的絕緣棒。 根據本揭露的一些實施例，熔斷電阻器的製造方法另包括形成一第二絕緣層覆蓋第一絕緣層及連接導線並填入第一絕緣層的開口內。 根據本揭露的一些實施例，熔斷電阻器的製造方法另包括於絕緣棒之一第一端形成一第一帽蓋，以及於絕緣棒之一第二端形成一第二帽蓋。 根據本揭露的一些實施例，熔斷電阻器的製造方法另包括將繞線的一端電銲於第一帽蓋上，以及將所述繞線之另一端電銲於第二帽蓋上。 根據本揭露的一些實施例，熔斷電阻器的製造方法另包括利用一第一電覆蓋層將繞線的一端電連接在第一帽蓋上，以及利用一第二電覆蓋層將繞線的另一端電連接在第二帽蓋上。 根據本揭露的一些實施例，第一電覆蓋層、第二電覆蓋層及連接導線是由同一製程一併形成。

本揭露提供了數個不同的實施方法或實施例，可用於實現本揭露的不同特徵。為簡化說明起見，本揭露也同時描述了特定零組件與佈置的範例。請注意提供這些特定範例的目的僅在於示範，而非予以任何限制。舉例而言，在以下說明第一特徵如何在第二特徵上或上方的敘述中，可能會包括某些實施例，其中第一特徵與第二特徵為直接接觸，而敘述中也可能包括其他不同實施例，其中第一特徵與第二特徵中間另有其他特徵，以致於第一特徵與第二特徵並不直接接觸。此外，本揭露中的各種範例可能使用重複的參考數字和/或文字註記，以使文件更加簡單化和明確，這些重複的參考數字與註記不代表不同的實施例與配置之間的關聯性。 另外，本揭露在使用與空間相關的敘述詞彙，如“在...下”、“低”、“下”、“上方”、"上"、“在…上”及類似詞彙時，為便於敘述，其用法均在於描述圖示中一個元件或特徵與另一個（或多個）元件或特徵的相對關係。除了圖示中所顯示的角度方向外，這些空間相對詞彙也用來描述所述裝置在使用中以及操作時的可能角度和方向。所述裝置的角度方向可能不同（旋轉90度或其它方位），而在本揭露所使用的這些空間相關敘述可以同樣方式加以解釋。 請參閱圖1。圖1繪示本揭露的一實施例的熔斷電阻器。如圖1所示，本實施例的熔斷電阻器1包括一絕緣棒10、一第一繞線22、一第二繞線24以及一連接導線26。絕緣棒10具有一第一端101及一第二端102。本實施例的絕緣棒10可包括陶瓷棒，但其材料不限於陶瓷材料，任何能達成本揭露目的絕緣材料例如玻璃纖維均可被使用。另外，本實施例的絕緣棒10具有圓柱體形狀，但不以此為限。 第一繞線22自第一端101纏繞絕緣棒10，第二繞線24自第二端102纏繞絕緣棒10，且第一繞線22與第二繞線24並未直接連接而具有一間隙。在一些實施例中，第一繞線22與第二繞線24以螺旋狀纏繞在絕緣棒10上。在一些實施例中，第一繞線22與第二繞線24之間的間隙介於約0.05公厘(mm)至約2公厘之間。連接導線26設置於第一繞線22與第二繞線24之間，且連接導線26的長度可略大於第一繞線22與第二繞線24之間的間隙，以連接第一繞線22與第二繞線24。連接導線26的熔點低於第一繞線22與第二繞線24的熔點，且第一繞線22與第二繞線24彼此分離並經由連接導線26電性連接。 在本實施例中，第一繞線22與第二繞線24的材料可包括或選用其熔點高於連接導線26的材料，例如第一繞線22與第二繞線24的熔點約介於攝氏800度至1500度之間，而連接導線26的熔點可低於約攝氏500度或低於約攝氏300度，例如介於攝氏200度至300度之間，但不以此為限。第一繞線22、第二繞線24與連接導線26的材料搭配可以根據電阻器的電性規格及安全規格決定。在一些實施例中，第一繞線22與第二繞線24的材料可包括或選用鎳銅合金或其它適合的高熔點的導電金屬或合金材料，而連接導線26的材料可包括或選用錫、銅或其它低熔點導電金屬或合金材料。透過上述配置，當本實施例的熔斷電阻器1的工作電流超過額定電流時，具有低熔點的連接導線26的熔斷溫度較低且熔斷速度較快，因此會先被熔斷以對電路進行保護。另外值得說明的是，在正常操作下，熔斷電阻器1的操作溫度約在70℃以下，因此具有低熔點的連接導線26不會影響熔斷電阻器1的正常操作。 本實施例的熔斷電阻器1可另包括一第一絕緣層12覆蓋第一繞線22以及第二繞線24。第一絕緣層12具有一開口12S暴露出部分的絕緣棒10。在本實施例中，第一絕緣層12的材料可包括或選用絕緣漆例如環氧樹脂或其它絕緣材料。在本實施例中，連接導線26經由第一絕緣層12的開口12S與第一繞線22及第二繞線24接觸。在本實施例中，第一絕緣層12的開口12S可包括一縫隙開口，其環繞絕緣棒10並暴露出部分的絕緣棒10。在一些實施例中，縫隙開口的寬度約介於0.05公厘至約2公厘之間，但不以此為限。 本實施例的熔斷電阻器1可另包括一第二絕緣層14，覆蓋第一絕緣層12及連接導線26並填入第一絕緣層12的開口12S內。在本實施例中，第二絕緣層14的材料可包括或選用絕緣漆例如環氧樹脂、矽膠不燃性漆或琺瑯漆，或其它絕緣材料。 本實施例的熔斷電阻器1可另包括一第一帽蓋32以及一第二帽蓋34。第一帽蓋32自絕緣棒10的第一端101蓋上並與第一繞線22電連接，第二帽蓋34自絕緣棒10的第二端102蓋上並與第二繞線24電連接。在本實施例中，第一帽蓋32與第二帽蓋34的材料可包括鐵、鋼、鋁、銅或其它金屬、合金或石墨材料。在本實施例中，第一繞線22的一端可先電銲在第一帽蓋32上，且第二繞線24的一端可先電銲在第二帽蓋34上。本實施例的熔斷電阻器1可另包括一第一電覆蓋層361將第一繞線22的一端電連接在第一帽蓋32上，以及一第二電覆蓋層362將第二繞線24的一端電連接在第二帽蓋34上。在本實施例中，第一電覆蓋層361與第二電覆蓋層362的材料可分別包括錫、銅、鐵、銀、鎳或其合金，但不以此為限。在本實施例中，第一電覆蓋層361及第二電覆蓋層362可以利用例如電鍍方式形成，但不以此為限。在本實施例中，第一電覆蓋層361、第二電覆蓋層362及連接導線26可以利用相同製程一併製作，以簡化製程。在本實施例中，第一電覆蓋層361與第二電覆蓋層362的厚度分別在約1至約20微米之間，但不以此為限。由於在突波衝擊狀況下，習知繞線電阻器的斷線大約有90%以上的機率是發生在繞線與帽蓋的銲點，因此產生開路失敗。因此，第一電覆蓋層361與第二電覆蓋層362可以分別用以補強第一繞線22及第二繞線24的電銲處，可以提高電銲處的牢固性及降低生產失敗率，更能提高銲點可靠度。第一電覆蓋層361與第二電覆蓋層362可以確保第一繞線22及第二繞線24的銲接牢固性，因此可以提升熔斷電阻器1的抗突波(anti-surge)的效果。 本實施例的熔斷電阻器1可另包括一第一導線42自第一帽蓋32向外延伸並與第一帽蓋32電連接，以及一第二導線44自第二帽蓋34向外延伸並與第二帽蓋34電連接。第一導線42與第二導線44可用以電連接到外部電路例如印刷電路板上。 請參閱表1。表1列示了對照實施例與本揭露實施例的熔斷電阻器的熔斷測試結果。 表1 <TABLE border="1" borderColor="#000000" width="85%"><TBODY><tr><td> 測試樣品 </td><td> 電阻值規格 </td><td> 熔斷功率倍率/功率 </td><td> 熔斷時間 </td><td> 熔斷溫度 </td></tr><tr><td> 對照實施例的熔斷電阻器 </td><td> 2W/ 1Ω±5% </td><td> 40倍/ 80W </td><td> 15.63s </td><td> 862.63℃ </td></tr><tr><td> 本揭露實施例的熔斷電阻器 </td><td> 2W/ 1Ω±5% </td><td> 40倍/ 80W </td><td> 4.38s </td><td> 353.31℃ </td></tr></TBODY></TABLE>在表1的熔斷測試中，對照實施例的熔斷電阻器及本揭露實施例的熔斷電阻器的電阻值規格均是1Ω，且功率規格均是2瓦(W)，其中對照實施例的熔斷電阻器的第一繞線及第二繞線直接連接，而本揭露實施例的熔斷電阻器的第一繞線及第二繞線經由低熔點連接導線電性連接，例如連接導線的材質可以是錫並利用電鍍方式形成。如表1所示，對照實施例的熔斷電阻器及本揭露實施例的熔斷電阻器的電阻值誤差均在容許誤差範圍內(±5%)，在熔斷功率倍率均設定在40倍的條件下，本揭露實施例的熔斷電阻器的熔斷時間及熔斷溫度均低於對照實施例的熔斷電阻器，證明本揭露實施例的熔斷電阻器確可以有效加強對電路的保護效果。 請參閱圖2、圖3、圖4及圖5。圖2、圖3、圖4及圖5繪示本揭露的一實施例的熔斷電阻器的製造方法示意圖。如圖2所示，提供絕緣棒10。絕緣棒10具有第一端101及第二端102。接著，在絕緣棒10上纏繞一繞線21。在本實施例中，絕緣棒10的兩側可形成有第一帽蓋32以及第二帽蓋34，且第一帽蓋32及第二帽蓋34的外側可分別形成有向外延伸的第一導線42與第二導線44。在本實施例中，繞線21的兩端可以利用電銲分別銲接在第一帽蓋32及第二帽蓋34上。舉例而言，可先將繞線21的一端電銲在第一帽蓋32上，接著在絕緣棒10上纏繞繞線21，隨後再將繞線21的另一端電銲在第二帽蓋34上。 如圖3所示，在絕緣棒10及繞線21上形成第一絕緣層12。如圖4所示，接著在第一絕緣層12形成開口12S並切斷繞線21以形成彼此分離的第一繞線22與第二繞線24。在本實施例中，第一絕緣層12的開口12S為一縫隙開口，其環繞絕緣棒10並暴露出部分的絕緣棒10。在本實施例中，形成第一絕緣層12的縫隙開口與切斷繞線21的步驟可以一併進行。在一些實施例中，形成第一絕緣層12的縫隙開口與切斷繞線21的步驟可利用切割刀具進行，但不以此為限。如圖5所示，形成連接導線26將第一繞線22與第二繞線24電連接。在本實施例中，連接導線26可利用電鍍、浸泡錫浴或其它適合的製程形成。在本實施例中，為了補強第一繞線22與第一帽蓋32的銲點牢固性以及第二繞線24與第二帽蓋34的銲點牢固性，可再利用第一電覆蓋層361將第一繞線22的一端電連接(例如電鍍)在第一帽蓋32上以及利用第二電覆蓋層362將第二繞線24的一端電連接(例如電鍍)在第二帽蓋34上，以提高銲點可靠度。如圖1所示，接著形成第二絕緣層14覆蓋第一絕緣層12及連接導線26並填入第一絕緣層12的開口12S內，以製作出本實施例的熔斷電阻器1。 本揭露之熔斷電阻器並不限於上文所提及的實施例而可具有其它不同實施例。為了簡化說明且為了便於在本揭露的實施例中之每一者之間進行比較，用相同編號標記以下實施例中之每一者中之相同組件。為了更容易地比較實施例之間的差異，以下說明將詳述不同實施例之間的差異且將不再重覆對相同構件及其相關細節贅述。 請參閱圖6。圖6繪示本揭露的另一實施例的熔斷電阻器。如圖6所示，不同於圖1的熔斷電阻器1，本實施例的熔斷電阻器2的第一絕緣層12的開口12S包括一點狀開口，暴露出部分的絕緣棒10。在本實施例中，點狀開口的形狀可以包括任何規則或不規則的幾何形狀。在本實施例中，點狀開口的寬度或直徑約介於0.05公厘至約2公厘之間，但不以此為限。在本實施例中，第一絕緣層12的材料可包括或選用絕緣漆例如環氧樹脂或其它絕緣材料。連接導線26經由第一絕緣層12的開口12S與第一繞線22及第二繞線24接觸。另外，第二絕緣層14覆蓋第一絕緣層12及連接導線26並填入第一絕緣層12的開口12S內。在本實施例中，第二絕緣層14的材料可包括或選用絕緣漆例如環氧樹脂、矽膠不燃性漆或琺瑯漆，或其它絕緣材料。本實施例的熔斷電阻器2的絕緣棒10、第一繞線22、第二繞線24、連接導線26、第一帽蓋32、第二帽蓋34、第一電覆蓋層361、第二電覆蓋層362、第一導線42以及第二導線44等元件的位置、連接方式、材料及其它特性可與圖1的熔斷電阻器1相同，在此不再贅述。 請參閱圖7、圖8及圖9。圖7、圖8及圖9繪示本揭露的另一實施例的熔斷電阻器的製造方法示意圖。如圖7所示，提供絕緣棒10。絕緣棒10具有第一端101及第二端102。接著，在絕緣棒10上纏繞一繞線21。在本實施例中，絕緣棒10的兩側可形成有第一帽蓋32以及第二帽蓋34，且第一帽蓋32及第二帽蓋34的外側可分別形成有向外延伸的第一導線42與第二導線44。在本實施例中，繞線21的兩端可以利用電銲分別銲接在第一帽蓋32及第二帽蓋34上。舉例而言，可先將繞線21的一端電銲在第一帽蓋32上，接著在絕緣棒10上纏繞繞線21，隨後再將繞線21的另一端電銲在第二帽蓋34上。隨後，在絕緣棒10及繞線21上形成第一絕緣層12。 如圖8所示，接著在第一絕緣層12形成開口12S並切斷繞線21以形成彼此分離的第一繞線22與第二繞線24。在本實施例中，第一絕緣層12的開口12S為一點狀開口，其暴露出部分的絕緣棒10。在本實施例中，形成第一絕緣層12的點狀開口與切斷繞線21的步驟可以一併進行。在一些實施例中，形成第一絕緣層12的點狀開口與切斷繞線21的步驟可利用切割刀具或其它適合的方法進行。如圖9所示，在點狀開口內形成連接導線26將第一繞線22與第二繞線24電連接。在本實施例中，連接導線26可利用電鍍、浸泡錫浴或其它適合的製程形成。在本實施例中，為了補強第一繞線22與第一帽蓋32的銲點牢固性以及第二繞線24與第二帽蓋34的銲點牢固性，可再利用第一電覆蓋層361將第一繞線22的一端電連接(例如電鍍)在第一帽蓋32上以及利用第二電覆蓋層362將第二繞線24的一端電連接(例如電鍍)在第二帽蓋34上，以提高銲點可靠度。如圖6所示，接著形成第二絕緣層14覆蓋第一絕緣層12及連接導線26並填入第一絕緣層12的開口12S內，以製作出本實施例的熔斷電阻器2。 本揭露的熔斷電阻器利用連接導線電連接第一繞線與第二繞線，因此可以控制電阻器的熔斷溫度與熔斷速度，進而增加電阻器的應用範圍與安全性。另外，本揭露的熔斷電阻器利用電覆蓋層補強繞線與帽蓋的銲點，可以增加銲接牢固性而避免繞線鬆動且降低生產失敗率，使得本揭露的熔斷電阻器的耐突波銲點失敗率低於0.1ppm。本揭露的熔斷電阻器可以提升熔斷電阻器的抗突波的效果，而可以應用在抗突波電路、汽機車的火星塞蓋及點火系統等電路上。 儘管已參看本揭露的特定實施例描述並說明本揭露，但此等描述及說明並不限制本揭露。熟習此項技術者可清楚地理解，可進行各種改變，且可在實施例內替代等效元件而不會脫離如由所附申請專利範圍所界定的本揭露的真實精神及範疇。

1‧‧‧熔斷電阻器

2‧‧‧熔斷電阻器

10‧‧‧絕緣棒

12‧‧‧第一絕緣層

12S‧‧‧開口

14‧‧‧第二絕緣層

21‧‧‧繞線

22‧‧‧第一繞線

24‧‧‧第二繞線

26‧‧‧連接導線

32‧‧‧第一帽蓋

34‧‧‧第二帽蓋

42‧‧‧第一導線

44‧‧‧第二導線

101‧‧‧第一端

102‧‧‧第二端

361‧‧‧第一電覆蓋層

362‧‧‧第二電覆蓋層

為協助讀者達到最佳理解效果，建議在閱讀本揭露時同時參考附件圖示及其詳細文字敘述說明。請注意為遵循業界標準作法，本專利說明書中的圖式不一定按照正確的比例繪製。在某些圖式中，尺寸可能刻意放大或縮小，以協助讀者清楚了解其中的討論內容。 圖1繪示本揭露的一實施例的熔斷電阻器； 圖2、圖3、圖4及圖5繪示本揭露的一實施例的熔斷電阻器的製造方法示意圖； 圖6繪示本揭露的另一實施例的熔斷電阻器；以及 圖7、圖8及圖9繪示本揭露的另一實施例的熔斷電阻器的製造方法示意圖。

Claims (19)

1. 一種熔斷電阻器，其包括：一絕緣棒，所述絕緣棒具有一第一端及一第二端；一第一繞線自所述第一端纏繞所述絕緣棒；一第二繞線自所述第二端纏繞所述絕緣棒；一連接導線設置於所述第一繞線與所述第二繞線之間，其中所述連接導線的熔點低於所述第一繞線與所述第二繞線的熔點，且所述第一繞線與所述第二繞線彼此分離並經由所述連接導線電性連接；以及一第一絕緣層覆蓋所述第一繞線以及所述第二繞線，其中所述第一絕緣層具有一開口暴露出部分的所述絕緣棒。
2. 如請求項第1項所述的熔斷電阻器，其中所述第一絕緣層的材料包括環氧樹脂、矽膠不燃性漆或琺瑯漆。
3. 如請求項第1項所述的熔斷電阻器，其中所述開口包括一縫隙開口，環繞所述絕緣棒並暴露出部分的所述絕緣棒。
4. 如請求項第1項所述的熔斷電阻器，其中所述開口包括一點狀開口，暴露出部分的所述絕緣棒。
5. 如請求項第1項所述的熔斷電阻器，其中所述連接導線經由所述第一絕緣層的所述開口與所述第一繞線及所述第二繞線接觸。
6. 如請求項第5項所述的熔斷電阻器，另包括一第二絕緣層覆蓋所述第一絕緣層及所述連接導線並填入所述第一絕緣層的所述開口內。
7. 如請求項第6項所述的熔斷電阻器，其中所述第二絕緣層的材料包括環氧樹脂、矽膠不燃性漆或琺瑯漆。
8. 如請求項第1項所述的熔斷電阻器，另包括一第一帽蓋以及一第二帽蓋，其中所述第一帽蓋自所述絕緣棒的所述第一端蓋上並與所述第一繞線的一端電銲，所述第二帽蓋自所述絕緣棒的所述第二端蓋上並與所述第二繞線的一端電銲。
9. 如請求項第8項所述的熔斷電阻器，另包括一第一電覆蓋層將所述第一繞線的一端電連接在所述第一帽蓋上，以及一第二電覆蓋層將所述第二繞線的一端電連接在所述第二帽蓋上。
10. 如請求項第9項所述的熔斷電阻器，其中所述第一電覆蓋層與所述第二電覆蓋層的材料分別包括錫、銅、鐵、銀、鎳或其合金。
11. 如請求項第9項所述的熔斷電阻器，其中所述第一電覆蓋層與所述第二電覆蓋層的厚度分別在1至20微米之間。
12. 一種熔斷電阻器的製造方法，包括： 提供一絕緣棒；在所述絕緣棒上纏繞一繞線；在所述絕緣棒及所述繞線上形成一第一絕緣層；在所述第一絕緣層形成一開口並切斷所述繞線以形成彼此分離的一第一繞線與一第二繞線；以及形成一連接導線將所述第一繞線與所述第二繞線電連接，其中所述連接導線的熔點低於所述第一繞線與所述第二繞線的熔點。
13. 如請求項第12項的製造方法，其中所述開口包括一縫隙開口，環繞所述絕緣棒並暴露出部分的所述絕緣棒。
14. 如請求項第12項的製造方法，其中所述開口包括一點狀開口，暴露出部分的所述絕緣棒。
15. 如請求項第12項的製造方法，另包括形成一第二絕緣層覆蓋所述第一絕緣層及所述連接導線並填入所述第一絕緣層的所述開口內。
16. 如請求項第12項的製造方法，另包括於所述絕緣棒之一第一端蓋上一第一帽蓋，以及於所述絕緣棒之一第二端蓋上一第二帽蓋。
17. 如請求項第16項的製造方法，另包括將所述繞線的一端電銲於所述第一帽蓋上，以及將所述繞線的另一端電銲於所述第二帽蓋上。
18. 如請求項第17項的製造方法，另包括利用一第一電覆蓋層將所述第一繞線的一端電連接在所述第一帽蓋上，以及利用一第二電覆蓋層將所述第二繞線的另一端電連接在所述第二帽蓋上。
19. 如請求項第18項的製造方法，其中所述第一電覆蓋層、所述第二電覆蓋層及所述連接導線是由同一製程一併形成。