TWI628477B - 背光裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明揭露一種背光裝置，其包含波長轉換元件以及光源。波長轉換元件包含透明上、下阻氣薄膜、分隔層、填充材料以及複數個量子點。分隔層係接合於透明上、下阻氣薄膜上之間，並且具有複數個鏤空區域。填充材料係覆蓋複數個鏤空區域。複數個量子點係均勻地分佈於覆蓋每一個鏤空區域之填充材料內。光源包含電路板以及複數個半導體發光元件。電路板係設置於透明下阻氣薄膜下方。每一個鏤空區域對應至少一個半導體發光元件。每一個半導體發光元件係電氣接合於電路板上，並且位於其所對應的鏤空區域下方。
Description
本發明關於一種背光裝置，並且特別是關於採用較少量子點且最終射出光鮮的色偏差較小的背光裝置。
眾所皆知，液晶顯示系統係藉由液晶面板來顯示影像。但是，液晶面板本身不發光，必須藉由所謂的背光裝置來達到發光功能，因此背光裝置是液晶顯示裝置重要的零組件。
現行背光裝置大多採用已封裝的半導體發光二極體(semiconductor light-emitting diode)做為發光光源，其架構大致區分為直下式背光裝置以及側光式背光裝置。直下式背光裝置具有出光效率高、不需導光板、零組件較少等優點，但是也具有光均齊度較低、模組較厚等缺點。直下式背光裝置區分為兩種型式。第一種型式的直下式背光裝置是直接將發光二極體排列在燈箱內。側光式背光裝置的主要結構由發光光源、導光板、光學膜片(例如：稜鏡片、擴散片、反射片等)、光源反射罩以及外部結構體(例如，邊框等)所構成。
目前已有液晶顯示系統的背光裝置採用量子點來提升顯示的品質。量子點是成奈米晶體形式的半導體，能提供替換的顯示。量子點的電子特性通常由奈米晶體的尺寸與形狀決定。相同材料的量子點，但具有不同的尺寸，可以在激發時發出不同顏色的光。更具體地，量子點發射光線的波長隨量子點的大小和形狀而變化。於一範例中，較大顆的量子點可以發射較長波長的光(例如，紅光)，而較小顆的量子
點可以發射較短波長的光(例如，藍光或紫光)。例如，硒化鎘(CdSe)形成的量子從點可以逐漸調變，從直徑為5nm的量子點發射在可見光譜的紅光區域，到直徑為1.5nm的量子點發射紫光區域。藉由改變量子點的尺寸，可以發射從波長約460nm(藍光)到波長約650nm(紅光)的整個可見光波長。
量子點技術應用於液晶顯示系統，可大幅度提升液晶顯示系統的色域和色彩鮮豔度，並且降低能耗。應用量子點技術的液晶顯示系統再搭配直下式背光全陣列區域調光(Full array local dimming)技術可以獲得較高的動態對比度及更多明暗部細節，達到畫質逼真的液晶顯示效果。
請參閱圖1，圖1係以局部剖面視圖示意地描繪一先前技術之採用量子點之直下式背光裝置1的架構。
如圖1所示，直下式背光裝置1包含波長轉換元件10以及光源12。設置於直下式背光裝置1上方的光學膜片2也繪示於圖1中。光學膜片2可以包含鏡片、擴散片、反射片，等。
波長轉換元件10包含透明下阻氣薄膜102、透明中間層104、複數個量子點106以及透明上阻氣薄膜108。複數個量子點106係均勻地分佈於透明中間層104內。透明中間層104內係接合於透明下阻氣薄膜102上。透明上阻氣薄膜108係接合於透明中間層104上。
光源12包含電路板122以及複數個半導體發光元件124。電路板122係設置於透明下阻氣薄膜下方102。複數個半導體發光元件124係成陣列地排列於電路板122上，並且電氣接合於電路板122上。
顯見地，先前技術之直下式背光裝置1採用量子點106的量較多，整體成本較高。
此外，先前技術之直下式背光裝置1其波長轉換元件10與光學膜片2之間的距離較小，與光源12之間的距離較大。光源12發出的光線通過波長轉換元件10後部分光線會被光學膜片2反射通過波長轉換元件10，再被反射再次通過波長轉換元件10，甚至光源12發出的光線的部分會反覆通過波長轉換元件10，導致最終通過光學膜片2之光線的顏色會偏向量子點106轉換光線的顏色。因此，不同的光學膜片2結構對白點座標的影響不同，而造成色偏或需要再整量子點的比例的問題。
因此，本發明所欲解決之一技術問題在於提供一種採用量子點的背光裝置。本發明之背光裝置所採用量子點的量較少，致使整體成本較低。本發明之背光裝置無先前技術之背光裝置造成的色偏問題。
根據本發明之一較佳具體實施例之背光裝置包含波長轉換元件以及光源。波長轉換元件包含透明下阻氣薄膜、第一分隔層、填充材料、複數個第一色量子點以及透明上阻氣薄膜。第一分隔層係接合於透明下阻氣薄膜上，並且具有複數個第一鏤空區域。填充材料係覆蓋複數個第一鏤空區域。複數個第一色量子點係均勻地分佈於覆蓋每一個第一鏤空區域之填充材料內。透明上阻氣薄膜係接合於第一分隔層以及覆蓋複數個第一鏤空區域之填充材料上。光源包含電路板以及複數個半導體發光元件。電路板係設置於透明下阻氣薄膜下方。每一個第一鏤空區域對應至少一個半導體發光元件。每一個半導體發光元件係電氣接合於電路板上，並且位於其所對應的第一鏤空區域下方。每一個半導體發光元件用以發射第一色光，並且通過覆蓋其所對應的第一鏤空區域之填充材料。覆蓋每一個第一鏤空區域之填充材料內的複數個第一色量子點吸收通過填充材料之第一色光的第一部分，
並且將其轉換成第二色光。第二色光與第一色光之其餘部份混光成第三色光進而朝向透明上阻氣薄膜前進。
進一步，根據本發明之較佳具體實施例之背光裝置還包含第二分隔層。第二分隔層係固定於電路板上，並且具有複數個第二鏤空區域。每一個第二鏤空區域對應一個第一鏤空區域，並且置於其所對應的第一鏤空區域下方。對應每一個第一鏤空區域之至少一個半導體發光元件係置於對應該個第一鏤空區域之第二鏤空區域內。
進一步，根據本發明之較佳具體實施例之背光裝置還包含複數個第一透鏡元件。每一個第一透鏡元件對應一個第一鏤空區域，且固定於透明上阻氣薄膜上，並位在其所對應的第一鏤空區域之上。
進一步，根據本發明之較佳具體實施例之背光裝置還包含複數個第二透鏡元件。每一個第二透鏡元件對應一個第二鏤空區域，且設置於其所對應的第二鏤空區域內，並置於其所對應的第二鏤空區域內之該等半導體發光元件上。
於一具體實施例中，複數個第一色量子點可以由第一II-VI族化合物、第一III-V族化合物、第一IV-VI族化合物、第一IV族化合物或上述化合物之混合物所形成。
進一步，根據本發明之較佳具體實施例之背光裝置還包含複數個第二色量子點。複數個第二色量子點係均勻地分佈於覆蓋每一個第一鏤空區域之填充材料內。覆蓋每一個第一鏤空區域之填充材料內的複數個第二色量子點吸收通過填充材料之第一色光的第二部分，且將其轉換成第四色光。第四色光與第二色光、第一色光之其餘部份混光成第五色光進而朝向透明上阻氣薄膜前進。
於一具體實施例，複數個第二色量子點可以由第二II-VI族化合物、第二III-V族化合物、第二IV-VI族化合
物、第二IV族化合物或上述化合物之混合物所形成。
於一具體實施例，第一分隔層可以由透明的高分子材料所形成。
於另一具體實施例，第一分隔層可以由深色的高分子材料所形成。
於另一具體實施例，第一分隔層可以由第一淺色的高分子材料或第一金屬薄板所形成。
於一具體實施例，第二分隔層可以由第二淺色的高分子材料或第二金屬薄板所形成。
與先前技術不同，本發明之背光裝置所採用量子點的量較少，並且沒有先前技術之背光裝置造成的色偏問題。
關於本發明之優點與精神可以藉由以下的發明詳述及所附圖式得到進一步的瞭解。
1‧‧‧直下式背光裝置
10‧‧‧波長轉換元件
102‧‧‧透明下阻氣薄膜
104‧‧‧透明中間層
106‧‧‧量子點
108‧‧‧透明上阻氣薄膜
12‧‧‧光源
122‧‧‧電路板
124‧‧‧半導體發光元件
2‧‧‧光學膜片
3‧‧‧背光裝置
30‧‧‧波長轉換元件
302‧‧‧透明下阻氣薄膜
304‧‧‧第一分隔層
3042‧‧‧第一鏤空區域
305‧‧‧填充材料
306‧‧‧第一色量子點
307‧‧‧第二色量子點
308‧‧‧透明上阻氣薄膜
32‧‧‧光源
322‧‧‧電路板
324‧‧‧半導體發光元件
326‧‧‧第二分隔層
3262‧‧‧第二鏤空區域
34‧‧‧第一透鏡元件
36‧‧‧第二透鏡元件
4‧‧‧光學膜片
L1‧‧‧第一色光
L2‧‧‧第二色光
L3‧‧‧第三色光
L4‧‧‧第四色光
L5‧‧‧第五色光
LR‧‧‧反射的光線
圖1係先前技術之直下式背光裝置的局部剖面視圖。
圖2係本發明之較佳具體實施例之背光裝置的局部剖面視圖。
圖3係本發明之較佳具體實施例之背光裝置的局部頂視圖。
圖4係本發明之較佳具體實施例之背光裝置之一變形的局部剖面視圖。
圖5係本發明之較佳具體實施例之背光裝置之另一變形的局部剖面視圖。
圖6係本發明之較佳具體實施例之背光裝置之另一變形的局部剖面視圖。
請參閱圖2至圖6，該等圖式係以局部剖面視圖示意地描繪本發明之較佳具體實施例之背光裝置3及其變形的架構。
如圖2所示，根據本發明之一較佳具體實施例之背光裝置3包含波長轉換元件30以及光源32。設置於根據本發明之較佳具體實施例的背光裝置3上方的光學膜片4也繪示於圖2中。光學膜片4可以包含鏡片、擴散片、反射片，等。
波長轉換元件30包含透明下阻氣薄膜302、第一分隔層304、填充材料305、複數個第一色量子點306以及透明上阻氣薄膜308。第一分隔層304係接合於透明下阻氣薄膜302上，並且具有複數個第一鏤空區域3042。填充材料305係覆蓋複數個第一鏤空區域3042。複數個第一色量子點306係均勻地分佈於覆蓋每一個第一鏤空區域3042之填充材料305內。透明上阻氣薄膜308係接合於第一分隔層304以及覆蓋複數個第一鏤空區域3042之填充材料305上。
於一具體實施例中，每一個第一鏤空區域3042的頂視圖可以呈現圓形、方形、長方形、六邊形，等。
於一具體實施例中，透明下阻氣薄膜302與透明上阻氣薄膜308可以是由高分子材料所形成，例如，聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)、聚苯乙烯(polystyrene)、聚酰亞胺(polyimide)、聚丙烯酰胺(polyacrylamide)、聚乙烯(polyethylene)、聚乙烯基(polyvinyl)、聚-二乙炔(poly-diacetylene)、聚亞苯基亞乙烯
基(polyphenylene-vinylene)、多肽(polypeptide)、多醣(polysaccharide)、聚碸(polysulfone)、聚吡咯(polypyrrole)、聚咪唑(polyimidazole)、聚噻吩(polythiophene)、聚醚(polyether)、環氧樹脂(epoxy)、石英玻璃(silica glass)二氧化矽凝膠(silica gel)、矽氧烷(siloxane)、多磷酸鹽(polyphosphate)、水凝膠(hydrogel)、瓊脂糖(agarose)、纖維素(cellulose)，等。
光源32包含電路板322以及複數個半導體發光元件324。電路板322係設置於透明下阻氣薄膜302下方。每一個第一鏤空區域3042對應至少一個半導體發光元件324。於圖2所示範例中，每一個第一鏤空區域3042對應一個半導體發光元件324。
每一個半導體發光元件324係電氣接合於電路板322上，並且位於其所對應的第一鏤空區域3042下方。每一個半導體發光元件324用以發射第一色光L1，並且通過覆蓋其所對應的第一鏤空區域3042之填充材料305。覆蓋每一個第一鏤空區域3042之填充材料305內的複數個第一色量子點306吸收通過填充材料305之第一色光L1的第一部分，並且將其轉換成第二色光L2。第二色光L2與第一色光L1之其餘部份混光成第三色光L3進而朝向透明上阻氣薄膜308前進。顯見地，與先前技術不同，本發明之背光裝置3所採用第一色量子點306在波長轉換元件30內僅僅局部分布，所以第一色量子點306被使用的量較少。
於一具體實施例中，複數個半導體發光元件324可以是氮化鎵(GaN)基二極體裸晶或已封裝的元件，但並不以此為限。複數個半導體發光元件324所發射的第一色光L1可以是藍光或紫光，但並不以此為限。
於一具體實施例中，複數個第一色量子點306可
以由第一II-VI族化合物、第一III-V族化合物、第一IV-VI族化合物、第一IV族化合物或上述化合物之混合物所形成。
於一具體實施例中，形成本發明所採用之第一色量子點306的第一II-VI族化合物可以由CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe或其他II-VI族化合物所形成。
於一具體實施例中，形成本發明所採用之第一色量子點306的第一III-V族化合物可以由GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb或III-V族化合物所形成。
於一具體實施例中，形成本發明所採用之第一色量子點306的第一IV-VI族化合物可以由SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe或其他IV-VI族化合物所形成。
於一具體實施例中，形成本發明所採用之第一色量子點306的第一IV族化合物可以由Si、Ge、SiC、SiGe或其他IV族化合物所形成。
同樣示於圖2，進一步，根據本發明之較佳具體實施例之背光裝置3還包含第二分隔層326。第二分隔層326
係固定於電路板322上，並且具有複數個第二鏤空區域3262。每一個第二鏤空區域3262對應一個第一鏤空區域3042，並且置於其所對應的第一鏤空區域3042下方。對應每一個第一鏤空區域3042之至少一個半導體發光元件324係置於對應該個第一鏤空區域3042之第二鏤空區域3262內。
於一具體實施例中，每一個第二鏤空區域3262的頂視圖呈現的形狀與每一個第一鏤空區域3042的頂視圖呈現形狀相同。每一個第二鏤空區域3262的頂視圖呈現的形狀的尺寸可以大於、等於或小於每一個第一鏤空區域3042的頂視圖呈現形狀的尺寸。
請參閱圖3所示之範例，圖3根據本發明之較佳具體實施例之背光裝置3之局部頂視圖，於圖3中，透明上阻氣薄膜308被移除。於圖3所示之範例中，每一個第一鏤空區域3042的頂視圖呈現圓形。每一個第二鏤空區域3262的頂視圖也呈現圓形，並且置於其所對應的第一鏤空區域3042下方。填充材料305係填充、覆蓋每一個第一鏤空區域3042。複數個第一色量子點306係均勻地分佈於覆蓋每一個第一鏤空區域3042之填充材料305內。每一個半導體發光元件324係置於其對應的第二鏤空區域3262內。
同樣示於圖2，透明下阻氣薄膜302係固定於第二分隔層326上。並且特別地，與先前技術分佈於透明中間層104內之量子點106的濃度相較，本發明實施之分佈於填充材料305內之第一色量子點306的濃度較濃。
光源32發出的光線通過波長轉換元件30後部分光線會被光學膜片4反射。如圖2所示，被光學膜片4反射的光線LR射到填充材料305時，因分佈於填充材料305內之第一色量子點306的濃度較濃，光線LR會被填充材料305反射。也因為，透明下阻氣薄膜302係固定於第二分隔層326
上，半導體發光元件324用以發射第一色光L1更易於直接通過填充材料305。
於一具體實施例，第一分隔層304可以由透明的高分子材料所形成。第二分隔層326可以由第二淺色的高分子材料或第二金屬薄板所形成。被光學膜片4反射的光線LR若通過透明的第一分隔層304會被第二分隔層326反射，並且不會再次通過填充材料305。
於另一具體實施例，第一分隔層304可以由深色的高分子材料所形成。被光學膜片4反射的光線LR若射到深色的第一分隔層304會被第一分隔層304遮罩或吸收。
於另一具體實施例，第一分隔層304可以由第一淺色的高分子材料或第一金屬薄板所形成。被光學膜片4反射的光線LR若射到第一分隔層304會被第一分隔層304反射，如圖2所示。
上文對較佳具體實施例之詳述，相信能讓人了解根據本發明之較佳具體實施例的背光裝置3不會發生光源32發出的光線的部分反覆通過波長轉換元件30的狀況，更不會導致最終通過光學膜片4之光線的顏色會偏向第一色量子點306轉換光線的顏色，不會造成色偏的問題。
如圖4所示，進一步，根據本發明之較佳具體實施例之背光裝置3還包含複數個第一透鏡元件34。每一個第一透鏡元件34對應一個第一鏤空區域3042，且固定於透明上阻氣薄膜308上，並位在其所對應的第一鏤空區域3042之上。第一透鏡元件34可以分散從填充材料305射出的光線。圖4中具有與圖2中相同號碼標記之元件，有相同或類似的結構以及功能，在此不多做贅述。
如圖5所示，進一步，根據本發明之較佳具體實施例之背光裝置3還包含複數個第二透鏡元件36。每一個第
二透鏡元件36對應一個第二鏤空區域3262，且設置於其所對應的第二鏤空區域3262內，並置於其所對應的第二鏤空區域3262內之該等半導體發光元件324上。第二透鏡元件36可以分散半導體發光元件324發射的第一色光L1。圖5中具有與圖2中相同號碼標記之元件，有相同或類似的結構以及功能，在此不多做贅述。根據本發明之較佳具體實施例之背光裝置3可以同時配置第一透鏡元件34以及第二透鏡元件36。
如圖6所示，進一步，根據本發明之較佳具體實施例之背光裝置3還包含複數個第二色量子點307。複數個第二色量子點307係均勻地分佈於覆蓋每一個第一鏤空區域3042之填充材料305內。覆蓋每一個第一鏤空區域3042之填充材料305內的複數個第二色量子點307吸收通過填充材料305之第一色光L1的第二部分，且將其轉換成第四色光L4。第四色光L4與第二色光L2、第一色光L1之其餘部份混光成第五色光L5進而朝向透明上阻氣薄膜308前進。圖6中具有與圖2中相同號碼標記之元件，有相同或類似的結構以及功能，在此不多做贅述。於一具體實施例中，第一色量子點306可以是紅光量子點，第二色量子點307可以是綠光量子點。
於一具體實施例，複數個第二色量子點307可以由第二II-VI族化合物、第二III-V族化合物、第二IV-VI族化合物、第二IV族化合物或上述化合物之混合物所形成。
於一具體實施例中，形成本發明所採用之第二色量子點307的第二II-VI族化合物可以由CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe或其他II-VI族化合物所形成。
於一具體實施例中，形成本發明所採用之第二色量子點307的第二III-V族化合物可以由GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb或III-V族化合物所形成。
於一具體實施例中，形成本發明所採用之第二色量子點307的第二IV-VI族化合物可以由SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe或其他IV-VI族化合物所形成。
於一具體實施例中，形成本發明所採用之第二色量子點307的第二IV族化合物可以由Si、Ge、SiC、SiGe或其他IV族化合物所形成。
藉由較佳具體實施例之詳述，相信能讓人了解本發明與先前技術不同，本發明之背光裝置所採用量子點的量較少，並且沒有先前技術之背光裝置造成的色偏問題。
藉由以上較佳具體實施例之詳述，係希望能更加清楚描述本發明之特徵與精神，而並非以上述所揭露的較佳具體實施例來對本發明之面向加以限制。相反地，其目的是希望能涵蓋各種改變及具相等性的安排於本發明所欲申請之專利範圍的面向內。因此，本發明所申請之專利範圍的面向應該根據上述的說明作最寬廣的解釋，以致使其涵蓋所有可能的改變以及具相等性的安排。
Claims (10)
- 一種背光裝置，包含：一波長轉換元件，包含：一透明下阻氣薄膜；一第一分隔層，係接合於該透明下阻氣薄膜上，且具有複數個第一鏤空區域；一填充材料，係覆蓋該複數個第一鏤空區域；複數個第一色量子點，係均勻地分佈於覆蓋每一個第一鏤空區域之該填充材料內；以及一透明上阻氣薄膜，係接合於該第一分隔層以及覆蓋該複數個第一鏤空區域之該填充材料上；以及一光源，包含：一電路板，係設置於該透明下阻氣薄膜下方；以及複數個半導體發光元件，每一個第一鏤空區域對應至少一個半導體發光元件，每一個半導體發光元件係電氣接合於該電路板上且位於其所對應的第一鏤空區域下方，每一個半導體發光元件用以發射一第一色光且通過覆蓋其所對應的第一鏤空區域之該填充材料；其中覆蓋每一個第一鏤空區域之該填充材料內之該複數個第一色量子點吸收通過該填充材料之該第一色光之一第一部分且將其轉換成一第二色光，該第二色光與該第一色光之其餘部份混光成一第三色光進而朝向該透明上阻氣薄膜前進。
- 如請求項1所述之背光裝置，進一步包含： 一第二分隔層，係固定於該電路板上，且具有複數個第二鏤空區域，每一個第二鏤空區域對應一個第一鏤空區域且置於其所對應的第一鏤空區域下方，對應每一個第一鏤空區域之該至少一個半導體發光元件係置於對應該個第一鏤空區域之該第二鏤空區域內。
- 如請求項2所述之背光裝置，其中該透明下阻氣薄膜係固定於該第二分隔層上。
- 如請求項3所述之背光裝置，進一步包含：複數個第一透鏡元件，每一個第一透鏡元件對應一個第一鏤空區域且固定於該透明上阻氣薄膜上並位在其所對應的第一鏤空區域之上。
- 如請求項3所述之背光裝置，進一步包含：複數個第二透鏡元件，每一個第二透鏡元件對應一個第二鏤空區域且設置於其所對應的第二鏤空區域內並置於其所對應的第二鏤空區域內之該等半導體發光元件上。
- 如請求項3所述之背光裝置，其中該複數個第一色量子點係由選自由一第一II-VI族化合物、一第一III-V族化合物、一第一IV-VI族化合物、一第一IV族化合物以及上述化合物之混合物所組成之群組中之其一所形成，該第一II-VI族化合物係由選自由CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、 CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe以及HgZnSTe所組成之群組中之其一所形成，該第一III-V族化合物係由選自由GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs以及InAlPSb所組成之群組中之其一所形成，該第一IV-VI族化合物係由選自由SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe以及SnPbSTe所組成之群組中之其一所形成，該第一IV族化合物係由選自由Si、Ge、SiC以及SiGe所組成之群組中之其一所形成。
- 如請求項3所述之背光裝置，進一步包含：複數個第二色量子點，係均勻地分佈於覆蓋每一個第一鏤空區域之該填充材料內；其中覆蓋每一個第一鏤空區域之該填充材料內之該複數個第二色量子點吸收通過該填充材料之該第一色光之一第二部分且將其轉換成一第四色光，該第四色光與該第二色光、該第一色光之其餘部份混光成一第五色光進而朝向該透明上阻氣薄膜前進。
- 如請求項7所述之背光裝置，其中該複數個第二色量子點係由選自由一第二II-VI族化合物、一第二III-V族化合物、一第二IV-VI族化合物、一第二IV族化合物以及上述化合 物之混合物所組成之群組中之其一所形成，該第二II-VI族化合物係由選自由CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe以及HgZnSTe所組成之群組中之其一所形成，該第二III-V族化合物係由選自由GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs以及InAlPSb所組成之群組中之其一所形成，該第二IV-VI族化合物係由選自由SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe以及SnPbSTe所組成之群組中之其一所形成，該第二IV族化合物係由選自由Si、Ge、SiC以及SiGe所組成之群組中之其一所形成。
- 如請求項3所述之背光裝置，其中該第一分隔層係由一深色的高分子材料所形成。
- 如請求項3所述之背光裝置，其中該第一分隔層係由一第一淺色的高分子材料或一第一金屬薄板所形成，該第二分 隔層係由一第二淺色的高分子材料或一第二金屬薄板所形成。
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