TWI609720B - 應用於半導體設備之氣體噴射裝置 - Google Patents

應用於半導體設備之氣體噴射裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI609720B
TWI609720B TW105131760A TW105131760A TWI609720B TW I609720 B TWI609720 B TW I609720B TW 105131760 A TW105131760 A TW 105131760A TW 105131760 A TW105131760 A TW 105131760A TW I609720 B TWI609720 B TW I609720B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
channels
cover
inner ring
ring wall
outer ring
Prior art date
Application number
TW105131760A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201811438A (zh
Inventor
黃燦華
林伯融
Original Assignee
漢民科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 漢民科技股份有限公司 filed Critical 漢民科技股份有限公司
Priority to TW105131760A priority Critical patent/TWI609720B/zh
Priority to CN201710783714.8A priority patent/CN107881484B/zh
Priority to US15/712,032 priority patent/US20180094353A1/en
Application granted granted Critical
Publication of TWI609720B publication Critical patent/TWI609720B/zh
Priority to US15/894,722 priority patent/US20180163304A1/en
Publication of TW201811438A publication Critical patent/TW201811438A/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B1/00—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means
    • B05B1/005—Nozzles or other outlets specially adapted for discharging one or more gases
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B15/00—Details of spraying plant or spraying apparatus not otherwise provided for; Accessories
    • B05B15/50—Arrangements for cleaning; Arrangements for preventing deposits, drying-out or blockage; Arrangements for detecting improper discharge caused by the presence of foreign matter
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45502—Flow conditions in reaction chamber
    • C23C16/45508—Radial flow
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B1/00—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means
    • B05B1/14—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means with multiple outlet openings; with strainers in or outside the outlet opening
    • B05B1/18—Roses; Shower heads
    • B05B1/185—Roses; Shower heads characterised by their outlet element; Mounting arrangements therefor

Abstract

一種應用於半導體設備之氣體噴射裝置，其包含底板、中心套蓋、進 氣本體、內環蓋及外環蓋。底板包含中心區域及複數個通道，通道係以中心區域為中心而依序相鄰環設於底板上，且通道包含複數個第一、第二及第三通道。中心套蓋配置於中心區域上且與底板形成第一進氣腔體，其中中心套蓋之環壁係套接於通道上，且具有複數個第一連通開口，以分別對應連接至第一通道。進氣本體具有頂部、內環壁及外環壁，其中內環壁及外環壁之頂面與底面係分別配置連接於頂部及配置於通道上。內環蓋係配置於通道上並且介於中心套蓋與內環壁之間，以形成第二進氣腔體，其中內環蓋具有複數個第二連通開口，以分別對應連接至第二通道。外環蓋係配置於通道上並且介於內環壁與外環壁之間，以形成第三進氣腔體，其中外環蓋具有複數個第三連通開口，以分別對應連接至第三通道。

Description

應用於半導體設備之氣體噴射裝置
本發明係有關一種氣體噴射裝置，特別是關於一種應用於半導體設備之氣體噴射裝置。
於目前常見半導體製程之化學氣相沈積(CVD)系統設備中，其氣體噴射裝置係以垂直堆疊的分隔方式，將氣源氣體傳送至反應室。
舉例而言，請參照第一圖，其繪示一般傳統應用於學氣相沈積(CVD)製程設備之結構側視圖。氣體噴射裝置100包含第一輸入管道111、第二輸入管道112及第三輸入管道113，其係採垂直分隔之配置方式，如此一來第一輸入管道111、第二輸入管道112及第三輸入管道113的輸出端之間係相互垂直堆疊配置，致使所輸出氣體僅能提供單向垂直分層分布流動，且氣體容易於輸出端處即相互產生混合，同時輸出氣體之流速亦難以即時調整控制。
因此，亟需發展出一種應用於半導體設備之自動化氣體噴射裝置，使其輸出氣體具有水平分布流動 ，並且避免輸出氣體相互間於輸出端處即產生混合，同時提供氣體流速調整機制。
鑑於上述，本發明實施例的目的之一在於提出一種應用於半導體設備之自動化氣體噴射裝置，使得輸出氣體可具有水平多向之分隔分布流動，並且避免氣體於噴射處即相互產生混合，同時亦提供可有效即時調整其氣體流速。
根據本發明實施例，一種應用於半導體設備之氣體噴射裝置，其包含底板、中心套蓋、進氣本體、 內環蓋及外環蓋。底板包含中心區域及複數個通道，而通道係以中心區域為中心而依序相鄰環設於底板上，且通道亦包含複數個第一通道、複數個第二通道及複數個第三通道。中心套蓋則配置於中心區域上且與底板形成一第一進氣腔體，其中中心套蓋之環壁係套接於通道上，且中心套蓋之環壁具有複數個第一連通開口，設置以分別對應連接至第一通道。 進氣本體具有頂部、內環壁及外環壁，其中內環壁及外環壁之頂面係連接於頂部，而內環壁及外環壁之底面則係配置於通道上。內環蓋係配置於通道上並且介於中心套蓋與內環壁之間，以形成一第二進氣腔體，其中內環蓋具有複數個第二連通開口，設置以分別對應連接至第二通道。外環蓋係配置於通道上並且介於內環壁與外環壁之間，以形成一第三進氣腔體，其中外環蓋具有複數個第三連通開口，設置以分別對應連接至第三通道。
請參考第二A圖及第二B圖，其分別顯示本發明一實施例之一種應用於半導體設備之氣體噴射裝置的元件分解圖與組合結構部分剖面圖。如圖所示，一種應用於半導體設備之氣體噴射裝置200，其包含底板210、中心套蓋220、進氣本體230、內環蓋240及外環蓋250。底板210包含中心區域212及複數個通道214，而通道214係以中心區域212為中心而依序相鄰環設於底板210上，且通道214亦包含複數個第一通道214A、複數個第二通道214B及複數個第三通道214C。 中心套蓋220係配置於中心區域212上且與底板210形成第一進氣腔體260A，其中中心套蓋220之環壁係套接於通道214之一端，且中心套蓋220之環壁具有複數個第一連通開口222，設置以分別對應連接至第一通道214A。進氣本體230具有頂部232、內環壁234及外環壁236，其中內環壁234及外環壁236之頂面係連接於頂部232，而內環壁234及外環壁236之底面則係配置於通道214上。內環蓋240係配置於通道214上並且介於中心套蓋220與內環壁234之間，以形成一第二進氣腔體260B，其中內環蓋240具有複數個第二連通開口242，設置以分別對應連接至第二通道214B。外環蓋250係配置於通道214上並且介於內環壁234與外環壁236之間，以形成一第三進氣腔體260C，其中外環蓋250具有複數個第三連通開口252，設置以分別對應連接至第三通道214C。
於本實施例中，進氣本體230更包含第一輸入管道237A、第二輸入管道237B及第三輸入管道237C。第一輸入管道237A係穿設進氣本體230之頂部232並且連通至中心套蓋220，用以提供第一氣體至第一進氣腔體260A。第二輸入管道237B係設置於進氣本體230之頂部232且連通至第二進氣腔體260B，用以提供第二氣體至第二進氣腔體260B。第三輸入管道237C則是設置於進氣本體230之頂部232且連通至第三進氣腔體260C，用以提供第三氣體至第三進氣腔體260C。
此外，於本實施例中，如第二B圖所示，進氣本體230可更包含一輔助板238，水平對應設置於頂部232，並且嵌接於內環壁234及外環壁236之間。然而，輔助板238可包含複數個第一圓孔238A，設置對應於中心套蓋220上方，而每一第一圓孔238A係可用以藉由穿設一固定件，且固定件之一端係固定連接至中心套蓋220頂部上之連接卡槽226，從而使得進氣本體230與中心套蓋220兩者相互固定連接。雖然本實施例係以連接卡槽226為示意，惟本發明不以此為限，於其他實施例中亦可依據實際設計或製程需求，中心套蓋220頂部上亦可為連接穿孔，以螺接或榫接於固定件之一端。再者，輔助板238亦可包含複數個第二圓孔238B與複數個第三圓孔238C，分別對應於第二連通開口242 及第三連通開口252，進而使第二氣體及第三氣體可分別直接垂降經由至第二連通開口242 及第三連通開口252，而擴散進入至第二通道214B及第三通道214C 中。
另外，底板210係為一圓板，且底板210可包含複數個分隔板216，用以間隔通道214，使得第一通道214A、第二通道214B及第三通道214C之間的進氣氣體於噴射前將不會相互混合。
於本發明之另一實施例中，底板210上的第一通道214A、第二通道214B及第三通道214C的數量可分別為N個，其中N為一正整數。再者，第一通道214A、第二通道214B及第三通道214C於底板上的配置排序，其係可依據實際製程需求而予以調整設計。舉例而言，如第一圖所示，第一通道214A、第二通道214B及第三通道214C係可依序間隔鄰接重複配置，致使第一通道214A、第二通道214B及第三通道214C以中心區域212為中心而 平均分布配置於底板210上。
請同時參照第二C圖，其繪示第二A圖中之中心套蓋組裝於底板的組合結構示意圖。如圖所示，中心套蓋220係配置於中心區域212上，且中心套蓋220之外側壁係可包含複數個卡槽 224，用以與底板210上的分隔板216之一端相對應卡接固定，進而與與底板210形成第一進氣腔體260A，且中心套蓋220之環壁上的第一連通開口222係設置以分別對應連接至第一通道214A，因此自第一輸入管道237A所提供的第一氣體，將可先傳送至第一進氣腔體260A，接著再經由第一進氣腔體260A之第一連通開口222而均勻地分布傳送至底板210上的第一通道214A中。
接著，請接續同步參照第二D圖，其繪示第二A圖中之內環蓋及外環蓋組裝於底板的組合結構示意圖。如圖所示，內環蓋240係配置於通道214上並且介於中心套蓋220與內環壁234之間，且內環蓋240具有複數個第二連通開口242且分別對應連接至第二通道214B，使得自第二輸入管道237B所提供的第二氣體進入至第二進氣腔體260B後，第二氣體將均勻地自第二連通開口242垂降傳送至第二通道214B。更進一步地說，內環蓋240係包含複數個子內環蓋件244及複數個子內環連接件246。每一子內環連接件246係配置以連接兩相鄰之子內環蓋件244，進而形成第二連通開口242於子內環蓋件244與內環連接件246之間。
相同地，外環蓋250係配置於通道214上並且介於內環壁234與外環壁236之間以形成第三進氣腔體260C，其中外環蓋250具有複數個第三連通開口252設置以分別對應連接至第三通道214C。如此一來，自第三輸入管道237C所提供的第三氣體進入至第三進氣腔體260C後，第三氣體將均勻地自第三連通開口252垂降垂傳送至第三通道214C。更進一步地說，外環蓋250係包含複數個子外環蓋件254及複數個子外環連接件256。每一子外環連接件256係配置以連接兩相鄰之子內環蓋件254，進而形成第三連通開口252於子外環蓋件254與外環連接件256之間。
請繼續參照第二A圖及第二B圖，氣體噴射裝置200可更包含通道蓋板290。通道蓋板290係配置於通道214上，並且環設套接進氣本體230之外環壁236。如此一來，透過分隔板216與通道蓋板290的組合配置，將可使得分別傳輸流通於第一通道214A、第二通道214B及第三通道214C之間的第一氣體、第二氣體及第三氣體彼此相互間可有效隔絕。
此外，於本發明之另一實施例中，通道蓋板290可包含蓋板本體291、及複數個調整片292。蓋板本體292係環設套接於進氣本體230。 調整片292則依序間隔連接於蓋板本體291之外側，每一調整片292對應遮蓋每一通道214，其中調整片292可包含複數個第一調整片292A、複數個第二調整片292B及複數個第三調整片292C分別設置對應遮蓋第一通道214A、第二通道214B及第三通道214C。更進一步地說，調整片292之間係存有間隙，致使每一調整片292可分別產生偏折彎曲。於本發明之一較佳實施例中，每一調整片292之厚度係小於0.5釐米。
再者，請參考第二E圖，其顯示本發明另一實施例之一種應用於半導體設備之氣體噴射裝置的組合結構部分剖面圖。如圖所示，氣體噴射裝置200可包含調節單元270，其係藉由一固定板280而與進氣本體230及通道蓋板290相互固定，並且用以調節通道214之通道截面積。
更仔細地說，其中調節單元270包含複數個第一調節器272A、複數個第二調節器272B及複數個第三調節器272C。第一調節器272A係設置於第一調整片292A上，用以調整第一調整片292A之偏折彎曲率。第二調節器272B係設置於第二調整片292B上，用以調整第二調整片292B之偏折彎曲率。第三調節器272C則設置於第三調整片292C上，用以調整第三調整片292C之偏折彎曲率。於本發明之一較佳時實施例中，第一調節器272A、第二調節器272B及第三調節器272C可為直動裝置(Linear Motion Device)，如此一來將可準確地分別控制第一調整片292A、第二調整片292及第三調整片292C之偏折程度，以分別調節第一通道214A、第二通道214B及第三通道214C之通道截面積，致使可依據實際製成需求，而有效且精準地改變第一氣體、第二氣體與第三氣體的流動速率。
以上所述僅為本發明之較佳實施例而已，並非用以限定本發明之申請專利範圍；凡其它未脫離發明所揭示之精神下所完成之等效改變或修飾，均應包含在下述之申請專利範圍內。
100‧‧‧氣體噴射裝置
111‧‧‧第一輸入管道
112‧‧‧第二輸入管道
113‧‧‧第三輸入管道
200‧‧‧氣體噴射裝置
210‧‧‧底板
212‧‧‧中心區域
214‧‧‧通道
214A‧‧‧第一通道
214B‧‧‧第二通道
214C‧‧‧第三通道
216‧‧‧分隔板
220‧‧‧中心套蓋
222‧‧‧第一連通開口
224‧‧‧卡槽
226‧‧‧連接卡槽
230‧‧‧進氣本體
232‧‧‧頂部
234‧‧‧內環壁
236‧‧‧外環壁
237A‧‧‧第一輸入管道
237B‧‧‧第二輸入管道
237C‧‧‧第三輸入管道
238A‧‧‧第一圓孔
238B‧‧‧第二圓孔
238C‧‧‧第三圓孔
240‧‧‧內環蓋
242‧‧‧第二連通開口
244‧‧‧子內環蓋件
246‧‧‧內環連接件
250‧‧‧外環蓋
252‧‧‧第三連通開口
254‧‧‧子外環蓋件
256‧‧‧外環連接件
260A‧‧‧第一進氣腔體
260 B‧‧‧第二進氣腔體
260C‧‧‧第三進氣腔體
270‧‧‧調節單元
272A‧‧‧第一調節器
272B‧‧‧第二調節器
272C‧‧‧第三調節器
280‧‧‧固定板
290‧‧‧通道蓋板
291‧‧‧蓋板本體
292‧‧‧調整片
292A‧‧‧第一調整片
292B‧‧‧第二調整片
292C‧‧‧第三調整片
第一圖係繪示一般傳統應用於化學氣相沈積(CVD)製程設備之結構側視圖。 第二A圖與第二B圖分別顯示本發明一實施例之一種應用於半導體設備之氣體噴射裝置的元件分解圖與組合結構部分剖面圖。 第二C圖係繪示第二A圖中之中心套蓋組裝於底板的組合結構示意圖。 第二D圖係繪示第二A圖中之內環蓋及外環蓋組裝於底板的組合結構示意圖。 第二E圖係繪示本發明另一實施例之一種應用於半導體設備之氣體噴射裝置的組合結構部分剖面圖。
200‧‧‧氣體噴射裝置
210‧‧‧底板
212‧‧‧中心區域
214‧‧‧通道
214A‧‧‧第一通道
214B‧‧‧第二通道
214C‧‧‧第三通道
216‧‧‧分隔板
220‧‧‧中心套蓋
222‧‧‧第一連通開口
224‧‧‧卡槽
230‧‧‧進氣本體
232‧‧‧頂部
234‧‧‧內環壁
236‧‧‧外環壁
240‧‧‧內環蓋
242‧‧‧第二連通開口
244‧‧‧子內環蓋件
246‧‧‧內環連接件
250‧‧‧外環蓋
252‧‧‧第三連通開口
254‧‧‧子外環蓋件
256‧‧‧外環連接件
290‧‧‧通道蓋板
291‧‧‧蓋板本體
292‧‧‧調整片

Claims (11)

  1. 一種應用於半導體設備之氣體噴射裝置，包含：一底板，包含一中心區域及複數個通道，其中該些通道係以該中心區域為中心而依序相鄰環設於該底板上，且該些通道包含複數個第一通道、複數個第二通道及複數個第三通道；一中心套蓋，配置於該中心區域上且與該底板形成一第一進氣腔體，其中該中心套蓋之環壁套接於該些通道，且具有複數個第一連通開口，設置以分別對應連接至該些第一通道；一進氣本體，具有一頂部、一內環壁及一外環壁，其中該內環壁及該外環壁之頂面係連接於該頂部，該內環壁及該外環壁之底面則係配置於該些通道上；一內環蓋，配置於該些通道上並且介於該中心套蓋與該內環壁之間，以形成一第二進氣腔體，其中該內環蓋具有複數個第二連通開口，設置以分別對應連接至該些第二通道；一外環蓋，配置於該些通道上並且介於該內環壁與該外環壁之間，以形成一第三進氣腔體，其中該外環蓋具有複數個第三連通開口，設置以分別對應連接至該些第三通道；其中該底板包含複數個分隔板，用以間隔該些通道，且該中心套蓋之外側具有複數個卡槽，用以對應卡接於該些通道之分隔板之一端。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之應用於半導體設備之氣體噴射裝置，其中該些第一通道、該些第二通道及該些第三通道的數量皆為N個，其中N為一正整數。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之應用於半導體設備之氣體噴射裝置，其中該些第一通道、該些第二通道及該些第三通道係依序間隔鄰接重複配置。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之應用於半導體設備之氣體噴射裝置，其中該進氣本體更包含：一第一輸入管道，穿設該進氣本體之頂部並且連通至該中心套蓋，用以提供一第一氣體至該第一進氣腔體；一第二輸入管道，設置於該進氣本體之頂部且連通至該第二進氣腔體，用以提供一第二氣體至該第二進氣腔體；及一第三輸入管道，設置於該進氣本體之頂部且連通至該第三進氣腔體，用以提供一第三氣體至該第三進氣腔體。
  5. 一種應用於半導體設備之氣體噴射裝置，包含：一底板，包含一中心區域及複數個通道，其中該些通道係以該中心區域為中心而依序相鄰環設於該底板上，且該些通道包含複數個第一通道、複數個第二通道及複數個第三通道；一中心套蓋，配置於該中心區域上且與該底板形成一第一進氣腔體，其中該中心套蓋之環壁套接於該些通道，且具有複數個第一連通開口，設置以分別對應連接至該些第一通道；一進氣本體，具有一頂部、一內環壁及一外環壁，其中該內環壁及該外環壁之頂面係連接於該頂部，該內環壁及該外環壁之底面則係配置於該些通道上；一內環蓋，配置於該些通道上並且介於該中心套蓋與該內環壁之間，以形成一第二進氣腔體，其中該內環蓋具有複數個第二連通開口，設置以分別對應連接至該些第二通道； 一外環蓋，配置於該些通道上並且介於該內環壁與該外環壁之間，以形成一第三進氣腔體，其中該外環蓋具有複數個第三連通開口，設置以分別對應連接至該些第三通道；其中該內環蓋包含：複數個子內環蓋件；複數個子內環連接件，其中每一該些子內環連接件，連接兩相鄰之該些子內環蓋件，並且用以形成該些第二連通開口於該些子內環蓋件之間。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之應用於半導體設備之氣體噴射裝置，其中該外環蓋包含：複數個子外環蓋件；複數個子外環連接件，其中每一該些子外環連接件，連接兩相鄰之該些子外環蓋件，並且用以形成該些第三連通開口於該些子外環蓋件之間。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之應用於半導體設備之氣體噴射裝置，更包含一通道蓋板，配置於該些通道上，並且環設該進氣本體。
  8. 一種應用於半導體設備之氣體噴射裝置，包含：一底板，包含一中心區域及複數個通道，其中該些通道係以該中心區域為中心而依序相鄰環設於該底板上，且該些通道包含複數個第一通道、複數個第二通道及複數個第三通道；一中心套蓋，配置於該中心區域上且與該底板形成一第一進氣腔體，其中該中心套蓋之環壁套接於該些通道，且具有複數個第一連通開口，設置以分別對應連接至該些第一通道； 一進氣本體，具有一頂部、一內環壁及一外環壁，其中該內環壁及該外環壁之頂面係連接於該頂部，該內環壁及該外環壁之底面則係配置於該些通道上；一內環蓋，配置於該些通道上並且介於該中心套蓋與該內環壁之間，以形成一第二進氣腔體，其中該內環蓋具有複數個第二連通開口，設置以分別對應連接至該些第二通道；一外環蓋，配置於該些通道上並且介於該內環壁與該外環壁之間，以形成一第三進氣腔體，其中該外環蓋具有複數個第三連通開口，設置以分別對應連接至該些第三通道；一通道蓋板，配置於該些通道上，並且環設該進氣本體；其中該通道蓋板包含：一蓋板本體，環設該進氣本體；及複數個調整片，依序間隔連接於該蓋板本體之外側，每一該些調整片對應遮蓋每一該些通道，其中該些調整片包含複數個第一調整片、複數個第二調整片及複數個第三調整片分別設置對應遮蓋該些第一通道、該些第二通道及該些第三通道。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之應用於半導體設備之氣體噴射裝置，其中每一該些調整片之厚度小於0.5釐米。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之應用於半導體設備之氣體噴射裝置，更包含一調節單元，用以調節該些通道之通道截面積，其中該調節單元包含：複數個第一調節器，設置於該些第一調整片上，用以調整該些第一調整片之偏折彎曲率； 複數個第二調節器，設置於該些第二調整片上，用以調整該些第二調整片之偏折彎曲率；及複數個第三調節器，設置於該些第三調整片上，用以調整該些第三調整片之偏折彎曲率。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之應用於半導體設備之氣體噴射裝置，其中該些第一調節器、該些第二調節器及該些第三調節器係為直動裝置(Linear Motion Device)。
TW105131760A 2016-09-30 2016-09-30 應用於半導體設備之氣體噴射裝置 TWI609720B (zh)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW105131760A TWI609720B (zh) 2016-09-30 2016-09-30 應用於半導體設備之氣體噴射裝置
CN201710783714.8A CN107881484B (zh) 2016-09-30 2017-09-01 应用于半导体设备的气体喷射装置
US15/712,032 US20180094353A1 (en) 2016-09-30 2017-09-21 Gas injector device used for semiconductor equipment
US15/894,722 US20180163304A1 (en) 2016-09-30 2018-02-12 Gas injector device used for semiconductor equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW105131760A TWI609720B (zh) 2016-09-30 2016-09-30 應用於半導體設備之氣體噴射裝置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TWI609720B true TWI609720B (zh) 2018-01-01
TW201811438A TW201811438A (zh) 2018-04-01

Family

ID=61728479

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105131760A TWI609720B (zh) 2016-09-30 2016-09-30 應用於半導體設備之氣體噴射裝置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20180094353A1 (zh)
CN (1) CN107881484B (zh)
TW (1) TWI609720B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI680201B (zh) * 2018-09-27 2019-12-21 漢民科技股份有限公司 氣相沉積裝置及其蓋板與噴氣裝置
CN111584336B (zh) * 2019-02-18 2023-01-10 台湾积体电路制造股份有限公司 进气装置、气体反应系统与其清洗方法
CN116770269A (zh) * 2023-06-25 2023-09-19 上海稷以科技有限公司 进气法兰加热结构、加热控制系统及方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200936931A (en) * 2008-02-22 2009-09-01 Hermes Systems Inc Apparatus for gas distribution and its applications
US20090272492A1 (en) * 2008-05-05 2009-11-05 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with center-fed multiple zone gas distribution for improved uniformity of critical dimension bias
TW201209214A (en) * 2010-08-27 2012-03-01 Applied Materials Inc Gas distribution showerhead with high emissivity surface
TW201239132A (en) * 2011-03-18 2012-10-01 Applied Materials Inc Multiple level showerhead design

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8440259B2 (en) * 2007-09-05 2013-05-14 Intermolecular, Inc. Vapor based combinatorial processing
CN101556904B (zh) * 2008-04-10 2010-12-01 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种气体分配装置及应用该分配装置的半导体处理设备
US20120321788A1 (en) * 2011-06-16 2012-12-20 Pinecone Material Inc. Rotation system for thin film formation
CN102953050B (zh) * 2011-08-26 2014-06-18 杭州士兰明芯科技有限公司 大直径mocvd反应器的喷淋头
CN202193844U (zh) * 2011-08-26 2012-04-18 杭州士兰明芯科技有限公司 大直径mocvd反应器的喷淋头
JP2016169402A (ja) * 2015-03-11 2016-09-23 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200936931A (en) * 2008-02-22 2009-09-01 Hermes Systems Inc Apparatus for gas distribution and its applications
US20090272492A1 (en) * 2008-05-05 2009-11-05 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with center-fed multiple zone gas distribution for improved uniformity of critical dimension bias
TW201209214A (en) * 2010-08-27 2012-03-01 Applied Materials Inc Gas distribution showerhead with high emissivity surface
TW201239132A (en) * 2011-03-18 2012-10-01 Applied Materials Inc Multiple level showerhead design

Also Published As

Publication number Publication date
TW201811438A (zh) 2018-04-01
CN107881484A (zh) 2018-04-06
CN107881484B (zh) 2019-11-05
US20180094353A1 (en) 2018-04-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI609720B (zh) 應用於半導體設備之氣體噴射裝置
KR102126091B1 (ko) 다중―플레넘 이중―온도 샤워헤드
US10577690B2 (en) Gas distribution showerhead for semiconductor processing
RU2013147896A (ru) Устройство и способ многократного симметричного разделительного распределения газа
CN107004562A (zh) 直接出口环状等离子体源
JP2018160462A (ja) 温度制御機能を備えるマルチプレナムシャワーヘッド
KR102413577B1 (ko) Cvd- 또는 pvd-코팅 장치에 공정 가스 혼합물을 공급하기 위한 장치 및 방법
US9556966B2 (en) Gas supplying apparatus
US9982341B2 (en) Modular vaporizer
CN104769702B (zh) 模块化化学输送系统
JP5065277B2 (ja) 特に実験室用の媒体天井並びに当該媒体天井を組み付けるための方法
CN108728820B (zh) 混气结构、工艺腔室及半导体加工设备
KR102140842B1 (ko) 가스 분배 네트워크에서의 흐름 밸런싱
JP2014220231A5 (zh)
JP2007525822A (ja) ガス分配システム
CN109075038A (zh) 成膜装置
US20160111257A1 (en) Substrate for mounting gas supply components and methods thereof
US20150234390A1 (en) Integrated type gas supplying apparatus
US20140306027A1 (en) Showerhead of a mocvd reactor with large diameter
CN109637952A (zh) 腔室进气结构以及反应腔室
CN107012447B (zh) 一种扩散装置和沉积腔室
US20100126418A1 (en) Gas shower module
TWI689618B (zh) 應用於半導體設備之氣體噴射裝置
US11944988B2 (en) Multi-zone showerhead
EP2544294A1 (en) Arrangement for regulating the temperature of a battery