TWI619263B - 光伏打設備及組裝光伏打設備的方法 - Google Patents

光伏打設備及組裝光伏打設備的方法 Download PDF

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羅蘭 肯恩
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Abstract

本揭露提供一種光伏打設備，該光伏打設備包括一前薄片、一後薄片、以及配置於該前薄片與該後薄片之間的一光伏打裝置。該光伏打裝置包括在一第一方向中隔開的一第一光伏打電池及一第二光伏打電池。該光伏打裝置進一步包括具有在一第二方向中延伸之一長度的一第一串列互連件。該第一串列互連件配置於該第一光伏打電池與該第二光伏打電池之間。該第一光伏打電池與該第二光伏打電池藉由該第一互連件電性串聯。該光伏打設備進一步包括一間隔層，該間隔層包括配置於該第一互連件與該後薄片之間的一第一紗束。該第一紗束具有對準該第一串列互連件之長度的一長度。

Description

光伏打設備及組裝光伏打設備的方法 〔相關申請案之交互參照〕
本申請案主張2015年4月8日申請之美國臨時專利申請案序號62/144,410的權益，其以引用的方式併入本文中。
本揭露的實施例通常關於薄膜光伏打裝置的電絕緣與結構性強化。
光伏打裝置通常包括一或多個光伏打模組，該等光伏打模組包括互連光伏打電池陣列。光伏打模組可根據在光伏打電池中所使用的材料來分類。薄膜光伏打電池係為用於光伏打電池之傳統結晶矽基設計的替代設計。薄膜光伏打電池的實例包括太陽能電池，該等太陽能電池包括至少一薄膜吸收劑層。舉例而言，薄膜吸收劑層可包含一層非晶矽、碲化鎘(CdTe)、以及銅銦鎵硒化物(CIGS)。薄膜光伏打模組通常包含一些電性互連的光電組件，諸如 光伏打電池及額外組件，諸如二極體與其它電子裝置。薄膜光伏打電池通常包含三材料層疊層：(1)導電後接觸電極層、(2)半導體光伏打材料層(亦稱為接收劑)、以及(3)導電前接觸電極層，其中前接觸層通常是透明的。
當製造薄膜光伏打裝置時可得到的一項優點係為使用單石整合的選項，其係將數個光電組件互連在單一基材上。此單石整合使用一連串層沈積與切割技術來形成各別的光伏打電池。相較於傳統以晶圓為主的矽光伏打裝置或太陽能電池，基於薄膜半導體材料的光伏打電池，諸如CIGS或CdTe，顯示用於較便宜太陽光電能、較低能量回收時間、更大應用範圍、以及改善生命週期影響的承諾。相較於以晶圓為主的光伏打裝置，這些薄膜單石光伏打模組可能具有較低成本，其歸功於形成薄膜太陽能電池所必要的減少材料數量、單石整合的減少勞力成本、以及大量光伏打模組之自動生產的簡易(諸如使用捲對捲製造技術)。
當製造薄膜光伏打裝置時可得到的另一項優點係為使裝置可撓的選項。可撓性薄膜光伏打裝置可藉由將可撓性光伏打組件封裝在聚合物與其他材料層內而形成。可撓性光伏打裝置通常比玻璃封裝的光伏打裝置更薄，且在安裝及/或使用期間內可能由於撓曲而受到更大的應力與應變，其可損壞經封裝的電性與光伏打組件。
可隨著光伏打裝置(諸如薄膜光伏打裝置)發生的一 項問題係為電弧。電弧可在光伏打裝置操作期間發生，尤其當電組件由於機械應力/應變(例如，撓曲)而變得受損或光伏打裝置沒有被正確設計時。舉例而言，在設計不當之光伏打裝置內的高電壓可形成且導致不想要及可能危險的電弧。這些電弧可形成於該設備的匯流條附近，該設備從所形成的光伏打模組、光伏打裝置之週邊之電性連接器或其他區域的周圍、或甚至從一般與光伏打裝置的電性組件電絕緣的組件或組件之間收集電力。電弧亦可形成於在不同電位之在光伏打裝置內的組件之間，或電弧可形成在光伏打裝置以及不是光伏打裝置之一部份的鄰近組件之間。光伏打裝置的驗證一般要求光伏打裝置結合限制電弧之產生與傳播的測量。可撓性光伏打裝置必須能夠防止電弧的發生或傳播，甚至當在安裝及/或使用期間內被扭曲或撓曲到不同位置與定向時。可撓性光伏打裝置的撓曲一般將發生在光伏打裝置的最弱或最具可撓性的區域內，諸如在切割線形成於太陽能電池裝置之處的區域內。沿著切割線之光伏打裝置的撓曲將影響相鄰太陽能電池之區域的期望間隔，其係藉由至少一切割線來隔開，且因此會加強一電弧將發生在這些區域的可能性。舉例而言，電弧可形成於光伏打裝置與外部物體之間，諸如上面固定光伏打裝置的導電薄片。
可隨著光伏打裝置發生的另一項問題係起因於暴露至環境以及材料老化的退化。舉例而言，熱流情境、濕度、電流、及機械力施加的變化有助於薄膜光伏打裝置的老化 且可導致光伏打裝置及其封裝材料中的缺陷。此退化可導致光伏打裝置變得較沒效率以及無法維持它在認證位準內的機械與電性特性。在太陽能工業中，要通過多種裝置認證測試，需要用全部的光伏打裝置。將注意，要防止光伏打裝置內或來自光伏打裝置的電弧，需要用以上提及的電性認證。
因此，需要一種薄膜光伏打裝置，該薄膜光伏打裝置結合一構件以防止且限制電弧的傳播，且確保所形成的光伏打裝置將通過全部需要的認證測試。
本文中所揭露的實施例通常關於一種光伏打設備以及一種組裝光伏打設備的方法。在一項實施例中，提供光伏打設備，該設備包括一前薄片、一後薄片、以及配置於該前薄片與該後薄片之間的一光伏打裝置。該光伏打裝置包括在一第一方向中隔開的一第一光伏打電池及一第二光伏打電池。該光伏打裝置進一步包括一第一串列互連件，其具有在一第二方向中延伸的一長度。該第一串列互連件配置於該第一光伏打電池與該第二光伏打電池之間。該第一光伏打電池與該第二光伏打電池藉由該第一互連件電性串聯。該光伏打設備進一步包括一間隔層，該間隔層包括配置於該第一互連件與該後薄片之間的一第一紗束。該第一紗束具有對準該第一串列互連件之長度的一長度。
在另一項實施例中，提供一光伏打設備。該光伏打設 備包括一前薄片、一後薄片、以及配置於該前薄片與該後薄片之間的一光伏打裝置。該光伏打裝置包括一第一側與一第二側。該光伏打裝置進一步包括一第一端點與一第二端點。該光伏打裝置進一步包括複數個光伏打電池，其配置於在一第一方向中從該第一端點延伸至該第二端點的一陣列中。各光伏打電池從該第一側延伸至該第二側。該光伏打裝置進一步包括複數個串列互連件，各串列互連件電性串聯至少兩個光伏打電池。各串列互連件在一第二方向中延伸且具有一週期性圖案，該週期性圖案具有在該第一方向中彼此隔開的頂端。該光伏打設備進一步包括一間隔層，其包括配置於該光伏打裝置與該後薄片之間的複數個第一紗束。各第一紗束的一部份位於該複數個串列互連件之至少一個的至少一頂端之下。
在另一項實施例中，提供一種組裝一光伏打設備的方法，該方法包括形成一光伏打裝置於一基材上，該光伏打裝置具有複數個光伏打電池。各光伏打電池與另一光伏打電池藉由一串列互連件沿著該串列互連件的一長度隔開。該方法進一步包括放置複數個紗束於該基材的一後側上，其中各紗束沿著該串列互連件的該長度對準一串列互連件。
100‧‧‧光伏打裝置
101‧‧‧光伏打電池
102‧‧‧光伏打電池
103‧‧‧光伏打電池
104‧‧‧光伏打電池
110‧‧‧基材
120‧‧‧後接觸層
121‧‧‧後接觸槽
121e1‧‧‧邊緣
121e2‧‧‧邊緣
121m‧‧‧中線
130‧‧‧吸收劑層
131‧‧‧寬度
140‧‧‧半導體緩衝層
150‧‧‧前接觸層
151‧‧‧前接觸槽
161‧‧‧連接槽
170‧‧‧第一匯流條
180‧‧‧第二匯流條
180m‧‧‧中線
181‧‧‧寬度
182‧‧‧厚度
191‧‧‧串列互連件
200‧‧‧光伏打設備
201‧‧‧光伏打設備
202‧‧‧光伏打設備
210‧‧‧後薄片
211‧‧‧第一表面
212‧‧‧第二表面
213‧‧‧外部分
214‧‧‧距離
215A‧‧‧間隔層
215B‧‧‧間隔層
220‧‧‧紗束
220a‧‧‧第一黏合劑層
220b‧‧‧第二黏合劑層
220C‧‧‧中心線
2201‧‧‧紗束
2202‧‧‧紗束
2203‧‧‧紗束
2204‧‧‧紗束
2204m‧‧‧中線
2205‧‧‧紗束
2205m‧‧‧中線
221‧‧‧區域
221e‧‧‧外紗束
225‧‧‧寬度
226A‧‧‧厚度
230‧‧‧後側黏著劑
240‧‧‧前側黏著劑
250‧‧‧前薄片
251‧‧‧第一表面
252‧‧‧第二表面
253‧‧‧外邊緣
260‧‧‧邊緣密封
260b‧‧‧U形邊緣密封
260b1‧‧‧第一腿部
260b2‧‧‧第二腿部
260b3‧‧‧基部
260d‧‧‧邊緣密封
260d1‧‧‧第一部分
260d2‧‧‧第二部分
260d3‧‧‧外彎曲表面
260e‧‧‧邊緣密封
260f‧‧‧邊緣密封
262‧‧‧寬度
263‧‧‧寬度
265‧‧‧距離
266‧‧‧寬度
267‧‧‧組合寬度
268‧‧‧前重疊
269‧‧‧後重疊
280‧‧‧折疊間隔層
282‧‧‧寬度
292‧‧‧串列互連件
300A‧‧‧光伏打設備
300B‧‧‧光伏打設備
300C‧‧‧光伏打設備
300D‧‧‧光伏打設備
300E‧‧‧光伏打設備
300F‧‧‧光伏打設備
392‧‧‧串列互連件
400‧‧‧光伏打設備
401‧‧‧第一端點
402‧‧‧第二端點
403‧‧‧第一側
404‧‧‧第二側
500‧‧‧光伏打設備
501‧‧‧第一端點
502‧‧‧第二端點
503‧‧‧第一側
504‧‧‧第二側
600‧‧‧光伏打設備
700‧‧‧光伏打設備
800‧‧‧光伏打裝置
801‧‧‧第一端點
802‧‧‧第二端點
803‧‧‧第一側
804‧‧‧第二側
851‧‧‧光伏打電池
852‧‧‧光伏打電池
900‧‧‧光伏打裝置
901‧‧‧端點
902‧‧‧端點
1000‧‧‧方法
1002‧‧‧方塊
1004‧‧‧方塊
1006‧‧‧方塊
1008‧‧‧方塊
1010‧‧‧方塊
1101‧‧‧第一端點
1102‧‧‧第二端點
1103‧‧‧第一側
1104‧‧‧第二側
2201‧‧‧縱向紗束
2202‧‧‧縱向紗束
2203‧‧‧縱向紗束
2204‧‧‧第一組紗束
2205‧‧‧第二組紗束
2204s‧‧‧線性段
2205s‧‧‧線性段
2221‧‧‧區域
2913‧‧‧鋸齒點
3913‧‧‧局部頂端
因此，本揭露之上文陳述特徵可被詳細理解的方式，以上簡短歸納之本揭露的更特定說明可藉由參考實施例來 產生，其中一些係繪示於附圖中。不過，要注意的是，附圖僅僅繪示例示性實施例且因此不會被視為限制它的範圍，且可承認其他相等有效的實施例。
圖1A係根據在本文中所提供揭露之實施例之光伏打設備的截面圖。
圖1B係根據在本文中所提供揭露之實施例之光伏打設備的截面圖。
圖2係根據在本文中所提供揭露之實施例之光伏打設備的截面圖。
圖3A係根據在本文中所提供揭露之實施例之光伏打設備的部份截面圖。
圖3B係根據在本文中所提供揭露之實施例之光伏打設備的部份截面圖。
圖3C係根據在本文中所提供揭露之實施例之光伏打設備的部份截面圖。
圖3D係根據在本文中所提供揭露之實施例之光伏打設備的部份截面圖。
圖3E係根據在本文中所提供揭露之實施例之光伏打設備的部份截面圖。
圖3F係根據在本文中所提供揭露之實施例之光伏打設備的部份截面圖。
圖4係根據在本文中所提供揭露之實施例之光伏打設備的頂部圖。
圖5係根據在本文中所提供揭露之實施例之光伏打設 備的頂部圖。
圖6係根據在本文中所提供揭露之實施例之光伏打設備的頂部圖。
圖7係根據在本文中所提供揭露之實施例之光伏打設備的頂部圖。
圖8係根據在本文中所提供揭露之用於製造光伏打設備之一項實施例之方法的製程流程圖。
為了促進理解，在可能之處，已經使用等同的參考數字來指明該等圖式所共用的等同元件。可以預見的是，一項實施例的元件與特徵可被有益地合併在其他實施例中而沒有進一步敍述。
本揭露的實施例通常關於可撓性薄膜光伏打裝置的電絕緣與結構性強化。本揭露的實施例提供一種用於形成光伏打模組或光伏打設備的設備與方法，該光伏打模組或光伏打設備含有一或多個含有子模組組件的太陽能電池。光伏打設備通常經設計以支撐且保留可撓性子模組，使得在安裝及/或正常使用期間內，它們將不會由於多種人為或環境因素而變得受損。
圖1A係根據在本文中所提供揭露之實施例之光伏打設備200的截面圖。舉例而言，光伏打設備200可封裝以一或多種熱塑性聚合物材料。光伏打設備200可包括多數個光電子裝置，諸如光伏打裝置(如，太陽能電池)、二 極體、以及發光二極體(LEDs)。光伏打設備200顯示於圖1A中的圖，其包括光伏打裝置100(或子模組)，該光伏打裝置包括在X-方向中從光伏打裝置100的第一端延伸至光伏打裝置100的第二端之四個光伏打電池101至104的陣列。如將使用(一或多個)光伏打裝置之電產生應用所需要，可包括或多或少個光伏打電池。光伏打電池101至104係在X-方向中(第一方向)對準，且藉由使用在Y-方向(第二方向)中延伸的複數條切割線(亦即，亦稱為P1、P2及P3切割線)或複數條串列互連件191而互連。各光伏打電池101至104之諸層，諸如層120至150，係在Z-方向中(第三方向)以疊層定向形成。在一些應用中，光伏打電池101至104亦可與額外的光伏打電池(未圖式)絕緣，該等額外的光伏打電池由於X-方向絕緣切割線(未圖式)而在Y-方向中(第二方向)彼此隔開，該X-方向絕緣切割線則隔開光伏打電池以形成X-Y陣列的光伏打電池。
光伏打電池(如，光伏打電池101、102)藉由使用已形成的切割線而在匯流條170、180之間電性串聯。各光伏打裝置100係形成在基材110上。基材110可以是剛性基材或可撓性基材。基材110亦可從電絕緣材料形成。舉例而言，在一項實施例中，可使用聚醯亞胺基材，諸如在Z-方向中具有從大約5μm至大約200μm之厚度的聚醯亞胺基材，諸如從大約15μm至大約100μm。
導電後接觸層120可配置於基材110的表面上。後接 觸層120可由具有高光學反射比的材料製造，且一般由鉬(Mo)製成，雖然許多其他薄膜材料，諸如金屬硫族化合物、硫化鉬、硒化鉬(諸如MoSe2)、鈉(Na)摻雜Mo、鉀(K)摻雜Mo、Na與K摻雜Mo、過渡金屬硫化物、錫摻雜氧化銦(ITO)、摻雜或未摻雜氧化銦、摻雜或未摻雜氧化鋅、氮化錯、氧化錫、氮化鈦、鈦(Ti)、鎢(W)、鉭(Ta)、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、及鈮(Nb)，亦可被有利地使用或包括。在一些實施例中，後接觸層係藉由使用濺射製程而沈積於基材110上。
至少一吸收劑層130配置於後接觸層120上。吸收劑層130大致上由「ABC」材料製成，其中，「A」代表由國際理論與應用化學聯合會所定義之化學元素週期表之11族的元素，包括銅(Cu)或銀(Ag)，「B」代表週期表之13族的元素，包括銦(In)、鎵(Ga)、或鋁(Al)，以及「C」代表週期表之16族的元素，包括硫(S)、硒(Se)或碲(Te)。ABC材料的實例係Cu(In,Ga)Se2半導體，亦稱為CIGS。在一些實施例中，吸收劑層130可以是多晶材料。在其他實施例中，吸收劑層130可以是單晶材料。可使用作為吸收劑層130之材料的另一實例係黃銅礦。
半導體緩衝層140可配置於吸收劑層130上。半導體緩衝層140通常具有高於1.5eV的能帶隙。半導體緩衝層140可由諸如CdS、Cd(S,OH)、CdZnS、硫化銦、硫化 鋅、硒化鎵、硒化銦、(銦、鎵)-硫化合物、(銦、鎵)-硒化合物、氧化錫、氧化鋅、Zn(Mg,O)S、Zn(O,S)材料或其變化的材料所形成。
前接觸層150可配置於半導體緩衝層140上。前接觸層150可以是導電且光學透明材料，諸如透明導電氧化物(TCO)層。舉例而言，在一些實施例中，前接觸層150可由材料的摻雜或未摻雜變化所形成，諸如氧化銦、氧化錫、或氧化鋅。第二匯流條180可連接至光伏打電池之一者(諸如在光伏打電池陣列之一端上的光伏打電池，舉例而言，光伏打電池104)的前接觸層150。
第一匯流條170形成至第一光伏打電池101之後接觸層120的電連接。第一匯流條170可形成光伏打裝置100的陰極。在一些實施例中，第一匯流條170可由可撓性材料形成。
第二匯流條180形成至第四光伏打電池104之前接觸層150的電連接。第二匯流條180可形成光伏打裝置100的陽極。在一些實施例中，第二匯流條180可由可撓性材料形成。第二匯流條180可具有從大約1mm至大約15mm的寬度181，諸如從大約3.5mm至大約4.5mm，諸如大約4mm。第二匯流條180可具有從大約5μm至大約1000μm的厚度182，諸如從大約50μm至大約200μm，諸如大約150μm。第一匯流條170可具有與第二匯流條180之維度大約相同的維度。
串列互連件191在各相鄰的光伏打電池101至104之 間形成電連接。各串列互連件191包括連接槽161(亦即，P2切割線)，該連接槽形成經過前接觸層150、半導體緩衝層140以及吸收劑層130，以形成將相鄰光伏打電池電連接的導電路徑。導電路徑可在使用以形成連接槽161的雷射切割製程期間藉由熔化吸收劑層130的一部份而形成。舉例而言，一連接槽161將第三光伏打電池103的前接觸層150電連接至第四光伏打電池104的後接觸層120。
各串列互連件191包括用以電絕緣各相鄰光伏打電池部分的一對槽。後接觸槽121(亦即，P1切割線)將相鄰光伏打電池(諸如光伏打電池103、104)的後接觸層120彼此電絕緣。前接觸槽151(亦即，P3切割線)將相鄰光伏打電池(諸如光伏打電池103、104)的前接觸層150彼此電絕緣。串列互連件191將光伏打電池101至104集體電性串聯。在X-方向中之串列互連件191的寬度131，包括後接觸槽121、連接槽161、及前接觸槽151的寬度，其可從大約50μm至大約500μm，諸如從大約100μm至大約250μm，諸如從大約150μm至大約180μm。在X-方向中之槽121、151及161各者的寬度，可從大約10μm至大約200μm，諸如從大約20μm至大約80μm。
光伏打裝置100可藉由使用前側黏著劑240與後側黏著劑230而封裝在光伏打設備200內。在一些實施例中，前側黏著劑240與後側黏著劑230完全圍繞光伏打裝置100。前側黏著劑240形成在光伏打裝置100之光伏打電 池101至104之各者的前接觸層150上，且亦形成在第一與第二匯流條170、180上方。在一些實施例中，希望前側黏著劑240亦填滿不同光伏打電池101至104的前接觸層150之間的前接觸槽151。前側黏著劑240亦將圍繞光伏打裝置100的全部邊緣(亦即，第一與第二匯流條170、180被定位的端點以及平行X-方向的邊緣(見圖4至圖7))。前側黏著劑240可由可撓性材料形成，諸如可撓性聚合物。舉例而言，在一項實施例中，前側黏著劑240可由熱塑性烯烴(TPO)系聚合物形成。
後側黏著劑230形成在與光伏打裝置100對置之基材110側上。後側黏著劑230亦將圍繞光伏打裝置100的全部邊緣(亦即，第一與第二匯流條170、180被定位的端點以及平行X-方向的邊緣)。後側黏著劑230可由可撓性材料形成，諸如可撓性聚合物。舉例而言，在一項實施例中，後側黏著劑230可由熱塑性烯烴系聚合物(TPO)形成。後側黏著劑230可接觸在光伏打裝置100之各端點處的前側黏著劑240(亦即，第一與第二匯流條170、180被定位的端點)，且亦在光伏打裝置100的任一側上(亦即，在圖1A之截面中沒看見之在圖1A之Y-方向中的兩側)，使得前側黏著劑240與後側黏著劑230完全圍繞且封裝光伏打裝置100。
前薄片250可配置於前側黏著劑層240的外表面上，諸如前側黏著劑層240的頂表面。前薄片250可由透明材料形成，諸如玻璃或透明熱塑性聚合物。在一些實施例 中，前薄片250可由剛性材料形成。在其他實施例中，前薄片250可由可撓性材料形成。
後薄片210可配置於後側黏著劑層230的外表面上，諸如後側黏著劑層230的底表面。後薄片210可由反射性材料形成，諸如金屬或反射性聚合物。在一些實施例中，後薄片210可由剛性材料形成。在其他實施例中，後薄片210可由可撓性材料形成。在一些實施例中，纖維強化聚合物可使用當作用於後薄片210的材料。在仍其他實施例中，後薄片210可由玻璃材料形成。
後側黏著劑230可包括功能如同間隔層215A的一部分。間隔層215A可定位於基材110與後薄片210之間。間隔層215A可被使用以確保在光伏打設備200內的電活性組件(諸如光伏打裝置100的後接觸層120)與外部物體之間的最小間隔被維持。維持光伏打裝置100的電活性組件(諸如後接觸層120)與外部物體之間足夠的間隔，可協助防止電弧發生，且確保所形成的光伏打設備200將符合光伏打裝置驗證標準。間隔層215A可在Z-方向中具有大約80μm至大約2mm的厚度226A，諸如大約450μm至大約1mm，諸如大約450μm至大約500μm。
間隔層215A可包括複數個紗束220，諸如紗束2201至2205。各紗束220可由匯整成束的纖維所形成。在紗束220中的纖維可由纖維狀材料形成，諸如纖維玻璃。在其他實施例中，紗束220可由另一纖維材料(諸如碳纖維材料)或織物所形成。在其他實施例中，紗束220可由具有 不織布黏合劑的一層單向玻璃纖維所形成。紗束220可在X-方向中具有大約50μm至大約2cm的寬度225，諸如大約200μm至大約1cm，諸如大約1.5mm至大約5mm。
在疊層製程期間，紗束220可嵌入於後側黏著劑230中，其被使用來形成光伏打設備200。舉例而言，當光伏打設備200最後形成時，紗束220可在X-方向中由數段的後側黏著劑230所隔開。更者，紗束220通常在Y-方向中延伸於基材110與後薄片210之間。在一些實施例中，紗束220可接觸基材110及/或後薄片210。因為紗束220可從可被配置成期望的結構性圖案或定向的剛性材料所形成，諸如玻璃纖維，紗束220則可被使用來維持光伏打裝置100的電活性組件(諸如後接觸層120)與外部物體之間的間隔。更者，諸如玻璃纖維的材料通常不會隨著時間實質收縮或壓縮，其致使電活性組件與外部物體之間的間隔在光伏打設備200中隨著時間被維持。
紗束220可被配置與對準，以結構性支撐進行電連接的位置，諸如在光伏打裝置100之任一端點處之第一與第二匯流條170、180的位置以及串列互連件191的位置。舉例而言，將第五紗束2205定位，使得第五紗束2205之在X-方向中的紗束2205的中線2205m實質對準第二匯流條180之在X-方向中的中線180m。匯流條170、180可以是電弧源。因此，重要的是，在匯流條170、180的位置處提供足夠的支撐，使得在匯流條170、180與外部物體之間的間隔隨著時間維持。舉例而言，因為紗束2205 由剛性材料形成，諸如纖維玻璃，所以紗束2205可結構性支撐在匯流條170、180附近之基材的希望部分，其可有助於防止電弧的發生。
如另一實例，可將第四紗束2204定位，使得第四紗束2204的中線2204m實質對準後接觸槽121的中線121m。在一些實施例中，可將紗束220定位，使得就在光伏打裝置100之各後接觸槽121的一些或全部而言，在X-方向中之紗束220的中線(亦即，中心線)實質對準在X-方向中之後接觸槽121的中線。在其他實施例中，紗束220的中線可對準另一個特徵，諸如連接槽161的中心線或前接觸槽151的中心線。串列互連件191的組件可以是電弧源。後接觸槽121係串列互連件191最靠近後薄片210的組件。因此，重要的是，在後接觸槽121的位置處(諸如後接觸槽121的中線121m)提供足夠的支撐。舉例而言，基材100的撓曲或彎折應該不影響在相鄰太陽能電池中之後接觸層之相鄰部分之間的間隔。如進一步實例，基材100的撓曲或彎折應該不影響在後接觸層120之部分(例如，相鄰後接觸槽121之後接觸層120的至少一邊緣121e1、121e2)與後薄片210之間的間隔。舉例而言，因為紗束2204由剛性材料形成，諸如纖維玻璃，所以紗束2204可結構性支撐期望的基材部分，其可有助於防止電弧的發生。
圖1B係根據在本文中所提供揭露之另一實施例之光伏打設備201的截面圖。光伏打設備201與圖1A的光伏 打設備200類似，除了光伏打設備201包括取代光伏打設備200之間隔層215A的間隔層215B以外。間隔層215B包括複數個紗束220。雖然將與圖1A之實施例相同的參考號碼給予紗束220，但是相對於在圖1A中的紗束220，光伏打設備201的紗束220可能具有不同特性，諸如尺寸與成分。間隔層215B進一步包括第一黏合劑層220a與第二黏合劑層220b的至少一者。在已經在光伏打設備201進行疊層製程期間內及/或之後，可使用第一黏合層220a與第二黏合層220b來維持紗束220例如在Y-方向中的對準。在一些實施例中，紗束220係黏合或機械性附著至黏合劑層220a或220b之一者或多者，以便能夠維持在最終形成之光伏打設備201中之紗束220的期望對準。黏合劑220a、220b的至少一者可由薄片材料製成。舉例而言，黏合劑220a、220b之一者可由包含纖維的材料製成。低成本的黏合劑層可例如包括玻璃纖維。黏合劑層材料的其他實例可包括碳纖維、有機織物、及以聚合物為主之織物的至少一者。在一些實施例中，黏合劑層材料可由織布或不織布纖維之至少一者製成。至少一黏合劑層的厚度可從大約5μm至大約200μm，諸如從大約10μm至大約50μm，例如大約15μm。
圖2係根據在本文中所提供揭露之另一實施例之光伏打設備202的截面圖。光伏打設備202與圖1A的光伏打設備200類似，除了光伏打設備202尺寸不同以外(參見例如，紗束220的數目相對於圖1A、圖1B的實施例增 加)，且光伏打設備202進一步包括在光伏打設備202之相對端點1101、1102處的邊緣密封260。更者，光伏打裝置100之個別層沒有顯示於圖2中。邊緣密封260可配置於前薄片250與後薄片210之間。邊緣密封可填滿前薄片250與後薄片210之間的區域，以產生密封。各邊緣密封260的內表面(亦即，面對光伏打裝置100的表面)可接觸前側黏著劑240與後側黏著劑230。在一些實施例中，各邊緣密封的內表面可進一步接觸一或多個紗束220。邊緣密封可由聚合物材料形成，諸如丁基。各邊緣密封260在X-方向中可具有大約5mm至大約50mm的寬度，諸如大約6mm至大約15mm，諸如大約8mm至大約12mm，例如大約10mm。
在一些實施例中，藉由在X-方向中各具有寬度262之前側黏著劑240、後側黏著劑230、及間隔層的部分，邊緣密封260可在X-方向中自光伏打裝置100偏移。寬度262可從大約0mm至大約50mm，諸如大約2mm至大約20mm，諸如大約2mm至大約8mm。第一與第二匯流條170、180(參見圖1A)可以距光伏打設備202之邊緣的距離265配置(亦即，邊緣密封260之一者的外邊緣)。距離265可在X-方向中自光伏打裝置100的邊緣與光伏打設備202的外邊緣測量，且經常是在確保所形成光伏打設備202將符合光伏打裝置驗證標準時的重要因素。距離265可從大約6mm至大約50mm，諸如大約8mm至大約15mm，例如大約10mm。邊緣密封260可提 供額外的結構性支撐給光伏打設備202以及密封光伏打裝置100避免外部環境。邊緣密封亦可協助維持在X-方向中之光伏打設備202中之紗束220的對準。
在一些實施例中，多數個邊緣密封可完全圍繞(未圖式)光伏打裝置100。舉例而言，邊緣密封(未圖式)可配置在Y-方向中之光伏打裝置的相對端點上，使得可防止在Y-方向中之光伏打裝置中之紗束與其他層的電絕緣與移動。這些額外的邊緣密封可在X-方向中具有一長度，該長度實質跨距在X-方向中之光伏打設備202的整個長度。在其他實施例中，一連續的邊緣密封260圍繞光伏打裝置100。
圖3A係根據在本文中所提供揭露之另一實施例之光伏打設備300A的部份截面圖。圖3A至圖3F係顯示在X-方向中之光伏打設備之僅僅一邊緣的部份截面圖，但在圖3A至圖3F中所包括的特徵則可應用至光伏打設備之邊緣或側的任一者。顯示在紙張底部的X-Y-Z座標應用到圖3A至圖3F的全部。
光伏打設備300A與圖2的光伏打設備202類似，除了光伏打設備300A進一步包括折疊間隔層280以外。折疊間隔層280包括至少部份圍繞光伏打裝置100之邊緣的額外紗束220。據信，折疊間隔層280可有益於提供期望間隔(例如，寬度265)於光伏打裝置100的邊緣與光伏打設備300A的邊緣之間。在光伏打設備300A之邊緣處之折疊間隔層280的存在可協助確保光伏打設備300A將 符合電性驗證條件且消除一般的光伏打設備製造製程產生問題與光伏打裝置故障模式。在一些實施例中，在折疊間隔層280中的至少一些紗束可能與配置在光伏打裝置100與後薄片210之間的紗束不同，諸如具有不同尺寸、密度、定向或成分。在一些實施例中，在折疊間隔層280中的紗束220可彼此緊密地包裝，使得在折疊間隔層280中之紗束220的各者接觸在折疊間隔層280中的另一紗束220。
在折疊間隔層280中之一或多個紗束220中的一些可配置在邊緣密封260之一者與匯流條170、180之間。配置在邊緣密封260之一者與第二匯流條180之間的一或多個紗束220可接觸匯流條170、180。在一些實施例中，配置在邊緣密封260之一者與匯流條170、180之間的一或多個紗束220在Z-方向中可延伸至面對前薄片250之至少匯流條170、180的表面。在邊緣密封260之一者與匯流條170、180之間的一或多個紗束220可使用來維持在匯流條170、180與至少一外部物體(諸如在光伏打設備300A之側外部的物體)之間的間隔。
更者，在一些組態中，一或多個紗束220可配置在匯流條170、180與前薄片250之間。配置在前薄片250與匯流條170、180之間的一或多個紗束220可接觸匯流條170、180。配置在前薄片250與匯流條170、180之間的一或多個紗束220可在X-方向中延伸超過匯流條170、180，朝向在X-方向中光伏打裝置100的中心。在一些實 施例中，紗束僅僅延伸，以在X-方向中覆蓋匯流條170、180的部份。在X-方向中，配置於前薄片250與匯流條170、180之間之紗束220的寬度282可取決於在X-方向中匯流條170、180的寬度。舉例而言，寬度282可以是在X-方向中之匯流條170、180之寬度的大約10%至大約400%，諸如在X-方向中之匯流條170、180之寬度的大約25%至大約200%，諸如在X-方向中之匯流條170、180之寬度的大約100%至大約150%。在匯流條170、180之一者與前薄片250之間的一或多個紗束220可使用來維持在匯流條170、180與外部物體(諸如在光伏打設備300A上方的外部物體)之間的間隔。
在一些實施例中，光伏打設備可具有修改的折疊間隔層(未圖式)，該折疊間隔層僅僅包括紗束220於匯流條170、180與邊緣密封260之間或僅僅於匯流條170、180與前薄片250之間。在此情形中，由於使用於光伏打設備中的紗束材料數量較少，所以光伏打設備的總成本將被減少，同時亦在例如可被所屬技術領域中具通常知識者視為具有較高可能性之電弧形成的已形成光伏打設備區域中提供紗束材料。
圖3B係根據在本文中所提供揭露之另一實施例之光伏打設備300B的部份截面圖。光伏打設備300B與圖2的光伏打設備202類似，除了光伏打設備300B進一步包括U形邊緣密封260b來取代光伏打設備202的邊緣密封260以外。U形邊緣密封260b通常圍繞光伏打設備300B 的邊緣。據信，U形邊緣密封260b可有益於在光伏打裝置100的邊緣與定位於光伏打設備300B之邊緣外面的外部環境之間提供期望的電絕緣。在光伏打設備300B之邊緣處之U形邊緣密封260b的存在可協助確保，藉由在光伏打設備300B之邊緣處的組件之間提供期望的間隔，光伏打設備300B將符合電性驗證條件且消除一般的光伏打設備製造製程產生問題。在該裝置之邊緣處之U形邊緣密封260b的存在亦可增加光伏打裝置將通過驗證測試的可能性，且藉由增加在光伏打設備300B的電組件與外在環境之間的有效路徑長度來改善光伏打裝置的壽命。U形邊緣密封260b包括第一腿部260b1、第二腿部260b2、以及基部260b3。U形邊緣密封260b可由聚對苯二甲酸乙二酯(PET)聚合物或另一熱塑性聚合物形成。基部260b3可在Z-方向以及Y-方向中延伸。在一些實施例中，基部260b3可與光伏打設備202的邊緣密封260相同尺寸與形狀。第一腿部260b1可從基部260b3在X-方向中延伸一寬度266，朝向在前薄片250與光伏打裝置100之間之在X-方向中的光伏打設備300B的中心。第二腿部260b2可類似地從基部260b3在X-方向中延伸該寬度266，朝向在後薄片210與光伏打裝置100之間之在X-方向中之光伏打設備300B的中心。就圖3B所示的部分而言，U形邊緣密封260b的第一腿部260b1與第二腿部260b2亦在+Y-方向與-Y-方向中延伸。在一些實施例中，在X-方向中，U形邊緣密封260b的第一與第二腿部260b1、260b2 延伸至匯流條170、180的內邊緣。因此，至少部份的U形邊緣密封260b係配置於匯流條170、180與前薄片250之間，且至少部份的U形邊緣密封260b係配置於匯流條170、180與後薄片210之間。在其他實施例中，U形邊緣密封260b的第一與第二腿部260b1、260b2在X-方向中延伸超過匯流條170、180的內邊緣，朝向在X-方向中之光伏打設備的中心。
圖3C係根據在本文中所提供揭露之另一實施例之光伏打設備300C的部份截面圖。光伏打設備300C與圖2的光伏打設備202類似，除了光伏打設備300C額外包括圖3B的U形邊緣密封260b以外。U形邊緣密封260b通常圍繞光伏打設備300C的邊緣。在本實施例中，邊緣密封260至少部份圍繞U形邊緣密封260b。在光伏打設備300B之邊緣處之U形邊緣密封260b與邊緣密封260的存在可協助確保，光伏打設備300C將符合電性驗證條件且消除一般的光伏打設備製造與光伏打裝置故障模式。在一些實施例中，邊緣密封260完全圍繞U形邊緣密封260b的外週邊。在此，邊緣密封260可稱為外密封，且U形邊緣密封260b可稱為內密封。在X-方向中，邊緣密封260與U形邊緣密封260b的組合寬度267可能與在圖3B之光伏打設備300B中之U形邊緣260b的寬度266相同。在一些實施例中，邊緣密封260與U形邊緣密封260b的材料可能不同。
圖3D係根據在本文中所提供揭露之另一實施例之光 伏打設備300D的部份截面圖。光伏打設備300D與圖2的光伏打設備202類似，除了光伏打設備300D具有後薄片以外，該後薄片比前薄片更長以及具有不同的邊緣密封組態。在光伏打設備300D的一些組態中，後薄片210比前薄片250更長。前薄片250具有面對光伏打裝置100的第一表面251以及與第一表面251相對的第二表面252。後薄片210具有面對光伏打裝置100的第一表面211以及與第一表面211相對的第二表面212。
光伏打設備300D包括邊緣密封260d。在光伏打設備300D之邊緣處之邊緣密封260d的存在可協助確保光伏打設備300D將符合電性驗證條件且消除一般的光伏打設備製造與光伏打裝置故障模式。通常來說，邊緣密封260d包含聚合物材料，諸如彈性體，舉例而言，丁基橡膠，其係可藉由沿著光伏打設備300D的邊緣來分配液態前驅物材料且允許它硬化來形成。邊緣密封260d包括配置在後薄片210的第一表面211與前薄片250的第一表面251之間的第一部分260d1。第一部分260d1可接觸前薄片250的第一表面251與後薄片210的第一表面211。第一部分260d1的內表面亦可接觸前側黏著劑240與後側黏著劑230。第一部分260d1可包括一或多個紗束220。在第一部分260d1中的一或多個紗束220可被使用來提供額外的結構性支撐且提供希望的間隔於光伏打裝置300D內。第一部分260d1在X-方向中具有寬度263。一或多個紗束220可被放置於沿著第一部分260d1之寬度263的多個位 置上。
後薄片210包括在X-方向中延伸超過前薄片250一距離214的外部分213。前薄片250包括外邊緣253。外邊緣253可實質延伸於Z-方向中以允許邊緣密封260d形成密封於其上。
邊緣密封260d進一步包括第二部分260d2。邊緣密封260d的第二部分260d2自後薄片210之外部分213的第一表面211延伸至前薄片250的外邊緣253。在一些實施例中，第二部分260d2可覆蓋後薄片210之外部分213之第一表面211的全部。第二部分260d2可具有外彎曲表面260d3。第二部分260d2可覆蓋前薄片250的外邊緣253的全部。第二部分260d2可延伸至前薄片250的第二表面252。在一些實施例中，紗束220可被包括在第二部分260d2中。
圖3E係根據在本文中所提供揭露之另一實施例之光伏打設備300E的部份截面圖。光伏打設備300E與圖3D的光伏打設備300D類似，除了光伏打設備300E具有不同的邊緣密封組態以外。當光伏打設備300D包括從後薄片210之外部份213的第一表面211延伸至前薄片250之外表面253的邊緣密封260d的同時，光伏打設備300E則包括從第一表面211延伸超過前薄片250的外表面253以接觸前薄片250之第二表面252的邊緣密封260e。密封邊緣260e包括在Z-方向中延伸超過前薄片250之第二表面252的前重疊268。前重疊268在X-方向中往後延伸， 朝向在X-方向中之光伏打設備300E的中心。密封邊緣260e之前重疊268的存在將提供一延伸路徑的長度，外部供應的污染物將必需在正常裝置操作期間橋接或穿過該延伸路徑長度，以導致光伏打裝置故障。前重疊268可提供較佳的總黏著特性至邊緣密封260e。這些較佳的總黏著特性可授予更長的壽命給邊緣密封260e，例如在光伏打裝置可被曝露之日常熱循環的情境中。前重疊268的存在可因此協助確保，光伏打設備300E將符合電性驗證條件且藉由消除一般的光伏打設備故障模式來改善裝置壽命。在一些實施例中，前重疊268在X-方向中延伸，以至少部分地覆蓋匯流條170、180。在一些實施例中，前重疊268在X-方向中延伸，以完全覆蓋匯流條170、180。藉由相對於光伏打設備300D的邊緣密封260d來蓋住額外的表面，邊緣密封260e可產生更強的密封。通常來說，邊緣密封260e包含聚合物材料，諸如彈性體，舉例而言，丁基橡膠，其係可藉由沿著光伏打設備300E的邊緣來分配液態前驅物材料且允許它硬化來形成。
圖3F係根據在本文中所提供揭露之另一實施例之光伏打設備300F的部份截面圖。光伏打設備300F與圖3E的光伏打設備300E類似，除了光伏打設備300F具有不同的邊緣密封組態以外。除了前重疊268以外，光伏打設備300F包括後重疊269。在Z-方向中，後重疊269延伸超過後薄片210的第二表面212。後重疊269在X-方向中往後延伸，朝向在X-方向中之光伏打設備300F的中心。在 一些實施例中，後重疊269在X-方向中延伸，以至少部分地覆蓋匯流條170、180。在一些實施例中，後重疊269在X-方向中延伸，以完全覆蓋匯流條170、180。藉由相對於光伏打設備300E的邊緣密封260e來蓋住額外的表面，邊緣密封260f可產生更強的密封。通常來說，邊緣密封260f包含聚合物材料，諸如彈性體，舉例而言，丁基橡膠，其係並且可藉由沿著光伏打設備300F的邊緣來分配液態前驅物材料且允許它硬化來形成。
圖4係根據在本文中所提供揭露之實施例之光伏打設備400的頂部截面圖。圖4的光伏打設備400以及圖5至圖7的光伏打設備係在沒有前薄片250與前側黏著劑240之下顯示，以產生紗束(諸如紗束220)如何相對於光伏打裝置來配製的更清楚的圖。光伏打設備400在X-方向中從第一端點401延伸至第二端點402。光伏打設備400在Y-方向中從第一側403延伸至第二側404。
光伏打裝置100配置於後薄片210上。光伏打裝置100在X-方向中從第一端點1101延伸至第二端點1102。各別的光伏打電池，諸如光伏打電池101，在Y-方向中，從光伏打裝置100的第一側1103延伸至第二側1104。串列互連件191隔開太陽能電池，以形成在X-方向中延伸之串列連接太陽能電池的陣列，如上文結合圖1A與圖1B所討論者。紗束220係配置於光伏打裝置100與後薄片210之間，如上文結合圖1A至圖1B及圖2所討論者。如上文結合圖1A至圖2所討論者，在Y-方向中延伸之各紗 束220的中心線220C，可實質對準在Y-方向中延伸的各串列互連件191。串列互連件191可以是電弧源。舉例而言，電弧可形成於串列互連件與導電薄片或導電支撐體之間，光伏打裝置則例如使用黏著劑黏合而固定於該導電薄片或導電支撐體上。因此，所屬技術領域中具有通常知識者將小心維持在操作期間之在串列互連件191之各者內以及相鄰串列互連件191之各者的許多不同偏置區域之間的間隔。因此，使紗束220的中心線220C與各串列互連件191對準將支撐光伏打裝置100的此相當可撓性區域，使得可維持在串列互連件191的許多隔開部分與其他附近導電部件之間的間隔，且因此可防止在光伏打裝置100內或自光伏打裝置100發出的電弧。
一或多條外紗束221e係配置在X-方向中、在光伏打裝置100之端點與光伏打設備400之相鄰端點之間的位置。舉例而言，外紗束221e係配置在光伏打裝置100的第一端點1101與光伏打設備400的第一端點401之間。外紗束221e可提供額外的支撐於光伏打設備400的外區域中，且在一些情況中，係為折疊間隔層280的一部份(參見圖3A)。
更者，外紗束221e可強化邊緣密封(如，圖3B至圖3F的邊緣密封)之黏合至前薄片250、後薄片210、前側黏著劑240、及後側黏著劑230之至少一者。藉由善用紗束的熱擴散係數低於光伏打設備400之其他組件的熱擴散係數之事實，外紗束221e可強化邊緣密封的黏合。更 者，外紗束221e可防止可在光伏打設備的操作期間例如藉由增加的溫度而導致之組件(例如，黏著劑)的流體滑動、變形、以及位移。外紗束221e亦可在光伏打設備400的其他位置提供類似的好處。
光伏打設備400進一步包括縱向紗束2201至2203。縱向紗束2201至2203各者可從在X-方向中之在光伏打設備400的第一端點401與光伏打裝置100的第一端點1101之間的位置延伸至在X-方向中之在光伏打設備400的第二端點402與光伏打裝置100的第二端點1102之間的位置。第一縱向紗束2201可對準光伏打裝置100的第一側1103，且配置於光伏打裝置100的第一側1103與後薄片210之間。第二縱向紗束2202可對準光伏打裝置的第二側1104，且配置於光伏打裝置100的第二側1104與後薄片210之間。第三縱向紗束2203可配置於第一縱向紗束2201與第二縱向紗束2202之間的中間位置處。在一些實施例中，可包括額外的縱向紗束。在Y-方向中延伸的縱向紗束2201至2203，其在Z-方向中，可位於在X-方向中延伸的紗束220之下或覆蓋於紗束220之上。在一些實施例中，縱向紗束之一或多個可部份覆蓋於紗束220中的一些之上且位於剩餘紗束220之下。舉例而言，當縱向紗束2201至2203在X-方向中延伸以在縱向紗束2201至2203與紗束220之間產生交織圖案時，縱向紗束之一或多個可在配置於紗束220上方與配置於紗束220下方之間交替。
圖5係根據在本文中所提供揭露之實施例之光伏打設備500的頂部截面圖。光伏打設備500與圖4的光伏打設備400類似，除了光伏打設備500包括具有不同組態串列互連件292與不同紗束配置的不同光伏打裝置以外。光伏打設備500從在X-方向中的第一端點501延伸至第二端點502。光伏打設備500從在Y-方向中的第一側503延伸至第二側504。
光伏打設備500包括光伏打裝置800。光伏打裝置800配置在後薄片210上方。光伏打裝置800從在X-方向中的第一端點801延伸至第二端點802。光伏打裝置800從在Y-方向中的第一側803延伸至第二側804。光伏打裝置800包括複數個太陽能電池，諸如光伏打電池851、852，其在X-方向中藉由串列互連件292彼此隔開。串列互連件292通常包括與串列互連件191相同的切割線(如，槽121、151、及161)，且切割線彼此相對地類似隔開。如圖5所示，串列互連件292以鋸齒圖案形成，以隔開在光伏打裝置800中的各別太陽能電池。圖5至圖7提供串列互連件的實例，其可以在X-方向中具有隔開頂端的週期性圖案來配置。各串列互連件292可具有複數個鋸齒點2913(亦即，在X-方向中的頂端)，在該等鋸齒點上，串列互連件292突然地改變方向。光伏打設備500包括縱向紗束2201與2202，像光伏打設備400。與光伏打設備400對比之下，光伏打設備包括複數個中間縱向紗束2203於縱向紗束2201與2202之間。中間縱向紗束 2203可被配置以在X-方向中延伸且定位以位於不同串列互連件292的複數個鋸齒點2913下方。在一些實施例中，中間縱向紗束2203位於光伏打裝置800中的各鋸齒點2913下方。
光伏打設備500亦包括紗束220，該等紗束在Y-方向中延伸，像光伏打設備400。與光伏打設備400對比之下，光伏打設備500包括紗束220，該等紗束被配置以在Y-方向中延伸且被定位以位於串列互連件292的複數個鋸齒點2913下方。在一些實施例中，紗束220位於光伏打裝置800之串列互連件292中的鋸齒點2913的至少一半下方，且因此兩紗束220可被使用來支撐各串列互連件292。鋸齒點2913可以是電弧源，且中間縱向紗束2203以及紗束220可提供支撐於鋸齒點2913的位置處，使得串列互連件292的一部分(例如，鋸齒點2913)與另一導電部份(例如，後薄片210的導電表面或光伏打設備500黏合至的導電表面)之間的間隔，維持大於一特定距離，例如由認證中心所設定的距離。
串列互連件292的鋸齒圖案可沿著X-方向改變。舉例而言，比起光伏打裝置800之端點801、802，更靠近光伏打裝置800之中心的串列互連件292，可具有與更靠近光伏打裝置800之端點801、802之串列互連件292不同的特性(如，鋸齒形狀、相隔間距等等)。這些不同特性可包括在不同串列互連件292中之角度銳度的變化以及不同串列互連件之頂端至頂端振幅(亦即，在已知串列互 連件的鋸齒圖案中之相鄰頂端之間之在X-方向中的距離)的變化。舉例而言，光伏打裝置800可包括毗鄰匯流條170、180之一者的一或多個區域2221，其中相對於不在一或多個區域221之一者中的串列互連件292，串列互連件292具有減少的頂端至頂端振幅。
圖6係根據在本文中所提供揭露之實施例之光伏打設備600的頂部截面圖。光伏打設備600與圖5的光伏打設備500類似，除了光伏打設備500包括不同的紗束配置以外。光伏打設備600包括亦被包括在光伏打設備500中的光伏打裝置800。在光伏打設備500中，紗束220係沿著Y-方向對準，且縱向紗束2201至2203係沿著X-方向對準。相反地，在光伏打設備600中，紗束以相對於X-方向與Y-方向的斜角定向。舉例而言，第一組紗束2204可以相對於X-方向(亦即，水平軸)的負45度定向，且第二組紗束2205可以相對於X-方向的正45度定向。除了45度以外的其他斜角亦可被使用。紗束2204、2205可以交織圖案配置。舉例而言，已知紗束2204可沿著已知紗束2204之長度而在已知紗束2204通過之紗束2205的下方與紗束2205的上方之間交替。
在一些實施例中，紗束2204、2205可被定向成平行串列互連件292之至少一些的部分。舉例而言，串列互連件292可包括在鋸齒點2913之間的線性段2204s與2205s。紗束2204可平行線性段2204s對準，且紗束2204的至少一些可被定位在線性段2204s的一或多者下方。紗 束2205可平行線性段2205s對準，且紗束2205的至少一些可被定位在線性段2205s的一或多者下方。舉例而言，沒有在區域2221中(亦即，具有減少頂端至頂端振幅的區域)的線性段2204s、2205s各者可具有下層紗束2204、2205。如上文參考圖5來討論，鋸齒點2913可以是電弧源，但是電弧仍可從鋸齒點2913以外之串列互連件292的其他位置發生。光伏打設備600的紗束2204、2205可被配置以位於串列互連件292的整個長度下方，其可進一步提供增加的支撐給串列互連件292區域，以便能夠維持串列互連件292之許多部分之間的間隔，以防止電弧。
圖7係根據在本文中所提供揭露之實施例之光伏打設備700的頂部截面圖。光伏打設備700與圖5的光伏打設備500類似，除了光伏打設備500包括不同的光伏打裝置以外。光伏打設備700包括光伏打裝置900。光伏打裝置900與光伏打裝置700類似，除了光伏打裝置900包括具有波狀圖案的串列互連件392而非具有光伏打裝置800之鋸齒圖案的串列互連件292以外。串列互連件392通常包括與串列互連件191相同的切割線(如，槽121、151、及161)，且切割線彼此相對地類似地隔開。波狀圖案可以有許多形式，包括週期曲線、準週期曲線、或正弦波圖案。串列互連件392沿著X-方向可具有不同特性。舉例而言，比起光伏打裝置900之中心，更靠近光伏打裝置900之端點901、902的串列互連件392，其相對於比起光 伏打裝置900之端點更靠近光伏打裝置900之中心的串列互連件392，可在串列互連件的週期性圖案中具有減少的振幅。各串列互連件392可具有複數個局部頂端3913。中間縱向紗束2203可被定位在局部頂端3913的下方，使得各局部頂端3913具有下層的縱向紗束2203。光伏打設備700亦包括紗束220，其在Y-方向中延伸，像光伏打設備500。與光伏打設備500對比之下，光伏打設備800包括紗束220，該等紗束係配置以在Y-方向中延伸且被定位在串列互連件的中心線或串列互連件392的複數個局部頂端3913下方。在一些實施例中，紗束220位於在光伏打裝置800之串列互連件392中之局部頂端3913的至少一半下方，且因此可使用兩紗束220來支撐各串列互連件392。
圖8係用於製造光伏打設備之一項實施例之方法1000的製程流程圖。方法1000主要參考圖1A的光伏打設備200來說明，但方法1000可經調適以製造在本文中所說明之光伏打設備的任一者。調適方法1000以形成上文所說明之不同光伏打設備之特徵的實例亦可在下文提供。
參考圖1與圖8，在方塊1002，光伏打裝置100形成在基材110上。光伏打裝置100的結構可使用沈積與切割步驟系列來形成。沈積步驟使用來沈積光伏打裝置100的不同層。舉例而言，濺射製程可使用來將後接觸層120沈積於基材110上，以開始光伏打裝置之形成。切割步驟可 使用機械或雷射切割，以將在隔開光伏打電池中諸層彼此隔開。舉例而言，在後接觸層120沈積於基材110上之後，第一雷射切割步驟可使用來將隔開光伏打電池(諸如光伏打電池101至104)的後接觸層120隔開。此第一切割步驟可形成串列互連件191的後接觸槽121。沈積與切割步驟隨後可持續，直到完成光伏打裝置100之形成為止。舉例而言，第二與第三切割步驟可使用來將用於分別形成連接槽161與前接觸槽151的材料移除。當完成光伏打裝置100之形成時，各別光伏打電池係藉由串列互連件191沿著串列互連件191的長度(亦即，在圖1中的方向)彼此隔開。串列互連件191提供電連接於相鄰的光伏打電池之間。
在方塊1004，後薄片210、後側黏著劑230及複數個紗束220放置在基材110的後側上(亦即，面遠離光伏打裝置100之基材110之側)。各紗束220可沿著串列互連件191的長度對準串列互連件191的至少一部分。在一些實施例中，紗束220可對準串列互連件191的特定特徵，諸如後接觸槽121。額外紗束，諸如縱向紗束2201至2203，在此時亦可放置於基材110的後側上。在一項實施例中，紗束，諸如紗束220及縱向紗束2201至2203，可能已經在後側黏著劑230內被配置與對準，以減少使用於完成此步驟的時間。在一項實施例中，首先在基材110的後側上將該等紗束對準，且然後將後側黏著劑230之薄片與後薄片210定位在紗束上方。在另一項實施例中，紗 束，諸如紗束220，可配置在後側黏著劑230的薄片上，且然後，具有光伏打裝置100的基材定位在紗束的頂部上且對準紗束，該等紗束則定位於後側黏著劑230與後側薄片210上。在一項實例中，在此步驟中，在光伏打裝置100中的特徵(如，串列互連件191)係對準紗束。
在方塊1006，例如當作薄片來形成的前側黏著劑240係定位在光伏打裝置100的前側上，例如在前接觸層150上以及匯流條170、180上方。在一些實施例中，前側黏著劑240係定位在後側黏著劑230之前的結構(包括光伏打裝置100)上。在其他實施例中，前側黏著劑與後側黏著劑則同時添加至包括光伏打裝置100的結構。
在方塊1008，前薄片250放置於前側黏著劑240上，諸如前側黏著劑240的薄片上。
在方塊1010，包括後薄片210、後側黏著劑230、紗束220及任何額外紗束的複合結構、基材110、光伏打裝置100、匯流條170、180及其他電連接、前側黏著劑240、及前薄片250係被疊層在一起。疊層製程可包括加熱複合結構，以促進在複合結構中之不同組件的黏著。舉例而言，加熱可熔化前側黏著劑240及後側黏著劑230。在一項實施例中，藉由例如在加熱複合結構之後或同時使該結構通過一組滾筒可將該結構疊層在一起。
在包括邊緣密封的實施例中，在疊層該複合結構之前或之後，可添加邊緣密封。舉例而言，圖2之光伏打設備的邊緣密封260可在疊層之前被添加。在一項實施例中， 在添加後薄片210之後與在添加前薄片250之前，添加邊緣密封260。
在其他實施例中，可在疊層之後添加邊緣密封。舉例而言，在疊層之後，可將圖3F之光伏打設備300F的邊緣密封260f當作可流動材料來添加。
總體而言，上文所說明的實施例提供許多優點。上文所說明之不同光伏打設備之多種類型的紗束可使用來維持在光伏打裝置的電活性組件(如，串列互連件的匯流條、串列互連件、及鋸齒點)與光伏打設備(如，後薄片)中的其他組件及/或外部物體(如，用於光伏打設備的金屬支撐體或上面安裝光伏打設備的結構)之間的間隔。維持此間隔可防止在光伏打設備內或在光伏打設備與外部物體之間之電弧的發生與傳播。藉由使用耐用且實質不可壓縮的材料(諸如纖維玻璃)來形成紗束，此間隔可在機械性應變(諸如撓曲)的週期期間亦在長時期被維持。同樣地，紗束添加到光伏打設備的總結構完整性，其可協助維持光伏打設備之組件的對準且防止諸如剝離的問題。
更者，紗束可僅僅放置在電活性組件的位置上，其比使用例如纖維玻璃薄片更便宜且重量更輕。紗束的選擇性放置亦致使光伏打設備之可撓性與重量的調整。進一步優點可從在光伏打設備中使用上文所討論之不同類型的邊緣密封來得到，以防止外部環境免於損壞光伏打裝置。這些邊緣密封可藉由將一或多個紗束嵌入於邊緣密封內(如，圖3D至圖3F)及/或藉由以邊緣密封來蓋住額外表面來 強化，諸如圖3F的邊緣密封260f如何從後薄片210的底表面延伸至前薄片250的頂表面。
雖然主要使用矩形幾何結構來說明實施例，但是本揭露卻可應用於具有其他幾何結構(諸如，其他多邊形、圓形、以及不規則形狀)的光伏打設備及光伏打裝置。更者，光伏打裝置的不同互連件可在多數個方向中延伸，諸如在上文所說明之圖1至圖7之X-Y面中的任何方向。在此等實施例中，光伏打設備的一或多個紗束可對準各串列互連件的長度。
雖然以上所述針對本揭露的實施例，但是本揭露的其他與進一步實施例則可在不背離其基礎範圍之下被設計，且其範圍係由接下來的申請專利範圍所決定。
100‧‧‧光伏打裝置
101‧‧‧光伏打電池
102‧‧‧光伏打電池
103‧‧‧光伏打電池
104‧‧‧光伏打電池
110‧‧‧基材
120‧‧‧後接觸層
121‧‧‧後接觸槽
121e1‧‧‧邊緣
121e2‧‧‧邊緣
121m‧‧‧中線
130‧‧‧吸收劑層
131‧‧‧寬度
140‧‧‧半導體緩衝層
150‧‧‧前接觸層
151‧‧‧前接觸槽
161‧‧‧連接槽
170‧‧‧第一匯流條
180‧‧‧第二匯流條
180m‧‧‧中線
181‧‧‧寬度
182‧‧‧厚度
191‧‧‧串列互連件
200‧‧‧光伏打設備
210‧‧‧後薄片
215A‧‧‧間隔層
2201‧‧‧紗束
2202‧‧‧紗束
2203‧‧‧紗束
2204‧‧‧紗束
2204m‧‧‧中線
2205‧‧‧紗束
2205m‧‧‧中線
225‧‧‧寬度
226A‧‧‧厚度
230‧‧‧後側黏著劑
240‧‧‧前側黏著劑
250‧‧‧前薄片

Claims (20)

  1. 一種光伏打設備，包含：一前薄片；一後薄片；一光伏打裝置，其配置於該前薄片與該後薄片之間，該光伏打裝置包含：一光伏打電池陣列，該等光伏打電池在一第一方向中延伸，其中該光伏打電池陣列包含一第一光伏打電池及一第二光伏打電池；以及一第一串列互連件，其具有在一第二方向中延伸的一長度，其中該第一串列互連件配置於該第一光伏打電池與該第二光伏打電池之間，其中該第一光伏打電池與該第二光伏打電池藉由該第一串列互連件電性串聯；以及一間隔層，其包括配置於該第一串列互連件與該後薄片之間的一第一紗束，其中該第一紗束具有對準該第一串列互連件之長度的一長度，其中該第一串列互連件包含一後接觸槽，該後接觸槽具有在該第一方向中延伸的一長度，其中該第一紗束具有對準該後接觸槽之該長度的一中線。
  2. 如申請專利範圍第1項之設備，其中該間隔層延伸超過該光伏打裝置之至少一側大約1.5mm至大約5mm。
  3. 如申請專利範圍第2項之設備，進一步包含：一匯流條，其配置於該光伏打裝置與該前薄片之間； 以及一折疊間隔層，其包括配置於該匯流條與該光伏打設備之一端點之間的一或多個額外紗束。
  4. 如申請專利範圍第3項之設備，其中該折疊間隔層的該一或多個額外紗束包含在該匯流條與該前薄片之間的一或多個前側紗束。
  5. 如申請專利範圍第4項之設備，其中該一或多個前側紗束配置在該匯流條之一寬度之從大約100%至大約150%上。
  6. 如申請專利範圍第1項之設備，進一步包含：一匯流條，其配置於該光伏打裝置與該前薄片之間；以及至少一邊緣密封，其具有沿著在該第一方向中之該設備的一端點而配置於該前薄片與該後薄片之間的一部分。
  7. 如申請專利範圍第6項之設備，其中該邊緣密封包含：一基座，其在一第三方向中從該後薄片延伸至該前薄片；一第一腿部，其在該第一方向中從該基座朝向該光伏打設備的一中心延伸，該第一腿部配置於該匯流條與該前薄片之間；以及一第二腿部，其在該第一方向中從該基座朝向該光伏打設備的一中心延伸，該第一腿部配置於該間隔層與該後薄片之間。
  8. 如申請專利範圍第6項之設備，其中該邊緣密封至少部份地圍繞一內邊緣密封，該內邊緣密封包含：一基座，其在一第三方向中從該後薄片延伸至該前薄片；一第一腿部，其在該第一方向中從該基座朝向該光伏打設備的一中心延伸，該第一腿部配置於該匯流條與該前薄片之間；以及一第二腿部，其在該第一方向中從該基座朝向該光伏打設備的一中心延伸，該第一腿部配置於該間隔層與該後薄片之間。
  9. 如申請專利範圍第6項之設備，其中：該前薄片具有面對該光伏打裝置的一第一表面以及與該第一表面相對的第二表面；該後薄片具有面對該光伏打裝置的一第一表面以及與該第一表面相對的第二表面；以及該邊緣密封從該後薄片的該第一表面延伸至該前薄片的該第二表面。
  10. 如申請專利範圍第9項之設備，其中該邊緣密封覆蓋該前薄片的該第二表面以蓋住至少該下層的匯流條。
  11. 如申請專利範圍第10項之設備，其中該邊緣密封從該後薄片的該第二表面延伸至該前薄片的該第二表面。
  12. 如申請專利範圍第1項之設備，其中：該第一光伏打電池與該第二光伏打電池在該第二方向 中從該光伏打裝置的一第一側延伸至一第二側；該光伏打裝置在該第一方向中從一第一端點延伸至一第二端點；以及一第一縱向紗束沿著該光伏打裝置的第一側在該光伏打裝置與該後薄片之間延伸，其中該第一縱向紗束在該第一方向中延伸超過該光伏打裝置的該第一端點與該第二端點。
  13. 如申請專利範圍第1項之設備，其中至少一紗束包含玻璃纖維。
  14. 如申請專利範圍第1項之設備，其中至少一紗束配置於一聚合物材料內。
  15. 一種光伏打設備，包含：一前薄片；一後薄片；一光伏打裝置，其配置於該前薄片與該後薄片之間，該光伏打裝置包含：一第一側與一第二側；一第一端點與一第二端點；複數個光伏打電池，其配置於在一第一方向中從該第一端點延伸至該第二端點的一陣列中，各光伏打電池從該第一側延伸至該第二側，以及複數個串列互連件，其中各串列互連件電性連接該複數個光伏打電池之至少兩個，其中各串列互連件在一第二方向中延伸且具有一週期性圖案，該週期性圖案具有在該 第一方向中彼此隔開的頂端；以及一間隔層，其包括配置於該光伏打裝置與該後薄片之間的複數個第一紗束，其中各第一紗束的一部份位於該複數個串列互連件之至少一個的至少一頂端之下，其中各第一紗束在該第一方向中延伸且位於各串列互連件的一頂端之下。
  16. 如申請專利範圍第15項之設備，其中各串列互連件包括以相對於該第一方向的一第一傾斜角度延伸的一第一複數個線性區段且該複數個第一紗束包括以相對於該第一方向的該第一傾斜角度定向的一第一組第一紗束，其中在該第一組第一紗束中的各第一紗束位於兩或多個串列互連件的一線性區段之下。
  17. 如申請專利範圍第15項之設備，其中各串列互連件包括第一複數個圓頂端。
  18. 一種組裝一光伏打設備的方法，包含：形成一光伏打裝置於一基材上，該光伏打裝置具有複數個光伏打電池，各光伏打電池與另一光伏打電池藉由一串列互連件沿著該串列互連件的一長度隔開；以及放置複數個第一紗束於該基材的一後側上，其中各第一紗束沿著該串列互連件的該長度對準該等串列互連件的其中一個，其中該複數個光伏打電池跨一第一方向彼此隔開且各串列互連件的該長度在一第二方向中延伸。
  19. 如申請專利範圍第18項之方法，其中： 各光伏打電池包括形成在該基材上的一後接觸層；各串列互連件包括一後接觸槽，該後接觸槽隔開相鄰光伏打電池的該等後接觸層；以及各第一紗束對準該等串列互連件之其中一個的該後接觸槽。
  20. 如申請專利範圍第18項之方法，其中各串列互連件從該光伏打裝置的一第一側延伸至一第二側，且各第一紗束延伸超過該光伏打裝置的該第一側與該第二側。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI661668B (zh) * 2017-07-25 2019-06-01 海力雅集成股份有限公司 太陽能模組
CN107611211A (zh) * 2017-09-20 2018-01-19 山东拜科通新材料科技有限公司 一种用于太阳能背接触的增强电气安全性能的方法和电路

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013112845A1 (en) * 2012-01-26 2013-08-01 Dow Corning Corporation A photovoltaic cell module and method of forming the same
WO2013183755A1 (ja) * 2012-06-08 2013-12-12 株式会社カネカ 防護服用布帛、及び耐アーク防護服
TW201401530A (zh) * 2012-06-26 2014-01-01 Hao-Wu Lin 具微共振腔結構之太陽能電池及其製造方法
US20140135769A1 (en) * 2012-11-12 2014-05-15 Navid Ziran Dynamic axial nail for intramedullary treatment of long bone fractures
US20140326312A1 (en) * 2011-10-17 2014-11-06 Lg Innotek Co., Ltd. Solar cell apparatus and method for fabricating the same

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150295111A1 (en) * 2012-11-12 2015-10-15 Dow Corning Corporation Photovoltaic Cell Module

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140326312A1 (en) * 2011-10-17 2014-11-06 Lg Innotek Co., Ltd. Solar cell apparatus and method for fabricating the same
WO2013112845A1 (en) * 2012-01-26 2013-08-01 Dow Corning Corporation A photovoltaic cell module and method of forming the same
WO2013183755A1 (ja) * 2012-06-08 2013-12-12 株式会社カネカ 防護服用布帛、及び耐アーク防護服
TW201401530A (zh) * 2012-06-26 2014-01-01 Hao-Wu Lin 具微共振腔結構之太陽能電池及其製造方法
US20140135769A1 (en) * 2012-11-12 2014-05-15 Navid Ziran Dynamic axial nail for intramedullary treatment of long bone fractures

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