TWI603918B - 用於製造硫酸銨晶體的方法 - Google Patents

Description

用於製造硫酸銨晶體的方法

本發明係有關於一種用於製備硫酸銨晶體的方法。

硫酸銨係作為一，例如，用於農業、園藝或林業之肥料。其通常係以一結晶材料應用。用於此用途之硫酸銨晶體係依據晶體尺寸分類。一般，大的晶體係更易處理。再者，具相對較大平均晶體尺寸之一特定尺寸分佈的晶體可用於商業上有價值之肥料摻合物，且因此係比小晶體更具商業價值。但是，所欲地係生產用於不同應用之具有不同分級的硫酸銨。

硫酸銨晶體可藉由使一硫酸銨溶液接受晶體化及使形成之硫酸銨晶體漿料接受一尺寸分類步驟而獲得。大的晶體一般係所欲地作為進一步用途之產物，特別是作為肥料。

藉由蒸發而結晶化典型上包含熱輸入以使溶劑蒸發及使剩餘溶液濃縮。為了於自氯化鈉水溶液生產氯化鈉晶體中降低用於蒸發結晶化所需之水蒸氣消耗，一系列的結晶器對熱輸入係呈整合(見，例如，I.Kristjansson， Geothermics，21(1992)；765-771頁)。此通常係藉由使高溫水蒸氣通到一系列中之第一結晶器而進行。形成之較低溫水蒸氣被用於使下一結晶器加熱，如此類推。此意指一系列的結晶器係以降低的溫度操作。結晶器的尺寸及條件係對於熱配置而最佳化。GB748572描述一種避免結垢之多階段蒸發鹽沉積液體的方法。但是，除鹽溶液或纖維素廢料液體外，未描述特別產物。

WO2009/077346描述一種藉由使用一清洗增稠器使硫酸銨細料與具所欲尺寸之一晶體懸浮液分離的方法。與晶體分離之溶液被用於此清洗增稠器。

於傳統之蒸發結晶器操作期間，雜質於溶液中變濃縮。因此，使用一清除，藉此使溶液連續或週期性地自結晶器排放。於傳統一系列的結晶化區段，每一結晶化區段係於相同雜質濃度操作。產生之晶體雜質係與其生長的溶液之純度呈比例，此一系列中之每一結晶化區段之產物晶體含有相同雜質量。

DE4314281C1描述自包含母液再循環之己內醯胺生產之多階段蒸發硫酸銨水溶液。

但是，所欲地係生產用於不同應用之較高純度等級之結晶產物。較高純度之產物係經濟上更有價值。本案發明人已發現一種增加藉由一結晶化區段產生之大部份晶體的純度之方法。特別地，其等已發現藉由引用一種其中硫酸銨溶液係自此一系列中之一結晶化區段清除至此一系列中之另一結晶化區段的系統，此一系列結晶化區段中之 雜質的平均濃度可被降低。再者，此清除系統可被配置使得結晶化區段之除一者外的全部之產物晶體的純度係遠高於習知技藝。本發明之另一優點係具高純度之硫酸銨晶體的結晶化產率係高於習知技藝。再者，前述優點可被結合。

因此，本發明提供一種用於生產硫酸銨晶體的連續方法，其中，該方法包含：i)對一系列之結晶化區段供給一硫酸銨溶液，此等結晶化區段係呈串聯的熱整合；ii)使硫酸銨晶體自該硫酸銨溶液結晶化；iii)使一部份之該硫酸銨溶液自該等結晶化區段之每一者清除；iv)使硫酸銨晶體自每一結晶化區段排放，特徵在於：一部份之該硫酸銨溶液係自至少一結晶化區段清除至至少一其它結晶化區段。

本發明進一步提供一種適於生產硫酸銨晶體的裝置，包含：i)一系列之具有實質上相等的硫酸銨晶體生產能力之結晶化區段，此等係被組配以對水蒸氣呈熱整合；ii)一水蒸氣供應系統，其係串聯整合結晶化區段；iii)一硫酸銨溶液供給器；及iv)一硫酸銨晶體移除系統；特徵在於： 至少一結晶化區段係藉由一清除管線與此一系列中之另一結晶化區段連接。

於此處使用時，如熟習此項技藝者所知，硫酸銨晶體含有會存在之雜質。

一結晶化區段包含用於接收一硫酸銨溶液及排放硫酸銨晶體所需之所有設備。於其最簡單型式，此意指一結晶器及一分離單元。

結晶化區段係呈串聯熱整合之一系列結晶化區段意指係熱於此一系列中之一端施加至結晶化區段；然後，熱直接或間接轉移至此一系列中之下一結晶化區段；如此類推至此一系列中之最後結晶化區段為止。以此方式，單一外部熱源被用於加熱此一系列中之所有結晶化單元，但僅直接施加至第一個。

藉由清除一部份之硫酸銨溶液係意指一部份之硫酸銨溶液自結晶化區段排放。清除的目的係降低硫酸銨溶液之雜質含量，藉此亦降低結晶化硫酸銨之雜質含量。

硫酸銨溶液僅係由溶劑、雜質及(純)硫酸銨組成。硫酸銨晶體僅係由雜質及(純)硫酸銨組成。

分離因數係硫酸銨溶液(母液)中之雜質量與併入自該溶液形成之硫酸銨晶體中之雜質量之間的比率。二者皆係以質量為基準測量。分離因數，S，係定義為：S=[(m_雜質 ^溶液)/(m_雜質 ^溶液+m_硫酸銨 ^溶液)]/[(m_雜質 ^晶體)/(m_雜質 ^晶體+m_硫酸銨 ^晶體)]其中，m_雜質 ^溶液=1公斤硫酸銨溶液中之雜質質量

m_硫酸銨 ^溶液=1公斤硫酸銨溶液中之純硫酸銨質量

m_雜質 ^晶體=1公斤硫酸銨晶體中之雜質質量

m_硫酸銨 ^晶體=1公斤硫酸銨晶體中之純硫酸銨質量

例如，對於一具有1000之分離因數的系統，晶體之雜質含量係形成晶體之溶液的雜質含量之0.1%。於蒸發結晶化期間，溶液之雜質含量因而增加。清除被用以排放具有高雜質含量之溶液。清除可為連續或間歇式。

本發明之裝置包含組配成對水蒸氣係呈熱整合之結晶化區段。藉此係意指水蒸氣係熱源，且此一系列之結晶化區段包含必要管線，使熱可藉由輸入水蒸氣而轉移至此一系列中之第一結晶化區段，且如上所述般使熱於整個此一系列中轉移。此一系列中之接續結晶化區段的溫度因而係接續地降低。因此，水蒸氣供應之溫度具有從此一系列中之第一結晶化區段至最後結晶化區段之遞降方向。

依據本發明之硫酸銨溶液清除物典型上係至此一系列中之下一結晶化區段。例外的是自最後結晶化區段之清除物係從此一系列排放。

於此處使用時，術語實質上相等之硫酸銨晶體生產能力係意指結晶化區段間之生產能力典型上係以少於10%偏差。較佳地，其係少於5%；更佳係少於2%。生產能力典型上係以單位時間產生之產物質量測量。例如，於公斤/小時，或千噸/年(kta)。

濃縮因數係進入結晶化區段之液體流與離開結晶化區段之液體流間之比率。濃縮因數係定義成進入結晶 化單元之硫酸銨溶液之質量/離開結晶化區段之硫酸銨溶液之質量。例如，於進入結晶化區段A之新的硫酸銨溶液之供給等於x kg/s；自另一結晶化區段清除且進入結晶化區段A之硫酸銨溶液之供給等於y kg/s，且離開結晶化區段A之硫酸銨溶液之清除等於z kg/s，則濃縮因數變得(x+y)/z。

典型上，結晶化區段係藉由水蒸氣而熱整合。水蒸氣係可輕易取得作為化學生產設備之熱源。

典型上，一部份之該硫酸銨溶液係自此一系列中之每一結晶化區段清除至此一系列中之下一結晶化單元，該下一結晶化單元係依遞降之水蒸氣供應溫度所定義，且例外的是自此一系列中之最後結晶化區段之清除物係從此系列排放。以此方式，除此一系列中之最後結晶化區段外，每一結晶化區段中之雜質堆積被避免。典型上，除最後結晶化區段外，於每一結晶化區段，雜質濃度會低於與非清除連接之習知技藝系統，於其中雜質會濃縮。

一其中硫酸銨溶液係清除至此一系列中之下一結晶化區段的系統係意指雜質係於此一系列中之最後結晶化區段中濃縮。因此，產生之晶體可被進一步加工成一特別純之產物及一較不純之產物。或者，產物可被組合產生一平均係比一無清除結合之系統更純的產物。

對於任何特定之一系列的結晶化區段，因為較低投資成本，較佳係此等結晶化區段每一者具有相同尺寸及型式。典型上，每一結晶化區段具有實質上相等之硫酸銨晶體生產能力。如Kristjansson於Geothermics 21(1992) 765-771中所述，生產能力係重要的，因為自一成效所用之水蒸氣係用於下一成效。

具有實質上相等生產能力的另一優點係設備可標準化。結晶器及例如離心器及過濾器之分離單元較佳係每一者個別具有相同型式。

原則上，任何數量之結晶化區段可用於此系統。但是，典型上，此系列包含二至四個結晶化區段。典型上，每一結晶化區段包含一Oslo型之結晶器。Oslo型結晶器係特別適於本發明，因為其等能生產具有較大中間直徑的晶體。此一般對於硫酸銨晶體係合意的。

第一結晶化區段之操作溫度係藉由可利用水蒸氣之溫度決定。最後結晶化區段之溫度一般係藉由可利用冷卻介質溫度決定。如Kristjansson於Geothermics 21(1992)765-771中所述般，結晶化區段之總數量係藉由第一與最後區段間之溫度差決定。

因此，典型上，進入此系列中之第一結晶化區段的水蒸氣之溫度係從80℃至160℃。較佳地，其係從100℃至140℃，例如，120℃。

典型上，離開此系統中之最後結晶化區段的水蒸氣之溫度係從40℃至60℃。較佳地，其係從45℃至55℃，例如，50℃。

典型上，每一結晶化區段之硫酸銨晶體生產能力係每年數噸(千噸/年；kta)的規格。其係從10kta至200kta。更佳地，每一結晶化區段之生產能力係從30kta至150kta。

如上所提及，具較大尺寸之晶體係較佳，因為其等一般具有較大經濟價值。典型上，產生之晶體的平均中間直徑係大於0.8mm。較佳地，排放之硫酸銨晶體的平均中間直徑係從1.0mm至4.0mm。

硫酸銨溶液典型上係一水溶液。其亦可含有雜質。典型上之雜質自生產硫酸銨溶液之方法產生。較佳地，硫酸銨溶液係自一種用於生產ε-己內醯胺或丙烯腈之方法生產。因此，存在之雜質典型上係於此等反應中普遍產生及/或於其原料中已可得者。

施加至每一結晶化區段之水蒸氣的溫度降係藉由每一結晶化區段中之硫酸銨溶液的沸點決定。本發明之另一不可預期功效係較低雜質濃度造成硫酸銨溶液之沸點下降。因此，需要較少之熱被轉移至結晶化區段用以蒸發一特定量之溶液。換言之，需要較少能量，例如，水蒸氣，用以產生一特定體積之晶體。或者，可使用具較低輸入溫度之水蒸氣。

於本發明之裝置，典型上，每一結晶化區段係藉由一清除管線與此系列中之下一結晶化區段連接，該下一結晶化區段係依遞降之水蒸氣供應溫度所定義，例外的是自最後結晶化區段之清除物係從此系列排放。

典型上，每一結晶化區段包含一蒸發結晶器及固液分離設備。結晶器可具有任何適合型式。但是，較佳地，每一結晶器係一Oslo型式之結晶器。固液分離設備意指適於使硫酸銨晶體與一包含硫酸銨之溶液分離的任何設備。 其可包含一連續過濾器、一離心器、一傾析器、一淘析管柱、一鹽腿，或此等之組合。例如，其可包含與一淘析管柱及一離心器組合之一鹽腿。典型上，於離開結晶化區段後，形成之硫酸銨晶體係排放至一乾燥區段。來自每一結晶化區段之晶體可於乾燥之前或之後組合。

本發明之裝置典型上係一硫酸銨結晶化工廠。典型上，此一工廠係與另一化學工廠整合。例如，一生產己內醯胺或環己酮肟之工廠。硫酸銨結晶化工廠之能力典型上係以從另一化學工廠排放之硫酸銨溶液的體積為基準而選擇。再者，結晶化區段之尺寸係以最佳條件為基準而選擇。典型上，每一結晶化區段之硫酸銨晶體生產能力係從30kta至150kta。

(1)，(2)，(3)，(4)‧‧‧結晶化區段

(5)‧‧‧供給管線，硫酸銨溶液之供給

(6)，(7)，(8)，(9)，(10)‧‧‧管線，水蒸氣系統

(11)，(13)，(15)，(17)‧‧‧管線，結晶化區段

(12)，(14)，(16)，(18)‧‧‧管線，清除管線

本發明將參考下列圖式作更完整解釋。

圖1說明習知技藝之一實施例，其中，四個結晶化區段係基於硫酸銨溶液供給呈平行地配置。圖2說明本發明之一實施例，其中，清除管線係用於自結晶化區段排放一部份之硫酸銨溶液。

圖1說明習知技藝之一實施例。每一者包含一具相同尺寸之結晶器的四個結晶化區段，(1)，(2)，(3)，(4)係相關於硫酸銨溶液供給呈平行配置。硫酸銨溶液通過供給管線(5)進入每一結晶化區段，於其中發生結晶化形成於硫酸銨溶液中之硫酸銨晶體漿料。水蒸氣係經由管線(6)供 給至結晶化區段(1)，於其中，被用以自硫酸銨溶液蒸發溶劑，藉此，助於結晶化。水蒸氣未直接與硫酸銨溶液接觸，而係經由一熱交換單元使熱間接地轉移至此溶液。一包含溶劑之蒸氣流於結晶化區段(1)中形成，且經由管線(7)排放至結晶化區段(2)，於其中，與結晶化區段(1)中之處理類似地被用以蒸發溶劑。結晶化區段(2)中形成之包含溶劑的蒸氣流經由管線(8)排放至結晶化區段(3)，於其中，與結晶化區段(1)中之處理類似地被用以蒸發溶劑。結晶化區段(3)中形成之包含溶劑的蒸氣流係經由管線(9)排放至結晶化區段(4)，於其中，與結晶化區段(1)中之處理類似地被用以蒸發溶劑。結晶化區段(4)中形成之包含溶劑的蒸氣流係經由管線(10)排放。硫酸銨晶體係經由管線(11)自結晶化區段(1)排放以供進一步加工。一部份之包含雜質的硫酸銨溶液係經由管線(12)清除。硫酸銨晶體係經由管線(13)自結晶化區段(2)排放以供進一步加工。一部份之包含雜質的硫酸銨溶液係經由管線(14)清除。硫酸銨晶體係經由管線(15)自結晶化區段(3)排放以供進一步加工。一部份之包含雜質的硫酸銨溶液係經由管線(16)清除。硫酸銨晶體係經由管線(17)自結晶化區段(4)排放以供進一步加工。一部份之包含雜質的硫酸銨溶液係經由管線(18)清除。選擇性地，來自管線(11)、(13)、(15)及(17)之硫酸銨晶體係於任何進一步加工步驟之前或之後組合。經管線(12)，(14)，(16)及(18)清除之硫酸銨溶液係作為廢料而處理，且進行進一步加工。選擇性地，此等硫酸銨溶液被組合。

圖2說明本發明之一實施例。此系統基本上係與圖1相同。特別地，結晶化區段(1)；硫酸銨溶液之供給(5)；水蒸氣系統(6)，(7)，(8)，(9)，(10)；使硫酸銨晶體通過而自結晶化區段(11)，(13)，(15)，(17)排放的四條管線；及清除管線(18)係與圖1相同。清除管線(12)，(14)及(16)係用於使一部份之硫酸銨溶液個別自結晶化區段(1)，(2)及(3)排放個別之結晶化區段(2)，(3)及(4)。結晶化區段(2)，(3)及(4)係用於接收一硫酸銨溶液清除物。因此，一部份之硫酸銨溶液係經由管線(12)自結晶化區段(1)清除至結晶化區段(2)內；一部份之硫酸銨溶液係經由管線(14)自結晶化區段(2)清除至結晶化區段(3)內；且一部份之硫酸銨溶液係經由管線(16)自結晶化區段(3)清除至結晶化區段(4)內。

本發明係以下列範列作例示說明，但非有意受限於此等範例。

此等範例係以使用近似參數之簡單計算為基準。輸入參數係代表操作硫酸銨結晶化工廠之數據。此等參數係此系統之總生產能力、結晶化之目標產率，及分離因數(此晶體系統之一特徵)。如下詳細探討般，分離因數及硫酸銨晶體之總生產率每一者對於每一下列範例個別係相等。於此等範例，含有任何雜質之硫酸銨溶液之所有新供料及所有清除流不含有固體。

比較例

於此比較例，一實質上如圖1所述之平行硫酸銨結晶化系統被使用。以乾燥為基準含有0.05重量%之雜質 (=(鹼液中雜質重量)/((鹼液中雜質重量)+(鹼液中純硫酸銨重量))之一水性硫酸銨鹼液係於一系列呈串聯配置之四個具相等容量之結晶化區段中藉由蒸發結晶化而結晶化。硫酸銨晶體之總生產率係100kta(以乾燥為基準：因此，係雜質及純硫酸銨)。因此，每一結晶化區段係生產25kta之硫酸銨晶體。包含流體(12)，(14)，(16)及(18)之總清除係2kta(以乾燥為基準：因此，係雜質硫酸銨)。此暗指包含流體(5)之總新供料係102kta(以乾燥為基準：因此，係雜質及純硫酸銨))。

因此，硫酸銨晶體總產率係約98.0重量%(100kta之硫酸銨晶體除以102kta之新供料)。

因此，每一結晶化區段之供給以乾燥為基準係25.5kta(純硫酸銨及雜質)，且每一結晶化區段之清除以乾燥為基準係0.5kta(純硫酸銨及雜質)。每一結晶化區段之雜質濃縮因數係51(25.5kta之新供料除以0.5kta之清除物)，且每一結晶化區段之清除流中之雜質濃度以乾燥為基準係約2.4重量%，因此，流體(11)，(13)，(15)及(17)中之硫酸銨晶體含有約0.0024重量%之雜質。

範例1

於範例1，實質上如圖2所述般之一結合漿料系統被使用。包含流體(5)之總新供料係102kta(以乾燥為基準：因此，係雜質及純硫酸銨)，流體(11)，(13)，(15)及(17)之硫酸銨晶體總生產率係100kta(以乾燥為基準：因此，係雜質及純硫酸銨)，且總清除物，流體(18)係2kta(以乾燥為基 準：因此，係雜質及純硫酸銨)。此系統係實質上如對於比較例所述般操作，除了從一結晶化區段至下一者的清除量係受控制，如至每一結晶化區段之新供料率般(於下之表1中述描)。此處，與比較例相反，對於不同結晶化區段之供給率係不相等。

總供料係定義為新供料及來自先前結晶化區段之清除物的總和。

第三結晶化區段於此處被作為一範例，其它結晶化區段之結果可以一相似方式獲得。於第三結晶化區段， 以乾燥為基準包含32kta之新供料(99.95重量%之硫酸銨及0.05重量%之雜質)及以乾燥為基準包含14kta之來自第二結晶化區段之一清除物(約99.77重量%之硫酸銨及約0.23重量%之雜質)進入。加注至第三結晶器之雜質總量係約((32kta乘以0.05重量%+14kta乘以0.23重量%)0.048kta。總供料之平均雜質濃度以乾燥為基準係((32kta乘以0.05重量%+14kta乘以0.23重量%)/(32kta+14kta))0.104重量%.。來自第三結晶化區段之清除物以乾燥為基準包含21kta(硫酸銨及雜質)。濃縮因數係(為新供料及來自第二結晶化區段之清除物的總合之總供料除以第三結晶化區段之清除物；因此，係46kta除以21kta)係約2.2。第三結晶化區段之總生產率係25kta硫酸銨晶體(以乾燥為基準：因此，係雜質及純硫酸銨)。

來自第三結晶化之清除物中及產生之硫酸銨晶體中之雜質的濃度係從下列質量平衡方程式簡單地獲得：imp^3IN=清除^3out * imp^3清除+晶體^3out * imp^3晶體

imp^3IN=加注至第三結晶器之雜質總量(kta)

清除^3out=第三結晶器以乾燥為基準之清除物(kta)

imp^3清除=第三結晶器之清除物中之雜質濃度(重量%)

晶體^3out=第三結晶器中產生之硫酸銨晶體(kta)

imp^3晶體=第三結晶器中產生之硫酸銨晶體中之雜質濃度(重量%)，其係((imp^3清除)/分離因數)係(imp^3清除)/1000。

取代後，其依循第三結晶化區段之清除物中之雜質濃度以乾燥重量為基準係約0.23重量%)。

分離因數係1000，因此，第三結晶化區段中產生之硫酸銨晶體中之雜質濃度係(0.23重量%/1000)，係0.00023重量%。

由上述結果可看出，範例1之結晶化區段(1)，(2)及(3)中產生之硫酸銨晶體中之雜質重量%係大量地低於比較例之結晶化區段(1)，(2)及(3)中產生之硫酸銨晶體者(0.00023重量%對0.0024重量%)。範例1之結晶化區段(4)中產生之硫酸銨晶體的雜質重量%係僅高於比較例之結晶化區段(4)中產生之硫酸銨晶體的雜質重量%一些百分比(0.0025重量%對0.0024重量%)。

再者，若範例1之結晶化區段(1)，(2)，(3)及(4)中產生之硫酸銨晶體被混合，則組合之硫酸銨晶體的平均雜質重量%係約0.0008重量%，此係大量地低於比較例之組合硫酸銨晶體的平均雜質重量%(係0.0024重量%)。

範例1之結果與比較例作比較清楚地顯示本發明之清除系統降低產生之晶體硫酸銨中之平均雜質含量，同時硫酸銨晶體總產率維持不變。

範例2

於範例2，一實質上如圖2所述之結合漿料系統被使用。流體(11)，(13)，(15)及(17)中之硫酸銨晶體總生產率係100kta(以乾燥為基準：因此，係雜質及純硫酸銨)。結晶化區段(1)，(2)，(3)及(4)中產生之硫酸銨晶體的平均雜質含量係約0.0024重量%，此係等於比較例之結晶化區段(1)，(2)，(3)及(4)中產生之硫酸銨晶體的平均雜質含量。 此系統係實質上如比較例所述般操作，例外的是如新供料至每一結晶化區段般，從一結晶化區段至下一者的清除物之量被控制如下之表2中所述)。此處，與比較例相反，不同結晶化區段之供給率係不相等。

獲得之結果係於表2中提供。

總供料係定義為新供料及自先前結晶化區段之清除物的總和。

由上述結果可看出，範例2之結晶化區段(1)，(2)及(3)中產生之硫酸銨晶體的雜質重量%係大量地低於比較 例之結晶化區段(1)，(2)及(3)中產生之硫酸銨晶體者(0.00020重量%對於0.0024重量%)。範例2之結晶化區段(4)中產生之硫酸銨晶體的雜質重量%係高於比較例之結晶化區段(4)中產生之硫酸銨晶體的雜質重量%(0.0091重量%對0.0024重量%)。範例2之結晶化區段(1)，(2)，(3)及(4)中產生之組合的硫酸銨晶體之平均雜質重量%係約0.0024重量%。

於範例2，結晶化區段(4)之清除物僅係0.52kta(以重量為基準：因此，係雜質及純硫酸銨)。此意指至所有結晶化區段之以乾燥為基準的總新供料(以乾燥為基準之產生的硫酸銨晶體總量及以乾燥為基準之結晶化區段(4)之清除物的總和)僅係100.52kta。因此，硫酸銨晶體總產率係高達(100kta除以100.52kta)99.5重量%。

使範例2之結果與比較例之結果作比較清楚地顯示本發明之清除系統增加硫酸銨晶體總產率，同時產生之硫酸銨晶體中的平均雜質含量保持不變。

(1)，(2)，(3)，(4)‧‧‧結晶化區段

(5)‧‧‧硫酸銨溶液之供給

(6)，(7)，(8)，(9)，(10)‧‧‧水蒸氣系統

(11)，(13)，(15)，(17)‧‧‧結晶化區段

(12)，(14)，(16)，(18)‧‧‧清除管線

Claims (15)

1. 一種用於生產硫酸銨晶體的連續方法，其中，該方法包含：i)對一系列之結晶化區段供給一硫酸銨溶液，該等結晶化區段係呈串聯的熱整合；ii)使硫酸銨晶體自該硫酸銨溶液結晶化；iii)使一部份之該硫酸銨溶液自該等結晶化區段之每一者清除；iv)使硫酸銨晶體自每一結晶化區段排放，特徵在於：一部份之該硫酸銨溶液係自至少一結晶化區段清除至至少一其它結晶化區段。
2. 如請求項1的方法，其中，該等結晶化區段係藉由水蒸氣呈熱整合。
3. 如請求項2的方法，其中，一部份之該硫酸銨溶液係自該系列中之每一結晶化區段清除至該系列中之下一結晶化單元，該下一結晶化單元係依遞降之水蒸氣供應溫度所定義，且例外的是來自該系列中之最後結晶化區段之清除物係從該系列排放。
4. 如請求項1至3中任一項的方法，其中，每一結晶化區段具有實質上相等之硫酸銨晶體生產能力。
5. 如請求項1至3中任一項的方法，其中，該系列包含二至四個結晶化區段。
6. 如請求項1至3中任一項的方法，其中，每一結晶化區段包含一Oslo型之結晶器。
7. 如請求項2或3的方法，其中，進入該系列中之第一結晶化區段的水蒸氣之溫度係從80℃至160℃。
8. 如請求項2或3的方法，其中，離開該系統中之最後結晶化區段的水蒸氣之溫度係從40℃至60℃。
9. 如請求項1至3中任一項的方法，其中，每一結晶化區段之硫酸銨結晶生產能力係從30kta至150kta。
10. 如請求項1至3中任一項的方法，其中，排放之該硫酸銨晶體的平均中間直徑係從1.0mm至4.0mm。
11. 如請求項1至3中任一項的方法，其中，該硫酸銨溶液係自一種用於生產ε-己內醯胺或丙烯腈的方法生產。
12. 一種適於生產硫酸銨晶體的裝置，包含：i)一系列之具有實質上相等的硫酸銨晶體生產能力之結晶化區段，此等係被組配以對水蒸氣呈熱整合；ii)一水蒸氣供應系統，其係串聯整合該等結晶化區段；iii)一硫酸銨溶液供給器；及iv)一硫酸銨晶體移除系統；特徵在於：至少一結晶化區段係藉由一清除管線與該系列中之另一結晶化區段連接。
13. 如請求項12之裝置，其中，每一結晶化區段係藉由一清除管線與該系列中之下一結晶化區段連接，該下一結晶化區段係依遞降之水蒸氣供應溫度所定義，例外的是來 自最後結晶化區段之清除物係從該系列排放。
14. 如請求項12或13之裝置，其中，每一結晶化區段包含一蒸發結晶器及固液分離設備。
15. 如請求項12或13之裝置，其中，每一結晶化區段之硫酸銨結晶生產能力係從30kta至150kta。