TWI608654B - 行動裝置 - Google Patents

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TWI608654B
TWI608654B TW105111776A TW105111776A TWI608654B TW I608654 B TWI608654 B TW I608654B TW 105111776 A TW105111776 A TW 105111776A TW 105111776 A TW105111776 A TW 105111776A TW I608654 B TWI608654 B TW I608654B
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邱建評
吳曉薇
龔逸祥
方俐媛
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宏達國際電子股份有限公司
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Description

行動裝置
本發明係關於一種行動裝置，特別係關於一種行動裝置及其天線結構。
隨著行動通訊技術的發達，行動裝置在近年日益普遍，常見的例如：手提式電腦、行動電話、多媒體播放器以及其他混合功能的攜帶型電子裝置。為了滿足人們的需求，行動裝置通常具有無線通訊的功能。有些涵蓋長距離的無線通訊範圍，例如：行動電話使用2G、3G、LTE(LongTerm Evolution)系統及其所使用700MHz、850MHz、900MHz、1800MHz、1900MHz、2100MHz、2300MHz以及2600MHz的頻帶進行通訊，而有些則涵蓋短距離的無線通訊範圍，例如：Wi-Fi、Bluetooth系統使用2.4GHz、5.2GHz和5.8GHz的頻帶進行通訊。
然而，行動裝置之內部空間有限，欲達成不同操作頻帶所需之天線支數卻愈來愈多，其它電子零件並不會減少，如此迫使天線與零件之間的距離縮小，在這種環境下，對於天線之效率與頻寬均會有不良的影響。
在較佳實施例中，本發明提供一種行動裝置，包括：一金屬外殼；一基板，具有一第一接地面；一第一天線結 構，具有一第二接地面和一接地支路，該接地支路係耦接至該第一接地面與該第二接地面，一槽孔係形成於該接地支路和該第二接地面之間，其中該第二接地面與該接地支路係形成該金屬外殼之至少一部份，且該第一天線結構係由一第一信號源所激發；以及一電路元件，係耦接至該接地支路和該第一接地面。
在一些實施例中，該行動裝置更包括：一支撐元件，設置於該接地支路之上方，其中該支撐元件之一垂直投影係至少部份地與該接地支路重疊。
在一些實施例中，一第二天線結構係設置於該支撐元件上，而該第二天線結構係由一第二信號源所激發。
在一些實施例中，該支撐元件係以非導體材質所製成。
在一些實施例中，該支撐元件之該垂直投影係完全位於該接地支路之內部。
在一些實施例中，該支撐元件係與位於該行動裝置正面之一聲音輸出元件相整合，從而形成該金屬外殼之另一部份。
在一些實施例中，該接地支路大致為一L字形。
在一些實施例中，該槽孔大致為一直條形。
在一些實施例中，該槽孔具有一開口端和一閉口端。
在一些實施例中，該行動裝置更包括：一第一匹配電路，其中該第一信號源係經由該第一匹配電路耦接至該第 一天線結構；以及一第二匹配電路，其中該第二信號源係經由該第二匹配電路耦接至該第二天線結構。
在一些實施例中，該第一天線結構係設置於該行動裝置的背蓋。
在一些實施例中，該電路元件為一可變電容器。
在一些實施例中，該可變電容器之一電容值約介於0.5pF至3.3pF之間。
在一些實施例中，該第一天線結構係作為該第二天線結構之一參考接地面。
在一些實施例中，該第二天線結構包括：一第一輻射部，耦接至該第二信號源；以及一第二輻射部，耦接至該接地支路。
在一些實施例中，該第二天線結構更包括：一第一連接部，其中該第一輻射部係經由該第一連接部耦接至該第二信號源；以及一第二連接部，其中該第二輻射部係經由該第二連接部耦接至該接地支路。
在一些實施例中，該第一連接部和該第二連接部皆大致垂直於該接地支路和該支撐元件。
在一些實施例中，該第一天線結構係操作於一低頻頻帶，而該第二天線結構係操作於一中頻頻帶和一高頻頻帶。
在一些實施例中，該低頻頻帶約介於698MHz至960MHz之間。
在一些實施例中，該中頻頻帶約介於1710MHz至 2170MHz之間，而該高頻頻帶約介於2300MHz至2700MHz之間。
在一些實施例中，該行動裝置更包括：一或複數電子零件，電性連接於該接地支路。
在一些實施例中，該等電子零件包括一揚聲器、一相機，或(且)一耳機插孔。
在一些實施例中，該行動裝置更包括：一切換元件，係耦接至該接地支路和該第一接地面。
在一些實施例中，該第一天線結構係由該第一信號源透過該電路元件所激發，一第二天線結構係耦接至該接地支路，而該第二天線結構係由一第二信號源所激發。
在一些實施例中，該第二天線結構係鄰近於該接地支路之一開路端。
在一些實施例中，該第一天線結構和該第二天線結構係設置於同一平面上。
在一些實施例中，該第一天線結構和該第二天線結構係分別設置於互相垂直之二平面上。
在一些實施例中，該第一天線結構和該第二天線結構分別位於該行動裝置的背蓋和頂蓋。
在一些實施例中，該第一天線結構係操作於一低頻頻帶和一中頻頻帶，而該第二天線結構係操作於一高頻頻帶。
100、200、300、700‧‧‧行動裝置
110‧‧‧接地面
120、720‧‧‧接地支路
121、721‧‧‧接地支路之第一端
122、722‧‧‧接地支路之第二端
130、730‧‧‧槽孔
140‧‧‧支撐元件
150、750‧‧‧電路元件
160、260、760‧‧‧第一天線結構
170、270、770‧‧‧第二天線結構
191‧‧‧第一信號源
192‧‧‧第二信號源
271‧‧‧第一輻射部
272‧‧‧第二輻射部
273‧‧‧第一連接部
274‧‧‧第二連接部
281‧‧‧第一匹配電路
282‧‧‧第二匹配電路
290‧‧‧射頻模組
310‧‧‧揚聲器
320‧‧‧相機
330‧‧‧耳機插孔
344‧‧‧走線區域
780‧‧‧切換元件
CC1‧‧‧第一曲線
CC2‧‧‧第二曲線
CC3‧‧‧第三曲線
CC4‧‧‧第四曲線
CC5‧‧‧第五曲線
CC6‧‧‧第六曲線
CC7‧‧‧第七曲線
CC8‧‧‧第八曲線
CC9‧‧‧第九曲線
CC10‧‧‧第十曲線
FP1‧‧‧第一饋入點
FP2‧‧‧第二饋入點
LL1、LL2、LL3‧‧‧共振路徑
PR1‧‧‧射頻模組之第一埠
PR2‧‧‧射頻模組之第二埠
第1圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置之俯視圖；第2A圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置之俯視圖；第2B圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置之剖面圖；第3圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置之俯視圖；第4A圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置之第一天線結構之電壓駐波比圖；第4B圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置之第二天線結構之電壓駐波比圖；第5圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置之第一天線結構和第二天線結構之間之隔離度圖；第6圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置之製造方法之流程圖；第7圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置之俯視圖。
為讓本發明之目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉出本發明之具體實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
第1圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置100之俯視圖。行動裝置100可以是一智慧型手機(Smart Phone)、一平板電腦(Tablet Computer)，或是一筆記型電腦(Notebook Computer)。如第1圖所示，行動裝置100包括：一接地面110、一接地支路120、一支撐元件140、一電路元件150、一第一信號源191，以及一第二信號源192。接地面110和接地支路120可以用金屬製成，例如：銅、銀、鋁、鐵，或是其合金。在一些實施例中，接地面110和接地支路120係可整合為行動裝置100之一金屬外殼之一部份。支撐元件140以用非導體材質製成，例如：塑膠，或是其他介電材質。電路元件150可以是一主動式元件(Active Element)。必須理解的是，行動裝置100更可包括其他元件，例如：一外殼、一觸控輸入模組、一顯示模組、一射頻模組、一處理器模組、一控制模組，以及一供電模組等(未顯示)。
接地支路120具有一第一端121和一第二端122，其中接地支路120之第一端121係耦接至接地面110，而接地支路120之第二端122為一開路端。一槽孔130係形成於接地支路120和接地面110之間，其中槽孔130具有一開口端和一閉口端。接地支路120可以大致為一L字形。槽孔130可以大致為一直條形。支撐元件140係設置於接地支路120之上方，其中支撐元件140之一垂直投影係至少部份地與接地支路120重疊。在第1圖之實施例中，支撐元件140之垂直投影係完全位於接地支路120之內部。支撐元件140可以直接貼合於接地支路120之表面上，或者支撐元件140亦可與接地支路120分離且兩者大致互相平行。在支撐元件140與接地支路120兩者分離的架構下，其中接地面110和接地支路120係可整合為行動裝置100之一金屬外殼之一 部份(例如是背蓋的部分)，而支撐元件140則可與行動裝置100正面之聲音輸出元件(未顯示)做整合(例如是喇叭出音孔或聽筒)，而形成外殼之一部分。
接地支路120係形成一第一天線結構160。第一信號源191係耦接至第一天線結構160上之一第一饋入點FP1，使得第一天線結構160係由第一信號源191所激發。另外，一第二天線結構170係設置於支撐元件140上，其中第二信號源192係耦接至第二天線結構170上之一第二饋入點FP2，使得第二天線結構170係由第二信號源192所激發。第一信號源191和第二信號源192可以是行動裝置100之二個射頻(Radio Frequency)模組。大致來說，第一天線結構160屬於一平面倒F字形天線(Planar Inverted F Antenna，PIFA)，但第二天線結構170之種類則沒有限制。例如，第二天線結構170可以是一單極天線(Monopole Antenna)、一偶極天線(Dipole Antenna)、一迴圈天線(Loop Antenna)、一耦合饋入式天線(Coupling-feed Antenna)，或是一補釘天線(Patch Antenna)，其可直接印刷於支撐元件140上。電路元件150係耦接於接地支路120和接地面110之間，並用於調整第一天線結構160和第二天線結構170之阻抗匹配。電路元件150可以設置於槽孔130內。在一些實施例中，電路元件150為一可變電容器，例如：一變容二極體(Varactor Diode)。此可變電容器之一電容值可約介於0.5pF至3.3pF之間。可變電容器之電容值更可根據一控制信號來進行調整。舉例而言，前述控制信號可由一處理器產生，或是由一偵測器根據其偵測附近電磁波信號頻率之結果來產生(未顯示)。
在一些實施例中，第一天線結構160係操作於一低頻頻帶，而第二天線結構170係操作於一中頻頻帶和一高頻頻帶。舉例而言，前述低頻頻帶可約介於698MHz至960MHz之間，前述中頻頻帶可約介於1710MHz至2170MHz之間，而前述高頻頻帶約介於2300MHz至2700MHz之間。在此設計下，本發明之行動裝置100至少可涵蓋LTE B12/B17/B13/B20/GSM850/900/DCS1800/PCS1900/UMTS頻帶，以及LTE B38/40/41/7頻帶之寬頻操作。根據實際量測結果，第一天線結構160和第二天線結構170於前述低頻頻帶、中頻頻帶，以及高頻頻帶中之天線效率均大於50%，已可符合一般行動通訊之需求，並可同時支援載波聚合(Carrier Aggregation，CA)技術。
在天線原理方面，第一天線結構160(亦即，接地支路120)可被視為第二天線結構170之一參考接地面(Reference Ground Plane)。第一天線結構160自身之一參考接地面則為接地面110。由於第二天線結構170係位於第一天線結構160之共振腔內並與之作良好整合，此二者可以共用行動裝置100之天線淨空區，是以本發明之行動裝置100之天線總體積能夠顯著地縮小。另外，藉由適當調整電路元件150之阻抗值，第一天線結構160和第二天線結構170可具有不同之等效接地點和不同之操作頻率，使得第一天線結構160和第二天線結構170之間之隔離度(Isolation)亦能夠有效提升。因此，本發明之行動裝置及天線結構至少具備有小尺寸、寬頻操作，以及高隔離度等優點，其非常適合應用於各種小型化之行動通訊裝置當中。
第2A圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置200之俯視圖。第2B圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置200之剖面圖。請一併參考第2A、2B圖。第2A、2B圖和第1圖相似。在第2A、2B圖之實施例中，行動裝置200包括：一接地面110、一接地支路120、一支撐元件240、一電路元件150、一第一匹配電路281、一第二匹配電路282，以及一射頻模組290。接地面110、接地支路120、支撐元件240，以及電路元件150之結構和功能係如第1圖之實施例所述。相似地，行動裝置200亦具有一第一天線結構260和一第二天線結構270。射頻模組290具有一第一埠PR1和一第二埠PR2，其中射頻模組290之第一埠PR1係經由第一匹配電路281耦接至第一天線結構260上之一第一饋入點FP1，而射頻模組290之第二埠PR2係經由第二匹配電路282耦接至第二天線結構270上之一第二饋入點FP2。射頻模組290之第一埠PR1和第二埠PR2可視為前述之第一信號源191和第二信號源192，其分別用於激發第一天線結構260和第二天線結構270，使之操作於低頻頻帶、中頻頻帶，以及高頻頻帶。第一匹配電路281和第二匹配電路282可以各自包括一或複數個電容器或(且)電感器(例如：晶片電容器和晶片電感器)，以調整第一天線結構260和第二天線結構270之阻抗匹配和操作頻率。舉例而言，第一匹配電路281和第二匹配電路282可各自由互相串聯之一電容器和一電感器，或是由彼此並聯之一電容器和一電感器所形成，但不僅限於此。
在第2A、2B圖之實施例中，第一天線結構260屬於一平面倒F字形天線，而第二天線結構270屬於一耦合饋入式天 線。詳細而言，第二天線結構270包括一第一輻射部271、一第二輻射部272、一第一連接部273，以及一第二連接部274。第一輻射部271係與第二輻射部272分離。第一輻射部271係經由第一連接部273耦接至射頻模組290之第二埠PR2。第二輻射部272係經由第二連接部274部耦接至接地支路120。如第2B圖所示，第一連接部273和第二連接部274皆大致垂直於接地支路120和支撐元件240。第一連接部273和第二連接部274可以各自為一頂針(Pogo Pin)或是一金屬彈片(Metal Spring)。第二輻射部272係鄰近於第一輻射部271，並係由第一輻射部271利用相互耦合之機制所激發。第一輻射部271可以大致為一問號形。第二輻射部272可大致為一J字形，其中第一輻射部271與第二輻射部272係分離。在另一些實施例中，第一輻射部271和第二輻射部272之任一者亦可改成其他形狀，例如：一直條形、一L字形、一F字形，或是一S字形，且其中第一輻射部271與第二輻射部272亦可耦接。第2A、2B圖之行動裝置200之其餘特徵皆與第1圖之行動裝置100近似，故此二實施例均可達成相似之操作效果。
第3圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置300之俯視圖。第3圖和第2圖相似。在第3圖之實施例中，行動裝置300更包括一或複數個電子零件，例如：一揚聲器310、一相機320，或(且)一耳機插孔330。該等電子零件係設置且電性連接於行動裝置300之一第一天線結構260上(亦即，接地支路120)，故可以視為第一天線結構260之一部份。因此，該等電子零件不會對第一天線結構260之輻射特性造成太大影響。 在本實施例中，第一天線結構260可承載該等電子零件並做適切地整合，故可有效地節省行動裝置300內部之設計空間。必須注意的是，該等電子零件皆經由一走線區域344耦接至行動裝置300之一處理器模組與一控制模組(未顯示)。第3圖之行動裝置300之其餘特徵皆與第2圖之行動裝置200近似，故此二實施例均可達成相似之操作效果。
第4A圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置200之第一天線結構260之電壓駐波比(Voltage Standing Wave Ratio，VSWR)圖。第4B圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置200之第二天線結構270之電壓駐波比圖。請一併參考第4A、4B圖，其中橫軸代表操作頻率(MHz)，縱軸代表電壓駐波比。一第一曲線CC1係代表電路元件150之一電容值為0.75pF時前述天線結構之特性。一第二曲線CC2係代表電路元件150之電容值為1pF時前述天線結構之特性。一第三曲線CC3係代表電路元件150之電容值為1.5pF時前述天線結構之特性。一第四曲線CC4係代表電路元件150之電容值為2.2pF時前述天線結構之特性。一第五曲線C5係代表電路元件150之電容值為3.3pF時前述天線結構之特性。根據第4A、4B圖之量測結果可知，當電路元件150之電容值增加時，第一天線結構260之操作頻帶將往低頻處移動，而當電路元件150之電容值減少時，第一天線結構260之操作頻帶將往高頻處移動。另一方面，電路元件150之電容值改變對於第二天線結構270之影響則不甚明顯。因此，藉由適當地控制電路元件150之阻抗值，本發明之行動裝置200將能在不改變天線結構總體尺寸之情況下，達成 多頻操作和寬頻操作之目的。
第5圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置200之第一天線結構260和第二天線結構270之間之隔離度圖，其中橫軸代表操作頻率(MHz)，縱軸代表隔離度(S21)(dB)。一第六曲線CC6係代表電路元件150之電容值為0.75pF時前述隔離度之特性。一第七曲線CC7係代表電路元件150之電容值為1pF時前述隔離度之特性。一第八曲線CC8係代表電路元件150之電容值為1.5pF時前述隔離度之特性。一第九曲線CC9係代表電路元件150之電容值為2.2pF時前述隔離度之特性。一第十曲線CC10係代表電路元件150之電容值為3.3pF時前述隔離度之特性。根據第5圖之量測結果可知，當電路元件150之電容值增加時，第一天線結構260和第二天線結構270之間之隔離度將獲得改善，而當電路元件150之電容值減少時，第一天線結構260和第二天線結構270之間之隔離度將降低。因此，藉由適當地控制電路元件150之阻抗值，本發明之行動裝置200將能一併增強第一天線結構260和第二天線結構270之間之隔離度，以避免信號傳輸會互相干擾。在另一些實施例中，當電路元件150再往靠近槽孔130之左側開口端處移動時，亦可進一步增強第一天線結構260和第二天線結構270之間之隔離度，特別是針對中頻頻帶及高頻頻帶較為明顯。
第6圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置之製造方法之流程圖。此種製造方法可包括下列步驟。在步驟S610，提供一接地面和一接地支路，其中該接地支路係耦接至該接地面，而一槽孔係形成於該接地支路和該接地面之間。 在步驟S620，將一支撐元件設置於該接地支路之上方，其中該支撐元件之一垂直投影係至少部份地與該接地支路重疊。在步驟S630，將一電路元件耦接於該接地支路和該接地面之間。在步驟S640，利用該接地支路形成一第一天線結構，其中該第一天線結構係由一第一信號源所激發。在步驟S650，將一第二天線結構設置於該支撐元件上，其中該第二天線結構係由一第二信號源所激發。必須注意的是，以上步驟無須依次序執行，且第1-5圖之任何一或複數個實施例之任何一或複數項特徵均可套用至第6圖所示之行動裝置之製造方法當中。
第7圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置700之俯視圖。第7圖和第2A、2B圖相似。在第7圖之實施例中，行動裝置700包括：一接地面110、一接地支路720、一電路元件750、一切換元件780，以及一射頻模組290。接地支路720具有一第一端721和一第二端722，其中接地支路720之第一端721係耦接至接地面110，而接地支路720之第二端722為一開路端。一槽孔730係形成於接地支路720和接地面110之間，其中槽孔730具有一開口端和一閉口端。電路元件750係耦接於接地支路720和接地面110之間。電路元件750可以是一可變電容器。電路元件750可位於槽孔730之一中間部份。切換元件780係耦接於接地支路720和接地面110之間。切換元件780可鄰近於槽孔730之一閉口端處。接地支路720係形成一第一天線結構760，其中第一天線結構760係由一射頻模組290之一第一埠PR1透過電路元件750所激發。一第二天線結構770係耦接至接地支路720，其中第二天線結構770係由射頻模組290之一第二埠PR2 所激發。第二天線結構770係鄰近於接地支路720之一第二端722。詳細而言，接地支路720之第二端722可具有一角落缺口，而第二天線結構770可為一T字形或直條形輻射部，設置於前述角落缺口內。在第7圖之實施例中，第一天線結構760係作為第二天線結構770之一參考接地面。在一些實施例中，第一天線結構760係操作於一低頻頻帶和一中頻頻帶，而第二天線結構770係操作於一高頻頻帶。舉例而言，前述低頻頻帶可約介於698MHz至960MHz之間，前述中頻頻帶可約介於1710MHz至2170MHz之間，而前述高頻頻帶約介於2300MHz至2700MHz之間。藉由改變切換元件780之導通或不導通狀態，以及電路元件750之可變電容容值，第一天結構760和第二天線結構770可以產生三種不同共振路徑LL1、LL2、LL3，以分別涵蓋前述低頻頻帶、中頻頻帶，以及高頻頻帶。在第7圖之實施例中，第一天線結構760和第二天線結構770係設置於同一平面上，但本發明並不僅限於此。在其他實施例中，亦可改為將第一天線結構760和第二天線結構770分別設置於互相垂直之二平面上。舉例而言，第一天線結構760和第二天線結構770可以分別位於一行動裝置之背蓋和頂蓋(未顯示)，其中背蓋和頂蓋係互相垂直。第7圖之行動裝置700之其餘特徵皆與第2A、2B圖之行動裝置100近似，故此二實施例均可達成相似之操作效果。
值得注意的是，以上所述之元件形狀、元件參數，以及頻率範圍皆非為本發明之限制條件。天線設計者可以根據不同需要調整這些設定值。本發明之行動裝置和天線結構並不僅限於第1-7圖所圖示之狀態。本發明可以僅包括第1-7圖之任 何一或複數個實施例之任何一或複數項特徵。換言之，並非所有圖示之特徵均須同時實施於本發明之行動裝置和天線結構當中。
在本說明書以及申請專利範圍中的序數，例如「第一」、「第二」、「第三」等等，彼此之間並沒有順序上的先後關係，其僅用於標示區分兩個具有相同名字之不同元件。
本發明雖以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明的範圍，任何熟習此項技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可做些許的更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧行動裝置
110‧‧‧接地面
120‧‧‧接地支路
121‧‧‧接地支路之第一端
122‧‧‧接地支路之第二端
130‧‧‧槽孔
140‧‧‧支撐元件
150‧‧‧電路元件
160‧‧‧第一天線結構
170‧‧‧第二天線結構
191‧‧‧第一信號源
192‧‧‧第二信號源
FP1‧‧‧第一饋入點
FP2‧‧‧第二饋入點

Claims (27)

  1. 一種行動裝置，包括：一金屬外殼，其中一接地面和一接地支路皆屬於該金屬外殼之一部份，該接地支路係耦接至該接地面，而一槽孔係形成於該接地支路和該接地面之間；一電路元件，耦接於該接地支路和該接地面之間；以及一支撐元件，設置於該接地支路之上方，其中該支撐元件之一垂直投影係至少部份地與該接地支路重疊；其中該接地支路係形成一第一天線結構，而該第一天線結構係由一第一信號源所激發；其中一第二天線結構係設置於該支撐元件上，而該第二天線結構係由一第二信號源所激發。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之行動裝置，其中該支撐元件係以非導體材質所製成。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之行動裝置，其中該支撐元件之該垂直投影係完全位於該接地支路之內部。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之行動裝置，其中該支撐元件係與位於該行動裝置正面之一聲音輸出元件相整合，從而形成該金屬外殼之另一部份。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之行動裝置，其中該接地支路大致為一L字形。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之行動裝置，其中該槽孔大致為一直條形。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之行動裝置，其中該槽孔具有一 開口端和一閉口端。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之行動裝置，更包括：一第一匹配電路，其中該第一信號源係經由該第一匹配電路耦接至該第一天線結構；以及一第二匹配電路，其中該第二信號源係經由該第二匹配電路耦接至該第二天線結構。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之行動裝置，其中該第一天線結構係設置於該行動裝置的背蓋。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之行動裝置，其中該電路元件為一可變電容器。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之行動裝置，其中該可變電容器之一電容值約介於0.5pF至3.3pF之間。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之行動裝置，其中該第一天線結構係作為該第二天線結構之一參考接地面。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之行動裝置，其中該第二天線結構包括：一第一輻射部，耦接至該第二信號源；以及一第二輻射部，耦接至該接地支路。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之行動裝置，其中該第二天線結構更包括：一第一連接部，其中該第一輻射部係經由該第一連接部耦接至該第二信號源；以及一第二連接部，其中該第二輻射部係經由該第二連接部耦接至該接地支路。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之行動裝置，其中該第一連接部和該第二連接部皆大致垂直於該接地支路和該支撐元件。
  16. 如申請專利範圍第1項所述之行動裝置，其中該第一天線結構係操作於一低頻頻帶，而該第二天線結構係操作於一中頻頻帶和一高頻頻帶。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之行動裝置，其中該低頻頻帶約介於698MHz至960MHz之間。
  18. 如申請專利範圍第16項所述之行動裝置，其中該中頻頻帶約介於1710MHz至2170MHz之間，而該高頻頻帶約介於2300MHz至2700MHz之間。
  19. 如申請專利範圍第1項所述之行動裝置，更包括：一或複數電子零件，電性連接於該接地支路。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之行動裝置，其中該等電子零件包括一揚聲器、一相機，或(且)一耳機插孔。
  21. 如申請專利範圍第1項所述之行動裝置，更包括：一切換元件，係耦接至該接地支路和該第一接地面。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之行動裝置，其中該第一天線結構係由該第一信號源透過該電路元件所激發，一第二天線結構係耦接至該接地支路，而該第二天線結構係由一第二信號源所激發。
  23. 如申請專利範圍第22項所述之行動裝置，其中該第二天線結構係鄰近於該接地支路之一開路端。
  24. 如申請專利範圍第22項所述之行動裝置，其中該第一天線 結構和該第二天線結構係設置於同一平面上。
  25. 如申請專利範圍第22項所述之行動裝置，其中該第一天線結構和該第二天線結構係分別設置於互相垂直之二平面上。
  26. 如申請專利範圍第25項所述之行動裝置，其中該第一天線結構和該第二天線結構分別位於該行動裝置的背蓋和頂蓋。
  27. 如申請專利範圍第22項所述之行動裝置，其中該第一天線結構係操作於一低頻頻帶和一中頻頻帶，而該第二天線結構係操作於一高頻頻帶。
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