TWI593447B - 內部具有高密度金屬元件之高爾夫球頭與其鑄造方法以及鑄造模具 - Google Patents

Description

內部具有高密度金屬元件之高爾夫球頭與其鑄造方法以及鑄造模具

本申請案是關於一種高爾夫球頭，並且特別是關於一種耦接於高爾夫球頭之本體的高密度金屬元件(HDMP)。

高爾夫球員可受惠於擁有一種即使是發生高爾夫球誤擊仍能提供良好高爾夫球飛行特徵的球桿。高爾夫桿頭週遭或內部的質量移動是球桿頭設計一項用以改善高爾夫球飛行的重大要點。質量可予設置以令球桿頭的重心(CG)向下並且朝後方移動。不過，球桿頭內之高密度質量的設置最大化仍受限於目前技術。

一般說來，可藉由焊接、釬焊或鉚接將高密度金屬元件插入在球桿頭的本體內，或另者，利用黏著劑或是組態設定為螺紋以插入球桿頭之本體內的方式將金屬元件接附於本體。但在這些處理過程中，由於多個力度會被施加在該高密度金屬元件上，因此難以一致地正確設置該金屬元件。故而業界需要一種要求較少處理步驟並且提供更高設計自由的處理程序。

本揭說明一種用於製造含有高密度金屬元件之高爾夫球桿 頭的嵌入式鑄造處理程序。該嵌入式鑄造處理程序能夠運用較少的處理步驟就可將金屬元件插入該本體內，並且提供更高的設計自由。該高密度金屬元件係經組態設定藉以當利用如後文所定義的嵌入式鑄造處理程序進行安裝時，能夠將金屬元件正確且一致地設置在高爾夫球桿頭內。該高密度金屬元件可包含凸出及/或間隔，此等二者係如後文詳細定義，藉以防止因在鑄造處理過程中所施力度而致生的任何非所欲平移或旋轉。

在後文說明及申請專利範圍裡的「第一」、「第二」、「第三」、「第四」等等這些詞彙，若有，是為在多個類似元件之間加以區分，而非必然地用於描述特定順序或依時次序。應瞭解該等所用詞彙在適當情況下可為互換，使得本揭具體實施例能夠例如按除本文所述之外的序列，或是在此另予說明的方式，進行運作。此外，該等詞彙「包含」、「具有」以及任何其等的變化詞項皆欲以涵蓋非斥他性的包納，使得含有一列元件的程序、方法、系統、物項、裝置或設備不必然地受限於這些元件，然確得含有其他未經顯明列舉或是此程序、方法、系統、物項、裝置或設備裡內隱性地具備的元件。

在本案說明及申請專利範圍中的該等詞彙「左方」、「右方」、「前方」、「後方」、「頂部」、「底部」、「位於上方」、「位於下方」等等，若有，是用於描述之目的，並非必然地用於陳述永久性的相對位置。應瞭解該等所用詞彙在適當情況下可為互換，使得本案所描述之設備、方法及/或製造物項的具體實施例能夠例如按除本文所述之外的其他指向，或是在此另予說明的方式，進行運作。

該等詞彙「耦接」、「耦接於」、「耦接有」、「耦接」等等應為 廣泛解讀並且參照於機械性地或其他方式連接兩個或更多元件。耦接(無論是機械性或其他方式)可為任何時間長度，即如永久或半永久或者僅某一時刻。

即如本揭所述，「嵌入式鑄造」可指具有任何黏滯度之材料在既已構成之部件上的鑄造或模鑄處理。嵌入式鑄造可利用像是金屬或塑膠的任何材料來執行。

考量下列詳細說明及隨附圖式將即能明顯瞭解其他特性與特點。在詳細解釋本揭示的任何具體實施例之前，應先瞭解本揭示在其應用上並不侷限於如後文說明中所述或者圖式中所繪之元件建構與排置的細節。本揭示可支援其他的具體實施例，並且依照各種方式所實作或執行。應瞭解特定具體實施例的說明並非限制本揭示，而應涵蓋歸屬於本揭示之精神與範疇內的所有修改、等同和替代項目。同時亦應瞭解本案中所運用的詞彙和術語係為描述之目的，而不應被視為具有限制性質。

根據其一建構，一種用於高爾夫球桿頭的包覆鑄造部件包含一高密度金屬元件，此者至少部份地嵌入在蠟殼內，該高密度金屬元件含有具備至少兩個凸出的本體，此等凸出從該本體延伸而離於該蠟殼，且該等兩個凸出沿著彼此相對位移的軸線而延伸。

根據另一建構，一種用於高爾夫球桿頭的包覆鑄造部件包含高密度金屬元件，此者包含具有一表面的本體、自該表面延伸的第一凸出，以及自該表面延伸而位移離於該第一凸出的第二凸出。該包覆鑄造部件亦含有封蠟套鞘。該封蠟套鞘環繞於該本體。該第一凸出和該第二凸出各者延伸離於該封蠟套鞘。

根據另一建構，一種用於高爾夫球桿頭的包覆鑄造部件，該桿頭為金屬木質，含有高密度金屬元件，此者包含具有表面的本體，以及自該表面延伸的圓柱型或非圓柱型凸出，而該凸出含有構成於其內的凹口。該包覆鑄造部件包含具有外部表面的封蠟套鞘，其中該封蠟套鞘至少部份地環繞於該本體，且進一步其中該凹口不會接觸到該封蠟套鞘。

根據另一建構，一種高爾夫球桿頭含有本體，此者具有底部、敲擊面部、冠部、跟部末端和趾部末端。該高爾夫球桿頭亦包含耦接於該本體的高密度金屬元件，其中在該高密度金屬元件的外部表面與該本體的外部表面之間設置有間隔，並且其中該間隔裡設置有填充材料。

根據另一建構，一種製造高爾夫球桿頭的方法包含構成高密度金屬元件，該高密度金屬元件具有兩個凸出，這兩個凸出沿著彼此相對位移的軸線而延伸。該方法亦包含將該高密度金屬元件設置在一封蠟射出模具內；將封蠟射出至該封蠟射出模具內使得該等凸出的局部不會嵌入在封蠟內；以陶瓷包覆該封蠟使得該等凸出的這些局部是設置在陶瓷內並且防止高密度金屬元件的旋轉及平移；將封蠟熔離；將金屬倒入到陶瓷內；以及移除陶瓷。

根據另一建構，一種製造高爾夫球桿頭的方法包含構成高密度金屬元件，該高密度金屬元件具有至少一凸出；將該高密度金屬元件設置在一封蠟射出模具內；將封蠟射出至該封蠟射出模具內使得該至少一凸出的局部不會嵌入在封蠟內；以陶瓷包覆該封蠟使得該至少一凸出的局部是設置在陶瓷內並且防止高密度金屬元件的旋轉；將封蠟熔化以在該陶瓷與該高密度金屬元件之間構成中空範圍；將金屬倒入到該中空範圍內；以 及移除陶瓷。在移除陶瓷之後，在該高密度金屬元件的外部表面與該本體的外部表面之間會設置有間隔。接著該方法包含將填充材料插入到該間隔內。

根據另一建構，一種製造高爾夫球桿頭的方法包含構成高密度金屬元件，該高密度金屬元件具有設置在該高密度金屬元件之外部表面與該本體之外部表面間的間隔，該間隔至少部份地繞於該高密度金屬元件的週緣而延伸。該方法亦包含將該高密度金屬元件設置在封蠟射出模具內；將封蠟射出至該封蠟射出模具內使得該間隔不會被封蠟填入；以陶瓷包覆該封蠟使得該間隔收納陶瓷材料並且防止高密度金屬元件的旋轉及平移；將封蠟熔離；將金屬倒入到陶瓷內；以及移除陶瓷。

根據另一建構，一種經部份地組裝的高爾夫球桿頭含有本體，此者具有底部、敲擊面部、冠部、跟部末端和趾部末端。該經部份地組裝的高爾夫球桿頭亦包含耦接於該本體的高密度金屬元件，其中在該高密度金屬元件的外部表面與該本體的外部表面之間設置有間隔，其中該高密度金屬元件含有兩個延伸離於該高爾夫球桿頭的凸出。

根據另一建構，一種用於高爾夫球桿頭的包覆鑄造部件包含高密度金屬元件，此者包含具有表面的本體、自該表面延伸的第一凸出，以及自該表面延伸而位移離於該第一凸出的第二凸出，其中該本體包含複數個穿孔。

根據另一建構，一種用於高爾夫球桿頭的包覆鑄造部件包含高密度金屬元件，此者包含具有表面的本體、自該表面延伸的第一凸出，以及自該表面延伸而位移離於該第一凸出的第二凸出，其中該表面含有複 數個凹陷。

10‧‧‧高爾夫球桿頭

14‧‧‧本體

18‧‧‧趾部末端

22‧‧‧跟部末端

26‧‧‧頂側

30‧‧‧底側

34‧‧‧背部末端

36‧‧‧敲擊平板

38‧‧‧週緣

40‧‧‧主溝槽

42‧‧‧桿頸

46‧‧‧桿頸軸

48‧‧‧開口

50‧‧‧揮動重量調整元件

52‧‧‧重心(CG)

54‧‧‧x軸

58‧‧‧y軸

62‧‧‧z軸

66‧‧‧高密度金屬元件(HDMP)

67‧‧‧頂側局部

69‧‧‧本體

70‧‧‧基底局部

71‧‧‧角落

72‧‧‧第二角落

73‧‧‧第三角落

74‧‧‧凸緣

75‧‧‧第四角落

78‧‧‧第一表面

82‧‧‧第二表面

86‧‧‧間隔

87‧‧‧第一間隔局部

88‧‧‧第二間隔局部

89‧‧‧第三間隔局部

90‧‧‧填充材料

91‧‧‧第四間隔局部

92‧‧‧左側

93‧‧‧右側

94‧‧‧鑄造程序

95‧‧‧前側

96‧‧‧後側

98‧‧‧第一步驟

102‧‧‧凸出

103‧‧‧孔洞

106‧‧‧軸線

108‧‧‧軸線

110‧‧‧第二步驟

114‧‧‧第三步驟

118‧‧‧封蠟

120‧‧‧工具

121‧‧‧唇部

122‧‧‧第四步驟

125‧‧‧平板

126‧‧‧第五步驟

130‧‧‧陶瓷殼

134‧‧‧第六步驟

138‧‧‧第七步驟

142‧‧‧第八步驟

150‧‧‧第十步驟

154‧‧‧第十一步驟

158‧‧‧第十二步驟

162‧‧‧第十三步驟

210‧‧‧球桿頭

214‧‧‧本體

266‧‧‧高密度金屬元件(HDMP)

270‧‧‧第一凸緣

274‧‧‧第二凸緣

278‧‧‧溝槽

286‧‧‧間隔

366‧‧‧高密度金屬元件(HDMP)

370‧‧‧凸出

374‧‧‧表面

378‧‧‧第一末端

382‧‧‧第二末端

386‧‧‧凹口

468‧‧‧材料

466‧‧‧高密度金屬元件(HDMP)

470‧‧‧凸出

474‧‧‧表面

476‧‧‧基底局部

478‧‧‧第一末端

482‧‧‧第二末端

486‧‧‧凹口

566‧‧‧高密度金屬元件(HDMP)

570‧‧‧基底局部

574‧‧‧凸緣

578‧‧‧第一表面

582‧‧‧第二表面

586‧‧‧凸出

666‧‧‧高密度金屬元件(HDMP)

670‧‧‧穿孔

766‧‧‧高密度金屬元件(HDMP)

770‧‧‧外部表面

774‧‧‧凹陷

802‧‧‧凸出

803‧‧‧孔洞

818‧‧‧封蠟

820‧‧‧工具

821‧‧‧唇部

825‧‧‧第一平板

826‧‧‧第二平板

830‧‧‧陶瓷殼

834‧‧‧第六步驟

866‧‧‧高密度金屬元件(HDMP)

867‧‧‧頂側局部

870‧‧‧基底局部

874‧‧‧凸緣

878‧‧‧第一表面

882‧‧‧第二表面

886‧‧‧間隔

903‧‧‧孔洞

904‧‧‧陶瓷樁柱

918‧‧‧封蠟

920‧‧‧工具

925‧‧‧第一平板

926‧‧‧第二平板

927‧‧‧圓柱型壁部

930‧‧‧陶瓷殼

966‧‧‧高密度金屬元件(HDMP)

967‧‧‧頂側局部

970‧‧‧基底局部

978‧‧‧第一表面

986‧‧‧間隔

982‧‧‧第二表面

1094‧‧‧鑄造程序

1098‧‧‧第一步驟

1110‧‧‧第二步驟

1114‧‧‧第三步驟

1122‧‧‧第四步驟

1126‧‧‧第五步驟

1134‧‧‧第六步驟

1138‧‧‧第七步驟

1142‧‧‧第八步驟

1146‧‧‧第九步驟

1150‧‧‧第十步驟

1154‧‧‧第十一步驟

1162‧‧‧第十二步驟

圖1及2分別為，根據一建構，具有x軸、y軸和z軸之高爾夫球桿頭的俯視圖及前視圖。

圖3為圖1及2之高爾夫球桿頭的仰視圖，圖中顯示耦接於該高爾夫球桿頭之本體的HDMP。

圖4為圖3之HDMP的透視圖。

圖5為圖1-3之高爾夫球桿頭的部份、截面視圖，圖中顯示構成於該HDMP周圍並且設置在該HDMP與該高爾夫球桿頭本體之間的間隔。

圖6說明設置在圖5所示之間隔內的填充材料。

圖7為用以構成圖1-3高爾夫球桿頭並且用以將該HDMP耦接於該高爾夫球桿頭本體之嵌入式鑄造處理程序的流程圖。

圖8為該HDMP在圖7之部份處理程序過程中的透視圖，該HDMP具有按兩個圓柱型樁柱之形式的凸出。

圖9為該HDMP在圖7之部份處理程序過程中的略視圖，該HDMP是設置在一工具內。

圖10為該HDMP在圖7之部份處理程序過程中的略視圖，該HDMP是嵌入在封蠟及陶瓷內。

圖11為圖1-3之高爾夫球桿頭其一局部的部份、截面視圖，圖中顯示該HDMP在圖7的部份處理程序過程中該HDMP具有兩個圓柱型樁柱。

圖12為根據另一建構之HDMP的透視圖。

圖13為一高爾夫球桿頭之局部的部份、截面視圖，圖中顯示圖12的HDMP耦接於該高爾夫球桿頭的本體。

圖14及15為根據另一建構之HDMP的透視圖，該HDMP具有非圓柱型的凸出以及位於該凸出內的凹口。

圖16為根據另一建構之HDMP的略視圖，該HDMP為部份地嵌入於鑄造材料內，並且具有凸出以及位在該凸出之末端處的凹口。

圖17為根據另一建構之HDMP的略視圖，該HDMP具有按長棒形式的凸出。

圖18為圖17之HDMP的略視圖，圖中顯示該HDMP是嵌入在封蠟及陶瓷內。

圖19為根據另一建構之HDMP的略視、透視圖，該HDMP具有多個延伸穿透的穿孔。

圖20及21為根據另一建構之HDMP的略視、透視圖，該HDMP沿著該HDMP的表面具有多個凹陷。

圖22為用以構成圖1-3高爾夫球桿頭並且用以將HDMP耦接於該高爾夫球桿頭本體之另一嵌入式鑄造處理程序的流程圖。

圖23為該HDMP在圖22之部份處理程序過程中的透視圖，該HDMP具有一按圓柱型樁柱之形式的凸出。

圖24為該HDMP在圖22之部份處理程序過程中的略視圖，該HDMP是設置在一工具內。

圖25為該HDMP在圖22之部份處理程序過程中的略視 圖，該HDMP是嵌入在封蠟及陶瓷內。

圖26為一高爾夫球桿頭之局部的部份、截面視圖，圖中顯示圖25的HDMP耦接於該高爾夫球桿頭的本體。

圖27為另一HDMP在圖22之部份處理程序過程中的略視圖，該HDMP是設置在一工具內。

圖28為該HDMP在圖22之部份處理程序過程中的略視圖，該HDMP是嵌入在封蠟及陶瓷內。

圖29為高爾夫球桿頭之局部的部份、截面視圖，圖中顯示圖27的HDMP耦接於該高爾夫球桿頭的本體。

圖30為耦接於高爾夫球桿頭本體之HDMP具體實施例的透視圖。

圖31為另一耦接於高爾夫球桿頭本體之HDMP具體實施例的透視圖。

圖32為另一耦接於高爾夫球桿頭本體之HDMP具體實施例的透視圖。

圖33為另一耦接於高爾夫球桿頭本體之HDMP具體實施例的透視圖。

圖1-3說明一高爾夫球桿頭10。該高爾夫球桿頭10含有高爾夫球桿頭本體14，此者具有相反於跟部或跟部末端22的趾部或趾部末端18。該高爾夫球桿頭本體14亦包含相反於底部或底側30的冠部或頂側26，以及相反於球桿面部或面部或敲擊面部或敲擊平板36的背部或後側或背部 末端34。該高爾夫球桿頭10也包含將該底部或底側30接合至該冠部或頂側26的週緣38。該球桿面部或面部或敲擊面部或敲擊平板36是被接合至該冠部或頂側26、該底部或底側30以及該週緣38的各者。

參照圖1及2，複數個溝槽或主溝槽40設置在該球桿面部36上。該高爾夫球桿頭10亦含有桿頸42，此者具有延伸穿過該桿頸42之中心的桿頸軸46。該桿頸42係經組態設定以收納裝設有握把(未以圖示)的高爾夫球桿棒(未以圖示)。

參照圖3，該高爾夫球桿頭10在該底部或底側30內也含有開口48。該開口48具有螺紋，並且相對應螺紋化的揮動重量調整元件50是裝設在該開口48內(即如在該高爾夫球桿頭10的組裝過程中)。

參照圖1及2，該高爾夫球桿頭10也具有重心或CG 52，此者定義包含x軸54、y軸58及z軸62之座標系統的原點。該x軸54穿過該高爾夫球桿頭10的重心或CG 52自該趾部末端18延伸至該跟部末端22。該y軸58穿過該高爾夫球桿頭10的重心或CG 52自該冠部26延伸至該底部30。而該z軸62則是穿過該重心或CG 52自該球桿面部36延伸至該背部34。

參照圖3，該高爾夫球桿頭10進一步含有至少一高密度金屬元件(HDMP)66，此者係經耦接於該高爾夫球桿頭本體14。在所述建構中，是將單一個HDMP 66在該背部末端34處，並且沿著該底部或底側30自該底部或底側30之後方到該高爾夫球桿頭10之週緣38的平移區域內，耦接於該高爾夫球桿頭本體14。而在其他的建構中，可提供不同數量及/或設置方式的HDMP 66。

該HDMP 66是由相較於該高爾夫球桿頭本體14具有更高密度的材料所製成。該HDMP 66將重量增添至該背部末端34並且對該重心或CG 52的位置產生影響。在所述建構裡，該HDMP 66是沿著z軸62朝向該背部或後側或背部末端34位於儘可能地後方處，並且沿著y軸58朝向該底部或底側30位於儘可能地低下處，藉以對該重心或CG 52提供最優定位。在所述建構中，該HDMP 66是由鎢質所製成。在一些建構中，該HDMP 66是由鉭、錸、鋨、銥或鉑，或者是其他的高密度金屬所製成，然其他建構可包含不同材料。

在一些建構中，該HDMP 66可具有與構成該高爾夫球桿頭本體14之材料的熔點相同或不同的熔點。在一些建構中，該HDMP 66的熔點可相異於構成該高爾夫球桿頭本體14之材料的熔點而大於0℃、大於100℃、大於200℃、大於300℃、大於400℃、大於500℃、大於600℃，或者大於700℃。

參照圖3-6，在所述建構中，該HDMP 66具有曲線、長型形狀，而沿著該底部30的後方概略地匹配於該高爾夫球桿頭本體14的輪廓。在一些建構中，該HDMP 66具有長方形、梯形、橢圓形、圓形或是其他形狀的截面。

參照圖4及5，在所述建構中，該HDMP 66含有本體69，此者具有基底局部70和頂側局部67，其中該頂側局部67含有設置朝向該高爾夫球桿頭本體14之內部的一半HDMP 66，而該基底局部70則含有最靠近該高爾夫球桿頭本體14之外部的另一半HDMP 66。該頂側局部67可包含從該本體69延伸的凸緣74。該凸緣74可完全地繞於該HDMP 66的週 緣而延伸。在其他建構中，該凸緣74可僅繞於該HDMP 66的一部份週緣而延伸。該基底局部70包含第一表面78，並且該頂側局部67包含相對於該第一表面78的第二表面82。

參照圖5，該本體69與該凸緣74的組合在截面上可概略地構成「T」型輪廓。該凸緣74在沿著離於該本體69的方向上延伸一距離「A」。在一些建構中，此距離「A」的範圍為0.005英吋到2.0英吋。然亦有可能為其他的數值及範圍。例如，在一些建構中，該距離「A」是在0.005英吋到1.0英吋之間。在一些建構中，該距離「A」是在0.005英吋到1.5英吋之間。在一些建構中，該距離「A」是在0.005英吋到2.5英吋之間。在一些建構中，該距離「A」是在0.005英吋到3.0英吋之間。

該凸緣74設置方式為向內，朝向該高爾夫球桿頭10的中心，而且該基底局部70被設置為朝外且沿著該高爾夫球桿頭10的外部，使得該基底局部70的第一表面78沿該高爾夫球桿頭10的外部為可見。該第一表面78為一朝外曝出的表面，此表面定義一外部曲率並且與該高爾夫球桿頭本體14的外部曲率齊平或概略依循或連續，使得該高爾夫球桿頭本體14的輪廓不中斷。該第二表面82則為一朝內，隱藏表面，此表面定義內部曲率並面朝該高爾夫球桿頭10的中心。即如圖5所示，該第一表面78和該第二表面82各者定義具有可變半徑的曲率，使得該HDMP 66些略彎折並且大致構成「L」形。該第一表面78的曲率半徑大於該第二表面82的曲率半徑。其他的建構則可包含除所示HDMP 66之外者的不同形狀及曲率。

續參照圖5，在所示建構中，該高爾夫球桿頭本體14在該HDMP 66的區域內具有厚度「B」，同時該HDMP 66具有在該第一表面78 與該第二表面82之間所測得的厚度「C」。在一些建構中，該厚度「B」為0.15英吋，且該厚度「C」為0.10英吋。在其他建構裡，該厚度「B」及該厚度「C」可包含不同的數值及範圍。例如，在一些建構中，該厚度「B」是在0.10英吋到1.0英吋之間。在一些建構中，該厚度「B」可為0.1英吋、0.15英吋、0.20英吋、0.25英吋、0.3英吋、0.35英吋、0.4英吋、0.45英吋、0.5英吋、0.55英吋、0.6英吋、0.65英吋、0.7英吋、0.75英吋、0.8英吋、0.85英吋、0.9英吋、0.95英吋或1.0英吋。在一些建構中，該厚度「C」是在0.05英吋到1.0英吋之間。在一些建構中，該厚度「C」可為0.05英吋、0.1英吋、0.15英吋、0.20英吋、0.25英吋、0.3英吋、0.35英吋、0.4英吋、0.45英吋、0.5英吋、0.55英吋、0.6英吋、0.65英吋、0.7英吋、0.75英吋、0.8英吋、0.85英吋、0.9英吋、0.95英吋或1.0英吋。

參照圖3，該HDMP 66也具有整體長度「L」及整體寬度「W」，即如在垂直於該y軸58的平面中所測得者。在所示建構裡，該長度「L」及該寬度「W」各者是大於如圖5所示的厚度「C」，使得該HDMP 66構成一個可供匹配於該高爾夫球桿頭本體14之自然輪廓的相對薄型、長形結構。

參照圖5及6，該HDMP 66在組合於該高爾夫球桿頭本體14後可在該基底局部70的第一表面78與該高爾夫球桿頭本體14之間沿該高爾夫球桿頭10的外部構成一間隔86或空處、或凹入或槽口或凹陷或溝槽(圖5)。在許多建構裡，該間隔86可完全地繞於該基底局部70的週緣而延伸。該基底局部70及該第一表面78為該HDMP 66的局部，而在當完成鑄造處理程序94時就會曝出於該高爾夫球桿頭10的外部。在一些建構中， 該間隔86則是部份地繞於該基底局部70的週緣延伸而產生一間隔區段。在其他建構中，該間隔86可含有一或更多局部，此等至少部份地繞於該基底局部70的週緣延伸而產生複數個間隔區段。例如，參照圖30，該間隔可含有單一第一間隔局部87，此者繞於該基底局部70大約一半的週緣而延伸。對於進一步範例，參照圖31，該間隔86可含有設置在該基底局部70之角落71處的第一間隔局部87，設置在該基底局部70之第二角落72處的第二間隔局部88，設置在該基底局部70之第三角落73處的第三間隔局部89，以及設置在該基底局部70之第四角落75處的第四間隔局部91。對於進一步範例，參照圖32，該間隔86可含有設置在該基底局部70之左側92處的第一間隔局部87，以及設置在該基底局部70之右側93處的第二間隔局部88。對於進一步範例，參照圖32，該間隔86可含有設置在該基底局部70之前側95處的第一間隔局部87，以及設置在該基底局部70之後側96處的第二間隔局部88。在其他範例中，該間隔可含有前述間隔區段與位置的任何組合。該間隔86至少部份地是因該第一表面78比起該第二表面82具有較短的長度(即如弧長)，及/或因出現該凸緣74，而形成。構成於該第一表面78與該高爾夫球桿頭本體14之間的間隔86具有在概略向內朝於該球桿頭中心之方向上延伸的間隔深度「GD」而曝露出一部分的基底局部70。在所述建構中，該間隔86的深度「GD」是在0.01英吋到1英吋之間，然其他數值及範圍亦為可能。例如，在一些建構中，該間隔86的深度是在0.01到1.5英吋之間。在其他建構裡，該間隔86的深度可為0.01、0.05、0.1、0.2、0.3、0.4、0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、1.1、1.2、1.3、1.4及1.5英吋。進一步，該間隔86含有在該第一表面78與該高爾夫球桿頭本體 14的外部表面間之方向上延伸，並且與該間隔深度方向相垂直的間隔寬度「GW」。在所示建構中，於間隔寬度方向「GW」上(亦即在該第一表面78與該高爾夫球桿頭本體14外部表面間之方向上延伸的方向，同時與該間隔深度方向相垂直)該間隔86的寬度也是在0.01英吋到1英吋之間，但其他數值及範圍亦為可能。例如，在一些建構中，該間隔86的寬度是在0.01英吋到1.5英吋之間。在一些建構裡，該間隔86的寬度可為0.01、0.05、0.1、0.2、0.3、0.4、0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、1.1、1.2、1.3、1.4及1.5英吋。

參照圖6，該間隔86係經填入填充材料90。在所示建構中，該填充材料90可為像是覆層、樹脂、橡膠、矽膠，或是其他(多種)彈性材料的彈性材料，然其他建構可含有不同材料。

圖7說明一種用以構成該高爾夫球桿頭10並且用以將該HDMP 66耦接於該高爾夫球桿頭本體14，即如圖1-6所示，的嵌入式鑄造處理程序94。

現參照圖7，該嵌入式鑄造程序94包含第一步驟98，即構成該HDMP 66。該HDMP 66是藉由例如機械加工、鑄造、金屬射出模鑄處理、直接雷射燒結、粉末金屬構成程序，或是熟諳本項技藝之人士所知曉的其他適當處理方式而製成。

另參照圖8，當首先構成該HDMP 66時，該HDMP 66最初地含有至少一個凸出102。在所示建構中，該HDMP 66含有兩個按樁柱形式的兩個凸出102。這兩個凸出102是從該HDMP 66基底局部70的第一表面78延伸(即如垂直地)，並且整合地構成而成為該HDMP 66的一部份(即 如作為單塊式延伸)。該等凸出102定義彼此位移的軸線106、108。在所述建構中，這兩條軸線106、108為彼此平行，然在一些建構裡這兩條軸線106、108為相對於彼此傾斜或是相交於另一者。該等凸出102各者沿著其個別軸線106、108延伸離於該第一表面78。在所述建構中，該等凸出102各者沿著其個別軸線106、108延伸0.2到10英吋之間離於該第一表面78，然其他建構則可包含不同的數值及範圍。在一些建構中，該等凸出102各者延伸0.2到1英吋之間離於該第一表面78。在一些建構中，該等凸出102各者延伸0.2到5英吋之間離於該第一表面78。在一些建構中，該等凸出102其中一者比起另一個凸出102延伸較長距離而離於該第一表面78。在一些建構中，該HDMP 66僅含有單一個延伸較長距離(即如5到10英吋之間)的凸出102。在一些建構中，該HDMP 66含有複數個凸出102而各者延伸較短距離(即如0.2到5英吋之間)。

該等凸出102各者亦具有截面積。在所述建構中，該等凸出102各者具有圓形截面區段，此等定義0.005平方英吋到0.010平方英吋的截面積，然其他建構可含有不同的數值及範圍。在一些建構中，該等凸出102各者具有0.005平方英吋到0.015平方英吋的截面積。在一些建構中，該等凸出102各者具有約0.005平方英吋的截面積。在一些建構中，該等凸出102的截面積可包含該第一表面78的1%到40%。在一些建構中，該等凸出102的截面積可包含該第一表面78的1%、5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%及40%。在一些建構中，該截面積趨近或等於該第一表面78的面積。在一些建構中，該等凸出102之其一者比起另一個凸出102具有較大的截面積。其他的建構可含有各種其他數量的凸出102，包含單個凸 出102、三個凸出102等等。其他的凸出也可含有相異於所述者的各式其他形狀、大小及截面積。例如，在一些建構中，該HDMP 66可僅含有單一個凸出102，但是這一個擁有大的截面積。在一些建構中，該等凸出102其一者具有第一截面積，而另一個凸出102則具有第二、不同的截面積。

在一些建構中，於構成該HDMP 66之後，可將覆層施加於該HDMP 66，這可在該嵌入式鑄造程序94的後續步驟過程中保護該HDMP 66。在許多建構裡，該覆層可藉由在後續鑄造處理過程中防止氧化以保存該HDMP 66的結構整體性，即如後文中進一步詳述。該覆層可為由任何足供承受高溫的材料所製成，即如前文所討論者。例如，該覆層可為由陶瓷、金屬、合金陶瓷、矽膠、矽鹽，或是任何其他可供承受高溫的材料或材料組合，所製成。示範性合金陶瓷覆層可包含碳化鎢-鈷、碳化鉻-鎳鉻、氧化物陶瓷，像是氧化鉻和氧化鋁、鉬、鐵和鎳，但不限於此。示範性金屬覆層可包含碳化鎢粉末、氮化物粉末、氧化鋯、金剛石粉末、氧化鈰和氧化鋁，但不限於此。進一步，可利用任何程序來塗佈該覆層，例如像是化學汽相沉積、熱噴灑或塗刷。在一些建構中，該覆層的厚度範圍可為從25微英吋到400微英吋。在一些建構中，可在該第一覆層上塗佈第二覆層，而該第二覆層的厚度範圍可為從5微英吋至60微英吋。

參照圖7、9及10，該嵌入式鑄造程序94進一步包含第二步驟110，即將該HDMP 66放置在封蠟射出模具內，以及第三步驟114，即將封蠟118(像是包覆封蠟)射出到該封蠟射出模具裡，藉以將該HDMP 66部份地嵌入至一蠟殼或套鞘內。

例如，且參照圖9，在所述建構中，工具120係與該HDMP 66鄰接放置。該工具120包含平板125，此者具有經組態設定以收納該HDMP 66之凸出102的至少一孔洞103，以及經組態設定以收納該HDMP 66之基底局部70至少一部份的唇部或步階或凸起或邊緣121(圖9為該HDMP 66和該工具120的略圖表示，同時雖僅顯示出單一個凸出102和孔洞103，然即如前述該HDMP 66可具有兩個或更多凸出102，並且該工具120可具有兩個或更多孔洞103)。該唇部121包含自該平板125朝向該HDMP 66延伸並且對應於該間隔深度「GD」的唇部高度「LH」。在所述建構中，該唇部121的高度是在0.01英吋到1英吋之間，然其他的數值及範圍亦為可能。例如，在一些建構中，該唇部121的高度可在0.01到1.5英吋之間。在一些建構中，該唇部121的高度可為0.01、0.05、0.1、0.15、0.2、0.25、0.3、0.35、0.4、0.45、0.5、0.55、0.6、0.65、0.7、0.75、0.8、0.85、0.9、0.95、1.0、1.05、1.1、1.15、1.2、1.25、1.3、1.35、1.4、1.45或1.5英吋。進一步，該唇部121含有在平行於該平板125並且與該唇部高度方向相垂直之方向上延伸的唇部寬度「LW」。該唇部寬度「LW」對應於該間隔寬度「GW」。在所述建構中，該唇部121的寬度「LW」是在0.01英吋到1英吋之間，然其他數值及範圍亦為可能。例如，在一些建構中，該唇部121的寬度可在0.01到1.5英吋之間。在一些建構中，該唇部121的寬度可為0.01、0.05、0.1、0.15、0.2、0.25、0.3、0.35、0.4、0.45、0.5、0.55、0.6、0.65、0.7、0.75、0.8、0.85、0.9、0.95、1.0、1.05、1.1、1.15、1.2、1.25、1.3、1.35、1.4、1.45或1.5英吋。進一步，在所述建構中，該唇部121具有長方形截面。在其他建構裡，該唇部121可採行任何截面形狀。例如，該唇部121可為三角形、圓柱形、角錐形、球形、立方體形或是任何適當的截面形狀。

當將該封蠟118射出到該工具120內時，該封蠟118環繞該HDMP 66的至少一局部而構成蠟殼及套鞘，即如圖10所示。此程序可以精準且可重複方式將該HDMP 66至少部份地嵌入於該封蠟118之內。即如圖10所示，該封蠟118至少部份地嵌入該凸緣74、該HDMP 66的頂側局部67，然而一部份被該唇部121所收納的基底局部70，以及兩個凸出102，則是遺留為曝出於或者設置在(被投射出)該封蠟118的外部。在一些建構中，只有該基底局部70的其一局部曝出於該封蠟118的外部。在其他建構裡，整個基底局部70可曝出於該封蠟之外部。而在其他建構裡，整個基底局部70可曝出於該封蠟之外。在其他建構裡，整個基底局部70和一部份的頂側局部可曝出於該封蠟118之外。

參照圖7及10，該嵌入式鑄造處理程序94進一步包含第四步驟122，即將封蠟元件添增於封蠟裝備，以及第五步驟126，即以陶瓷材料塗覆於該封蠟裝備。即如圖10所示，例如該封蠟118形成用於該高爾夫球桿頭10之封蠟組件的至少一封蠟元件。在一些建構中，該封蠟組件具有主封蠟本體。每個封蠟元件為接附於該主封蠟本體而構成整體的封蠟組件以供構成該高爾夫球桿頭本體14。在一些建構中，可在該封蠟組件的頂側上將一錐體或杯體(未以圖示)接附於該封蠟組件。此錐體含有開口，而在稍後的步驟過程中可經此倒入熔融材料。

在第五步驟126的過程中，可將該封蠟組件浸入在液態的陶瓷泥漿內，藉以於該封蠟組件上構成陶瓷殼130(圖10)。該封蠟組件的錐體局部則在頂側上留為開放。該封蠟組件設置有多個陶瓷覆層以構成該陶瓷殼130，這是因為多個陶瓷覆層可達到所欲強度而足以在將熔融材料倒入 該陶瓷殼130裡的稍後步驟中固持熔融材料。在施佈次一覆層之前會先令各個覆層乾燥。即如圖10所示，在此步驟過程中，該HDMP 66為至少部份地嵌入在該封蠟118及該陶瓷殼130的組合內。這兩個凸出102可套裝於該陶瓷殼130內，但是該等凸出102並不穿透該陶瓷殼130。此外，即如圖10所示，由該唇部121所產生收納該基底局部70的間隔86可完全地被該陶瓷殼130所填入。

參照圖7，該嵌入式鑄造程序94進一步包含第六步驟134，即熔化且移除該封蠟118。在所述建構中，在乾燥該陶瓷殼130之後，可藉由翻轉該封蠟組件並且對該封蠟組件加熱以熔化該封蠟118。在第六步驟134的過程中且如本揭進一步說明，該HDMP 66在該陶瓷殼130內經由該間隔86及/或該等凸出102被硬性地固持定位，並因而相對於該陶瓷殼130不會平移或旋轉。

續參照圖7，該嵌入式鑄造程序94進一步包含第七步驟138，即預加熱該陶瓷殼130，以及第八步驟142，即將熔融材料(即如金屬)倒入在該陶瓷殼130內(像是經由前述錐體內的開口)。熔融材料將會構成該高爾夫球桿頭本體14的至少一局部。此選定的預熱溫度是根據例如該高爾夫球桿頭本體14所採用的材料而定。在該第八步驟142的過程中，熔融材料會至少部份地嵌入在該HDMP 66內，並且當熔融材料冷卻且固化後，該HDMP 66就會變成該高爾夫球桿頭本體14之最終鑄造物的整體部份。

在一些建構中，該熔融材料為不鏽鋼合金、鋁合金、鈦合金或者其他的低密度、高強度金屬，然其他建構可包含不同材料。在一些建構中，該熔融材料為聚合物塑膠、熱塑性塑膠、熱固性塑膠或是其他的類 似材料可予熱熔並倒入該陶瓷殼130內。在一些建構中，該熔融材料為鋼質材料(即如17-4 PH不鏽鋼、Nitronic 50不銹鋼、馬氏體鋼材或其他種類的不鏽鋼)、像是Ti-9S及Ti-6-4的鈦基材料、鋁基材料(即如高強度鋁合金或者鍍覆以高強度合金的複合鋁合金)，或是該等的任何組合。該HDMP 66比起該熔融材料可具有較高的熔點，使得該HDMP 66在當接觸到構成該高爾夫球桿頭本體14的熔融材料時不會熔化或變形。

即如前述，利用這兩個具有彼此位移之軸線106、108的凸出102可在該程序94的過程中防止或阻擋該HDMP 66相對於該陶瓷殼130而平移或旋轉(即如扭轉)。尤其，該熔融材料的密度以及重力及/或離心運動所授予的動能傾向於在第八步驟142的過程中產生對該HDMP 66的力度。該等凸出102可有利地阻抗此一力度並且將該HDMP 66固持定位，使得該HDMP 66能夠被精準地定位，同時所獲重心或CG 52不致受到負面影響。在相同或其他建構裡，該間隔86可禁制或防止該HDMP 66沿著或在x或y軸方向上平移。此外，該間隔86可禁制或防止該HDMP 66繞於z軸旋轉。該間隔86可取代這兩個凸出102，或者除該等凸出102之外另增。

續參照圖7，該嵌入式鑄造程序94進一步含有第九步驟146，即移除該陶瓷殼130。該陶瓷殼130可藉由例如在該熔融金屬冷卻之後，實體地打破該陶瓷殼130使得該陶瓷殼130破碎且自冷卻金屬上掉落並離開該HDMP 66而移除。在一些建構中，可藉由像是振動、撞擊、砂轟或細微工具加工的機械方式來移除該陶瓷殼130。

續參照圖7，該嵌入式鑄造程序94進一步包含第十步驟150，即自該等鑄造部件的較大組件上分離這些鑄造部件。例如，可自複數 個鑄造部件，像是前述的一或更多高爾夫球桿頭本體14以及HDMP 66，來構成該高爾夫球桿頭10、一系列的高爾夫球桿頭10以及/或者一或更多高爾夫球桿頭整體。一旦產生出所有這些鑄造部件之後，即如前文所述，即可分離將這些部件以供進一步處理。在第十一步驟154中移除各個鑄造部件的所有切口及澆孔。

圖11說明在第十步驟150之後該等高爾夫球桿頭本體14及HDMP 66的其一者。在移除該陶瓷殼130後，該第一表面78以及兩個凸出102沿該高爾夫球桿頭10及該高爾夫球桿頭本體14的外部曝出。該HDMP 66被硬性地固持定位並鑄入於該高爾夫球桿頭本體14裡，而在該HDMP 66與該高爾夫球桿頭本體14之間構成該間隔86。

參照圖7及11，該嵌入式鑄造程序94進一步包含第十二步驟158，即移除這兩個凸出102。可藉由例如朝向該第一表面78研磨掉該等凸出102，然後對該第一表面78進行拋光直到該第一表面78為平滑為止，來移除這兩個凸出102。其他建構包含以不同的方式來移除該等凸出102，包含雷射移除、機械加工以及放電機械加工(EDM)。該間隔86的出現有利於移除該等凸出102而毋需顧慮到該高爾夫球桿頭本體14的分離處理。

參照圖7，該嵌入式鑄造程序94進一步含有第十三及最終步驟162，即該等鑄造部件或零件的完工。例如，且參照圖6，一旦移除該等凸出102後，將該間隔86填入以填充材料90(即如塗料、樹脂、橡膠、矽膠或其他彈性材料)。

若無該間隔86及/或無該填充材料90，該HDMP 66及該高 爾夫球桿頭本體14則可能會沿著該高爾夫球桿頭本體14的外部，亦即沿著使用者能夠看見的曝出表面，接觸到另一者。在該高爾夫球桿頭本體14與該HDMP 66間之接合處的接觸可能會導致位於此範圍內的材料(即如金屬)以非所樂見的方式去彩化。例如，該HDMP 66及該高爾夫球桿頭本體14沿著該高爾夫球桿頭本體14之外部的接合處相較於該高爾夫球桿頭本體14的其餘部份通常會比較熱，至少有一段時間會是如此。此溫度差可能在該接合處造成視覺上非所樂見的外觀，原因是在該HDMP 66與該高爾夫球桿頭本體14之材料間的氧化。而產生該間隔86，並且運用該填充材料90，藉此可提供一種方式以在此範圍內將該HDMP 66的第一表面78分隔於該高爾夫球桿頭本體14，同時沿著該完工的高爾夫球桿頭10的外部表面阻隔及/或隱藏任何去彩化情況。除此之外，該間隔86可禁制或防止該HDMP 66在鑄造程序94的過程中不會相對於該陶瓷殼130而沿著或在x或y軸方向上平移。並且，該間隔86可在該鑄造程序94的過程中禁制或防止該HDMP 66相對於該陶瓷殼130而沿著z軸旋轉。

前述的嵌入式鑄造程序94可有利地定位該高爾夫球桿頭10之重心或CG 52。例如，該HDMP 66比起構成該高爾夫球桿頭本體14的熔融材料具有較高的密度。因此，當將該HDMP 66鑄入於該高爾夫球桿頭本體14內時，該HDMP 66會令該重心或CG 52移動到所欲位置處(像是位於較低、朝後方的位置處，即如圖3所示)。在一些建構中，該HDMP 66足夠地重以在鑄造定位之後佔有該高爾夫球桿頭10之1/7到1/9間的總質量，然在其他建構裡可包含不同的數值及範圍。

前述的嵌入式鑄造程序94亦可有利地最大化該HDMP 66 的較低、朝後定位。例如，比起目前所使用的HDMP設置方法，該嵌入式鑄造程序94能夠讓該重心或CG 52更遠地向下及向後移動。此外，該嵌入式鑄造程序94可將該HDMP 66附近的支撐結構予以最小化。這可讓此支撐結構中沒有使用的重量能夠重新分布到其他位置。該嵌入式鑄造程序94也可消除焊燒、銅焊、型鍛、黏著劑塗佈、鑽鑿和打孔，以及其他時間且勞工密集的作業。而相較於其他用以將HDMP接合於球桿頭本體且通常在設置處理上面臨許多侷限的方法，該嵌入式鑄造程序94對於該HDMP 66的設置亦可提供更高的設計自由度。

即如前述，HDMP本身可具有各式形狀及尺寸，並且可具有各種數量、大小和形狀的凸出。例如，圖12及13說明根據另一建構的球桿頭210及HDMP 266。該HDMP 266是由鎢、鉭、錸、鋨、銥或鉑所製成，然其他建構可含有不同材料。該HDMP 266包含第一凸緣270及第二凸緣274。該等第一及第二凸緣270、274定義溝槽278，此者繞於該HDMP 266之週緣的至少一局部延伸。即如圖12所示，一旦既已利用該嵌入式鑄造程序94鑄造該HDMP 266之後，該球桿頭210上一球桿頭本體214之局部即延伸進入該溝槽278內。利用該溝槽278可提供另增的支撐，並且進一步有助於將該HDMP 266固定於該高爾夫球桿頭本體214。即如圖13所示，也設置有間隔286以供插入填充材料，即類似於前述的間隔86，故而禁制或防止發生去彩化。此外，類似於該間隔88，該間隔286可在該鑄造程序94的過程中禁制或防止該HDMP 266相對於該陶瓷殼130而沿著或在x或y軸方向上平移。同時，該間隔286可禁制或防止該HDMP 266在該鑄造程序94的過程中相對於該陶瓷殼130而繞於z軸旋轉。

圖14及15說明根據又另一建構的HDMP 366。該HDMP 366是由鎢、鉭、錸、鋨、銥或鉑所製成，然其他建構可含有不同材料。該HDMP 366含有凸出370，此者自表面374延伸(即如垂直地)。該凸出370為非圓柱型凸出，並且具有概略為三角形的截面，然其他建構可含有不同的截面，包含方形、六角形等等。該凸出370含有位於該表面374處的第一末端378，相反於該第一末端378而設置且遠離於該表面374的第二末端382，以及沿著該凸出370之一側而設置且位於該等第一與第二末端378、382之間的凹口386。該凹口386定義該凸出370上的一切截範圍。在一些建構中，該凹口386係自該凸出370切出一半圓形或其他形狀的元件。參照圖14，該凹口386具有沿著如該凸出370所定義之方向「Z」所測得的凹口長度「NL」。該凹口長度「NL」至少為0.005英吋，然其他建構可包含不同的數值及範圍。例如，在一些建構中，該凹口長度「NL」為至少0.0075英吋。在一些建構中，該凹口長度「NL」為至少0.010英吋。在一些建構中，該凹口沿著與該凹口長度「NL」相垂直之方向所測得的凹口寬度「NW」為至少0.005英吋，然其他數值及範圍亦為可能。例如，在一些建構中，該凹口寬度「NW」為至少0.0075英吋。在一些建構中，該凹口寬度「NW」為至少0.010英吋。

該單一凸出370的功能類似於前述兩個凸出102的組合。例如，在該嵌入式鑄造程序94的過程中，該凸出370會被至少部份地嵌入在該陶瓷殼130內。由於該凸出370的非圓柱型形狀，因此，比起單一圓柱型凸出，該凸出370不太可能自該陶瓷殼130滑出或者是相對於該陶瓷殼130而平移或旋轉(即如扭動)。此外，該凹口386可供進一步抓握到該陶瓷 殼130上，如此禁制或防止該凸出370相對於該陶瓷殼130(像是自沿著如圖14所示的方向「Z」移動)平移或旋轉(即如扭動)。該凹口386在該嵌入式鑄造程序94的過程中可離於該封蠟118(像是離於該封蠟118的外部表面而設置)，並且收納構成該陶瓷殼130的陶瓷材料。在一些建構中，該非圓柱型凸出370上提供有一個以上的凹口386。在一些建構中，該非圓柱型凸出370並不含有凹口386。在一些建構中，該凹口386是沿著該凸出370上位在異於如圖所示的不同位置處(即如位於該第二末端382處)。在相同或其他建構裡，可利用類似於該間隔86的間隔來禁制或防止該HDMP 366沿著或在x或y軸方向上平移。此外，該間隔可禁制或防止該HDMP 366繞於z軸旋轉。該間隔可取代該凸出370及/或該凹口386，或是除了該凸出370及/或該凹口386之外另增。

圖16說明根據又另一建構且鑄入材料468(即如17-4不銹鋼)的HDMP 466。該HDMP 466是由鎢、鉭、錸、鋨、銥或鉑所製成，然其他建構可含有不同材料。該HDMP 466含有圓柱型凸出470，此者自基底局部476的表面474(即如垂直地)延伸(圖16為略圖表示，而在一些建構中該HDMP 466也含有例如類似於前述凸緣74的凸緣)。該凸出470含有位於該表面474處的第一末端478，以及相反於該第一末端478而設置且遠離於該表面474的第二末端482。該圓柱型凸出470亦含有凹口486。該凹口486是在該第二末端482處沿該凸出470的一側所設置。該凹口486在該凸出470上定義一切截範圍。類似於該凹口386，該凹口486在該嵌入式鑄造程序94的過程中可供抓握到該陶瓷殼130上，並且禁制或防止該HDMP 466相對於該陶瓷殼130平移或旋轉(即如扭動)。在相同或其他建構中，可利用 類似於該間隔86的間隔以禁制或防止該HDMP 466沿著或在x或y軸方向上平移。此外，該間隔可禁制或防止該HDMP 466繞於z軸旋轉。該間隔可取代該凸出470及/或該凹口486，或是除該凸出470及/或該凹口486之外另增。在一些建構中，該凸出470含有一個以上的凹口486。在一些建構中，提供有一個以上的凸出470，其中至少一者含有凹口486。該凹口486在該凸出470上定義一切截範圍。在一些建構中，該凹口486自該凸出474的第二末端482切截出一半圓形或其他形狀的元件。該凹口具有沿著由該凸出470所定義之方向「Z1」上測得的凹口長度「NL1」。該凹口長度「NL1」為0.005英吋，然其他建構可含有不同的數值及範圍。例如，在一些建構中，該凹口長度「NL1」為至少0.0075英吋。在一些建構中，該凹口長度「NL1」為至少0.010英吋。在一些建構中，該凹口沿著與該凹口長度「NL1」相垂直之方向所測得的凹口寬度「NW1」為至少0.005英吋，然其他數值及範圍亦為可能。例如，在一些建構中，該凹口寬度「NW1」為至少0.0075英吋。在一些建構中，該凹口寬度「NW1」為至少0.010英吋。

圖17及18說明根據又另一建構的HDMP 566。該HDMP 566是由鎢、鉭、錸、鋨、銥或鉑所製成，然其他建構可含有不同材料。類似於HDMP 66，該HDMP 566含有基底局部570、凸緣574、位在該基底局部570上的第一表面578，以及在該凸緣574上的相反、第二表面582。該HDMP 566也含有凸出586，此者自該第一表面578延伸(即如垂直地)。該凸出586為一長棒。即如圖18所示，在該嵌入式鑄造程序94的過程中，該凸出586係經嵌入於該陶瓷殼130內。由於該凸出586為長棒，因此該HDMP 566受到禁制或防止相對於該陶瓷殼130平移或旋轉(即如扭動)。在 一些建構中，該HDMP 566含有一個以上的凸出586。在一些建構中，該凸出586含有一個或多個的凹口(像是凹口386或凹口486)。在相同或其他建構裡，可利用類似於該間隔86的間隔來禁制或防止該HDMP 566沿著或在x或y軸方向上平移。此外，該間隔可禁制或防止該HDMP 566繞於z軸旋轉。該間隔可取代該凸出586，或者除該凸出586之外另增。

圖19說明根據又另一建構的HDMP 666。該HDMP 666含有至少一延伸穿透的穿孔670。在所述建構中，該HDMP 666含有兩個穿孔670，然其他建構可含有不同數量及排置方式的穿孔670。例如，在一些建構中，該HDMP 666含有單一個穿孔670。而在一些建構中，該HDMP 666則含有兩個以上的穿孔670。在所述建構中，該等穿孔670為圓柱型且具有固定直徑。在一些建構中，該等穿孔670可具有改變的直徑。該等穿孔670在該嵌入式鑄造程序94的過程中受曝於該熔融材料(即如金屬)的流動。因此，該等穿孔670可提供開口，而該熔融材料(即如金屬)在該嵌入式鑄造程序94的過程中能夠經此流入。當該熔融材料冷卻且固化後，該HDMP 666即受到該等穿孔670內的固化材料支撐及握持。

圖20及21說明根據又另一建構的HDMP 766。該HDMP 766含有至少一個外部表面770，以及設置在該至少一個外部表面770上的至少一個凹陷774(即如盲孔)。在所述建構中，該HDMP 766含有設置在五個不同外部表面770上的二十一個凹陷774，然其他建構可含有不同數量及排置方式的凹陷774。例如，在一些建構中該HDMP 766含有僅設置在單一外部表面770上的一個以上凹陷774。在一些建構中，該HDMP 766在複數個不同的外部表面770上含有單一個凹陷774。在所述建構中，該等凹陷774為 圓柱型且具有固定直徑。在一些建構中，該等凹陷774可具有改變的直徑。在一些建構中，該等凹陷774為碗狀、角錐形或其他形狀以提供不連續於該表面770的陷入區域或範圍。該等凹陷774在該嵌入式鑄造程序94的過程中受曝於熔融材料(即如金屬)的流動。因此，該等凹陷774可提供開口，而該熔融材料在該嵌入式鑄造程序94的過程中能夠經此流入。當該熔融材料冷卻且固化後，該HDMP 766即受到該等凹陷774內的固化材料支撐及握持。

在一些建構中，HDMP含有至少一穿孔670以及至少一凹陷774兩者。在一些建構中，HDMP含有至少一凸出(即如前文所述的凸出102、370、470或580)，以及至少一穿孔670及/或至少一凹陷774。在一些建構中，HDMP具有如此所形成的表面。在一些建構中，HDMP具有經處理至所欲粗糙度的表面。在一些建構中，HDMP具有經塗佈藉以在前述嵌入式鑄造程序94過程中強化對該封蠟118及/或該陶瓷殼130之黏著度的覆層。在一些建構中，HDMP含有至少兩個不同的凸出(即如凸出102及凸出370)。在一些建構中，高爾夫球桿頭含有一個以上利用前述嵌入式鑄造程序94所鑄造定位的HDMP。

圖22說明另一用以構成該高爾夫球桿頭10並且用以將該HDMP 866耦接於如圖1-6所示之高爾夫球桿頭本體14的嵌入式鑄造程序1094。圖22所說明的嵌入式鑄造程序1094在許多方面是類似於如圖7所述的嵌入式鑄造程序94，除了圖22所示的嵌入式鑄造程序1094缺少包含自該部件移除該等HDMP凸出的步驟之外。該嵌入式鑄造程序1094包含第一步驟1098，即構成該HDMP 866。該HDMP 866是藉由例如機械加工、 鑄造、金屬射出模鑄處理、直接雷射燒結、粉末金屬構成程序，或是熟諳本項技藝之人士所知曉的其他適當處理方式而製成。

參照圖23，該HDMP 866類似於該HDMP 66，除了該HDMP 866缺少任何自該HDMP 866基底局部870之第一表面878延伸的凸出，即異於該HDMP 66之第一表面78的凸出102。但是，該HDMP 866確含有自該HDMP 866之第二表面882延伸的單一凸出802，即如圖23所示。該凸出802可自該HDMP 866的第二表面882延伸(即如垂直地)，並且可整合地構成為該HDMP 866的一部份。在所述建構中，該凸出802是自該第二表面882延伸出0.2到10英吋之間，然其他建構可包含不同的數值及範圍。在一些建構中，該凸出802自該第二表面882延伸0.2到1英吋之間。在一些建構中，該凸出802自該第二表面882延伸0.2到5英吋之間。在一些建構中，該HDMP 866可不包含任何凸出802。在一些建構中，該HDMP 866可含有複數個凸出802。

該凸出802亦具有截面積。在所述建構中，該凸出802具有圓形截面，此者定義0.005平方英吋到0.010平方英吋的截面積，然其他建構可含有不同的數值及範圍。在一些建構中，該凸出802具有0.005平方英吋到0.015平方英吋的截面積。在一些建構中，該凸出802具有約0.005平方英吋的截面積。在一些建構中，該截面積趨近於或等於該第一表面878的面積。此外，其他建構可包含具有不同截面的凸出802，包含三角形、方形、六角形等等。

在一些建構中，於構成該HDMP 866之後，可將覆層施加於該HDMP 866，這可在該嵌入式鑄造程序1094的後續步驟過程中保護該 HDMP 866。在許多建構裡，該覆層可藉由在後續鑄造處理過程中防止氧化以保存該HDMP 866的結構整體性，即如後文中進一步詳述。該覆層可為由任何足供承受高溫的材料所製成，即如前文所討論者。例如，該覆層可為由陶瓷、金屬、合金陶瓷、矽膠、矽鹽，或是任何其他可供承受高溫的材料或材料組合，所製成。示範性合金陶瓷覆層可包含碳化鎢-鈷、碳化鉻-鎳鉻、氧化物陶瓷，像是氧化鉻和氧化鋁、鉬、鐵和鎳，但不限於此。示範性金屬覆層可包含碳化鎢粉末、氮化物粉末、氧化鋯、金剛石粉末、氧化鈰和氧化鋁，但不限於此。進一步，可利用任何程序來塗佈該覆層，例如像是化學汽相沉積、熱噴灑或塗刷。在一些建構中，該覆層的厚度範圍可為從25微英吋到400微英吋。在一些建構中，可在該第一覆層上塗佈一第二覆層，而該第二覆層的厚度範圍可為從5微英吋至60微英吋。

參照圖22、24及25，該嵌入式鑄造程序1094進一步包含第二步驟1110，即將該HDMP 866放置在封蠟射出模具內，以及第三步驟1114，即將封蠟818(像是包覆封蠟)射出到該封蠟射出模具裡，藉以將該HDMP 866部份地嵌入至一蠟殼或套鞘內。該封蠟射出模具可在該基底局部870的外部表面與該封蠟818之間產生間隔886。該基底局部870的外部表面為該HDMP 866的一部份，而此者在當完成該嵌入式鑄造程序1094後將會曝出於該高爾夫球桿頭10的外部。在許多建構中，該間隔886可完全地繞於該基底局部870延伸。在一些建構中，該間隔886可部份地繞於該基底局部870延伸。在其他建構裡，該間隔886可含有至少部份地繞於該基底局部870延伸的一或更多局部，如此產生複數個間隔區段。例如，參照圖30，該間隔可含有單一第一間隔局部87，此者繞於該基底局部70大約 一半而延伸。對於進一步範例，參照圖31，該間隔86可含有設置在該基底局部70之角落71處的第一間隔局部87，設置在該基底局部70之第二角落72處的第二間隔局部88，設置在該基底局部70之第三角落73處的第三間隔局部89，以及設置在該基底局部70之第四角落75處的第四間隔局部91。對於進一步範例，參照圖32，該間隔86可含有設置在該基底局部70之左側92處的第一間隔局部87，以及設置在該基底局部70之右側93處的第二間隔局部88。對於進一步範例，參照圖32，該間隔86可含有設置在該基底局部70之前側95處的第一間隔局部87，以及設置在該基底局部70之後側96處的第二間隔局部88。在其他範例中，該間隔86可含有前述間隔區段與位置的任何組合。

例如，並且參照圖24，在所述建構中，工具820是設置為鄰接該HDMP 866。該工具820含有第一平板825和第二平板826。該第一平板825含有一唇部821，此者係經組態設定以收納該HDMP 866之基底局部870的至少一部份。在許多建構中，該唇部821收納整個基底局部870。在一些建構中，該唇部821可收納該基底局部870的一局部。在其他建構裡，該唇部821可收納整個基底局部870及一部份的頂側局部867。該第二平板826含有至少一孔洞803，此者係經組態設定以收納該HDMP 866的凸出802(圖24為該HDMP 866及該工具820的略圖表示，並且僅顯示單一個凸出802及孔洞803；然即如前述，該HDMP 866可具有兩個或更多凸出802並且該工具820可具有兩個或更多孔洞803)。在許多建構中，該唇部821可完整地繞於該HDMP 866的週緣延伸。在一些建構中，該唇部821可部份地繞於該HDMP 866的週緣延伸。在其他建構裡，該唇部821可含 有至少部份地繞於該HDMP 866之週緣而延伸的一或更多局部。該唇部821含有自該平板825朝向該HDMP 866延伸出的唇部高度「LH」。在所述建構中，該唇部高度「LH」是在0.01英吋到1英吋之間，然其他數值及範圍亦為可能。例如，在一些建構中，該唇部821的高度是在0.01到1.5英吋之間。在一些建構中，該唇部821的高度可為0.01、0.05、0.1、0.15、0.2、0.25、0.3、0.35、0.4、0.45、0.5、0.55、0.6、0.65、0.7、0.75、0.8、0.85、0.9、0.95、1.0、1.05、1.1、1.15、1.2、1.25、1.3、1.35、1.4、1.45及1.5英吋。進一步，該唇部821含有在平行於該平板825並且與該唇部高度方向相垂直之方向上延伸的唇部寬度「LW」。在所述具體實施例中，該唇部寬度「LW」是在0.01英吋到1英吋之間，然其他數值及範圍亦為可能。例如，在一些建構中，該唇部821的寬度是在0.01到1.5英吋之間。在一些建構中，該唇部821的寬度可為0.01、0.05、0.1、0.15、0.2、0.25、0.3、0.35、0.4、0.45、0.5、0.55、0.6、0.65、0.7、0.75、0.8、0.85、0.9、0.95、1.0、1.05、1.1、1.15、1.2、1.25、1.3、1.35、1.4、1.45及1.5英吋。進一步，在所述建構中，該唇部821具有長方形截面。在其他建構裡，該唇部821可採行其他截面形狀。例如，該唇部821可為三角形、圓柱形、角錐形、球形、立方體形或是任何適當的截面形狀。

當將該封蠟818射出到該工具820內時，該封蠟818環繞該HDMP 866的至少一局部而構成蠟殼及套鞘，即如圖25所示。此程序可供以精準且可重複方式將該HDMP 866至少部份地嵌入於該封蠟818之內。即如圖25所示，該封蠟818至少部份地嵌入該凸緣874及該頂側局部867，然而該基底局部870及該凸出802則是遺留為曝出於或者設置在(被投射出) 該封蠟818的外部。在一些建構中，只有該基底局部870的其一局部可曝出於該封蠟818的外部。在其他建構裡，整個基底局部870及一部份的頂側局部867可曝出於該封蠟118之外部。

參照圖22及25，該嵌入式鑄造程序1094進一步包含第四步驟1122，即將封蠟元件添增於封蠟裝備，以及第五步驟1126，即以陶瓷材料塗覆於該封蠟裝備。即如圖25所示，例如該封蠟818形成用於該高爾夫球桿頭10之封蠟組件的至少一封蠟元件。在一些建構中，該封蠟組件具有主封蠟本體。每個封蠟元件為接附於該主封蠟本體而構成整體的封蠟組件以供構成該高爾夫球桿頭本體14。在一些建構中，可在該封蠟組件的頂側上將一錐體或杯體(未以圖示)接附於該封蠟組件。此錐體含有開口，而在稍後的步驟過程中可經此倒入熔融材料。

在第五步驟1126的過程中，可將該封蠟組件浸入在液態的陶瓷泥漿內，藉以於該封蠟組件上構成陶瓷殼830(圖25)。該封蠟組件設置有多個陶瓷覆層以構成該陶瓷殼830，這是因為多個陶瓷覆層可達到所欲強度而足以在將熔融材料倒入該陶瓷殼830裡的稍後步驟中固持熔融材料。在施佈次一覆層之前會先使各個覆層乾燥。即如圖25所示，在此步驟過程中，該HDMP 866會被至少部份地嵌入在該封蠟818及該陶瓷殼830的組合內，該凸出802被套裝於該陶瓷殼830內，但是該凸出802並不穿透該陶瓷殼830及該間隔886，而此間隔是由該唇部821所產生，並收納該基底局部870的一部份且被構成該陶瓷殼830的陶瓷材料所佔據。

再次參照圖22，該嵌入式鑄造程序1094進一步包含第六步驟1134，即熔化且移除該封蠟818。在所述建構中，在乾燥該陶瓷殼830 之後，可藉由翻轉該封蠟組件並且對該封蠟組件加熱以熔化該封蠟818。在第六步驟834的過程中，且如後文進一步詳述，該HDMP 866會被該凸出802及該陶瓷填入間隔886硬性地固持在該陶瓷殼830內；該凸出802可防止相對於該陶瓷殼830沿著或在z軸方向上平移，並且該間隔886可防止相對於該陶瓷殼830沿著或在x或y軸方向上平移且防止繞於z軸旋轉。在該陶瓷殼830與該HDMP 866之間構成有中空範圍。續參照圖22，該嵌入式鑄造程序1094進一步包含第七步驟1138，即預先加熱該陶瓷殼830，以及第八步驟1142，即將熔融材料(即如金屬)倒入該陶瓷殼830內(像是經由前述角錐內的開口)。熔融材料將會構成該高爾夫球桿頭本體14的至少一局部。此選定的預熱溫度是根據例如該高爾夫球桿頭本體14所採用的材料而定。在該第八步驟1142的過程中，熔融材料會至少部份地嵌入在該HDMP 866內，並且當熔融材料冷卻且固化後，該HDMP 866就會變成該高爾夫球桿頭本體14之最終鑄造物的整體部份。

在一些建構中，該熔融材料為不銹鋼合金、鋁合金、鈦合金或者其他的低密度、高強度金屬，然其他建構可包含不同材料。在一些建構中，該熔融材料為聚合物塑膠、熱塑性塑膠、熱固性塑膠或是其他的類似材料可予熱熔並倒入該陶瓷殼830內。在一些建構中，該熔融材料為鋼質材料(即如17-4 PH不鏽鋼、Nitronic 50不銹鋼、馬氏體鋼材或其他種類的不鏽鋼)、像是Ti-9S及Ti-6-4的鈦基材料、鋁基材料(即如高強度鋁合金或者鍍覆以高強度合金的複合鋁合金)，或是該等的任何組合。該HDMP 866比起該熔融材料可具有較高的熔點，使得該HDMP 866在當接觸到構成該高爾夫球桿頭本體14的熔融材料時不會熔化或變形。

即如前述，利用該凸出802及該間隔886可在該嵌入式鑄造程序1094的過程中禁制或防止該HDMP 866相對於該陶瓷殼830而平移或旋轉。尤其，該熔融材料的密度以及重力及/或離心運動所授予的動能傾向於在第八步驟1142的過程中產生對該HDMP 866的力度。該凸出802及該間隔886可有利地阻抗此一力度並且將該HDMP 866固持定位，使得該HDMP 866能夠被精準地定位，同時所獲重心或CG 52不致受到負面影響。

續參照圖22，該嵌入式鑄造程序1094進一步含有第九步驟1146，即移除該陶瓷殼830。該陶瓷殼830可藉由例如，在該熔融金屬冷卻之後，實體地打破該陶瓷殼830使得該陶瓷殼830破碎且自冷卻金屬上掉落並離開該HDMP 866而移除。在一些建構中，可藉由像是振動、撞擊、砂轟或細微工具加工的機械方式來移除該陶瓷殼830。

續參照圖22，該嵌入式鑄造程序1094進一步包含第十步驟1150，即自該等鑄造部件的較大組件上分離這些鑄造部件。例如，可自複數個鑄造部件，像是前述的一或更多高爾夫球桿頭本體14以及HDMP 866，來構成該高爾夫球桿頭10、一系列的高爾夫球桿頭10以及/或者一或更多高爾夫球桿頭整體。一旦產生出所有這些鑄造部件之後，即如前文所述，即可分離將這些部件以供進一步處理。在第十一步驟1154中移除各個鑄造部件的所有切口及澆孔。

圖26說明在第十步驟1150之後該等高爾夫球桿頭本體14及HDMP 866的其一者。在移除該陶瓷殼830後，該第一表面878並連同該間隔886會沿著該高爾夫球桿頭10及該高爾夫球桿頭本體14的外部曝出。該HDMP 866被硬性地固持定位並鑄入於該高爾夫球桿頭本體14裡， 而在該HDMP 866與該高爾夫球桿頭本體14之間構成該間隔886。

參照圖22，該嵌入式鑄造程序1094進一步含有第十二及最終步驟1162，即該等鑄造部件或零件的完工。例如，且參照圖6，將該間隔886填入以填充材料90(即如塗料、樹脂、橡膠、矽膠或其他彈性材料)。在許多建構中，並不需要如圖7所示的嵌入式鑄造程序94第十二步驟，即包含自該HDMP 66的第一表面78移除該凸出102，原因是在該嵌入式鑄造程序1094中所使用的HDMP 866凸出802是設置在該球桿頭14的內部。

若無該間隔886及/或無該填充材料90，該HDMP 866及該高爾夫球桿頭本體14則可能會沿著該高爾夫球桿頭本體14的外部，亦即沿著使用者能夠看見的曝出表面，接觸到另一者。在該高爾夫球桿頭本體14與該HDMP 866間之接合處的接觸可能會導致位於此範圍內的材料(即如金屬)以非所樂見的方式去彩化。例如，該HDMP 866及該高爾夫球桿頭本體14沿著該高爾夫球桿頭本體14之外部的接合處相較於該高爾夫球桿頭本體14的其餘部份通常會比較熱，至少有一段時間會是如此。此溫度差可能會在該接合處造成視覺上非所樂見的外觀，原因是在該HDMP 866與該高爾夫球桿頭本體14之材料間的氧化。而產生該間隔886，並且運用該填充材料90，藉此可提供一種方式以在此範圍內將該HDMP 866的第一表面878分隔於該高爾夫球桿頭本體14，同時沿著該完工的高爾夫球桿頭10的外部阻隔及/或隱藏任何去彩化情況。除此之外，該間隔886可禁制該HDMP 866在鑄造程序1094的過程中不會相對於該陶瓷殼830沿著或在x或y軸方向上平移並且避免繞於z軸旋轉。

可利用如圖22所示的嵌入式鑄造程序1094來構成具有該 HDMP 866的球桿頭10。前述的嵌入式鑄造程序1094可有利地定位該高爾夫球桿頭10之重心或CG 52。例如，該HDMP 866比起構成該高爾夫球桿頭本體14的熔融材料具有較高的密度。因此，當將該HDMP 866鑄入於該高爾夫球桿頭本體14內時，該HDMP 866會令該重心或CG 52移動到所欲位置處(像是位於較低、朝後方的位置處，即如圖3所示)。在一些建構中，該HDMP 866足夠地重以在鑄造定位之後佔有該高爾夫球桿頭10之1/7到1/9間的總質量，然在其他建構裡可包含不同的數值及範圍。

前述的嵌入式鑄造程序1094亦可有利地最大化該HDMP 866的較低、朝後方定位。例如，比起目前所使用的HDMP設置方法，該嵌入式鑄造程序1094能夠讓該重心或CG 52更遠地向下及向後移動。此外，該嵌入式鑄造程序1094可將該HDMP 866附近的支撐結構予以最小化。這可讓此支撐結構中沒有使用的重量能夠重新分布到其他位置。該嵌入式鑄造程序1094也可消除焊燒、銅焊、型鍛、黏著劑塗佈、鑽鑿和打孔，以及其他時間且勞工密集的作業。而相較於其他用以將HDMP接合於球桿頭本體且通常在設置處理上面臨許多侷限的方法，該嵌入式鑄造程序1094對於該HDMP 866的設置亦可提供更高的設計自由度。

除此之外，該HDMP 866及該嵌入式鑄造程序1094可為有利，理由是它們不需要從該HDMP 866上移除凸出。不需要這項步驟的原因在於該凸出802是相對於該球桿頭14而朝內延伸以避免沿著或在z軸方向上平移，並且該間隔886可防止沿著或朝向x或y軸方向平移同時阻止繞於z軸旋轉，從而在鑄造過程中能夠將該HDMP 866固持定位。

圖27、28及29說明根據又另一建構的HDMP 966。該HDMP 966是由鎢、鉭、錸、鋨、銥或鉑所製成，然其他建構可含有不同材料。該HDMP 966類似於HDMP 66，除了該HDMP 966缺少任何凸出之外，即如圖27所示。可利用如圖22所示的嵌入式鑄造程序1094來構成具有該HDMP 966的球桿頭10。

參照圖27，根據第三步驟1114用於封蠟射出的工具920含有第一平板925及第二平板926。該工具920類似於前述的工具820，除了該第二平板926的孔洞903含有圓柱型壁部927之外，此壁部係自該第二平板925向內朝著該第一平板925，或者是朝向該HDMP 966的第二表面982，而延伸。在所述具體實施例中，該圓柱型壁部927的高度(AH)(亦即在朝向該第一平板925延伸的方向上)是在0.01英吋到1.5英吋之間，然其他數值及範圍亦為可能。例如，在一些建構中，該孔洞的高度可為0.01、0.05、0.1、0.15、0.2、0.25、0.3、0.35、0.4、0.45、0.5、0.55、0.6、0.65、0.7、0.75、0.8、0.85、0.9、0.95、1.0、1.05、1.1、1.15、1.2、1.25、1.3、1.35、1.4、1.45及1.5英吋。進一步，在所述具體實施例中，該孔洞903具有長方形截面。在其他具體實施例裡，該孔洞903可為三角形、角錐形、球形、立方體形或是任何其他適當的截面形狀。

當將該封蠟918射出到該工具920內時，該封蠟環繞著該HDMP 966的至少一局部，即類似於當將封蠟射出到該工具820內時，除了該工具920會產生孔洞903以外，此孔洞穿透該封蠟918的厚度而至該HDMP 966之頂側局部967的第二表面982。如此可讓該第二表面982的一局部曝出於外部以供進行第五步驟1126。第五步驟1126包含將該陶瓷殼930施佈於該HDMP 966。該孔洞903收納用以構成該陶瓷殼的陶瓷材料， 並且經由鄰近於該HDMP 966第二表面982處的封蠟918產生陶瓷樁柱904(圖28)。在第六步驟1134的過程中，這牽涉到將該封蠟熔出，而鄰近於該第二表面982的陶瓷樁柱904，且併同於設置在該HDMP 966第一表面978上的陶瓷殼930局部，則能夠防止該HDMP 966沿著或朝向z軸的方向平移。

在其他具體實施例裡，該工具920可產生複數個孔洞。這些孔洞的功能類似於孔洞903，因為各者都是收納用以構成該陶瓷殼的陶瓷材料並且產生複數個陶瓷樁柱。例如，在一些具體實施例中，該工具920可經組態設定以產生一、二、三、四、五或六個孔洞903來收納用以構成該陶瓷殼的陶瓷材料並且產生複數個陶瓷樁柱。各個陶瓷樁柱延伸穿過鄰近於該HDMP 966之第二表面982的封蠟918。在第六步驟1134的過程中，這牽涉到將該封蠟熔出，而鄰近於該第二表面982的陶瓷樁柱，且併同於設置在該HDMP 966之第一表面978上的陶瓷殼930局部，則可防止該HDMP 966沿著或在z軸的方向上平移。在其他具體實施例裡，該工具920可經組態設定以產生任意數量類似於孔洞903的孔洞。在一些具體實施例中，該等孔洞可為以固定距離相隔。在其他具體實施例裡，該等孔洞可按不規則距離相隔。在一些具體實施例中，各個孔洞可具有相同的截面大小。在其他具體實施例中，各個孔洞可具有不同的截面大小。

參照圖28及29，該HDMP 966，併同於該球桿頭本體14，共同地在該基底局部970與該高爾夫球桿頭本體14之間沿著該高爾夫球桿頭10的外部構成間隔986。該基底局部870的外部表面為該HDMP 866的局部，而在當完成該鑄造程序1094後，此者會曝出於該高爾夫球桿頭10 的外部。該間隔986類似於圖5所述的間隔86。該間隔986可完全地繞於該基底970延伸，或者可僅部份地繞於該基底970延伸而產生間隔區段。在其他建構中，該間隔86可含有一或更多局部，此等至少部份地繞於該基底局部70延伸而產生複數個間隔區段。例如，參照圖30，該間隔可含有單一第一間隔局部87，此者繞於該基底局部70大約一半而延伸。對於進一步範例，參照圖31，該間隔86可含有設置在該基底局部70之角落71處的第一間隔局部87，設置在該基底局部70之第二角落72處的第二間隔局部88，設置在該基底局部70之第三角落73處的第三間隔局部89，以及設置在該基底局部70之第四角落75處的第四間隔局部91。對於進一步範例，參照圖32，該間隔86可含有設置在該基底局部70之左側92處的第一間隔局部87，以及設置在該基底局部70之右側93處的第二間隔局部88。對於進一步範例，參照圖32，該間隔86可含有設置在該基底局部70之前側95處的第一間隔局部87，以及設置在該基底局部70之後側96處的第二間隔局部88。在其他範例中，該間隔86可含有前述間隔區段與位置的任何組合。此外，該間隔可在間隔深度方向「GD」上(亦即在概略地向內朝著該球桿頭中心的方向上)僅延伸0.01到1英吋，然其他數值及範圍亦為可能。例如，在一些建構中，該間隔986的深度是在0.01到1.25英吋之間。在一些建構中，該間隔986的深度是在0.01到1.5英吋之間。在所示建構中，於間隔寬度方向「GW」上(亦即在該外部、第一表面978與該高爾夫球桿頭本體14外部表面間之方向上延伸，同時與該間隔深度方向相垂直)該間隔986的寬度也是在0.01英吋到1英吋之間，然其他數值及範圍亦為可能。例如，在一些建構中，該間隔986的寬度是在0.01英吋到1.25英吋之間。在一些建構 中，該間隔986的寬度是在0.01到1.5英吋之間。該間隔986收納構成該陶瓷殼930的陶瓷材料。然後該陶瓷殼930可在該鑄造程序1094的過程中防止該HDMP 966相對於該陶瓷殼930沿著或在x或y軸方向上平移並且繞於z軸旋轉。

此外，該HDMP 966和該嵌入式鑄造程序1094可為有利，因為它們並不需要從該HDMP 966移除凸出。無須此項步驟是因為該HDMP 966並沒有任何凸出。該陶瓷樁柱904，連同沿該HDMP 966之第一表面978所設置的陶瓷殼930局部，可防止該HDMP 966在該鑄造程序1094的過程中相對於該陶瓷殼930而沿著或在z軸方向上的平移。此外，該間隔986可防止該HDMP 966在該鑄造程序1094的過程中相對於該陶瓷殼930而沿著或在x或y軸的方向上平移且繞於z軸旋轉。該HDMP 966的這些特性可減少製造成本與時間來改善效率。

本文中所描述的HDMP 66、266、366、466、566、666、766、866、966可禁制與該嵌入式鑄造程序94、1094的第六134、1134、第七138、1138和第八142、1142步驟過程裡所施加之力度相關聯的非所樂見移動。這些力度可能造成該HDMP 66、266、366、466、566、666、766、866、966於鑄造程序過程中繞於或是在z軸、x軸及y軸或其等任何組合之方向上以非所欲的方式平移或旋轉。該等凸出102、370、470、586、802和間隔86、286、886、986可防止該HDMP 66、266、366、466、566、666、766、866、966在該鑄造程序94、1094過程中的非所欲移動(亦即平移或旋轉)。

例如，在一些具體實施例中，可藉由該間隔86、286、886、986以及/或者藉由該凸出102、370、470、586、802來禁制或防止沿著或 朝向x軸方向上的平移。在一些具體實施例中，該間隔986可防止不含凸出102、370、470、586、802之HDMP 966沿著或在x軸方向上的平移。在其他的具體實施例裡，該間隔86、286、886可無需，或是另增於，凸出102、370、470、586、802防止該HDMP 86、286、386、486、586、686、786、886沿著或在x軸方向上的平移。

對於進一步範例，在一些具體實施例中，可藉由該間隔86、286、886、986以及/或者藉由該凸出102、370、470、586、802來禁制或防止沿著或在y軸方向上的平移。在一些具體實施例中，該間隔986可防止不含凸出102、370、470、586、802之HDMP 966沿著或在y軸方向上的平移。在其他的具體實施例裡，該間隔86、286、886可無需，或是另增於凸出102、370、470、586、802防止該HDMP 86、286、386、486、586、686、786、886沿著或在y軸方向上的平移。

對於進一步範例，在一些具體實施例中，可藉由該陶瓷樁柱904及/或藉由凸出102、370、470、586、802來禁制或防止沿著或在z軸方向上的平移。在一些具體實施例中，該陶瓷樁柱904可防止不含凸出102、370、470、586、802之HDMP 966沿著或在z軸方向上的平移。在其他具體實施例裡，該等凸出102、370、470、586、802可防止該HDMP 86、286、386、486、586、686、786、886沿著或在z軸方向上的平移。

對於進一步範例，在一些具體實施例中，可藉由該間隔86、286、886、986以及/或者藉由凸出102、370、470、586來禁制或防止繞於z軸的旋轉。在一些具體實施例中，該間隔886、986可防止不含凸出102、370、470、586、802之HDMP 866、966沿著或在z軸方向上的平移。在其 他的具體實施例裡，該間隔86、286可無需，或是另增於凸出102、370、470、586防止該HDMP 86、286、386、486、586、686、786繞於z軸的旋轉。

在所述具體實施例裡，繞於x軸的旋轉和繞於y軸的旋轉會被該HDMP 66、266、366、466、566、666、766、866、966及該鑄造模具的結構，且併同於間隔86、286、886、986或凸出102、370、470、586、802，內在性地防止。

本文中所敘述的嵌入式鑄造程序94、1094以及HDMP僅為示範性，並且不受限於本文所呈現的建構。例如，該等嵌入式鑄造程序94、1094可運用於本文中未予特定地描述或說明的眾多不同建構或範例。在一些建構中，可依照任何適當順序來執行該等嵌入式鑄造程序94、1094。在一些建構中，可對該等嵌入式鑄造程序94、1094中的一或更多步驟加以合併、分離或跳略。

替換一或更多的所揭示元件可組成重新建構，但並非修改。此外，現已針對於特定具體實施例描述多項益處、其他優點以及問題的解決方案。然而，不應將這些益處、優點與問題的解決方案，以及可能促使任何益處、優點或解決方案出現或是變得更為顯著的任何一或更多元件，詮釋為任一或所有申請專利範圍的關鍵、必要或基本特性或元件，除非在申請專利範圍中對此等益處、優點、解決方案或元件予以顯明陳述外。

由於高爾夫規則可能隨時變更(即如像是「United States Golf Association(USGA)」、「Royal and Ancient Golf Club of St.Andrews(R&A)」等等的高爾夫標準組織及/或領導團體可能會採用新的規定或是消除或修訂 舊的規則，因此與本揭所述設備、方法及製造物件相關聯的高爾夫裝備有可能會在任何特定時刻符合於或不符合於高爾夫規則。從而，與本揭所述設備、方法及製造物件相關聯的高爾夫裝備可能是依合規或者不合規的高爾夫裝備所廣告宣傳、促銷及/或販售。本揭所述的設備、方法及製造物件並不就此而受到侷限。

前述範例雖為關聯於木質高爾夫球桿所說明，然本揭所述之設備、方法及製造物件可適用於各種類型的高爾夫球桿，包含開球、球道木桿、混合式、交叉式，或是任何中空本體類型的高爾夫球桿。或另者，本揭所述的設備、方法及製造物件可適用於其他類型的運動裝備，像是曲棍球棍、網球球拍、釣魚竿、滑雪桿等等。

前述範例雖將HDMP描述為位於沿x軸54、y軸58及z軸62上的某一特定位置處，然在其他建構中HDMP可位於其他位置(即如沿相同x軸，但沿y軸上朝向或遠離該冠部或頂側26並且沿z軸62上朝向或遠離該球桿面部或面部或敲擊面部或敲擊平板36的位置，或者是沿相同y軸58，但沿x軸54上朝向或遠離該跟部末端22並且沿z軸62上朝向或遠離該球桿面部或面部或敲擊面部或敲擊平板36的位置)。此外，在一些建構中，可有一個以上的HDMP耦接於高爾夫球桿頭並且按如前文說明所設置。

再者，本揭示的具體實施例與限制在奉獻學說下並非公獻於大眾，倘若該等具體實施例及/或限制：(1)並未在申請專利範圍中被顯明地主張；以及(2)在等同學說下為或潛在地為申請專利範圍中之表示元件及/或限制的等同項目。

第1項：一種用於高爾夫球桿頭的包覆鑄造部件，該包覆鑄造部件包含高密度金屬元件，此者至少部份地嵌入在蠟殼內，該高密度金屬元件含有具備至少兩個凸出的本體，此等凸出從該本體延伸而離於該蠟殼，且該等至少兩個凸出沿著彼此相對位移的軸線而延伸。

第2項：如第1項之包覆鑄造部件，其中該等軸線為彼此平行。

第3項：如第1項之包覆鑄造部件，其中該等至少兩個凸出各者為圓柱型。

第4項：如第1項之包覆鑄造部件，其中該高密度金屬元件含有基底局部及自該基底局部延伸的凸緣，其中該基底局部含有第一表面，並且該凸緣含有相反於該第一表面所設置的第二表面，其中該等至少兩個凸出各者係自該第一表面延伸。

第5項：如第4項之包覆鑄造部件，其中該凸緣完整地繞於該高密度金屬元件的週緣而延伸。

第6項：如第4項之包覆鑄造部件，其中該凸緣延伸離於該基底局部0.005英吋到2.0英吋之間。

第7項：如第1項之包覆鑄造部件，進一步包含經設置在該蠟殼之至少一局部上的陶瓷殼，其中該等至少兩個凸出為至少部份地設置在該陶瓷殼內。

第8項：一種用於高爾夫球桿頭的包覆鑄造部件，該包覆鑄造部件包含含有本體的高密度金屬元件，此本體具有表面，自該表面延伸的第一凸出，以及自該表面而離於該第一凸出延伸的第二凸出；以及封蠟 套鞘，其中該封蠟套鞘環繞於該本體，進一步其中該第一凸出及該第二凸出各者為離於該封蠟套鞘而延伸。

第9項：如第8項之包覆鑄造部件，其中該第一凸出及該第二凸出為圓柱型。

第10項：如第8項之包覆鑄造部件，其中該本體含有基底局部及自該基底局部延伸的凸緣，其中該基底局部含有第一表面，並且該凸緣含有相反於該第一表面所設置的第二表面，其中該第一凸出及該第二凸出各者係自該第一表面延伸。

第11項：如第10項之包覆鑄造部件，其中該凸緣完整地繞於該高密度金屬元件的週緣而延伸。

第12項：如第10項之包覆鑄造部件，其中該凸緣延伸離於該基底局部0.005英吋到2.0英吋之間。

第13項：如第8項之包覆鑄造部件，進一步包含經設置在該封蠟套鞘之至少一局部上的陶瓷殼，其中該第一凸出及該第二凸出各者至少部份地設置在該陶瓷殼內。

第14項：一種用於高爾夫球桿頭的包覆鑄造部件，該桿頭為金屬木質，該包覆鑄造部件包含含有本體的高密度金屬元件，此本體具有表面及自該表面延伸的圓柱型或非圓柱型凸出，該凸出含有構成於其內的凹口；以及具有外部表面的封蠟套鞘，其中該封蠟套鞘至少部份地環繞於該本體，進一步其中該凹口不接觸到該封蠟套鞘。

第15項：如第14項之包覆鑄造部件，其中該凸出為非圓柱型凸出，在該表面處具有第一末端，以及相反於該第一末端而設置且離於 該表面的第二末端，並且其中該凹口設置在該第一末端與該第二末端之間。

第16項：如第14項之包覆鑄造部件，其中該凸出為圓柱型凸出，在該表面處具有第一末端，以及相反於該第一末端而設置且離於該表面的第二末端，並且其中該凹口設置在該第二末端處。

第17項：如第14項之包覆鑄造部件，其中該凸出具有三角形截面。

第18項：如第14項之包覆鑄造部件，進一步包含設置在該封蠟套鞘上的陶瓷殼，其中該凸出是設置在該陶瓷殼內。

第19項：一種高爾夫球桿頭，其包含：一種高爾夫球桿頭本體，此者具有底部、敲擊面部、冠部、跟部末端和趾部末端；一耦接於該高爾夫球桿頭本體的高密度金屬元件，其中在該高密度金屬元件的外部表面與該高爾夫球桿頭本體的外部表面之間設置有間隔，並且其中該間隔裡設置有填充材料。

第20項：如第19項之高爾夫球桿頭，其中該間隔完整地繞於該高密度金屬元件而延伸。

第21項：如第19項之高爾夫球桿頭，其中該高密度金屬元件含有基底局部及自該基底局部延伸的凸緣，其中該基底局部沿著該高爾夫球桿頭的外部曝出，並且其中該間隔是設置在該基底局部與該高爾夫球桿頭本體之間。

第22項：如第21項之高爾夫球桿頭，其中該間隔的寬度為在概略地朝內而向該高爾夫球桿頭中心延伸的間隔寬度方向上是在0.01英 吋到1英吋之間。

第23項：如第22項之高爾夫球桿頭，其中該間隔的深度在概略地切線於該高爾夫球桿頭外部輪廓，且與該間隔寬度方向相垂直延伸的間隔深度方向上是在0.01英吋到1英吋之間。

第24項：如第19項之高爾夫球桿頭，其中該填充材料是由包含塗料、樹脂、橡膠及矽膠的群組中所選定。

第25項：如第19項之高爾夫球桿頭，其中該高爾夫球桿頭本體是由包含不銹鋼合金、鋁合金、鈦合金、聚合物塑膠、熱塑性塑膠及熱固性塑膠之群組中所選定的材料所製成。

第26項：如第25項之高爾夫球桿頭，其中該高爾夫球桿頭本體是由包含17-4 PH不銹鋼、Nitronic 50不銹鋼、馬氏體鋼材、Ti-9S及Ti-6-4之群組中所選定的材料所製成。

第27項：如第19項之高爾夫球桿頭，其中該高密度金屬元件是由包含鎢、鉭、錸、鋨、銥和鉑之群組中所選定的材料所製成。

第28項：一種製造高爾夫球桿頭的方法包含構成高密度金屬元件，該高密度金屬元件具有至少一凸出；將該高密度金屬元件設置在封蠟射出模具內；將封蠟射出至該封蠟射出模具內使得該至少一凸出的局部不會嵌入在封蠟內；以陶瓷包覆該封蠟使得該至少一凸出的局部是設置在陶瓷內；將封蠟熔化以在該陶瓷與該高密度金屬元件之間構成中空範圍；將金屬倒入到該中空範圍內；以及移除該陶瓷；其中，在移除該陶瓷之後，在該高密度金屬元件的外部表面與該本體的外部表面之間設置一間隔；以及將填充材料插入該間隔內。

第29項：如第28項之方法，進一步包含藉由研磨、雷射移除機械加工和放電機械加工(EDM)的至少一種來移除該至少一凸出。

第30項：如第29項之方法，其中該至少一凸出包含凹口，並且其中以陶瓷包覆該封蠟的步驟包含以陶瓷材料填入該凹口內。

第31項：如第30項之方法，其中該高密度金屬元件在倒入該金屬的過程中並不會相對於該陶瓷而平移或旋轉。

第32項：一種經部分組裝的高爾夫球桿頭，含有本體，此者具有底部、敲擊面部、冠部、跟部末端和趾部末端；以及高密度金屬元件，此者耦接於該本體，其中在該高密度金屬元件的外部表面與該本體的外部表面之間設置有間隔，其中該高密度金屬元件含有自該高爾夫球桿頭延伸而出的兩個凸出。

第33項：一種製造高爾夫球桿頭的方法，其包含：構成高密度金屬元件；將該高密度金屬元件設置在封蠟射出模具內；放置工具而鄰接於該高密度金屬元件，該工具含有唇部以收納該高密度金屬元件的至少一局部；將封蠟射入該封蠟射出模具內，藉以令封蠟塗佈於該高密度金屬元件的局部，其中該高密度金屬元件中被該唇部所收納的局部是曝出於該封蠟的外部以產生間隔；自該封蠟射出模具移除該工具；對該封蠟及該高密度金屬元件的至少一局部塗佈以陶瓷，其中該間隔是被該陶瓷填入；將封蠟熔化以在該陶瓷與該高密度金屬元件之間構成中空範圍，其中該高密度金屬元件是被填有陶瓷的間隔硬性地固持定位；將金屬倒入該中空範圍內，該金屬構成高爾夫球桿頭的本體且至少部份地環繞於該高密度金屬元件，其中該填有陶瓷的間隔防止該高密度金屬元件沿著x或y軸平移並 且繞於z軸旋轉；以及移除該陶瓷，使得該高密度金屬元件與該高爾夫球桿頭本體的局部構成間隔。

第34項：如第33項的方法，進一步包含在移除陶瓷之後以填充材料填入該間隔的步驟。

第35項：如第33項之方法，其中該填充材料為塗料、樹脂、橡膠及矽膠的至少一者。

第36項：如第33項之方法，其中該間隔的深度是在0.01英吋到1英吋之間。

第37項：如第33項之方法，其中該間隔的寬度是在0.01英吋到1英吋之間。

第38項：如第33項之方法，其中鄰接該工具的高密度金屬元件含有曝出於該球桿頭之外部的第一表面，並且其中該第一表面含有自該高爾夫球桿頭朝外延伸的至少一凸出。

第39項：如第38項之方法，進一步包含，在移除該陶瓷之後，藉由從包含研磨、雷射移除、機器加工和放電機械加工之群組中所選定的至少一方法來移除該至少一凸出的步驟。

第40項：如第33項之方法，其中該高密度金屬元件含有一曝出於該球桿頭之外部的第一表面，以及相反於該第一表面的第二表面，其中該第二表面含有至少一凸出。

第41項：如第40項之方法，其中該第一表面含有自該高爾夫球桿頭朝外延伸的兩個凸出，並且其中該等凸出為對稱或非對稱。

第42項：一種高爾夫球桿頭，其包含：球桿頭本體；以及 高密度金屬元件，此者為整合地嵌入於該球桿頭本體內，該高密度金屬元件含有基底局部，此局部具有一曝出於該球桿頭本體之外部的第一表面，其中該球桿頭本體的外部表面與該高密度金屬元件的第一表面構成設置在其等之間的間隔，該間隔朝向該球桿頭內部延伸而曝出該基底局部的週緣，其中不會在該曝出的第一表面上看到製造過程中所造成的氧化和去彩化。

第43項：如第42項之高爾夫球桿頭，其中該間隔係經填入以填充材料。

第44項：如第43項之高爾夫球桿頭，其中該填充材料為塗料、樹脂、橡膠及矽膠的至少一者。

第45項：如第44項之高爾夫球桿頭，其中該高密度金屬元件含有相反於該第一表面的第二表面，並且其中該第二表面含有朝向該高爾夫球桿頭內部而延伸的至少一凸出。

第46項：如第45項之高爾夫球桿頭，其中該第二表面含有沿著彼此互相平行之軸線而延伸的兩個凸出。

第47項：如第45項之高爾夫球桿頭，其中該至少一凸出含有凹口。

第48項：如第42項之高爾夫球桿頭，其中該高密度金屬元件含有朝向該球桿頭內部所設置的頂側局部，並且其中該凸緣是自該高密度金屬元件的頂側局部延伸。

第49項：如第42項之高爾夫球桿頭，其中該間隔的深度是在0.01英吋到1英吋之間。

第50項：如第42項之高爾夫球桿，其中該間隔的寬度是在0.01英吋到1英吋之間。

第51項：一種用於高爾夫球桿頭的包覆鑄造組件，其中該包覆鑄造組件含有：封蠟射出模具；以及可移除工具，此者包含具有定義一凹入之唇部的第一局部，其中該工具係經組態設定以鄰接一高密度金屬元件，使得該唇部環繞於該高密度金屬元件的至少一局部，藉以在當移除該工具時能夠於該高密度金屬元件的局部與先前射出到該模具內的封蠟之間構成間隔。

第52項：如第51項之包覆鑄造組件，其中該唇部的高度是在0.01英吋到1英吋之間，寬度是在0.01英吋到1英吋之間。

本揭示的各種特性及優點是在後文申請專利範圍中陳述。

【生物材料寄存】

國內寄存資訊【請依寄存機構、日期、號碼順序註記】

(N/A)

國外寄存資訊【請依寄存國家、機構、白期、號碼順序註記】

(N/A)

【序列表】(請換頁單獨記載)

(N/A)

10‧‧‧高爾夫球桿頭

14‧‧‧本體

18‧‧‧趾部末端

22‧‧‧跟部末端

30‧‧‧底側

34‧‧‧背部末端

36‧‧‧敲擊平板

38‧‧‧週緣

48‧‧‧開口

50‧‧‧揮動重量調整元件

66‧‧‧高密度金屬元件(HDMP)

Claims (20)

1. 一種製造高爾夫球桿頭的方法，其包含：構成高密度金屬元件；將該高密度金屬元件設置在封蠟射出模具內；放置工具而鄰接於該高密度金屬元件，該工具含有唇部以收納該高密度金屬元件的至少一局部；將封蠟射入該封蠟射出模具內，藉以令封蠟塗佈於該高密度金屬元件的局部，其中該高密度金屬元件中被該唇部所收納的局部是曝出於該封蠟的外部以產生間隔；自該封蠟射出模具移除該工具；對該封蠟及該高密度金屬元件的至少一局部塗佈以陶瓷，其中該間隔是被該陶瓷填入；將封蠟熔化以在該陶瓷與該高密度金屬元件之間構成中空範圍，其中該高密度金屬元件是被填有陶瓷的間隔硬性地固持定位；將金屬倒入該中空範圍內，該金屬構成高爾夫球桿頭的本體且至少部份地環繞於該高密度金屬元件，其中該填有陶瓷的間隔防止該高密度金屬元件沿著x或y軸平移並且繞於z軸旋轉；以及移除該陶瓷，使得該高密度金屬元件與該高爾夫球桿頭本體的局部構成間隔。
2. 如申請專利範圍第1項之方法，進一步包含在移除陶瓷之後以填充材料填入該間隔的步驟。
3. 如申請專利範圍第2項之方法，其中該填充材料為塗料、樹脂、橡膠及矽膠的至少一者。
4. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該間隔的深度是在0.01英吋到1英吋之間。
5. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該間隔的寬度是在0.01英吋到1英吋之間。
6. 如申請專利範圍第1項之方法，其中鄰接該工具的高密度金屬元件含有曝出於該球桿頭之外部的第一表面，並且其中該第一表面含有自該高爾夫球桿頭朝外延伸的至少一凸出。
7. 如申請專利範圍第6項之方法，進一步包含，在移除該陶瓷之後，藉由從包含研磨、雷射移除、機器加工和放電機械加工之群組中所選定的至少一方法來移除該至少一凸出的步驟。
8. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該高密度金屬元件含有一曝出於該球桿頭之外部的第一表面，以及相反於該第一表面的第二表面，其中該第二表面含有至少一凸出。
9. 如申請專利範圍第6項之方法，其中該第一表面含有自該高爾夫球桿頭朝外延伸的兩個凸出，並且其中該等凸出為對稱或非對稱。
10. 一種高爾夫球桿頭，其包含：球桿頭本體；以及 高密度金屬元件，此者為整合地嵌入於該球桿頭本體內，該高密度金屬元件含有基底局部，此局部具有一曝出於該球桿頭本體之外部的第一表面，其中該球桿頭本體的外部表面與該高密度金屬元件的第一表面構成設置在其等之間的間隔，該間隔朝向該球桿頭內部延伸而曝出該基底局部的週緣，其中不會在該曝出的第一表面上看到製造過程中所造成的氧化和去彩化。
11. 如申請專利範圍第10項之高爾夫球桿頭，其中該間隔係經填入以填充材料。
12. 如申請專利範圍第11項之高爾夫球桿頭，其中該填充材料為塗料、樹脂、橡膠及矽膠的至少一者。
13. 如申請專利範圍第10項之高爾夫球桿頭，其中該高密度金屬元件含有相反於該第一表面的第二表面，並且其中該第二表面含有朝向該高爾夫球桿頭內部而延伸的至少一凸出。
14. 如申請專利範圍第13項之高爾夫球桿頭，其中該第二表面含有沿著彼此互相平行之軸線而延伸的兩個凸出。
15. 如申請專利範圍第13項之高爾夫球桿頭，其中該至少一凸出含有凹口。
16. 如申請專利範圍第10項之高爾夫球桿頭，其中該高密度金屬元件含有朝向該球桿頭內部所設置的頂側局部，並且其中該凸緣是自該高密度金屬元件的頂側局部延伸。
17. 如申請專利範圍第10項之高爾夫球桿頭，其中該間隔的深度是在0.01英吋到1英吋之間。
18. 如申請專利範圍第10項之高爾夫球桿頭，其中該間隔的寬度是在0.01英吋到1英吋之間。
19. 一種用於製造高爾夫球桿頭的包覆鑄造組件，其中該包覆鑄造組件含有：封蠟射出模具；以及可移除工具，此者包含具有定義一凹入之唇部的第一局部，其中該工具係經組態設定以鄰接一高密度金屬元件，使得該唇部環繞於該高密度金屬元件的至少一局部，藉以在當移除該工具時能夠於該高密度金屬元件的局部與先前射出到該模具內的封蠟之間構成間隔。
20. 如第19項之用於製造高爾夫球頭的包覆鑄造組件，其中該唇部的高度是在0.01英吋到1英吋之間，寬度是在0.01英吋到1英吋之間。